KR100966996B1 - RFID device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 RFID 장치에 관한 것으로서, DC(Direct Current) 타입의 안테나에서 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 해결할 수 있도록 하는 기술을 개시한다. 이러한 본 발명은 안테나를 통해 인가되는 무선 주파수 신호를 정류하여 출력하는 복수개의 정류수단과, 복수개의 정류수단에서 정류된 전압을 각각 승압하여 저장하고 RFID의 동작 전압으로 사용되는 전원전압을 생성하는 복수개의 커패시터, 및 무선 주파수 신호가 인가되는 인가단에 구비되어 정전기 방전 경로를 형성하는 정전기 방전 소자를 포함한다. The present invention relates to an RFID device, and discloses a technique for solving an electrostatic discharge problem that may occur in a DC (direct current) type antenna. The present invention includes a plurality of rectifying means for rectifying and outputting a radio frequency signal applied through an antenna, and a plurality of rectifying means for boosting and storing voltages rectified by the plurality of rectifying means and generating a power voltage used as an operating voltage of RFID. Capacitors, and an electrostatic discharge element provided at an application stage to which a radio frequency signal is applied to form an electrostatic discharge path.

Description

ＲＦＩＤ 장치{RFID device}RFID device {RFID device}

도 1은 본 발명에 따른 RFID 장치의 전체 구성도. 1 is an overall configuration diagram of an RFID device according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 RFID 장치에서의 전압 멀티플라이어에 관한 회로도. 2 is a circuit diagram of a voltage multiplier in an RFID device according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 RFID 장치에서의 전압 멀티플라이어에 관한 다른 실시예. 3 is another embodiment of a voltage multiplier in an RFID device according to the present invention;

도 4는 본 발명의 전압 멀티플라이어에서의 정전기 방전 소자에 관한 제 1실시예. 4 is a first embodiment of an electrostatic discharge element in the voltage multiplier of the present invention.

도 5는 본 발명의 전압 멀티플라이어에서의 정전기 방전 소자에 관한 제 2실시예. Fig. 5 is a second embodiment of the electrostatic discharge element in the voltage multiplier of the present invention.

도 6은 본 발명의 전압 멀티플라이어에서의 정전기 방전 소자에 관한 제 3실시예. Fig. 6 is a third embodiment of the electrostatic discharge element in the voltage multiplier of the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 정전기 방전 소자의 스냅 백 전압-전류 특성을 설명하기 위한 도면. 7 is a view for explaining the snapback voltage-current characteristics of the electrostatic discharge device according to the present invention.

본 발명은 RFID 장치에 관한 것으로서, DC(Direct Current) 타입의 안테나에 서 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 해결할 수 있도록 하는 기술이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an RFID device, and is a technique for solving an electrostatic discharge problem that may occur in a DC (direct current) antenna.

최근에 들어, RFID(Radio Frequency Identification) 장치는 물류 관리 시스템, 사용자 인증 시스템, 전자 화폐 시스템, 교통 시스템 등의 여러 가지 경우에 이용되고 있다.Recently, RFID (Radio Frequency Identification) devices have been used in various cases, such as logistics management system, user authentication system, electronic money system, transportation system.

예를 들어, 물류 관리 시스템에서는 배달 전표 또는 태그(tag) 대신에 데이터가 기록된 IC(Integrated Circuit) 태그를 이용하여 화물의 분류 또는 재고 관리 등이 행해지고 있다. 또한, 한편, 사용자 인증 시스템에서는 개인 정보 등을 기록한 IC 카드를 이용하여 입실 관리 등을 행하고 있다. For example, in the logistics management system, cargo classification or inventory management is performed using an integrated circuit (IC) tag in which data is recorded instead of a delivery slip or a tag. On the other hand, in the user authentication system, entrance management and the like are performed using an IC card that records personal information and the like.

한편, RFID 장치에 사용되는 메모리로 불휘발성 강유전체 메모리가 사용된다.On the other hand, a nonvolatile ferroelectric memory is used as a memory used in an RFID device.

일반적으로 불휘발성 강유전체 메모리 즉, FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)은 디램(DRAM;Dynamic Random Access Memory) 정도의 데이터 처리 속도를 갖고, 전원의 오프시에도 데이터가 보존되는 특성 때문에 차세대 기억 소자로 주목받고 있다. In general, nonvolatile ferroelectric memory, or ferroelectric random access memory (FeRAM), has a data processing speed of about dynamic random access memory (DRAM) and is attracting attention as a next-generation memory device because of its characteristic that data is preserved even when the power is turned off. have.

이러한 FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 갖는 기억소자로서 커패시터의 재료로 강유전체를 사용하여 강유전체의 특성인 높은 잔류 분극을 이용한 것이다. 이와 같은 잔류 분극 특성으로 인하여 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다. The FeRAM is a memory device having a structure almost similar to that of a DRAM, and uses a ferroelectric material as a capacitor material, and uses high residual polarization characteristic of the ferroelectric material. Due to this residual polarization characteristic, data is not erased even when the electric field is removed.

이러한 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID(Radio Frequency Identification) 장치는 크게 안테나, 아날로그 블록, 디지탈 블록 및 메모리 블록 을 구비한다. 여기서, 안테나는 외부의 리더기 또는 라이터기와 RFID 간에 데이터를 송수신하기 위한 구성이다. An RFID (Radio Frequency Identification) device including such a nonvolatile ferroelectric memory includes an antenna, an analog block, a digital block, and a memory block. Here, the antenna is a configuration for transmitting and receiving data between the external reader or writer and the RFID.

