KR100936476B1 - 대면적 x선 검출장치의 제조방법 - Google Patents

대면적 x선 검출장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100936476B1
KR100936476B1 KR1020080016092A KR20080016092A KR100936476B1 KR 100936476 B1 KR100936476 B1 KR 100936476B1 KR 1020080016092 A KR1020080016092 A KR 1020080016092A KR 20080016092 A KR20080016092 A KR 20080016092A KR 100936476 B1 KR100936476 B1 KR 100936476B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
panel
scintillator
liquid adhesive
manufacturing
tft panel
Prior art date
Application number
KR1020080016092A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090090700A (ko
Inventor
김일경
정헌용
송현진
Original Assignee
주식회사바텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사바텍 filed Critical 주식회사바텍
Priority to KR1020080016092A priority Critical patent/KR100936476B1/ko
Publication of KR20090090700A publication Critical patent/KR20090090700A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100936476B1 publication Critical patent/KR100936476B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B42/00Obtaining records using waves other than optical waves; Visualisation of such records by using optical means
    • G03B42/02Obtaining records using waves other than optical waves; Visualisation of such records by using optical means using X-rays
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2002Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/115Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

본 발명은 대면적 X선 검출장치의 제조 방법에 있어서, TFT 패널과 신틸레이터 패널을 합착할 때, 상기 TFT 패널의 접착하고자 하는 표면을 하부 방향으로 향하게 하고 상기 표면에 롤러를 이용하여 액상 접착체를 도포하여 상기 TFT 패널의 표면에 도포되는 액상 접착체의 두께가 균일해지도록 하는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법에 관한 것이다.
대면적 X선 검출장치, 액상 접착체, 롤러, TFT 패널, 신틸레이터 패널

