KR101004433B1 - 노즐 어셈블리 및 이를 구비한 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 노즐 베이스와 스윙 노즐이 연결되는 회전축에 회전력을 제공하는 구동축과, 구동 모터의 회전축이 홈과 돌출부의 요철 구조로 연결되는 것을 특징으로 가진다. 이러한 특징에 의하면, 노즐 어셈블리의 유지 보수를 보다 용이하게 할 수 있는 노즐 어셈블리 및 이를 구비한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
Figure R1020080111001
노즐 어셈블리, 구동축, 모터 회전축, 요철

Description

노즐 어셈블리 및 이를 구비한 기판 처리 장치{NOZZLE ASSEMBLY AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS USING THE SAME}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판으로 처리액을 분사하는 노즐 어셈블리와 이를 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하고, 상기 박막으로부터 전기적 특성을 갖는 박막 패턴으로 형성함으로서 제조된다.
상기 박막 패턴은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 화학적 기계적 연마(CMP) 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다.
반도체 소자를 제조하기 위해선 반도체 웨이퍼 상에 다층의 박막을 형성하는데 박막 형성에는 식각 공정이 채택되는 것이 일반적이다. 식각 공정에 있어서 웨이퍼의 이면(backside)에 증착된 박막 등은 후속 공정에서 이물질로 작용하므로 이러한 불필요한 박막 등과 같은 이물질을 제거하기 위한 목적으로 식각 공정이 수행된다.
본 발명은 기판의 전면(全面)에 균일하게 처리액을 공급할 수 있는 노즐 어셈블리 및 이를 구비한 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 노즐 어셈블리는 길이 방향으로 길게 연장된 노즐 베이스; 상기 노즐 베이스의 끝단에 스윙 동작 가능하도록 연결되며, 처리액을 분사하는 분사구가 형성된 스윙 노즐; 상기 스윙 노즐의 회전 중심축에 회전력을 제공하는 구동축; 및 상기 구동축과 요철 구조로 연결되는 회전축을 가지는 구동 모터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 노즐 어셈블리에 있어서, 일 예에 의하면, 상기 구동축의 끝단에는 오목한 형상의 홈이 형성되고, 상기 구동축과 연결되는 상기 모터 회전축의 끝단에는 상기 홈에 대응하는 돌출부가 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 노즐 어셈블리에 있어서, 다른 예에 의하면, 상기 모터 회전축의 끝단에는 오목한 형상의 홈이 형성되고, 상기 모터 회전축과 연결되는 상기 구동축의 끝단에는 상기 홈에 대응하는 돌출부가 형성될 수 있다.
상기 돌출부와 상기 홈은 서로 간에 상대 회전이 일어나지 않도록 하는 형상을 가질 수 있다.
상기 노즐 베이스의 내부에는 처리액이 흐르는 제 1 처리액 라인이 제공되고, 상기 스윙 노즐의 내부에는 처리액이 흐르는 제 2 처리액 라인이 제공되며, 상기 제 1 처리액 라인과 상기 제 2 처리액 라인은 독립적인 외장형의 연결관에 의해 연결될 수 있다.
상기 분사구는 상기 스윙 노즐과 상기 노즐 베이스의 연결부로부터 상기 스윙 노즐의 자유단을 향하는 방향에 대해 예각을 이루도록 형성될 수 있다.
상기 노즐 베이스에 고정 결합되는 고정 노즐을 더 포함할 수 있다.
상기 노즐 베이스와 상기 스윙 노즐은 그 외관이 유선형으로 제공될 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판을 상향 이격된 상태로 지지하는 스핀 헤드; 및 상기 스핀 헤드의 중공부에 설치되며 상기 스핀 헤드의 중심으로부터 반경 방향으로 연장된 노즐 베이스와, 상기 노즐 베이스의 끝단에 스윙 동작 가능하도록 연결되며 상기 기판의 하면으로 처리액을 분사하는 스윙 노즐을 가지는 백 노즐 어셈블리를 포함하되, 상기 스윙 노즐의 회전 중심축에 회전력을 제공하는 구동 축은 구동 모터의 회전축과 요철 구조로 연결되는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 일 예에 의하면, 상기 구동축의 끝단에는 오목한 형상의 홈이 형성되고, 상기 구동 축과 연결되는 상기 모터 회전축의 끝단에는 상기 홈에 대응하는 돌출부가 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 다른 예에 의하면, 상기 모터 회전축의 끝단에는 오목한 형상의 홈이 형성되고, 상기 모터 회전축과 연결되는 상기 구동축의 끝단에는 상기 홈에 대응하는 돌출부가 형성될 수 있다.