그리고, 아날로그 블록의 내부에는 전원전압 VDD를 생성하기 위한 전압 멀티플라이어(Voltage multiplier) 및 무선 주파수 신호를 변/복조하기 위한 모듈레이터(Modulator)와 디모듈레이터(Demodulator)가 구비된다. The analog block includes a voltage multiplier for generating a power supply voltage VDD, and a modulator and a demodulator for modulating / demodulating a radio frequency signal.

상술된 전압 멀티플라이어, 모듈레이터 및 디모듈레이터에서 사용되는 커패시터는 주로 PIP(Poly-Insulator-Poly) 구조를 사용한다. 이때, 절연체(Insulator)는 상유전체인 SiO2,Al2O3를 주로 사용하게 된다. The capacitors used in the above-described voltage multipliers, modulators and demodulators mainly use a poly-insulator-poly (PIP) structure. In this case, the insulator mainly uses SiO 2 and Al 2 O 3 which are dielectric.

이러한 구성을 갖는 종래의 RFID 장치에서 AC(Alternating Current) 타입의 안테나의 경우 안테나의 양단이 도체로 연결되어 있으므로 정전기 방전(ESD; Electro Static Discharge) 문제를 고려하지 않아도 된다. 그런데, DC(Direct Current) 타입의 안테나를 사용하는 경우 안테나의 양단이 도체로 연결되어 있지 않아 정전기 방전에 의한 손상에 매우 취약하다. 이에 따라, RFID 장치의 내부 회로에 여러 가지 정전기 방전 문제가 발생하게 된다. In the conventional RFID device having such a configuration, in the case of an AC (Alternating Current) type antenna, since both ends of the antenna are connected with a conductor, there is no need to consider an electrostatic discharge (ESD) problem. However, when using a DC (Direct Current) type of antenna, both ends of the antenna are not connected by a conductor, which is very vulnerable to damage caused by electrostatic discharge. Accordingly, various electrostatic discharge problems occur in the internal circuit of the RFID device.

즉, 정전기 방전은 입출력(I/O) 단자, 전력 핀(power pin) 또는 다른 집적회로의 패드(pad)로부터 전달될 수 있으며, 이는 RFID 내부 회로에서 트랜지스터의 접합부(junction), 유전체 및 단위 소자의 손상을 가져올 수 있다. That is, electrostatic discharges can be delivered from input / output (I / O) terminals, power pins, or pads of other integrated circuits, which are junctions, dielectrics, and unit devices of transistors in RFID internal circuits. Can cause damage.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, DC(Direct Current) 타입의 안테나를 사용하는 RFID 칩에서 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 해결할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다. The present invention was created to solve the above problems, and an object thereof is to solve an electrostatic discharge problem that may occur in an RFID chip using a DC (direct current) type antenna.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 RFID 장치는, 안테나를 통해 인가되는 무선 주파수 신호를 정류하여 출력하는 복수개의 정류수단; 복수개의 정류수단에서 정류된 전압을 각각 승압하여 저장하고 RFID의 동작 전압으로 사용되는 전원전압을 생성하는 복수개의 커패시터; 및 무선 주파수 신호가 입력되는 안테나 패드의 양단 노드 사이에 연결되어 정전기 방전 경로를 형성하는 정전기 방전 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다. RFID apparatus of the present invention for achieving the above object, a plurality of rectifying means for rectifying and outputting a radio frequency signal applied through an antenna; A plurality of capacitors each boosting and storing the rectified voltages in the plurality of rectifying means and generating a power supply voltage used as an operating voltage of the RFID; And an electrostatic discharge element connected between both nodes of the antenna pad to which the radio frequency signal is input to form an electrostatic discharge path.

또한, 본 발명은 아날로그 블록, 디지털 블록, 및 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 셀 어레이에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록을 포함하는 RFID 장치에 있어서, 무선 주파수 신호가 입력되는 안테나 패드의 양단 노드 사이에 연결되어 정전기 방전 경로를 형성하는 정전기 방전 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the present invention provides an RFID device including a memory block for reading / writing data to a cell array including an analog block, a digital block, and a nonvolatile ferroelectric capacitor element, wherein both nodes of an antenna pad to which a radio frequency signal is inputted. It characterized in that it comprises an electrostatic discharge element connected between to form an electrostatic discharge path.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 RFID(Radio Frequency Identification) 장치의 전체 구성도이다.1 is an overall configuration diagram of a radio frequency identification (RFID) device according to the present invention.

본 발명의 RFID 장치는 크게 아날로그 블록(100)과, 디지탈 블록(200) 및 불휘발성 강유전체 메모리(FeRAM;non-volatile ferroelectric random access memory;300)를 포함한다. The RFID device of the present invention largely includes an analog block 100, a digital block 200, and a non-volatile ferroelectric random access memory (FeRAM) 300.

여기서, 아날로그 블록(100)은 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier;110), 전압 리미터(Voltage Limiter;120), 모듈레이터(Modulator;130), 디모듈레이터(Demodulator;140), 전압 더블러(Voltage Doubler;150), 파워온 리셋부(Power On Reset;160) 및 클록 발생부(170)를 구비한다. Here, the analog block 100 may include a voltage multiplier 110, a voltage limiter 120, a modulator 130, a demodulator 140, and a voltage doubler 150. A power on reset unit 160 and a clock generator 170 are provided.

그리고, 아날로그 블록(100)의 안테나(10)는 외부의 리더기 또는 라이터기와 RFID 간에 데이터를 송수신하기 위한 구성이다. 전압 멀티플라이어(110)는 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에 의해 RFID의 구동전압인 전원전압 VDD을 생성한다. 전압 리미터(120)는 안테나(10)로부터 인가된 무선 주파수 신호 RF의 전송 전압의 크기를 제한하여 디모듈레이터(140)에 출력한다. And, the antenna 10 of the analog block 100 is a configuration for transmitting and receiving data between the external reader or writer and RFID. The voltage multiplier 110 generates a power supply voltage VDD which is a driving voltage of the RFID by the radio frequency signal RF applied from the antenna 10. The voltage limiter 120 limits the magnitude of the transmission voltage of the radio frequency signal RF applied from the antenna 10 and outputs it to the demodulator 140.

