KR100966996B1 - Ｒｆｉｄ 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 RFID 장치에 관한 것으로서, DC(Direct Current) 타입의 안테나에서 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 해결할 수 있도록 하는 기술을 개시한다. 이러한 본 발명은 안테나를 통해 인가되는 무선 주파수 신호를 정류하여 출력하는 복수개의 정류수단과, 복수개의 정류수단에서 정류된 전압을 각각 승압하여 저장하고 RFID의 동작 전압으로 사용되는 전원전압을 생성하는 복수개의 커패시터, 및 무선 주파수 신호가 인가되는 인가단에 구비되어 정전기 방전 경로를 형성하는 정전기 방전 소자를 포함한다.

Description

ＲＦＩＤ 장치{RFID device}
도 1은 본 발명에 따른 RFID 장치의 전체 구성도.
도 2는 본 발명에 따른 RFID 장치에서의 전압 멀티플라이어에 관한 회로도.
도 3은 본 발명에 따른 RFID 장치에서의 전압 멀티플라이어에 관한 다른 실시예.
도 4는 본 발명의 전압 멀티플라이어에서의 정전기 방전 소자에 관한 제 1실시예.
도 5는 본 발명의 전압 멀티플라이어에서의 정전기 방전 소자에 관한 제 2실시예.
도 6은 본 발명의 전압 멀티플라이어에서의 정전기 방전 소자에 관한 제 3실시예.
도 7은 본 발명에 따른 정전기 방전 소자의 스냅 백 전압-전류 특성을 설명하기 위한 도면.
본 발명은 RFID 장치에 관한 것으로서, DC(Direct Current) 타입의 안테나에 서 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 해결할 수 있도록 하는 기술이다.
최근에 들어, RFID(Radio Frequency Identification) 장치는 물류 관리 시스템, 사용자 인증 시스템, 전자 화폐 시스템, 교통 시스템 등의 여러 가지 경우에 이용되고 있다.
예를 들어, 물류 관리 시스템에서는 배달 전표 또는 태그(tag) 대신에 데이터가 기록된 IC(Integrated Circuit) 태그를 이용하여 화물의 분류 또는 재고 관리 등이 행해지고 있다. 또한, 한편, 사용자 인증 시스템에서는 개인 정보 등을 기록한 IC 카드를 이용하여 입실 관리 등을 행하고 있다.
한편, RFID 장치에 사용되는 메모리로 불휘발성 강유전체 메모리가 사용된다.
일반적으로 불휘발성 강유전체 메모리 즉, FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)은 디램(DRAM;Dynamic Random Access Memory) 정도의 데이터 처리 속도를 갖고, 전원의 오프시에도 데이터가 보존되는 특성 때문에 차세대 기억 소자로 주목받고 있다.
이러한 FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 갖는 기억소자로서 커패시터의 재료로 강유전체를 사용하여 강유전체의 특성인 높은 잔류 분극을 이용한 것이다. 이와 같은 잔류 분극 특성으로 인하여 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다.
이러한 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID(Radio Frequency Identification) 장치는 크게 안테나, 아날로그 블록, 디지탈 블록 및 메모리 블록 을 구비한다. 여기서, 안테나는 외부의 리더기 또는 라이터기와 RFID 간에 데이터를 송수신하기 위한 구성이다.
그리고, 아날로그 블록의 내부에는 전원전압 VDD를 생성하기 위한 전압 멀티플라이어(Voltage multiplier) 및 무선 주파수 신호를 변/복조하기 위한 모듈레이터(Modulator)와 디모듈레이터(Demodulator)가 구비된다.
상술된 전압 멀티플라이어, 모듈레이터 및 디모듈레이터에서 사용되는 커패시터는 주로 PIP(Poly-Insulator-Poly) 구조를 사용한다. 이때, 절연체(Insulator)는 상유전체인 SiO2,Al2O3를 주로 사용하게 된다.
