KR100927406B1

KR100927406B1 - 내부 전압 생성 회로

Info

Publication number: KR100927406B1
Application number: KR1020080018762A
Authority: KR
Inventors: 박재범
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2008-02-29
Filing date: 2008-02-29
Publication date: 2009-11-19
Also published as: US20090219080A1; US20100289557A1; US7786791B2; KR20090093307A; US7961036B2

Abstract

본 발명은 기준전압 대비 펌핑전압을 검출한 결과에 따라 기준 발진신호를 생성하는 기준 발진신호 생성수단과, 상기 기준 발진신호를 기반으로, 예정된 위상 차이를 가지고 활성화되는 다수의 발진신호를 생성하는 발진신호 생성수단, 및 상기 다수의 발진신호에 각각 응답하여 순차적인 차지 펌핑 동작을 통해 상기 펌핑전압을 생성하는 펌핑전압 생성수단을 구비하는 내부 전압 생성 회로를 제공한다.

펌핑 전압, tDV, 차지 펌핑 동작, 위상 차이

Description

내부 전압 생성 회로{INTERNAL VOLTAGE GENERATION CIRCUIT}

본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로, 특히 내부 전압 생성 회로 중 차지 펌핑(charge pumping) 동작을 수행하여 외부 전원 전압보다 높은 펌핑 전압을 생성하기 위한 펌핑 전압 생성 회로에 관한 것이다.

일반적으로, DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous DRAM)을 비롯한 반도체 소자 내부에는 보다 효율적인 전력 소모를 위한 내부 전압 생성 회로가 탑재되어 있어서, 필요로 하는 다양한 전압레벨의 내부 전압을 자체적으로 생성한다. 이러한 내부 전압에는 외부 전원 전압과 접지 전원 전압 사이의 전압레벨을 가지는 코어 전압(core voltage)과 페리 전압(peri voltage) 등이 있으며, 외부 전원 전압보다 전압레벨이 높은 펌핑 전압(pumping voltage), 및 접지 전원 전압보다 전압레벨이 낮은 기판 바이어스 전압(substrate vias voltage) 등이 있다. 여기서, 펌핑 전압과 기판 바이어스 전압은 일반적으로 차지 펌핑(chare pumping) 동작을 수행하여 생성한다. 이하, 설명의 편의를 위하여 차지 펌핑 동작을 통해 내부 전압을 생 성하는 펌핑 전압 생성 회로에 대하여 설명하기로 한다.

도 1은 일반적인 펌핑 전압 생성 회로를 설명하기 위한 블록도이다.

도 1을 참조하면, 펌핑 전압 생성 회로는 전압레벨 검출부(110)와, 발진신호 생성부(130), 및 펌핑전압 생성부(150)를 구비한다.

전압레벨 검출부(110)는 기준전압(V_REF)과 피드백(feedback)되는 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨 차이를 검출하여 검출신호(V_DET)로서 출력하고, 발진신호 생성부(130)는 검출신호(V_DET)를 입력받아 발진 동작을 수행하여 예정된 주파수의 발진신호(OSC)를 생성하며, 펌핑전압 생성부(150)는 발진신호(OSC)를 입력받아 차지 펌핑 동작을 수행하여 펌핑전압(V_PP)을 생성한다.

여기서, 전압레벨 검출부(110)와, 발진신호 생성부(130), 및 펌핑전압 생성부(150)에 대한 구체적인 회로 구성은 이미 널리 공지된 것이기에 여기서 구체적으로 설명하지 않기로 하며, 이하 간단한 동작을 살펴보도록 하자.

우선, 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨이 기준전압(V_REF)의 전압레벨보다 낮아진 경우 전압레벨 검출부(110)는 이를 검출하여 예컨대, 논리'하이(high)'의 검출신호(V_DET)를 출력한다. 발진신호 생성부(130)는 이 검출신호(V_DET)를 입력받아 발진 동작을 수행하여 예정된 주파수의 발진신호(OSC)를 생성하고, 펌핑전압 생성부(150)는 이 발진신호(OSC)에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행한다. 그래서, 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨은 점점 높아지게 된다.

이후, 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨이 기준전압(V_REF)의 전압레벨보다 높아진 경우 전압레벨 검출부(110)는 이에 대응하는 논리'로우(low)'의 검출신호(V_DET)를 출력하고, 발진신호 생성부(130)는 이 검출신호(V_DET)를 입력받아 발진 동작을 수행하지 않게 된다. 그래서, 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨은 기준전압(V_REF)에 대응하여 더 이상 높아지지 않게 된다.

한편, 펌핑전압 생성부(150)는 트리플러 타입(trippler type)의 펌핑 회로를 사용하고 있으며, 최대 외부 전원 전압의 4배가 되는 펌핑전압(V_PP)을 운용하고 있다. 참고로, 펌핑전압 생성부(150)는 발진신호(OSC)의 라이징 에지(rising edge)와 폴링 에지(falling edge)에 응답하여 차지 펌핑 동작을 하며, 이때, 생성되는 펌핑전압(V_PP)에는 일반적으로 노이즈(noise)가 발생하게 된다.

