KR100998093B1 - 플라즈마 표시 장치와 그 구동 장치 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 표시 장치는 유지 기간 동안 주사 전극에 유지 펄스를 인가하는 주사 구동 보드와 유지 기간 동안 주사 전극에 인가되는 유지 펄스와 반대 위상으로 유지 전극에 유지 펄스를 인가하는 유지 구동 보드를 포함한다. 이때, 주사 구동 보드와 유지 구동 보드는 하네스(harness)로 연결되며, 하네스는 양 측면에 그라운드 배선이 배치되고 양 측면에 배치된 그라운드 배선 사이에 메인 경로 배선이 배치된다.
PDP, 전극, 방전, 유지 펄스, 하네스(harness)

Description

플라즈마 표시 장치와 그 구동 장치{PLASMA DISPLAY AND DRIVING APPARATUS THEREOF}
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치에 관한 것으로, 특히 유지 기간에서의 구동 회로에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널을 이용한 표시 장치이다. 이러한 플라즈마 표시 패널에는 복수의 셀이 매트릭스 형태로 배열되어 있다.
일반적으로 플라즈마 표시 장치는 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하며, 복수의 서브필드 중 표시 동작이 일어나는 서브필드의 가중치의 조합에 의해 계조가 표시된다. 각 서브필드의 어드레스 기간 동안 발광 셀과 비발광 셀이 선택되고 유지 기간 동안 실제로 영상을 표시하기 위해 발광 셀에 대하여 유지 방전이 수행된다.
특히, 유지 기간에서 영상을 표시하기 위해서는 유지 방전을 수행하는 주사 전극과 유지 전극에 각각 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 가지는 유지 펄스가 교대로 인가된다. 이때, 유지 방전이 일어나는 두 전극은 용량성 성분으로 작용하 므로, 두 전극에 하이 레벨 전압 또는 로우 레벨 전압을 인가하기 위해서는 무효 전력이 필요하다. 따라서, 주사 전극을 구동하기 위한 주사 구동 보드와 유지 전극을 구동하기 유지 구동 보드는 무효 전력을 회수하여 재사용하는 에너지 회수 회로를 포함한다. 이와 같이, 두 구동 보드에 동일한 구조의 에너지 회수 회로가 각각 존재함에 따라 플라즈마 표시 장치의 단가가 증가한다. 따라서, 하나의 에너지 회수 회로를 이용하여 주사 전극과 유지 전극에 각각 유지 펄스를 인가하는 방법이 제안되었다. 그런데, 하나의 에너지 회수 회로를 이용할 경우, 에너지 회수 회로를 주사 전극과 유지 전극에 각각 연결하는 방법과 이에 따른 기생 성분에 따라서 에너지 회수 효율이 달라질 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 에너지 회수 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는, 제1 전극, 제2 전극, 제1 구동부, 제2 구동부, 그리고 하네스를 포함한다. 제1 및 제2 전극은 각각 일 방향으로 뻗어 있고, 제1 구동부는 유지 기간 동안 상기 제1 전극에 제1 전압과 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 교대로 가지는 제1 유지 펄스를 인가한다. 제2 구동부는 상기 유지 기간 동안 상기 제2 전극에 제3 전압과 상기 제3 전압보다 낮은 제4 전압을 교대로 가지는 제2 유지 펄스를 상기 제1 유지 펄스와 반대 위상으로 인가하 며, 하네스는 상기 제1 구동부와 상기 제2 구동부를 연결한다.
이러한 하네스는, 상기 하네스의 양 측면 중 한 측면에 배치되는 적어도 하나의 제1 그라운드 배선, 상기 하네스의 양 측면 중 다른 측면에 배치되는 적어도 하나의 제2 그라운드 배선, 그리고 상기 제1 그라운드 배선과 상기 제2 그라운드 배선 사이에 배치되는 복수의 메인 경로 배선을 포함한다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 일 방향으로 뻗어 있는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치가 제공된다. 이 구동 장치는 제1 구동 보드, 제2 구동 보드, 그리고 하네스를 포함한다. 제1 구동 보드는 상기 제1 전극을 구동하고, 제2 구동 보드는 상기 제2 전극을 구동하며, 하네스는 상기 제1 구동 보드와 상기 제2 구동 보드를 연결한다.
이러한 하네스는, 상기 하네스의 양 측면 중 한 측면에 배치되는 적어도 하나의 제1 그라운드 배선, 상기 하네스의 양 측면 중 다른 측면에 배치되는 적어도 하나의 제2 그라운드 배선, 그리고 상기 제1 그라운드 배선과 상기 제2 그라운드 배선 사이에 배치되는 복수의 메인 경로 배선을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 하나의 에너지 회수 회로를 이용함에 따라서 플라즈마 표시 장치의 단가를 줄일 수 있으며, 주사 전극 보드와 유지 구동 보드를 하네스(harness)로 연결하되, 자계에 의한 외부 인덕턴스가 0이 되도록 하네스(harness)의 배선을 구성함으로써, 에너지 회수 효율을 높일 수가 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다.
도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 연결되어 있는 경우도 포함한다.
이제 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치에 대해서 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 분해 사시도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 패널의 개략적인 개념도이며, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 샤시 베이스의 개략적인 평면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(10), 샤시 베이스(20), 전면 케이스(30) 및 후면 케이스(40)를 포함한다. 샤시 베이스(20)는 플라즈마 표시 패널(10)에서 영상이 표시되는 면의 반대측에 배치되어 플라즈마 표시 패널(10)과 결합된다. 전면 및 후면 케이스(30, 40)는 플라즈마 표시 패널(10)의 전면 및 샤시 베이스(20)의 후면에 각각 배치되어, 플라즈마 표시 패널(10) 및 샤시 베이스(20)와 결합되어 플라즈마 표시 장치를 형성한 다.
