KR100932168B1 - 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

예비실과 처리실과의 압력차를 저감하고, 압력차에 기인하는 가스가 급격한 유동을 억제함으로써 기판의 파티클 오염을 방지하는 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법을 제공한다.
기판처리장치는, 기판을 처리하는 처리실과, 처리실에 인접하는 예비실과, 처리실과 예비실과의 사이를 개폐하는 개체과, 처리실 내를 배기하는 제1 배기라인과, 예비실 내를 배기하는 제2 배기라인과, 처리실 내의 절대압력치를 검출하는 제1 압력검출기와, 예비실 내의 절대압력치를 검출하는 제2 압력검출기와, 처리실과 상기 예비실과의 압력차를 검출하는 차압검출기와, 예비실 내의 압력이 설정된 제1 설정압력치가 되도록 상기 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 예비실 내의 압력을 조정하는 제1 압력조정부와, 처리실 내의 압력이 제2 설정압력치가 되도록 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 제2 압력조정부와, 차압검출기가 검출하는 상기 예비실과 상기 처리실과의 압력차를 토대로 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 설정압력치 갱신부를 구비한다.
Figure R1020070097250
기판, 처리실, 예비실, 압력조정부, 차압검출기

Description

기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법{Substrate Treatment Apparatus and Manufacturing Method for Semiconductor Device}
본 발명은, 반도체 소자(device) 등의 기판을 처리하기 위한 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
이러한 종류의 기판처리장치로서는, 반응실(처리실)이나 로드록실(Loadlock, 예비실) 등 인접하는 복수의 기밀실을 갖고, 이들 기밀실 간을 폐색수단에 의하여 개폐하는 것이 알려져 있다. 예컨대, 인접하는 2개의 기밀실의 압력차가 소정치 이하로 되었을 때 인접하는 2개의 기밀실을 연통(連通)함으로써, 한쪽의 기밀실과 다른 쪽의 기밀실과의 압력차에 기인하는 가스의 급격한 유동을 억제하고, 발진(發塵)을 방지하는 것이 공지되어 있다(예컨대 일본특허공개번호 1994-177060).
그러나, 상기 종래 발명에 있어서는, 로드록실과 반응실과의 압력차를 조정하기 위해, 로드록실과 반응실을 연통하는 연락관(連絡管)에 설치된 밸브를 열었기 때문에, 처리실측의 파티클(particle)이 로드록실 내에 들어 갈 우려가 있다. 로드록실 내에 파티클이 들어가면, 처리 전 및 처리 후 기판 상에 파티클이 부착되는 경우가 있고, 이를 막기 위해서도 로드록실 내를 세정하지 않으면 안 된다. 그러나, 로드록실은 일단 설치하면, 기판처리장치로부터의 부착 및 분리가 곤란하고, 또한, 사람 손으로 닦아내는 작업에서는 많은 노력과 시간을 허비함과 동시에 세정 작업에서도 얼룩이 생기는 문제가 있었다.
본 발명은, 상기 문제를 해소하여, 처리실과 예비실과의 압력차에 기인한 가스의 급격한 유동을 억제하고, 기판 상에 파티클이 부착되는 것을 방지하는 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원의 제1 발명은, 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 인접하는 예비실과, 상기 처리실과 상기 예비실과의 사이를 개폐하는 개체(蓋體)와, 상기 처리실 내를 배기하는 제1 배기라인과, 상기 예비실 내를 배기하는 제2 배기라인과, 상기 처리실 내의 절대압력치를 검출하는 제1 압력검출기와, 상기 예비실 내의 절대압력치를 검출하는 제2 압력검출기와, 상기 처리실과 상기 예비실과의 압력차를 검출하는 차압검출기(差壓檢出器)와, 상기 예비실 내의 압력이 설정된 제1 설정압력 치가 되도록 상기 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 바탕으로 상기 예비실 내의 압력을 조정하는 제1 압력조정부와, 상기 처리실 내의 압력이 제2 설정압력치가 되도록 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 바탕으로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 제2 압력조정부와, 상기차압검출기가 검출하는 상기 예비실과 상기 처리실과의 압력차를 바탕으로 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 설정압력치 갱신부를 구비하는 기판처리장치이다.
제 2발명은, 제 1발명에 있어서, 상기 제1 배기라인에 설치되어 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 압력조정변과, 상기 제2 배기라인에 설치되는 개폐변과, 상기 제1 배기라인 및 상기 제2 배기라인에 접속되고 상기 압력조정변 및 상기 개폐변의 하류측에 배치되는 배기펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제 3발명은, 제 1발명에 있어서, 상기 제1 압력조정부는, 상기 개체를 열기에 앞서, 상기 개폐변을 열어 상기 배기펌프에 의하여 상기 제2 배기라인으로부터 배기하고, 상기 제2 압력검출기가 검출하는 압력치가 상기 제1 설정압력치에 도달하면 상기 개폐변이 닫히도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제 4발명은, 제 1발명에 있어서, 상기 제2 압력조정부는, 상기 개체를 열기에 앞서, 상기 압력조정변을 열어, 상기 배기펌프에 의하여 상기 제1 배기라인으로부터 배기하고, 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치가 상기 제2 설정압력치를 유지하도록 상기 압력조정변을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제 5발명은, 제 1발명에 있어서, 상기 설정압력 갱신부는, 상기 개체를 열기 에 앞서, 상기 제2 압력검출기가 검출하는 압력치가 상기 제1 설정압력치가 되고, 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치가 상기 제2 설정압력치가 되었을 때, 상기 차압검출기가 검출하는 압력차를 상기 제2 설정압력치에 가산 또는 감산하여, 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제 6발명은, 제 1발명에 있어서, 상기 제2 압력조정부는, 상기 설정압력 갱신부에 의하여 상기 제2 설정압력치가 갱신된 때에는, 갱신된 설정압력치을 토대로 상기 압력조정변을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제 7발명은, 제 1발명에 있어서, 상기 처리실에 가스를 공급하는 처리실 내 가스공급부와, 상기 예비실에 가스를 공급하는 예비실 내 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제 8발명은, 제 1발명에 있어서, 상기 제1 설정압력치 및 상기 제2 설정압력치는 부압인 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제 9발명은, 제 1발명에 있어서, 상기 제1 설정압력치 및 상기 제2 설정압력치는 거의 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제 10발명은, 제 9발명에 있어서, 상기 제2 압력조정부는, PID 연산을 하여, 압력조정변이 열린 정도를 조정할 수 있도록 소정시간마다 갱신된 상기 제2 설정압력치를 다시 갱신하고, 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제 11발명은, 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 인접하는 예비실과, 상기 처리실과 상기 예비실과의 사이를 개폐하는 개체와, 상기 처리실 내의 절대압 력치를 검출하는 제1 압력검출기와, 상기 예비실 내의 절대압력치를 검출하는 제2 압력검출기와, 상기 처리실과 상기 예비실과의 압력차를 검출하는 차압검출기와, 상기 예비실 내의 압력이 설정된 제1 설정압력치가 되도록 상기 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 예비실 내의 압력을 조정하는 제1 압력조정부와, 상기 처리실 내의 압력이 설정된 제2 설정압력치가 되도록 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 제2 압력조정부와, 상기 차압검출기가 검출하는 상기 예비실과 상기 처리실과의 압력차를 토대로 상기 제1 설정압력치를 갱신하는 설정압력치 갱신부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치이다.
제 12발명은, 제 1발명에 기재된 기판처리장치를 사용하여 처리하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 설정압력 갱신부에 의하여 상기 차압검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 공정과, 상기 처리실과 상기 예비실과의 사이를 개폐하는 개체를 여는 공정과, 기판을 상기 처리실 내로 반입하는 공정과, 상기 처리실 내에서 기판을 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법이다.
제 13발명은, 제 11발명에 기재된 기판처리장치를 사용하여 처리하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 설정압력 갱신부에 의하여 상기 차압검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 공정과, 상기 처리실과 상기 예비실과의 사이를 개폐하는 개체를 여는 공정과, 기판을 상기 처리실 내로 반입하는 공정과, 상기 처리실 내에서 기판을 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징 으로 하는 반도체장치의 제조방법이다.
제 14발명은, 제 1발명에 기재된 기판처리장치를 사용하여 처리하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 제1 압력조정부에 의하여 상기 예비실의 압력이 상기 제1 설정압력치가 되도록 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 제2 배기라인으로부터 상기 예비실을 배기함으로써 상기 예비실 내의 압력을 조정하는 공정과, 상기 제2 압력조정부에 의하여 상기 처리실 내의 압력이 상기 제2 설정압력치가 되도록 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 제1 배기라인으로부터 상기 처리실 내를 배기함으로써 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 공정과, 상기 설정압력 갱신부에 의하여 상기 차압검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 공정과, 상기 처리실과 상기 예비실과의 문을 개폐할 개체를 여는 공정과, 기판을 상기 처리실 내로 반입하는 공정과, 상기 처리실 내에서 기판을 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법이다.
