KR100973676B1 - Thin film type Solar Cell and Method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 비드 및 상기 비드를 고정하는 바인더를 포함하여 이루어진 광산란막; 상기 광산란막 상에 형성되며, 그 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층; 상기 전면전극층 상에 형성된 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 형성된 후면전극층을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지, 및 그 제조방법에 관한 것으로서, The present invention relates to a substrate; A light scattering film formed on the substrate and including a bead and a binder to fix the bead; A front electrode layer formed on the light scattering film, the surface of which has a concave-convex structure; A semiconductor layer formed on the front electrode layer; And a back electrode layer formed on the semiconductor layer, and a method of manufacturing the same.

본 발명에 따르면, 기판과 전면전극층 사이에 광산란막을 형성함으로써 태양광을 다양하게 굴절시킬 수 있어 반도체층으로 입사되는 태양광의 경로를 길게할 수 있고, 또한, 전면전극층 증착과정에서 광산란막이 배리어(barrier)로 작용하여 기판 내에 함유된 불순물이 전면전극층으로 이동하는 것이 차단되어 태양전지의 효율이 증진되는 효과가 있다. According to the present invention, by forming a light scattering film between the substrate and the front electrode layer can be variously refracted sunlight can lengthen the path of sunlight incident to the semiconductor layer, and also, the light scattering film barrier (barrier) during the front electrode layer deposition process It acts as) to block the movement of impurities contained in the substrate to the front electrode layer has the effect of improving the efficiency of the solar cell.

박막형 태양전지, 비드 Thin Film Solar Cells, Beads

Description

박막형 태양전지 및 그 제조방법{Thin film type Solar Cell and Method for manufacturing the same}Thin film type solar cell and method for manufacturing same

본 발명은 태양전지(Solar Cell)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 박막형 태양전지에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell, and more particularly to a thin film solar cell.

태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다. Solar cells are devices that convert light energy into electrical energy using the properties of semiconductors.

태양전지의 구조 및 원리에 대해서 간단히 설명하면, 태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole)과 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 되는 원리이다. The structure and principle of the solar cell will be briefly described. The solar cell has a PN junction structure in which a P (positive) type semiconductor and a N (negative) type semiconductor are bonded to each other. Holes and electrons are generated in the semiconductor by the energy of the incident solar light. At this time, the holes (+) are moved toward the P-type semiconductor by the electric field generated in the PN junction. Negative (-) is the principle that the electric potential is generated by moving toward the N-type semiconductor to generate power.

이와 같은 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있다. Such solar cells may be classified into a substrate type solar cell and a thin film type solar cell.

기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다. The substrate type solar cell is a solar cell manufactured by using a semiconductor material such as silicon as a substrate, and the thin film type solar cell is a solar cell manufactured by forming a semiconductor in the form of a thin film on a substrate such as glass.

기판형 태양전지는 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하기는 하지만, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다. Substrate-type solar cells, although somewhat superior in efficiency compared to thin-film solar cells, there is a limitation in minimizing the thickness in the process and there is a disadvantage that the manufacturing cost is increased because of the use of expensive semiconductor substrates.

박막형 태양전지는 기판형 태양전지에 비하여 효율이 다소 떨어지기는 하지만, 얇은 두께로 제조가 가능하고 저가의 재료를 이용할 수 있어 제조비용이 감소되는 장점이 있어 대량생산에 적합하다. Although thin-film solar cells are somewhat less efficient than substrate-type solar cells, they can be manufactured in a thin thickness and inexpensive materials can be used to reduce manufacturing costs, making them suitable for mass production.

이하 도면을 참조로 종래의 박막형 태양전지에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a thin film solar cell according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a thin film solar cell according to a conventional embodiment.

도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는 기판(10) 상에 전면전극층(30)이 형성되고, 상기 전면전극층(30) 상에 반도체층(40)이 형성되고, 상기 반도체층(40) 상에 투명도전층(50)이 형성되고, 상기 투명도전층(50) 상에 후면전극층(60)이 형성되어 이루어진다. As can be seen in FIG. 1, in the thin film solar cell according to the related art, the front electrode layer 30 is formed on the substrate 10, and the semiconductor layer 40 is formed on the front electrode layer 30. The transparent conductive layer 50 is formed on the semiconductor layer 40, and the rear electrode layer 60 is formed on the transparent conductive layer 50.

그러나, 이와 같은 종래의 박막형 태양전지는 다음과 같은 문제점이 있다. However, such a conventional thin film solar cell has the following problems.

첫째, 태양전지의 효율향상을 위해서는 태양광이 상기 반도체층(40)을 경유하는 경로를 길게하여 상기 반도체층(40) 내에서 정공(hole)과 전자(electron)의 발생율을 증가시킬 필요가 있다. 그러나, 종래의 박막형 태양전지는 상기 반도체층(40) 내의 태양광의 경로를 길게 형성할 수 없어 원하는 만큼의 전지효율을 얻지 못하는 문제점이 있다. First, in order to improve the efficiency of the solar cell, it is necessary to increase the generation rate of holes and electrons in the semiconductor layer 40 by lengthening the path through which the sunlight passes through the semiconductor layer 40. . However, the conventional thin-film solar cell has a problem in that it is not possible to form a long path of sunlight in the semiconductor layer 40 and thus does not obtain battery efficiency as desired.

