KR100991542B1 - 액정표시장치 - Google Patents

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KR100991542B1
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Abstract

본 발명은 대비비를 향상시킬 수 있는 액정표시장치에 관한 것이다.
블랙 매트릭스로 덮이지 않은 콘택홀 부분에서 빛샘이 발생할 수 있는데, 이러한 빛샘은 액정표시장치의 대비비를 저하시켜 화질을 떨어뜨린다.
본 발명에 따른 액정표시장치에서는 빛샘이 발생하는 영역을 블랙 매트릭스 하부에 위치하도록 콘택홀이 형성되는 부분의 드레인 전극 구조를 변경하여, 빛샘을 차단하고 대비비를 향상시킬 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스의 구조를 변화시키지 않으므로, 개구율의 저하를 방지할 수 있다.

Description

액정표시장치{liquid crystal display device}
도 1은 종래의 액정표시장치의 개략적인 평면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 평면도.
도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 자른 단면도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 평면도.
도 5는 도 4에서 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 자른 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
112 : 게이트 배선 114 : 게이트 전극
122 : 액티브층 132 : 데이터 배선
134 : 소스 전극 136 : 드레인 전극
152 : 콘택홀 162 : 화소 전극
192 : 블랙 매트릭스
본 발명은 액정표시장치에 괸한 것으로서, 더욱 상세하게는 대비비를 향상시킬 수 있는 액정표시장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치는 일면에 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.
액정표시장치는 다양한 형태를 가질 수 있는데, 현재 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이러한 액정표시장치는 하부의 어레이 기판에 화소 전극이 형성되어 있고 상부 기판인 컬러 필터 기판에 공통 전극이 형성되어 있는 구조로, 상하로 걸리는 기판에 수직한 방향의 전기장에 의해 액정 분자를 구동하는 방식이다. 이는, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하며, 상판의 공통 전극이 접지 역할을 하게 되어 정전기로 인한 액정셀의 파괴를 방지할 수 있다.
액정표시장치의 상부 기판은 화소 전극 이외의 부분에서 발생하는 빛샘 현상을 막기 위해 블랙 매트릭스(black matrix)를 더 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 종래의 액정표시장치에 대하여 설명한다.
도 1은 종래의 액정표시장치에 대한 개략적인 평면도로서, 액정표시장치는 상부 기판과 하부 기판 및 그 사이에 위치하는 액정층을 포함한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 하부 기판(도시하지 않음)에는 게이트 배선(12)과 데이터 배선(32)이 형성되어 있는데, 게이트 배선(12)과 데이터 배선(32)은 교차하여 화소 영역(P)을 정의한다. 게이트 배선(12)과 데이터 배선(32)의 교차점에는 박막 트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 박막 트랜지스터(T)는 게이트 배선(12)에서 연장된 게이트 전극(14)과 데이터 배선(32)에서 연장된 소스 전극(34), 그리고 소스 전극(34)과 이격되어 있는 드레인 전극(36)을 포함한다. 또한, 박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(14)과 소스 및 드레인 전극(34, 36) 사이에 액티브층(22)을 포함한다.
소스 및 드레인 전극(34, 36) 사이의 드러난 액티브층(22)은 박막 트랜지스터(T)의 채널이 되는데, 채널의 폭이 넓고 채널의 길이가 짧을수록 박막 트랜지스터(T)의 전기적 특성이 좋아진다. 따라서, 채널의 폭이 넓어지도록 채널을 "U"자형으로 형성하여, 박막 트랜지스터(T)의 특성을 향상시킬 수 있다.
소스 및 드레인 전극(34, 36)은 보호층(도시하지 않음)으로 덮여 있는데, 보호층은 드레인 전극(36)을 드러내는 콘택홀(52)을 가진다. 다음, 화소 전극(62)이 보호층 상부의 화소 영역(P)에 형성되어 있어, 콘택홀(52)을 통해 드레인 전극(36)과 연결된다.
여기서, 액티브층(22)에서 이어진 연장부(22a)가 화소 영역(P) 내로 돌출되어 있는데, 연장부(22a)는 드레인 전극(36)과 일부 중첩하며 일부는 중첩되지 않고 노출되어 있다. 이 연장부(22a)는 하부막들의 단차에 의해 콘택홀(52)이 형성된 부 분에서 화소 전극(62)이 끊어지는 것을 방지하기 위한 역할을 한다. 또한, 화소 전극(62)이 단선되는 것을 방지하기 위해, 콘택홀(52)은 드레인 전극(36)의 일측면을 포함하며, 노출된 연장부(22a) 상에 위치하도록 형성된다.