또한, 모듈레이터(130)는 디지탈 블록(200)으로부터 인가되는 응답 신호 RP를 모듈레이팅하여 안테나(10)에 전송한다. 디모듈레이터(140)는 전압 멀티플라이어(110)와 전압 리미터(120)의 출력전압에 따라 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에서 동작 명령 신호를 검출하여 명령신호 CMD를 디지탈 블록(200)에 출력한다. In addition, the modulator 130 modulates the response signal RP applied from the digital block 200 and transmits the modulated response signal RP to the antenna 10. The demodulator 140 detects an operation command signal from a radio frequency signal RF applied from the antenna 10 according to the output voltages of the voltage multiplier 110 and the voltage limiter 120 and transmits the command signal CMD to the digital block 200. Output

전압 더블러(150)는 전압 멀티플라이어(110)로부터 인가되는 전원전압 VDD을 승압하여 2배의 승압전압 VDD2를 FeRAM(300)에 공급한다. 파워온 리셋부(160)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋신호 POR를 디지탈 블록(200)에 출력한다. 클록 발생부(170)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD에 따라 디지탈 블록(200)의 동작을 제어하기 위한 클록 CLK를 디지탈 블록(200)에 공급한다. The voltage doubler 150 boosts the power supply voltage VDD applied from the voltage multiplier 110 and supplies a double boosted voltage VDD2 to the FeRAM 300. The power-on reset unit 160 detects the output voltage VDD of the voltage multiplier 110 and outputs a power-on reset signal POR for controlling the reset operation to the digital block 200. The clock generator 170 supplies the clock CLK to the digital block 200 for controlling the operation of the digital block 200 according to the output voltage VDD of the voltage multiplier 110.

또한, 상술된 디지탈 블록(200)은 아날로그 블록(100)으로부터 전원전압 VDD, 파워 온 리셋신호 POR, 클록 CLK 및 명령신호 CMD를 인가받아 명령신호 CMD를 해석하고 제어신호 및 처리 신호들을 생성하여 아날로그 블록(20)에 해당하는 응답신호 RP를 출력한다. 그리고, 디지탈 블록(200)은 어드레스 ADD, 입/출력 데이터 I/O, 제어신호 CTR 및 클록 CLK을 FeRAM(300)에 출력한다. FeRAM(300)은 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 이용하여 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록이다. In addition, the above-described digital block 200 receives a power supply voltage VDD, a power-on reset signal POR, a clock CLK, and a command signal CMD from the analog block 100 to interpret the command signal CMD, generate control signals, and process signals to generate analog signals. The response signal RP corresponding to block 20 is output. The digital block 200 outputs the address ADD, the input / output data I / O, the control signal CTR, and the clock CLK to the FeRAM 300. The FeRAM 300 is a memory block that reads / writes data using a nonvolatile ferroelectric capacitor device.

도 2는 도 1의 전압 멀티플라이어(110)에 관한 상세 회로도이다.FIG. 2 is a detailed circuit diagram of the voltage multiplier 110 of FIG. 1.

본 발명의 전압 멀티플라이어(110)는 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D1~D6, 복수개의 커패시터 C1~C6 및 정전기 방전 소자(11)를 포함한다. The voltage multiplier 110 of the present invention includes a plurality of Schottky diodes D1 to D6, a plurality of capacitors C1 to C6, and an electrostatic discharge element 11.

이러한 구성을 갖는 전압 멀티플라이어(110)는 안테나 패드 PAD(+),PAD(-)로부터 무선 고주파 신호 RF가 인가될 경우, 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D1~D6의 정류작용과 복수개의 커패시터 C1~C6의 승압 동작에 의해 RFID 칩의 동작 전압인 전원전압 VDD을 DC 전원 출력단으로 출력한다. The voltage multiplier 110 having such a configuration is characterized in that the rectification of a plurality of Schottky diodes D1 to D6 and a plurality of capacitors when a radio frequency signal RF is applied from the antenna pads PAD (+) and PAD (-). The boosting operation of C1 to C6 outputs the power supply voltage VDD, which is the operating voltage of the RFID chip, to the DC power output terminal.

즉, 다이오드 D1,D2의 정류작용에 의해 커패시터 C2에 차지를 저장하고, 다이오드 D3,D4의 정류작용에 의해 커패시터 C2에 저장된 차지를 승압하여 커패시터 C4에 저장한다. 그리고, 이러한 정류동작과 승압 동작을 순차적으로 수행하여 최종 단의 다이오드 D5,D6을 통해 전원전압 VDD를 생성하게 된다. That is, the charge is stored in the capacitor C2 by the rectification of the diodes D1 and D2, and the charge stored in the capacitor C2 is boosted and stored in the capacitor C4 by the rectification of the diodes D3 and D4. Then, the rectifying operation and the boosting operation are sequentially performed to generate the power supply voltage VDD through the diodes D5 and D6 of the final stage.

그리고, 본 발명은 RFID 태그 칩에서 DC 타입의 안테나를 사용하는 경우에 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 스냅-백(Snap Back) 특성을 갖는 정전기 방전 소자(11)를 통해 해결할 수 있게 된다. 이러한 정전기 방전 소자(11)는 전압 멀티플라이어(110)의 내부에 포함될 수 있으며, 안테나 패드 PAD(+),PAD(-)의 양단 사 이에 연결된다. In addition, the present invention can solve the electrostatic discharge problem that may occur when using a DC-type antenna in the RFID tag chip through the electrostatic discharge element 11 having a snap-back (Snap Back) characteristics. The electrostatic discharge element 11 may be included in the voltage multiplier 110 and is connected between both ends of the antenna pads PAD (+) and PAD (−).

