KR101002648B1 - 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 평판 디스플레이 장치는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 위에 형성되는 전자 방출부; 상기 제 1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제 1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제 2 기판; 상기 제 1 기판과 마주하는 상기 제 2 기판의 일면에 형성되는 애노드 전극; 상기 애노드 전극 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광하는 형광막; 및 상기 애노드 전극 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되는 블랙 매트릭스층을 포함하고, 상기 블랙 매트릭스층은 애노드 전극면에 형성된 크롬 산화물, 또는 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 크롬 산화물로 이루어진 제1층 및 상기 제1층 위에 형성된 크롬 금속층의 제2층 및 상기 제2층 위에 형성된 크롬 산화물의 제3층을 포함한다.
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Description

평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법{FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF PREPARING THE SAME}
도 1은 본 발명의 블랙 매트릭스와 형광막 패턴이 형성된 기판의 단면도.
도 2는 블랙 매트릭스층의 부분 단면도.
도 3은 본 발명의 블랙 매트릭스와 형광막 패턴이 형성된 기판의 제조공정도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1: 기판
3: 애노드 전극층
5: 블랙 매트릭스
7R, 7G, 7B: 형광막
9: 블랙 매트릭스의 제1층
11: 블랙 매트릭스의 제2층
13: 블랙 매트릭스의 제3층
[산업상 이용 분야]
본 발명은 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수명과 품질 특성이 우수한 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[종래 기술]
일반적으로 평판 디스플레이 장치는 2매의 기판 상에 전자를 방출할 수 있는 캐소드와 상기 전자에 의해 발광하는 애노드를 각기 배치하여 임의의 화상을 구현할 수 있도록 구성된다.
이러한 평판 디스플레이 장치의 기본 구조에 따라 상기 평판 디스플레이 장치의 하나인 전계 방출 표시 장치(FED; Field Emission Display) 역시, 2매의 기판 중 하나의 기판인 캐소드 기판 상에 전자 방출원인 냉음극 전자원으로 배치하고, 다른 기판인 애노드 기판 상에는 전자빔의 타격에 의해 여기(勵起)되어 임의의 색을 구현하는 형광막 패턴을 형성한다.
상기 형광막 패턴 사이에는 외광의 반사를 감소시켜 디스플레이의 콘트라스트(contrast)를 향상시키기 위하여 블랙 매트릭스(black matrix)를 형성한다. 일반적으로 콘트라스트를 향상시키기 위하여 형광막 패턴 사이에 흑연을 도포하는 방법, 형광체 입자 표면에 안료를 부착하는 방법, 형광막 패턴 사이에 비전도성 물질로 절연층(insulating layer)을 형성한 후 그 위에 전도성층(conductive layer)을 형성하는 방법 등이 알려져 있다.
상기 첫번째 방법은 흑연과 같은 물질에서 발생될 수 있는 H2O, O2, CO, N2 , CO2 등과 같은 오염물질로 인하여 디스플레이의 수명과 품질이 저하되는 문제점이 있다. 상기 두번째 방법은 형광체 표면에 안료 물질을 부착하여 표면처리하는 방법으로 저전압으로 구동되는 디바이스의 경우에서는 오히려 휘도를 감소시키는 문제점이 있다. 상기 세번째 방법은 미국특허 제5,534,749호 및 미국특허 제6,002,205호에 기재되어 있는데 비전도성의 절연층은 형광막 사이에 콘트라스트를 증가시키고 전도성층은 2차 전자와 전하축적에 의한 전자빔의 산란으로 인한 디스플레이의 불안정성을 방지하여 주므로 디스플레이의 품질과 해상도를 증가시킬 수 있다. 그러나 이 방법은 비전도성 물질로 절연층을 형성한 후 식각하고 그 위에 전도성층을 형성한 후 식각하여 패턴을 형성하므로 공정상 복잡한 단점이 있다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점등을 해결하기 위한 것으로서, 수명과 품질 특성이 우수한 평판 디스플레이 장치 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제 1 기판; 상기 제 1 기판 위에 형성되는 전자 방출부; 상기 제 1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제 1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제 2 기판; 상기 제 1 기판과 마주하는 상기 제 2 기판의 일면에 형성되는 애노드 전극; 상기 애노드 전극 위에 임의의 패턴을 가 지고 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광하는 형광막; 및 상기 애노드 전극 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되는 블랙 매트릭스층을 포함하고, 상기 블랙 매트릭스층은 애노드 전극면에 형성된 크롬 산화물, 또는 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 크롬 산화물로 이루어진 제1층; 상기 제1층 위에 형성된 크롬 금속층의 제2층 및 상기 제2층 위에 형성된 크롬 산화물의 제3층을 포함한다.