도 2를 보면, 플라즈마 표시 패널(10)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(이하, "A 전극"이라 함)(A1-Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(이하, "X 전극"이라 함)(X1-Xn) 및 주사 전극(이하, "Y 전극"이라 함)(Y1-Yn)을 포함한다. 일반적으로 X 전극(X1-Xn)은 각 Y 전극(Y1-Yn)에 대응해서 형성되어 있으며, X 전극(X1-Xn)과 Y 전극(Y1-Yn)이 유지 기간에서 화상을 표시하기 위한 표시 동작을 수행한다. Y 전극(Y1-Yn)과 X 전극(X1-Xn)은 A 전극(A1-Am)과 직교하도록 배치된다. 이때, A 전극(A1-Am)과 X 및 Y 전극(X1-Xn, Y1-Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 방전 셀(이하, 셀이라 함)(12)을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(10)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다.
다음으로 도 3을 보면, 샤시 베이스(20)에는 플라즈마 표시 패널(10)의 구동에 필요한 보드(100-600)가 형성되어 있다.
어드레스 버퍼 보드(100)는 샤시 베이스(20)의 상부 및 하부 중 어느 한 곳에 형성된다. 도 3에서는 싱글 구동을 하는 플라즈마 표시 장치를 예를 들어 설명하고 있지만, 듀얼 구동의 경우에 어드레스 버퍼 보드(100)는 샤시 베이스(20)의 상부 및 하부에 각각 배치된다. 이러한 어드레스 버퍼 보드(100)는 제어 보드(500)로부터 A 전극 구동 제어 신호를 수신하고, 수신한 A 전극 구동 제어 신호에 따라 발광 셀과 비발광 셀을 선택하기 위한 구동 전압을 A 전극(A1-Am)에 인가한다.
주사 구동 보드(200)는 샤시 베이스(20)의 좌측에 배치되어 있고, 도전성 패 턴 또는 케이블 등의 연결 부재(26)를 통해 주사 버퍼 보드(300)와 연결되며, 주사 버퍼 보드(300)는 가요성 인쇄 회로(flexible printed circuit, FPC)(22)를 통해 Y 전극(Y1-Yn)에 연결되어 있다. 이러한 주사 구동 보드(200)는 제어 보드(500)로부터 Y 전극 구동 제어 신호를 수신하고, 수신한 Y 전극 구동 제어 신호에 따라 Y 전극(Y1-Yn)에 구동 전압을 인가한다. 한편, 도 3에서는 주사 구동 보드(200)와 주사 버퍼 보드(300)가 샤시 베이스(20)의 좌측에 배치되는 것으로 도시하였지만, 샤시 베이스(20)의 우측에 배치될 수도 있다. 또한 주사 버퍼 보드(300)는 주사 구동 보드(200)와 일체형으로 형성될 수도 있다.
유지 구동 보드(400)는 샤시 베이스(20)의 우측에 배치되어 있으며, 하네스(harness)(24)를 통해 주사 구동 보드(200)와 연결되어 있고, 가요성 인쇄 회로(flexible printed circuit, FPC)(22)를 통해 X 전극(X1-Xn)에 연결되어 있다. 이러한 유지 구동 보드(400)는 제어 보드(500)로부터 X 전극 구동 제어 신호를 수신하고 수신한 X 전극 구동 제어 신호에 따라 X 전극(X1-Xn)에 구동 전압을 인가한다.
제어 보드(500)는 외부로부터 한 프레임 동안의 영상 신호를 수신하고, 이에 따라 A 전극 구동 제어 신호, Y 전극 구동 제어 신호 및 X 전극 구동 제어 신호를 생성하고, 이들을 각각 어드레스, 주사 및 유지 구동 보드(100, 200, 400)로 출력한다. 또한, 제어 보드(500)는 한 프레임을 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 각 서브필드는 어드레스 기간 및 유지 기간을 포함한다.
제어 보드(500)와 전원 보드(600)는 샤시 베이스(20)의 중앙에 배치될 수 있 다. 전원 보드(600)는 플라즈마 표시 장치의 구동에 필요한 전원을 각 보드(100-500)로 공급한다.
여기서, 어드레스 버퍼 보드(100), 주사 구동 보드(200) 및 유지 구동 보드(400)는 A 전극, Y 전극 및 X 전극을 구동하는 구동부를 형성하며, 제어 보드(500)는 이 구동부들을 제어하는 제어부를 형성하며, 전원 보드(600)는 이 구동부들과 제어부에 전원을 공급하기 위한 전원부를 형성한다.
도 4 및 도 5는 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다. 도 4 및 도 5에서는 설명의 편의상 유지 기간에서의 구동 파형만을 도시하였다.
먼저, 도 4를 참고하면, 유지 기간 동안 주사 구동 보드(200)는 Y 전극(Y1-Yn)에 하이 레벨 전압(Vs) 및 로우 레벨 전압(0V)을 교대로 가지는 유지 펄스를 해당 서브필드의 가중치에 해당하는 횟수만큼 인가한다. 그리고 유지 구동 보드(400)는 X 전극(X1-Xn)에 유지 펄스를 Y 전극(Y1-Yn)에 인가되는 유지 펄스와 반대 위상으로 인가한다. 즉, Y 전극에 Vs 전압이 인가될 때 X 전극에 0V 전압을 인가하고, Y 전극에 0V 전압을 인가할 때 X 전극에 Vs 전압을 인가한다.
이와 같이 하면, 각 X 전극(X1-Xn)과 각 Y 전극(Y1-Yn)의 전압 차가 Vs 전압과 -Vs 전압을 교대로 가지며, 이에 따라 발광 셀에서 유지 방전이 해당 서브필드의 가중치에 해당하는 횟수만큼 반복하여 일어난다.