한편, 하부기판과 마주 대하는 상부기판(도시하지 않음)의 안쪽면에는 블랙 매트릭스(90)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(90)는 게이트 배선(12)과 데이터 배선(32) 및 박막 트랜지스터(T)에 대응하며, 화소 전극(62)의 가장자리를 덮도록 형성된다. 여기서, 블랙 매트릭스(90)는 드레인 전극(34)과 액티브층 연장부(22a)의 일부 및 콘택홀(52)의 일부를 덮도록 형성된다. 따라서, 화소 영역(P)에 위치하는 액티브층 연장부(22a)의 일부와 콘택홀(52)의 일부(A)는 블랙 매트릭스(90)로 덮이지 않게 된다.
데이터 배선(32)과 소스 및 드레인 전극(34, 36)이 몰리브덴(Mo)으로 형성될수 있는데, 이러한 몰리브덴은 콘택홀(52) 형성을 위해 보호층을 건식 식각할 때 제거될 수 있다. 따라서, 도 1에서와 같이 콘택홀(52)에 대응하는 드레인 전극(36)이 제거되는데, 이 부분은 블랙 매트릭스(90)에 의해 가려지지 않기 때문에 액정표시장치의 구동시 이 부분에서 빛이 새게 된다. 또한, 액티브층 연장부(22a)에 대응하는 부분에서는 전경(disclination)이 발생하는데, 블랙 매트릭스(90)로 덮여 있지 않기 때문에 빛이 새는 원인이 된다.
이처럼, 블랙 매트릭스(90)로 덮이지 않은 콘택홀(52)과 액티브층 연장부(22a)에 대응하는 영역(A)에서 빛샘이 발생하는데, 이러한 빛샘은 액정표시장치의 대비비(contrast ratio)를 떨어뜨려 화질을 저하시킨다. 빛샘을 방지하기 위해 블랙 매트릭스(90)로 이 부분을 가릴 수 있으나, 개구율이 낮아지는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 빛샘을 방지하고, 개구율 및 대비비를 향상시킬 수 있는 액정표시장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는 이격되어 마주 대하는 제 1 및 제 2 기판과, 상기 제 1 기판의 안쪽면에 형성되고 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차점에 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선과 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 데이터 배선과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 소스 전극과 이격되어 있는 드레인 전극 및 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하는 액티브층을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터를 덮으며 상기 드레인 전극을 드러내는 콘택홀을 포함하는 보호층, 상기 보호층 상부의 화소 영역에 형성되고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극, 상기 제 2 기판의 안쪽면에 형성되어 있으며, 상기 화소 전극을 드러내는 블랙 매트릭스, 그리고 상기 블랙 매트릭스 상부에 형성되고 상기 화소 전극과 마주 대하는 공통 전극을 포함하며, 상기 액티브층은 상기 화소 영역으로 연장되고 상기 드레인 전극과 일부 중첩하는 제 1 연장부를 포함하며, 상기 콘택홀은 상기 제 1 연장부 내에 위치하고, 상기 화소 전극은 상기 제 1 연장부와 상면 접촉하고, 상기 블랙 매트릭스는 상기 제 1 연장부를 덮는다.
여기서, 상기 콘택홀은 상기 드레인 전극의 일측면을 포함할 수 있다.
상기 소스 및 드레인 전극 사이의 노출된 액티브층은 박막 트랜지스터의 채널이 되고, 상기 채널은 "U"자 모양을 가질 수 있다.
상기 소스 및 드레인 전극은 몰리브덴으로 형성되고, 상기 콘택홀에 대응하는 드레인 전극은 제거되어 있을 수도 있으며, 이때 상기 화소 전극은 상기 드레인 전극과 측면 접촉할 수 있다.
본 발명에서 상기 액티브층은 상기 데이터 배선 하부로 연장된 제 2 연장부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 다른 액정표시장치는 이격되어 마주 대하는 제 1 및 제 2 기판과, 상기 제 1 기판의 안쪽면에 형성되고 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차점에 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선과 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 데이터 배선과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 소스 전극과 이격되어 있는 드레인 전극 및 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하는 액티브층을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터를 덮으며 상기 드레인 전극을 드러내는 콘택홀을 포함하는 보호층, 상기 보호층 상부의 화소 영역에 형성되고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극, 상기 제 2 기판의 안쪽면에 형성되어 있으며, 상기 화소 전극을 드러내는 블랙 매트릭스, 그리고 상기 블랙 매트릭스 상부에 형성되고 상기 화소 전극과 마주 대하는 공통 전극을 포함하며, 상기 액티브층은 상기 화소 영역으로 연장되고 상기 드레인 전극과 일부 중첩하는 제 1 연장부를 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 제 1 연장부에 대응하는 돌출부를 포함하며, 상기 화소 전극은 상기 제 1 연장부와 상면 접촉하고, 상기 콘택홀은 상기 제 1 연장부 내에 위치한다.
