KR100994964B1

KR100994964B1 - 결정성 에폭시와 잠재성 경화제를 이용한 반도체 패키징용접착 재료

Info

Publication number: KR100994964B1
Application number: KR1020080042435A
Authority: KR
Inventors: 현순영; 강병언; 서준모; 김재훈; 성충현; 김지은; 이준우; 김주혁
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2008-05-07
Filing date: 2008-05-07
Publication date: 2010-11-18
Also published as: KR20090116467A

Abstract

결정성 에폭시와 잠재성 경화제를 이용한 에폭시 기반 반도체 패키징용 접착제 조성물과 이를 이용한 접착 필름에 대하여 개시한다. 본 발명의 접착제 조성물은 반도체 칩의 지지부재와 칩 등의 적층부재 사이에 일어나는 열 팽창 계수의 편차를 줄여 신뢰성과 접착력의 손실을 줄일 수 있고, 보관성과 공정성이 우수한 장점이 있다. 본 발명의 접착제 조성물은 고무 수지 15~35 중량부, 고무 변성 에폭시 20~32 중량부 및 결정성 에폭시 6~33 중량부를 함유하는 기본 수지 100 중량부에 대하여, 잠재성 경화제 5~15 중량부 및 개시제 3~10 중량부를 포함하는 것이 특징이다.

결정성 에폭시, 잠재성 경화제, 다이 접착 필름

Description

결정성 에폭시와 잠재성 경화제를 이용한 반도체 패키징용 접착 재료{SEMICONDUCTOR PACKAGING MATERIAL WITH CRYSTALLINE EPOXY AND LATENT HARDENER}

본 발명은 지지부재에 칩을 접착시키기 위한 반도체 패키징용 접착제 조성물과 이를 이용한 접착 필름에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 저점도 결정성 에폭시와 잠재성 경화제를 이용한 에폭시계 접착제 조성물과 이를 이용한 필름에 관한 것이다.

반도체 장치의 패키징 공정에 있어서, 인쇄회로기판(PCB) 또는 리드프레임(Lead-frame)과 같은 지지 부재 위에 반도체 칩을 적층·접착시키는 공정은 최종 제품의 성능에 매우 큰 영향을 미칠 수 있다. 종래에는 다이 접착제로서 페이스트형 접착제를 많이 이용하였으나, 이 경우 공정이 복잡하고 접착제 도포시 두께 조절이 곤란하며, 블리딩(bleeding)의 문제가 발생하고, 웨이퍼 수준의 공정이 불가능하다는 문제점이 있었다. 그리고 페이스트형 접착제로는 PCB의 단차를 극복하지 못하거나 유기물과 무기물 양쪽에 대하여 충분한 접착력을 가지기 어려웠다. 따라서 최근에는 다중 적층 패키징 접착제로 필름형 다이 접착제가 사용되고 있다.

종래 기술의 다이 접착 필름에서는 통상적으로 액상 에폭시 수지와 고상 에폭시 수지의 혼합 에폭시 수지를 사용하였는데, 이는 고체와 액체 상별로 적정 분자량의 에폭시를 선택하여 원하는 온도에서 경화할 수 있으며 점성 등의 물성이 적절한 범위에 있는 접착제를 제조하기 위함이었다. 그런데 종래 기술의 경우, 이렇게 고상과 액상의 에폭시를 혼합하고 바로 경화시켰기 때문에 이 과정에서 적절한 공정 조건을 찾기 위하여 비용과 시간을 소모하였다. 예를 들어 경화제와 에폭시 당량의 불일치로 말미암아 부반응이 빈번하게 일어나는 문제가 있었다.

경화시 부반응이 일어나면 미경화 에폭시 및 반응하지 않고 남은 경화제 때문에 접착 부재가 웨이퍼 뒷면에서 박리되거나 접착력, 신뢰성, 보관성이 떨어지고 나아가 패키징 공정의 공정성이 저하하는 문제를 일으켰다. 또 에폭시 수지의 경화가 너무 빨리 일어난 경우에도 유연성이 그에 상응하여 감소하게 되기 때문에 기판의 단차를 메우기 어려웠다. 또 패키징 공정 중의 가열과 냉각에 따른 무기 재료 실리콘 웨이퍼와 유기 재료 인쇄회로기판 사이의 열팽창률의 불균형이 있기 마련인데, 에폭시 수지의 경화가 빨리 일어날수록 이러한 불균형을 소화해내기 어려워 휘어짐(warping)이나 박리(delamination)가 일어날 수 있었다.

