KR100949271B1 - 오토 셀프 리프레시에 적합한 온도 정보 감지 장치, 그를 갖는 집적회로 및 온도 정보 감지 방법 - Google Patents

오토 셀프 리프레시에 적합한 온도 정보 감지 장치, 그를 갖는 집적회로 및 온도 정보 감지 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 온도 정보 감지 장치, 그를 갖는 집적회로 및 온도 정보 감지 방법에 관한 것으로서, 오토 셀프 리프레시에 특히 적합하도록 최적화된 온도 정보 감지 장치, 그를 갖는 집적회로 및 온도 정보 감지 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 셀프 리프레시 인에이블제어신호에 응답하여 서로 다른 레벨의 기준전압을 다수 생성하는 기준전압생성수단; 및 집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 전압비교수단을 포함한다.
셀프 리프레시, 트리밍, 주기

Description

오토 셀프 리프레시에 적합한 온도 정보 감지 장치, 그를 갖는 집적회로 및 온도 정보 감지 방법{ON DIE THERMAL SENSOR SUITABLE FOR AUTO SELF REFRESH, INTEGRATED CIRCUIT WITH THE SAME AND METHOD FOR ON DIE THERMAL SENSOR SUITABLE FOR AUTO SELF REFRESH}
본 발명은 온도 정보 감지 장치(On Die Thermal Sensor, ODTS), 그를 갖는 집적회로 및 온도 정보 감지 방법에 관한 것이다.
집적회로, 예를 들어 DRAM의 단위 셀은 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 상기 커패시터에 전하가 축적되어 있는지 여부, 즉 커패시터의 단자 전압에 따라 데이터의 저장 여부가 구분된다. 여기서, 커패시터에 축적되어 있는 전하의 의도되지 않은 손실로 인하여 단위 셀의 데이터가 소실된다. 이러한 의도되지 않은 데이터 소실을 방지하기 위해서, 전하가 손실되기 전, 단위 셀의 데이터를 확인하여 다시금 정상적인 전하량으로 재충전된다. 이러한 재충전 과정을 리프레시(refresh)라 한다. 리프레시는 오토 리프레시(auto refresh)와 셀프 리프레시(self refresh)로 구분될 수 있다. 오토 리프레시와 셀프 리프레시는 리프레시 과정에서 내부적으로 어드레스가 생성된다는 점에서는 동일하지만, 리프레시 주기와 수행 시간, 외부 커맨드에 의한 구동 여부에 있어서 차이가 있다. 오토 리프레시는 외부 컨트롤러로부터 통상 수십 ns 주기로 인가되는 오토 리프레시 명령(AREF)에 의해 수행된다. 셀프 리프레시는 통상 수 us 이상의 주기로 인가되는 셀프 리프레시 시작 명령(SREF) 및 종료 명령(SREX)에 의해 수행된다. 오토 리프레시의 주기는 셀프 리프레시의 주기보다 짧다. 리프레시는 일반적으로 집적회로의 컨트롤러에 의해 제어된다.
상기 리프레시에 의해, 집적회로는 리프레시 전력을 소모한다. 이러한 리프레시 전력 소모는 집적회로, 특히 배터리로 동작하는 장치의 중요한 이슈이다.
리프레시 전력 소모를 감소시키기 위한 시도 중 하나는 리프레시 주기를 온도에 따라 변화시키는 것이다. 상기 집적회로의 데이터 보유 시간(retention time) 즉 데이터가 소실되기 전까지 정상적으로 판독될 수 있는 시간은 상기 집적회로의 내부 온도가 낮을수록 길다. 따라서 상기 내부 온도가 낮은 경우에 리프레시가 낮은 빈도로 수행되면 리프레시 전력 소모가 감소된다. 따라서, 리프레시 전력 소모의 감소를 위해, 집적회로의 내부 온도를 감지할 수 있는 ODTS가 필요하다.
한편, 상기 집적회로는 집적 레벨의 증가 및 동작 속도의 증가에 따라 열을 발생시킨다. 이러한 열은 집적회로의 내부 온도 증가 및 오동작의 원인이 된다. 따라서, 상기 내부 온도 증가 및 오동작을 방지하기 위해, 집적회로의 내부 온도를 감지할 수 있는 ODTS가 필요하다.
도1은 종래 기술에 따른 ODTS를 나타내는 구성도이다.
도1에 도시된 바와 같이, 종래의 ODTS는 온도정보전압생성수단(101), 아날로그 디지털 컨버터수단(ADC, 103), 코드변환수단(105) 및 온도측정동작제어수단(107)으로 구성된다.
온도정보전압생성수단(101)은 집적회로의 내부 온도를 감지하고, 상기 감지된 온도에 반비례하는 온도정보전압(VTEMP)을 생성한다. 또한, 온도정보전압생성수단(101)은 집적회로의 내부 온도가 변동함에 따라 아날로그 디지털 컨버터수단(103)에 의해 생성되는 디지털 코드(DIGITAL CODE)의 변동 가능한 최대값 및 최소값을 정의하는 최대변동전압(VULIMIT) 및 최소변동전압(VLLIMIT)을 생성한다. 여기서, 최대변동전압(VULIMIT)과 최소변동전압(VLLIMIT)은, PVT(Process, Voltage, Temperature)에 영향을 받지 않는 전압으로서, 온도정보전압생성수단(101)으로 입력되는 가상 퓨즈 코드(VIRTUAL FUSE CODE) 및 조정코드(TRIM CODE)를 사용하여 소정 레벨로 설정될 수 있다.