도 3은 도 1의 전압 멀티플라이어(110)에 관한 다른 실시예이다. 3 is another embodiment of the voltage multiplier 110 of FIG.

본 발명의 전압 멀티플라이어(110)는 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D11~D16, 복수개의 불휘발성 강유전체 커패시터 FC1~FC6 및 정전기 방전 소자(12)를 포함한다. The voltage multiplier 110 of the present invention includes a plurality of Schottky diodes D11 to D16, a plurality of nonvolatile ferroelectric capacitors FC1 to FC6, and an electrostatic discharge element 12.

이러한 구성을 갖는 전압 멀티플라이어(110)는 안테나 패드 PAD(+),PAD(-)로부터 무선 고주파 신호 RF가 인가될 경우, 복수개의 쇼트키(Schottky) 다이오드 D11~D16의 정류작용과 복수개의 불휘발성 강유전체 커패시터 FC1~FC6의 승압 동작에 의해 RFID 칩의 동작 전압인 전원전압 VDD을 DC 전원 출력단으로 출력한다. The voltage multiplier 110 having such a configuration is characterized in that the rectification of a plurality of Schottky diodes D11 to D16 and a plurality of fires when a radio frequency signal RF is applied from the antenna pads PAD (+) and PAD (-). The boosting operation of the volatile ferroelectric capacitors FC1 to FC6 outputs the power supply voltage VDD, which is the operating voltage of the RFID chip, to the DC power output terminal.

즉, 다이오드 D11,D12의 정류작용에 의해 불휘발성 강유전체 커패시터 FC2에 차지를 저장하고, 다이오드 D13,D14의 정류작용에 의해 불휘발성 강유전체 커패시터 FC2에 저장된 차지를 승압하여 불휘발성 강유전체 커패시터 FC4에 저장한다. 그리고, 이러한 정류동작과 승압 동작을 순차적으로 수행하여 최종단의 다이오드 D15,D16을 통해 전원전압 VDD를 생성하게 된다. That is, the charge is stored in the nonvolatile ferroelectric capacitor FC2 by the rectification of the diodes D11 and D12, and the charge stored in the nonvolatile ferroelectric capacitor FC2 is boosted by the rectification of the diodes D11 and D14 and stored in the nonvolatile ferroelectric capacitor FC4. . Then, the rectifying operation and the boosting operation are sequentially performed to generate the power supply voltage VDD through the diodes D15 and D16 of the final stage.

그리고, 본 발명은 RFID 태그 칩에서 DC 타입의 안테나를 사용하는 경우에 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 스냅-백(Snap Back) 특성을 갖는 정전기 방전 소자(12)를 통해 해결할 수 있게 된다. 이러한 정전기 방전 소자(12)는 전압 멀티플라이어(110)의 내부에 포함될 수 있으며, 안테나 패드 PAD(+),PAD(-)의 양단 사이에 연결된다. In addition, the present invention can solve the electrostatic discharge problem that may occur when using a DC-type antenna in the RFID tag chip through the electrostatic discharge element 12 having a snap-back (Snap Back) characteristics. The electrostatic discharge element 12 may be included in the voltage multiplier 110, and is connected between both ends of the antenna pads PAD (+) and PAD (−).

도 4는 도 2의 정전기 방전 소자(11) 및 도 3의 정전기 방전 소자(12)에 관 한 상세 구조를 나타낸 도면이다. 여기서, 정전기 방전 소자(11)와 정전기 방전 소자(12)의 구조는 서로 동일하며, 본 발명에서는 정전기 방전 소자(11)의 구성을 그 실시예로 설명한다. 4 is a diagram illustrating a detailed structure of the electrostatic discharge device 11 of FIG. 2 and the electrostatic discharge device 12 of FIG. 3. Here, the structures of the electrostatic discharge element 11 and the electrostatic discharge element 12 are the same, and in the present invention, the configuration of the electrostatic discharge element 11 will be described as an embodiment thereof.

정전기 방전 소자(11)는 상부전극 T과 하부전극 B 사이에 연결된 정전기 방전 물질(13)을 포함한다. 여기서, 정전기 방전 물질(13)은 합금 재료인 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 TeAsSiGe 등으로 이루어지는 것이 바람직하다. The electrostatic discharge element 11 includes an electrostatic discharge material 13 connected between the upper electrode T and the lower electrode B. Here, the electrostatic discharge material 13 is preferably made of TeAsSiGe or the like of chalcogenide glass based alloy material.

일반적으로 상 변화용 물질인 칼코게나이드(Chalcogenide)는 상 변화에 따라 전기적 저항 특성이 바뀌는 특성을 갖는다. 칼코게나이드 물질이 비정질로 상 변화가 되면 저항이 증가하며, 가열 온도 및 시간의 함수에 따라 그 상이 변하게 된다. In general, chalcogenide, a phase change material, has a property of changing electrical resistance characteristics according to phase change. When the chalcogenide material becomes amorphous, the resistance increases, and the phase changes as a function of heating temperature and time.

하지만, 본 발명에 적용되는 칼코게나이드 글래스 계통의 물질은 가열에 따라 그 상이 변화되는 것이 아니며, 전류 및 전압의 특성에 따라 스위칭 동작을 수행하여 전류를 흐르게 하는 물질로 작용하게 된다. However, the material of the chalcogenide glass system to be applied to the present invention does not change its phase with heating, and acts as a material for flowing current by performing a switching operation according to the characteristics of the current and the voltage.