또한 접착제가 고정시킬 소재들은 유기물과 무기물이 혼재되어 있는데, 가열과 냉각이 반복되는 반도체 제조 공정에서는 열 팽창 계수의 차이가 커서 문제를 일으킬 수 있다. 종래 기술의 접착제는 이러한 열 팽창 계수 차이를 보정하는 능력이 떨어져, 반도체 장치 자체의 열 이력이 지지 부재와 적층 부재에 영향을 미치고, 그에 따라 신뢰성과 접착력의 저하가 뒤따를 수 있었다. 이러한 열 팽창 계수 의 불균형은 반도체 조립 업체의 공정성 향상에도 방해가 되는 동시에, 제품의 보관성도 떨어뜨리는 요소이다.

따라서 에폭시 수지를 이용하는 다이 접착 필름에 있어서, 고상과 액상 에폭시의 혼합과 경화 과정에서 까다로운 공정 조절이 필요 없으며, 불균형 열팽창 문제를 잘 소화낼 수 있는 신뢰성과 접착력이 좋은 다이 접착 필름을 개발하여야 할 필요성은 여전히 이 분야에 남아 있는 실정이다.

본 발명의 기술적 과제는 에폭시계 다이 접착 필름을 이용한 패키징에 있어서, 기판의 단차를 수월하게 메울 수 있으며 열팽창 계수의 편차를 보정하는 능력이 우수한 에폭시계 접착 조성물을 제공하는 것이다. 더 구체적으로 본 발명의 기술적 과제는 상대적으로 저온에서 라미네이션이 가능하고, 다이 본딩 공정에서도 접착 필름의 연성을 유지하며 에폭시 수지의 혼합과 경화시 까다로운 관리가 필요하지 않아, 공정성이 뛰어난 접착 필름을 제공할 수 있는 에폭시 조성물을 제공하는 것이다.

위와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 고무 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 결정성 에폭시 수지로 이루어지는 기본 수지에 잠재성 경화제를 사용한 반도체 패키징용 접착제 조성물과 이를 이용한 접착 필름을 제공한다. 상기 접착제 조성물은 고무 수지 15~35 중량부, 고무 변성 에폭시 20~32 중량부 및 결정성 에폭시 6~33 중량부를 함유하는 기본 수지 100 중량부에 대하여, 잠재성 경화제 5~15 중량부 및 개시제 3~10 중량부를 포함하는 것이 특징이다. 여기서 상기 결정성 에폭시는 융점이 75~125℃이고, 150℃에서의 점성이 0.01~0.1 Pa·s인 것이 바람직하며, 상기 잠재성 경화제는 점성 배증 시간(viscosity doubling time)이 80~120 시간이며, 100℃에서의 겔화 시간(gelling time)이 30~60분인 것이 바람직하다.

본 발명의 반도체 패키징용 접착제 조성물과 그를 이용한 필름은 기존의 필름형 접착제에 비하여 열전도성이 높고, 접착시킬 소재들 사이의 열 팽창 계수의 불균형을 보정하여 주는 능력이 뛰어나다. 본 발명의 반도체 패키지용 접착제는 다이 본딩 공정시에도 필름의 연성을 유지하기 때문에 인쇄회로기판과 웨이퍼의 단차를 잘 메울 수 있고, 접착력과 신뢰성도 우수하다. 아울러 잠재성 경화제를 사용하기 때문에 상온 보관성과 제조 공정성 측면도 훌륭한 특징이 있다.

본 발명은 잠재성 경화제와 결정성 에폭시를 이용하여 접착력, 열 팽창 계수 불균형의 보정력과 공정성, 보관성이 우수한 에폭시 기반 접착제 조성물에 관한 것이다.

본 발명의 한 실시 태양에서 접착제 조성물은 에폭시 수지 기반의 기본 수지와 잠재성 경화제 및 개시제를 포함한다. 상기 기본 수지는 고무 수지 15~35 중량부, 고무 변성 에폭시 20~32 중량부 및 결정성 에폭시 6~33 중량부를 함유하며, 이 기본 수지 100 중량부에 대하여, 잠재성 경화제 5~15 중량부 및 개시제 3~10 중량부를 함유하는 것이 본 발명 조성물의 특징이다.