아날로그 디지털 컨버터수단(103)은 아날로그 값인 온도전압(VTEMP)을 디지털 코드(DIGITAL CODE)로 변환하여 출력한다. 한편, 최대변동전압(VULIMIT) 및 최소변동전압(VLLIMIT)의 조정을 위해, 상기 디지털 코드(DIGITAL CODE)는 온도정보전압생성수단(101)으로 조정코드(TRIM CODE)로서 피드백된다.
또한, 코드변환수단(105)은 아날로그 디지털 컨버터수단(103)에 의해 생성되는 디지털 코드(DIGITAL CODE)를 온도정보코드(TEMP CODE) 및 다수 개의 플래그 신호(TRIP POINT FLAG)로 변환한다. 예를 들어, 집적회로의 내부 온도에 따라 각각 다른 논리레벨을 갖는 다수 개의 플래그 신호로서 예를 들어 TEMP A, TEMP B, TEMP C를 생성한다. 상기 생성된 다수 개의 플래그 신호(TEMP A, TEMP B, TEMP C)는 셀프 리프레시 동작 주기를 제어하는데 사용된다.
온도측정동작제어수단(107)은 외부로부터 입력되는 인에이블 신호(ENABLE)에 기초하여 정상 모드로 동작하는 ODTS를 제어하며, 외부로부터 입력되는 셀프 리프레시 신호(SREF)에 기초하여 셀프 리프레시 모드로 동작하는 ODTS를 제어한다. 온도측정동작제어수단(107)은 온도정보전압생성수단(101)의 동작을 제어하는 신호(BGR_ON) 및 아날로그 디지털 컨버터수단(103)의 동작을 제어하는 신호(ADC_ON)의 논리레벨을 결정함으로써 온도 정보 출력장치의 동작을 제어한다.
ODTS 외부의 다목적 레지스터(Multi Purpose Resister, MPR, 109)는 코드변환수단(105)에 의해 생성되는 가장 최근의 온도 정보 코드(TEMP CODE)를 저장한다. MPR(109)는 셀 데이터가 아닌 특정 정보를 출력하는 기능을 수행한다. 예를 들어 집적회로인 DDR3에 관하여, 상기 특정 정보로서 [01010101]로 표현되는 사전 정의 패턴(pre defined pattern) 및 집적회로의 내부 온도 정보인 온도 정보 코드(TEMP CODE)가 정의된다.
ODTS 외부의 셀프 리프레시 발진부(111)는, 집적회로의 셀프 리프레시 모드에서 ASR(Auto Self Refresh)를 수행하며, 코드변환수단(105)으로부터 출력된 다수 개의 플래그 신호(TRIP POINT FLAG)에 응답하여 셀프 리프레시의 주기를 제어한다. ASR는 집적회로가 셀프 리프레시를 수행하는 동안, 집적회로의 내부 온도에 따라 셀프 리프레시의 주기가 조정됨으로써 불필요한 대기 전류(quiescent current)를 최소화하기 위한 기능이다. 한편, 집적회로의 내부 온도가 높아지면 단위 셀 내의 누설 전류(leakage current)가 커지며 따라서 집적회로의 데이터 보유 시간이 짧아진다. ASR에 따르면, 예를 들어 집적회로의 내부 온도가 높아지면 셀프 리프레시 동작 주기가 작게 조정됨으로써 빈번한 리프레시를 통해 데이터 소실이 방지된다.
도2는 도1의 ADC를 나타내는 구성도이다.
도2에 도시된 바와 같이, ADC(103)는 비교부(201), 업다운 카운터부(203), 디코더부(205) 및 디지털 아날로그 컨버터부(DAC, 207)로 구성된다.
비교부(201)는, 온도정보전압생성수단(101)에 의해 생성된 온도전압(VTEMP)과 후술되는 추적전압(DACOUT)를 비교한다. 비교 결과, 온도전압(VTEMP)의 전위레벨이 추적전압(DACOUT)의 전위레벨보다 작은 전위레벨일 경우 증가신호(INC)가 활성화되고, 온도전압(VTEMP)의 전위레벨이 추적전압(DACOUT)의 전위레벨보다 큰 전위레벨일 경우 감소신호(DEC)가 활성화된다.
업다운 카운터부(203)는, 예를 들어 비교부(201)에 의해 활성화된 증가신호(INC)에 기초하여 업 카운트된 디지털 코드(DIGITAL CODE)를 생성하며, 비교부(201)에 의해 활성화된 감소신호(DEC)에 기초하여 다운 카운트된 디지털 코드(DIGITAL CODE)를 생성한다.
비교부(201) 및 업다운 카운터부(203)는 샘플 클럭(SampleCLK)에 응답하여 소정 시간차(DEALY)를 두고 동작한다.
디코더부(205)는, 업다운 카운터부(203)에 의해 업다운 카운트된 디지털 코 드(DIGITAL CODE)를 온도정보코드(THERMOMETER CODE)로 변환한다.
DAC(207)는 디코더부(205)에 의해 생성되는 온도정보코드(THERMOMETER CODE)를 아날로그 값인 추적전압(DACOUT)으로 변환한다. 여기서, 상기 추적전압(DACOUT) 변동 레인지는 최소변동전압(VLLIMIT)으로부터 최대변동전압(VULIMIT)까지 이다.
상기 MPR과 관련하여, 최근 집적회로의 내부 온도 정보를 출력하는 기능은 상대적으로 많이 이용되지 않는다. 따라서, 거의 이용되지 않는 상기 내부 온도 정보 출력 기능이 집적회로에서 제거된다면 ODTS는 집적회로의 내부 온도 정보인 온도 정보 코드(TEMP CODE)를 출력할 필요가 없다. 따라서상기 내부 온도 정보 출력 기능이 삭제 된다면, 불필요한 온도 정보 코드(TEMP CODE)를 위한 구성으로서, 많은 레이아웃 면적이 요구되는 온도정보전압생성수단(101) 및 ADC(103)도 필요 없게 된다.