다른 한편, 반도체 소자는 고집적화, 대용량화를 이루기 위한 방향으로 발전하고 있으며, 이에 따라 펌핑전압(V_PP)을 사용하고자하는 회로가 점점 늘어나고 있다. 그래서, 펌핑전압(V_PP)을 생성하는 펌핑 전압 생성 회로 역시 늘어나고 있으며, 이에 따라 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈 역시 커지고 있다. 다시 설명하면, 종래에는 다수의 펌핑 전압 생성 회로를 구비하고 이를 동시에 구동하여 펌핑전압(V_PP)을 생성하였다. 즉, 모든 펌핑 전압 생성 회로가 라이징 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하고, 폴링 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하였다. 예컨대, 각각의 펌핑 전압 생성 회로가 라이징 에지에 대응하여 일정한 노이즈를 가지는 펌핑전압(V_PP)을 생성한다면, 최종적으로 생성되는 펌핑전압(V_PP)에는 매우 큰 노이즈가 발생하게 된다.

이렇게 노이즈가 심하게 발생한 펌핑전압(V_PP)은 이를 사용하는 회로에 오동작을 유발시킬 수 있다. 참고로, 고속으로 데이터를 입/출력하는 DDR SDRAM의 경 우 유효 데이터 윈도우(valid data window)와 관련하여 스펙(spec.)으로 'tDV'를 정해놓고 있다. 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈는 'tDV'와 밀접한 관계를 가진다. 때문에, 안정적인 'tDV'를 확보하기 위해서는 펌핑전압(V_PP)의 노이즈를 최대한 줄여주는 것이 필수적이라 할 수 있다.

또한, 한정된 공간에 다수의 펌핑 전압 생성 회로를 구비한다는 것은 설계시 많은 부담으로 작용 될 수 있으며, 다수의 펌핑 전압 생성 회로를 구비해야 경우 넷-다이(netdie)를 감소시키는 문제점이 발생할 수 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 내부 전압에 발생하는 노이즈를 최대한 줄일 수 있는 내부 전압 생성 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.

또한, 'tDV'를 확보하는데 있어서 노이즈를 최소화한 펌핑전압을 생성할 수 있는 내부 전압 생성 회로를 제공하는데 다른 목적이 있다.

또한, 원하는 내부 전압을 생성하는데 있어서 최소한의 회로 구성을 사용하여 넷-다이를 증가시킬 수 있는 내부 전압 생성 회로를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 내부 전압 생성 회로는 기준전압 대비 펌핑전압을 검출한 결과에 따라 기준 발진신호를 생성하는 기준 발진신호 생성수단; 상기 기준 발진신호를 기반으로, 예정된 위상 차이를 가지고 활성화되는 다수의 발진신호를 생성하는 발진신호 생성수단; 및 상기 다수의 발진신호에 각각 응답하여 순차적인 차지 펌핑 동작을 통해 상기 펌핑전압을 생성하는 펌핑전압 생성수단을 구비한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 측면에 따른 내부 전압 생성 회로는 기준전압 대비 펌핑전압을 검출한 결과에 따라 기준 발진신호를 생성하는 기준 발진신호 생성수단; 상기 기준 발진신호를 기반으로, 예정된 위상 차이를 가지며 천이 시점이 서로 오버랩되지 않는 제1 및 제2 발진신호를 생성하는 발진신호 생성수단; 및 상기 제1 및 제2 발진신호에 각각 응답하여 순차적인 차지 펌핑 동작을 통해 상기 펌핑전압을 생성하는 펌핑전압 생성수단을 구비한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 측면에 따른 내부 전압 생성 회로는 기준전압 대비 펌핑전압을 검출한 결과에 따라 기준 발진신호를 생성하는 기준 발진신호 생성수단; 상기 기준 발진신호를 기반으로, 예정된 위상 차이를 가지며 천이 시점이 서로 오버랩되지 않는 제1 및 제2 소오스 발진신호를 생성하는 소오스발진신호 생성수단; 상기 제1 소오스 발진신호에 응답하여 순차적으로 활성화되는 다수의 제1 발진신호를 생성하는 제1 발진신호 생성수단; 상기 제2 소오스 발진신호에 응답하여 순차적으로 활성화되는 다수의 제2 발진신호를 생성하는 제2 발진신호 생성수단; 및 상기 다수의 제1 및 제2 발진신호 각각에 응답하여 상기 펌핑전압을 생성하는 펌핑전압 생성수단을 구비한다.

본 발명은 다수의 펌핑 전압 생성 회로를 예정된 위상 차이를 가지고 순차적으로 동작하게 함으로써, 펌핑전압에 발생할 수 있는 노이즈를 최대한 줄여 줄 수 있고, 이를 사용하는 회로의 안정성 및 신뢰성을 확보할 수 있다. 특히, 'tDV'를 확보할 수 있다. 또한, 펌핑전압 생성부를 동작시키기 위한 회로를 공유함으로써, 넷-다이를 증가시킬 수 있다.