본 발명에서 고무 수지는 필름에 유연성을 부여하고, 인장 강도 특성 등을 조절하는 기능을 수행한다. 본 발명에서 고무 수지의 적절한 예로는 아크릴로니트릴 고무, 폴리부타디엔, 아크릴로니트릴부타디엔, 아크릴산글리시딜 및 스티렌-부타디엔 고무 등을 들 수 있다. 본 발명에서 고무 수지는 기본 수지 내에 15~35 중량부로 함유되는데, 이 함량 범위 내로 고무 수지를 사용하면 점착력과 필름 형성 및 신뢰성 부분에서 우수해져 바람직하다. 특히 본 발명의 고무 수지는 중량 평균 분자량이 50,000 이상인 것을 사용하면 바람직한데, 그 이유는 다이 접착(die attachment)시 신뢰성과 공극(void) 방지 측면에서 유리하기 때문이다.

본 발명에서 고무 변성 에폭시는 에폭시 성분과 고무 수지 사이의 상용성(compatibility)을 높이는 역할을 맡는다. 본 발명에서 고무 변성 에폭시의 적절한 예로는 아크릴로니트릴-부타디엔 변성 에폭시를 들 수 있다. 본 발명에서 고무 변성 에폭시는 기본 수지 내에 20~32 중량부로 함유되는데, 이 함량 범위 내로 고무 수지를 사용하면 상용성이 높아져서 유연성 등의 필름 물성이 양호해 지지만, 이 범위를 벗어나면, 수분 저항 시험(MRT)으로 측정하는 신뢰성이 나빠져 바람직하지 못하다.

본 발명의 한 실시 태양에서 상기 기본 수지는 15~35 중량부의 페녹시 수지를 더 포함할 수 있다. 본 발명에서 페녹시 수지는 필름의의 모듈러스와 용융시 흐름성(melt flow)을 조절하는 기능을 수행한다. 페녹시 수지가 상기 함량 범위에 있으면 코팅 특성 등이 향상되고 점도가 증가하여 필름으로서의 특성이 우수해져 바람직하다. 본 발명에서 쓰일 수 있는 페녹시 수지는 특별히 제한되지는 않지만, 적절한 한 가지 예를 들자면 비스페놀 A형의 분자량 60,000~80,000인 시판 페녹시 수지를 써도 무방하다.

본 발명의 결정성 에폭시는 상온에서는 높은 모듈러스를 갖게하고, 특정 온도에서는 유동성을 부여함으로써 반도체 패키징 공정성을 좋게 하고, 채움성을 높 이는 역할을 맡는다. 본 발명에서 결정성 에폭시는 기본 수지 내에 6~33 중량부로 포함된다. 결정성 에폭시의 함유량이 상기 범위 내에 있으면 픽업 특성과 채움성이 우수해져 바람직하다. 상기 함량을 벗어나게 되면 반도체 패키징 공정력이 저하되고, 채움성이 떨어지거나, 용융 흐름(melt flow)을 유발하게 되어 불리하다.

본 발명의 결정성 에폭시로는 융점이 75~125℃이고, 150℃에서의 점성이 0.01~0.1 Pa·s인 에폭시를 사용하면 바람직하다. 결정성 에폭시의 융점이 상기 융점 범위 내에 있으면 반도체 패키징 공정 중 다이 접착(die attachment) 공정에 채움성을 부여할 수 있기 때문에 때문에 바람직하지만, 범위 밖에 있으면 채움성이 저하되고, 용융 흐름이 발생하여 불리하다. 한편 에폭시의 점성이 상기 범위 내에 있으면 필름에 유동성이 발생하여 빈 틈을 메우는 성질(gap-filling)이 우수해져 바람직하지만, 범위 밖에 있으면 채움성이 떨어지게 되고, 용융 흐름이 발생하므로 불리하다.

이러한 특성을 만족하는 본 발명의 결정성 에폭시로는 비스페놀 F 계열의 디글리시딜 에테르, 황화디아릴(diaryl sulfide) 계열의 디글리시딜 에테르 및 하이드로퀴논 계열의 디글리시딜 에테르 에폭시 등이 적당하다. 비스페놀 F 계열의 디글리시딜 에테르의 구체적인 예로는 페놀 고리에 메틸기가 치환된 아래 화학식 1의 화합물을 들 수 있고, 황화디아릴 계열의 결정성 에폭시의 한 예로는 아래 화학식 2의 물질을 들 수 있다.