이러한 구성을 갖는 종래의 RFID 장치에서 AC(Alternating Current) 타입의 안테나의 경우 안테나의 양단이 도체로 연결되어 있으므로 정전기 방전(ESD; Electro Static Discharge) 문제를 고려하지 않아도 된다. 그런데, DC(Direct Current) 타입의 안테나를 사용하는 경우 안테나의 양단이 도체로 연결되어 있지 않아 정전기 방전에 의한 손상에 매우 취약하다. 이에 따라, RFID 장치의 내부 회로에 여러 가지 정전기 방전 문제가 발생하게 된다.
즉, 정전기 방전은 입출력(I/O) 단자, 전력 핀(power pin) 또는 다른 집적회로의 패드(pad)로부터 전달될 수 있으며, 이는 RFID 내부 회로에서 트랜지스터의 접합부(junction), 유전체 및 단위 소자의 손상을 가져올 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, DC(Direct Current) 타입의 안테나를 사용하는 RFID 칩에서 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 해결할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 RFID 장치는, 안테나를 통해 인가되는 무선 주파수 신호를 정류하여 출력하는 복수개의 정류수단; 복수개의 정류수단에서 정류된 전압을 각각 승압하여 저장하고 RFID의 동작 전압으로 사용되는 전원전압을 생성하는 복수개의 커패시터; 및 무선 주파수 신호가 입력되는 안테나 패드의 양단 노드 사이에 연결되어 정전기 방전 경로를 형성하는 정전기 방전 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 아날로그 블록, 디지털 블록, 및 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 셀 어레이에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록을 포함하는 RFID 장치에 있어서, 무선 주파수 신호가 입력되는 안테나 패드의 양단 노드 사이에 연결되어 정전기 방전 경로를 형성하는 정전기 방전 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명에 따른 RFID(Radio Frequency Identification) 장치의 전체 구성도이다.
본 발명의 RFID 장치는 크게 아날로그 블록(100)과, 디지탈 블록(200) 및 불휘발성 강유전체 메모리(FeRAM;non-volatile ferroelectric random access memory;300)를 포함한다.
여기서, 아날로그 블록(100)은 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier;110), 전압 리미터(Voltage Limiter;120), 모듈레이터(Modulator;130), 디모듈레이터(Demodulator;140), 전압 더블러(Voltage Doubler;150), 파워온 리셋부(Power On Reset;160) 및 클록 발생부(170)를 구비한다.
그리고, 아날로그 블록(100)의 안테나(10)는 외부의 리더기 또는 라이터기와 RFID 간에 데이터를 송수신하기 위한 구성이다. 전압 멀티플라이어(110)는 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에 의해 RFID의 구동전압인 전원전압 VDD을 생성한다. 전압 리미터(120)는 안테나(10)로부터 인가된 무선 주파수 신호 RF의 전송 전압의 크기를 제한하여 디모듈레이터(140)에 출력한다.
또한, 모듈레이터(130)는 디지탈 블록(200)으로부터 인가되는 응답 신호 RP를 모듈레이팅하여 안테나(10)에 전송한다. 디모듈레이터(140)는 전압 멀티플라이어(110)와 전압 리미터(120)의 출력전압에 따라 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에서 동작 명령 신호를 검출하여 명령신호 CMD를 디지탈 블록(200)에 출력한다.
전압 더블러(150)는 전압 멀티플라이어(110)로부터 인가되는 전원전압 VDD을 승압하여 2배의 승압전압 VDD2를 FeRAM(300)에 공급한다. 파워온 리셋부(160)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋신호 POR를 디지탈 블록(200)에 출력한다. 클록 발생부(170)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD에 따라 디지탈 블록(200)의 동작을 제어하기 위한 클록 CLK를 디지탈 블록(200)에 공급한다.
또한, 상술된 디지탈 블록(200)은 아날로그 블록(100)으로부터 전원전압 VDD, 파워 온 리셋신호 POR, 클록 CLK 및 명령신호 CMD를 인가받아 명령신호 CMD를 해석하고 제어신호 및 처리 신호들을 생성하여 아날로그 블록(20)에 해당하는 응답신호 RP를 출력한다. 그리고, 디지탈 블록(200)은 어드레스 ADD, 입/출력 데이터 I/O, 제어신호 CTR 및 클록 CLK을 FeRAM(300)에 출력한다. FeRAM(300)은 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 이용하여 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록이다.