둘째, 일반적으로 상기 기판(10)은 유리를 이용하게 되는데, 유리 내에는 알칼리이온들이 함유되어 있고, 이와 같은 알칼리이온들이 고온의 증착공정을 진행하는 과정에서 상기 전면전극층(30)으로 이동하여 불순물로 작용함으로써 태양전지의 효율이 저하되는 문제점이 있다. Second, in general, the substrate 10 uses glass, and alkali ions are contained in the glass, and the alkali ions move to the front electrode layer 30 in the process of high temperature deposition and impurity. As a result, there is a problem that the efficiency of the solar cell is lowered.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 반도체층 내에서 태양광의 경로를 길게 함으로써 태양전지의 효율을 상승시킬 수 있는 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다. The present invention has been devised to solve the conventional problems as described above, the present invention is to provide a thin-film solar cell and a method of manufacturing the same that can increase the efficiency of the solar cell by increasing the path of sunlight in the semiconductor layer. The purpose.

본 발명은 기판 내에 함유된 알칼리이온들이 전면전극층으로 이동하는 것을 방지함으로써 태양전지의 효율을 상승시킬 수 있는 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a thin film solar cell and a method of manufacturing the same, which can increase the efficiency of a solar cell by preventing the alkali ions contained in the substrate from moving to the front electrode layer.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 비드 및 상기 비드를 고정하는 바인더를 포함하여 이루어진 광산란막; 상기 광산란막 상에 형성되며, 그 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층; 상기 전면전극층 상에 형성된 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 형성된 후면전극층을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지를 제공한다. The present invention, in order to achieve the above object; A light scattering film formed on the substrate and including a bead and a binder to fix the bead; A front electrode layer formed on the light scattering film, the surface of which has a concave-convex structure; A semiconductor layer formed on the front electrode layer; And a back electrode layer formed on the semiconductor layer.

여기서, 상기 기판과 접촉하는 광산란막은 상기 기판과 굴절율이 서로 상이할 수 있다. 상기 전면전극층과 접촉하는 광산란막은 상기 전면전극층과 굴절율이 서로 상이할 수 있다. Here, the light scattering film in contact with the substrate may be different from the substrate and the refractive index. The light scattering layer in contact with the front electrode layer may have a different refractive index from the front electrode layer.

상기 광산란막을 구성하는 비드 및 바인더는 굴절율이 서로 상이할 수 있다. The beads and the binder constituting the light scattering film may have different refractive indices.

상기 비드는 굴절율이 서로 상이한 복수개의 비드들의 조합으로 이루어질 수 있다. The beads may be a combination of a plurality of beads having different refractive indices.

상기 비드는 코어부 및 상기 코어부를 둘러싸고 있는 스킨부로 이루어질 수 있고, 이때, 상기 코어부 및 스킨부는 굴절율이 서로 상이한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 코어부는 공기로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 코어부 또는 상기 스킨부는 서로 굴절율이 상이한 복수 개의 물질층으로 구성될 수 있다. The bead may be formed of a core part and a skin part surrounding the core part. In this case, the core part and the skin part may be made of a material having different refractive indices, and the core part may be made of air. In addition, the core part or the skin part may be composed of a plurality of material layers having different refractive indices.

상기 광산란막은 그 표면이 요철구조로 형성될 수 있다. The light scattering film may have a surface having an uneven structure.

상기 반도체층과 후면전극층 사이에 투명도전층이 추가로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반도체층은 버퍼층을 사이에 두고 구성된 이층의 반도체층으로 이루어질 수 있다.A transparent conductive layer may be further formed between the semiconductor layer and the back electrode layer. In addition, the semiconductor layer may be formed of a two-layer semiconductor layer having a buffer layer interposed therebetween.

본 발명은 또한, 기판 상에 비드 및 상기 비드를 고정하는 바인더를 포함하여 이루어진 광산란막을 형성하는 공정; 상기 광산란막 상에 그 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층을 형성하는 공정; 상기 전면전극층 상에 반도체층을 형성하는 공정; 및 상기 반도체층 상에 후면전극층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다. The present invention also provides a process for forming a light scattering film comprising a bead and a binder for fixing the bead on a substrate; Forming a front electrode layer having a concave-convex structure on a surface of the light scattering film; Forming a semiconductor layer on the front electrode layer; And it provides a method for manufacturing a thin-film solar cell comprising the step of forming a back electrode layer on the semiconductor layer.

여기서, 상기 광산란막을 형성하는 공정은 페이스트를 이용한 프린팅 방법, 졸-겔 방법, 또는 딥 코팅 방법을 이용하여 수행할 수 있고, 상기 기판과 상기 광산란막 사이의 결합력을 증진시키기 위해서 막 형성 후 소성공정을 추가로 수행할 수 있다. Here, the process of forming the light scattering film may be carried out using a printing method using a paste, a sol-gel method, or a dip coating method, and after the film formation to enhance the bonding force between the substrate and the light scattering film firing process Can be performed further.

상기 기판과 접촉하는 광산란막은 상기 기판과 굴절율이 서로 상이하도록 형성할 수 있고, 상기 전면전극층과 접촉하는 광산란막은 상기 전면전극층과 굴절율이 서로 상이하도록 형성할 수 있다. The light scattering film contacting the substrate may be formed so that the substrate and the refractive index are different from each other, and the light scattering film contacting the front electrode layer may be formed so that the front electrode layer and the refractive index are different from each other.

상기 비드 및 바인더는 굴절율이 서로 상이할 수 있다. The beads and the binder may have different refractive indices.

상기 비드는 굴절률이 서로 상이한 복수개의 비드들의 조합을 이용할 수 있다. The beads may use a combination of a plurality of beads having different refractive indices.

상기 비드는 코어부 및 상기 코어부를 둘러싸고 있는 스킨부로 이루어지며, 상기 코어부 및 스킨부는 굴절율이 서로 상이한 물질을 이용할 수 있다. 이때, 상기 코어부는 공기로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 코어부 또는 상기 스킨부는 서로 굴절율이 상이한 복수 개의 물질층으로 구성될 수 있다. The bead may include a core part and a skin part surrounding the core part, and the core part and the skin part may use materials having different refractive indices. In this case, the core part may be made of air. In addition, the core part or the skin part may be composed of a plurality of material layers having different refractive indices.