시판되는 결정성 에폭시의 적당한 예로는 일본 新日鐵 화학의 YSLV-80XY와 YSLV-120TE가 있다.

본 발명에서 잠재성 경화제는 초기 모듈러스를 높일수 있고, 특정 반응 온도시에 반응을 시작하기 때문에, 필름에 유동성을 부여하는데 많은 부분 도움을 준다. 본 발명의 잠재성 경화제는 기본 수지 100 중량부에 대하여 5~15 중량부로 포함된다. 잠재성 경화제의 함유량이 상기 범위 내에 있으면 초기 모듈러스를 높이고, 특정온도에서 유동성 부여가 용이하게 하여 바람직하다. 상기 함량을 벗어나게 되면 다이 접착시 경화제가 수지 밖으로 유출(bleed out)하게 되므로 불리하다.

본 발명의 잠재성 경화제로는 점성 배증 시간(viscosity doubling time)이 75~120 시간이며, 100℃에서의 겔화 시간(gelling time)이 30~70분인 경화제를 사용하면 바람직하다. 잠재성 경화제의 점성 배증 시간이 상기 범위 내에 있으면 다 이 접착시 공극을 줄이기 때문에 바람직하고, 필름의 경시를 늦출 수 있어 보관에 유리해지지만, 이 범위 밖에 있으면 보관에 불리하다. 한편 경화제의 겔화 시간이 상기 범위 내에 있으면 경화제 반응시부터 경화 시간까지 유동성 특성이 부여되기 때문에 채움성과 공극 방지 측면 등에서 바람직하지만, 범위 밖에 있으면 경화 조절이 불가능해져 불리하다.

본 발명의 잠재성 경화제로서 상기 조건을 만족할 수 있는 것에는, 상기 잠재성 경화제는 아민 부가물(amine adduct) 계열, 디시안디아미드(DICY), 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸요소(DCMU) 및 이미다졸 계열 경화제를 들 수 있다. 본 발명에서는 잠재성 경화제와 일반 경화제를 혼용하여 사용할 수도 있는데, 이 경우 잠재성 경화제:일반 경화제의 혼용 비율은 0.5:1 ~ 1:1 이 적당하다.

본 발명에서 개시제로는 에폭시 수지의 경화에 사용할 수 있는 것이면 무방하고, 특별한 제한이 없으나, 바람직하게는 광 개시제와 열 개시제를 혼합하여 사용할 수 있다. 광 개시제와 열 개시제의 비율은 중량 기준으로 열 개시제 : 광 개시제 = 1:1~2:3의 혼합물인 것이 바람직하다. 또한 광 개시제는 단파장 광개시제와 장파장 광개시제를 혼합하여 쓸 수 있다. 본 발명에서 단파장 광 개시제: 장파장 광 개시제의 비율은 중량 기준으로 2:3~1:2 범위에 있는 것이 바람직한데, 혼합 비율이 이 범위 안에 있으면 광경화시 광화학적 수율이 높아져 유리하기 때문이다.

<실시예>

이하 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 본 발명이 속하는 분야의 평균적 기술자는 아래 실시예에 기재된 실시 태양 외에 여러 가지 다른 형 태로 본 발명을 변경할 수 있으며, 이하 실시예는 본 발명을 예시할 따름이지 본 발명의 기술적 사상의 범위를 아래 실시예 범위로 한정하기 위한 의도라고 해석해서는 아니된다.

본 발명에 따른 접착제 조성물을 이용하여 제조한 반도체 패키징용 접착 필름의 성능을 평가하기 위하여 실시예와 비교예 접착 필름을 제조하였다. 접착제 조성물과 그를 이용한 접착 필름의 제조는 통상적인 방식을 따랐으며, 간략하게는 다음과 같다.