상기 돌출부와 상기 홈은 서로 간에 상대 회전이 일어나지 않도록 하는 형상을 가질 수 있다.
상기 노즐 베이스의 내부에는 처리액이 흐르는 제 1 처리액 라인이 제공되고, 상기 스윙 노즐의 내부에는 처리액이 흐르는 제 2 처리액 라인이 제공되며, 상기 제 1 처리액 라인과 상기 제 2 처리액 라인은 독립적인 외장형의 연결관에 의해 연결될 수 있다.
상기 스윙 노즐의 단부에는 상기 기판의 하면으로 처리액을 분사하는 분사구가 형성되며, 상기 분사구는 상기 스윙 노즐과 상기 노즐 베이스의 연결부로부터 상기 스윙 노즐의 자유단을 향하는 방향에 대해 예각을 이루도록 형성될 수 있다.
상기 기판 하면의 중심부로 처리액을 분사하도록 상기 노즐 베이스에 설치되는 고정 노즐을 더 포함할 수 있다.
상기 노즐 베이스와 상기 스윙 노즐은 그 외관이 유선형으로 제공될 수 있다.
상기 스윙 노즐의 회전 중심축은 상기 기판의 중심으로부터 상기 기판의 반 지름의 2/3 지점에 위치할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판의 전면(全面)에 균일하게 처리액을 공급할 수 있다.
그리고 본 발명에 의하면, 노즐 어셈블리의 유지 보수를 보다 용이하게 할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 노즐 어셈블리 및 이를 구비한 기판 처리 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시 예를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는 기판(W)의 상면, 하면 또는 양면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하기 위한 것으로, 기판 지지 유닛(100), 제 1 처리액 공급 유닛(200), 제 2 처리액 공급 유닛(300) 및 바울(400)을 포함한다.
기판 지지 유닛(100)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 구동부(140)에 의해 회전된다. 기판 지지 유닛(100)은 원형의 상부 면을 가지는 스핀 헤드(110)를 가지며, 스핀 헤드(110)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재들(120)이 설치된다. 핀 부재들(120)은 지지 핀들(122)과 정렬 핀들(124)을 포함한다. 지지 핀들(122)은 스핀 헤드(110)의 상부 면 가장자리부에 일정 배열을 이루며 소정 간격 이격되도록 배치되고, 스핀 헤드(110)로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀들(122)은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀 헤드(110)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀들(122)의 외 측에는 정렬 핀들(124)이 각각 배치되며, 정렬 핀들(124)은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 정렬 핀들(124)은 다수의 지지 핀들(122)에 의해 지지된 기판(W)이 스핀 헤드(110) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)의 측면을 지지한다.
스핀 헤드(110)의 하부에는 내부가 빈 중공형의 회전축(130)이 연결되며, 회전축(130)에는 스핀 헤드(110) 및 회전축(130)을 회전시키기 위한 구동부(140)가 연결된다. 구동부(140)의 구동원(142)으로는 모터와 같은 회전 구동 부재가 사용될 수 있다. 구동원(142)의 출력단에는 구동 풀리(144)가 설치되고, 벨트 부재(146)에 의해 구동 풀리(144)와 회전축(130) 간에 회전력이 전달된다.
제 1 처리액 공급 유닛(200)은 기판(W)의 상면에 처리액을 공급하고, 제 2 처리액 공급 유닛(300)은 기판(W)의 하면에 처리액을 공급한다. 여기서, 기판을 처리하기 위해 제 1 및 제 2 처리액 공급 유닛(200,300)로부터 공급되는 처리액으로 는 식각액 또는 세정액 등 기판 처리 공정에 따라 다양한 처리액이 사용될 수 있다. 식각 공정에서는 제거하고자 하는 막질의 종류에 따라 불산(HF)이나 황산(H2SO4)과 같은 처리액이 사용될 수 있으며, 세정 공정에서는 암모니아 또는 염산과 이들에 과산화수소와 물을 혼합한 혼합 처리액이 사용될 수 있다.