이 경우, ODTS는 온도 정보 코드(TEMP CODE)를 위한 구성을 배제하고 ASR에 특히 적합하도록 재구성될 필요가 있다.
본 발명은 상기 필요에 부응하기 위해 제안된 것으로, 오토 셀프 리프레시에 특히 적합하도록 최적화된 온도 정보 감지 장치, 그를 갖는 집적회로 및 온도 정보 감지 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 셀프 리프레시 인에이블제어신호에 응답하여 서로 다른 레벨의 기준전압을 다수 생성하는 기준전압생성수단; 및 집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 전압비교수단을 포함하는 온도 정보 감지 장치를 제공한다.
바람직하게, 상기 온도 정보 감지 장치는 상기 전압비교수단이 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 동작하도록 제어하는 인에이블제어신호를 생성하는 펄스생성수단을 더 포함한다.
바람직하게, 상기 온도 정보 감지 장치는 상기 전압비교수단에 의해 생성되는 상기 다수의 결과 신호를 다수의 플래그 신호로 변환하여 셀프 리프레시를 수행하는 셀프 리프레시 발진수단으로 전달하는 전달수단을 더 포함한다.
바람직하게, 상기 온도 정보 감지 장치는 상기 집적회로의 내부 온도를 감지하여 상기 감지된 온도에 반비례하는 상기 온도정보전압을 생성하는 온도감지수단을 더 포함한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 셀프 리프레시 인에이블제어신호에 응답하여 서로 다른 레벨의 기준전압을 다수 생성하는 기준전압생성수단; 집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 전압비교수단; 및 상기 전압비교수단에 의해 생성되는 상기 다수의 결과 신호에 기초하여 셀프 리프레시 동작 주기를 제어하는 셀프 리프레시 발진수단을 포함하는 집적회로를 제공한다.
바람직하게, 상기 집적회로는 상기 전압비교수단이 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 동작하도록 제어하는 인에이블제어신호를 생성하는 펄스생성수단을 더 포함한다.
바람직하게, 상기 집적회로는 상기 전압비교수단에 의해 생성되는 상기 다수의 결과 신호를 다수의 플래그 신호로 변환하여 셀프 리프레시를 수행하는 셀프 리프레시 발진수단으로 전달하는 전달수단을 더 포함한다.
바람직하게, 상기 집적회로는 상기 집적회로의 내부 온도를 감지하여 상기 감지된 온도에 반비례하는 상기 온도정보전압을 생성하는 온도감지수단을 더 포함한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 셀프 리프레시 인에이블제어신호에 응답하여, 집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 서로 다른 레벨을 갖는 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 출력수단; 및 셀프 리프레시 발진수단에 의해 생성되는 발진 클럭에 기초하여 상기 출력수단이 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 동작하도록 제어하는 인에이블제어신호를 생성하는 펄스생성수단을 포함하는 온도 정보 감지 장치를 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 셀프 리프레시 발진수단에 의해 생성되는 발진 클럭에 기초하여 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 인에이블되는 인에이블제어신호를 생성하는 펄스생성단계; 및 상기 펄스생성단계에 의해 생성된 인에이블제어신호에 응답하여, 집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 서로 다른 레벨을 갖는 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 출력단계를 포함하는 온도 정보 감지 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, ASR에 특히 적합하도록, 최소의 면적으로 구성되며 높은 정확도를 유지하는 온도 정보 감지 장치 및 그를 갖는 집적회로를 제공할 수 있다.
이하의 내용은 단지 본 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 본 발명의 원리를 구현하고 본 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세 서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시예들은 원칙적으로, 본 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 발명의 원리, 관점 및 실시예들 뿐만 아니라 특정 실시예를 열거하는 모든 상세한 설명은 이러한 사항의 구조적 및 기능적 균등물을 포함하도록 의도되는 것으로 이해되어야 한다. 또한 이러한 균등물들은 현재 공지된 균등물뿐만 아니라 장래에 개발될 균등물 즉 구조와 무관하게 동일한 기능을 수행하도록 발명된 모든 소자를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 명세서는 비록 본 발명의 일실시예에 따른 온도 정보 감지 장치 및 집적회로의 관점에서만 개시되어 있으나, 본 발명의 일실시예에 따른 온도 정보 감지 방법은 본 명세서에 기재된 온도 정보 감지 장치의 동작으로부터 용이하게 이해될 수 있다.
상술한 목적, 특징 및 장점들은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도3은 본 발명의 일실시예에 따른 온도 정보 감지 장치(ODTS)를 나타내는 구성도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 ODTS는 온도감지수단(301), 기준전압생성수단(303), 펄스생성수단(305), 전압비교수단(307) 및 전달수단(309)을 포함한다.
본 명세서에서 설명되거나 도시되는 셀프 리프레시 인에이블제어신호(ASR_EN)는 본 발명에 따른 ODTS의 인에이블을 제어하는 신호로서, 이하에서는 셀프 리프레시 인에이블제어신호(ASR_EN)에 의해 인에이블된 상태의 ODTS가 설명된다.
온도감지수단(301)은 예를 들어 집적회로의 밴드 갭(Band-gap) 회로 중에서 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor, BJT)의 베이스 단자와 에미터 단자간 전압이 집적회로의 내부 온도에 따라 변화하는 특성을 이용하여 집적회로의 내부 온도를 감지하고, 상기 감지된 온도에 반비례하는 온도정보전압(VTEMP)을 생성한다.