반도체 패키징용 접착제의 조성물을 제조하기 위하여 중량 기준으로, 아크릴로니트릴 고무(AN rubber) 29%, 아크릴로니트릴-부타디엔 고무(NBR) 변성 에폭시 15%, 페녹시 수지 15%, 비스페놀 A 형 에폭시 26%(고상/액상 20%/6%), 비스페놀 F 형 에폭시 15%를 메틸에틸케톤(MEK)에 용해시키고, 균일하게 1차 혼합하였다. 이 혼합물 100 중량부에 대하여, 과산화물 계열 열 개시제 4 중량부와 자외선 개시제 4 중량부(단파장/장파장대 자외선 개시제 1:2의 비율)를 첨가하고, 페놀 계열 경화제를 15 중량부 넣은 후 2차 혼합을 하였다. 실시예 조성물과 필름의 경우 잠재성 경화제를 2차 혼합시 페놀 경화제와 함께 20 중량부 부가하였다. 상기 조성물로부터 필름 제조를 위해 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 베이스 필름 위에 일정한 두께로 상기 조성물을 피복하고, 제작 공정성을 위하여 자외선 조사를 통한 B-스테이징(staging)을 수행하였다.

이렇게 얻은 상기 반도체 패키지용 접착 필름을 5.0 mm×10.0 mm 규모의 실리콘 웨이퍼에 라미네이션하고, 130~170℃의 온도에서 1.5~2.0 초 동안 2~5 kg중 의 힘으로 기질(substrate)에 본딩한 후, 175℃에서 1시간 동안 접착제를 경화 시켰다.

이렇게 제조한 실시예와 비교예 조성물의 조성을 비교하면 다음 표 1과 같다. 표 1에서 열개시제, 광개시제와 잠재성 경화제는 기본 수지의 총량을 100 중량부로 환산하였을 때, 넣은 양을 그 100 중량부에 대한 중량부로 나타낸 것이다.

조 성 (중량부)	실시예 번호			비교예 번호
조 성 (중량부)	1	2	3	1	2	3	4	5	6
고무 수지^*	29
고무 변성 에폭시^**	26
결정성 에폭시^***	10	12.5	15	8	8	12.5	12.5	9	17
페녹시 수지^§§	15
기본 수지 총량	80	82.5	85	78	78	82.5	82.5	79	87
열개시제^†	4
광개시제^‡	4
잠재성 경화제^§	15	12.5	10	17	3	4	17	17	16

* 분자량이 50000~100000인 아크릴로니트릴 고무(AN rubber)

** 니트릴-부타디엔 고무(NBR)로 변형된 비스페놀 A-글리시딜 에폭시 수지인 국도화학 KR-309(에폭시 당량(EEW) 280~300 g. 25℃의 점도 25,000~40,000 cPs).

*** 테트라메틸비스페놀 F의 디글리시딜 에테르인 일본 新日鐵 화학의 YSLV-80XY(녹는점이 75~85℃, 에폭시 당량이 190~200 g)

† 과산화물계 열개시제인 과산화디큐밀(dicumyl peroxide)

‡ 스위스 Ciba Specialty Chemical의 포스핀계 광개시제를 두 종류 사용하였으며, 그 합이 4 중량부임. 단파장은 Irgacure 184, 장파장은 Irgacure 819.

§ 캡슐화된 아민계 경화제인 일본 아사히 화성의 Novacure HX-3088. 점성 배증시간은 80℃에서 약 75 시간이며, 겔화 시간은 100℃에서 70 분, 140℃에서 4 분.

§§ 고형분 100%인 비스페놀 A형 페녹시 수지

위와 같이 하여 얻은 실시예와 비교예 접착 필름에 대하여 신뢰성, 인장 강도, 박리 강도와 공극률을 측정하였다. 측정 방법은 다음과 같다.

<신뢰성>

일본 합동 전자 장치 협의회(Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC) 기준에 따라 제2 수준(Level2)의 수분 저항성 시험(moisture resistance test, MRT) 평가와 85℃에서 상대 습도 85%로 1일 동안 수행하는 평가를 병행하여 신뢰성을 측정하였다. MRT 제2수준 시험 조건은 60% 상대 습도, 85℃에서 7일 동안 필름을 놓아둔 다음, 260℃ 피크 온도에서 리플로우시켰다. 85℃/85% 테스트에서는 이 온도/습도 하에서 1일 동안 필름을 놓아둔 다음, 260℃ 피크 온도에서 리플로우 하여 신뢰성을 평가하였다.

<박리 강도>

접착력을 평가하기 위하여 웨이퍼와 접착 필름 사이의 박리 강도를 180도 peel tester로 측정하였다. 박리 강도는 100g 중/cm 이상 500 g 중/cm 이하의 범위에 있으면 반도체 신뢰성 특성에 적합한 수준으로 볼 수 있다.