상기 광산란막은 그 표면을 요철구조로 형성할 수 있다.The light scattering film may have a surface having an uneven structure.

상기 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층을 형성하는 공정은, 증착공정을 통해 그 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층을 형성하거나, 또는 증착공정을 통해 균일한 표면의 전면전극층을 형성한 후 식각공정을 통해 그 표면을 요철구조로 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다. The process of forming a front electrode layer having a concave-convex structure on the surface may include forming a front electrode layer having a concave-convex structure through a deposition process, or an etching process after forming a front electrode layer having a uniform surface through a deposition process. Through the surface can be made of a process of forming a concave-convex structure.

상기 반도체층과 후면전극층 사이에 투명도전층을 형성하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체층은 버퍼층을 사이에 두고 구성된 이층의 반도체층으로 이루어질 수 있다.The method may further include forming a transparent conductive layer between the semiconductor layer and the back electrode layer. In addition, the semiconductor layer may be formed of a two-layer semiconductor layer having a buffer layer interposed therebetween.

상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above has the following effects.

본 발명은 기판과 전면전극층 사이에 광산란막을 형성함으로써 태양광을 다양하게 굴절시킬 수 있어 반도체층 내에서 태양광의 경로를 길게할 수 있다. 따라서, 태양전지의 효율이 증진되는 효과가 있다. According to the present invention, by forming a light scattering film between the substrate and the front electrode layer, the sunlight can be variously refracted to lengthen the path of sunlight in the semiconductor layer. Therefore, the efficiency of the solar cell is improved.

또한, 상기 광산란막을 구성하는 비드 및 바인더의 구성물질 및 패턴을 적절히 변경함으로써 태양광의 굴절패턴을 용이하게 조절할 수 있어 태양전지의 효율증진을 위한 최적화가 가능하다. In addition, by appropriately changing the material and pattern of the beads and the binder constituting the light scattering film can be easily adjusted the refractive pattern of the solar light it is possible to optimize the efficiency of the solar cell.

또한, 본 발명은 상기 광산란막이 상기 기판과 상기 전면전극층 사이에 형성되기 때문에, 상기 전면전극층 증착과정에서 상기 광산란막이 배리어(barrier)로 작용하여 상기 기판 내에 함유된 불순물이 상기 전면전극층으로 이동하는 것이 차단되어, 태양전지의 효율저하가 방지되는 효과가 있다. In addition, in the present invention, since the light scattering film is formed between the substrate and the front electrode layer, the light scattering film acts as a barrier in the process of depositing the front electrode layer so that impurities contained in the substrate move to the front electrode layer. It is blocked, there is an effect that the degradation of the efficiency of the solar cell is prevented.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<박막형 태양전지><Thin Film Solar Cell>

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는 기판(100), 광산란막(200), 전면전극층(300), 반도체층(400), 투명도전층(500), 및 후면전극층(600)을 포함하여 이루어진다. As can be seen in Figure 2, the thin-film solar cell according to an embodiment of the present invention, the substrate 100, the light scattering film 200, the front electrode layer 300, the semiconductor layer 400, the transparent conductive layer 500, and the back It comprises an electrode layer 600.

상기 기판(100)은 주로 유리를 이용하지만 투명한 플라스틱을 이용할 수도 있다. The substrate 100 mainly uses glass, but may also use transparent plastic.

상기 광산란막(200)은 상기 기판(100) 상에 형성되며, 비드(bead)(220) 및 바인더(binder)(240)를 포함하여 이루어진다. 이와 같은 광산란막(200)은 상기 기판(100)을 통과하는 태양광을 다양한 각도로 산란시킴과 더불어 상기 기판(100) 내에 함유된 불순물이 상기 전면전극층(300)으로 이동하는 것을 방지하는 역할을 한다. The light scattering layer 200 is formed on the substrate 100 and includes a bead 220 and a binder 240. The light scattering layer 200 scatters the sunlight passing through the substrate 100 at various angles and prevents impurities contained in the substrate 100 from moving to the front electrode layer 300. do.

우선, 상기 광산란막(200)이 상기 기판(100)을 통과하는 태양광을 다양한 각도로 산란시키는 것에 대해 설명하면 다음과 같다. First, the light scattering film 200 will be described for scattering the sunlight passing through the substrate 100 at various angles as follows.

상기 광산란막(200)은 비드(220) 및 바인더(240)를 포함하여 이루어지는데, 주로 상기 바인더(240)가 상기 기판(100) 및 상기 전면전극층(300)과 접촉하게 된다. 이 경우, 상기 바인더(240)를 구성하는 물질로서 상기 기판(100) 및 상기 전면전극층(300)을 구성하는 물질과 굴절율이 상이한 물질을 이용하게 되면, 상기 기판(100)을 투과한 태양광이 상기 바인더(240)를 통과하면서 굴절하게 되고 또한 상기 바인더(240)를 투과한 태양광이 상기 전면전극층(300)을 통과하면서 다시 굴절하게 되므로, 결국, 상기 기판(100)으로 입사한 태양광이 다양한 각도로 굴절되면서 상기 반도체층(400)으로 입사하게 되어 반도체층(400) 내에서 태양광의 경로가 길게된다. The light scattering layer 200 includes a bead 220 and a binder 240. The binder 240 is mainly in contact with the substrate 100 and the front electrode layer 300. In this case, when a material having a refractive index different from that of the substrate 100 and the front electrode layer 300 is used as a material constituting the binder 240, sunlight transmitted through the substrate 100 may be formed. Since the light is refracted while passing through the binder 240 and the light transmitted through the binder 240 is refracted again while passing through the front electrode layer 300, the light incident on the substrate 100 is eventually reduced. As the light is refracted at various angles, the light is incident on the semiconductor layer 400 so that the path of sunlight in the semiconductor layer 400 is long.