본 발명에 의하면, 설정압력 갱신부에 의하여 차압검출기가 검출하는 예비실과 처리실과의 압력차를 바탕으로 제2 설정압력치가 갱신되어, 예비실과 처리실과의 압력차가 저감되기 때문에, 해당 압력차에 기인하는 가스의 급격한 유동을 억제하고, 이로써 기판의 파티클 오염을 방지할 수가 있다.
본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 있어서, 기판처리장치(100)는, 한 예로서, 반도체장치(IC)의 제조방법에 있어서 처리공정을 실시하는 반도체제조장치로서 구성되어 있다. 이하의 설명에서는, 기판처리장치(100)로서 기판에 산화, 확산처리 또는 CVD 처리 등을 하는 종형의 장치(이하, 단지 처리장치라고 함)를 적용한 경우에 관하여 기술한다. 도 1은, 본 발명에 적용되는 기판처리장치(100)의 평면투시도로이다. 또한, 도 2는 도 1에 나타나 있는 기판처리장치(100)의 측면투시도이다.
도 1 및 2에 나타나 있는 바와 같이, 실리콘 등으로 되어 있는 웨이퍼(기판)(200)를 수납한 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)로서 후프[FOUP(Front Opening Unified Pod), 기판수용기로서 이하 포드(pod)라고 한다](110)가 사용되고 있는 본 발명의 기판처리장치(100)는, 광체(111)를 구비하고 있다. 광체(111) 정면벽(111a)의 정면 전방부에는 유지보수(maintenance)가 가능하도록 설치된 개구부로서 정면 메인터넌스구(103)가 개설되고, 이 정면 메인터넌스구(103)를 개폐하는 정면 메인터넌스문(104), (104)이 각각 설치되어 있다.
광체(111)의 정면벽(111a)에는 포드 반입반출구(기판수용기 반입반출구)(112)가 광체(111)의 내외를 연통하도록 개설되어 있고, 포드 반입반출구(112)는 프론트 셔터(front shutter：기판수용기 반입반출구 개폐기구)(113)에 의하여 개폐되도록 되어 있다. 포드 반입반출구(112)의 정면 전방측에는 로드포트(Load port：기판수용기수수대)(114)가 설치되어 있고, 로드포트(114)는 포드(110)를 재치(載置)하고 위치를 맞추도록 구성되어 있다. 포드(110)는 로드포트(114) 상에 공정 내 반송장치(도시하지 않음)에 의하여 반입되며, 또한, 로드포트(114) 상에서 반출되 도록 되어 있다.
광체(111) 내의 전후 방향 실질적으로 중앙부에 있어서 상부에는, 회전식 포드선반(기판수용기 재치선반)(105)이 설치되어 있고, 회전식 포드선반(105)은 복수개의 포드(110)를 보관하도록 구성되어 있다. 즉, 회전식 포드선반(105)은 수직으로 설치되고 수평면 내에서 간헐 회전되는 지주(116)와, 지주(116)에 상하 4단의 각 위치에 있어서 방사상으로 지지된 복수 매의 선반판(기판수용기 재치대)(117)을 구비하고 있으며, 복수 매의 선반판(117)은 포드(110)를 복수 개씩 각각 재치한 상태에서 보지하도록 구성되어 있다.
광체(111) 내에 있어서 로드포트(114)와 회전식 포드선반(105)과의 사이에는, 포드 반송장치(기판수용기 반송장치)(118)가 설치되어 있고, 포드 반송장치(118)는, 포드(110)를 보지한 채로 승강할 수 있는 포드 엘리베이터(기판수용기 승강기구)(118a)와 반송기구로서의 포드 반송기구(기판수용기 반송기구)(118b)로 구성되어 있고, 포드 반송장치(118)는 포드 엘리베이터(118a)와 포드 반송기구(118b)와의 연속동작에 의하여, 로드포트(114), 회전식 포드선반(105), 포드오프너(기판수용기 개체개폐기구)(121)와의 사이에서, 포드(110)를 반송하도록 구성되어 있다.
광체(111) 내의 전후 방향의 실질적으로 중앙부에 있어서 하부에는, 서브 광체(119)가 후단에 걸쳐 구축되어 있다. 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에는 웨이퍼(200)를 서브 광체(119) 내에 대하여 반입반출하기 위한 반입반출구(기판 반입반출구)(120)가 한 쌍, 수직방향으로 상하 2단으로 정렬되어 개설(開設)되어 있고, 상하단의 반입반출구(120),(120)에는 한 쌍의 포드오프너(121), (121)가 각각 설치되어 있다.
포드오프너(121)는 포드(110)를 재치하는 재치대(122),(122)와, 포드(110)의 캡(개체)을 착탈하는 캡 착탈기구(개체 착탈기구)(123),(123)를 구비하고 있다. 포드오프너(121)는 재치대(122)에 재치된 포드(110)의 캡을 캡 착탈기구(123)에 의하여 착탈함으로써, 포드(110)의 웨이퍼 출입구를 개폐하도록 구성되어 있다.
서브 광체(119)는 포드 반송장치(118)나 회전식 포드선반(105)의 설치공간과 유체적으로 격절된 이재실(124)을 구성하고 있다. 이재실(124)의 앞쪽 영역에는 이재기구(기판 이재기구)(125)가 설치되어 있고, 이재기구(125)는, 웨이퍼(200)를 수평방향으로 회전 내지 직동(直動)가능한 이재장치(기판이재장치)(125a) 및 이재장치(125a)를 승강시키기 위한 웨이퍼 이재장치 엘리베이터(기판 이재장치 승강기구)(125b)로 구성되어 있다. 이들, 이재장치 엘리베이터(125b) 및 이재장치(125a)의 연속동작에 의하여, 웨이퍼 이재장치(125a)의 트위저(tweezer：기판보지체)(125c)를 웨이퍼(200)의 재치부로 하여, 보트(기판보지구)(217)에 대하여 웨이퍼(200)를 장전(charging) 및 탈장(discharge)하도록 구성되어 있다.
도 1에 나타나 있는 것과 같이 이재실(124)의 웨이퍼 이재장치 엘리베이터(125b) 측과 반대 측인 오른쪽 단부에는, 청정화한 분위기 또는 불활성가스인 클린 에어(clean air)(133)를 공급하도록 공급 팬 및 방진필터로 구성된 클린 유닛(134)이 설치되어 있고, 웨이퍼 이재장치(125a)와 클린 유닛(134)과의 사이에는, 웨이퍼의 원주방향의 위치를 매칭(정합)시키는 기판정합장치로서의 노치(notch) 맞 춤장치(135)가 설치되어 있다.
클린 유닛(134)으로부터 취출(吹出)된 클린 에어(133)는, 노치 맞춤장치(135) 및 웨이퍼 이재장치(125a)를 유통한 후에, 그림에 표시하지 않는 덕트(duct)에 의하여 흡입되고, 광체(111)의 외부로 배기되든지 또는 클린 유닛(134)의 흡입 측인 1차측(공급측)까지 순환되어, 다시 클린 유닛(134)에 의하여, 이재실(124) 내에 불어지도록 구성되어 있다.
이재실(124)의 뒤쪽 영역에는, 대기압 미만의 압력[이하, 부압(負壓)이라고 한다]을 유지할 수 있는 기밀성능을 갖는 광체(이하, 내압 광체라고 한다)(140)가 설치되어 있고, 이 내압 광체(140)에 의하여 보트(boat)(217)를 수용할 수 있는 용적을 갖는 로드록 방식의 예비실인 로드록실(141)이 형성되어 있다.