여기서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 제 1 연장부와 상기 콘택홀을 노출할 수 있다.
또한, 상기 콘택홀은 상기 드레인 전극의 일측면을 포함할 수도 있다.
본 발명에서, 상기 소스 및 드레인 전극은 몰리브덴으로 형성되고, 상기 콘택홀에 대응하는 드레인 전극은 제거되어 있을 수 있으며, 이때 상기 화소 전극은 상기 드레인 전극과 측면 접촉할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 화소 영역에서 발생할 수 있는 빛샘을 방지하여 대비비를 향상킬 수 있으며, 이에 따라 액정표시장치의 화질을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 평면도이고, 도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 자른 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 투명한 제 1 기판(110) 위에 금속과 같은 물질로 게이트 배선(112)과 게이트 전극(114)이 형성되어 있다. 게이트 배선(112)은 가로 방향으로 형성되어 있고, 게이트 전극(112)은 게이트 배선(114)에서 연장 되어 있다.
게이트 배선(112)과 게이트 전극(114) 상부에는 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연막(120)이 형성되어 이들을 덮고 있다.
이어, 게이트 절연막(120) 위에는 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(122)이 형성되어 있고, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(124)이 형성되어 있다. 한편, 순수 비정질 실리콘으로 이루어지고, 액티브층(122)에서 연장된 제 1 및 제 2 연장부(122a, 122b)가 형성되어 있다.
오믹 콘택층(124) 위에는 금속과 같은 물질로 데이터 배선(132)과 소스 및 드레인 전극(134, 136)이 형성되어 있다. 데이터 배선(132)은 세로 방향으로 형성되어 있으며, 게이트 배선(112)과 직교하여 화소 영역(P)을 정의한다. 소스 전극(134)은 데이터 배선(132)에서 연장되어 있고, 드레인 전극(136)은 소스 전극(134)과 분리되어 있다. 소스 및 드레인 전극(136)은 게이트 전극(114) 및 액티브층(122)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 형성하며, 소스 및 드레인 전극(136) 사이의 노출된 액티브층(122)은 박막 트랜지스터(T)의 채널이 된다. 소스 전극(134)은 "U"자 모양을 가지며, 드레인 전극(136)은 가로 방향으로 연장된 제 1 부분과 돌출되어 이후 형성될 화소 전극과 연결되는 제 2 부분으로 이루어진다. 드레인 전극(136)의 제 1 부분은 일끝이 소스 전극(134)으로 둘러싸여 박막 트랜지스터(T)의 채널이 "U"자 모양을 가지게 된다. "U"자 모양은 채널의 길이를 길어지게 하므로 박막 트랜지스터(T)의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
여기서, 액티브층의 제 1 연장부(122a)는 화소 영역(P)으로 돌출되어 있는 데, 드레인 전극(136)과 일부 중첩하며 일부는 중첩하지 않고 노출되어 있다. 또한, 제 2 연장부(122b)는 세로 방향으로 연장되어 있으며, 데이터 배선(132) 하부에 위치한다. 본 발명에서, 액티브층의 제 1 연장부(122a)와 드레인 전극(136)의 제 2 부분은 게이트 배선(112)과 인접하도록 형성된다.
다음, 데이터 배선(132)과 소스 및 드레인 전극(134, 136) 상부에는 보호층(150)이 형성되어 이들을 덮고 있으며, 보호층(150)은 드레인 전극(136)의 일부를 드러내는 콘택홀(152)을 가진다. 콘택홀(152)은 화소 전극의 단선을 방지하기 위해 드레인 전극(135)의 일측면을 포함하며, 액티브층의 제 1 연장부(122a) 상에 위치하도록 형성된다. 이때, 보호층(150)을 건식식각 방법으로 패터닝하여 콘택홀(152)을 형성하게 되는데, 드레인 전극(136)이 몰리브덴으로 형성될 경우 드레인 전극(136)도 식각된다. 따라서, 콘택홀(152)에 대응하는 드레인 전극(136)의 일부도 제거되어 하부의 액티브층 제 1 연장부(122a)가 드러난다.