본 발명은 다수의 펌핑 전압 생성 회로를 순차적으로 동작하여 펌핑 전압에 발생하는 노이즈를 최대한 줄여 줌으로써, 내부 전압을 사용하는 회로의 안정성 및 신뢰성을 높일 수 있고, 특히, 스펙(spec.)으로 정해진 'tDV'를 확보할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

또한, 펌핑전압 생성부를 동작시키기 위한 회로를 공유함으로써, 넷-다이를 증가시킬수 있고, 이는 곧 원가 절감의 효과를 얻을 수 있다.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명에 따른 펌핑 전압 생성 회로의 제1 실시예를 설명하기 위한 블록도이다.

도 2를 참조하면, 펌핑 전압 생성 회로는 전압레벨 검출부(210)와, 기준 발진신호 생성부(230)와, 발진신호 생성부(250), 및 펌핑전압 생성부(270)를 구비할 수 있다.

전압레벨 검출부(210)는 기준전압(V_REF)에 대비하여 펌핑전압(V_PP)을 검출하기 위한 것으로, 예컨대 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨이 기준전압(V_REF)의 전압레벨보다 낮은 경우 논리'하이'의 검출신호(V_DET)를 출력하고, 펌핑전압(V_PP)의 전 압레벨이 기준전압(V_REF)의 전압레벨보다 높은 경우 논리'로우'의 검출신호(V_DET)를 출력한다.

기준 발진신호 생성부(230)는 전압레벨 검출부(210)의 검출 결과 즉, 검출신호(V_DET)에 따라 예정된 주파수의 기준 발진신호(OSC_REF)를 생성한다. 예컨대, 기준 발진신호 생성부(230)는 검출신호(V_DET)가 논리'하이'인 경우 예정된 주파수로 발진하는 기준 발진신호(OSC_REF)를 생성하고, 검출신호(V_DET)가 논리'로우'인 경우 발진하지 않는 기준 발진신호(OSC_REF)를 생성한다.

발진신호 생성부(250)는 기준 발진신호(OSC_REF)를 기반으로 예정된 위상 차이를 가지고 활성화되는 제1 및 제2 발진신호(OSC1, OSC2)를 생성하기 위한 것으로, 제1 발진신호(OSC1)는 발진하는 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 발진하는 신호이고, 제2 발진신호(OCS2)는 제1 발진신호(OSC1)와 예정된 위상 차이를 가지고 발진하는 신호이다.

펌핑전압 생성부(270)는 제1 및 제2 발진신호(OSC1, OSC2)에 응답하여 순차적인 차지 펌핑 동작을 통해 펌핑전압(V_PP)를 생성하기 위한 것으로, 제1 펌핑전압 생성부(272)와 제2 펌핑전압 생성부(274)를 구비할 수 있다. 제1 펌핑전압 생성부(272)는 제1 발진신호(OSC1)에 응답하여 펌핑전압(V_PP)을 생성하고, 제2 펌핑전압 생성부(274)는 제2 발진신호(OCS2)에 응답하여 펌핑전압(V_PP)을 생성한다.

본 발명에 따르면, 발진신호 생성부(250)는 예정된 위상 차이를 가지고 활성화되는 제1 및 제2 발진신호(OSC1, OSC2)를 생성하고, 펌핑전압 생성부(270)는 이에 응답하여 순차적으로 차지 펌핑 동작을 수행하는 것이 가능하다. 즉, 차지 펌프 동작이 한꺼번에 수행되는 것이 아니라 순차적으로 동작하게 되며, 이에 따라 펌핑전압(V_PP)의 노이즈를 줄여 줄 수 있다.

여기서, 기준 발진신호 생성부(230)는 도 1의 발진신호 생성부(130)와 기술적 구현 및 동작이 동일하고, 제1 및 제2 펌핑전압 생성부(272, 274) 각각은 도 1의 펌핑전압 생성부(150)와 기술적 구현 및 동작이 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.

도 3은 도 2의 발진신호 생성부(250)를 설명하기 위한 블록도이다.

도 3을 참조하면, 발진신호 생성부(250)는 제1 및 제2 제어신호 생성부(310, 330)와, 제1 및 제2 발진신호 출력부(350, 370)를 구비할 수 있다.

제1 및 제2 제어신호 생성부(310, 330)는 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 순차적으로 활성화되는 제1 및 제2 제어신호(CTR1, CTR2)를 생성하기 위한 것으로, 제1 제어신호 생성부(310)는 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 입력신호(IN)를 제1 제어신호(CTR1)로서 출력하고, 제2 제어신호 생성부(330)는 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 제1 제어신호(CTR1)를 제2 제어신호(CTR2)로서 출력한다. 여기서, 제1 및 제2 제어신호 생성부(310, 330)는 리셋신호(RST)에 응답하여 리셋(reset)된다. 제1 및 제2 제어신호 생성부(310, 330)에 대한 기술적 구현은 도 4에서 다시 하기로 한다.

제1 및 제2 발진신호 출력부(350, 370)는 제1 및 제2 제어신호(CTR1, CTR2)에 응답하여 기준 발진신호(OSC_REF)를 제1 및 제2 발진신호(OSC1, OSC2)로서 출력하기 위한 것으로, 제1 발진신호 출력부(350)는 제1 제어신호(CTR1)에 응답하여 기 준 발진신호(OSC_REF)를 제1 발진신호(OSC1)로서 출력하고 제2 발진신호 출력부(370)는 제2 제어신호(CTR2)에 응답하여 기준 발진신호(OSC_REF)를 제2 발진신호(OSC2)로서 출력한다. 이때, 제1 발진신호(OSC1)와 제2 발진신호(OSC2)는 순차적으로 활성화되며, 서로 180°위상 차이를 가질 수 있다.

