KR100940403B1 - Dome temperature control system and plasma etching system thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 에어를 분사하여 돔에 가해지는 진동을 최소로 하여 웨이퍼 위에 떨어지는 파티클을 억제함으로써 웨이퍼의 수율 저하를 방지하도록 한 돔 온도 제어 장치 및 이를 이용한 플라즈마 식각장치에 관한 것으로서, 웨이퍼가 삽입되어 공정이 진행되는 돔과, 및 상기 돔의 상부에 구성되고 에어를 분사하여 돔의 온도를 제어하는 에어 공급수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dome temperature control apparatus and a plasma etching apparatus using the same, which minimizes vibrations applied to the dome by spraying air and suppresses particles falling on the wafer, thereby preventing wafer yield. It is characterized in that it comprises a dome, and the air supply means for controlling the temperature of the dome is configured in the upper portion of the dome and the air is advanced.

에어, 온도, 노즐, 파이프 Air, temperature, nozzle, pipe

Description

돔 온도 제어 장치 및 이를 이용한 플라즈마 식각장치{Dome temperature control system and plasma etching system thereof}Dome temperature control device and plasma etching apparatus using the same

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히 파티클을 억제하여 웨이퍼의 수율 저하를 방지하도록 한 돔 온도 제어 장치 및 이를 이용한 플라즈마 식각장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a dome temperature control apparatus and a plasma etching apparatus using the same, which suppress particles to prevent a decrease in wafer yield.

일반적으로 반도체 제조설비 중 에칭(etching) 프로세스를 진행하는 식각 설비 같은 경우에는 메인(main) 프로세스가 진행되는 프로세스 챔버 상면에 프로세스 챔버의 온도를 약 80℃의 적정온도로 유지시켜주는 보조챔버로 DTCU(Dome Temp Control Unit) 챔버가 장착되도록 하고 있다. In general, in the case of an etching facility that performs an etching process among semiconductor manufacturing facilities, DTCU is an auxiliary chamber that maintains the process chamber temperature at an appropriate temperature of about 80 ° C. on the upper surface of the process chamber where the main process is performed. (Dome Temp Control Unit) The chamber is installed.

현재 사용하고 있는 DPS(Decoupled Plasma System) 장치의 돔 온도 제어 장치(Dome Temperature Control System : DTCS)는 DTCU의 상부에 설치된 8개의 램프를 이용하여 돔의 온도를 80°로 유지할 수 있게 되어 있다. The Dome Temperature Control System (DTCS) of the current Decoupled Plasma System (DPS) device is able to maintain the temperature of the dome at 80 ° by using eight lamps installed on the upper part of the DTCU.

도 1은 일반적인 돔 DPS 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a typical dome DPS device.

도 1에서와 같이, 일반적인 장치는 상부가 돔 형상을 가지고, 사이드 플로우(side flow) 방식의 인젝터(injector)를 채용한 챔버(chamber)(10)를 포함한다. 그 내부에 안착된 웨이퍼(11)의 상면에 박막을 증착하거나 이를 패터닝하는 등의 직접적 처리공정이 진행되는 밀폐된 반응용기인 챔버(10)와 상기 챔버(10) 내에서 목적하는 공정의 진행을 위한 소스 및 반응물질 등의 필요물질을 저장하고, 이를 챔버 내로 공급하는 소스 및 반응물질 공급부(20)를 포함하고 있다. As shown in FIG. 1, the general apparatus includes a chamber 10 having a dome shape at the top and employing a side flow injector. The process of the desired process in the chamber 10 and the chamber 10, which is a sealed reaction vessel in which a direct processing process such as depositing or patterning a thin film on the upper surface of the wafer 11 seated therein, is performed. It includes a source and the reactant supply unit 20 for storing the necessary materials, such as a source and the reactant for supplying it, and into the chamber.

이때 그 내부에 처리 대상물인 웨이퍼(11)가 안착되어 이를 직접 가공 처리하는 챔버(10)는 일정정도의 내용적율을 가지는 금속재질의 하부챔버와 쿼츠 등의 재질로 이루어지는 돔 형상의 상부챔버의 결합으로 그 내부에 밀폐된 공간을 정의하며, 이러한 챔버(10)의 내부 영역에는 그 상면에 안착되는 웨이퍼를 지지하고 온도를 제어하는 척(12)이 설치되어 있다. At this time, the wafer 10, which is the object to be processed, is seated therein, and the chamber 10 which directly processes the wafer 10 is coupled to a dome-shaped upper chamber made of a material such as quartz and a metal lower chamber having a certain content ratio. In order to define a space enclosed therein, the inner region of the chamber 10 is provided with a chuck 12 for supporting a wafer seated on its upper surface and controlling temperature.