도 2는 도 1의 전압 멀티플라이어(110)에 관한 상세 회로도이다.
본 발명의 전압 멀티플라이어(110)는 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D1~D6, 복수개의 커패시터 C1~C6 및 정전기 방전 소자(11)를 포함한다.
이러한 구성을 갖는 전압 멀티플라이어(110)는 안테나 패드 PAD(+),PAD(-)로부터 무선 고주파 신호 RF가 인가될 경우, 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D1~D6의 정류작용과 복수개의 커패시터 C1~C6의 승압 동작에 의해 RFID 칩의 동작 전압인 전원전압 VDD을 DC 전원 출력단으로 출력한다.
즉, 다이오드 D1,D2의 정류작용에 의해 커패시터 C2에 차지를 저장하고, 다이오드 D3,D4의 정류작용에 의해 커패시터 C2에 저장된 차지를 승압하여 커패시터 C4에 저장한다. 그리고, 이러한 정류동작과 승압 동작을 순차적으로 수행하여 최종 단의 다이오드 D5,D6을 통해 전원전압 VDD를 생성하게 된다.
그리고, 본 발명은 RFID 태그 칩에서 DC 타입의 안테나를 사용하는 경우에 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 스냅-백(Snap Back) 특성을 갖는 정전기 방전 소자(11)를 통해 해결할 수 있게 된다. 이러한 정전기 방전 소자(11)는 전압 멀티플라이어(110)의 내부에 포함될 수 있으며, 안테나 패드 PAD(+),PAD(-)의 양단 사 이에 연결된다.
도 3은 도 1의 전압 멀티플라이어(110)에 관한 다른 실시예이다.
본 발명의 전압 멀티플라이어(110)는 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D11~D16, 복수개의 불휘발성 강유전체 커패시터 FC1~FC6 및 정전기 방전 소자(12)를 포함한다.
이러한 구성을 갖는 전압 멀티플라이어(110)는 안테나 패드 PAD(+),PAD(-)로부터 무선 고주파 신호 RF가 인가될 경우, 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D11~D16의 정류작용과 복수개의 불휘발성 강유전체 커패시터 FC1~FC6의 승압 동작에 의해 RFID 칩의 동작 전압인 전원전압 VDD을 DC 전원 출력단으로 출력한다.
즉, 다이오드 D11,D12의 정류작용에 의해 불휘발성 강유전체 커패시터 FC2에 차지를 저장하고, 다이오드 D13,D14의 정류작용에 의해 불휘발성 강유전체 커패시터 FC2에 저장된 차지를 승압하여 불휘발성 강유전체 커패시터 FC4에 저장한다. 그리고, 이러한 정류동작과 승압 동작을 순차적으로 수행하여 최종단의 다이오드 D15,D16을 통해 전원전압 VDD를 생성하게 된다.
그리고, 본 발명은 RFID 태그 칩에서 DC 타입의 안테나를 사용하는 경우에 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 스냅-백(Snap Back) 특성을 갖는 정전기 방전 소자(12)를 통해 해결할 수 있게 된다. 이러한 정전기 방전 소자(12)는 전압 멀티플라이어(110)의 내부에 포함될 수 있으며, 안테나 패드 PAD(+),PAD(-)의 양단 사이에 연결된다.
도 4는 도 2의 정전기 방전 소자(11) 및 도 3의 정전기 방전 소자(12)에 관 한 상세 구조를 나타낸 도면이다. 여기서, 정전기 방전 소자(11)와 정전기 방전 소자(12)의 구조는 서로 동일하며, 본 발명에서는 정전기 방전 소자(11)의 구성을 그 실시예로 설명한다.