경우에 따라서는 상기 비드(220)가 상기 기판(100) 및 상기 전면전극층(300)과 접촉하게 될 수도 있을 것인데, 이 경우에는, 상기 비드(220)를 구성하는 물질로서 상기 기판(100) 및 상기 전면전극층(300)을 구성하는 물질과 굴절율이 상이한 물질을 이용하게 되면, 전술한 바와 동일한 매커니즘으로 상기 기판(100)으로 입사한 태양광이 다양한 각도로 굴절되면서 상기 반도체층(400)으로 입사하게 되어 반도체층(400) 내에서 태양광의 경로가 길게된다. In some cases, the bead 220 may come into contact with the substrate 100 and the front electrode layer 300. In this case, the substrate 100 and the substrate may be formed of a material constituting the bead 220. When the material constituting the front electrode layer 300 and a material having a different refractive index are used, the solar light incident on the substrate 100 is refracted at various angles by the same mechanism as described above and is incident on the semiconductor layer 400. The path of sunlight in the semiconductor layer 400 is long.

일반적으로 기판(100)을 구성하는 유리의 굴절율은 약 1.52 정도이고, 상기 전면전극층(300)의 굴절율은 약 1.9 ~2.0 정도이므로, 이와 같은 기판(100) 및 전면전극층(300)의 굴절율 범위를 고려하여 상기 비드(220) 또는 바인더(240)의 구성물질을 선택하면 될 것이다. 상기 비드(220)의 예로는 SiO2, TiO2, CeO2 등을 들수 있고, 상기 바인더(240)의 예로는 실리케이트 등을 들 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. In general, since the refractive index of the glass constituting the substrate 100 is about 1.52, and the refractive index of the front electrode layer 300 is about 1.9 to 2.0, the range of the refractive index of the substrate 100 and the front electrode layer 300 is In consideration of this, the material of the bead 220 or the binder 240 may be selected. Examples of the bead 220 may include SiO 2 , TiO 2 , CeO 2 , and the like, and examples of the binder 240 may include silicates, but are not necessarily limited thereto.

또한, 상기 광산란막(200)을 구성하는 비드(220) 및 바인더(240)를 서로 굴절율이 상이한 재료를 이용할 경우, 상기 광산란막(200) 내에서도 태양광을 다양하게 굴절시킬 수 있게 된다. 즉, 상기 비드(220)를 상기 바인더(240)와 굴절율이 상이한 재료를 이용하게 되면, 상기 비드(220)를 투과한 태양광이 상기 바인더(240)를 통과하면서 굴절하게 되고, 또한 상기 바인더(240)를 투과한 태양광이 상기 비드(220)를 통과하면서 굴절하게 되므로 태양광을 다양하게 굴절시킬 수 있다. In addition, when the beads 220 and the binder 240 constituting the light scattering film 200 are made of materials having different refractive indices from each other, sunlight may be variously refracted in the light scattering film 200. That is, when the beads 220 are made of a material having a different refractive index than that of the binder 240, the sunlight transmitted through the beads 220 is refracted while passing through the binder 240, and the binder ( Since the sunlight transmitted through the 240 is refracted while passing through the bead 220, the sunlight may be variously refracted.

또한, 상기 비드(220)를 동일한 물질로 형성하는 대신에 굴절율이 서로 상이한 복수개의 비드들을 조합하여 사용할 경우 태양광이 서로 상이한 비드(220)들을 거치면서 다양한 각도로 굴절하게 되는 효과를 얻을 수 있다. In addition, instead of forming the beads 220 with the same material, when a plurality of beads having different refractive indices are used in combination with each other, sunlight may be refracted at various angles while passing through the beads 220 having different values from each other. .

또한, 상기 비드(220)를 코어(core)부 및 스킨(skim)부로 구성함으로써, 태양광이 하나의 비드(220)를 통과하면서도 다양한 각도로 굴절하게 할 수도 있다. 즉, 도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비드(220)의 단면을 보여주는 도면으로서, 도 3a에서 알 수 있듯이, 상기 비드(220)는 코어부(222) 및 상기 코어부(222)를 둘러싸고 있는 스킨부(224)로 구성되며, 상기 코어부(222)의 물질을 상기 스킨부(224)의 물질과 굴절율이 상이한 물질을 이용함으로써, 태양광이 상기 스킨부(224)를 투과한 후 상기 코어부(222)를 통과할 때 굴절하고 또한 상기 코어부(222)를 투과한 후 상기 스킨부(224)를 통과할 때 다시 굴절하게 할 수 있다. 또한, 도 3b에서 알 수 있듯이, 코어부(222)가 공기로 이루어지도록 하여 스킨부(224)만으로 구성된 중공상태의 비드(220)를 이용하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 경우에 따라서는 도 3c에서 알 수 있듯이, 상기 코어부(222)를 서로 굴절율이 상이한 복수 개의 물질층(222a, 222b)으로 구성할 수도 있고, 상기 스킨부(224)를 서로 굴절율이 상이한 복수 개의 물질층(224a, 224b)으로 구성할 수도 있을 것이다. 또한, 상기 비드(220)의 단면을 원형, 타원형 등 다양한 형태로 변경함으로써 태양광의 굴절각을 다양하게 변경할 수도 있다. In addition, the bead 220 may be composed of a core part and a skin part, so that sunlight may be refracted at various angles while passing through one bead 220. That is, FIGS. 3A to 3C are cross-sectional views of the beads 220 according to various embodiments of the present disclosure. As shown in FIG. 3A, the beads 220 may include a core part 222 and the core part ( It is composed of a skin portion 224 surrounding the 222, the material of the core portion 222 by using a material that is different in refractive index from the material of the skin portion 224, the sunlight to the skin portion 224 After passing through the core portion 222 may be refracted, and after passing through the core portion 222 may be refracted again when passing through the skin portion 224. In addition, as can be seen in Figure 3b, the core portion 222 is made of air so that the same effect can be obtained by using the hollow bead 220 consisting of only the skin portion 224. In some cases, as shown in FIG. 3C, the core part 222 may be formed of a plurality of material layers 222a and 222b having different refractive indices, and the skin part 224 may have a plurality of different refractive indices. It may be composed of material layers 224a and 224b. In addition, by changing the cross-section of the bead 220 in a variety of forms, such as circular, elliptical may be variously changed the angle of refraction of sunlight.