다음, 보호층(150) 상부의 화소 영역(P)에는 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(162)이 형성되어 있다. 화소 전극(162)은 콘택홀(152)을 통해 드레인 전극(136)과 연결되어 있으며, 전단의 게이트 배선(112)과 중첩되어 스토리지 커패시터를 형성한다. 이때, 콘택홀(152)에 대응하는 드레인 전극(136)이 제거되어 있기 때문에, 화소 전극(162)은 드레인 전극(136)과 측면 접촉을 하게 된다.
한편, 제 1 기판(110) 상부에는 제 1 기판(110)과 이격되어 투명한 제 2 기판(190)이 배치되어 있고, 제 2 기판(190)의 안쪽면에는 블랙 매트릭스(192)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(192)의 상부에는 투명한 도전 물질로 이루어지고, 화 소 전극(162)과 마주 대하는 공통 전극(194)이 형성되어 있다. 도시하지 않았지만, 블랙 매트릭스(192)와 공통 전극(194) 사이에는 컬러필터층이 위치하는데, 컬러필터층은 적, 녹, 청의 서브컬러필터가 순차적으로 형성되고, 각 서브컬러필터는 하나의 화소 전극(162)과 대응한다.
블랙 매트릭스(192)는 화소 영역(P)에 대응하는 개구부를 가지고 있으며, 게이트 배선(112)과 데이터 배선(132) 및 박막 트랜지스터(T)에 대응하고, 화소 전극(162)의 가장자리를 덮도록 형성된다. 또한, 액티브층의 제 1 연장부(122a)와 드레인 전극(136)이 게이트 배선(112)에 인접하게 형성되어 있어, 블랙 매트릭스(192)는 기존과 같은 크기를 가지면서, 액티브층의 제 1 연장부(122a) 및 드레인 전극(136) 뿐만 아니라, 제 1 연장부(122a) 상에 위치하는 콘택홀(152)을 덮는다. 따라서, 드레인 전극(136)이 제거된 콘택홀(152) 및 액티브층의 제 1 연장부(122a)가 위치하는 부분(B)에서 빛샘이 발생하더라도 블랙 매트릭스(192)에 의해 차단되어 보이지 않게 된다. 또한, 블랙 매트릭스(192)가 기존과 같은 크기를 가지므로, 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에서는 블랙 매트릭스의 구조 및 크기를 변경시키기 않고, 빛샘이 발생하는 콘택홀과 이에 대응하는 액티브층의 연장부를 블랙 매트릭스 하부에 위치하도록 하기 때문에, 개구율의 저하를 방지하고 대비비를 약 5%정도 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 평면도이고, 도 5는 도 4에서 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 자른 단면도이다.
도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 투명한 제 1 기판(210) 위에 금속과 같은 불투명한 도전 물질로 게이트 배선(212)과 게이트 전극(214)이 형성되어 있다. 게이트 배선(212)은 가로 방향으로 형성되어 있고, 게이트 전극(212)은 게이트 배선(214)에서 연장되어 있다. 또한, 제 1 기판(210) 상부에는 게이트 전극(214)에서 연장된 돌출부(214a)가 형성되어 있다.
게이트 배선(212)과 게이트 전극(214) 상부에는 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연막(220)이 형성되어 이들을 덮고 있다.
이어, 게이트 절연막(220) 위에는 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(222)이 형성되어 있고, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(224)이 형성되어 있다. 한편, 순수 비정질 실리콘으로 이루어지고, 액티브층(222)에서 연장된 제 1 및 제 2 연장부(222a, 222b)가 형성되어 있다.