한편, 도 5와 같이, 유지 기간에서 Y 전극의 전압이 0V 전압에서 Vs 전압으로 변경되는 동안 X 전극의 전압 또한 Vs 전압에서 0V 전압으로 변경될 수 있으며, Y 전극의 전압이 Vs 전압에서 0V 전압으로 변경되는 동안 X 전극의 전압 또한 0V 전압에서 Vs 전압으로 변경될 수도 있다. 이와 같이 하여도, 각 X 전극(X1-Xn)과 각 Y 전극(Y1-Yn)의 전압 차는 Vs 전압과 -Vs 전압을 교대로 가지므로, 발광 셀에서 유지 방전이 해당 서브필드의 가중치에 해당하는 횟수만큼 반복하여 일어날 수 있다.
다음, X 전극(X1-Xn)과 Y 전극(Y1-Yn)에 인가되는 유지 펄스를 공급하는 구동 회로에 대해서 설명한다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 구동 회로를 나타낸 도면이다. 도 6에서는 설명의 편의상 하나의 X 전극과 하나의 Y 전극만을 도시하였으며, X 전극과 Y 전극에 의해 형성되는 용량성 성분을 패널 커패시터(Cp)로 도시하였다. 또한, 도 6에서는 트랜지스터(Ys, Yg, Yr, Yf, Xs, Xg, Xr)를 n채널 절연 게이트 양극성 트랜지스터(insulated gate bipolar transistor, IGBT)로 도시하였으며, 이들 트랜지스터(Ys, Yg, Yr, Yf, Xs, Xg, Xr)에는 이미터에서 콜렉터 방향으로 바디 다이오드가 형성된다. 그리고 IGBT 대신에 유사한 기능을 하는 다른 트랜지스터가 이들 트랜지스터(Ys, Yg, Yr, Yf, Xs, Xg, Xr)로 사용될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 주사 구동 보드(200)는 유지 방전부(210) 및 에너지 회수부(220)를 포함하며, 유지 구동 보드(400)는 유지 방전부(410) 및 에너지 회수부(420)를 포함한다.
유지 방전부(210)는 트랜지스터(Ys, Yg)를 포함하며, 유지 방전부(410)는 트랜지스터(Xs, Xg)를 포함한다. 트랜지스터(Ys, Xs)의 콜렉터는 하이 레벨 전압(Vs) 을 공급하는 전원(Vs)에 연결되어 있고, 트랜지스터(Ys, Xs)의 이미터는 각각 Y 전극 및 X 전극에 연결되어 있다. 트랜지스터(Yg, Xg)의 이미터는 로우 레벨 전압(0V)을 공급하는 전원(즉, 접지단)에 연결되어 있고, 트랜지스터(Yg, Xg)의 콜렉터는 각각 Y 전극 및 X 전극에 연결되어 있다.
에너지 회수부(220)는 트랜지스터(Yr, Yf), 인덕터(Ly) 및 커패시터(Cerc)를 포함하고, 에너지 회수부(420)는 트랜지스터(Xr)를 포함한다. 트랜지스터(Yr)의 이미터는 Y 전극에 연결되어 있으며, 트랜지스터(Yr)의 콜렉터는 인덕터(Ly)의 제1단에 연결되어 있다. 인덕터(Ly)의 제2단이 트랜지스터(Yf)의 콜렉터에 연결되어 있으며, 트랜지스터(Yf)의 이미터와 접지단 사이에 커패시터(Cerc)가 연결되어 있다. 이때, 커패시터(Cerc)는 하이 레벨 전압(Vs)과 로우 레벨 전압(0V) 사이의 전압을 공급하며, 예를 들면, 두 전압(Vs, 0V)의 중간 전압(Vs/2)을 공급한다. 또한, 트랜지스터(Xr)의 이미터가 X 전극에 연결되어 있으며, 트랜지스터(Xr)의 콜렉터와 트랜지스터(Yf)의 콜렉터는 하네스(harness)(24)로 연결되어 있다. 이때, 하네스(24) 자체에 인덕턴스가 존재하므로, 실질적으로는 유지 구동 보드(400)의 에너지 회수부(420)는 트랜지스터(Xr), 하네스(24), 트랜지스터(Yf) 및 커패시터(Cerc)에 의해 형성될 수 있다. 즉, 주사 및 유지 구동 보드(200, 400)의 에너지 회수부(220, 420)는 트랜지스터(Yf) 및 커패시터(Cerc)를 공통으로 사용한다.
한편, 도 6과 달리, 유지 구동 보드(400)에 에너지 회수부(220)와 동일한 구조를 가지는 에너지 회수부가 포함되고, 주사 구동 보드(200)에 에너지 회수부(420)와 동일한 구조를 가지는 에너지 회수부가 포함될 수도 있다.
도 7은 도 4에 도시된 유지 펄스를 생성하기 위한 도 6의 구동 회로의 신호 타이밍도이고, 도 8a 및 도 8b는 각각 도 6에 도시된 신호 타이밍에 따른 전류 경로를 나타낸 도면이다.
도 7 및 도 8a을 참조하면, 모드 1(M1)에서는 트랜지스터(Xg, Yg)가 턴온된다. 그러면, 두 트랜지스터(Xg, Yg)에 의해 X 및 Y 전극에 0V 전압이 인가된다.