제 1 처리액 공급 유닛(200)은 기판 지지 유닛(100) 상에 놓인 기판(W)의 상면으로 처리액을 공급한다. 제 1 처리액 공급 유닛(200)은 기판(W)에 대해 수직하게 배치되며 기판(W)으로 처리액을 공급하는 노즐(210)을 가진다. 노즐(210)은 노즐 지지대(220)에 의해 지지되며, 노즐 지지대(220)는 수평 방향으로 배치되고 그 일단은 노즐(210)에 결합된다. 노즐 지지대(220)의 타단에는 노즐 지지대(220)와 직각을 이루도록 수직 방향으로 배치된 이동 로드(230)가 결합되고, 이동 로드(230)에는 구동 부재(240)가 연결된다. 구동 부재(240)는 공정 진행시 또는 공정 전후에 노즐(210)을 이동시킨다. 구동 부재(240)는 노즐(210)을 회전시키기 위한 모터일 수 있으며, 선택적으로 노즐(210)을 기판(W)의 반경 방향으로 직선 이동시키기 위한 어셈블리일 수 있다.
노즐(210)은 처리액 공급 라인(250)에 의해 처리액 공급원(252)에 연결된다. 처리액 공급 라인(250)상에는 처리액 공급원(252)으로부터 노즐(210) 방향으로 펌프(254), 필터(256) 및 밸브(258)가 순차적으로 배치된다. 밸브(258)는 컷 오프 밸브(Cut-Off Valve, 258a)와 석백 밸브(Suckback Valve, 258b)를 가진다. 처리액 공 급원(252)으로부터 공급되는 처리액은 펌프(256)에 의해 가압되고, 가압된 처리액은 필터(256)를 거쳐 컷 오프 밸브(258a) 및 석백 밸브(258b)를 통과한 후, 노즐(210)을 통해 기판상에 토출된다. 컷 오프 밸브(258a)는 가압된 처리액의 흐름을 온/오프(On/Off)하고, 석백 밸브(258b)는 처리액 토출후 노즐(210)의 토출구(미도시) 끝단에 존재하는 일정량의 처리액을 흡입하여 후퇴시킴으로써 처리액의 흘림을 방지한다.
도 2는 도 1의 스핀 헤드와 백 노즐 어셈블리의 평면도이고, 도 3은 도 2의 백 노즐 어셈블리의 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제 2 처리액 공급 유닛(300)은 중공축(310), 노즐 베이스(320), 스윙 노즐(340) 및 고정 노즐(360)을 포함한다. 제 2 처리액 공급 유닛(300)은 백 노즐 어셈블리로 불리기도 한다.
노즐 베이스(320)는 스핀 헤드(110)의 상면 중앙부에 돌출되도록 설치되는 제 1 노즐 베이스(322)와, 제 1 노즐 베이스(322)로부터 스핀 헤드(110)의 반경 방향으로 연장된 제 2 노즐 베이스(324)를 가진다. 제 1 노즐 베이스(322)의 하부에는 중공축(310)이 연결된다. 중공축(310)은 스핀 헤드(110) 및 회전축(130)의 중앙부에 형성된 중공부에 삽입된다. 중공축(310)과 스핀 헤드(110)는 베어링(150a)에 의해 상대 회전 가능하게 연결되고, 중공축(310)과 회전축(130)은 베어링(150b)에 의해 상대 회전 가능하게 연결된다.
스윙 노즐(340)은 제 2 노즐 베이스(320)의 단부에 회전(스윙) 가능하게 결 합된다. 스윙 노즐(340)은 제 2 노즐 베이스(320)의 단부를 회전 중심으로 스윙 동작을 하면서 기판(W)의 하면에 처리액을 공급한다. 스윙 노즐(340)은 스윙 동작에 의해 기판(W) 하면의 중앙부로부터 가장자리부에 이르기까지 기판 전면에 처리액을 공급할 수 있다. 고정 노즐(360)은 제 1 노즐 베이스(320)의 상면에 고정 결합되고, 기판(W) 하면의 중앙부로 처리액을 공급한다.