오믹 콘택층(224) 위에는 금속과 같은 불투명한 도전 물질로 데이터 배선(232)과 소스 및 드레인 전극(234, 236)이 형성되어 있다. 데이터 배선(232)은 세로 방향으로 형성되어 있으며, 게이트 배선(212)과 직교하여 화소 영역(P)을 정의한다. 소스 전극(234)은 데이터 배선(232)에서 연장되어 있고, 드레인 전극(236)은 게이트 전극(214) 상부에서 소스 전극(234)과 분리되어 있다. 소스 및 드레인 전극(236)은 게이트 전극(214) 및 액티브층(222)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 형성하며, 소스 및 드레인 전극(236) 사이의 노출된 액티브층(222)은 박막 트랜지스터(T)의 채널이 된다. 소스 전극(234)은 "U"자 모양을 가지며, 드레인 전극(236)은 가로 방향으로 연장된 제 1 부분과 돌출되어 이후 형성될 화소 전극과 연결되는 제 2 부분으로 이루어진다. 드레인 전극(236)의 제 1 부분은 일끝이 소스 전극(234)으로 둘러싸여 박막 트랜지스터(T)의 채널이 "U"자 모양을 가지게 된다. "U"자 모양은 채널의 폭을 크게 하므로 박막 트랜지스터(T)의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
여기서, 액티브층의 제 1 연장부(222a)는 화소 영역(P)으로 돌출되어 있는데, 하부의 게이트 전극의 돌출부(214a)와 중첩하여 돌출부(214a) 상에 위치한다. 또한, 제 1 연장부(222a)는 드레인 전극(236)과 일부 중첩하며 일부는 중첩하지 않고 노출되어 있다. 한편, 제 2 연장부(222b)는 세로 방향으로 연장되어 있으며, 데이터 배선(232) 하부에 위치한다.
다음, 데이터 배선(232)과 소스 및 드레인 전극(234, 236) 상부에는 보호층(250)이 형성되어 이들을 덮고 있으며, 보호층(250)은 드레인 전극(236)의 일부를 드러내는 콘택홀(252)을 가진다. 콘택홀(252)은 화소 전극의 단선을 방지하기 위해 드레인 전극(235)의 일측면을 포함하며, 액티브층의 제 1 연장부(222a) 상에 위치하도록 형성된다. 이때, 보호층(250)을 건식식각 방법으로 패터닝하여 콘택홀(252)을 형성하게 되는데, 드레인 전극(236)이 몰리브덴으로 형성될 경우 드레인 전극(236)도 식각된다. 따라서, 콘택홀(252)에 대응하는 드레인 전극(236)의 일부도 제거되어 하부의 액티브층 제 1 연장부(222a)가 드러난다.
다음, 보호층(250) 상부의 화소 영역(P)에는 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(262)이 형성되어 있다. 화소 전극(262)은 콘택홀(252)을 통해 드레인 전극(236)과 연결되어 있으며, 전단의 게이트 배선(212)과 중첩하여 스토리지 커패 시터를 형성한다. 이때, 콘택홀(252)에 대응하는 드레인 전극(236)이 제거되어 있기 때문에, 화소 전극(262)은 드레인 전극(236)과 측면 접촉을 하게 된다.
한편, 제 1 기판(210) 상부에는 제 1 기판(210)과 이격되어 투명한 제 2 기판(290)이 배치되어 있고, 제 2 기판(290)의 안쪽면에는 블랙 매트릭스(292)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(292)의 상부에는 투명한 도전 물질로 이루어지고, 화소 전극(262)과 마주 대하는 공통 전극(294)이 형성되어 있다. 도시하지 않았지만, 블랙 매트릭스(292)와 공통 전극(294) 사이에는 컬러필터층이 위치하는데, 컬러필터층은 적, 녹, 청의 서브컬러필터가 순차적으로 형성되고, 각 서브컬러필터는 하나의 화소 전극(262)과 대응한다.
블랙 매트릭스(292)는 화소 영역(P)에 대응하는 개구부를 가지고 있으며, 게이트 배선(212)과 데이터 배선(232) 및 박막 트랜지스터(T)에 대응하고, 화소 전극(262)의 가장자리를 덮도록 형성된다. 여기서, 블랙 매트릭스(292)는 기존과 같은 크기를 가지며, 액티브층의 제 1 연장부(222a)와 콘택홀(252)의 일부는 블랙 매트릭스(292)로 덮이지 않고 노출되어 있다.