또한 본 발명은 제 1 기판과 진공 용기를 형성하는 제 2 기판을 포함하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법에 있어서,
상기 제 2 기판의 일면에 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 산화물로 이루어진 애노드 전극 위에 크롬을 증착하여 임의의 패턴을 가지는 크롬 금속층을 형성하는 단계; 상기 크롬 금속층 패턴이 형성된 기판을 소성하여 크롬 산화물, 또는 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 크롬 산화물로 이루어진 제1층 및 상기 제1층 위에 형성된 크롬 금속층의 제2층 및 상기 제2층 위에 형성된 크롬 산화물의 제3층을 포함하는 블랙 매트릭스층을 형성하는 단계; 상기 블랙 매트릭스층 사이에 형광막을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 기판을 소성하는 단계를 포함하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.
이하 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명에서는 평판 디스플레이 장치의 품질과 해상도를 증가시키기 위한 것으로 블랙 매트릭스를 애노드 전극면에 크롬 산화물, 또는 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 크롬 산화물로 이루어진 제1층; 상기 제1층 위에 형성된 크롬 금속층의 제2층; 및 상기 제2층 위에 형성된 크롬 산화물의 제3층을 포함한다.
도 1은 본 발명에 따른 블랙 매트릭스층(5)이 형성된 기판(1)의 단면도이다. 상기 블랙 매트릭스층(5)의 부분 단면도는 도 2에 도시하였다. 도 2에 도시된 바와 같이 블랙 매트릭스층(5)은 애노드 전극(3) 면에 접촉하는 부분에 크롬 산화물, 또는 인듐, 주석, 주석-인듐, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 크롬 산화물의 제1층(9)이 형성되고, 상기 제1층(9) 위에 형성된 크롬 금속층의 제2층(11) 및 상기 제2층 위에 형성된 크롬 산화물의 제3층(13)이 형성된다. 상기 제1층에는 철, 몰리브덴 및 텅스텐이 추가로 포함될 수 있다.
상기 제1층(9)은 비전도성막으로 형광막의 콘트라스트를 향상시키고, 크롬 금속층(11)은 2차 전자와 전하 축적에 의한 전자빔의 산란으로 인한 디스플레이의 불안정성을 방지하여 디스플레이의 질과 해상도를 증가시키며, 크롬 산화물층(13)은 경면반사율을 더욱 감소시켜 콘트라스트를 더욱 향상시킨다.
본 발명에서 블랙 매트릭스층의 두께는 2500Å 이상, 바람직하게는 3000 내 지 5000Å, 더욱 바람직하게는 3000 내지 4000Å이다. 블랙 매트릭스층의 두께가 2500Å 미만이면 빛을 충분히 차단하지 못해 콘트라스트 향상에 문제가 있어 바람직하지 않다.