노즐 베이스(320)와 스윙 노즐(340)은 그 외관이 유선형으로 제공될 수 있다. 노즐 베이스(320)와 스윙 노즐(340)은 그 외관이 유선형으로 제공되면, 기판과 스핀 헤드(110) 사이의 공기 흐름의 저항이 감소될 수 있다. 또한, 스윙 노즐(340)로부터 기판 하면으로 제공된 처리액이 노즐 베이스(320)와 스윙 노즐(340)로 떨어질 때 유선형의 외관을 타고 흘러 내리기 때문에, 노즐 베이스(320)와 스윙 노즐(340)이 처리액에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
스윙 노즐(340)을 스윙 동작시키는 구동 부재(370)는 제 1 및 제 2 구동축(371,375), 종동축(372), 벨트(373) 및 모터(374)를 포함한다. 제 1 구동축(371)은 제 1 노즐 베이스(322)의 내부에 수직하게 설치되고, 종동축(372)은 제 2 노즐 베이스(322)의 내부 끝단에 수직하게 설치된다. 제 1 구동축(371)과 종동축(372)은 벨트(373)에 의해 연결되고, 벨트(373)가 제 1 구동축(371)과 종동축(372) 간에 동력을 전달한다. 제 1 구동축(371)은 모터(374)에 연결된 제 2 구동축(375)에 연결되고, 종동축(372)은 스윙 노즐(340)의 일단에 연결된다.
제 1 구동축(371)과 제 2 구동축(375)은 축 정렬되며, 요철 형상에 의해 서로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제 1 구동축(371)의 단부에 오목한 형상의 홈이 형 성되고, 제 2 구동축(375)의 단부에 제 1 구동축(371)의 홈에 대응하는 볼록한 형상의 돌출부가 형성될 수 있다. 반대로, 제 2 구동축(375)의 단부에 오목한 형상의 홈이 형성되고, 제 1 구동축(371)의 단부에 제 2 구동축(375)의 홈에 대응하는 볼록한 형상의 돌출부가 형성될 수 있다. 돌출부와 홈은 서로 간에 상대 회전이 일어나지 않도록 하는 형상을 가질 수 있다. 제 1 구동축(371)과 제 2 구동축(375)이 홈과 돌출부에 의해 서로 결합되면, 노즐 베이스(320)와 노즐들(340,360)의 유지 보수시 제 1 구동축(371)과 제 2 구동축(375)의 분리가 용이해진다.
모터(374)의 회전력은 제 2 구동축(375)을 통해 제 1 구동축(371)으로 전달되고, 제 1 구동축(371)의 회전력은 벨트(373)에 의해 종동축(372)으로 전달된다. 종동축(372)이 회전하면, 종동축(372)에 연결된 스윙 노즐(340)이 종동축(372)을 회전 중심으로 하여 회전(스윙)한다.
노즐 베이스(320)의 내부에는 처리액이 흐르는 제 1 처리액 라인들(326)이 제공된다. 스윙 노즐(340)의 내부에는 처리액이 흐르는 제 2 처리액 라인들(342)이 제공된다. 제 1 처리액 라인들(326)과 제 2 처리액 라인들(342)은 노즐 베이스(320)와 스윙 노즐(340)의 연결부 내측을 통해서 연결되지 않고, 별도의 외장형으로 제공되는 연결관들(380)에 의해 연결된다.
스윙 노즐(340)의 단부에는 제 2 처리액 라인들(342)과 연통되는 분사구(344)가 형성된다. 분사구(344)는 복수 개가 형성될 수 있다. 분사구(344)는 스윙 노즐(340)과 노즐 베이스(320)의 연결부로부터 스윙 노즐(340)의 자유단을 향하는 방향에 대해 예각을 이루도록 경사지게 제공될 수 있다.
바울(Bowl)(400)은 기판 지지 유닛(100)을 둘러싸도록 기판 지지 유닛(100)의 둘레에 배치된다. 바울(400)은 대체로 원통 형상을 가진다. 구체적으로 바울(400)은 원형의 하부 벽(402)과, 하부 벽(402) 상부로 연장되는 측벽(404)을 가진다. 하부 벽(402)에는 배기 홀(406)이 형성되고, 배기 홀(406)에는 배기관(410)이 연통 설치된다. 배기관(410) 상에는 펌프와 같은 배기 부재(420)가 배치된다. 배기 부재(420)는 기판(W)의 회전에 의해 비산된 처리액을 포함하는 용기 내부의 공기를 배기시키도록 음압을 제공한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 스핀 헤드와 백 노즐 어셈블리의 평면도이다.
도 3은 도 2의 백 노즐 어셈블리의 단면도이다.