즉, 본 발명의 정전기 방전 물질(13)은 상부전극 T 또는 하부전극 B에 인가되는 전압이 임계전압(Vt) 이상이 될 경우 턴 온 상태로 변하게 되어 전류가 흐르도록 한다. 이러한 정전기 방전 물질(13)은 다이오드와 같은 기능을 수행하며, 상 변화 동작이 이루어지지 않게 되므로 메모리 특성을 나타내지 않으며 스냅 백 특성을 갖게 된다. That is, when the voltage applied to the upper electrode T or the lower electrode B is greater than or equal to the threshold voltage Vt, the electrostatic discharge material 13 of the present invention is turned on to allow current to flow. The electrostatic discharge material 13 performs the same function as a diode and does not exhibit a phase change operation, thus exhibiting no memory characteristic and having a snap back characteristic.

이러한 정전기 방전 소자(11)는 하부전극 B의 상부에 정전기 방전 물질(13) 이 형성된다. 그리고, 정전기 방전 물질(13)의 상부에 상부전극 T이 형성된다. 이에 따라, 하부전극 B, 정전기 방전 물질(13) 및 상부전극 T이 차례로 적층된 수직 구조를 이룬다. The electrostatic discharge element 11 is formed with an electrostatic discharge material 13 on the lower electrode B. The upper electrode T is formed on the electrostatic discharge material 13. Accordingly, the lower electrode B, the electrostatic discharge material 13, and the upper electrode T form a vertical structure in which they are sequentially stacked.

여기서, 상부전극 T 및 하부전극 B은 RFID 내부에 구비된 회로에서 제 1메탈 공정 및 제 2메탈 공정의 형성시 동일한 공정 단계를 추가하여 동일한 레이어 상에 수직 구조로 형성하게 된다. 이러한 상부전극 T은 안테나 패드 PAD(+)와 연결되며, 하부전극 B은 안테나 패드 PAD(-)와 연결된다. Here, the upper electrode T and the lower electrode B are formed in a vertical structure on the same layer by adding the same process step when forming the first metal process and the second metal process in the circuit provided in the RFID. The upper electrode T is connected to the antenna pad PAD (+), and the lower electrode B is connected to the antenna pad PAD (-).

도 5는 도 2의 정전기 방전 소자(11) 및 도 3의 정전기 방전 소자(12)에 관한 상세 구조를 나타낸 또 다른 실시예이다. 정전기 방전 소자(11)와 정전기 방전 소자(12)의 구조는 서로 동일하며, 본 발명에서는 정전기 방전 소자(11)의 구성을 그 실시예로 설명한다. 5 is another embodiment showing the detailed structure of the electrostatic discharge element 11 of FIG. 2 and the electrostatic discharge element 12 of FIG. The structures of the electrostatic discharge element 11 and the electrostatic discharge element 12 are the same, and in the present invention, the configuration of the electrostatic discharge element 11 will be described as an embodiment thereof.

정전기 방전 소자(11)는 제 1전극(14)과 제 2전극(15)의 상부에 연결된 정전기 방전 물질(16)을 포함한다. 여기서, 정전기 방전 물질(16)은 합금 재료인 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 TeAsSiGe 등으로 이루어지는 것이 바람직하다. The electrostatic discharge element 11 includes an electrostatic discharge material 16 connected to an upper portion of the first electrode 14 and the second electrode 15. Here, the electrostatic discharge material 16 is preferably made of Chalcogenide Glass (TeAsSiGe) or the like of alloy material.

이러한 정전기 방전 소자(11)는 제 1전극(14)과 제 2전극(15)이 동일한 레이어 상에서 일정간격 이격되어 형성된다. 그리고, 제 1전극(14)과 제 2전극(15)의 상부에 제 1전극(14)과 제 2전극(15)과 접속되는 정전기 방전 물질(16)이 형성된다. The electrostatic discharge element 11 is formed such that the first electrode 14 and the second electrode 15 are spaced apart at regular intervals on the same layer. An electrostatic discharge material 16 is formed on the first electrode 14 and the second electrode 15 to be connected to the first electrode 14 and the second electrode 15.

그리고, 정전기 방전 소자(11)는 정전기 방전 물질(16)이 제 1전극(14)과 제 2전극(15)을 서로 이어주는 브릿지 평면(Bridge Planar) 구조로 형성된다. The electrostatic discharge element 11 is formed in a bridge planar structure in which the electrostatic discharge material 16 connects the first electrode 14 and the second electrode 15 to each other.

이러한 정전기 방전 소자(11)는 제 1전극(14)과 제 2전극(15)의 상부에 정전기 방전 물질(16)이 형성된다. 이에 따라, 제 1전극(14)과 제 2전극(15)이 동일한 레이아 상에 형성된 수평 구조를 이룬다. In the electrostatic discharge element 11, an electrostatic discharge material 16 is formed on the first electrode 14 and the second electrode 15. Accordingly, the first electrode 14 and the second electrode 15 form a horizontal structure formed on the same layer.

여기서, 제 1전극(14)과 제 2전극(15)은 RFID 내부에 구비된 회로에서 제 1메탈 공정의 형성시 동일한 공정 단계를 추가하여 동일한 레이어 상에 수평 구조로 형성하게 된다. 이러한 제 1전극(14)은 안테나 패드 PAD(+)와 연결되며, 제 2전극(15)은 안테나 패드 PAD(-)와 연결된다. Here, the first electrode 14 and the second electrode 15 are formed in a horizontal structure on the same layer by adding the same process step when forming the first metal process in the circuit provided in the RFID. The first electrode 14 is connected to the antenna pad PAD (+), and the second electrode 15 is connected to the antenna pad PAD (-).