평판 디스플레이 장치의 콘트라스트와 해상도를 고려할 때 블랙 매트릭스층을 형성하는 1층은 100 내지 3000Å 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 블랙 매트릭스층의 1층의 두께가 100Å 미만이면 빛을 충분히 차단하지 못해 콘트라스트 향상에 문제가 있으며, 3000Å을 초과하는 경우에는 두께 증가에 따른 콘트라스트 향상 효과가 일정하다. 블랙 매트릭스층을 형성하는 2층의 두께는 4000Å 이하, 바람직하게는 200 내지 3000Å, 더 바람직하게는 200 내지 1000Å이다. 상기 2층의 두께가 4000Å을 초과하면 콘트라스트 및 전도도 향상 효과가 일정하다. 블랙 매트릭스층을 형성하는 3층의 두께는 4000Å 이하, 바람직하게는 500 내지 3000 Å, 더 바람직하게는 500 내지 1000 Å이다. 상기 3층의 두께가 4000Å을 초과하면 경면반사율을 더욱 향상시키는 효과가 일정하므로 무의미하다.
상기 제1층에 존재하는 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 함량은 1ppb 이상인 것이 바람직하고, 1 내지 1000 ppb인 것이 더 바람직하다. 상기 제1층을 구성하는 금속 산화물은 CrxOy(0<x<10, 0<y<25) 또는 CrxMyOz(M은 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 금속임, 0<x<10, 0<y<20, 0<z<25 이다. 제2층 은 크롬 금속층이고 제3층은 CrxOy(0<x<10, 0<y<25)의 크롬 산화물층이다.
본 발명에 따른 블랙 매트릭스층은 550nm 파장에서의 경면반사율이 0.01% 내지 60.5%의 범위에 있고 더욱 바람직하게는 0.01 내지 30% 범위가 적합하다. 경면반사율이 높으면 외광 빛이 디스플레이에 반사되어 화면이 잘 보이지 않게 되므로 콘트라스트가 저하된다. 또한 크롬 표면 면저항이 1 내지 4 Ω/cm2 의 범위에 있고, 더욱 바람직하게는 1.1 내지 2.5 Ω/cm2 범위가 적합하다. 부도체인 형광체 표면에 가속된 전자들이 축적되어 발광이 저하될 수 있는데 블랙 매트릭스의 면저항이 낮으면 축적된 전자들이 블랙 매트릭스층을 통해 빠져나가는 효과를 기대할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스를 구성하는 제1층, 제2층 및 제3층은 각각 증착하여 형성될 수도 있으며, 별개의 증착 공정을 거치지 않고 소성 공정에 의하여 간단하게 형성될 수도 있다.
또 다른 공정은 도 3에 도시된 바와 같이 기판의 일면에 형성된 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 산화물을 포함하는 애노드 전극 위에 크롬을 증착하여(S1) 임의의 패턴을 가지는 크롬 금속층을 형성한 다음(S2) 상기 크롬 금속층 패턴이 형성된 기판을 대기 분위기에서 소성하여(S3) 애노드 전극면에 접촉하는 크롬을 산화 시켜 제1층을 형성한다. 즉 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 산화물이 포함되어 있는 애노드 전극에 크롬을 증착한 다음 이를 소성하면 애노드 전극에 존재하는 산소와 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속중 일부가 크롬 금속층으로 확산되어 애노드 전극에 접촉하는 부분에 크롬이 흑색화된 산화물층의 제1층이 형성되고 대기와 접촉된 부분에는 크롬 산화물층의 제3층이 형성되고, 이들의 중간층에는 크롬 금속층의 제2층이 존재한다. 이러한 방법은 금속 산화물의 비전도성층(제1층), 크롬 금속층의 전도성층(제2층) 및 크롬 산화물층의 비전도성층(제3층)을 별개의 증착 공정을 거치지 않고 소성 공정에 의하여 간편하게 형성할 수 있으므로 디바이스의 양산성을 향상시킬 수 있다.
블랙 매트릭스의 제1층을 형성하기 위한 애노드 전극으로는 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물이 사용되는 것이 바람직하며, 이들 금속 산화물은 철, 몰리브덴, 텅스텐을 추가로 더 포함할 수 있다. 애노드 전극으로 사용되는 금속 산화물의 구체적인 예로는 ITO(indium tin oxide), SnO2, ATO(Antimony tin oxide) 등이 있다.