도 4는 도 2의 백 노즐 어셈블리의 사시도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
320: 노즐 베이스 340: 스윙 노즐
360: 고정 노즐 370: 구동 부재

Claims (17)

  1. 길이 방향으로 길게 연장된 노즐 베이스;
    상기 노즐 베이스의 끝단에 스윙 동작 가능하도록 연결되며, 처리액을 분사하는 분사구가 형성된 스윙 노즐;
    상기 스윙 노즐의 회전 중심축에 회전력을 제공하는 구동축; 및
    상기 구동축과 요철 구조로 연결되는 회전축을 가지는 구동 모터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동축의 끝단에는 오목한 형상의 홈이 형성되고, 상기 구동축과 연결되는 상기 모터 회전축의 끝단에는 상기 홈에 대응하는 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하는 노즐 어셈블리.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 모터 회전축의 끝단에는 오목한 형상의 홈이 형성되고, 상기 모터 회전축과 연결되는 상기 구동축의 끝단에는 상기 홈에 대응하는 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하는 노즐 어셈블리.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐 베이스의 내부에는 처리액이 흐르는 제 1 처리액 라인이 제공되고, 상기 스윙 노즐의 내부에는 처리액이 흐르는 제 2 처리액 라인이 제공되며,
    상기 제 1 처리액 라인과 상기 제 2 처리액 라인은 독립적인 외장형의 연결관에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 노즐 어셈블리.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 분사구는 상기 스윙 노즐과 상기 노즐 베이스의 연결부로부터 상기 스윙 노즐의 자유단을 향하는 방향에 대해 예각을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 노즐 어셈블리.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐 베이스에 고정 결합되는 고정 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 어셈블리.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐 베이스와 상기 스윙 노즐은 그 외관이 유선형으로 제공되는 것을 특징으로 하는 노즐 어셈블리.
  9. 기판을 상향 이격된 상태로 지지하는 스핀 헤드; 및
    상기 스핀 헤드의 중공부에 설치되며 상기 스핀 헤드의 중심으로부터 반경 방향으로 연장된 노즐 베이스와, 상기 노즐 베이스의 끝단에 스윙 동작 가능하도록 연결되며 상기 기판의 하면으로 처리액을 분사하는 스윙 노즐을 가지는 백 노즐 어셈블리를 포함하되,
    상기 스윙 노즐의 회전 중심축에 회전력을 제공하는 구동 축은 구동 모터의 회전축과 요철 구조로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 구동축의 끝단에는 오목한 형상의 홈이 형성되고, 상기 구동축과 연결되는 상기 모터 회전축의 끝단에는 상기 홈에 대응하는 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 모터 회전축의 끝단에는 오목한 형상의 홈이 형성되고, 상기 모터 회전축과 연결되는 상기 구동축의 끝단에는 상기 홈에 대응하는 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 노즐 베이스의 내부에는 처리액이 흐르는 제 1 처리액 라인이 제공되고, 상기 스윙 노즐의 내부에는 처리액이 흐르는 제 2 처리액 라인이 제공되며,
    상기 제 1 처리액 라인과 상기 제 2 처리액 라인은 독립적인 외장형의 연결관에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 스윙 노즐의 단부에는 상기 기판의 하면으로 처리액을 분사하는 분사구가 형성되며, 상기 분사구는 상기 스윙 노즐과 상기 노즐 베이스의 연결부로부터 상기 스윙 노즐의 자유단을 향하는 방향에 대해 예각을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판 하면의 중심부로 처리액을 분사하도록 상기 노즐 베이스에 설치되는 고정 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 노즐 베이스와 상기 스윙 노즐은 그 외관이 유선형으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 스윙 노즐의 회전 중심축은 상기 기판의 중심으로부터 상기 기판의 반지름의 2/3 지점에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH10137664A (ja) 1996-11-15 1998-05-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置および処理方法
JPH10172880A (ja) 1996-12-06 1998-06-26 Nec Kagoshima Ltd フォトレジスト現像装置
KR100637718B1 (ko) 2005-10-04 2006-10-25 세메스 주식회사 매엽식 반도체 에칭 장비
KR100785729B1 (ko) 2006-12-27 2007-12-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10137664A (ja) 1996-11-15 1998-05-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置および処理方法
JPH10172880A (ja) 1996-12-06 1998-06-26 Nec Kagoshima Ltd フォトレジスト現像装置
KR100637718B1 (ko) 2005-10-04 2006-10-25 세메스 주식회사 매엽식 반도체 에칭 장비
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