본 발명에 적용되는 칼코게나이드 글래스 계통의 물질은 가열에 따라 그 상이 변화되는 것이 아니며, 전류 및 전압의 특성에 따라 스위칭 동작을 수행하여 전류를 흐르게 하는 물질로 작용하게 된다. The material of the chalcogenide glass system applied to the present invention does not change its phase with heating, but acts as a material for flowing current by performing a switching operation according to the characteristics of the current and the voltage.

즉, 본 발명의 정전기 방전 물질(16)은 제 1전극(14) 또는 제 2전극(15)에 인가되는 전압이 임계전압(Vt) 이상이 될 경우 턴 온 상태로 변하게 되어 전류가 흐르도록 한다. 이러한 정전기 방전 물질(16)은 다이오드와 같은 기능을 수행하며, 상 변화 동작이 이루어지지 않게 되므로 메모리 특성을 나타내지 않으며 스냅 백 특성을 갖게 된다. That is, the electrostatic discharge material 16 of the present invention is turned on when the voltage applied to the first electrode 14 or the second electrode 15 is greater than or equal to the threshold voltage (Vt) to allow the current to flow. . The electrostatic discharge material 16 performs the same function as a diode and does not exhibit a phase change operation, thus exhibiting no memory characteristic and having a snap back characteristic.

도 6은 도 2의 정전기 방전 소자(11) 및 도 3의 정전기 방전 소자(12)에 관한 상세 구조를 나타낸 또 다른 실시예이다. 정전기 방전 소자(11)와 정전기 방전 소자(12)의 구조는 서로 동일하며, 본 발명에서는 정전기 방전 소자(11)의 구성을 그 실시예로 설명한다. 6 is another embodiment showing a detailed structure of the electrostatic discharge element 11 of FIG. 2 and the electrostatic discharge element 12 of FIG. The structures of the electrostatic discharge element 11 and the electrostatic discharge element 12 are the same, and in the present invention, the configuration of the electrostatic discharge element 11 will be described as an embodiment thereof.

정전기 방전 소자(11)는 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)의 상부에 연결된 정전기 방전 물질(19)을 포함한다. 여기서, 정전기 방전 물질(19)은 합금 재료인 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 TeAsSiGe 등으로 이루어지는 것이 바람직하다. The electrostatic discharge element 11 includes an electrostatic discharge material 19 connected to an upper portion of the first antenna electrode 17 and the second antenna electrode 18. In this case, the electrostatic discharge material 19 is preferably made of Chalcogenide Glass (TeAsSiGe) or the like, which is an alloy material.

이러한 정전기 방전 소자(11)는 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)이 동일한 레이어 상에서 일정간격 이격되어 형성된다. 그리고, 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)의 상부에 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)과 접속되는 정전기 방전 물질(19)이 형성된다. The electrostatic discharge element 11 is formed such that the first antenna electrode 17 and the second antenna electrode 18 are spaced apart from each other on the same layer. An electrostatic discharge material 19 is formed on the first antenna electrode 17 and the second antenna electrode 18 to be connected to the first antenna electrode 17 and the second antenna electrode 18.

그리고, 정전기 방전 소자(11)는 정전기 방전 물질(19)이 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)을 서로 이어주는 브릿지 평면(Bridge Planar) 구조로 형성된다. 여기서, 제 1안테나 전극(17)은 안테나 패드 PAD(+)와 연결되며, 제 2안테나 전극(18)은 안테나 패드 PAD(-)와 연결된다. The electrostatic discharge element 11 is formed in a bridge planar structure in which the electrostatic discharge material 19 connects the first antenna electrode 17 and the second antenna electrode 18 to each other. Here, the first antenna electrode 17 is connected to the antenna pad PAD (+), and the second antenna electrode 18 is connected to the antenna pad PAD (-).

이에 따라, 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18)은 RFID 태그 칩의 상부에 형성된다. 그리고, 제 1안테나 전극(17)과 제 2안테나 전극(18) 및 정전기 방전 물질(19)을 포함하는 정전기 방전 소자(11)가 RFID 태그 칩의 외부에 형성되는 구조를 갖는다. Accordingly, the first antenna electrode 17 and the second antenna electrode 18 are formed on the RFID tag chip. In addition, the electrostatic discharge element 11 including the first antenna electrode 17, the second antenna electrode 18, and the electrostatic discharge material 19 is formed outside the RFID tag chip.

도 7은 도 4 내지 도 6에 포함된 정전기 방전 소자(11)의 스냅-백(Snap back) 전압-전류 특성을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 7 is a diagram for describing a snap back voltage-current characteristic of the electrostatic discharge element 11 included in FIGS. 4 to 6.

정전기 방전 소자(11)에 일정 값 이상의 양의(+) 전압이 인가될 경우에 높은 전류가 흐르게 된다. 예를 들어, 정전기 방전 소자(11)에 3V 이하의 전압이 인가 될 경우 전류가 흐르지 않게 된다. 반면에, 정전기 방전 소자(11)에 3V 이상의 전압이 인가될 경우 전류가 급격히 상승하게 되어 높은 전류가 흐르게 된다. When a positive (+) voltage is applied to the electrostatic discharge element 11 or more, a high current flows. For example, when a voltage of 3V or less is applied to the electrostatic discharge element 11, no current flows. On the other hand, when a voltage of 3V or more is applied to the electrostatic discharge element 11, the current rises rapidly and a high current flows.