Description

대면적 X선 검출장치의 제조방법{Method for fabricating large area x-ray detector}
본 발명은 대면적 X선 검출장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 센서 패널과 신틸레이터 패널을 균일하게 접착시키는 대면적 X선 검출장치의 제조방법에 관한 것이다.
엑스선 촬영 장치는 의료분야 또는 산업분야에서 다양한 형태로 사용되는 장치로, 엑스선을 피검사체에 조사하고, 상기 피검사체를 투과한 엑스선을 X선 검출장치로 획득하여 영상화하는 장치이다.
이때, 상기 엑스선 촬영 장치는 엑스선 소오스 및 X선 검출장치를 구비할 수 있는데, 상기 엑스선 소오스는 엑스선을 발생시켜 상기 피검사체에 조사하는 역할을 하고, 상기 X선 검출장치로는 피검사체를 투과한 엑스선을 감지하여 전기적 신호로 출력하여 디스플레이 장치에서 영상으로 출력할 수 있도록 한다.
따라서, 상기 X선 검출장치는 엑스선 촬영 장치의 핵심적인 장치로, 상기 X 선 검출장치의 성능에 따라 상기 엑스선 촬영 장치에서 출력되는 영상의 질을 좌우하게 된다.
도 1은 종래 기술에 의한 X선 검출장치를 제조하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 1을 참조하여 설명하면, 가시광선을 전기신호로 변환하는 포토다이오드가 구비된 표면이 상부 방향으로 위치하도록 TFT 패널(110)을 위치시킨 후 디스팬서(120)를 이용하여 접착제를 상기 TFT 패널(110)의 표면 상에 도포한다.
이어서, 상기 접착제가 도포된 TFT 패널(110) 상에 신틸레이터 패널(140)을 합착한다.
이어서, 상기 신틸레이터 패널(140)의 가장 자리에 실런트(150)를 도포한다.
상기와 같은 공정 순서로 TFT 패널(110) 및 신틸레이터 패널(140)을 합착한 후 상기 두 패널(110,140)을 케이스와 조립하여 X선 검출장치를 완성하게 된다.
그러나 종래의 TFT 패널과 신틸레이터 패널을 합착하는 공정에서 디스팬서를 이용하여 접착제를 도포함으로써 상기 접착제의 두께가 일정하지 않아 상기 TFT 패널과 신틸레이터 패널 사이의 간격이 일정해지지 않는 문제가 발생할 수 있는 단점이 있다.
또한, 상기 TFT 패널과 신틸레이터 패널을 합착하는 과정에서 상기 TFT 패널과 신틸레이터 패널 사이에 기포가 발생할 수 있는 문제가 발생할 수 있는 단점이 있다.
더욱이 대면적의 신틸레이터 패널이나 TFT 패널을 접합할 경우에는 이를 제 조할 수 있는 제조장치의 구성이 어려우며, 신틸레이터 패널의 크기가 크기 때문에 발생하는 수많은 공정상의 어려움이 있었다.
이러한 어려움은 치아나 악궁 등의 이미지를 획득하는 구강센서와 같은 소면적 X선 검출장치를 제조하는데에는 큰 문제가 되지 않지만, 흉부나 두부 및 경부 등과 같은 광범위한 부분의 이미지를 획득하는 대면적 X선 검출장치를 제조하는데에는 큰 문제로 작용하게 된다.
이로 인해, 신틸레이터 패널과 TFT 패널을 균일하게 접합시키는 기술이나 기포의 함유를 줄일 수 있는 기술에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 대면적의 X선 검출장치를 제조함에 있어서, 중력, TFT 패널의 일 표면의 표면 에너지 및 액상 접착체의 점도를 이용하여 일정 두께로 TFT 패널 표면에 액상 접착제를 도포하고, 롤러를 이용하여 TFT 패널과 신틸레이터 패널을 합착함으로써 종래의 문제점들을 해결할 수 있는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 X선을 검출하여 이미지를 획득하는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법에 있어서, 가시광선을 전기신호로 변환하는 포토다이오드가 구비되어 있는 센서 패널의 일 표면이 하부 방향으로 향하도록 위치시키는 단계; 상기 센서 패널 하부에 위치하고, 액상 접착제가 담긴 배스에 일정 부분 잠기는 제1롤러를 준비하는 단계; 상기 센서 패널을 수평 방향으로 이동시키는 동시에 상기 제1롤러를 회전시켜 상기 센서 패널의 일 표면의 일 측부터 타 측까지 상기 액상 접착제층을 도포하는 단계; 상기 센서 패널의 일 표면에 상기 액상 접착제층의 도포가 완료된 후 상기 센서 패널의 일 표면 상에 신틸레이터 패널을 위치시키는 단계; 및 상기 신틸레이터 패널의 일 측부터 타 측까지 제2롤러로 압착하여 상기 센서 패널의 일 표면과 상기 신틸레이터 패널을 합착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법에 의해 달성된다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 일 표면이 하부 방향으로 향하도록 센서 패널을 위치시키는 단계는 상기 센서 패널의 타 표면을 지지 테이블로 진공 흡착하여 위치시키는 단계이다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 진공 챔버 내부에서 이루어지는 것이 바람직하다.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 액상 접착제층의 두께는 10 내지 40㎛인 것이 바람직하다.