정전기 방전 소자(11)는 상부전극 T과 하부전극 B 사이에 연결된 정전기 방전 물질(13)을 포함한다. 여기서, 정전기 방전 물질(13)은 합금 재료인 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 TeAsSiGe 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
일반적으로 상 변화용 물질인 칼코게나이드(Chalcogenide)는 상 변화에 따라 전기적 저항 특성이 바뀌는 특성을 갖는다. 칼코게나이드 물질이 비정질로 상 변화가 되면 저항이 증가하며, 가열 온도 및 시간의 함수에 따라 그 상이 변하게 된다.
하지만, 본 발명에 적용되는 칼코게나이드 글래스 계통의 물질은 가열에 따라 그 상이 변화되는 것이 아니며, 전류 및 전압의 특성에 따라 스위칭 동작을 수행하여 전류를 흐르게 하는 물질로 작용하게 된다.
즉, 본 발명의 정전기 방전 물질(13)은 상부전극 T 또는 하부전극 B에 인가되는 전압이 임계전압(Vt) 이상이 될 경우 턴 온 상태로 변하게 되어 전류가 흐르도록 한다. 이러한 정전기 방전 물질(13)은 다이오드와 같은 기능을 수행하며, 상 변화 동작이 이루어지지 않게 되므로 메모리 특성을 나타내지 않으며 스냅 백 특성을 갖게 된다.
이러한 정전기 방전 소자(11)는 하부전극 B의 상부에 정전기 방전 물질(13) 이 형성된다. 그리고, 정전기 방전 물질(13)의 상부에 상부전극 T이 형성된다. 이에 따라, 하부전극 B, 정전기 방전 물질(13) 및 상부전극 T이 차례로 적층된 수직 구조를 이룬다.
여기서, 상부전극 T 및 하부전극 B은 RFID 내부에 구비된 회로에서 제 1메탈 공정 및 제 2메탈 공정의 형성시 동일한 공정 단계를 추가하여 동일한 레이어 상에 수직 구조로 형성하게 된다. 이러한 상부전극 T은 안테나 패드 PAD(+)와 연결되며, 하부전극 B은 안테나 패드 PAD(-)와 연결된다.
도 5는 도 2의 정전기 방전 소자(11) 및 도 3의 정전기 방전 소자(12)에 관한 상세 구조를 나타낸 또 다른 실시예이다. 정전기 방전 소자(11)와 정전기 방전 소자(12)의 구조는 서로 동일하며, 본 발명에서는 정전기 방전 소자(11)의 구성을 그 실시예로 설명한다.
정전기 방전 소자(11)는 제 1전극(14)과 제 2전극(15)의 상부에 연결된 정전기 방전 물질(16)을 포함한다. 여기서, 정전기 방전 물질(16)은 합금 재료인 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 TeAsSiGe 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이러한 정전기 방전 소자(11)는 제 1전극(14)과 제 2전극(15)이 동일한 레이어 상에서 일정간격 이격되어 형성된다. 그리고, 제 1전극(14)과 제 2전극(15)의 상부에 제 1전극(14)과 제 2전극(15)과 접속되는 정전기 방전 물질(16)이 형성된다.
그리고, 정전기 방전 소자(11)는 정전기 방전 물질(16)이 제 1전극(14)과 제 2전극(15)을 서로 이어주는 브릿지 평면(Bridge Planar) 구조로 형성된다.
이러한 정전기 방전 소자(11)는 제 1전극(14)과 제 2전극(15)의 상부에 정전기 방전 물질(16)이 형성된다. 이에 따라, 제 1전극(14)과 제 2전극(15)이 동일한 레이아 상에 형성된 수평 구조를 이룬다.
여기서, 제 1전극(14)과 제 2전극(15)은 RFID 내부에 구비된 회로에서 제 1메탈 공정의 형성시 동일한 공정 단계를 추가하여 동일한 레이어 상에 수평 구조로 형성하게 된다. 이러한 제 1전극(14)은 안테나 패드 PAD(+)와 연결되며, 제 2전극(15)은 안테나 패드 PAD(-)와 연결된다.