또한, 상기 광산란막(200)을 도 2의 확대도에서 알 수 있듯이, 그 표면이 요철구조가 되도록 형성함으로써 태양광의 굴절각을 다양하게 변경할 수도 있다. In addition, as shown in the enlarged view of FIG. 2, the light scattering film 200 may be formed to have a concave-convex structure so that the refractive angle of solar light may be variously changed.

다음, 상기 광산란막(200)이 상기 기판(100) 내에 함유된 불순물이 상기 전면전극층(300)으로 이동하는 것을 방지하는 것에 대해서 설명하면, 상기 광산란막(200)이 상기 기판(100)과 상기 전면전극층(300) 사이에 형성되기 때문에, 상기 전면전극층(300) 증착과정에서 상기 광산란막(200), 특히 상기 광산란막(200)을 구성하는 바인더(240)가 배리어(barrier)로 작용하여 상기 기판(100) 내에 함유된 불순물이 상기 전면전극층(300)으로 이동하는 것을 차단하게 된다. Next, when the light scattering film 200 prevents the impurities contained in the substrate 100 from moving to the front electrode layer 300, the light scattering film 200 is the substrate 100 and the Since it is formed between the front electrode layer 300, during the deposition process of the front electrode layer 300, the light scattering film 200, in particular the binder 240 constituting the light scattering film 200 acts as a barrier (barrier) Impurities contained in the substrate 100 are blocked from moving to the front electrode layer 300.

상기 전면전극층(300)는 상기 광산란막(200) 위에 형성되며, 태양광이 입사되는 면에 형성되므로 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질을 이용하여 형성할 수 있다. The front electrode layer 300 is formed on the light scattering film 200, and is formed on the surface where the sunlight is incident, ZnO, ZnO: B, ZnO: Al, SnO 2 , SnO 2 : F or ITO (Indium Tin Oxide) It may be formed using a transparent conductive material such as.

상기 전면전극층(300)의 표면은 요철구조로 형성되며, 이와 같은 요철구조로 인해서 입사되는 태양광을 다양하게 산란시켜 상기 반도체층(400)에서 태양광의 흡수율을 증진시키게 된다. The surface of the front electrode layer 300 is formed with a concave-convex structure, and the scattering of the incident sunlight due to the concave-convex structure in various ways to increase the absorption rate of the sunlight in the semiconductor layer 400.

한편, 상기 전면전극층(300) 표면의 요철구조가 너무 크게 형성되게 되면, 상기 전면전극층(300) 상부에 형성되는 반도체층(400) 및 투명도전층(500)에 결함이 생길 수 있어 오히려 태양전지의 효율이 떨어질 수 있다. 본 발명의 경우는 상기 광산란막(200)에 의해서 태양광의 산란효과를 충분히 얻을 수 있기 때문에 상기 전면전극층(300) 표면의 요철구조를 무리하게 크게 형성할 필요가 없으며, 따라서 상기 전면전극층(300) 표면의 요철구조는 상기 반도체층(400) 및 투명도전층(500)에 결함이 생기지 않을 정도로 작게 조절하는 것이 바람직하다. Meanwhile, when the uneven structure of the front electrode layer 300 is formed too large, defects may occur in the semiconductor layer 400 and the transparent conductive layer 500 formed on the front electrode layer 300. Efficiency may be reduced. In the present invention, since the scattering effect of sunlight can be sufficiently obtained by the light scattering film 200, it is not necessary to form an uneven structure largely on the surface of the front electrode layer 300, thus the front electrode layer 300 The uneven structure of the surface is preferably adjusted so small that defects do not occur in the semiconductor layer 400 and the transparent conductive layer 500.

상기 반도체층(400)은 상기 전면전극층(300) 위에 형성되며, 상기 전면전극층(300)의 표면이 요철구조로 형성됨에 따라 상기 반도체층(400)의 표면도 요철구조로 형성된다. The semiconductor layer 400 is formed on the front electrode layer 300, and as the surface of the front electrode layer 300 is formed in an uneven structure, the surface of the semiconductor layer 400 is also formed in an uneven structure.

상기 반도체층(400)은 P(positive)형 반도체층, I(intrinsic)형 반도체층, 및 N(negative)형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN구조로 형성된다. 이와 같이 상기 반도체층(400)이 PIN구조로 형성되면, I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(drift)되어, 결국 정공은 P형 반도체층을 통해 전면전극층(300)으로 수집되고 전자는 N형 반도체층을 통해 후면전극층(600)으로 수집된다. 한편, 상기 반도체층(400)이 PIN구조로 형성될 경우에는 상기 전면전극(300) 상부에 P형 반도체층을 형성하고 이어서 I형 반도체층 및 N형 반도체층을 형성하는 것이 바람직한데, 그 이유는 일반적으로 정공의 드리프트 이동도(drift mobility)가 전자의 드리프트 이동도에 의해 낮기 때문에 입 사광에 의한 수집효율을 극대화하기 위해서 P형 반도체층을 수광면에 가깝게 형성하기 위함이다. The semiconductor layer 400 has a PIN structure in which a P (positive) type semiconductor layer, an I (intrinsic) type semiconductor layer, and an N (negative) type semiconductor layer are sequentially stacked. As described above, when the semiconductor layer 400 has a PIN structure, the I-type semiconductor layer is depleted by the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer to generate an electric field therein, and is generated by sunlight. As the holes and electrons are drift by the electric field, holes are collected to the front electrode layer 300 through the P-type semiconductor layer and electrons are collected to the back electrode layer 600 through the N-type semiconductor layer. On the other hand, when the semiconductor layer 400 is formed in a PIN structure, it is preferable to form a P-type semiconductor layer on the front electrode 300 and then to form an I-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer. Since the drift mobility of the holes is generally low due to the drift mobility of the holes, the P-type semiconductor layer is formed close to the light receiving surface in order to maximize the collection efficiency due to incident light.