도 4는 도 3의 제1 제어신호 생성부(310)를 설명하기 위한 회로도이다.

도 4를 참조하면, 제1 제어신호 생성부(310)는 저장부(410)와, 출력부(430)를 구비할 수 있다.

저장부(410)는 논리'로우'의 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 입력신호(IN)를 제1 래칭부(LAT1)에 저장하고, 출력부(430)는 논리'하이'의 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 제1 래칭부(LAT1)의 출력신호를 제2 래칭부(LAT2)에 저장하고 제1 제어신호(CTR1)로서 출력한다. 이어서, 리셋부(450)는 논리'로우'의 리셋신호(RST)에 응답하여 제1 및 제2 래칭부(LAT1, LAT2)를 리셋시켜 준다.

한편, 제2 제어신호 생성부(330)는 제1 제어신호 생성부(310)와 기술적 구현이 유사하기 때문에 추가로 도시하지 않았으며, 제2 제어신호 생성부(330)의 경우 논리'로우'의 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 제1 제어신호(CTR1)를 저장하고, 논리'하이'의 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 저장된 제1 제어신호(CTR1)를 제2 제어신호(CTR2)로서 출력한다.

이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 간단한 동작을 설명하기로 한다. 여기서, 입력신호(IN)는 논리'로우'를 가진다.

우선, 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨이 기준전압(V_REF)의 전압레벨보다 낮아진 경우, 전압레벨 검출부(210)가 이를 검출하고 그 결과에 따라 기준 발진신호 생성부(230)는 예정된 주파수의 기준 발진신호(OSC_REF)를 생성한다.

제1 제어신호 생성부(310)는 논리'로우'의 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 입력신호(IN)를 제1 래칭부(LAT1)에 저장하고, 기준 발진신호(OSC_REF)가 논리'하이'로 천이하는 첫 번째 시점(1)에 응답하여 제1 래칭부(LAT1)의 출력신호를 제1 제어신호(CTR1)로서 출력한다. 이때, 제1 제어신호(CTR1)에 제어 받는 제1 인버터(C_INV1)가 구동되며, 기준 발진신호(OSC_REF)는 제1 발진신호(OSC1)로서 출력된다.

이후, 제2 제어신호 생성부(330)는 논리'로우'의 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 제1 제어신호(CTR1)를 저장하고, 기준 발진신호(OSC_REF)가 논리'하이'로 천이하는 두 번째 시점(2)에 응답하여 저장된 제1 제어신호(CTR1)를 제2 제어신호(CTR2)로서 출력한다. 즉, 제1 제어신호(CTR1)가 활성화되고 순차적으로 제2 제어신호(CTR2)가 활성화된다. 이때, 제2 제어신호(CTR2)에 제어 받는 제2 인버터(C_INV1)가 구동되며, 기준 발진신호(OSC_REF)는 제2 발진신호(OSC2)로서 출력된다.

도 5는 도 3의 기준 발진신호(OSC_REF)와 제1 및 제2 발진신호(OSC1, OSC2)를 설명하기 위한 파형도이다.

도 5에서 볼 수 있듯이, 제1 발진신호(OSC1)가 활성화되고 순차적으로 제2 발진신호(OSC2)가 활성화되기 때문에, 이에 응답하는 제1 및 제2 펌핑전압 생성부(272, 274, 도 2 참조)가 동시에 구동되지 않고 순차적으로 차지 펌핑 동작을 수 행할 수 있다.

또한, 제1 발진신호(OSC1)와 제2 발진신호(OSC1)는 180°위상 차이를 가지기 때문에, 제1 발진신호(OSC1)의 라이징 에지와 제2 발진신호(OSC2)의 폴링 에지가 서로 대응되고, 제1 발진신호(OSC1)의 폴링 에지와 제2 발진신호(OSC1)의 라이징 에지가 서로 대응될 수 있다. 즉, 제1 펌핑전압 생성부(272, 도 2 참조)가 제1 발진신호(OSC1)의 라이징 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행할 때 제2 펌핑전압 생성부(274)는 제2 발진신호(OSC2)의 폴링 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하는 것이 가능하며, 반대로, 제1 펌핑전압 생성부(272)가 제1 발진신호(OSC1)의 폴링 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행할 때 제2 펌핑전압 생성부(274)는 제2 발진신호(OSC2)의 라이징 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하는 것이 가능하다.

이는 펌핑전압(V_PP)의 최대 노이즈 값을 줄여 줄 수 있음을 의미한다. 설명의 편의를 위해, 라이징 에지에 대응하여 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈 값이 7이라고 가정하기로 하고, 폴링 에지에 응답하여 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈 값이 3이라 가정하기로 한다.