모드 2(M2)에서는 트랜지스터(Yr)가 턴온되고 트랜지스터(Yg)가 턴오프된다. 그러면, 접지단, 커패시터(Cerc), 트랜지스터(Yf)의 바디 다이오드, 인덕터(Ly), 트랜지스터(Yr), 패널 커패시터(Cp), 트랜지스터(Xg) 및 접지단으로 전류 경로가 형성된다. 이 전류 경로에 의해 인덕터(Ly)와 패널 커패시터(Cp) 사이에서 공진이 발생하면서, Y 전극의 전압이 0V 전압에서 대략 Vs 전압으로 증가된다.
모드 3(M3)에서는 트랜지스터(Ys)가 턴온되고 트랜지스터(Yr)가 턴오프된다. 그러면, 전원(Vs), 트랜지스터(Ys), 패널 커패시터(Cp), 트랜지스터(Xg) 및 접지단으로 전류 경로가 형성되면서, Y 전극에 Vs 전압이 인가된다.
모드 4(M4)에서는 트랜지스터(Yf)가 턴온되고 트랜지스터(Ys)가 턴오프된다. 그러면, 접지단, 트랜지스터(Xg)의 바디 다이오드, 패널 커패시터(Cp), 트랜지스터(Yr)의 바디 다이오드, 인덕터(Ly), 트랜지스터(Yf), 커패시터(Cerc) 및 접지단으로 전류 경로가 형성된다. 이 전류 경로에 의해 인덕터(Ly)와 패널 커패시터(Cp) 사이에서 공진이 발생하면서, Y 전극의 전압이 Vs 전압에 대략 0V 전압으로 감소한다.
이어서, 도 7 및 도 8b를 참조하면, 모드 5(M5)에서는 트랜지스터(Yg)가 턴 온되고 트랜지스터(Yf)가 턴오프된다. 그러면, 두 트랜지스터(Xg, Yg)에 의해 X 및 Y 전극에 0V 전압이 인가된다.
모드 6(M6)에서는 트랜지스터(Xr)가 턴온되고 트랜지스터(Xg)가 턴오프된다. 그러면, 접지단, 커패시터(Cerc), 트랜지스터(Yf)의 바디 다이오드, 하네스(24), 트랜지스터(Xr), 패널 커패시터(Cp), 트랜지스터(Yg) 및 접지단으로 전류 경로가 형성된다. 이때, 하네스(24) 자체의 인덕턴스 성분과 패널 커패시터(Cp)에 의해 공진이 발생하면서 X 전극의 전압이 0V 전압에서 대략 Vs 전압까지 증가한다.
모드 7(M7)에서는 트랜지스터(Xs)가 턴온되고 트랜지스터(Xr)가 턴오프된다. 그러면, 전원(Vs), 트랜지스터(Xs), 패널 커패시터(Cp), 트랜지스터(Yg) 및 접지단으로 전류 경로가 형성되면서, X 전극에 Vs 전압이 인가된다.
모드 8(M8)에서는 트랜지스터(Yf)가 턴온되고 트랜지스터(Xs)가 턴오프된다. 그러면, 접지단, 트랜지스터(Yg)의 바디 다이오드, 패널 커패시터(Cp), 트랜지스터(Xr)의 바디 다이오드, 하네스(24), 트랜지스터(Yf), 커패시터(Cerc) 및 접지단으로 전류 경로가 형성된다. 이때, 하네스(24) 자체의 인덕턴스 성분과 패널 커패시터(Cp)에 의해 공진이 발생하면서 X 전극의 전압이 Vs 전압에서 대략 0V 전압까지 감소한다.
그리고 주사 및 유지 구동 보드(200, 400)는 유지 기간 동안 모드 1 내지 8(M1-M8)의 동작을 반복하면서 해당 서브필드의 가중치에 대응하는 횟수만큼 반복함으로써 Y 및 X 전극에 0V 전압과 Vs 전압을 가지는 유지 펄스를 교대로 인가할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에서는 주사 구동 보드(200)의 에너지 회수부(220)와 유지 구동 보드(400)의 에너지 회수부(420)를 하네스(24)로 연결함으로써, 구동 회로의 회로 소자의 개수를 줄일 수 있으며, 이로 인하여 플라즈마 표시 장치의 저가격화를 실현할 수 있다. 이때, 하네스(24)의 구조에 따라서 에너지 회수 효율이 달라지므로, 아래에서는 에너지 회수 효율을 향상시킬 수 있는 하네스(24)의 구조에 대해 도 9를 참조하여 자세하게 설명한다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 하네스의 구조를 개략적인 평면도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 하네스(24)는 그라운드(GND) 라인으로 사용되는 복수의 배선(이하, "그라운드 배선"이라 함)(24a, 24b)과 전류를 통과시키는 전류 라인으로 사용되는 복수의 배선(이하, "메인 경로 배선"이라 함)(24c, 24d)을 포함한다. 이 경우, 그라운드 배선(24a, 24b)은 도 6에 도시된 회로에서 유지 구동 보드(400)의 접지단[즉, 트래지스터(Xg)가 연결된 접지단]과 주사 구동 보드(200)의 접지단[즉, 트랜지스터)Yg)가 연결된 접지단 및/또는 커패시터(Cerc)가 연결된 접지단]을 서로 연결하기 위해 사용될 수 있다. 또한, 앞서 설명한 것처럼 유지 구동 보드(400)의 트랜지스터(Xr)와 주사 구동 보드(200)의 트랜지스터(Yf) 사이에서 전류 경로가 형성되므로, 메인 경로 배선(24c, 24d)은 두 트랜지스터(Xr, Xf)를 서로 연결하기 위해 사용될 수 있다.