기준전압생성수단(303)은 집적회로 내부에서 생성되는 소정의 참조 전압(VREFC)에 기초하여 서로 다른 레벨의 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS, VTRIM_TS)을 다수 생성한다. 도3은 기준전압생성수단(303)이 셀프 리프레시 동작 주기 제어를 위해 필요한 3개의 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)과 상기 3개 기준전압의 트리밍(trimming)을 위해 필요한 1개의 기준전압(VTRIM_TS)을 생성하는 일실시예를 도시한다. 본 명세서에서는 상기 트리밍을 위해 필요한 기준전압(VTRIM_TS)을 특히 트리밍 전압이라고 한다. 상기 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)과 상기 트리밍 전압(VTRIM_TS) 간의 간격은 사전에 결정될 수 있다. 상기 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS) 및 상기 트리밍 전압(VTRIM_TS)은 도5 및 도6과 관련하여 자세히 설명된다.
펄스생성수단(305)은 전압비교수단(307)의 인에이블을 제어하는 인에이블제어신호(ENABLEp)를 생성한다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 전압비교수단(307)은 주기적으로 수행되는 셀프 리프레시의 동작 구간에는 동작하지 않고 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 동작될 필요가 있다. 인에이블제어신호(ENABLEp)는 셀프 리프레시 동작 구간에는 전압비교수단(307)이 동작하지 못하도록 제어한다. 이점 도9 및 도10과 관련하여 자세히 설명된다.
전압비교수단(307)은 온도감지수단(301)에 의해 생성되는 온도정보전압(VTEMP)과 상기 4개 기준전압 및 트리밍 전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS, VTRIM_TS)을 비교하고 그 결과 신호를 출력한다. 도3은 전압비교수단(307)이 3개의 결과 신호(TEMPAI, TEMPBI, TEMPCI)를 생성하는 일실시예를 도시한다.
전달수단(309)은 전압비교수단(307)에 의해 생성되는 결과 신호(TEMPAI, TEMPBI, TEMPCI)를 다수 개의 플래그 신호로 변환하여 예를 들어 셀프 리프레시 발진부(111)로 전달한다. 도3은 전달수단(309)이 3개의 플래그 신호(TEMPA, TEMPB, TEMPC)를 생성하는 일실시예를 도시한다. 상기 생성된 다수 개의 플래그 신호(TEMPA, TEMPB, TEMPC)는 셀프 리프레시 동작 주기를 제어하는데 사용된다. 이 점 도4 및 도7과 관련하여 설명된다.
도1 및 도2에 도시된 종래의 ODTS와 비교하면, 본 발명의 일실시예에 따라 도시된 도3의 ODTS는 집적회로의 내부 온도 정보인 온도 정보 코드(TEMP CODE)를 위한 구성으로서, 많은 레이아웃 면적이 요구되는 온도정보전압생성수단(101) 및 ADC(103)이 배제되어 있으며, 따라서 오토 셀프 리프레시에 특히 적합하도록 최적화되어 있다.
도4는 온도정보전압(VTEMP)의 변화에 따른 셀프 리프레시 동작 주기의 변화를 예시적으로 설명하는 그래프이다.
예를 들어 T|TEMPA, T|TEMPB, T|TEMPC로 표현되는 집적회로의 내부 온도에 의해 구분되는 4개 온도 영역에 따라 셀프 리프레시 동작 주기가 달리 결정된다. 예를 들어 집적회로의 내부 온도 T|TEMPA, T|TEMPB, T|TEMPC는 각각 45℃, 65℃, 및 85℃일 수 있으며, 전달수단(309)으로부터 셀프 리프레시 발진부(111)로 전달되는 3개의 플래그 신호(TEMPA, TEMPB, TEMPC) 각각에 대응한다.
예를 들어, 집적회로의 내부 온도가 매우 낮아 온도정보전압(VTEMP)이 45℃보다 낮은 온도를 나타내는 경우에 3개의 플래그 신호(TEMPA, TEMPB, TEMPC)는 모두 로우 디스에이블이 되며 따라서 셀프 리프레시 발진부(111)에 의해 수행되는 셀프 리프레시의 주기는 기본 주기의 4배로 설정될 수 있다.
유사하게, 온도정보전압(VTEMP)이 45℃와 65℃ 사이, 65℃와 85℃ 사이, 85℃ 이상의 온도를 각각 나타내는 경우에 플래그 신호(TEMPA, TEMPB, TEMPC)의 전부 또는 일부가 하이 인에이블되며 셀프 리프레시의 주기는 각각 기본 주기의 2배, 1배, 0.5배로 설정될 수 있다.
도5는 셀프 리프레시 동작 주기 제어를 위해 필요한 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS) 및 상기 기준전압의 트리밍을 위해 필요한 트리밍 전압(VTRIM_TS)과 온도정보전압(VTEMP)간의 관계를 나타내는 그래프이다.
온도정보전압(VTEMP)은 집적회로의 내부 온도와 반비례한다. 상기 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS) 및 상기 트리밍 전압(VTRIM_TS)은 각각 집적회로의 내부 온도 T|TEMPA, T|TEMPB, T|TEMPC, T|TEMP_TRIM로서 예를 들어 45℃, 65℃, 85℃, 93℃일 수 있다.
도5에 도시된 바와 같이, 상기 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)이 정확히 내부 온도 T|TEMPA, T|TEMPB, T|TEMPC에 대응하면 도4와 관련하여 설명된 바와 같이 온도정보전압(VTEMP)에 따라 플래그 신호(TEMPA, TEMPB, TEMPC)가 정확하게 로우 디스에이블 또는 하이 인에이블되어 셀프 리프레시의 주기가 정확하게 제어될 수 있다.
따라서, 상기 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)이 정확히 내부 온도 T|TEMPA, T|TEMPB, T|TEMPC에 정확하게 대응하지 않는다면 상기 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)이 트리밍되어야 ODTS의 높은 정확도가 유지된다. 상기 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)의 트리밍을 위해 트리밍 전압(VTRIM_TS)이 이용된다. 이 점은 도6 내지 도8과 관련하여 자세히 설명된다.