또한, 정전기 방전 소자(11)에 일정 값의 음의(-) 전압이 인가될 경우에 낮은 전류가 흐르게 된다. 예를 들어, 정전기 방전 소자(11)에 -3V 이상의 전압이 인가될 경우 전류가 흐르지 않게 된다. 반면에, 정전기 방전 소자(11)에 -3V 이하의 전압이 인가될 경우 전류가 급격히 하강하게 되어 낮은 전류가 흐르게 된다. In addition, low current flows when a constant negative voltage is applied to the electrostatic discharge element 11. For example, no current flows when a voltage of -3 V or more is applied to the electrostatic discharge element 11. On the other hand, when a voltage of -3V or less is applied to the electrostatic discharge element 11, the current drops rapidly and a low current flows.

일반적으로 RFID의 정상 동작시 안테나 패드 PAD(+)에 인가되는 전압이 +1V, 안테나 패드 PAD(-)에 인가되는 전압이 -1V이고, 이에 따른 패드 간의 문턱전압(Vt)이 2V 라고 가정한다. 이러한 경우 정전기 방전 소자(11)에 스냅 백 특성이 일어나지 않게 되어 전류가 거의 흐르지 않게 된다. In general, it is assumed that the voltage applied to the antenna pad PAD (+) is + 1V, the voltage applied to the antenna pad PAD (-) is -1V, and the threshold voltage Vt between the pads is 2V during normal operation of the RFID. . In this case, the snap-back characteristic does not occur in the electrostatic discharge element 11 so that the current hardly flows.

그런데, RFID의 안테나 패드 PAD(+),PAD(-)에 2V 이상의 전압(예를 들면, 3V)이 인가되는 경우, 즉, 노이즈 성 전압이 높게 인가되는 경우가 된다. 이에 따라, 정전기 방전 소자(11)에 스냅 백 현상이 일어나게 되어 높은 전류가 흐르게 된다. By the way, when a voltage of 2V or more (for example, 3V) is applied to the antenna pads PAD (+) and PAD (-) of the RFID, that is, a high noise voltage is applied. As a result, a snapback phenomenon occurs in the electrostatic discharge element 11 and a high current flows.

이러한 경우 정전기 방전 소자(11)에 흐르는 전류에 의해 안테나 패드 PAD(+)와 안테나 패드 PAD(-)의 전압 레벨이 같아지게 된다. 이에 따라, RFID에 인가되는 노이즈 성 전압은 정전기 방전 소자(11)를 통해 방전되며, 내부 RFID 회로에 노이즈 성 전압이 인가되는 것을 방지할 수 있게 된다. In this case, the voltage levels of the antenna pad PAD (+) and the antenna pad PAD (−) become equal by the current flowing through the electrostatic discharge element 11. Accordingly, the noise voltage applied to the RFID is discharged through the electrostatic discharge element 11, thereby preventing the noise voltage from being applied to the internal RFID circuit.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 다음과 같은 효과를 제공한다. As described above, the present invention provides the following effects.

첫째, RFID 태그 칩에서 DC(Direct Current) 타입의 안테나를 사용하는 경우 발생할 수 있는 정전기 방전 문제를 해결할 수 있도록 한다. First, to solve the electrostatic discharge that may occur when using a DC (direct current) type antenna in the RFID tag chip.

둘째, 비교적 구조가 간단하고 값이 싼 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계열의 물질을 이용하여 정전기 방전 경로를 형성함으로써 저 비용으로 정전기 방전 문제를 해결할 수 있도록 하는 효과를 제공한다. Second, the electrostatic discharge path is formed using a relatively simple and inexpensive chalcogenide glass-based material to solve the electrostatic discharge problem at low cost.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, additions, and substitutions are possible, and that various modifications, additions and substitutions are possible, within the spirit and scope of the appended claims. As shown in Fig.

Claims (29)