바람직한 실시 예에 있어서, 상기 센서 패널의 가로 및 세로의 길이는 각각 8 내지 20 인치(inch)이고, 상기 신틸레이터 패널의 가로 및 세로의 길이는 각각 8 내지 20 인치이다. 또한, 상기 제조 방법은 상기 센서 패널의 가로 및 세로의 길이가 각각 20 인치 이상이고, 상기 신틸레이터 패널의 가로 및 세로의 길이도 각각 20인치 이상인 초대형 X선 검출장치를 제조하는데에도 적용될 수 있다.
바람직한 실시 예에 있어서, 상기 센서 패널과 상기 신틸레이터 패널의 가로×세로의 길이는 8×8 인치, 10×12 인치 및 17×17 인치 중 어느 하나이다.
본 발명의 대면적 X선 검출장치의 제조 방법은 TFT 패널과 신틸레이터 패널을 합착하는 액상 접착제를 중력과 TFT 패널의 일 표면의 표면 에너지 및 액상 접착체의 점도를 이용하여 도포함으로써 균일한 두께로 도포할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 대면적 X선 검출장치의 제조 방법은 신틸레이터 패널을 부 착함에 있어 롤러를 사용하여 합착함으로써 TFT 패널과 신틸레이터 패널 사이에 기포가 발생되지 않는 효과가 있다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
가시 광선 신호를 전기신호로 변환하는 수단으로 다양한 수단을 이용할 수 있지만 TFT를 이용하는 것이 일반적이므로, 본 발명에서는 센서 패널로서 TFT 패널을 이용하여 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 대면적 X선 검출장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 2a를 참조하여 설명하면, 우선 TFT 패널(210) 및 신틸레이터 패널(220)을 준비한다.
이때, 상기 TFT 패널(210)은 일 표면상에 가시광선을 전기신호로 변환시켜 주는 포토다이오드를 구비하고 있다.
일반적으로 상기 TFT 패널(210)은 도에서 자세히 도시되어 않지만 복 수개의 픽셀로 이루어져 있고, 각각의 픽셀들 내에는 포토다이오드 및 박막트랜지스트를 구비하고 있어 입사되는 가시광선을 검출하여 전기신호로 변화하는 역할을 한다.
상기 신틸레이터 패널(220)은 도에서 자세히 도시되어 있지 않지만, 알루미늄 플레이트 및 상기 알루미늄 플레이트 상에 구비된 신틸레이터층을 포함하고 있어 외부에서 입사되는 엑스선을 상기 포토다이오드가 검출할 수 있는 광선, 즉, 가시광선으로 변환시키는 역할을 하게 된다.
이때, 상기 신틸레이터층은 외부에서 입사되는 엑스선을 가시광선으로 변환시키는 역할을 하게 되는 CsI 등과 같은 물질로 이루어져 있다.
그리고 상기 알루미늄 플레이트는 상기 신틸레이터층을 증착하는 패널으로의 기능, 지지하는 기능 및 상기 신틸레이터층에서 변환된 가시광선이 상기 TFT 패널(210) 방향으로 유도되도록 하는 반사판으로서의 기능도 하게 된다.
여기서, 상기 TFT 패널(140)은 가로의 길이가 8 내지 20 인치(inch)이고, 가로의 길이도 8 내지 20 인치인 대면적 TFT 패널을 이용하였다. 또한, 상기 신틸레이터 패널(130) 역시 가로 및 세로의 길이가 모두 8 내지 20 인치인 대면적 신틸레이터 패널을 이용하였다.
즉, 본 발명은 가로 및 세로의 길이가 각각 20 인치 이상인 센서패널과, 가로 및 세로의 길이도 각각 20인치 이상인 신틸레이터 패널을 이용하여 접합함으로써 초대형 X선 검출장치를 제조할 수 있 수 있다. 한편, 바람직한 실시예로서 상기 센서 패널과 상기 신틸레이터 패널의 가로×세로의 길이가 8×8 인치, 10×12 인치 또는 17×17 인치인 대면적 X선 검출장치를 제조할 수 있다.
한편, 상기 TFT 패널(210)은 다수 개의 홀을 구비하여 패널을 진공 흡착할 수 있는 지지 테이블(310)에 의해 타 표면이 흡착되어 위치한다.
이때, 상기 TFT 패널(210)이 상기 지지 테이블(310)에 흡착될 때에는 상기 포토다이오드가 구비된 표면이 하부 방향으로 향하도록 한다. 즉, 상기 TFT 패널(210)의 양 표면 중, 상기 지지 테이블(310)에 흡착되는 표면은 포토다이오드가 구비되지 않은 표면이다.
상기 TFT 패널(210)이 흡착된 지지 테이블(310)의 하부에는 액상 접착제(230)이 담긴 배스(320)를 준비시킨다.
이때, 상기 배스(320)에 담긴 액상 접착제(230)에 일정 부분이 잠기는 제1롤러(330)를 준비시킨다.