내압 광체(140)의 정면벽(140a)에는 반입반출개구(기판 반입반출개구)(142)가 개설되어 있고, 반입반출개구(142)는 게이트(기판 반입반출구개폐기구)(143)에 의하여 개폐되도록 되어 있다. 내압 광체(140)의 한 쌍의 측벽에는 후술하는 제2 가스 공급라인(282)과 제2 배기라인(270)이 각각 접속되어 있다. 로드록실(141) 위쪽에는, 로드록실(141)에 인접하는 처리로(202)가 설치되어 있다. 처리로(202)의 하단부는 처리로(202)와 로드록실(141)과의 사이를 개폐하는 개체로서의 노구(爐口) 게이트밸브(노구 개폐기구)(147)에 의하여 개폐되도록 구성되어 있다. 내압 광체(140)의 정면벽(140a)의 상단부에는, 노구 게이트밸브(147)를 처리로(202)의 하단부의 개방 시에 수용하는 노구 게이트밸브 커버(그림 생략)가 부착되어 있다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 내압 광체(140)에는 보트(217)를 승강시키기 위한 보트 엘리베이터(기판보지구 승강기구)(115)가 설치되어 있다. 보트 엘리베이터(115)에 연결된 연결구로서의 암(128)에는 처리로(202)와 로드록실(141)과의 사이를 개폐하는 개체로서의 실캡(seal cap)(219)이 수평으로 설치되어 있고, 실캡(219)은 보트(217)를 수직으로 지지하며, 처리로(202)의 하단부를 폐색할 수 있도록 구성되어 있다. 보트(217)는 복수 본의 보지부재를 구비하고 있고, 복수 매(예컨대, 50장-125장 정도)의 웨이퍼(200)를 그 중심을 가지런히 하여 수직방향으로 정렬시킨 상태에서, 각기 수평으로 보지하도록 구성되어 있다.
다음에, 본 발명의 처리장치의 동작에 대하여 설명한다.
도 1 및 2에 나타나 있는 바와 같이, 포드(110)가 로드포트(114)에 공급되면, 포드 반입반출구(112)가 프론트 셔터(113)에 의하여 개방되고, 로드포트(114)위의 포드(110)는 포드 반송장치(118)에 의하여 광체(111) 내부로 포드 반입반출구(112)로부터 반입된다.
반입된 포드(110)는 회전식 포드선반(105)의 지정된 선반판(117)으로 포드 반송장치(118)에 의하여 자동적으로 반송되어 넘겨지고, 일시적으로 보관된 후, 선반판(117)으로부터 한 쪽의 포드오프너(121)로 반송되어 재치대(122)에 이재되거나, 또는 직접 포드오프너(121)로 반송되어 재치대(122)로 이재된다. 이때, 포드오프너(121)의 웨이퍼 반입반출구(120)는 캡 착탈기구(123)에 의하여 닫혀져 있고, 이재실(124)에는 클린 에어(133)가 유통되어 충만되어 있다. 예컨대, 이재실(124)에는 클린 에어(133)로서 질소가스가 충만됨으로써 산소농도가 약 20ppm 이하로 되어, 광체(111)의 내부(대기 분위기)의 산소농도보다 훨씬 낮게 설정되어 있다.
재치대(122)에 재치된 포드(110)는, 그 개구측 단면(端面)이 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에서 웨이퍼 반입반출구(120)의 개구 연변부(緣邊部)에 밀어 붙여짐과 동시에, 캡이 캡 착탈기구(123)에 의하여 떼어져 포드(110)의 웨이퍼 출입구가 개방된다. 또한, 미리 내부가 대기압 상태로 되어 있던 로드록실(141)의 웨이퍼 반입반출개구(142)가 게이트(143)의 동작에 의하여 개방되면, 웨이퍼(200)는 포드(110)로부터 이재장치(125a)의 트위저(125c)에 의하여 출입구를 통해 픽업되고, 노치 맞춤장치(135)에서 웨이퍼를 정합한 후, 반입반출개구(142)를 통해 로드록실(141)로 반입되고, 보트(217)에 이재되어 장전(wafer charging)된다. 보트(217)에 웨이퍼(200)를 받아넘긴 웨이퍼 이재장치(125a)는 포드(110)로 되돌아가, 다음 포드(110)를 보트(217)에 장전한다.
한 쪽(상단 또는 하단)의 포드오프너(121)에 있어서 웨이퍼 이재장치(125)에 의한 웨이퍼의 보트(217)로의 장전작업 중에, 다른 쪽(하단 또는 상단)의 포드오프너(121)에는 회전식 포드선반(105) 내지 로드포트(114)로부터 별도의 포드(110)가 포드 반송장치(118)에 의하여 반송되고, 포드오프너(121)에 의한 포드(110)의 개방작업이 동시에 진행된다.
미리 지정된 매수의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전되면, 반입반출개구(142)가 게이트(143)에 의하여 닫혀지고, 로드록실(141)은 배기관(145)으로부터 진공배기 되어 감압된다. 후술하는 동압화 공정에 의해, 로드록실(141)과 처리로(202) 내의 압력이 감압 하에서 동압화 되면, 처리로(202)의 하단부가 노구 게이트밸브(147)에 의하여 개방된다. 이때, 노구 게이트밸브(147)는 노구 게이트밸브 커버(그림 생략)의 내부로 반입되어 수용된다. 뒤어어, 실캡(219)이 보트 엘리베이터(115)의 승강대(161)에 의하여 상승되고, 실캡(219)에 지지된 보트(217)가 처리로(202) 내로 반입(loading)되어 간다.
로딩 후에는, 처리로(202)에서 웨이퍼(200)에 임의의 처리가 실시된다.
처리 후에는, 후술하는 동압화 공정에 의하여, 처리로(202) 내의 압력과 로드록실(141)과의 압력과가 감압 하에서 동압화 되면, 보트 엘리베이터(115)에 의하여 보트(217)가 인출되고, 다시, 로드록실(140) 내부를 대기압으로 복압(復壓)시킨 뒤 게이트(143)가 열린다. 그 후는, 노치 맞춤장치(135)에서의 정합공정을 제외하고, 이미 상술한 것과 반대의 순서로, 웨이퍼(200) 및 포드(110)를 광체(111)의 외부로 내보낸다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에서 가장 적합하게 사용되는 기판처리장치(100)의 처리로(202)의 개략구성도로서, 도 1의 a-a선 단면도로서 나타나 있다.
도 3에 나타나 있는 바와 같이, 처리로(202)는 가열기구로서의 히터(206)를 갖는다. 히터(206)는 원통형상으로서, 보지판으로서의 히터 베이스(251)에 지지됨으로써 수직으로 설치되어 있다.
히터(206)의 안쪽에는, 히터(206)와 동심원상으로 프로세스 튜브(process tube)(203)가 배설(配設)되어 있다. 프로세스 튜브(203)는 내부 반응관으로서의 이너 튜브(inner tube)(204)와, 그 바깥쪽에 설치된 외부 반응관으로서의 아우터 튜 브(outer tube)(205)로 구성되어 있다. 이너 튜브(204)는, 예컨대 석영(SiO2) 또는 탄화실리콘(SiC) 등의 내열성재료로 되어 있고, 상단 및 하단이 개구한 원통형상으로 형성되어 있다. 이너 튜브(204) 중공부에는 기판을 처리하는 처리실(201)이 형성되어 있고, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 후술하는 보트(217)에 의해 수평자세로 수직방향으로 다단 정렬된 상태로 수용할 수 있도록 구성되어 있다. 아우터 튜브(205)는, 예컨대 석영 또는 탄화실리콘 등의 내열성 재료로 이루어지고, 내경이 이너 튜브(204)의 외경보다 크고 상단이 폐색되고 하단이 개구한 원통형상으로 형성되어 있고, 이너 튜브(204)와 동심원상으로 설치되어 있다.
아우터 튜브(205)의 아래쪽에는, 아우터 튜브(205)와 동심원상으로 매니폴드(manifold)(209)가 배설되어 있다. 매니폴드(209)는, 예컨대 스테인리스 등으로 이루어지고, 상단 및 하단이 개구한 원통형상으로 형성되어 있다. 매니폴드(209)는, 이너 튜브(204)와 아우터 튜브(205)에 계합(係合)되고 있으며, 이들을 지지하도록 설치되어 있다. 매니폴드(209)와 아우터 튜브(205)와의 사이에는 실(seal) 부품으로서의 O링(O-ring)(220a)이 설치되어 있다. 매니폴드(209)가 히터 베이스(251)에 지지됨으로써, 프로세스 튜브(203)는 수직으로 설치된 상태로 되어 있다. 프로세스 튜브(203)와 매니폴드(209)에 의하여 반응용기가 형성된다.
후술하는 실캡(219)에는 노즐(nozzle)(230)이 처리실(201) 내에 연통하도록 접속되어 있고, 노즐(230)에는 처리실(201) 내에 가스를 공급하는 처리실 내 가스 공급부로서의 제1 가스 공급라인(232)이 접속되어 있다. 제1 가스공급라인(232)의 노즐(230)과의 접속측과 반대측인 상류측에는, 가스 유량제어기로서의 제1 MFC(mass flow controller)(241)를 개재하여 도시하지 않는 처리가스 공급원이나 불활성가스 공급원이 접속되어 있다. 제1 MFC(241)에는, 가스 유량제어부(가스유량 컨트롤러)(235)가 전기적으로 접속되어 있고, 공급하는 가스의 유량이 원하는 양이 되도록 원하는 타이밍으로 제어하도록 구성되어 있다.