본 발명에 적용되는 칼코게나이드 글래스 계통의 물질은 가열에 따라 그 상이 변화되는 것이 아니며, 전류 및 전압의 특성에 따라 스위칭 동작을 수행하여 전류를 흐르게 하는 물질로 작용하게 된다.
즉, 본 발명의 정전기 방전 물질(16)은 제 1전극(14) 또는 제 2전극(15)에 인가되는 전압이 임계전압(Vt) 이상이 될 경우 턴 온 상태로 변하게 되어 전류가 흐르도록 한다. 이러한 정전기 방전 물질(16)은 다이오드와 같은 기능을 수행하며, 상 변화 동작이 이루어지지 않게 되므로 메모리 특성을 나타내지 않으며 스냅 백 특성을 갖게 된다.
도 6은 도 2의 정전기 방전 소자(11) 및 도 3의 정전기 방전 소자(12)에 관한 상세 구조를 나타낸 또 다른 실시예이다. 정전기 방전 소자(11)와 정전기 방전 소자(12)의 구조는 서로 동일하며, 본 발명에서는 정전기 방전 소자(11)의 구성을 그 실시예로 설명한다.
정전기 방전 소자(11)는 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)의 상부에 연결된 정전기 방전 물질(19)을 포함한다. 여기서, 정전기 방전 물질(19)은 합금 재료인 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 TeAsSiGe 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이러한 정전기 방전 소자(11)는 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)이 동일한 레이어 상에서 일정간격 이격되어 형성된다. 그리고, 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)의 상부에 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)과 접속되는 정전기 방전 물질(19)이 형성된다.
그리고, 정전기 방전 소자(11)는 정전기 방전 물질(19)이 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)을 서로 이어주는 브릿지 평면(Bridge Planar) 구조로 형성된다. 여기서, 제 1안테나 전극(17)은 안테나 패드 PAD(+)와 연결되며, 제 2안테나 전극(18)은 안테나 패드 PAD(-)와 연결된다.
이에 따라, 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)은 RFID 태그 칩의 상부에 형성된다. 그리고, 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18) 및 정전기 방전 물질(19)을 포함하는 정전기 방전 소자(11)가 RFID 태그 칩의 외부에 형성되는 구조를 갖는다.
도 7은 도 4 내지 도 6에 포함된 정전기 방전 소자(11)의 스냅-백(Snap back) 전압-전류 특성을 설명하기 위한 도면이다.
정전기 방전 소자(11)에 일정 값 이상의 양의(+) 전압이 인가될 경우에 높은 전류가 흐르게 된다. 예를 들어, 정전기 방전 소자(11)에 3V 이하의 전압이 인가 될 경우 전류가 흐르지 않게 된다. 반면에, 정전기 방전 소자(11)에 3V 이상의 전압이 인가될 경우 전류가 급격히 상승하게 되어 높은 전류가 흐르게 된다.
또한, 정전기 방전 소자(11)에 일정 값의 음의(-) 전압이 인가될 경우에 낮은 전류가 흐르게 된다. 예를 들어, 정전기 방전 소자(11)에 -3V 이상의 전압이 인가될 경우 전류가 흐르지 않게 된다. 반면에, 정전기 방전 소자(11)에 -3V 이하의 전압이 인가될 경우 전류가 급격히 하강하게 되어 낮은 전류가 흐르게 된다.
일반적으로 RFID의 정상 동작시 안테나 패드 PAD(+)에 인가되는 전압이 +1V, 안테나 패드 PAD(-)에 인가되는 전압이 -1V이고, 이에 따른 패드 간의 문턱전압(Vt)이 2V 라고 가정한다. 이러한 경우 정전기 방전 소자(11)에 스냅 백 특성이 일어나지 않게 되어 전류가 거의 흐르지 않게 된다.
그런데, RFID의 안테나 패드 PAD(+),PAD(-)에 2V 이상의 전압(예를 들면, 3V)이 인가되는 경우, 즉, 노이즈 성 전압이 높게 인가되는 경우가 된다. 이에 따라, 정전기 방전 소자(11)에 스냅 백 현상이 일어나게 되어 높은 전류가 흐르게 된다.