도6은 도3에 도시된 기준전압생성수단을 나타내는 회로도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 기준전압생성수단(303)은 풀업 트랜지스터(PT), 다수개의 조정 저항수단(R1 내지 Rn) 및 접지 저항수단(Rg)이 직렬 연결되어 있다. 풀업 트랜지스터(PT)는 비교부(601)의 출력신호에 의해 턴온 제어되며, 비교부(601)는 온도감지수단(301)에 의해 생성되는 온도정보전압(VTEMP)과 접지 저항수단(Rg)의 양단간 전압을 비교한 결과를 출력한다. 다수개의 조정 저항수단(R1 내지 Rn) 각각은 풀업 트랜지스터(PT)에 의해 풀업되며 하기 [수학식 1]로 표현되는 상이한 레벨의 전압(V1 내지 Vn)을 생성한다.
Figure 112008063149623-pat00001
여기서, 상기 조정 저항수단(R1 내지 Rn)의 개수 및 그에 따른 전압(V1 내지 Vn)의 개수 즉 해상도(resolution)는 설계의 필요에 따라 다양하게 변화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
상기 비교부(601), 풀업 트랜지스터(PT), 다수개의 조정 저항수단(R1 내지 Rn) 및 접지 저항수단(Rg)은 다운 컨버터부를 구성한다.
선택부(603)는 상기 조정 저항수단(R1 내지 Rn)에 의해 출력되는 다수개의 전압(V1 내지 Vn) 중에서 서로 다른 레벨의 기준전압 및 트리밍 전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS, VTRIM_TS)을 선택한다. 일실시예로서 선택부(603)는 멀티플렉서로 구현될 수 있다. 도6은 선택부(603)가 셀프 리프레시 동작 주기 제어를 위해 필요한 3개의 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)과 상기 3개 기준전압의 트리밍을 위해 필요한 1개의 트리밍 전압(VTRIM_TS)을 생성하는 일실시예를 도시한다. 예를 들어 셀프 리프레시 동작 주기 제어를 위해 필요한 3개의 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)은 각각 집적회로의 내부 온도 T|TEMPA, T|TEMPB, T|TEMPC로서 45℃, 65℃, 및 85℃에 대응하는 전압이며, 상기 3개 기준전압의 트리밍을 위해 필요한 1개의 트리밍 전압(VTRIM_TS)은 집적회로의 고온 테스트 온도 T|TEMP_TRIM로서 93℃에 대응하는 전압일 수 있다. 그러나, 본 발명이 상기 예시된 온도에 한정되지 않고 다양한 온도에 대해서도 적용될 수 있다는 점은 당업자에게 자명하다.
조정부(605)는 본 발명의 일실시예에 따른 ODTS의 정확도를 높이기 위한 구성이다. 조정부(605)는 선택부(603)가 상기 조정 저항수단(R1 내지 Rn)에 의해 출력되는 다수개의 전압(V1 내지 Vn) 중에서 의도된 내부 온도인 T|TEMPA, T|TEMPB, T|TEMPC, T|TEMP_TRIM, 예를 들어 45℃, 65℃, 85℃, 93℃에 각각 정확하게 대응하는 기준전압 및 트리밍 전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS, VTRIM_TS)을 선택하도록 레벨 시프팅 즉 트리밍을 수행한다. 일실시예로서 조정부(605)는 다수개, 예를 들어 [K+1]개의 퓨즈 회로로 구현될 수 있다. 조정부(605)의 입력 신호는 후술되는 전압비교수단(307)을 통해 확인되는 [K+1] 비트의 퓨즈 컷 코드(TCM<0:K>)이다. 조정부(605)는 퓨즈 컷 코드(TCM<0:K>)에 기초한 퓨즈 컷을 통해 선택부(603)가 의도된 내부 온도 T|TEMPA, T|TEMPB, T|TEMPC, T|TEMP_TRIM에 정확하게 대응하는 기준전압 및 트리밍 전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS, VTRIM_TS)을 선택하도록 레벨 시프팅 즉 트리밍을 수행한다. 예를 들어, [K+1]개의 퓨즈 회로에 의해 생성되는 2[K+1]개 레벨 신호에 의해 기준전압 및 트리밍 전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS, VTRIM_TS)이 레벨 시프팅될 수 있다.
도7은 도3에 도시된 전압비교수단을 나타내는 회로도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 전압비교수단(307)은 다수개의 비교기로 구성된다. 각 비교기는 펄스생성수단(305)에 의해 생성되는 인에이블제어신호(ENABLEp)에 의해 인에이블 제어된다. 각 비교기는 온도감지수단(301)에 의해 생성되는 온도정보전압(VTEMP)과 셀프 리프레시 동작 주기 제어를 위해 필요한 기준전압을 각각 비교한다. 도5는 셀프 리프레시 동작 주기 제어를 위해 필요한 기준전압이 3개(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)이며 따라서 전압비교수단(307)도 3개의 비교기로 구현되는 일실시예를 도시한다. 각 비교기의 출력 신호(TEMPAI, TEMPBI, TEMPCI)는 후술되는 전달수단(309)으로 입력된다.