종래의 경우. 모든 펌핑 전압 생성 회로(2개로 가정함)는 라이징 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하고, 이에 따라 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈 값은 14(7+7)가 된다. 또한, 폴링 에지에 응답하여 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈 값은 6(3+3)이 된다. 이때, 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 최대 노이즈 값은 14가 된다.

하지만, 본 발명의 제1 실시예에 따른 펌핑 전압 생성 회로는 제1 펌핑 전압 생성부(272)가 라이징 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하고 제2 펌핑 전압 생성부(274)가 폴링 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하기 때문에, 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈 값은 10(7+3)이 된다. 반대로, 제1 펌핑 전압 생성부(274)가 폴링 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하고 제2 펌핑 전압 생성부(274)가 라이징 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하기 때문에, 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈 값은 역시 10이 된다. 그래서, 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 최대 노이즈 값은 10이 된다.

결국, 본 발명에 따른 펌핑 전압 생성 회로는 생성되는 펌핑전압(V_PP)의 최대 노이즈 값을 줄여 주는 것이 가능하다.

도 6은 본 발명에 따른 펌핑 전압 생성 회로의 제2 실시예를 설명하기 위한 블록도이다.

도 6을 참조하면, 펌핑 전압 생성 회로는 전압레벨 검출부(610)와, 기준 발진신호 생성부(630)와, 소오스 발진신호 생성부(650)와, 발진신호 생성부(670), 및 펌핑전압 생성부(690)를 구비할 수 있다.

전압레벨 검출부(610)는 기준전압(V_REF)에 대비하여 펌핑전압(V_PP)을 검출하기 위한 것으로, 예컨대 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨이 기준전압(V_REF)의 전압레벨보다 낮은 경우 논리'하이'의 검출신호(V_DET)를 출력하고, 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨이 기준전압(V_REF)의 전압레벨보다 높은 경우 논리'로우'의 검출신호(V_DET)를 출력한다.

기준 발진신호 생성부(630)는 전압레벨 검출부(610)의 검출 결과 즉, 검출신호(V_DET)에 따라 예정된 주파수의 기준 발진신호(OSC_REF)를 생성한다. 예컨대, 기준 발진신호 생성부(630)는 검출신호(V_DET)가 논리'하이'인 경우 예정된 주파수로 발진하는 기준 발진신호(OSC_REF)를 생성하고, 검출신호(V_DET)가 논리'로우'인 경우 발진하지 않는 기준 발진신호(OSC_REF)를 생성한다.

소오스 발진신호 생성부(650)는 기준 발진신호(OSC_REF)를 기반으로, 예정된 위상 차이를 가지며 천이 시점이 서로 오버랩(overlap)되지 않는 제1 및 제2 소오스 발진신호(OSC_ODD, OSC_EVEN)를 생성한다. 여기서, 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)는 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 발진하는 신호이고, 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)는 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)와 예정된 위상 차이를 가지는 발진하는 신호이다. 이와 관련하여 도 8에서 다시 설명하겠지만, 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)와 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)는 서로 90°위상 차이를 가지는 신호로서, 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)의 라이징 에지 및 폴링 에지는 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)의 라이징 에지 및 폴링 에지에 오버랩되지 않는다. 즉, 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)의 천이 시점과 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)의 천이 시점이 서로 겹치지 않는다.

발진신호 생성부(670)는 제1 및 제2 소오스 발진신호(OSC_ODD, OSC_EVEN)에 응답하여 순차적으로 활성화되는 다수의 발진신호(OSC1, OSC2, OSC3, OSC4)를 생성하기 위한 것으로, 제1 및 제2 발진신호 생성부(672, 674)를 구비할 수 있다. 여기서, 제1 발진신호 생성부(672)는 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)에 응답하여 순차적 으로 활성화되는 제1 및 제3 발진신호(OSC1, OSC3)를 생성하고, 제2 발진신호 생성부(674)는 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)에 응답하여 순차적으로 활성화되는 제2 및 제4 발진신호(OSC2, OSC4)를 생성한다.

펌핑전압 생성부(690)는 다수의 발진신호(OSC1, OSC2, OSC3, OSC4)에 각각 응답하여 펌핑전압(V_PP)을 생성하기 위한 것으로, 제1 내지 제4 펌핑전압 생성부(692, 694, 696, 698)를 구비할 수 있다. 여기서, 제1 펌핑전압 생성부(692)는 제1 발진신호(OSC1)에 응답하여 차지 펌핑 동작을 통해 펌핑전압(V_PP)을 생성하고, 제2 펌핑전압 생성부(694)는 제2 발진신호(OSC2)에 응답하여 차지 펌핑 동작을 통해 펌핑전압(V_PP)을 생성하고, 제3 펌핑전압 생성부(696)는 제3 발진신호(OSC3)에 응답하여 차지 펌핑 동작을 통해 펌핑전압(V_PP)을 생성하며, 제4 펌핑전압 생성부(698)는 제4 발진신호(OSC4)에 응답하여 차지 펌핑 동작을 통해 펌핑전압(V_PP)을 생성한다.