이러한 경우 정전기 방전 소자(11)에 흐르는 전류에 의해 안테나 패드 PAD(+)와 안테나 패드 PAD(-)의 전압 레벨이 같아지게 된다. 이에 따라, RFID에 인가되는 노이즈 성 전압은 정전기 방전 소자(11)를 통해 방전되며, 내부 RFID 회로에 노이즈 성 전압이 인가되는 것을 방지할 수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, RFID 태그 칩에서 DC(Direct Current) 타입의 안테나를 사용하는 경우 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 해결할 수 있도록 한다.
둘째, 비교적 구조가 간단하고 값이 싼 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계열의 물질을 이용하여 정전기 방전 경로를 형성함으로써 저 비용으로 정전기 방전 문제를 해결할 수 있도록 하는 효과를 제공한다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (29)

  1. 안테나를 통해 인가되는 무선 주파수 신호를 정류하여 출력하는 복수개의 정류수단;
    상기 복수개의 정류수단에서 정류된 전압을 각각 승압하여 저장하고 RFID의 동작 전압으로 사용되는 전원전압을 생성하는 복수개의 커패시터; 및
    상기 무선 주파수 신호가 입력되는 안테나 패드의 양단 노드 사이에 연결되어 정전기 방전 경로를 형성하는 정전기 방전 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 복수개의 정류수단은 쇼트키 다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 RFID 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 복수개의 커패시터는 상유전체 커패시터로 이루어짐을 특징으로 하는 RFID 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 복수개의 커패시터는 불휘발성 강유전체 커패시터로 이루어짐을 특징으로 하는 RFID 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 상기 RFID의 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 상기 RFID의 외부에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 하부전극, 정전기 방전 물질 및 상부전극이 차례로 적층된 수직 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질은 TeAsSiGe를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는
    제 1전극;
    상기 제 1전극과 동일한 레이어 상에 형성되어 상기 제 1전극과 일정간격 이격되어 형성된 제 2전극; 및
    상기 제 1전극과 상기 제 2전극 상부에 형성된 정전기 방전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질은 TeAsSiGe를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는
    상기 안테나의 일단과 연결된 제 1안테나 전극;
    상기 안테나의 타단과 연결되며 상기 제 1안테나 전극과 일정간격 이격되어 형성된 제 2안테나 전극; 및
    상기 제 1안테나 전극과 상기 제 2안테나 전극 상부에 형성된 정전기 방전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 상기 RFID의 외부에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  16. 제 14항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래 스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질은 TeAsSiGe를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  18. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 스냅-백 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  19. 아날로그 블록, 디지털 블록, 및 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 셀 어레이에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록을 포함하는 RFID 장치에 있어서,
    무선 주파수 신호가 입력되는 안테나 패드의 양단 노드 사이에 연결되어 정전기 방전 경로를 형성하는 정전기 방전 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  20. 삭제
  21. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 상기 아날로그 블록 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  22. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 상기 RFID 장치의 외부에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  23. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 하부전극, 정전기 방전 물질 및 상부전극이 차례로 적층된 수직 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  24. 제 23항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  25. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는
    제 1전극;
    상기 제 1전극과 동일한 레이어 상에 형성되어 상기 제 1전극과 일정간격 이격되어 형성된 제 2전극; 및
    상기 제 1전극과 상기 제 2전극 상부에 형성된 정전기 방전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  27. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는
    상기 안테나의 일단과 연결된 제 1안테나 전극;
    상기 안테나의 타단과 연결되며 상기 제 1안테나 전극과 일정간격 이격되어 형성된 제 2안테나 전극; 및
    상기 제 1안테나 전극과 상기 제 2안테나 전극 상부에 형성된 정전기 방전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  28. 제 27항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
  29. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 스냅-백 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.
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KR20080009544A (ko) * 2006-07-24 2008-01-29 충청북도 태그 칩 및 이의 구동방법

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