안테나를 통해 인가되는 무선 주파수 신호를 정류하여 출력하는 복수개의 정류수단; A plurality of rectifying means for rectifying and outputting a radio frequency signal applied through an antenna; 상기 복수개의 정류수단에서 정류된 전압을 각각 승압하여 저장하고 RFID의 동작 전압으로 사용되는 전원전압을 생성하는 복수개의 커패시터; 및 A plurality of capacitors each boosting and storing the voltage rectified by the plurality of rectifying means and generating a power supply voltage used as an operating voltage of the RFID; And 상기 무선 주파수 신호가 입력되는 안테나 패드의 양단 노드 사이에 연결되어 정전기 방전 경로를 형성하는 정전기 방전 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.And an electrostatic discharge element connected between both nodes of the antenna pad to which the radio frequency signal is input to form an electrostatic discharge path. 제 1항에 있어서, 상기 복수개의 정류수단은 쇼트키 다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 RFID 장치. The RFID device according to claim 1, wherein the plurality of rectifying means comprises a Schottky diode. 제 1항에 있어서, 상기 복수개의 커패시터는 상유전체 커패시터로 이루어짐을 특징으로 하는 RFID 장치. The RFID device according to claim 1, wherein the plurality of capacitors are made of dielectric dielectric capacitors. 제 1항에 있어서, 상기 복수개의 커패시터는 불휘발성 강유전체 커패시터로 이루어짐을 특징으로 하는 RFID 장치. The RFID device of claim 1, wherein the plurality of capacitors comprise a nonvolatile ferroelectric capacitor. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 상기 RFID의 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치.The RFID device according to claim 1, wherein the electrostatic discharge element is formed inside the RFID. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 상기 RFID의 외부에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치.The RFID device according to claim 1, wherein the electrostatic discharge element is formed outside the RFID. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 하부전극, 정전기 방전 물질 및 상부전극이 차례로 적층된 수직 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.The RFID device according to claim 1, wherein the electrostatic discharge device has a vertical structure in which a lower electrode, an electrostatic discharge material, and an upper electrode are sequentially stacked. 제 8항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.The RFID device of claim 8, wherein the electrostatic discharge material comprises a material of a chalcogenide glass system. 제 9항에 있어서, 상기 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질은 TeAsSiGe를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.10. The RFID device of claim 9, wherein the material of the chalcogenide glass line comprises TeAsSiGe. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 The method of claim 1, wherein the electrostatic discharge element 제 1전극;A first electrode; 상기 제 1전극과 동일한 레이어 상에 형성되어 상기 제 1전극과 일정간격 이격되어 형성된 제 2전극; 및 A second electrode formed on the same layer as the first electrode and spaced apart from the first electrode by a predetermined distance; And 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 상부에 형성된 정전기 방전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.And an electrostatic discharge material formed on the first electrode and the second electrode. 제 11항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.The RFID device of claim 11, wherein the electrostatic discharge material comprises a material of a chalcogenide glass line. 제 12항에 있어서, 상기 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질은 TeAsSiGe를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.The RFID device according to claim 12, wherein the material of the chalcogenide glass system comprises TeAsSiGe. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 The method of claim 1, wherein the electrostatic discharge element 상기 안테나의 일단과 연결된 제 1안테나 전극;A first antenna electrode connected to one end of the antenna; 상기 안테나의 타단과 연결되며 상기 제 1안테나 전극과 일정간격 이격되어 형성된 제 2안테나 전극; 및 A second antenna electrode connected to the other end of the antenna and formed to be spaced apart from the first antenna electrode at a predetermined interval; And 상기 제 1안테나 전극과 상기 제 2안테나 전극 상부에 형성된 정전기 방전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.And an electrostatic discharge material formed on the first antenna electrode and the second antenna electrode. 제 14항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 상기 RFID의 외부에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치.The RFID device according to claim 14, wherein the electrostatic discharge element is formed outside the RFID. 제 14항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래 스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.15. The RFID device of claim 14, wherein the electrostatic discharge material comprises a material of a chalcogenide glass system. 제 16항에 있어서, 상기 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질은 TeAsSiGe를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.The RFID device according to claim 16, wherein the material of the chalcogenide glass family comprises TeAsSiGe. 제 1항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 스냅-백 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.The RFID device according to claim 1, wherein the electrostatic discharge element has a snap-back characteristic. 아날로그 블록, 디지털 블록, 및 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 셀 어레이에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록을 포함하는 RFID 장치에 있어서, An RFID device comprising an analog block, a digital block, and a memory block for reading and writing data to a cell array including a nonvolatile ferroelectric capacitor element, 무선 주파수 신호가 입력되는 안테나 패드의 양단 노드 사이에 연결되어 정전기 방전 경로를 형성하는 정전기 방전 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. And an electrostatic discharge element connected between both nodes of the antenna pad to which the radio frequency signal is input to form an electrostatic discharge path. 삭제delete 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 상기 아날로그 블록 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치. 20. The RFID device of claim 19, wherein the electrostatic discharge element is formed inside the analog block. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 상기 RFID 장치의 외부에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치.20. The RFID device according to claim 19, wherein the electrostatic discharge element is formed outside the RFID device. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 하부전극, 정전기 방전 물질 및 상부전극이 차례로 적층된 수직 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.20. The RFID device according to claim 19, wherein the electrostatic discharge element has a vertical structure in which a lower electrode, an electrostatic discharge material, and an upper electrode are sequentially stacked. 제 23항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. 24. The RFID device of claim 23, wherein the electrostatic discharge material comprises a material of a chalcogenide glass system. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 The method of claim 19, wherein the electrostatic discharge element 제 1전극;A first electrode; 상기 제 1전극과 동일한 레이어 상에 형성되어 상기 제 1전극과 일정간격 이격되어 형성된 제 2전극; 및 A second electrode formed on the same layer as the first electrode and spaced apart from the first electrode by a predetermined distance; And 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 상부에 형성된 정전기 방전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.And an electrostatic discharge material formed on the first electrode and the second electrode. 제 25항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. The RFID device of claim 25, wherein the electrostatic discharge material comprises a material of a chalcogenide glass line. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 The method of claim 19, wherein the electrostatic discharge element 상기 안테나의 일단과 연결된 제 1안테나 전극;A first antenna electrode connected to one end of the antenna; 상기 안테나의 타단과 연결되며 상기 제 1안테나 전극과 일정간격 이격되어 형성된 제 2안테나 전극; 및 A second antenna electrode connected to the other end of the antenna and formed to be spaced apart from the first antenna electrode at a predetermined interval; And 상기 제 1안테나 전극과 상기 제 2안테나 전극 상부에 형성된 정전기 방전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.And an electrostatic discharge material formed on the first antenna electrode and the second antenna electrode. 제 27항에 있어서, 상기 정전기 방전 물질은 칼코게나이드 글래스(Chalcogenide Glass) 계통의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.28. The RFID device of claim 27, wherein the electrostatic discharge material comprises a material of a chalcogenide glass system. 제 19항에 있어서, 상기 정전기 방전 소자는 스냅-백 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.20. The RFID device of claim 19, wherein said electrostatic discharge element has a snap-back characteristic.
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Citations (2)

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KR20070038650A (en) * 2005-10-06 2007-04-11 삼성전자주식회사 Esd protection circuit using ots
KR20080009544A (en) * 2006-07-24 2008-01-29 충청북도 A tag chip and method for driving the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070038650A (en) * 2005-10-06 2007-04-11 삼성전자주식회사 Esd protection circuit using ots
KR20080009544A (en) * 2006-07-24 2008-01-29 충청북도 A tag chip and method for driving the same

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