본 발명의 제 2 실시예에서는 드레인 전극(236)이 제거된 콘택홀(252) 및 액티브층의 제 1 연장부(222a)가 위치하는 부분(C)이 블랙 매트릭스(292)로 덮여 있지 않으나, 불투명한 도전 물질로 이루어진 게이트 전극 돌출부(214a)가 광차단층으로서 이 부분(C)에 대응하도록 형성되어 있기 때문에, 이 부분(C)에서 빛샘이 발생하더라도 돌출부(214a)에 의해 차단되어 보이지 않게 된다. 빛샘 부분(C)을 제 2 기판(290) 상의 블랙 매트릭스(292)로 차단할 경우, 블랙 매트릭스(292)의 면적 은 합착마진을 고려하여 실제 빛샘 영역(C)보다 크게 하여야 한다. 따라서, 개구율을 더욱 낮아진다. 그러나, 본 발명의 제 2 실시예에서와 같이, 게이트 전극 돌출부(214a)로 빛샘 영역을 가릴 경우에는, 돌출부(214a)의 면적은 빛샘 영역(C)에만 대응하도록 형성하면 되므로, 블랙 매트릭스(292)에 의한 경우보다 개구율의 저하를 방지할 수 있다. 본 발명에서는 돌출부(214a)가 게이트 전극(214)과 연결되어 있는 경우에 대하여 설명하였으나, 이러한 돌출부(214a)는 게이트 전극(214)과 분리된 패턴으로 형성되어, 광차단층의 역할을 할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 빛샘을 방지하여 대비비를 향상시키고, 개구율의 저하를 방지할 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
본 발명에 따른 액정표시장치는 빛샘이 발생하는 영역을 블랙 매트릭스 하부에 위치하도록 하여 빛샘을 차단하고 대비비를 향상시킬 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스의 구조를 변화시키지 않으므로, 개구율의 저하를 방지할 수 있다. 본 발명에서는 박막 트랜지스터의 채널을 "U"자 모양으로 형성함으로써 안정적이고 향상된 제조 수율을 얻을 수 있다.

Claims (11)

  1. 이격되어 마주 대하는 제 1 및 제 2 기판;
    상기 제 1 기판의 안쪽면에 형성되고 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차점에 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선과 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 데이터 배선과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 소스 전극과 이격되어 있는 드레인 전극 및 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하는 액티브층을 포함하는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터를 덮으며 상기 드레인 전극을 드러내는 콘택홀을 포함하는 보호층;
    상기 보호층 상부의 화소 영역에 형성되고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극;
    상기 제 2 기판의 안쪽면에 형성되어 있으며, 상기 화소 전극을 드러내는 블랙 매트릭스; 그리고
    상기 블랙 매트릭스 상부에 형성되고 상기 화소 전극과 마주 대하는 공통 전극
    을 포함하며,
    상기 액티브층은 상기 화소 영역으로 연장되고 상기 드레인 전극과 일부 중첩하는 제 1 연장부를 포함하며, 상기 콘택홀은 상기 제 1 연장부 내에 위치하고,
    상기 화소 전극은 상기 제 1 연장부와 상면 접촉하고,
    상기 블랙 매트릭스는 상기 제 1 연장부를 덮는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 콘택홀은 상기 드레인 전극의 일측면을 포함하는 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스 및 드레인 전극 사이의 노출된 액티브층은 박막 트랜지스터의 채널이 되고, 상기 채널은 "U"자 모양을 가지는 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스 및 드레인 전극은 몰리브덴으로 형성되고, 상기 콘택홀에 대응하는 드레인 전극은 제거되어 있는 액정표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 상기 드레인 전극과 측면 접촉하는 액정표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 액티브층은 상기 데이터 배선 하부로 연장된 제 2 연장부를 더 포함하는 액정표시장치.
  7. 이격되어 마주 대하는 제 1 및 제 2 기판;
    상기 제 1 기판의 안쪽면에 형성되고 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차점에 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선과 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 데이터 배선과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 소스 전극과 이격되어 있는 드레인 전극 및 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하는 액티브층을 포함하는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터를 덮으며 상기 드레인 전극을 드러내는 콘택홀을 포함하는 보호층;
    상기 보호층 상부의 화소 영역에 형성되고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극;
    상기 제 2 기판의 안쪽면에 형성되어 있으며, 상기 화소 전극을 드러내는 블랙 매트릭스; 그리고
    상기 블랙 매트릭스 상부에 형성되고 상기 화소 전극과 마주 대하는 공통 전극
    을 포함하며,
    상기 액티브층은 상기 화소 영역으로 연장되고 상기 드레인 전극과 일부 중첩하는 제 1 연장부를 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 제 1 연장부에 대응하는 돌출부를 포함하며,
    상기 화소 전극은 상기 제 1 연장부와 상면 접촉하고,
    상기 콘택홀은 상기 제 1 연장부 내에 위치하는 액정표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 상기 제 1 연장부와 상기 콘택홀을 노출하는 액정표시장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 콘택홀은 상기 드레인 전극의 일측면을 포함하는 액정표시장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 소스 및 드레인 전극은 몰리브덴으로 형성되고, 상기 콘택홀에 대응하는 드레인 전극은 제거되어 있는 액정표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 상기 드레인 전극과 측면 접촉하는 액정표시장치.
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