KR100956082B1 - 포토마스크의 리페어 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 차광패턴 또는 반투과패턴으로 형성되는 전체패턴의 국부적인 영역을 리페어하는 포토마스크의 리페어 방법에 있어서,포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브(negative) 타입의 제1 포토레지스트를 형성하는 단계;추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하여 공간부의 하부면이 상부면보다 넓게 형성하는 단계;상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계;상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
- 차광패턴 또는 반투과패턴으로 형성되는 전체패턴의 국부적인 영역을 리페어하는 포토마스크의 리페어 방법에 있어서,포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 리프트오프용 포토레지스트와 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입의 제1 포토레지스트를 순차적으로 형성하는 단계;추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광한 후, 상기 노광된 제1 포토레지스트와 그 하부에 존재하는 상기 리프트오프용 포토레지스트를 동시에 현상하여 공간부의 하부면이 상부면보다 넓게 형성되도록 언더컷구조로 형성하는 단계;상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계;상기 리프트오프용 포토레지스트, 제1 포토레지스트 및 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
- 차광패턴 또는 반투과패턴으로 형성되는 전체패턴의 국부적인 영역을 리페어하는 포토마스크의 리페어 방법에 있어서,포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입의 제1 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 포토마스크 상에 결함이 발생한 패턴 중 제거되어야 할 패턴의 일부 영역 부분만이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하는 단계;상기 노출된 결함 패턴의 일부 영역 부위만을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하여 공간부를 형성하는 단계.상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계;상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하기 전에, 상기 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 리페어물질막은 스퍼터링법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
- 청구항 5에 있어서,상기 리페어물질막은 차광물질막 또는 반투과물질막인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060035696A KR100956082B1 (ko) | 2006-04-20 | 2006-04-20 | 포토마스크의 리페어 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020060035696A KR100956082B1 (ko) | 2006-04-20 | 2006-04-20 | 포토마스크의 리페어 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070103847A KR20070103847A (ko) | 2007-10-25 |
KR100956082B1 true KR100956082B1 (ko) | 2010-05-07 |
Family
ID=38818054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060035696A KR100956082B1 (ko) | 2006-04-20 | 2006-04-20 | 포토마스크의 리페어 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100956082B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102254646B1 (ko) * | 2018-07-30 | 2021-05-21 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 수정 방법, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치용 디바이스의 제조 방법 |
WO2020176582A1 (en) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | Lam Research Corporation | Semiconductor mask reshaping using a sacrificial layer |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0675362A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法 |
JPH0829615A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Sony Corp | パターンの修正方法 |
KR100361514B1 (ko) | 2000-02-08 | 2002-11-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 마스크 수리방법 |
-
2006
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0675362A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法 |
JPH0829615A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Sony Corp | パターンの修正方法 |
KR100361514B1 (ko) | 2000-02-08 | 2002-11-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 마스크 수리방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070103847A (ko) | 2007-10-25 |
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FPAY | Annual fee payment |
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