본 발명의 제2 실시예에 따르면, 소오스 발진신호 생성부(650)는 기준 발진신호(OSC_REF)를 기반으로 예정된 위상 차이를 가지며 천이 시점이 서로 오버랩되지 않는 제1 및 제2 소오스 발진신호(OSC_ODD, OSC_EVEN)를 생성하고, 제1 및 제2 발진신호 생성부(672, 674)는 이에 응답하여 순차적으로 활성화되는 다수의 발진신호(OSC1, OSC2, OSC3, OSC4)를 생성한다. 그래서, 제1 내지 제4 펌핑전압 생성부(692, 694, 696, 698)는 다수의 발진신호(OSC1, OSC2, OSC3, OSC4)에 응답하여 순차적인 차지 펌핑 동작을 통해 노이즈가 줄어든 펌핑전압(V_PP)을 생성할 수 있다.

여기서, 전압레벨 검출부(610)와, 기준 발진신호 생성부(230), 및 제1 내지 제4 펌핑전압 생성부(692, 694, 696, 698) 각각의 기술적 구현은 제1 실시예에서도 설명한 바와 같이 본 발명에 속하는 기술분야에서 종사하는 자에게 자명하므로, 구체적인 설명은 생략하기로 한다. 이하, 본 발명의 제2 실시예와 밀접한 관련이 있는 소오스 발진신호 생성부(650)와, 제1 및 제2 발진신호 생성부(672, 674)에 대한 설명을 하기로 한다.

도 7은 도 6의 소오스 발진신호 생성부(650)와, 제1 및 제2 발진신호 생성부(672, 674)를 설명하기 위한 회로도이다.

도 7을 참조하면, 소오스 발진신호 생성부(650)는 클럭분주부(710)와, 클럭쉬프팅부(720)를 구비할 수 있다. 여기서, 제1 인버터(INV1)는 회로 동작에 맞는 논리 레벨 값을 맞추고 기준 발진신호(OSC_REF)을 버퍼링(buffering)하기 위한 것으로, 기준 발진신호(OSC_REF)를 입력받아 반전하여 출력한다.

클럭분주부(710)는 기준 발진신호(OSC_REF)를 분주하여 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 생성하기 위한 것으로, 제1 저장부(712)와 제1 출력부(714)를 구비할 수 있다. 여기서, 제1 저장부(712)는 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 피드백(feedback)되는 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 저장하고, 제1 출력부(714)는 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 제1 저장부(712)의 출력신호를 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)로서 출력한다.

클럭쉬프팅부(720)는 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 쉬프팅(shifting)하고 상기 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)로서 출 력하기 위한 것으로, 제2 저장부(722)와 제2 출력부(724)를 구비할 수 있다. 여기서, 제2 저장부(722)는 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 저장하고, 제2 출력부(724)는 기준 발진신호(OSC_REF)에 응답하여 제2 저장부(722)의 출력신호를 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)로서 출력한다.

여기서, 클럭분주부(710)와 클럭쉬프팅부(720)의 간단한 동작을 살펴보도록 하자.

우선, 클럭분주부(710)에 발진하는 기준 발진신호(OSC_REF)가 입력되면, 제1 저장부(712)는 기준 발진신호(OSC_REF)의 폴링 에지에 응답하여 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 제1 출력부(714)로 전달하고, 기준 발진신호(OSC_REF)의 라이징 에지에 응답하여 제1 출력부(714)에 전달되던 출력신호를 제1 래칭부(LAT1)에 저장한다. 또한, 제1 출력부(714)는 기준 발진신호(OSC_REF)의 라이징 에지에 응답하여 제1 저장부(712)의 출력신호를 제2 래칭부(LAT2)에 저장하고 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)로서 출력한다. 결국, 클럭분주부(710)는 기준 발진신호(OSC_REF)를 분주하여 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 생성한다.

다음으로, 클럭쉬프팅부(720)에 발진하는 기준 발진신호(OSC_REF)가 입력되면, 제2 저장부(722)는 기준 발진신호(OSC_REF)의 라이징 에지에 응답하여 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 제3 래칭부(LAT3)에 저장하고, 제2 출력부(724)는 기준 발진신호(OSC_REF)의 폴링 에지에 응답하여 제2 저장부(722)의 출력신호를 제4 래칭부(LAT4)에 저장하고 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)로서 출력한다. 결국, 클럭쉬프팅부(720)는 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 기준 발진신호(OSC_REF)의 폴링 에지에 동기화시켜 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)로서 출력한다.

도 8은 도 7에 관련된 각 신호를 설명하기 위한 파형도이다. 설명의 편의를 위해 여기서는 기준 발진신호(OSC_REF)와, 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD), 및 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)를 우선 살펴보기로 한다.

도 8을 참조하면, 기준 발진신호(OSC_REF)가 발진을 시작하면, 기준 발진신호(OSC_REF)를 분주한 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)가 생성되고, 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 쉬프팅한 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)가 생성된다. 여기서, 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)와 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)는 서로 90°위상 차이를 가지는 신호로서, 천이 시점(라이징 에지 및 폴링 에지)이 서로 오버랩되지 않는다.