또한, 상기 챔버(10)는 소스 및 반응물질 공급부(30)로부터 필요물질이 공급될 수 있도록 연결된 공급관(31)과 그 내부의 기체를 배출함으로써 압력을 제어할 수 있도록 하는 배출관(31) 및 그 말단에 부설된 펌프(50)를 포함하여 척(12)의 상면에 웨이퍼(11)가 안착되어 챔버(10)가 밀폐되면, 상기 배출관의 말단에 부설된 펌프(50) 등을 통해 챔버(10)의 내부 환경을 조절한 후, 소스 및 반응물질 공급부(30)에 일단이 연결된 공급관(31)을 통해 챔버(10) 내로 유입된 소스 및 반응물질의 화학반응으로 웨이퍼(11)를 가공 및 처리하는 것이다. In addition, the chamber 10 and the discharge pipe 31 for controlling the pressure by discharging the gas supply therein and the supply pipe 31 connected to supply the necessary material from the source and reactant supply unit 30 and its Including the pump 50 installed at the end, when the wafer 11 is seated on the upper surface of the chuck 12 and the chamber 10 is sealed, the chamber 10 is provided through the pump 50 installed at the end of the discharge pipe. After adjusting the internal environment of the wafer), the wafer 11 is processed and processed by chemical reaction of the source and the reactant introduced into the chamber 10 through the supply pipe 31 having one end connected to the source and the reactant supply unit 30. It is.

이때 전술한 소스 및 반응물질 공급부(30)를 통해 공급관(31)을 경유하여 챔버(10)의 내부로 인입되는 소스 및 반응물질을 챔버(10)의 내부 전 면적으로 고르게 확산시키기 위해서, 통상 공급관의 타단에는 여러 가지 형태의 인젝터(60)가 설치되는데, 이중에서 일반적으로 가스 링이라 불리는 사이드 플로우 방식의 인젝 터(60)는 하부 챔버와 상부 챔버의 사이에 개재되어 측벽의 일부를 이루는 링 형상을 가지고, 그 내면에 다수의 홀을 가지고 있어, 상기 다수의 홀을 통해 웨이퍼(11)의 상방 측면에서 웨이퍼(11)를 향해 소스 및 반응물질을 분사하게 된다. In this case, in order to evenly spread the source and the reactant introduced into the chamber 10 through the supply pipe 31 through the source and reactant supply unit 30 described above to the entire inner surface of the chamber 10, Various types of injectors 60 are installed at the other end of the insulator, among which a side flow injector 60 generally called a gas ring is interposed between the lower chamber and the upper chamber to form part of the sidewall. It has a plurality of holes on the inner surface, and the source and the reactant are injected toward the wafer 11 from the upper side of the wafer 11 through the plurality of holes.

한편, 상기 챔버(10)의 내부에는 소스 및 반응물질의 용이한 화학반응을 유도하기 위하여 다수의 히팅장치가 내장되는데, 상기 히팅장치는 하부챔버의 측벽 및 저면과 사이드 플로우 방식의 인젝터(60) 내부에 설치되는 것이 일반적이다. Meanwhile, a plurality of heating devices are built in the chamber 10 to induce an easy chemical reaction of a source and a reactant, and the heating device has sidewalls and bottom surfaces of the lower chamber and side injector 60. It is usually installed inside.

이에 전술한 웨이퍼의 처리 가공공정 중이나 또는 완료된 후 가열된 챔버(10)를 냉각하기 위한 냉각장치가 부설하여 상기 냉각장치는 통상 냉각용매를 순환시켜 목적을 달성하는 순환식 냉각장치가 사용된다. Accordingly, a cooling device for cooling the heated chamber 10 is installed during or after the above-described wafer processing and processing, and the cooling device typically uses a circulating cooling device for circulating a cooling solvent to achieve the object.