<인장 강도>

만능 시험기(UTM)를 이용하여 제조한 필름의 인장 강도를 측정하였다. 인장 강도는 경화전에 상온에서 5MPa 이상 150 MPa 이하의 범위에 있으면 다이 픽업(die pick-up) 및 채움성, 공극 방지 측면에서 적합한 수준으로 볼 수 있다.

<공극 메움성>

공극 메움 특성을 평가하기 위하여 주사 음향 단층 분석법(scanning acoustic tomography, SAT)을 통하여 공극률을 측정하였다. SAT에 따른 공극 메움성은 전체 접착 면적 중 공극이 차지하는 비율을 1에서 뺀 값으로 정의하였다. 공극 메움성은 전체 면적의 90~100% (즉 채우지 못한 부분 및 공극(void) 부분이 전체 면적의 10% 이내의 범위)에 있으면 적합한 수준으로 볼 수 있다.

이같은 물성 평가 결과를 아래 표 2에 정리하였다.

조 성 (중량부)	실시예 번호			비교예 번호
조 성 (중량부)	1	2	3	1	2	3	4	5	6
공극 메움성	92	95	91	76	63	35	56	78	75
필름의 인장 강도(MPa)	67	67	73	18	34	53	35	7.9	76
박리 강도(g 중/cm)	498	483	471	112	165	298	212	176	141
신뢰성	합격			불합격

표 2의 데이터로부터 알 수 있듯이 본 발명에 따른 실시예 접착 필름은 비교예 필름에 비하여 경화 전 모듈러스, 경화 시작의 채움성 측면에서 더 우수하기 때문에 우수한 접착력, 유연성, 공극 메움 특성을 가진다.

본 명세서의 상세한 설명과 실시예에 사용된 용어는 해당 분야에서 평균적인 기술자에게 본 발명을 상세히 설명하기 위한 목적으로 쓰인 것일 뿐, 어느 특정 의미로 한정하거나 청구범위에 기재된 발명의 범위를 제한하기 위한 의도가 아니었음을 밝혀 둔다.

Claims

고무 수지 15~35 중량부,

고무 변성 에폭시 20~32 중량부 및

결정성 에폭시 6~33 중량부를 함유하는 기본 수지 100 중량부에 대하여,

잠재성 경화제 5~15 중량부 및

개시제 3~10 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 접착제 조성물.
제1항에 있어서,

상기 기본 수지는 15~35 중량부의 페녹시 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
제1항에 있어서,

상기 결정성 에폭시는 융점이 75~125℃이고,

150℃에서의 점성이 0.01~0.1 Pa·s인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
제3항에 있어서,

상기 결정성 에폭시는 비스페놀F 계열의 디글리시딜 에테르, 황화디아릴(diaryl sulfide) 계열의 디글리시딜 에테르 및 하이드로퀴논 계열의 디글리시딜 에테르로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
제1항에 있어서,

상기 잠재성 경화제는 점성 배증 시간(viscosity doubling time)이 75~120 시간이며, 100℃에서의 겔화 시간(gelling time)이 30~70분인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
제5항에 있어서,

상기 잠재성 경화제는 아민 부가물(amine adduct) 계열, 디시안디아미드(DICY), 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸요소(DCMU) 및 이미다졸 계열 경화제로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
제1항에 있어서,

상기 고무 수지는 아크릴로니트릴 고무, 폴리부타디엔, 아크릴로니트릴부타디엔, 아크릴산글리시딜 및 스티렌-부타디엔 고무로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
제7항에 있어서,

상기 고무 수지는 분자량이 50,000 이상인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
제1항에 있어서,

상기 고무 변성 에폭시는 아크릴로니트릴-부타디엔 변성 에폭시인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
제1항에 있어서,

상기 개시제는 중량 기준으로 열 개시제 : 광 개시제 = 1:1~2:3의 혼합물인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
제10항에 있어서,

상기 광 개시제는 광 개시제는 장파장 광 개시제: 단파장 광 개시제의 비율이 중량 기준으로 2:3~1:2 범위에 있는 혼합물인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
반도체 패키징 공정에 사용되는 접착필름으로서,

상기 접착필름은 베이스 필름; 및

상기 베이스 필름의 어느 일면 또는 양면에 형성된 하나 이상의 접착층;을 포함하여 구비하되,

상기 접착층은 제1항 내지 제11항 중 선택된 어느 한 항에 따른 접착제 조성물로부터 형성된 것을 특징으로 하는 반도체용 접착필름.