도 2 b를 참조하여 설명하면, 상기 TFT 패널(210)이 진공 흡착된 지지 테이블(310)을 도에서 보는 바와 같이 일정 방향으로 이동시키는 동시에 상기 제1롤러(330)를 회전시켜 상기 배스(320)에 담긴 액상 접착제(230)를 TFT 패널(210)의 일 표면에 도포시킨다.
이때, 상기 TFT 패널(210)과 제1롤러(330)가 인접하는 접점 위치에서 상기 TFT 패널(210)의 이동 방향과 상기 제1롤러(330)의 회전 방향이 서로 반대 방향이 되도록 상기 제1롤러(330)를 회전시키거나 상기 TFT 패널(210)을 이동시키는 것이 바람직한데, 이는 상기 액상 접착제(230)가 상기 TFT 패널(210)의 일 표면에 잘 도포될 수 있게 하기 위해서이다.
한편, 도 2b에서는 상기 액상 접착제(230)가 상기 TFT 패널(210)의 전체 면을 도포하는 것이 아니라 일측 끝단에서 일정 간격 이격된 후부터 도포하기 시작하 는 것으로 도시하고 있으나 상기 TFT 패널(210)의 전면에 도포하여도 무방하다.
도 2b에서와 같이 도포하기 위해서는 상기 TFT 패널(210)을 이동시키는 지지 테이블(310)이 수직과 수평 방향 모두를 움직이도록 하면 가능하다. 즉, 상기 TFT 패널(210)을 수평 방향으로 이동시키는 동시에 수직 방향으로는 상기 제1롤러(330)의 표면에 존재하는 액상 접착제(230)가 상기 TFT 패널(210)에 도포되는 위치까지 이동시키는 순간을 정함에 따라 상기 TFT 패널(210)의 일 표면에 액상 접착층이 도포되는 면적이 달라지게 된다.
이때, 상기 TFT 패널(210)의 일 표면 상에 도포된 액상 접착제층(235)은 중력, 상기 TFT 패널(210)의 표면 에너지 및 상기 액상 접착제(230)의 점도에 의해 일정한 두께를 가지게 된다.
즉, 상기 제1롤러(330)에 의해 상기 TFT 패널(210)의 일 표면에 도포된 액상 접착제층(235)은 상기 TFT 패널(210)의 일 표면이 하부 방향으로 놓여 있기 때문에 중력을 영향을 받게 된다. 이때, 상기 액상 접착제층(235)은 상기 액체 접착제(230)의 점도 및 상기 TFT 패널(210)의 일 표면의 표면 에너지에 의해 표면 장력이 발생하게 된다.
따라서, 상기 TFT 패널(210)의 일 표면에 형성되는 액상 접착제층(235)의 두께는 중력, 상기 TFT 패널(210)의 일 표면의 표면 에너지 및 상기 액상 접착제(230)의 점도가 균형을 이루는 두께로 도포된다.
이때, 상기 중력은 일반적인 방법으로는 변화시킬 수 없으나, 상기 TFT 패널(210)의 일 표면의 표면 에너지와 액상 접착제(230)의 점도는 변화시킬 수 있음 으로 상기 TFT 패널(210)의 일 표면의 표면 에너지와 액상 접착체(230)의 점도를 변화시켜 상기 액상 접착제층(235)의 두께를 제어할 수 있다.
이때, 상기 액상 접착제층(235)의 두께는 10 내지 40㎛인 것이 바람직하다.
도 2c 및 도 2d를 참조하여 설명하면, 상기 TFT 패널(210)의 일 표면에 접착제층(235)을 도포하는 공정이 완료된 후, 상기 TFT 패널(210) 상에 신틸레이터 패널(220)을 합착하는 공정을 진행한다.
상기 도 2b을 참조하여 설명한 상기 TFT 패널(210)에 잡착제층(235)을 도포하는 공정을 완료한 후 이동된 상태에서 신틸레이터 패널(220)을 합착하는 공정을 진행한다. 물론 접착제층(235)을 도포하는 공정과 신틸레이터 패널(220)을 합착하는 공정 사이에 상기 접착제층(235)이 균일한 두께를 가지도록 일정 시간을 유지하는 공정을 포함하여도 무방하다.
도에 도시되어 있는 바와 같이 상기 TFT 패널(210)의 일 표면 상에 도포된 접착제층(235)의 일측 끝단에 맞추어 신틸레이터 패널(220)의 일측 끝단을 위치시키고, 그 위에 제2롤러(340)을 위치시켜 상기 신틸레이터 패널(220)의 일측 끝단에 압력을 가한다.
이때, 상기 신틸레이터 패널(220)은 일측 끝단이 상기 제2롤러(340)에 의해 공정되어 있어 타측 끝단은 중력에 의해 자연스럽게 늘어지게 된다.
이어서, 상기 TFT 패널(210)을 진공 흡착하고 있는 지지 테이블(310)을 일정 방향으로 이동시키면서 상기 제2롤러(340)를 회전시키면서 상기 신틸레이터 패널(220)을 상기 TFT 패널(210)에 압착시켜 합착시킨다.
이때, 상기 제2롤러(340)의 회전 방향은 상기 TFT 패널(210)과 신틸레이터 패널(220)이 접촉하는 지점에서 볼 때, 상기 TFT 패널(210)의 이동 방향과 동일한 방향으로 회전시키는 것이 바람직하다.
상기 제2롤러(340)가 상기 신틸레이터 패널(220)의 일측 끝단으로부터 타측 끝단으로 압착함으로 상기 TFT 패널(210)과 신틸레이터 패널(220) 사이는 완전히 밀착되어 상기 TFT 패널(210)과 신틸레이터 패널(220) 사이(정확하게는 상기 TFT 패널(210)과 액상 접착제층(235) 사이, 상기 액상 접착제층(235)과 신틸레이터 패널(220) 사이 및 상기 액상 접착체층(235) 내부)에 기포가 발생하거나 존재하지 않게 된다.