즉, 일반적인 반도체 제조용 챔버에 부설되는 냉각장치는 냉각용매를 저장하는 냉각용매 저장부와 상기 냉각용매 저장부에 일단과 타단이 각각 연결된 상태에서 챔버의 측벽 및 사이드 플로우 방식의 인젝터 내부에 매설되어 그 내부로 냉각용매가 순환하는 냉각용매 순환관과 이러한 냉각용매의 순환을 제어하는 제어부를 포함하고 있는데, 상기 제어부(40)는 냉각용매 순환관의 일단에 장착되어 상기 냉각용매 저장부에서 냉각용매 순환관으로 유입되는 냉각용매를 단속하는 제 1 밸브(41)와 냉각용매 순환관의 타단에 장착되어 이를 통해 냉각용매 저장부로 유출되는 냉각용매를 단속하는 제 2 밸브(42)를 포함하고 있다. That is, the cooling apparatus installed in the chamber for manufacturing a semiconductor is embedded in the injector of the side wall and the side flow method of the chamber with one end and the other end respectively connected to the cooling solvent storage unit for storing the cooling solvent and the cooling solvent storage unit. And a control unit for controlling the circulation of the cooling solvent and a cooling solvent circulation tube through which the cooling solvent circulates. The control unit 40 is mounted at one end of the cooling solvent circulation tube to circulate the cooling solvent in the cooling solvent storage unit. It includes a first valve 41 for regulating the cooling solvent flowing into the pipe and a second valve 42 mounted to the other end of the cooling solvent circulation pipe to control the cooling solvent flowing out to the cooling solvent storage.

도 2a는 종래 기술에 의한 DPS의 돔 온도 제어 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이며, 도 2b는 종래 기술의 문제점을 설명하기 위한 도면이다. Figure 2a is a schematic view showing a dome temperature control device of the DPS according to the prior art, Figure 2b is a view for explaining the problems of the prior art.

도 2a에 도시된 바와 같이, 돔 온도 제어 장치(70)는 돔(71)의 온도를 유지 하기 위해 팬 쿨링(fan cooling)(72)을 이용하여 냉각을 시켜주고 있다. As shown in FIG. 2A, the dome temperature control device 70 cools using a fan cooling 72 to maintain the temperature of the dome 71.

도 2b에 도시된 바와 같이, 종래에는 팬 구동 방식이다 보니 팬 회전시 진동이 발생되어 돔에 증착되어 있는 폴리머(polymer)(73)가 진동에 의해 아래로 떨어져 아래에 위치한 웨이퍼(wafer)에 떨어져 파티클(particle)로 작용 웨이퍼의 수율을 저하시키는 결과를 가져온다. As shown in FIG. 2B, in the conventional fan driving method, vibration is generated when the fan is rotated, and the polymer 73 deposited on the dome falls down by the vibration and falls on a wafer located below. Particles result in lowering the yield of the working wafer.

또한, 기계적인 회전부가 장착되어 있기 때문에 주기적으로 구동부를 점검하거나 혹은 구동시의 문제등으로 인해 장비다운(down)이 발생될 가능성이 높다. In addition, since the mechanical rotary part is mounted, it is highly likely that equipment down occurs due to periodic inspection or driving problems.

또한, 돔(71)의 내벽에 특정 부분에만 폴리머(71)가 증착(Deposition)됨을 알 수 있다. In addition, it can be seen that the polymer 71 is deposited only on a specific portion of the inner wall of the dome 71.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 공기를 분사하여 돔에 가해지는 진동을 최소로 하여 웨이퍼 위에 떨어지는 파티클을 억제함으로써 웨이퍼의 수율 저하를 방지하도록 한 돔 온도 제어 장치 및 이를 이용한 플라즈마 식각장치를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the problems of the prior art as described above is to minimize the vibration applied to the dome by spraying air to suppress particles falling on the wafer to prevent the yield of the wafer to reduce the yield and using the same It is an object of the present invention to provide a plasma etching apparatus.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 돔 온도 제어 장치는 웨이퍼가 삽입되어 공정이 진행되는 돔과, 및 상기 돔의 상부에 구성되고 에어를 분사하여 돔의 온도를 제어하는 에어 공급수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다. The dome temperature control apparatus according to the present invention for achieving the above object comprises a dome in which a wafer is inserted and the process proceeds, and an air supply means configured to control the temperature of the dome by injecting air on the top of the dome. Characterized in that configured to include.