애노드 전극층의 두께는 100Å 이상, 바람직하게는 1000 내지 3000Å의 범위로 조절하는 것이 애노드 전극내에 존재하는 산소 또는 금속을 크롬 금속층으로 확산시키기에 바람직하다.
애노드 전극에 크롬을 증착하는 방법으로는 스퍼터링법, 전자 빔 증발법(electron beam evaporation), 진공 열 증발법(vaccum thermal evaporation), 레이저 어블레이션(laser ablation), 화학 기상 증착법, 열 증발(thermal evaporation), 플라즈마 화학 기상 증착법, 레이저 화학 기상 증착법, 젯트 기상 증착법 등이 이용될 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.
크롬 금속층의 패턴을 형성하는 방법은 포토리소그래피 공정을 이용할 수도 있고 마스크를 사용하여 패턴을 형성할 수도 있다. 이러한 패턴 형성방법은 잘 알려져 있으므로 상세한 공정은 생략한다.
상기 제1층 내지 제3층을 포함하는 블랙 매트릭스층을 형성하기 위한 크롬 금속층 패턴이 형성된 기판의 소성공정은 350 내지 600℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하고, 450 내지 550℃의 온도에서 실시하는 것이 더 바람직하다. 소성온도가 350℃ 미만 이면 산소와 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속이 크롬 금속층으로 충분히 확산되지 않아 바람직하지 않고, 600℃를 초과하는 경우에는 크롬 금속층이 손상될 수 있어 바람직하지 않다. 상기 소성공정은 1분 이상 실시하는 것이 바람직하고, 10분 내지 60분 동안 실시하는 것이 더 바람직하다. 소성시간이 1분 미만이면 제1층의 금속 산화물층이 충분히 형성되는 데 문제가 있다.
제1층의 금속 산화물층의 형성은 소성공정에 의하여 애노드 전극에 존재하는 산소와 금속의 확산에 의하여 이루어지므로 산소를 외부에서 공급할 필요가 없으며 소성 분위기는 특별히 제한되지 않는다.
상기와 같이 형성된 블랙 매트릭스 사이에 형광체를 도포한 다음 소성하여 형광막을 형성하여 기판을 제조한다(도 3의 S4).
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
세정된 글래스 기판에 ITO 애노드 전극을 3000Å 두께로 형성한 다음 크롬을 각각 2500Å 및 3500Å 두께로 증착하여 크롬 박막을 형성하였다. 그런 다음 포토리소그래피 공정에 의하여 크롬 박막 패턴을 형성하고 이를 하기 표 1에 기재된 소성조건에 따라 대기 분위기에서 소성하여 도 2에 기재된 3개의 층으로 이루어진 블랙 매트릭스를 형성하였다. 블랙 매트릭스 사이에 형광막을 형성한 후 소성하여 기판을 제조하였다. 제조된 기판의 550nm에서의 경면반사율(reflectance, %)과 크롬 금속층의 표면 면저항을 측정하여 하기 표 1에 함께 기재하였다. 경면반사율은 30도 입사각으로부터 색온도 3200K의 텅스텐 할로겐 램프를 이용하여 30도 반사각에서 반사되는 반사도를 측정하였다. 면저항은 4 프루브(probe) 방식을 이용하여 측정하였다.
[표 1]
크롬 박막의 증착두께(Å) 소성온도(℃) 소성시간(분) 경면반사율
(550nm, %)		 면저항
(Ω/㎠)
2500 250(비교예 1) 10 61 2.95
30 55 2.88
400(실시예 1) 10 40.7 2.87
30 26.6 2.85
450(실시예 2) 10 8.81 2.91
30 0.52 2.25
650(비교예 2) 45 25.1 3.01
75 27.2 3.25
3500 250(비교예 3) 10 60.2 2.88
30 59.1 2.86
400(실시예 3) 10 39.0 2.11
30 26.2 2.25
450(실시예 4) 10 6.09 2.33
30 0.18 2.10
650(비교예 4) 45 25.4 3.06
75 26.1 3.52
상기 표 1에 기재된 바와 같이 본 발명의 범위에서 소성한 기판의 경면 반사율이 낮으므로 콘트라스트가 우수하고 표면 면저항이 낮으므로 발광특성이 우수함을 알 수 있다.