상기 투명도전층(500)은 상기 반도체층(400) 위에 형성되며, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다. 상기 투명도전층(500)의 표면도 요철구조로 형성되며, 상기 투명도전층(500)은 생략이 가능하다. The transparent conductive layer 500 is formed on the semiconductor layer 400 and may be made of a transparent conductive material such as ZnO, ZnO: B, ZnO: Al, SnO 2 , SnO 2 : F, or Indium Tin Oxide (ITO). . The surface of the transparent conductive layer 500 is also formed of an uneven structure, the transparent conductive layer 500 can be omitted.

상기 후면전극층(600)은 상기 투명도전층(500) 위에 형성되며, Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. The back electrode layer 600 is formed on the transparent conductive layer 500 and may be made of a metal such as Ag, Al, Ag + Mo, Ag + Ni, Ag + Cu.

<박막형 태양전지의 제조방법><Method of manufacturing thin film solar cell>

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다. 4A to 4E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 4a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 비드(220) 및 상기 비드(220)를 고정하는 바인더(240)를 포함하여 이루어진 광산란막(200)을 형성한다. First, as shown in FIG. 4A, a light scattering layer 200 including a bead 220 and a binder 240 fixing the beads 220 is formed on the substrate 100.

상기 광산란막(200)은 상기 비드(220)를 상기 바인더(240)에 균일하게 분포시켜 페이스트를 준비한 후 이와 같은 페이스트를 이용하여 프린팅(Printing) 방법으로 형성할 수도 있고, 졸-겔(Sol-Gel) 방법, 딥 코팅(Dip Coating) 방법, 또는 스핀 코팅(Spin Coating) 방법을 이용하여 형성할 수도 있다. 상기 광산란막(200)을 형성함에 있어서, 상기와 같은 방법으로 막을 형성한 후, 적외선 소성공정 또는 저온/고온 소성공정을 추가로 수행함으로써 상기 기판(100)과 상기 광산란막(200) 사이의 결합력을 증진시키는 것이 바람직하다. The light scattering layer 200 may be uniformly distributed on the binder 240 to prepare a paste, and then may be formed using a printing method using such a paste, or a sol-gel (Sol- It may be formed using a gel method, a dip coating method, or a spin coating method. In forming the light scattering film 200, after forming the film in the same manner as described above, the bonding force between the substrate 100 and the light scattering film 200 by additionally performing an infrared firing process or a low temperature / high temperature firing process It is desirable to promote

상기 광산란막(200)은 확대도에서 알 수 있듯이 그 표면을 요철구조로 형성할 수 있으며, 이 경우에는 상기 프린팅(Printing) 방법, 졸-겔(Sol-Gel) 방법, 딥 코팅(Dip Coating) 방법, 또는 스핀 코팅(Spin Coating) 방법을 수행한 후 물리적 접촉을 통해 막 표면을 요철구조로 형성할 수 있다. The light scattering film 200 can be formed in the concave-convex structure as can be seen in the enlarged view, in this case, the printing method, the sol-gel method, dip coating After performing the method or the spin coating method (Spin Coating), the surface of the film may be formed into a concave-convex structure by physical contact.

상기 광산란막(200)을 구성하는 상기 비드(220) 및 바인더(240)의 구성은 전술한 바와 동일하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다. Since the bead 220 and the binder 240 constituting the light scattering film 200 are the same as described above, a detailed description thereof will be omitted.

다음, 도 4b에서 알 수 있듯이, 상기 광산란막(200) 상에 전면전극층(300)을 형성한다. Next, as can be seen in Figure 4b, the front electrode layer 300 is formed on the light scattering film 200.

상기 전면전극층(300)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질을 이용하여 적층하며, 그 표면은 요철구조로 형성한다. The front electrode layer 300 is laminated using a transparent conductive material such as ZnO, ZnO: B, ZnO: Al, SnO 2 , SnO 2 : F or ITO (Indium Tin Oxide), and the surface thereof is formed with an uneven structure. .

이와 같이 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층(300)을 형성하는 방법으로는, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)공정과 같은 증착공정시 증착조건을 적절히 조절함으로써 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층을 직접 형성하는 방법, 또는 스퍼터링(Sputtering)공정과 같은 증착공정을 통해 균일한 표면의 전면전극층을 형성한 후 식각공정을 통해 그 표면을 요철구조로 형성하는 방법이 있다. 상기 식각공정으로는 포토리소그라피법(photolithography)을 이용한 식각공정, 화학용액을 이용한 이방성 식각공정(anisotropic etching), 또는 기계적 스크 라이빙(mechanical scribing)을 이용한 식각공정 등을 이용할 수 있다. As such a method of forming the front electrode layer 300 having a concave-convex structure, the front electrode layer having the concave-convex structure may be directly controlled by appropriately adjusting the deposition conditions during a deposition process such as a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process. There is a method of forming or forming a front electrode layer of a uniform surface through a deposition process such as a sputtering process and then forming the surface into an uneven structure through an etching process. The etching process may include an etching process using photolithography, an anisotropic etching using a chemical solution, or an etching process using mechanical scribing.