또한, 본 발명에 의한 플라즈마 식각장치는 돔의 상측에 설치되는 하우징과, 상기 하우징의 내부에 설치되어 공정 가스를 플라즈마화 하는 알에프 파워 코일과, 상기 알에프 파워 코일의 상측으로 상기 하우징 내부에 설치되는 복수의 램프와, 및 상기 램프의 상측에 설치되고 돔 상부에 에어를 분사하여 상기 돔이 일정한 온도로 유지하도록 제어하는 에어 공급수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다. In addition, the plasma etching apparatus according to the present invention includes a housing installed above the dome, an RF power coil installed inside the housing to convert the process gas, and installed inside the housing above the RF power coil. It is characterized in that it comprises a plurality of lamps, and the air supply means is installed on the upper side of the lamp to control the air to spray the upper portion of the dome to maintain the dome at a constant temperature.

본 발명에 의한 돔 온도 제어 장치 및 이를 이용한 플라즈마 식각장치는 다음과 같은 효과가 있다. The dome temperature control apparatus and the plasma etching apparatus using the same according to the present invention have the following effects.

즉, 에어 쿨링 방식을 채택하여 진동을 최소로 하여 진동에 의한 폴리머가 웨이퍼 위에 떨어지는 것을 방지함으로써 웨이퍼 수율 감소를 최소로 함과 동시에 밴츄리 효과를 이용한 에어 쿨링 방식으로 최소의 에어 공급으로 최대의 쿨링 효과를 얻을 수 있다. In other words, by adopting the air cooling method, the vibration is minimized to prevent the polymer from falling on the wafer, thereby minimizing the wafer yield reduction and the air cooling method using the bantry effect. The effect can be obtained.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 돔 온도 제어 장치 및 이를 이용한 플라즈마 식각장치를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a dome temperature control apparatus and a plasma etching apparatus using the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 의한 돔 온도 제어 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다. 3 is a configuration diagram schematically showing a dome temperature control device according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 내부로 웨이퍼가 삽입되어 공정이 이루어지는 돔(110)과, 상기 돔(110) 상부에 구성되고, 에어를 분사하여 상기 돔(110)의 온도를 제어하는 에어 공급수단(120)을 포함하여 구성되어 있다. As shown in FIG. 3, the air supply means for controlling the temperature of the dome 110 is formed on the dome 110 and the dome 110 is formed on the dome 110, the wafer is inserted into the process, the upper portion of the dome 110, the injection process. It comprises 120.

여기서, 상기 에어 공급수단(120)은 에어 분사노즐(121)을 바로 돔(110) 위로 위치하지 않고 에어 플로우(air flow)가 원활히 될 수 있도록 위가 오픈(open)된 파이프(pipe)(122)를 설치한다. Here, the air supply means 120 is not positioned directly above the dome 110, the air injection nozzle 121 is open (pipe) open (pipe) 122 so that the air flow (air flow) smoothly (122) Install).

상기 파이프(122) 내부에 에어 분사노즐(121)을 설치 분사구를 아래로 위치하게 하여 에어 분사노즐(121)을 통해 에어가 공급될 때 파이프(122) 윗부분에서 밴츄리 효과가 발생될 수 있도록 하여 에어 플로우를 최대로 하여 쿨링을 극대화 하게 한다. The air injection nozzle 121 is installed inside the pipe 122 so that the air outlet nozzle is positioned downward so that a banchu effect can be generated in the upper portion of the pipe 122 when air is supplied through the air injection nozzle 121. Maximize airflow with maximum airflow.

또한, 상기 에어 분사노즐(121) 중 일측 끝단이 상기 파이프(122)의 양측면을 관통하는 부분은 분사구가 아래 방향을 향하도록 일정한 각도로 꺾어진 구조로 되어 있다. 그 이유는 상기 돔(110)이 있는 방향으로 꺾어짐으로부터 최소한 에어로 쿨링 효과를 극대화시킬 수 있다. In addition, a portion of one end of the air injection nozzle 121 penetrating both sides of the pipe 122 has a structure bent at a predetermined angle so that the injection port is directed downward. The reason is to maximize the aero cooling effect at least from the bending in the direction of the dome 110.