이때, 그라운드 배선(24a, 24b)이 양 측면 즉, 하네스(24)의 바깥쪽으로 배치되고, 양 측면에 형성된 그라운드 배선(24a, 24b) 사이에 메인 경로 배선(24c, 24d)이 배치된다. 그리고 그라운드 배선(24a, 24b)의 수와 메인 경로 배선(24c, 24d)의 수는 동일할 수 있다. 도 9에서는 하네스(24)가 2개의 전류 배선과 2개의 그라운드 배선으로 이루어지는 것으로 도시하였으나, 하네스(24)는 그 이상의 메인 경로 배선과 그라운드 배선으로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 하네스(24)가 4개의 메인 경로 배선과 4개의 그라운드 배선으로 이루어지는 경우, 양 측면에 2개의 그라운드 배선의 쌍을 각각 배치하고 양 측면에 배치된 그라운드 배선의 쌍 사이에 4개의 전류 배선이 배치될 수 있다.
일반적으로, 배선에서 전류가 흐르면, 주변에 자계가 형성되며, 전류가 흐르는 방향에 따라서 자계가 달라진다. 또한, 이 자계의 영향으로 인덕턴스(inductance)가 달라지게 된다. 이때, 내부 인덕턴스는 배선의 수에 상관없이 동일하지만, 외부 인덕턴스는 배선의 수에 따라 달라진다.
도 10a 및 도 10b는 각각 하네스의 배선에 전류 방향을 표시한 도면이다. 도 10a 및 도 10b에서는 2개의 배선만을 도시하였다.
배선의 단위 길이당 유도 용량(L)은 내부 유도 용량(Li)과 외부 유도 용량(Le)의 합으로 나타낼 수 있다.
도 10a와 같이, 두 배선 중 하나의 배선에 전류(I)가 흐르고, 나머지 배선에 전류(-I)가 흐르면, 배선의 내부 유도 용량(Li)은 수학식 1과 같이 계산될 수 있다.
Figure 112008086091231-pat00001
자속 밀도(
Figure 112008086091231-pat00002
,
Figure 112008086091231-pat00003
)은 수학식 2 및 3과 같이 암페어(ampere)의 법칙으로 구해질 수 있다. 자속 밀도(
Figure 112008086091231-pat00004
)는 전류(I)에 의한 것이며, 자속 밀도(
Figure 112008086091231-pat00005
)는 전류(-I)에 의한 것이다.
Figure 112008086091231-pat00006
여기서, x는 두 배선 중 한 배선의 반지름이다.
Figure 112008086091231-pat00007
여기서, d는 두 배선의 거리이고, (d-x)는 두 배선 중 다른 배선의 반지름이다.
총 자속(
Figure 112008086091231-pat00008
)은 수학식 4와 같이 계산되어지며, 총 자속(
Figure 112008086091231-pat00009
)이 외부 유도 용량(Le)이 된다.
Figure 112008086091231-pat00010
따라서, 유도 용량(L)은 수학식 5와 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112008086091231-pat00011
다음, 도 10b와 같이, 두 배선에 흐르는 전류의 방향이 동일하면, 암페어(ampere)의 법칙에 의해 수학식 6과 같이 외부 유도 용량(Le)은 0이 된다. 따라서, 내부 유도 용량(Li)이 총 유도 용량(L)이 된다.
Figure 112008086091231-pat00012
이러한 관계에 의해, 도 9와 같이, 양 측면에 2개의 그라운드 배선(24a, 24b)을 배치하고 그라운드 배선(24a, 24b) 사이에 2개의 메인 경로 배선(24c, 24d)을 배치하면, 그라운드 배선(24a)과 메인 경로 배선(24c)의 전류 방향은 반대이고 거리는 d이므로, 그라운드 배선(24a)과 메인 경로 배선(24c)간의 외부 유도 용량(Le1)은
Figure 112008086091231-pat00013
이 되고, 그라운드 배선(24a)과 메인 경로 배선(24d)의 전류 방향은 반대이고 거리는 2d이므로, 그라운드 배선(24a)과 메인 경로 배선(24d)간의 외부 유도 용량(Le2)은
Figure 112008086091231-pat00014
이 된다. 그라운드 배선(24a, 24b)의 전 류 방향은 동일하므로, 그라운드 배선(24a, 24b)간의 외부 유도 용량(Le3)은 0이며, 메인 경로 배선(24c, 24d)의 전류 방향 또한 동일하므로, 메인 경로 배선(24c, 24d)간의 외부 유도 용량(Le4)은 0이다. 또한, 메인 경로 배선(24c)과 그라운드 배선(24b)의 전류 방향은 반대이고 거리는 2d이므로, 메인 경로 배선(24c)과 그라운드 배선(24b)간의 외부 유도 용량(Le5)은
Figure 112008086091231-pat00015
이 되고, 메인 경로 배선(24d)과 그라운드 배선(24b)의 전류 방향은 반대 방향으로 거리는 d이므로, 메인 경로 배선(24d)과 그라운드 배선(24b)간의 외부 유도 용량(Le6)은
Figure 112008086091231-pat00016
이 된다. 따라서, 도 9에 도시된 하네스(24)의 총 외부 유도 용량(Le)은 이들(Le1-Le6)의 합이 되므로, 하네스(24)의 총 외부 유도 용량(Le)은 0이 된다. 즉, 하네스(24)에 대한 인덕턴스 성분만 존재한다. 이와 같이, 하네스(24)의 외부 유도 용량이 제거될 수 있으므로, 유지 구동 보드(400)의 에너지 회수부(420)는 하네스(24) 자체의 인덕턴스 성분을 이용하여 공진을 형성할 수가 있으며, 이로 인하여 에너지 회수 효율을 향상시킬 수가 있다.
도 11은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 구동 회로를 나타낸 도면이다.