전술한 바와 같이, 전면전극(300) 표면의 요철구조는 이후 공정에서 형성할 반도체층 및 투명도전층에 결함이 생기지 않을 정도로 작게 조절하는 것이 바람직하다. As described above, the uneven structure of the surface of the front electrode 300 is preferably adjusted so small that defects do not occur in the semiconductor layer and the transparent conductive layer to be formed in a later process.

다음, 도 4c에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극층(300) 상에 반도체층(400)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4C, the semiconductor layer 400 is formed on the front electrode layer 300.

상기 반도체층(400)은 실리콘계의 비정질 반도체물질을 플라즈마 CVD법 등을 이용하여 P형 반도체층, I형 반도체층, 및 N형 반도체층을 순서대로 적층한 PIN구조로 형성할 수 있다. The semiconductor layer 400 may be formed in a PIN structure in which a silicon-based amorphous semiconductor material is sequentially stacked with a P-type semiconductor layer, an I-type semiconductor layer, and an N-type semiconductor layer by using a plasma CVD method or the like.

다음, 도 4d에서 알 수 있듯이, 상기 반도체층(400) 상에 투명도전층(500)을 형성한다. Next, as can be seen in Figure 4d, to form a transparent conductive layer 500 on the semiconductor layer (400).

상기 투명도전층(500)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 적층하여 형성할 수 있다. 상기 투명도전층(500) 형성공정은 생략이 가능하다. The transparent conductive layer 500 ZnO, ZnO: B, ZnO: Al, SnO 2, SnO 2: F , or ITO (Indium Tin Oxide) Metal (a transparent conductive material sputtered (Sputtering) method, such as or MOCVD Organic Chemical Vapor Deposition It can be formed by laminating using a) method or the like. The transparent conductive layer 500 forming process can be omitted.

다음, 도 4e에서 알 수 있듯이, 상기 투명도전층(500) 상에 후면전극층(600)을 형성한다. Next, as can be seen in Figure 4e, to form a back electrode layer 600 on the transparent conductive layer (500).

상기 후면전극층(600)은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 과 같은 금속을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 인쇄법 등을 이용하여 적층하여 형성할 수 있다. The back electrode layer 600 may be formed by stacking a metal such as Ag, Al, Ag + Mo, Ag + Ni, Ag + Cu using a sputtering method or a printing method.

이상은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 대해서 설명하였는데, 본 발명이 전술한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 특히, 전술한 실시예는 소위 싱글(single)구조의 박막형 태양전지에 관한 것으로서, 본 발명은 대면기판 적용시 복수개의 단위셀로 분리하고 복수개의 단위셀을 직렬로 연결한 구조에도 적용가능하고, 버퍼층을 사이에 두고 반도체층을 이층으로 구성한 소위 탠던(tandem)구조에도 적용가능하다. The foregoing has described the thin film solar cell and its manufacturing method according to an embodiment of the present invention, but the present invention is not limited to the above-described embodiment. In particular, the above-described embodiment relates to a so-called single structure thin film solar cell, and the present invention is applicable to a structure in which a plurality of unit cells are separated and a plurality of unit cells are connected in series when the facing substrate is applied. It is also applicable to a so-called tandem structure in which a semiconductor layer is composed of two layers with a buffer layer interposed therebetween.

도 1은 종래의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a thin film solar cell according to a conventional embodiment.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비드의 단면도이다. 3A-3C are cross-sectional views of beads according to various embodiments of the present invention.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다. 4A to 4E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 기판 200: 광산란막100: substrate 200: light scattering film

220: 비드 240: 바인더220: Bead 240: Binder

222: 코어부 224: 스킨부222: core portion 224: skin portion

300: 전면전극층 400: 반도체층300: front electrode layer 400: semiconductor layer

500: 투명도전층 600: 후면전극층500: transparent conductive layer 600: rear electrode layer

Claims (28)