또한, 상기 파이프(122)의　양측 끝단은 오픈되어 있는데, 그 이유는 쿨링 효과를 극대화하기 위해서이다. 즉, 벤츄리 효과를 얻기 위하여 돔(110) 상부에 직접 에어 분사노즐(121)을 구비하지 않고 상부와 하부가 오픈된 파이프(122)를 간접적으로 이용하여 에어 분사노즐(121)로부터 에어가 분사되면 상기 파이프(122) 아래쪽에서 에어가 돔(110) 상부에 분출되게 된다. In addition, both ends of the pipe 122 are open, for the purpose of maximizing the cooling effect. That is, when the air is injected from the air injection nozzle 121 by indirectly using the pipe 122 having the upper and lower portions open without the air injection nozzle 121 directly on the dome 110 in order to obtain the Venturi effect. Air is blown out above the dome 110 below the pipe 122.

본 발명은 종래와 같이 기계식 팬 쿨링이 아닌 에어 쿨링의 수직 강하 플로우 방식으로서, 파이프(122) 설치를 이용한 에어 분사구 적용하고, 상기 에어 분사구를 이용한 다운 스트림 에어 플로우 방식이다. The present invention is a vertical drop flow method of air cooling rather than mechanical fan cooling as in the prior art, and is applied to an air injection hole using a pipe 122 installation, and is a downstream air flow method using the air injection hole.

또한, 공급되는 에어 압력을 극대화 할 수 있는 벤츄리(Venturi) 효과를 적용함으로써 베르누이의 정리를 이용한 벤추리 효과 적용으로 공급 압력 효과를 극대화할 수 있고, 벤튜리 효과를 이용한 다운 스트림 에어 플로우 방식이다. In addition, by applying the Venturi (Venturi) effect to maximize the supplied air pressure can be maximized the supply pressure effect by applying the Venturi effect using Bernoulli's theorem, it is a downstream air flow method using the Venturi effect.

또한, 파이프(122)의 양측에 설치된 에어 분사노즐(121)을 통한 분사방식으로서, 에어 분사노즐(121)을 통한 에어 플로우 방식이고, 상기 에어 플로우를 극대화 하기 위한 벤튜리 효과를 접목한 방식이다. In addition, the injection method through the air injection nozzle 121 is installed on both sides of the pipe 122, the air flow through the air injection nozzle 121, a method incorporating the Venturi effect to maximize the air flow. .

따라서 본 발명의 돔 온도 제어 장치는 세라믹 돔(110)에 증착되어 있는 폴리머가 자칫 외부 진동에 의해 웨이퍼 위로 떨어질 경우 파티클로 작용될 가능성이 높기 때문에 쿨링 팬보다는 진동이 거의 없는 일반 대기를 분사하여 진동을 최소로 하여 폴리머가 웨이퍼 위에 떨어지는 파티클을 억제하여 웨이퍼 수율 저하를 방지하기 위한 것이다. Therefore, the dome temperature control device of the present invention vibrates by spraying a general atmosphere with little vibration than a cooling fan because the polymer deposited on the ceramic dome 110 is likely to act as particles when falling on the wafer due to external vibration. This is to minimize the particles falling on the wafer to minimize the wafer yield is to prevent.

도 4는 본 발명에 의한 돔 온도 제어 장치의 동작을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for schematically explaining the operation of the dome temperature control apparatus according to the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 수직 강하 방식으로 분사되는 에어에 의해 돔(110)에 가해지는 진동을 최소로 하여 진동에 의한 폴리머의 낙하를 방지할 수 있고, 상기 에어의 공급 압력을 적절하게 조정하여 쿨링 효과를 극대화시킬 수 있다. As shown in FIG. 4, the vibration applied to the dome 110 by the air injected in the vertical dropping method can be minimized to prevent the polymer from falling due to the vibration, and the supply pressure of the air can be appropriately adjusted. It can maximize the cooling effect.

도 5는 본 발명의 돔 온도 제어 장치를 적용한 플라즈마 식각장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다. 5 is a schematic view showing a plasma etching apparatus to which the dome temperature control apparatus of the present invention is applied.

통상적으로 플라즈마 식각 장비는 공정 챔버를 구비하는데, 이 공정 챔버의 내부에는 웨이퍼를 탑재하며 하부 전극으로 기능하는 정전척(ESC: Electro Static Chuck)이 설치되고, 상기 공정 챔버의 상측에는 투명한 세라믹 돔이 설치되며, 돔의 상측에는 돔 온도 조절 유닛이 설치된다. Typically, plasma etching equipment includes a process chamber, in which a wafer is mounted and an electrostatic chuck (ESC) serving as a lower electrode is installed, and a transparent ceramic dome is provided on the upper side of the process chamber. The dome temperature control unit is installed above the dome.