한편, 전압비교수단(307)을 구성하는 다수개의 비교기 중 어느 하나는 상기 기준전압이 입력되는 단자에 멀티플렉서부(701)가 구비된다. 상기 멀티플렉서부(701)의 입력신호는 셀프 리프레시 동작 주기 제어를 위해 필요한 다수개의 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS) 중 어느 하나, 및 상기 다수개 기준전압의 트리밍을 위해 필요한 트리밍 전압(VTRIM_TS)이다. 도7은 셀프 리프레시 동작 주기 제어를 위해 필요한 기준전압(VREFC_TS) 및 트리밍 전압(VTRIM_TS)을 멀티플렉서부(701)의 입력신호인 일실시예를 도시한다. 상기 멀티플렉서부(701)는 제어신호, 예를 들어 테스트 모드 신호(TM)에 기초하여 상기 입력신호 중 어느 하나를 선택하여 비교기로 출력한다. 정상모드에서 상기 비교기로 입력되는 신호는 셀프 리프레시 동작 주기 제어를 위해 필요한 기준전압(VREFC_TS)이며, 상기 다수개 기준전압의 트리밍이 필요한 경우, 예를 들어 테스트 모드에서 상기 비교기로 입력되는 신호는 상기 다수개 기준전압의 트리밍을 위해 필요한 트리밍 전압(VTRIM_TS)이다.
본 발명의 일실시예에 따라 정상 모드, 즉 상기 다수의 비교기가 기준신호(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)와 온도정보전압(VTEMP)을 비교함으로써 셀프 리프레시 동작 주기가 제어되는 동작은 다음과 같다.
상기된 바와 같이, 예를 들어 기준신호(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)는 각각 집적회로의 내부 온도 T|TEMPA, T|TEMPB, T|TEMPC로서 45℃, 65℃, 및 85℃에 대응하기 때문에 상기 비교기의 비교 결과(TEMPAI, TEMPBI, TEMPCI)는 온도정보전압(VTEMP)으로 표현되는 집적회로의 내부 온도가 도4와 관련하여 설명된 4개 온도 영역 중 어느 한 영역에 속하는지를 나타낸다.
전달수단(309)은 전압비교수단(307)에 의해 생성되는 결과 신호(TEMPAI, TEMPBI, TEMPCI)를 다수 개의 플래그 신호(TEMPA, TEMPB, TEMPC)로 변환하여 예를 들어 셀프 리프레시 발진부(111)로 전달한다. 앞서 설명된 바와 같이 상기 비교기의 비교 결과(TEMPAI, TEMPBI, TEMPCI)는 집적회로의 내부 온도가 도4와 관련하여 설명된 4개 온도 영역 중 어느 한 영역에 속하는지를 나타내기 때문에 상기 플래그 신호(TEMPA, TEMPB, TEMPC)는 집적회로의 내부 온도에 따라 전부 또는 일부가 하이 인에이블 또는 로우 디스에이블되며, 따라서 셀프 리프레시 발진부(111)는 상기 플래그 신호(TEMPA, TEMPB, TEMPC)에 기초하여 셀프 리프레시의 주기를 예를 들어 기본 주기의 4배, 2배, 1배, 또는 0.5배로 제어한다.
다음으로, 본 발명의 일실시예에 따라 테스트 모드, 즉 상기 다수의 비교기 중 어느 하나가 트리밍 전압(VTRIM_TS)과 온도정보전압(VTEMP)을 비교함으로써 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS)을 트리밍하는 동작은 다음과 같다.
도8은 집적회로의 고온 테스트 모드에서 트리밍 전압(VTRIM_TS)과 온도정보전압(VTEMP)의 비교 결과에 따른 퓨즈 컷 코드의 생성을 설명하기 위한 그래프이다.
도면에 도시된 바와 같이, 집적회로의 고온 테스트 모드에서 온도정보전압(VTEMP)은 집적회로의 내부 온도 T|TEMP_TRIM로서 고온의 93℃에 대응하는 전압으로 설정되며, 따라서 트리밍 전압(VTRIM_TS)과 온도정보전압(VTEMP)을 비교하는 비교기의 결과 신호(TEMPCI)로부터 트리밍 전압(VTRIM_TS)이 93℃보다 높은 온도 또는 낮은 온도를 나타내는지 여부가 확인될 수 있다.
따라서 도6과 관련하여 설명된 퓨즈 컷 코드(TCM<0:K>)의 조정을 통해 트리밍 전압(VTRIM_TS)이 조정되며 트리밍 전압(VTRIM_TS)과 온도정보전압(VTEMP)을 비 교하는 비교기의 결과 신호(TEMPCI)가 탐지됨으로써, 상기 결과 신호(TEMPCI)를 토글시키는 퓨즈 컷 코드(TCM<0:K>)가 확인된다. 상기 확인된 퓨즈 컷 코드(TCM<0:K>)에 기초한 조정부(605)의 퓨즈 컷을 통해 선택부(603)가 의도된 내부 온도 T|TEMPA, T|TEMPB, T|TEMPC, T|TEMP_TRIM에 정확하게 대응하는 기준전압 및 트리밍 전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS, VTRIM_TS)을 선택하도록 레벨 시프팅 즉 트리밍이 수행된다. 이러한 트리밍을 통해 본 발명의 일실시예에 따른 ODTS의 정확도(accuracy)가 향상될 수 있다.
한편, 전압비교수단(307)을 구성하는 비교기는 펄스생성수단(305)에 의해 생성되는 인에이블제어신호(ENABLEp)에 의해 인에이블 제어된다.
셀프 리프레시가 수행되는 동안에는 많은 전원이 소모되기 때문에 셀프 리프레시가 수행되는 동안에 전압비교수단(307)으로 파워 노이즈가 유입될 수 있으며 이에 따라 전압비교수단(307)이 잘못된 비교 결과를 생성할 가능성이 있다. 따라서, 본 발명의 일실시예에 따라, 전압비교수단(307)은 주기적으로 수행되는 셀프 리프레시의 동작 구간에는 동작하지 않고 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 동작될 필요가 있다. 펄스생성수단(305)은 인에이블제어신호(ENABLEp)를 통해 전압비교수단(307)이 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 동작하도록 제어한다.
도9는 도3에 도시된 펄스생성수단을 나타내는 회로도이며, 도10은 펄스생성 수단의 동작을 설명하는 타이밍도이다.