따라서, 상기 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명한 액상 접착제(230) 도포 공정, 신틸레이터 패널(230)을 완료한 후 상기 지지 테이블(310)에 진공 흡착되어 있는 TFT 패널(210) 및 신틸레이터 패널(220)을 탈착하게 되면 도 2d에 도시된 바와 같이 액상 접착제(235)에 의해 합착되어 있는 TFT 패널(210) 및 신틸레이터 패널(220)을 완성하게 된다.
이때, 도에서는 도시하고 있지 않지만, 상기 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 설명한 공정들은 진공 챔버 내부에서 이루어질 수 있다.
이때, 상기 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 설명한 모든 공정들은 하나의 진공 챔버 내에서 진행할 수도 있다.
또한, 상기 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 TFT 패널(210)의 일 표면 상에 액상 접착제층(235)을 형성하는 액상 접착제 도포 공정과 상기 도 2c를 참조하 여 설명한 TFT 패널(210)에 신틸레이터 패널(220)을 합착하는 신틸레이터 패널 합착 공정을 각각 다른 진공 챔버, 즉 제1진공 챔버 및 제2진공 챔버에서 각각 진행할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 대면적 X선 검출장치의 제조 방법에 따라 제조된 TFT 패널 및 신틸레이터 패널을 구비한 대면적 X선 검출장치를 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하여 설명하면, 대면적 X선 검출장치(400)는 상기 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명한 공정들로 합착된 TFT 패널(210) 및 신틸레이터 패널(220)을 구비하고 있다.
이때, 상기 TFT 패널(210) 및 신틸레이터 패널(220)의 측면에 구비된 실런트(410)는 상기 TFT 패널(210) 및 신틸레이터 패널(220) 합착 공정 이후에 상기 실런트(410)를 상기 TFT 패널(210) 및 신틸레이터 패널(220)의 측면에 도포하고 열 또는 자외선으로 경화시킴으로써 형성할 수 있다.
그리고 상기 TFT 패널(210) 및 신틸레이터 패널(220)을 후면 케이스(422) 및 전면 케이스(424)로 이루어진 외부 케이스(420)와 조립하고, 상기 전면 케이스(424)의 오픈 영역을 덮는 카본블랙 플레이트(430)를 조립하여 대면적 X선 검출장치를 완료할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 대면적 X선 검출장치의 조 방법에 따라 제조된 TFT 패널 및 신틸레이터 패널을 구비한 대면적 X선 검출장치는 상기 TFT 패널과 신틸레이터 패널을 합착하는 액상 접착제를 중력, TFT 패널의 일 표면의 표 면 에너지 및 액상 접착체의 점도를 이용하여 균일하게 도포함으로써 균일한 두께를 갖는 액상 접착제층을 구비한 대면적 X선 검출장치를 획득하게 하고, TFT 패널의 일 표면에 신틸레이터 패널을 부착함에 있어 중력으로 상기 신틸레이터 패널을 자연스럽게 늘어뜰린 후 롤러를 사용하여 합착함으로써 TFT 패널과 신틸레이터 패널 사이에 기포가 발생되지 않거나 제거된 대면적 X선 검출장치를 획득하게 한다.
본 발명의 실시예에 따른 X선 검출장치의 제조방법에 의해 제조된 대면적 X선 검출장치는 치과용 장비 예를 들면, 파노라마 장치, CT 장치 및 세팔로 장치 등 다양한 장비에 응용될 수 있을 뿐만 아니라, 흉부 X선 촬영장치나 맘모 장치 등과 의료용 장비에도 다양하게 적용될 수 있다.
특히, 17×17 인치의 대면적 X선 검출장치를 이용할 경우, 17×17 인치의 신틸레이터 패널과 17×17 인치의 센서 패널을 각각 4장씩 붙여 사용하면 초대형 X선 검출장치를 제조할 수도 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
도 1은 종래 기술에 의한 X선 검출장치를 제조하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 대면적 X선 검출장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 대면적 X선 검출장치의 제조 방법에 따라 제조된 TFT 패널 및 신틸레이터 패널을 구비한 대면적 X선 검출장치를 도시한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
210 : TFT 패널 220 : 신틸레이터 패널
230 : 액상 접착제 310 : 지지 테이블
320 : 배스 330 : 제1롤러
340 : 제2롤러