즉, 본 발명의 돔 온도 제어 장치를 갖는 플라즈마 식각장치는 도 5에 도시한 바와 같이, 식각 반응이 일어나는 내부 공간과 상기 내부 공간에 반도체 기판이 놓이는 전극을 포함하는 챔버(도시되지 않음), 상기 챔버의 천장을 이루는 세라믹 돔(110)의 상측에 설치되는 하우징(112)과, 상기 하우징(112)의 내부에 설치되어 공정 가스를 플라즈마화 하는 알에프 파워 코일(RF Power Coil)(114)과, 상기 알에프 파워 코일(114)의 상측으로 상기 하우징(112) 내부에 설치되는 복수의 램프(116)와, 상기 램프(116)의 상측으로 커버(118)의 내측에 설치되어 돔(110) 상부에 에어를 분사하여 상기 돔(110)이 일정한 온도로 유지하도록 제어하는 에어 공급수단(120)을 포함하여 구성된다. That is, the plasma etching apparatus having the dome temperature control apparatus of the present invention, as shown in Figure 5, a chamber (not shown) including an internal space in which the etching reaction takes place and the electrode on which the semiconductor substrate is placed in the internal space, A housing 112 installed above the ceramic dome 110 forming the ceiling of the chamber, an RF power coil 114 installed inside the housing 112 to convert the process gas into plasma; A plurality of lamps 116 installed inside the housing 112 above the RF power coil 114, and installed inside the cover 118 above the lamp 116 and above the dome 110. It is configured to include an air supply means 120 for spraying air to control the dome 110 to maintain a constant temperature.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.

도 1은 일반적인 돔 DPS 장치를 나타내는 개략적인 구성도 1 is a schematic diagram showing a typical dome DPS device

도 2a는 종래 기술에 의한 DPS의 돔 온도 제어 장치를 개략적으로 나타낸 구성도 Figure 2a is a schematic diagram showing a dome temperature control device of the DPS according to the prior art

도 2b는 종래 기술의 문제점을 설명하기 위한 도면 Figure 2b is a view for explaining the problems of the prior art

도 3은 본 발명에 의한 돔 온도 제어 장치를 개략적으로 나타낸 구성도 Figure 3 is a schematic view showing a dome temperature control apparatus according to the present invention

도 4는 본 발명에 의한 돔 온도 제어 장치의 동작을 개략적으로 설명하기 위한 도면 4 is a view for schematically explaining the operation of the dome temperature control apparatus according to the present invention;

도 5는 본 발명의 돔 온도 제어 장치를 적용한 플라즈마 식각장치를 개략적으로 나타낸 구성도 5 is a schematic view showing a plasma etching apparatus to which the dome temperature control apparatus of the present invention is applied;

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 Explanation of symbols for the main parts of the drawings

110 : 돔　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 120 : 에어 공급수단 110: dome # 120: air supply means

121 : 에어 분사노즐　　　　　　　　　　　　　　　 122 : 파이프 121: air injection nozzle 122: pipe

Claims (6)

웨이퍼가 삽입되어 공정이 진행되는 돔; 그리고 상기 돔 상부에 구성되는 파이프와 상기 파이프 양측을 관통하여 에어를 분사하는 에어 분사노즐을 구비하여 돔의 온도를 제어하는 에어 공급수단;을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 돔 온도 제어 장치. A dome into which the wafer is inserted and the process proceeds; And an air supply means configured to control a temperature of the dome by including a pipe disposed above the dome and an air injection nozzle for injecting air through both sides of the pipe. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 파이프는 상하가 오픈되어 있는 것을 특징으로 하는 돔 온도 제어 장치. The dome temperature control device according to claim 1, wherein the pipe is open at the top and bottom. 제 1 항에 있어서, 상기 에어 분사노즐은 상기 파이프 내부로 삽입된 끝 부분이 아래로 꺾어져 있는 것을 특징으로 하는 돔 온도 제어 장치. The dome temperature control device according to claim 1, wherein the air injection nozzle has an end portion inserted into the pipe bent downward. 제 1 항에 있어서, 상기 에어를 수직 강하 플로우 방식으로 분사하는 것을 특징으로 돔 온도 제어 장치. 2. The dome temperature control device according to claim 1, wherein the air is injected in a vertical drop flow method. 삭제delete
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