도9에 도시된 바와 같이, 펄스생성수단(305)의 입력 신호는 셀프 리프레시 발진부(111)로부터 생성되는 발진 클럭(SREF_OSC)이다. 발진 클럭(SREF_OSC)의 주기는 예를 들어 도9에서 tREF로 표시되는 셀프 리프레시 동작 주기의 1/8배이며 셀프 리프레시 동작 주기의 변동에 연동된다. 펄스생성수단(305)은 일실시예로서 3개의 T 플립플롭(901 내지 905)이 캐스캐이드(cascade) 구조로 연결되어 있다. 기본적으로 T 플립플롭은 클럭의 상승 에지에서 이전 상태의 출력값을 반전하여 출력한다. 도9에 도시된 T 플립플롭은 발진 클럭(SREF_OSC) 또는 이전단의 T 플립플롭의 출력을 클럭으로 이용한다. 도9는 반전된 발진 클럭(SREF_OSC) 또는 이전단의 T 플립플롭의 출력을 제1플립플롭(901) 및 제3플립플롭(905)의 클럭 신호로 이용하는 일실시예를 도시한다.
도10에 도시된 바와 같이 제3플립플롭(905)의 출력(OUT)은 지연 및 반전된 출력(OUT)과 논리곱됨으로써 셀프 리프레시의 비동작 구간중에 인에이블되는 펄스 신호인 인에이블제어신호(ENABLEp)가 생성된다. 이로써 전압비교수단(307)은 ODTS에 의해 셀프 리프레시 동작 주기의 변동에 연동하는 발진 클럭(SREF_OSC)에 기초하여 생성되는 인에이블제어신호(ENABLEp)에 따라 동작하기 때문에, 변동 가능한 주기에 따라 수행되는 셀프 리프레시의 동작 구간에는 동작하지 않고 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 동작된다.
여기서, 도9는 3개의 T 플립플롭(901 내지 905)에 의해 셀프 리프레시의 비동작 구간중에 인에이블제어신호(ENABLEp)가 생성되는 일실시예를 도시하고 있으나, 펄스생성수단(305)을 구성하는 T 플립플롭의 개수는 셀프 리프레시 동작 주기(tREF) 중 최대 길이의 셀프 리프레시 동작 구간이 고려되어 결정될 수 있다. 예를 들어, 발진 클럭(SREF_OSC)의 주기가 최대일 때 셀프 리프레시 동작 주기(tREF)도 최대가 되며, 따라서 셀프 리프레시 동작 구간도 최대가 된다. 상기 T 플립플롭의 개수는 상기 최대 길이의 셀프 리프레시 동작 구간이 고려되어 셀프 리프레시의 비동작 구간중에 인에이블제어신호(ENABLEp)가 생성되도록 결정될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 명백하다 할 것이다.
도1은 종래 기술에 따른 온도 정보 감지 장치를 나타내는 구성도,
도2는 도1의 ADC를 나타내는 구성도,
도3은 본 발명의 일실시예에 따른 온도 정보 감지 장치를 나타내는 구성도,
도4는 온도정보전압(VTEMP)의 변화에 따른 셀프 리프레시 동작 주기의 변화를 예시적으로 설명하는 그래프,
도5는 셀프 리프레시 동작 주기 제어를 위해 필요한 기준전압(VREFA_TS, VREFB_TS, VREFC_TS) 및 상기 기준전압의 트리밍을 위해 필요한 트리밍 전압(VTRIM_TS)과 온도정보전압(VTEMP)간의 관계를 나타내는 그래프,
도6은 도3에 도시된 기준전압생성수단을 나타내는 회로도,
도7은 도3에 도시된 전압비교수단을 나타내는 회로도,
도8은 집적회로의 고온 테스트 모드에서 트리밍 전압(VTRIM_TS)과 온도정보전압(VTEMP)의 비교 결과에 따른 퓨즈 컷 코드의 생성을 설명하기 위한 그래프,
도9는 도3에 도시된 펄스생성수단을 나타내는 회로도,
도10은 펄스생성수단의 동작을 설명하는 타이밍도이다.

Claims (28)

  1. 삭제
  2. 셀프 리프레시 인에이블제어신호에 응답하여 서로 다른 레벨의 기준전압을 다수 생성하는 기준전압생성수단;
    집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 전압비교수단; 및
    셀프 리프레시 발진수단에 의해 생성되는 발진 클럭에 기초하여 상기 전압비교수단이 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 동작하도록 제어하는 인에이블제어신호를 생성하는 펄스생성수단
    을 포함하는 온도 정보 감지 장치.
  3. 삭제
  4. 셀프 리프레시 인에이블제어신호에 응답하여 서로 다른 레벨의 기준전압을 다수 생성하는 기준전압생성수단; 및
    집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 전압비교수단을 포함하고,
    상기 기준전압생성수단은
    제1전압을 다운 컨버팅하여 다수의 전압을 출력하는 다운컨버터부;
    상기 다운컨버터부로부터 출력되는 다수의 전압의 일부로서 상기 다수의 기준전압을 선택하는 선택부; 및
    상기 다운컨버터부로부터 출력되는 다수의 전압으로부터 선택되는 상기 다수의 기준전압의 트리밍을 통해 상기 다수의 기준전압 선택을 제어하는 조정부를 포함하는 온도 정보 감지 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 조정부는
    다수의 퓨즈 회로로 구성되는
    온도 정보 감지 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 조정부는
    퓨즈 컷 코드에 기초한 퓨즈 컷을 통해 상기 다수의 기준전압이 트리밍되도록 하는
    온도 정보 감지 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 전압비교수단은
    상기 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하는 다수의 비교기
    를 포함하는 온도 정보 감지 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 다수의 비교기 중 적어도 어느 하나는
    상기 다수의 기준전압 중에서 상기 퓨즈 컷 코드 확인을 위한 기준전압과 상기 온도정보전압을 비교하는
    온도 정보 감지 장치.