매니폴드(209)에는, 처리실(201) 내의 분위기를 배기하는 제1 배기라인(231)이 설치되어 있다. 제1 배기라인(231)은, 이너 튜브(204)와 아우터 튜브(205)와의 간격에 의하여 형성되는 통상공간(250) 하단부에 배치되어 있고, 통상공간(250)에 연통하고 있다. 제1 배기라인(231)의 매니폴드(209)와의 접속측과 반대측인 하류측에는 처리실(201) 내의 절대압력치를 검출하는 제1 압력검출기로서의 제1 압력센서(245) 및 압력조정장치로서의 압력조정변(242)을 개재하여 배기장치로서의 배기펌프(246)가 접속되어 있고, 처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력(진공도)이 되도록 진공 배기할 수 있도록 구성되어 있다. 압력조정변(242) 및 제1 압력센서(245)에는, 압력제어부(압력 컨트롤러)(236)가 전기적으로 접속되어 있으며, 압력제어부(236)는 제1 압력센서(245)에 의하여 검출된 압력을 바탕으로 압력조정변(242)에 의하여 처리실(201) 내의 압력이 원하는 압력으로 되도록 원하는 타이밍으로 제어하도록 구성되어 있다.
매니폴드(209)의 아래쪽에는, 매니폴드(209)의 하단 개구를 기밀하게 폐색할 수 있는 노구 개체로서의 실캡(219)이 설치되어 있다. 실캡(219)은 매니폴드(209)의 하단에 수직방향으로 아래쪽으로부터 당접(當接)되도록 되어 있다. 실캡(219)은 예컨대 스테인리스 등의 금속으로 이루어지고, 원반상으로 형성되어 있다. 실캡(219)의 윗면에는 매니폴드(209)의 하단과 당접하는 실(seal) 부재(部材)로서의 O링(220b)이 설치된다. 실캡(219)의 처리실(201)과 반대측에는, 보트를 회전시키는 회전기구(254)가 설치되어 있다. 회전기구(254)의 회전축(255)은 실캡(219)을 관통하여, 후술하는 보트(217)에 접속되어 있고, 보트(217)를 회전시킴으로써 웨이퍼(200)를 회전시키도록 구성되어 있다. 실캡(219)은 프로세스 튜브(203)의 외부에 수직으로 설비된 승강기구로서의 보트 엘리베이터(115)에 의하여 수직방향으로 승강되도록 구성되어 있고, 이에 의하여 보트(217)를 처리실(201)에 대하여 반입반출할 수 있도록 되어 있다. 회전기구(254) 및 보트 엘리베이터(115)에는, 구동제어부(구동 컨트롤러)(237)가 전기적으로 접속되어 있고, 원하는 동작을 하도록 원하는 타이밍으로 제어하도록 구성되어 있다.
기판보지구로서의 보트(217)는, 예컨대 석영이나 탄화규소 등의 내열성재료로 구성되고, 복수 매의 웨이퍼(200)를 수평자세이며 또한 서로 중심을 가지런히 한 상태로 정렬되어 다단으로 보지하도록 구성되어 있다. 보트(217)의 하부에는, 예컨대 석영이나 탄화규소 등의 내열성재료로 이루어지는 원판형상을 한 단열부재로서의 단열판(216)이 수평자세로 다단으로 복수 매 배치되어 있고, 히터(206)로부터의 열이 매니폴드(209) 측에 전해지지 않도록 구성되어 있다.
프로세스 튜브(203) 내에는, 온도검출기로서의 온도센서(263)가 설치되어 있다. 히터(206)와 온도센서(263)에는, 전기적으로 온도제어부(238)가 접속되어 있고, 온도센서(263)에 의하여 검출된 온도정보를 토대로 히터(206)로의 통전상태를 조정함으로써 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도분포가 되도록 원하는 타이밍으로 제어하도록 구성되어 있다.
가스 유량제어부(235), 압력제어부(236), 구동제어부(237), 온도제어부(238)는 조작부, 입출력부를 구성하고, 기판처리장치 전체를 제어하는 주제어부(메인 컨트롤러)(239)에 전기적으로 접속되어 있다. 이들, 가스 유량제어부(235), 압력제어부(236), 구동제어부(237), 온도제어부(238), 주제어부(239)는 컨트롤러(240)로서 구성되어 있다.
다음에, 상기 구성에 따른 처리로(202)를 사용해, 반도체소자의 제조공정의 한 공정으로서, CVD 법에 의하여 웨이퍼(200) 상에 박막을 형성하는 방법에 대하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판처리장치를 구성하는 각부의 동작은 컨트롤러(240)에 의하여 제어된다.
복수 매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전(wafer charge)되면, 도 3에 나타나 있는 바와 같이, 복수 매의 웨이퍼(200)를 보지한 보트(217)는, 보트 엘리베이터(115)에 의하여 들어 올려져 처리실(201)로 반입(boat loading)된다. 이 상태에서, 실캡(219)은 O링(220b)을 개재하여 매니폴드(209) 하단을 밀봉한 상태로 된다.
처리실(201) 내가 원하는 압력(진공도)이 되도록 진공배기장치(246)에 의하여 진공 배기된다. 이때, 처리실(201) 내의 압력은, 제1 압력센서(245)로 측정되고, 이 측정된 압력을 토대로 압력조정변(242)이 피드백(feedback) 제어된다. 또한, 처리실(201) 내가 원하는 온도가 되도록 히터(206)에 의하여 가열된다. 이때, 처리실(201) 내가 원하는 온도분포가 되도록 온도센서(263)가 검출한 온도정보를 토대로 히터(206)로의 통전상태가 피드백 제어된다. 뒤이어, 회전기구(254)에 의하여, 보트(217)가 회전됨으로써, 웨이퍼(200)가 회전된다.
다음에, 처리가스공급원으로부터 공급되고, MFC(241)에서 원하는 유량으로 제어된 가스는, 제1 가스공급라인(232)을 유통하여 노즐(230)로부터 처리실(201) 내에 도입된다. 도입된 가스는 처리실(201) 내를 상승하여, 이너 튜브(204)의 상단 개구로부터 통상공간(250)으로 유출되어 배기관(231)으로부터 배기된다. 가스는 처리실(201) 내를 통과할 때 웨이퍼(200)의 표면과 접촉하고, 이때 열 CVD 반응에 의하여 웨이퍼(200) 표면상에 박막이 퇴적(deposition)된다.
미리 설정된 처리시간이 경과하면, 불활성가스공급원에서 불활성가스가 공급되고, 처리실(201) 내가 불활성가스로 치환됨과 동시에, 처리실(201) 내가 감압상태로 유지된다.
그 후, 후술하는 동압화 공정에 의하여, 로드록실(141)과 처리실(201)이 감압 하에서 동압으로 되면, 보트 엘리베이터(115)에 의하여 실캡(219)이 하강되고, 매니폴드(209)의 하단이 개구됨과 동시에, 처리가 완료된 웨이퍼(200)가 보트(217)에 보지된 상태에서 매니폴드(209)의 하단으로부터 프로세스 튜브(203)의 외부로 반출(boat unloading)된다. 그 후, 처리 완료된 웨이퍼(200)가 반출된다(wafer discharge).
한편, 본 실시 형태의 처리로에서 웨이퍼를 처리할 때의 처리조건으로서는, 예컨대, SiN막(실리콘질화막)의 성막에 있어서는, 처리온도 400∼800℃, 처리압력 1∼50Torr, 성막가스 종(seed) SiH2Cl2, NH3, 성막가스 공급유량 SiH2Cl2：0.02∼0.30slm, NH3：0.1∼2.0slm이 예시되고, 또한, Poly-Si 막(polysilicon 막)의 성막에 있어서는, 처리온도 350∼700℃, 처리압력 1∼50Torr, 성막가스 종 SiH4, 성막가스 공급유량 0.01∼1.20slm이 예시되어, 각각의 처리조건을, 각각의 범위 내의 어느 일정한 값으로 유지함으로써 웨이퍼(200)가 처리된다.
다음에, 도 4에 처리실(201) 및 로드록실(141)의 주변구조에 대하여 상술한다.