기판;Board; 상기 기판 상에 형성되며, 비드 및 상기 비드를 고정하는 바인더를 포함하여 이루어진 광산란막;A light scattering film formed on the substrate and including a bead and a binder to fix the bead; 상기 광산란막 상에 형성되며, 그 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층;A front electrode layer formed on the light scattering film, the surface of which has a concave-convex structure; 상기 전면전극층 상에 형성된 반도체층; 및A semiconductor layer formed on the front electrode layer; And 상기 반도체층 상에 형성된 후면전극층을 포함하여 이루어지고, It comprises a back electrode layer formed on the semiconductor layer, 상기 비드는 코어부 및 상기 코어부를 둘러싸고 있는 스킨부로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. The bead is a thin film solar cell, characterized in that consisting of a core portion and a skin portion surrounding the core portion. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 기판과 접촉하는 광산란막은 상기 기판과 굴절율이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.The light scattering film in contact with the substrate is a thin film type solar cell, characterized in that the substrate and the refractive index is different from each other. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전면전극층과 접촉하는 광산란막은 상기 전면전극층과 굴절율이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.The light scattering film in contact with the front electrode layer is a thin film type solar cell, characterized in that the refractive index is different from the front electrode layer. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 광산란막을 구성하는 비드 및 바인더는 굴절율이 서로 상이한 것을 특 징으로 하는 박막형 태양전지.Thin film solar cell, characterized in that the beads and the binder constituting the light scattering film is different from each other. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 비드는 굴절율이 서로 상이한 복수개의 비드들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. The bead is thin film type solar cell, characterized in that consisting of a plurality of beads having a different refractive index. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 코어부 및 스킨부는 굴절율이 서로 상이한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. The core portion and the skin portion thin film solar cell, characterized in that made of a material having a different refractive index. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 코어부는 공기로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. The core part is a thin-film solar cell, characterized in that made of air. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 코어부 또는 상기 스킨부는 서로 굴절율이 상이한 복수 개의 물질층으로 구성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. The core part or the skin part is a thin film solar cell, characterized in that composed of a plurality of material layers having different refractive indices. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 광산란막은 그 표면이 요철구조로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. The light-scattering film is a thin film solar cell, characterized in that the surface is formed of an uneven structure. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 반도체층과 후면전극층 사이에 투명도전층이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. Thin film solar cell, characterized in that the transparent conductive layer is further formed between the semiconductor layer and the back electrode layer. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 반도체층은 버퍼층을 사이에 두고 구성된 이층의 반도체층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지. The semiconductor layer is a thin-film solar cell, characterized in that consisting of a two-layer semiconductor layer having a buffer layer interposed therebetween. 기판 상에 비드 및 상기 비드를 고정하는 바인더를 포함하여 이루어진 광산란막을 형성하는 공정;Forming a light scattering film comprising a bead on the substrate and a binder to fix the bead; 상기 광산란막 상에 그 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층을 형성하는 공정;Forming a front electrode layer having a concave-convex structure on a surface of the light scattering film; 상기 전면전극층 상에 반도체층을 형성하는 공정; 및Forming a semiconductor layer on the front electrode layer; And 상기 반도체층 상에 후면전극층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며, Forming a back electrode layer on the semiconductor layer; 상기 비드는 코어부 및 상기 코어부를 둘러싸고 있는 스킨부로 이루어지며, 상기 코어부 및 스킨부는 굴절율이 서로 상이한 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. The bead comprises a core portion and a skin portion surrounding the core portion, wherein the core portion and the skin portion manufacturing method of a thin film solar cell, characterized in that using a material having a different refractive index. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 광산란막을 형성하는 공정은 페이스트를 이용한 프린팅 방법, 졸-겔 방법, 딥 코팅 방법, 또는 스핀 코팅 방법을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.The process of forming the light scattering film is a method of manufacturing a thin film solar cell, characterized in that performed using a printing method, a sol-gel method, a dip coating method, or a spin coating method using a paste. 제14항에 있어서, The method of claim 14, 상기 광산란막을 형성하는 공정은 상기 기판과 상기 광산란막 사이의 결합력을 증진시키기 위해서 막 형성 후 소성공정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.The forming of the light scattering film is a method of manufacturing a thin-film solar cell, characterized in that to perform a further firing process after the film is formed in order to enhance the bonding force between the substrate and the light scattering film. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 기판과 접촉하는 광산란막은 상기 기판과 굴절율이 서로 상이하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.The light-scattering film in contact with the substrate is formed so that the substrate and the refractive index are different from each other. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 전면전극층과 접촉하는 광산란막은 상기 전면전극층과 굴절율이 서로 상이하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.The light-scattering film in contact with the front electrode layer is formed so that the front electrode layer and the refractive index are different from each other. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 비드 및 바인더는 굴절율이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.The bead and the binder is a method of manufacturing a thin film solar cell, characterized in that the refractive index is different from each other. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 비드는 굴절률이 서로 상이한 복수개의 비드들의 조합을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. The bead is a method of manufacturing a thin film solar cell, characterized in that using a combination of a plurality of beads having different refractive index. 삭제delete 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 코어부는 공기로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. The core part manufacturing method of the thin-film solar cell, characterized in that made of air. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 코어부 또는 상기 스킨부는 서로 굴절율이 상이한 복수 개의 물질층으로 구성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. The core part or the skin part is a thin film solar cell manufacturing method, characterized in that composed of a plurality of material layers having different refractive index. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 광산란막은 그 표면을 요철구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. The light scattering film is a method of manufacturing a thin-film solar cell, characterized in that the surface is formed in an uneven structure. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층을 형성하는 공정은, 증착공정을 통해 그 표면이 요철구조로 형성된 전면전극층을 형성하거나, 또는 증착공정을 통해 균일한 표면의 전면전극층을 형성한 후 식각공정을 통해 그 표면을 요철구조로 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. The process of forming a front electrode layer having a concave-convex structure on the surface may include forming a front electrode layer having a concave-convex structure through a deposition process, or an etching process after forming a front electrode layer having a uniform surface through a deposition process. Method of manufacturing a thin-film solar cell, characterized in that consisting of a process of forming the surface of the concave-convex structure through. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 반도체층과 후면전극층 사이에 투명도전층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. The method of manufacturing a thin film solar cell further comprising the step of forming a transparent conductive layer between the semiconductor layer and the back electrode layer. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 반도체층은 버퍼층을 사이에 두고 구성된 이층의 반도체층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.The semiconductor layer is a thin-film solar cell manufacturing method, characterized in that consisting of a two-layer semiconductor layer having a buffer layer interposed therebetween. 삭제delete 삭제delete
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960015500A (en) * 1994-10-27 1996-05-22 김광호 Motor control circuit of optical disk drive
JPH10326903A (en) * 1997-05-23 1998-12-08 Sharp Corp Fine particle coating film and photoelectric conversion element using it and light dispersion body
JP2005037737A (en) * 2003-07-16 2005-02-10 Nitto Denko Corp Particle dispersed resin sheet, substrate for image display device, and image display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960015500A (en) * 1994-10-27 1996-05-22 김광호 Motor control circuit of optical disk drive
JPH10326903A (en) * 1997-05-23 1998-12-08 Sharp Corp Fine particle coating film and photoelectric conversion element using it and light dispersion body
JP2005037737A (en) * 2003-07-16 2005-02-10 Nitto Denko Corp Particle dispersed resin sheet, substrate for image display device, and image display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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