  9. 삭제
  10. 셀프 리프레시 인에이블제어신호에 응답하여 서로 다른 레벨의 기준전압을 다수 생성하는 기준전압생성수단;
    집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 전압비교수단;
    상기 전압비교수단에 의해 생성되는 상기 다수의 결과 신호에 기초하여 셀프 리프레시 동작 주기를 제어하는 셀프 리프레시 발진수단; 및
    상기 셀프 리프레시 발진수단에 의해 생성되는 발진 클럭에 기초하여 상기 전압비교수단이 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 동작하도록 제어하는 인에이블제어신호를 생성하는 펄스생성수단
    을 포함하는 집적회로.
  11. 삭제
  12. 셀프 리프레시 인에이블제어신호에 응답하여 서로 다른 레벨의 기준전압을 다수 생성하는 기준전압생성수단;
    집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 전압비교수단; 및
    상기 전압비교수단에 의해 생성되는 상기 다수의 결과 신호에 기초하여 셀프 리프레시 동작 주기를 제어하는 셀프 리프레시 발진수단을 포함하고,
    상기 기준전압생성수단은
    제1전압을 다운 컨버팅하여 다수의 전압을 출력하는 다운컨버터부;
    상기 다운컨버터부로부터 출력되는 다수의 전압의 일부로서 상기 다수의 기준전압을 선택하는 선택부; 및
    상기 다운컨버터부로부터 출력되는 다수의 전압으로부터 선택되는 상기 다수의 기준전압의 트리밍을 통해 상기 다수의 기준전압 선택을 제어하는 조정부를 포함하는 집적회로.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 조정부는
    다수의 퓨즈 회로로 구성되는
    집적회로.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 조정부는
    퓨즈 컷 코드에 기초한 퓨즈 컷을 통해 상기 다수의 기준전압이 트리밍되도록 하는
    집적회로.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 전압비교수단은
    상기 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하는 다수의 비교기
    를 포함하는 집적회로.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 다수의 비교기 중 적어도 어느 하나는
    상기 다수의 기준전압 중에서 상기 퓨즈 컷 코드 확인을 위한 기준전압과 상기 온도정보전압을 비교하는
    집적회로.
  17. 셀프 리프레시 인에이블제어신호에 응답하여, 집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 서로 다른 레벨을 갖는 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 출력수단; 및
    셀프 리프레시 발진수단에 의해 생성되는 발진 클럭에 기초하여 상기 출력수단이 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 동작하도록 제어하는 인에이블제어신호를 생성하는 펄스생성수단
    을 포함하는 온도 정보 감지 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 출력수단은
    상기 서로 다른 레벨의 기준전압을 다수 생성하는 기준전압생성수단; 및
    상기 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 전압비교수단
    을 포함하는 온도 정보 감지 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 기준전압생성수단은
    제1전압을 다운 컨버팅하여 다수의 전압을 출력하는 다운컨버터부; 및
    상기 다운컨버터부로부터 출력되는 다수의 전압의 일부로서 상기 다수의 기준전압을 선택하는 선택부
    를 포함하는 온도 정보 감지 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 기준전압생성수단은
    상기 다운컨버터부로부터 출력되는 다수의 전압으로부터 선택되는 상기 다수의 기준전압의 트리밍을 통해 상기 다수의 기준전압 선택을 제어하는 조정부
    를 더 포함하는 온도 정보 감지 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 조정부는
    다수의 퓨즈 회로로 구성되는
    온도 정보 감지 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 조정부는
    퓨즈 컷 코드에 기초한 퓨즈 컷을 통해 상기 다수의 기준전압이 트리밍되도록 하는
    온도 정보 감지 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 전압비교수단은
    상기 온도정보전압과 상기 다수의 기준전압을 각각 비교하는 다수의 비교기
    를 포함하는 온도 정보 감지 장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 다수의 비교기 중 적어도 어느 하나는
    상기 다수의 기준전압 중에서 상기 퓨즈 컷 코드 확인을 위한 기준전압과 상기 온도정보전압을 비교하는
    온도 정보 감지 장치.
  25. 셀프 리프레시 발진수단에 의해 생성되는 발진 클럭에 기초하여 셀프 리프레시의 비동작 구간에만 인에이블되는 인에이블제어신호를 생성하는 펄스생성단계; 및
    상기 펄스생성단계에 의해 생성된 인에이블제어신호에 응답하여, 집적회로의 내부 온도를 나타내는 온도정보전압과 서로 다른 레벨을 갖는 다수의 기준전압을 각각 비교하여 셀프 리프레시의 주기를 제어하는 결과 신호를 생성하는 출력단계
    를 포함하는 온도 정보 감지 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 출력단계는
    제1전압을 다운 컨버팅하여 다수의 전압을 출력하는 다운컨버팅단계; 및
    상기 다운컨버팅단계에 의해 출력되는 다수의 전압의 일부로서 상기 다수의 기준전압을 트리밍하여 선택하는 선택단계
    를 포함하는 온도 정보 감지 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 출력단계는
    상기 다수의 기준전압 중에서 퓨즈 컷 코드 확인을 위한 기준전압과 상기 온도정보전압을 비교하는 퓨즈컷코드확인단계
    를 더 포함하는 온도 정보 감지 방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 선택단계는
    상기 퓨즈컷코드확인단계에 의해 확인되는 퓨즈 컷 코드에 기초한 퓨즈 컷을 통해 상기 다수의 기준전압을 트리밍하는
    온도 정보 감지 방법.
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