도 4에 나타내는 것과 같이, 로드록실(141)에는, 로드록실(141) 내의 분위기를 배기하는 제2 배기라인(270)이 설치되어 있다. 제2 압력검출기로서의 제2 압력센서(272)는, 제2 배기라인(270)에 설치되고, 로드록실(141) 내의 절대압력치를 검출하도록 되어 있다. 개폐변(274)은, 제2 배기라인(270)에 설치되고, 제2 압력센서(272)보다 하류측에 배치되어 있다. 차압검출라인(276)은, 제1 배기라인(231) 및 제2 배기라인(270)과 접속되어 있고, 차압검출라인(276)에는 2개의 에어밸브(278a), (278b)와 차압검출기로서의 차압계(280)가 배설되어 있다. 차압검출기(280)는, 2개의 에어밸브(278a)와 에어밸브(278b)와의 사이에 배치되어 있고, 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력차를 검출하도록 되어 있다. 배기펌프(246)는, 제1 배기라인(231) 및 제2 배기라인(270)에 접속되어 있고, 압력조정변(242) 및 개폐변(274) 하류측에 배설되어 있다. 상술한 바와 같이, 처리실(201)과 로드록실(141)과의 사이에는 처리실(201)과 로드록실(141)과의 사이를 개폐하는 개체로서 의 노구 게이트밸브(147)가 설치되어 있다.
또한, 예비실내 가스공급부로서의 제2 가스 공급라인(282)은, 가스유량제어기로서의 제2 MFC(매스플로우 컨트롤러)(284)를 개재하여 로드록실(141)에 접속되어 있고, 로드록실(141) 내에 질소가스 등의 불활성가스를 공급하도록 되어 있다.
유량제어부(235)는, 제1 MFC(241) 및 제2 MFC(284)와 접속되어 있고, 처리실(201) 내 및 로드록실(141) 내에 공급하는 가스유량을 제어하도록 구성되어 있다. 또, 제1 MFC(241) 및 제2 MFC(284)는, 단수뿐 아니라, 복수개씩, 예컨대 가스종, 가스유량에 대응하여 각각 접속하도록 해도 무방하다.
도 5에 압력제어부(236) 기능구성이 나타나 있다.
압력제어부(236)는, 제1 압력조정부(288), 제2 압력조정부(290) 및 설정압력 갱신부(292)를 가지고 있다. 또한, 이 압력제어부(236)는, 제1 압력센서(245), 제2 압력센서(272) 및 차압계(280)와 접속되어 있고, 이들 제1 압력센서(245), 제2 압력센서(272) 및 차압계(280)가 검출하는 압력치를 수신하도록 되어 있다. 또한, 압력제어부(236)는, 압력조정변(242) 및 개폐변(274),에어밸브(278a) 및 에어밸브(278b)(도 4에 나타냄)와 접속되어 있고, 이들 압력조정변(242) 및 개폐변(274), 에어밸브(278a) 및 에어밸브(278b)의 동작을 제어하도록 되어 있다.
설정압력 갱신부(292)에는, 미리 소정의 설정압력치가 기억되고 있다. 보다 구체적으로는, 설정압력 갱신부(292)에는, 미리 로드록실(141) 내의 압력치를 설정한 제1 설정압력치와, 처리실(201) 내의 압력치를 설정한 제2 설정압력치가 기억되 어 있다. 이들 제1 설정압력치와 제2 설정압력치는 부압(대기압 미만의 압력)으로 설정되어 있다. 제2 설정압력치는, 바람직하게는, 제1 설정압력치와 거의 동일한 값으로 설정하면 된다. 또, 제1 설정압력치 및제2 설정압력치 함께 임의로 변경할 수 있도록 구성되어 있다.
다음에 도 4 내지 도 6을 토대로, 본 실시형태에 따른 기판처리장치(100)의 처리실(201)과 로드록실(141)의 사이의 동압화 공정에 대하여 설명한다. 도 6(a)에 나타내는 것과 같이, 압력제어부(236)는, 로드록실(141) 내를 대기압상태로부터 부압상태로 한다. 보다 구체적으로는, 압력제어부(236)의 제1 압력조정부(288)는, 노구 게이트밸브(147)가 열리기에 앞서 개폐변(274)을 열고, 로드록실(141) 내의 분위기를 제2 배기라인(270)을 개재하여 배기펌프(246)에 의하여 배기한다. 이때, 제1 압력조정부(288)는, 로드록실(141) 내의 압력, 즉 제2 압력센서(272)가 검출하는 압력치가 설정압력 갱신부(292)에 미리 기억된 제1 설정압력치가 되도록 로드록실(141) 내의 압력을 조정한다. 이때 필요에 응하여, 제2 압력센서(272)가 검출하는 압력치가 설정압력 갱신부(292)에 미리 기억된 제1 설정압력치가 되도록 유량제어부(235)를 개재하여 제2 MFC(284)를 제어하고, 로드록실(141)에 공급되는 가스유량을 조정하여, 로드록실(141) 내의 압력을 조정해도 된다. 제1 압력조정부(288)는, 제2 압력센서(272)가 검출하는 압력치가 제1 설정압력치에 달하면 개폐변(274)을 닫는다.
도 6(b)에도 나타낸 것과 같이, 압력제어부(236)는, 처리실(201) 내를 부압상태로 한다. 보다 구체적으로는, 압력제어부(236)의 제2 압력조정부(290)는, 노구 게이트밸브(147)가 열리기에 앞서 압력조정변(242)을 동작시켜(열린 정도를 조정하여), 처리실(201) 내의 분위기를 제1 배기라인(231)을 개재하여 배기펌프(246)에 의하여 배기한다. 이때, 제2 압력조정부(290)는, 처리실(201) 내의 압력, 즉 제1 압력센서(245)의 검출치가 설정압력 갱신부(292)에 미리 기억된 초기치인 제2 설정압력치가 되도록(제2 설정압력치를 유지하도록) 압력조정변(242)을 제어하여, 처리실(201)로부터 배기되는 가스유량을 조절하고, 처리실(201) 내의 압력을 조정한다. 이때 필요에 응하여, 제2 압력조정부(290)는, 제1 압력센서(245)의 검출치가 설정압력 갱신부(292)에 미리 기억된 제2 설정압력치가 되도록 압력조정변(242)에 더하여 제1 MFC(241)를 제어하고, 처리실(201)로부터 배기되는 가스유량과 처리실(201)에 공급되는 불활성가스의 가스유량을 조정하고, 처리실(201) 내의 압력을 조정하도록 해도 된다.
뒤이어, 압력제어부(236)의 설정압력 갱신부(292)는, 게이트밸브(147)가 열리기에 앞서, 제2 압력센서(272)가 검출하는 압력치가 제1 설정압력치가 되고, 제1 압력센서(245)가 검출하는 압력치가 제2 설정압력치가 되었을 때, 에어밸브(278a), (278b)를 열고, 차압계(280)로부터 출력되는 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력차를 설정압력 갱신부(292)에 기억된 제2 설정압력치에 가산 또는 감산하여, 제2 설정압력치를 갱신하다. 뒤이어, 제2 압력조정부(290)는, 갱신된 설정압력치를 토대로 압력조정변(242)을 동작시켜, 차압계(280)로부터 출력되는 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력차가 소정의 범위 내로 되도록 처리실(201) 내의 압력을 조정한다. 바람직하게는, 예컨대 1초 이내의 제어주기로 제2 압력조정부(290)가 PID(Proportional Integral Differential) 연산을 하여, 압력조정변(242)이 열린 정도를 조정할 수 있도록 소정시각마다(real time) 갱신된 제2 설정압력치를 다시 갱신(보정)하고, 처리실(201) 내의 압력을 자동조정하면 된다. 이때 필요에 응하여, 제2 압력조정부(290)는, 갱신된 설정압력치를 토대로, 압력조정변(242)을 동작시키고 이에 더하여 제1 MFC(241)를 제어하여, 처리실(201)로부터 배기되는 가스유량과 처리실(201)에 공급되는 불활성가스의 가스유량을 조정하여, 처리실(201) 내의 압력을 조정하도록 해도 된다.
이에 의하여, 처리실(201) 내와 로드록실(141) 내의 압력차를 저감시킴과 동시에 처리실(201) 내 및 로드록실(141) 내의 압력을 안정시킬 수 있다. 차압계(280)에 의해 측정할 수 있는 범위는 미리 설정되어 있으며, 차압계(280)가 검출한 압력치가 소정의 범위 외인 경우 에러(error)처리를 하도록 해도 된다.
도 6(c)에도 나타내는 것과 같이, 구동제어부(237)(도 3에 나타냄)는, 노구 게이트밸브(147)를 열고, 뒤이어, 구동제어부(237)는, 보트(217)를 로드록실(141)로부터 처리실(201) 내로 반입한다. 컨트롤러(240)는, 처리실(201) 내에서 보트(217)에 지지된 기판[웨이퍼(200)]을 처리한다.