Claims (6)

  1. X선을 검출하여 이미지를 획득하는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법에 있어서,
    가시광선을 전기신호로 변환하는 포토다이오드가 구비되어 있는 센서 패널의 일 표면이 하부 방향으로 향하도록 위치시키는 단계;
    상기 센서 패널 하부에 위치하고, 액상 접착제가 담긴 배스에 일정 부분 잠기는 제1롤러를 준비하는 단계;
    상기 센서 패널을 수평 방향으로 이동시키는 동시에 상기 제1롤러를 회전시켜 상기 센서 패널의 일 표면의 일 측부터 타 측까지 상기 액상 접착제층을 도포하는 단계;
    상기 센서 패널의 일 표면에 상기 액상 접착제층의 도포가 완료된 후 상기 센서 패널의 일 표면 상에 신틸레이터 패널을 위치시키는 단계; 및
    상기 신틸레이터 패널의 일 측부터 타 측까지 제2롤러로 압착하여 상기 센서 패널의 일 표면과 상기 신틸레이터 패널을 합착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 일 표면이 하부 방향으로 향하도록 센서 패널을 위치시키는 단계는 상 기 센서 패널의 타 표면을 지지 테이블로 진공 흡착하여 위치시키는 단계임을 특징으로 하는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제조 방법은 진공 챔버 내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 액상 접착제층의 두께는 10 내지 40㎛인 것을 특징으로 하는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 패널의 가로 및 세로의 길이는 각각 8 내지 20 인치(inch)이고, 상기 신틸레이터 패널의 가로 및 세로의 길이는 각각 8 내지 20 인치인 것을 특징으로 하는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 센서 패널과 상기 신틸레이터 패널의 가로×세로의 길이는 8×8 인치, 10×12 인치 및 17×17 인치 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 대면적 X선 검출장치의 제조 방법.
KR1020080016092A 2008-02-22 2008-02-22 대면적 x선 검출장치의 제조방법 KR100936476B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080016092A KR100936476B1 (ko) 2008-02-22 2008-02-22 대면적 x선 검출장치의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080016092A KR100936476B1 (ko) 2008-02-22 2008-02-22 대면적 x선 검출장치의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090090700A KR20090090700A (ko) 2009-08-26
KR100936476B1 true KR100936476B1 (ko) 2010-01-13