도 11에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 주사 구동 보드(200')는 에너지 회수부(220')를 제외하고는 제1 실시 예에 따른 주사 구동 보드(200)와 동일하며, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유지 구동 보드(400')는 본 발 명의 제1 실시 예와 따른 유지 구동 보드(400)의 에너지 회수부(420)가 존재하지 않는다. 한편, 도 11에서는 에너지 회수부(220')가 주사 구동 보드(200')에 포함되는 것으로 도시하였지만, 유지 구동 보드(400')에 포함되고 주사 구동 보드(200')에서 에너지 회수부(220')가 존재하지 않을 수도 있다.
에너지 회수부(220')는 트랜지스터(Yr, Yf) 및 인덕터(Ly)를 포함한다. 인덕터(Ly)의 제1단이 Y 전극에 연결되어 있으며, 인덕터(Ly)의 제2단이 트랜지스터(Yr)의 이미터 및 트랜지스터(Yf)의 콜렉터에 연결되어 있다. 그리고 노드(N1)에 트랜지스터(Yr)의 콜렉터와 트랜지스터(Yf)의 이미터가 연결되어 있으며, 노드(N1)와 트랜지스터(Xs)의 이미터와 트랜지스터(Xg)의 콜렉터의 접점에 해당하는 노드(N2)는 하네스(24)로 연결되어 있다.
또한, 다이오드(Dr)는 캐소드가 인덕터(Ly)의 제2단에 연결되어 있고 애노드가 트랜지스터(Yr)의 이미터에 연결되어 있으며, 다이오드(Df)는 애노드가 인덕터(Ly)의 제2단에 연결되어 있고 캐소드가 트랜지스터(Yf)의 콜렉터에 연결되어 있다. 다이오드(Dr)는 Y 전극의 전압을 증가시키기 위한 전류 경로(이하, "상승 경로"라 함)를 설정하며, 다이오드(Df)는 Y 전극의 전압을 감소시키기 위한 전류 경로(이하, "하강 경로"라 함)를 설정한다. 그리고 다이오드(Dr)와 트랜지스터(Yr)의 위치가 서로 바뀔 수도 있으며, 다이오드(Df)와 트랜지스터(Yf)의 위치가 서로 바뀔 수도 있다.
도 12는 도 4에 도시된 유지 펄스를 생성하기 위한 도 11의 구동 회로의 신호 타이밍도이고, 도 13a 및 도 13b는 각각 도 12에 도시된 신호 타이밍에 따른 전 류 경로를 나타낸 도면이다.
도 12 및 도 13a를 참고하면, 모드 1(M1)에서는 트랜지스터(Xg, Yg)가 턴온된다. 그러면, 두 트랜지스터(Xg, Yg)에 의해 X 및 Y 전극에 0V 전압이 인가된다.
모드 2(M2)에서는 트랜지스터(Yr)가 턴온되고, 트랜지스터(Yg)가 턴오프된다. 그러면, 접지단, 트랜지스터(Xg)의 바디 다이오드, 트랜지스터(Yr), 다이오드(Dr), 인덕터(Ly) 및 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극으로 전류 경로가 형성된다. 이 전류 경로에 의해 패널 커패시터(Cp)와 인덕터(Ly) 사이에서 공진이 발생하면서 Y 전극의 전압이 0V 전압에서 대략 Vs 전압으로 증가한다.
모드 3(M3)에서는 트랜지스터(Ys)가 턴온되고 트랜지스터(Yr)가 턴오프된다. 그러면, 전원(Vs), 트랜지스터(Ys), 패널 커패시터(Cp), 트랜지스터(Xg) 및 접지단으로 전류 경로가 형성되면서 Y 전극에 Vs 전압이 인가된다.
모드 4(M4)에서는 트랜지스터(Yf)가 턴온되고 트랜지스터(Ys)가 턴오프된다. 그러면, 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극, 인덕터(Ly), 다이오드(Df), 트랜지스터(Yf), 트랜지스터(Xg) 및 접지단으로 전류 경로가 형성된다. 이 전류 경로에 의해 패널 커패시터(Cp)와 인덕터(Ly) 사이에서 공진이 발생하면서 Y 전극의 전압이 Vs 전압에서 대략 0V 전압으로 감소한다.
이어서, 도 12 및 도 13b를 참고하면, 모드 5(M5)에서는 트랜지스터(Yg)가 턴온되고 트랜지스터(Yf)가 턴오프된다. 그러면, 두 트랜지스터(Yg, Xg)에 의해 Y 전극에 0V 전압이 인가된다.
모드 6(M6)에서는 트랜지스터(Yr)가 턴온되고, 트랜지스터(Xg)가 턴오프된 다. 그러면, 패널 커패시터(Cp)의 X 전극, 트랜지스터(Yr), 다이오드(Dr), 인덕터(Ly), 트랜지스터(Yg) 및 접지단으로 전류 경로가 형성된다. 이 전류 경로에 의해 패널 커패시터(Cp)와 인덕터(Ly) 사이에서 공진이 발생하면서 X 전극의 전압이 0V 전압에서 대략 Vs 전압으로 증가된다.
모드 7(M7)에서는 트랜지스터(Xs)가 턴온되고 트랜지스터(Yr)가 턴오프된다. 그러면, 전원(Vs), 트랜지스터(Xs), 패널 커패시터(Cp), 트랜지스터(Yg) 및 접지단으로 전류 경로가 형성되면서 X 전극에 Vs 전압이 인가된다.
모드 8(M8)에서는 트랜지스터(Yf)가 턴온되고 트랜지스터(Xs)가 턴오프된다. 그러면, 접지단, 트랜지스터(Yg)의 바디 다이오드, 인덕터(Ly), 다이오드(Df), 트랜지스터(Yf) 및 패널 커패시터(Cp)의 X 전극으로 전류 경로가 형성된다. 이 전류 경로에 의해 패널 커패시터(Cp)와 인덕터(Ly) 사이에서 공진이 발생하면서 X 전극의 전압이 Vs 전압에서 대략 0V 전압으로 감소한다.