본 발명의 평판 디스플레이 장치는 크롬 산화물, 또는 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 크롬 산화물로 이루어진 제1층 및 상기 제1층 위에 형성된 크롬 금속층의 제2층 및 상기 제2층 위에 형성된 크롬 산화물의 제3층을 포함하는 블랙 매트릭스를 포함함으로써 형광막의 콘트라스트를 향상시키고, 2차 전자와 전하 축적에 의한 전자빔의 산란으로 인한 디스플레이의 불안정성을 방지하여 디스플레이의 질과 해상도를 증가시킨다. 또한 흑연을 사용하지 않으므로 H2O, O2, CO, N2, CO2 등과 같은 오염물질의 발생을 차단할 수 있어 디스플레이의 수명과 품질을 향상시킬 수 있다.

Claims (18)

  1. 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 위에 형성되는 전자 방출부;
    상기 제 1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제 1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제 2 기판;
    상기 제 1 기판과 마주하는 상기 제 2 기판의 일면에 형성되는 애노드 전극;
    상기 애노드 전극 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되어 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광하는 형광막; 및
    상기 애노드 전극 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되는 블랙 매트릭스층을 포함하고,
    상기 블랙 매트릭스층은 애노드 전극면에 형성된 크롬 산화물, 또는 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 크롬 산화물로 이루어진 제1층; 상기 제1층 위에 형성된 크롬 금속층의 제2층; 및 상기 제2층 위에 형성된 크롬 산화물의 제3층을 포함하는 평판 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 두께는 2500Å 이상인 평판 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 두께는 3000 내지 5000 Å인 평판 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 두께는 3000 내지 4000 Å인 평판 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 제1층은 100 내지 3000Å의 두께를 가지는 것인 평판 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 550nm 파장에서의 경면반사율이 0.01% 내지 60.5%의 범위에 있고 크롬 표면 면저항이 1 내지 4 Ω/cm2 의 범위에 있는 평판 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 제1층은 철, 몰리브덴 및 텅스텐을 추가로 포함하는 것인 평판 디스플레이 장치.
  8. 제 1 기판과 진공 용기를 형성하는 제 2 기판을 포함하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법에 있어서,
    상기 제 2 기판의 일면에 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망 간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 산화물로 이루어진 애노드 전극 위에 크롬을 증착하여 임의의 패턴을 가지는 크롬 금속층을 형성하는 단계;
    상기 크롬 금속층 패턴이 형성된 기판을 소성하여 크롬 산화물, 또는 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납 및 크롬으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 크롬 산화물로 이루어진 제1층; 상기 제1층 위에 형성된 크롬 금속층의 제2층; 및 상기 제2층 위에 형성된 크롬 산화물의 제3층을 포함하는 블랙 매트릭스층을 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스층 사이에 형광막을 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 기판을 소성하는 단계
    를 포함하는 평판 디스플레이 장치의 제조방법
  9. 제8항에 있어서, 상기 애노드 전극의 두께는 100Å 이상인 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 소성단계는 350 내지 600℃의 온도에서 실시하는 것인 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 소성단계는 450 내지 550℃의 온도에서 실시하는 것인 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 소성단계는 1분 이상 실시하는 것인 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 두께는 2500 Å이상인 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 두께는 3000 내지 5000 Å인 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 두께는 3000 내지 4000 Å인 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  16. 제8항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 제1층은 100 내지 3000Å의 두께를 가지는 것인 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  17. 제8항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 550nm 파장에서의 경면반사율이 0.01 내지 60.5%의 범위에 있고 크롬 표면 면저항이 1 내지 4 Ω/cm2 의 범위에 있는 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
  18. 제8항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 제1층은 철, 몰리브덴 및 텅스텐을 추가로 포함하는 것인 평판 디스플레이 장치의 제조방법.
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