뒤이어, 기판을 처리한 후, 제2 압력조정부(290)는, 압력조정변(242)을 동작시킴과 동시에 제1 MFC(241)를 제어하고, 불활성가스를 처리실(201) 내에 공급하여, 처리실(201) 내를 불활성가스로 치환한다. 치환 후 또는 치환하면서, 처리실(201) 내를 부압상태로 유지한다.
보다 구체적으로는, 압력제어부(236)의 제2 압력조정부(290)는, 실캡(219)을 열기에 앞서 압력조정변(242)을 동작시켜(여는 정도를 조정하여), 처리실(201) 내의 분위기를 제1 배기라인(231)을 개재하여 배기펌프(246)에 의하여 배기한다. 이때, 제2 압력조정부(290)는, 처리실(201) 내의 압력, 즉 제1 압력센서(245)의 검출치가 설정압력 갱신부(292)에 미리 기억된 초기치인 제2 설정압력치가 되도록(제2 설정압력치를 유지하도록) 압력조정변(242)을 제어하여, 처리실(201) 내의 압력을 조정한다. 이때 제2 압력조정부(290)는, 제1 압력센서(245)의 검출치가 설정압력 갱신부(292)에 미리 기억된 제2 설정압력치가 되도록 압력조정변(242)에 더하여 제1 MFC(241)를 제어하고, 처리실(201)로부터 배기되는 가스유량과 처리실(201)에 공급되는 불활성가스의 가스유량을 조정하고, 처리실(201) 내의 압력을 조정하도록 하더라도 해도 된다.
또한, 압력제어부(236)의 제2 압력조정부(290)는, 실캡(219)을 열기에 앞서 개폐변(274)을 열어, 로드록실(141) 내의 분위기를 제2 배기라인(270)을 개재하여 배기펌프(246)에 의하여 배기한다. 이때, 제1 압력조정부(288)는, 로드록실(141) 내의 압력, 즉, 제2 압력센서(272)가 검출하는 압력치가 설정압력 갱신부(292)에 미리 기억된 제1 설정압력치가 되도록 로드록실(141) 내의 압력을 조정한다. 이때 필요에 응하여, 제2 압력센서(272)가 검출하는 압력치가 압력설정 갱신부(292)에 미리 기억된 제1 설정압력치가 되도록 가스 유량제어부(235)를 개재하여 제2 MFC(284)를 제어하고, 로드록실(141)에 공급되는 가스유량을 조정하여, 로드록실(141) 내의 압력을 조정해도 된다. 제1 압력조정부(288)는, 제2 압력센서(272)가 검출하는 압력치가 제1 설정압력치에 달하면 개폐변(274)을 닫는다.
뒤이어, 압력제어부(236)의 설정압력 갱신부(292)는, 실캡(219)을 열기에 앞서, 제2 압력센서(272)가 검출하는 압력치가 제1 설정압력치가 되고, 제1 압력센서(245)가 검출하는 압력치가 제2 설정압력치가 되었을 때, 에어밸브(278a), (278b)를 열고, 차압계(280)로부터 출력되는 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력차를 설정압력 갱신부(292)에 기억된 제2 설정압력치에 가산 또는 감산하여, 제2 설정압력치를 갱신한다. 뒤이어, 제2 압력조정부(290)는, 갱신된 설정압력치를 토대로 압력조정변(242)을 동작시켜, 차압계(280)로부터 출력되는 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력차가 소정의 범위 내가 되도록 처리실(201) 내의 압력을 조정한다.
바람직하게는, 예컨대 1초 이내의 제어주기로 제2 압력조정부(292)가 PID 연산을 하고, 압력조정변(242)의 열린 정도를 조정할 수 있도록 소정시간마다 갱신된 제2 설정압력치를 다시 갱신하여, 처리실(201) 내의 압력을 자동조정하면 된다. 이때 필요에 응하여, 제2 압력조정부(290)는, 갱신된 설정압력치를 토대로, 압력조정변(242)을 동작시키고 이에 더하여 제1 MFC(241)를 제어하고, 처리실(201)로부터 배기되는 가스유량과 처리실(201)에 공급되는 가스유량을 조정하여, 처리실(201) 내의 압력을 조정하도록 해도 된다.
처리실(201) 내의 압력과 로드록실(141) 내의 압력의 동압화를 도모한 뒤, 구동제어부(237)는, 실캡(219)을 열면서, 보트(217)를 처리실(201)로부터 로드록실(141)로 반출한다.
다음에 비교예 및 실시예를 도 7 및 도 10를 토대로 설명한다.
[비교예 1]
처리실(201) 내 및 로드록실(141) 내의 분위기를 배기하여 부압상태로 하고, 처리실(201) 내 및 로드록실(141) 내의 압력치의 추이를 계측했다. 도 7(a) 및 도 10(a)에 나타내는 것과 같이, 제2 압력센서(272)에 의하여 검출된 로드록실(141) 내의 압력치(그림 중 실선)는, 압력상승요인[게이트밸브(143) 또는 노구 게이트밸브(147)와 로드록실(141)의 밀폐부분 등의 실(seal)부의 미소한 리크(leak) 등]에 의하여 시간의 경과와 더불어 상승했다. 제1 압력센서(245)에 의하여 검출된 처리실(201) 내의 압력치(그림 중 일점쇄선)는, 제2 압력조정부(290)에 의한 압력조정변(242)의 동작에 의하여 거의 일정하게 되었다. 차압계(280)에 의하여 검출된 처리실(201)과 로드록실(141)과의 차압(그림 중 파선)은, 시간의 경과와 더불어 상승했다.
[비교예 2]
처리실(201) 내 및 로드록실(141) 내의 분위기를 배기하여 부압상태로 하고, 처리실(201) 내 및 로드록실(141) 내의 압력치의 추이를 계측했다. 본 비교예에서는, 처리실(201) 내의 압력을 제1 압력센서(245) 및 제2 압력센서(272)의 검출치를 토대로 제어했다. 도 10(b)에 나타내는 것과 같이, 제1 압력센서(245) 및 제2 압력센서(272)에 의하여 검출되는 처리실(201)과 로드록실(141)의 상대적인 압력차(그림 중 파선)는 비교예 1과 비교하여 저감했으나, 처리실(201)과 로드록실(141)과의 절대적인 압력차(그림 중 실선과 일점 쇄선과의 차)는 사용환경, 센서 교정상황 등의 요인에 의하여 저감되지 않았다.
[실시예]
처리실(201) 측의 설정압력치(제2 설정압력치)에 차압 센서(280)가 검출하는 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력차를 가산 또는 감산하고, 제2 설정압력치를 갱신하여, 갱신한 설정압력치를 토대로 처리실(201)의 압력을 조정했다. 도 7(b)에 나타내는 것과 같이, 비교예 1 및 2와 비교하여, 처리실(201)과 로드록실(141)과의 상대적인 압력차(그림 중 파선) 및 처리실(201)과 로드록실(141)과의 절대적인 압력차(그림 중 실선과 일점쇄선과의 차)가 저감하고, 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력은 거의 동일하게 되었다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에 의하면, 처리실(201) 내의 압력을 검출하는 제1 압력센서(245) 및 로드록실(141) 내의 압력을 검출하는 압력센서(272)의 어느 하나의 0점이 어긋난 경우, 즉 교정되어 있지 않은 경우나, 처리실(201) 내의 압력 또는 로드록실(141) 내의 압력이 압력상승요인에 의하여 상승한 경우라도, 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력차를 저감할 수가 있다. 즉, 차압계(280)에 의하여 검출된 차압치를 처리실(201)의 설정압력치에 가산 또는 감산하여 설정압력치를 갱신하고, 갱신된 설정압력치를 토대로 처리실(201) 내의 압력을 조정함으로써, 로드록실(141) 내의 압력변동에 응하여, 처리실(201) 내의 압력을 압력변동시킬 수 있기 때문에, 확실히 처리실(201) 내와 로드록실(141) 내와의 압력차를 거의 0로(동압화) 할 수 있다. 이에 의하여, 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력차에 기인하는 가스의 급격한 유동을 억제함으로써, 파티클의 발생을 방지한다. 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력차는 0에 가까운 값이 되면 좋고, 바람직하게는 0이 좋다. 처리실(201)과 로드록실(141)을 동압화시키는 압력이 대기압이라도 본 발명의 실시형태를 적용하면, 동압화는 도모할 수 있으나, 바람직하게는, 감압인 경우에 적용하면 된다. 또한 바람직하게는, 30∼1200Pa의 범위의 고진공 하에서의 동압화에 적용하면 좋다.