그리고 주사 및 유지 구동 보드(200, 400)는 유지 기간 동안 모드 1 내지 8(M1-M8)의 동작을 해당 서브필드의 가중치에 대응하는 횟수만큼 반복함으로써, Y 및 X 전극에 유지 펄스를 교대로 인가할 수 있다.
도 14는 도 5에 도시된 유지 펄스를 생성하기 위한 도 11의 구동 회로의 신호 타이밍도이고, 도 15a 및 도 15b는 각각 도 14에 도시된 신호 타이밍에 따른 전류 경로를 나타낸 도면이다.
도 14 및 도 15a를 참고하면, 모드 1'(M1')에서는 트랜지스터(Yg, Xs)가 턴온된다. 그러면, 전원(Vs), 트랜지스터(Xs), 패널 커패시터(Cp), 트랜지스터(Yg) 및 접지단으로 전류 경로가 형성되면서, X 전극에는 Vs 전압이 인가되고 Y 전극에는 0V 전압이 인가된다.
모드 2'(M2')에서는 트랜지스터(Yr)가 턴온되고 트랜지스터(Yg, Xs)가 턴온된다. 그러면, 패널 커패시터(Cp)의 X 전극, 하네스(24), 트랜지스터(Yr), 다이오드(Dr), 인덕터(Ly) 및 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극으로 전류 경로가 형성된다. 이 전류 경로에 의해 인덕터(Ly)와 패널 커패시터(Cp) 사이에서 공진이 발생하면서 X 전극의 전압이 Vs 전압에서 대략 0V 전압으로 감소되고 Y 전극의 전압이 0V 전압에서 대략 Vs 전압으로 증가된다.
이어서, 도 14 및 도 15b를 참조하면, 모드 3(M3')에서는 트랜지스터(Ys, Xg)가 턴온되고 트랜지스터(Yf)가 턴오프된다. 그러면, 전원(Vs), 트랜지스터(Ys), 패널 커패시터(Cp), 트랜지스터(Xg) 및 접지단으로 전류 경로가 형성되면서, Y 전극에는 Vs 전압이 인가되고 X 전극에는 0V 전압이 인가된다.
모드 4'(M4')에서는 트랜지스터(Xr)가 턴온되고 트랜지스터(Ys, Xg)가 턴오프된다. 그러면, 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극, 인덕터(Ly), 다이오드(Df), 트랜지스터(Yf), 하네스(24) 및 패널 커패시터(Cp)의 X 전극으로 전류 경로가 형성된다. 이 전류 경로에 의해 인덕터(Ly)와 패널 커패시터(Cp) 사이에서 공진이 발생하면서, Y 전극의 전압이 Vs 전압에서 대략 0V 전압으로 감소되고 X 전극의 전압이 0V 전압에서 대략 Vs 전압으로 증가된다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명 의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 분해 사시도이고,
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 패널의 개략적인 개념도이고,
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 샤시 베이스의 개략적인 평면도이고,
도 4 및 도 5는 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이고,
도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 구동 회로를 나타낸 도면이고,
도 7은 도 4에 도시된 유지 펄스를 생성하기 위한 도 6의 구동 회로의 신호 타이밍도이고,
도 8a 및 도 8b는 각각 도 6에 도시된 신호 타이밍에 따른 전류 경로를 나타낸 도면이고,
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 하네스의 구조를 개략적인 평면도이고,
도 10a 및 도 10b는 각각 하네스의 배선에 전류 방향을 표시한 도면이고,
도 11은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 구동 회로를 나타낸 도면이고,
도 12는 도 4에 도시된 유지 펄스를 생성하기 위한 도 11의 구동 회로의 신호 타이밍도이고,
도 13a 및 도 13b는 각각 도 12에 도시된 신호 타이밍에 따른 전류 경로를 나타낸 도면이고,
도 14는 도 5에 도시된 유지 펄스를 생성하기 위한 도 11의 구동 회로의 신 호 타이밍도이고,
도 15a 및 도 15b는 각각 도 14에 도시된 신호 타이밍에 따른 전류 경로를 나타낸 도면이다.