Family

ID=41208451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080016092A KR100936476B1 (ko) 2008-02-22 2008-02-22 대면적 x선 검출장치의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100936476B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004095820A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Canon Inc シンチレータ、放射線撮像装置、その製造方法、及び放射線撮像システム
JP2006030213A (ja) 2005-08-30 2006-02-02 Canon Inc 光電変換装置の製造方法
JP2006052984A (ja) 2004-08-10 2006-02-23 Canon Inc 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム
JP2006052986A (ja) 2004-08-10 2006-02-23 Canon Inc 放射線検出装置とその製造方法および放射線撮像システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004095820A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Canon Inc シンチレータ、放射線撮像装置、その製造方法、及び放射線撮像システム
JP2006052984A (ja) 2004-08-10 2006-02-23 Canon Inc 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム
JP2006052986A (ja) 2004-08-10 2006-02-23 Canon Inc 放射線検出装置とその製造方法および放射線撮像システム
JP2006030213A (ja) 2005-08-30 2006-02-02 Canon Inc 光電変換装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090090700A (ko) 2009-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100982504B1 (ko) 입체 화상 표시 장치 및 그 제조 방법
US20070051896A1 (en) Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system
JP2009011466A (ja) 放射線画像撮影装置
CN104488038B (zh) 闪烁器面板及放射线检测器
JPH09230054A (ja) 放射線検出装置及びその製造方法
TW201606382A (zh) 光學膜黏貼位置測定裝置
US10345455B2 (en) Radiation detection apparatus, radiation imaging system, and method of manufacturing radiation detection apparatus
KR100936476B1 (ko) 대면적 x선 검출장치의 제조방법
JP6601590B1 (ja) 放射線検出器の製造方法および放射線検出器の製造装置
KR100994837B1 (ko) 대면적 디지털 센서를 구비한 맘모그래피
KR100964654B1 (ko) 대면적 x선 검출장치 및 그의 제조방법
JP2017203695A (ja) 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP2006052978A5 (ko)
JP2015057589A (ja) 放射線画像検出装置の製造方法
WO2017212789A1 (ja) 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
KR100964653B1 (ko) 광 테이프를 이용한 대면적 x선 검출장치의 제조 방법
KR100978616B1 (ko) 대면적 x선 검출장치
JP2015155799A (ja) シンチレータ、放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム
KR100923100B1 (ko) 패턴마스크를 이용한 대면적 x선 검출장치의 제조 방법
KR100988576B1 (ko) 의료용 엑스선 시티 촬영장치
KR100964655B1 (ko) 대면적 x선 검출장치의 제조방법
CN220031222U (zh) 高度调节式的x射线探测器贴合设备
KR20100105271A (ko) 대면적 엑스선 이미지 센서 제작 방법
KR20090098596A (ko) 기판 라미네이팅 장치 및 이를 이용한 합착 방법
CN216871908U (zh) 具有水平调节模组的x射线探测器贴合设备

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130107

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140106

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150105

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160105

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170106

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180108

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200106

Year of fee payment: 11