또한, 처리실(201) 내와 로드록실(141) 내를 동압화할 때, 차압이 있는 상태에서 처리실(201)과 로드록실(141)을 연통하지 않기 때문에, 처리실(201) 내에서 파티클이 날아오르거나, 처리실(201) 측의 파티클이 로드록실(141) 내에 들어가거나 하는 것을 방지할 수가 있다. 즉, 기판의 파티클 오염을 막을 수 있다.
또한, 차압계(280)로부터 출력되는 처리실(201) 내와 로드록실(141) 내와의 압력차에 의하여, 설정압력 갱신부(292)에 기억된 제2 설정압력치를 소정시간마다(recycle time)에 복수 회 갱신하고, 압력조정하기 때문에, 압력차를 저감시킴과 동시에 높은 정밀도로 안정시킬 수 있어, 재현성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 차압계(280)로부터 검출된 차압치에 의하여, 처리실(201)의 설정압력치를 갱신하고, 갱신된 설정압력치를 토대로 처리실(201) 내의 압력을 조정하도록 했기 때문에, 처리실(201) 내의 압력을 제어하는 제어계통을 일원화할 수가 있다. 예컨대, 차압계(280)에서 검출된 압력치로 직접, 압력조정변(242)을 제어하도록 하기 위해서는, 차압계(280)용 전용 제어계통이나, 차압계(280)와 제1 압력센서(245) 각각의 제어계통과의 어느 하나를 선택하도록 절환하는 기능 등을 갖출 필요가 있으나, 이들을 구비할 필요도 없고, 압력의 관리를 절대압으로 하여 일원적으로 관리할 수가 있다. 또한, 압력제어계의 절환으로 기인하는 제어 지연이나 압력변동의 발생 등을 막을 수 있다.
또한, 처리실(201) 내와 로드록실(141) 내를 동압화할 때에는 압력조정변(242)을 갖추는 처리실(201) 측에서 압력조정하기 때문에, 로드록실(141) 측에 배기압력 조정유닛, 예컨대 압력조정변을 설치할 필요가 없다. 또한, 압력조정변(242)은, 기판처리 시에 사용하는 배기압력 조정유닛으로서 사용되는 것을 그대로 사용할 수가 있다. 또한, 처리실(201)과 로드록실(141)을 연통하는 연락관을 설치할 필요가 없다. 또한, 제1 배기라인(231)과 제2 배기라인(270)을 배기펌프(246)에 배설시켰기 때문에, 하나의 배기펌프(246)를 공용화할 수가 있다. 따라서, 장치의 간소화를 실현할 수가 있다.
한편, 처리실(201) 내와 로드록실(141) 내를 동압화 할 때, 차압계(280)가 검출하는 압력차를 제2 설정압력치에 가산 또는 감산했을 때, 처리실(201) 및 로드록실(141) 내의 압력이 소정범위 내에 있는지 아닌지 확인하도록 해도 된다. 이에 의하여, 압력조정 후에 다시 압력조정을 하는 것을 방지할 수가 있다. 즉, 처리실용 압력센서 및 로드록실용 압력센서의 검출치를 토대로 압력조정한 후, 차압 센서가 검출하는 값을 0이 되도록 조정하면, 차압 센서가 검출하는 값이 0가 되었다고 하더라도, 제1 압력설정치로서 예정하고 있던 압력치와 동떨어지게 되고, 처리실 및 로드록실 내의 압력치가 제1 압력설정치와 동떨어져 소정 범위 외가 된 경우에 다시 압력조정을 할 필요가 생겨버리는 것을 방지할 수가 있다.
다음에 본 발명의 제2 실시형태를 도 8을 토대로 설명한다.
도 8에 본 실시형태에 있어서 컨트롤러(240)의 기능구성이 나타나 있다. 컨 트롤러(240)는, 주제어부(239)와 압력제어부(236)를 갖고, 주제어부(239)와 압력제어부(236)가 접속되어 있다. 주제어부(239)는, 제1 압력조정부(288)와 설정압력 갱신부(292)를 갖고, 주제어부(292)에는 제2 압력센서(272)와 차압계(278)가 접속되어 있다. 압력제어부(236)는, 제2 압력조정부(290)를 갖고, 압력제어부(236)에는 제1 압력센서(245)와 압력조정변(242)이 접속되어 있다.
본 실시형태에 따른 컨트롤러(240)의 작용을 설명한다.
주제어부(239)는, 차압계(280)로부터 검출된 처리실(201)과 로드록실(141)과의 차압치를 수신한다. 뒤이어, 주제어부(239)는, 설정압력 갱신부(292)에 의하여 상기 차압치를 상기 설정압력 갱신부(292)에 기억된 설정압력치에 가산 또는 감산하여 설정압력치를 갱신(보정)하고, 갱신된 설정압력치를 압력제어부(236)로 송신한다. 바람직하게는, 주제어부(239)는, 압력제어부(236)에 대하여 갱신된 설정압력치를 소정시간마다(real time)에 송신한다. 압력제어부(236)는, 제2 압력조정부(290)에 의하여 주제어부(239)로부터 갱신된 설정압력치가 송신될 때마다(real time) 설정압력치를 갱신하고, 갱신된 설정압력치를 토대로 압력조정변(242)을 동작시킨다.
이에 따라, 처리실(201)과 로드록실(141)의 압력차가 거의 0이 되도록 조정하는 제어가 계속된다. 따라서, 로드록실(141) 내의 압력이 변동(예컨대 상승)한 경우라도, 처리실(201)과 로드록실(141)과의 압력차가 거의 0으로 유지된다.
본 발명의 제2 실시형태의 설명에 있어서, 본 발명의 제1 실시형태와 동일부분에 관해서는, 도면에 동일번호를 붙이고 이를 생략했다.
다음에 본 발명에 따른 제3 실시형태를 도 9를 토대로 설명한다.
도 9에 본 실시형태에 있어서의 컨트롤러(240)의 기능구성이 나타나 있다. 컨트롤러(240)는, 주제어부(239)와 압력제어부(236)를 갖고, 주제어부(239)와 압력제어부(236)와 접속되어 있다. 주제어부(239)는, 제1 압력조정부(288)를 갖고, 주제어부(239)에는 제2 압력센서(272)가 접속되어 있다. 압력제어부(236)는, 제2 압력조정부(290)와 설정압력 갱신부(292)를 갖고, 압력제어부(236)에는 제1 압력센서(245), 차압계(280) 및 압력조정변(242)이 접속되어 있다.
본 실시형태에 따른 컨트롤러(240)의 작용을 설명한다.
압력제어부(236)는, 차압계(280)으로부터 검출된 처리실(201)과 로드록실(141)의 차압치를 수신한다. 뒤이어, 압력제어부(236)는, 설정압력 갱신부(292)에 의하여 상기 차압치를 설정압력치에 가산 또는 감산하여 설정압력치를 갱신(보정)한다. 이때 압력제어부(236)에 제2 압력조정부(290) 및 설정압력 갱신부(292)가 일체적으로 설치되어 있기 때문에, 압력데이터의 송신이나 압력치 계산 등의 부하를 주제어부(239)에 주지 않고 제어할 수가 있다. 주제어부(239)는, 압력제어부(236)에 대하여 압력제어모드의 설정압력전환정보를 송신할 수 있게 되어 있다. 여기서, 압력제어모드란 복수의 설정압력치의 어느 하나의 설정압력치를 토대로 압력제어를 하는 모드이고, 설정압력 전환정보는 어느 하나의 설정압력치를 선택하는 정보이다.
압력제어부(236)는, 주제어부(239)로부터 설정압력 전환정보가 송신된 경우에는, 설정압력 전환정보에 의하여, 소정의 설정압력치를 토대로 압력조정변(242) 을 작동시킨다. 즉, 압력제어부(236)는, 제2 압력조정부(290)에 의하여, 설정압력 갱신부(292)에 있어서 갱신된 설정압력치 또는 갱신되기 전의 설정압력치를 토대로 압력제어변(242)을 작동시킨다. 이와 같이, 주제어부(239)로부터 출력되는 설정압력 전환정보를 토대로, 압력제어부(236)에 의하여 제어되는 압력제어모드를 절환하도록 해도 된다.
본 발명의 제3 실시형태의 설명에 있어서, 본 발명의 제1 실시형태와 동일부분에 관해서는, 도면에 동일번호를 붙여 이를 생략했다.
본 발명은, 반도체소자 등의 기판을 처리하는 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법에 있어서, 파티클의 발생을 방지할 필요가 있을 때 이용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판처리장치를 나타내는 평면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판처리장치를 나타내는 측면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판처리장치의 처리로를 나타내고, 도 1의 a-a선 단면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판처리장치에 사용되는 처리실 및 로드록실의 주변구조를 나타내는 모식도.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판처리장치에 사용되는 컨트롤러의 기능구성을 나타내는 블록도.