만약, 펌핑 전압 생성 회로가 도 2와 같이 두 개의 제1 및 제2 펌핑전압 생성부(272, 274)를 구비한다면, 제1 및 제2 소오스 발진신호(OSC_ODD, OSC_EVEN)를 바로 이용하여 펌핑전압(V_PP)의 노이즈를 줄여 주는 것이 가능하다. 다시 말하면, 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)의 라이징 에지 및 폴링 에지와, 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)의 라이징 에지 및 폴링 에지가 서로 오버랩되지 않기 때문에, 순차적으로 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)의 라이징 에지에 응답하여 제1 펌핑전압 생성부(272)가 차지 펌핑 동작을 수행하고, 이후 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)의 라이징 에지에 응답하여 제2 펌핑전압 생성부(274)가 차지 펌핑 동작을 수행하고, 이후 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)의 폴링 에지에 응답하여 제1 펌핑전압 생성부(272)가 차지 펌핑 동작을 수행하며, 이후 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)의 폴 링 에지에 응답하여 제2 펌핑전압 생성부(274)가 차지 펌핑 동작을 수행한다.

결국, 제1 및 제2 소오스 발진신호(OSC_ODD, OSC_EVEN)의 천이 시점이 서로 오버랩되지 않기 때문에 차지 펌핑 동작을 순차적으로 수행할 수 있으며, 이로 인하여 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈를 최대한 줄여주는 것이 가능하다.

다시 도 7을 참조하여 제1 및 제2 발진신호 생성부(672, 674)를 설명하기로 한다.

우선, 제1 발진신호 생성부(672)는 제1 및 제3 제어신호 생성부(730A, 730B)와, 제1 및 제3 발진신호 출력부(740A, 740B)를 구비할 수 있다.

제1 및 제3 제어신호 생성부(730A, 730B)는 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)에 응답하여 순차적으로 활성화되는 제1 및 제3 제어신호(CTR1, CTR3)를 생성하기 위한 것으로, 제1 제어신호 생성부(730A)는 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)에 응답하여 입력신호(IN)를 제1 제어신호(CTR1)로서 출력하고, 제3 제어신호 생성부(730B)는 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)에 응답하여 제1 제어신호(CTR1)를 제3 제어신호(CTR3)로서 출력한다. 여기서, 제1 및 제3 제어신호 생성부(730A, 730B)는 리셋신호(RST)에 응답하여 리셋(reset)된다. 제1 및 제3 제어신호 생성부(730A, 730B)의 기술적 구현은 도 4와 실질적으로 동일함으로 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.

제1 및 제3 발진신호 출력부(740A, 740B)는 제1 및 제3 제어신호(CTR1, CTR3)에 응답하여 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 제1 및 제3 발진신호(OSC1, OSC3)로서 출력하기 위한 것으로, 제1 발진신호 출력부(740A)는 제1 제어신 호(CTR1)에 응답하여 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 제1 발진신호(OSC1)로서 출력하고 제3 발진신호 출력부(740B)는 제3 제어신호(CTR3)에 응답하여 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)를 제3 발진신호(OSC3)로서 출력한다. 이때, 제1 발진신호(OSC1)와 제3 발진신호(OSC3)는 360°위상 차이를 가진다.

한편, 제2 발진신호 생성부(674)는 제2 및 제4 제어신호 생성부(750A, 750B)와, 제2 및 제4 발진신호 출력부(760A, 760B)를 구비할 수 있다.

제2 및 제4 제어신호 생성부(750A, 750B)는 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)에 응답하여 순차적으로 활성화되는 제2 및 제4 제어신호(CTR2, CTR4)를 생성하기 위한 것으로, 제2 제어신호 생성부(750A)는 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)에 응답하여 입력신호(IN)를 제2 제어신호(CTR2)로서 출력하고, 제4 제어신호 생성부(750B)는 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)에 응답하여 제2 제어신호(CTR2)를 제4 제어신호(CTR4)로서 출력한다. 여기서, 제2 및 제4 제어신호 생성부(750A, 750B)도 리셋신호(RST)에 응답하여 리셋(reset)되며, 이에 대한 기술적 구현도 도 4와 실질적으로 동일함으로 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.

제2 및 제4 발진신호 출력부(760A, 760B)는 제2 및 제4 제어신호(CTR2, CTR4)에 응답하여 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)를 제2 및 제4 발진신호(OSC2, OSC4)로서 출력하기 위한 것으로, 제2 발진신호 출력부(760A)는 제2 제어신호(CTR2)에 응답하여 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)를 제2 발진신호(OSC2)로서 출력하고 제4 발진신호 출력부(760B)는 제4 제어신호(CTR4)에 응답하여 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)를 제4 발진신호(OSC4)로서 출력한다. 이때, 제2 발진신 호(OSC2)와 제4 발진신호(OSC4)는 360°위상 차이를 가진다.

그래서, 제1 내지 제4 제어신호 생성부(730A, 730B, 750A, 750B)는 제1 및 제2 소오스 발진신호(OSC_ODD, OSC_EVEN)에 응답하여 순차적으로 활성화되는 제1 내지 제4 제어신호(CTR1, CTR2, CTR3, CTR4)를 생성하고, 제1 내지 제4 발진신호 출력부(740A, 740B, 760A, 760B)는 제1 내지 제4 제어신호(CTR1, CTR2, CTR3, CTR4)에 응답하여 순차적으로 제1 내지 제4 발진신호(OSC1, OSC2, OSC3, OSC4)를 생성할 수 있다.