Claims (18)

  1. 일 방향으로 뻗어 있는 제1 및 제2 전극,
    유지 기간 동안 상기 제1 전극에 제1 전압과 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 교대로 가지는 제1 유지 펄스를 인가하는 제1 구동부,
    상기 유지 기간 동안 상기 제2 전극에 제3 전압과 상기 제3 전압보다 낮은 제4 전압을 교대로 가지는 제2 유지 펄스를 상기 제1 유지 펄스와 반대 위상으로 인가하는 제2 구동부, 그리고
    상기 제1 구동부와 상기 제2 구동부를 연결하는 하네스(harness)
    를 포함하며,
    상기 하네스는,
    상기 하네스의 양 측면 중 한 측면에 배치되는 적어도 하나의 제1 그라운드 배선,
    상기 하네스의 양 측면 중 다른 측면에 배치되는 적어도 하나의 제2 그라운드 배선, 그리고
    상기 제1 그라운드 배선과 상기 제2 그라운드 배선 사이에 배치되는 복수의 메인 경로 배선을 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하네스는 상기 제1 그라운드 배선과 상기 제2 그라운드 배선의 합의 수와 상기 복수의 메인 경로 배선의 수가 동일한 플라즈마 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 구동부는,
    상기 제1 전압과 상기 제2 전압 사이의 전압을 공급하는 커패시터,
    제1단이 상기 제1 전극에 연결되어 있고 제2단이 상기 커패시터에 연결되어 있는 인덕터, 그리고
    상기 제1 전극과 상기 인덕터의 제1단 사이에 연결되어 있는 제1 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제2 구동부는,
    제1단이 상기 제2 전극에 연결되어 있는 제2 트랜지스터를 포함하며,
    상기 인덕터의 제2단과 상기 제2 트랜지스터의 제2단이 상기 하네스로 연결되어 있는 플라즈마 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 구동부는,
    상기 인덕터의 제2단과 상기 커패시터 사이에 연결되어 있는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    제1 내지 제3 트랜지스터는 각각 바디 다이오드를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 구동부는,
    제1단이 상기 제1 전극에 연결되어 있는 인덕터,
    상기 인덕터의 제2단과 노드 사이에 연결되어 있는 제1 트랜지스터, 그리고
    상기 인덕터의 제2단과 상기 노드 사이에 연결되어 있는 제2 트랜지스터를 포함하며,
    상기 노드는 상기 제2 전극과 상기 하네스로 연결되어 있는 플라즈마 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 구동부는,
    상기 인덕터의 제2단과 상기 제1 트랜지스터 사이 또는 상기 제1 트랜지스터와 상기 노드 사이에 연결되어 있으며, 상기 인덕터의 제2단에서 상기 인덕터의 제1단으로 전류를 흐르게 하는 제1 다이오드, 그리고
    상기 인덕터의 제2단과 상기 제2 트랜지스터 사이 또는 상기 제2 트랜지스터와 상기 노드 사이에 연결되어 있으며, 상기 인덕터의 제1단에서 상기 인덕터의 제2단으로 전류를 흐르게 하는 제2 다이오드를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  8. 제3항, 제4항 또는 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 구동부는,
    상기 제1 전압을 공급하는 제1 전원과 상기 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터, 그리고
    상기 제2 전압을 공급하는 제2 전원과 상기 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제5 트랜지스터를 더 포함하며,
    상기 제2 구동부는,
    상기 제3 전압을 공급하는 제3 전원과 상기 제2 전극 사이에 연결되어 있는 제6 트랜지스터, 그리고
    상기 제4 전압을 공급하는 제4 전원과 상기 제2 전극 사이에 연결되어 있는 제7 트랜지스터를 더 포함하며,
    상기 제5 및 제7 트랜지스터는 각각 바디 다이오드를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 전원 및 상기 제4 전원은 상기 하네스의 제1 및 제2 그라운드 배선 중 적어도 하나에 연결되어 있는 플라즈마 표시 장치.
  10. 일 방향으로 뻗어 있는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치에 있어서,
    상기 제1 전극을 구동하는 제1 구동 보드,
    상기 제2 전극을 구동하는 제2 구동 보드, 그리고
    상기 제1 구동 보드와 상기 제2 구동 보드를 연결하는 하네스(harness)
    를 포함하며,
    상기 하네스는,
    상기 하네스의 양 측면 중 한 측면에 배치되는 적어도 하나의 제1 그라운드 배선,
    상기 하네스의 양 측면 중 다른 측면에 배치되는 적어도 하나의 제2 그라운드 배선, 그리고
    상기 제1 그라운드 배선과 상기 제2 그라운드 배선 사이에 배치되는 복수의 메인 경로 배선을 포함하는 구동 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 하네스는 상기 제1 그라운드 배선과 상기 제2 그라운드 배선의 합의 수와 상기 복수의 메인 경로 배선의 수가 동일한 구동 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 구동 보드는,
    상기 제1 전극과 노드 사이에 직렬로 연결되어 있는 인덕터 및 제1 트랜지스 터를 포함하며,
    상기 제2 구동 보드는,
    상기 제2 전극에 제1단이 연결되어 있는 제2 트랜지스터를 포함하며,
    상기 노드와 상기 제2 트랜지스터의 제2단은 하네스로 연결되어 있는 구동 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 트랜지스터는 바디 다이오드를 포함하는 구동 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 구동 보드는,
    제1 전압을 공급하는 커패시터, 그리고
    상기 커패시터와 상기 노드 사이에 연결되어 있는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 구동 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 구동 보드는,
    제1단이 상기 제1 전극에 연결되어 있는 인덕터,
    상기 인덕터의 제2단과 노드 사이에 직렬로 연결되어 있는 제1 다이오드 및 제1 트랜지스터, 그리고
    상기 인덕터의 제2단과 상기 노드 사이에 직렬로 연결되어 있는 제2 다이오드 및 제2 트랜지스터를 포함하며,
    상기 노드와 상기 제2 전극은 상기 하네스로 연결되어 있는 구동 장치.
  16. 제12항, 제14항 또는 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 구동 보드는,
    제2 전압을 공급하는 제1 전원과 상기 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터, 그리고
    상기 제2 전압보다 낮은 제3 전압을 공급하는 제2 전원과 상기 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제5 트랜지스터를 더 포함하며,
    상기 제2 구동 보드는,
    상기 제1 전원과 상기 제2 전극 사이에 연결되어 있는 제6 트랜지스터, 그리고
    상기 제2 전원과 상기 제2 전극 사이에 연결되어 있는 제7 트랜지스터를 더 포함하며,
    상기 제5 및 제7 트랜지스터는 바디 다이오드를 포함하는 구동 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 전원은 상기 제1 및 제2 그라운드 배선 중 적어도 하나에 연결되어 있는 구동 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    유지 기간 동안, 상기 제1 전극에 상기 제2 전압이 인가되는 동안 상기 제2 전극에 상기 제3 전압이 인가되고, 상기 제1 전극에 상기 제3 전압이 인가되는 동안 상기 제2 전극에 상기 제2 전압이 인가되는 구동 장치.
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