도 6은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판처리장치에 있어서 로드록실에서부터 처리실로 보트를 반입할때까지의 처리를 나타내며, (a)는 로드록실이 감압상태, (b)는 처리실 및 로드록실의 감압상태, (c)는 노구 게이트밸브가 열린 상태를 나타내는 모식도.
도 7은 처리실 내의 압력, 로드록실 내의 압력 및 로드록실과 처리실과의 차압을 나타내며, (a)는 비교예 1, (b)는 실시예를 설명하는 그래프.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판처리장치에 사용되는 컨트롤러의 기능구성을 나타낸 블록도.
도 9는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 기판처리장치에 사용되는 컨트롤러의 기능구성을 나타낸 블록도.
도 10은 처리실 내의 압력, 로드록실 내의 압력 및 로드록실과 처리실과의 차압을 나타내며, (a)는 비교예 1, (b)는 비교예 2를 설명하는 그래프.
<부호의 설명>
100 : 기판처리장치 141 : 로드록실
147 : 노구 게이트밸브 200 : 웨이퍼
201 : 처리실 231 : 제1 배기라인
242 : 압력조정변 245 : 제1 압력센서
270 : 제2 배기라인 272 : 제2 압력센서
280 : 차압계 288 : 제1 압력조정부
290 : 제2 압력조정부 292 : 설정압력 갱신부

Claims (15)

  1. 기판을 처리하는 처리실과,
    상기 처리실에 인접하는 예비실과,
    상기 처리실과 상기 예비실과의 사이를 개폐하는 개체와,
    상기 처리실 내를 배기하는 제1 배기라인과,
    상기 예비실 내를 배기하는 제2 배기라인과,
    상기 처리실 내의 절대압력치를 검출하는 제1 압력검출기와,
    상기 예비실 내의 절대압력치를 검출하는 제2 압력검출기와,
    상기 처리실과 상기 예비실과의 압력차를 검출하는 차압검출기와,
    상기 예비실 내의 압력이 설정된 제1 설정압력치가 되도록 상기 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 예비실 내의 압력을 조정하는 제1 압력조정부와,
    상기 처리실 내의 압력이 제2 설정압력치가 되도록 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 제2 압력조정부와,
    상기 차압검출기가 검출하는 상기 예비실과 상기 처리실과의 압력차를 토대로 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 설정압력치 갱신부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제1 배기라인에 설치되어 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 압력조정변과, 상기 제2 배기라인에 설치되는 개폐변과, 상기 제1 배기라인 및 상기 제2 배기라인에 접속되고 상기 압력조정변 및 상기 개폐변의 하류측에 배치되는 배기펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제1 압력조정부는, 상기 개체를 열기에 앞서, 상기 제2 배기라인에 설치된 개폐변을 열어, 배기펌프에 의하여 상기 제2 배기라인으로부터 배기하고, 상기 제2 압력검출기가 검출하는 압력치가 상기 제1 설정압력치에 도달하면 상기 개폐변이 닫히도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제2 압력조정부는, 상기 개체를 열기에 앞서, 상기 제1 배기라인에 설치된 압력조정변을 열어, 배기펌프에 의하여 상기 제1 배기라인으로부터 배기하고, 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치가 상기 제2 설정압력치를 유지하도록 상기 압력조정변을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 설정압력 갱신부는, 상기 개체를 열기에 앞서, 상기 제2 압력검출기가 검출하는 압력치가 상기 제1 설정압력치가 되고, 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치가 상기 제2 설정압력치가 되었을 때, 상기 차압검출기가 검출하는 압력차를 상기 제2 설정압력치에 가산 또는 감산하여, 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제2 압력조정부는, 상기 설정압력 갱신부에 의하여 상기 제2 설정압력치가 갱신된 때에는, 갱신된 설정압력치을 토대로 상기 제1 배기라인에 설치된 압력조정변을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 처리실에 가스를 공급하는 처리실 내 가스공급부와, 상기 예비실에 가스를 공급하는 예비실 내 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 제1 설정압력치 및 상기 제2 설정압력치는 부압인 것을 특징으로 하는 기판처리장치 .
  9. 제 1항에 있어서, 상기 제1 설정압력치 및 상기 제2 설정압력치는 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 제2 압력조정부는, PID 연산을 하여, 압력조정변이 열린 정도를 조정할 수 있도록 소정시간마다 갱신된 상기 제2 설정압력치를 다시 갱신하고, 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 기판을 처리하는 처리실과,
    상기 처리실에 인접하는 예비실과,
    상기 처리실과 상기 예비실과의 사이를 개폐하는 개체와,
    상기 처리실 내의 절대압력치를 검출하는 제1 압력검출기와,
    상기 예비실 내의 절대압력치를 검출하는 제2 압력검출기와,
    상기 처리실과 상기 예비실과의 압력차를 검출하는 차압검출기와,
    상기 예비실 내의 압력이 설정된 제1 설정압력치가 되도록 상기 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 예비실 내의 압력을 조정하는 제1 압력조정부와,
    상기 처리실 내의 압력이 설정된 제2 설정압력치가 되도록 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 제2 압력조정부와,
    상기 차압검출기가 검출하는 상기 예비실과 상기 처리실과의 압력차를 토대로 상기 제1 설정압력치를 갱신하는 설정압력치 갱신부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제1 압력조정부에 의해 예비실 내의 압력이 설정된 제1 설정압력치가 되도록 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 예비실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    제2 압력조정부에 의해 처리실 내의 압력이 제2 설정압력치가 되도록 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    설정압력치 갱신부에 의해 상기 예비실과 상기 처리실과의 압력차를 검출하는 차압검출기가 검출하는 압력차를 토대로 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 공정과,
    상기 제2 압력조정부에 의해 처리실 내의 압력이 상기 갱신 후의 제2 설정압력치가 되도록 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    상기 처리실과 상기 예비실과의 사이를 폐색하고 있던 개체를 열고, 기판을 상기 처리실 내로 반입하고, 상기 처리실 내에서 기판을 처리하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  13. 제1 압력조정부에 의해 예비실 내의 압력이 설정된 제1 설정압력치가 되도록 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 예비실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    제2 압력조정부에 의해 처리실 내의 압력이 제2 설정압력치가 되도록 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    설정압력치 갱신부에 의해 상기 처리실 내의 압력이 제2 설정압력치가 되었을 때, 상기 예비실과 상기 처리실과의 압력차를 검출하는 차압검출기가 검출하는 압력차를 토대로 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 공정과,
    상기 제2 압력조정부에 의해 처리실 내의 압력이 상기 갱신 후의 제2 설정압력치가 되도록 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    상기 처리실과 상기 예비실과의 사이를 폐색하고 있던 개체를 열고, 기판을 상기 처리실 내로 반입하고, 상기 처리실 내에서 기판을 처리하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  14. 제1 압력조정부에 의해 예비실 내의 압력이 설정된 제1 설정압력치가 되도록 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 예비실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    제2 압력조정부에 의해 처리실 내의 압력이 제2 설정압력치가 되도록 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    설정압력치 갱신부에 의해 상기 처리실 내의 압력이 제2 설정압력치가 되었을 때, 상기 예비실과 상기 처리실과의 압력차를 검출하는 차압검출기가 검출하는 압력차를 상기 제2 설정압력치에 가산 또는 감산하여 갱신하는 공정과,
    상기 제2 압력조정부에 의해 처리실 내의 압력이 상기 갱신 후의 제2 설정압력치가 되도록 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    상기 처리실과 상기 예비실과의 사이를 폐색하고 있던 개체를 열고, 기판을 상기 처리실 내로 반입하고, 상기 처리실 내에서 기판을 처리하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  15. 제1 압력조정부에 의해 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 제1 설정압력치가 되도록 예비실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    제2 압력조정부에 의해 제2 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 제2 설정압력치가 되도록 처리실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    설정압력치 갱신부에 의해 상기 예비실과 상기 처리실과의 압력차를 검출하는 차압검출기가 검출하는 압력차를 토대로 상기 제2 설정압력치를 갱신하는 공정과,
    상기 제2 압력조정부에 의해 상기 제1 압력검출기가 검출하는 압력치를 토대로 상기 갱신 후의 제2 설정압력치가 되도록 상기 처리실 내의 압력을 조정하는 공정과,
    상기 처리실과 상기 예비실과의 사이를 폐색하고 있던 개체를 여는 공정과,
    상기 예비실로부터 상기 처리실 내로 기판을 반입하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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