다시 도 8을 참조하여 각 신호들의 파형을 알아보기로 하자.

도 8에는 기준 발진신호(OSC_REF)와, 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)와, 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN), 및 제1 내지 제4 발진신호(OSC1, OSC2, OSC3, OSC4)가 도시되어 있다.

기준 발진신호(OSC_REF)을 분주한 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)는 기준 발진신호(OSC_REF)의 라이징 에지에 응답하여 논리'로우'에서 논리'하이'로 및 논리'하이'에서 논리'로우'로 천이 한다. 그리고, 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)을 90°위상만큼 쉬프팅한 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)는 기준 발진신호(OSC_REF)의 폴링 에지에 응답하여 논리'로우'에서 논리'하이'로 및 논리'하이'에서 논리'로우'로 천이 한다.

이어서, 제1 발진신호(OSC1)는 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)가 논리'하이'로 천이하는 첫 번째 시점(1_ODD)에 응답하여 발진하고, 제3 발진신호(OSC3)는 제1 소오스 발진신호(OSC_ODD)가 논리'하이'로 천이하는 두 번째 시점(2_ODD)에 응답하 여 발진한다. 그리고, 제2 발진신호(OSC2)는 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)가 논리'하이'로 천이하는 첫 번째 시점(1_EVEN)에 응답하여 발진하고, 제4 발진신호(OSC4)는 제2 소오스 발진신호(OSC_EVEN)가 논리'하이'로 천이하는 두 번째 시점(2_EVEN)에 응답하여 발진한다.

결국, 제1 내지 제4 발진신호(OSC1, OSC2, OSC3, OSC4)는 순차적으로 활성화되기 때문에, 이에 응답하여 동작하는 제1 내지 제4 펌핑전압 생성부(692, 694, 696, 698)가 동시에 구동되지 않고 순차적으로 차지 펌핑 동작을 수행하게 된다. 즉, 제1 내지 제4 발진신호(OSC1, OSC2, OSC3, OSC4)는 각각 90°위상 차이를 가지기 때문에 제1 및 제2 발진신호(OSC1, OSC2)와, 제3 및 제4 발진신호(OSC3, OSC4)의 천이 시점이 서로 오버랩되지 않게 되고 제1 및 제2 펌핑전압 생성부(692, 684)와, 제3 및 제4 펌핑전압 생성부(696, 698)는 서로 겹치지 않게 차지 펌핑 동작을 수행하게 된다.

이 역시 펌핑전압(V_PP)의 노이즈 값을 줄여 주는 것이 가능하다. 설명의 편의를 위해, 라이징 에지에 대응하여 발생하는 노이즈 값이 7 이라고 가정하기로 하고, 폴링 에지에 응답하여 발생하는 노이즈 값이 3 이라 가정하기로 하기로 한다.

종래의 경우, 모든 펌핑 전압 생성 회로(4개로 가정함)는 라이징 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하고 이에 따라 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈 값은 28(7×4)이 된다. 또한, 폴링 에지에 응답하여 차지 펌핑 동작에 따라 펌핑전압(V_PP)에 발생하는 노이즈 값은 12(3×4)가 된다. 이때, 펌핑전압(V_PP)에 발생할 수 있는 최대 노이즈 값은 28이 된다.

하지만, 본 발명의 제2 실시예에 따른 펌핑 전압 생성 회로는 우선, 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨이 기준전압(V_REF)의 전압레벨보다 조금 낮은 경우(기준 발진신호(OSC_REF)의 발진구간이 짧은 경우), 제1 및 제2 펌핑전압 생성부(692, 694)만 구동될 수 있으며 이때, 펌핑전압(V_PP)에는 라이징 에지에 대응하는 7 이 최대 노이즈 값이 된다. 그리고, 펌핑전압(V_PP)의 전압레벨이 기준전압(V_REF)의 전압레벨보다 많이 낮은 경우(기준 발진신호(OSC_REF)의 발진구간이 긴 경우), 제1 내지 제4 펌핑전압 생성부(692, 694, 696, 698)가 모두 구동될 수 있으며, 이때, 펌핑전압(V_PP)에는 제1 및 제3 발진신호(OSC1, OSC3)의 라이징 에지 또는 제2 및 제4 발진신호(OSC2, OSC4)의 라이징 에지에 대응하는 14(7×2)가 최대 노이즈 값이 된다.

도 9는 종래와 본 발명에 따른 펌핑전압(V_PP)의 노이즈의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.

도 9에는 종래에 펌핑 전압 생성 회로가 동일한 에지에 응답하여 한꺼번에 차지 펌핑 동작을 수행하는 경우의 펌핑전압 노이즈(V_PP_OLD)의 시뮬레이션 결과와, 본 발명(특히 제2 실시예)에 따라 펌핑 전압 생성 회로가 순차적으로 차지 펌핑 동작을 수행하는 경우의 펌핑전압 노이즈(V_PP_NEW)의 시뮬레이션 결과가 나타나있다. 도면에서 알 수 있듯이 펌핑전압에 발생하는 노이즈가 확연하게 줄어든 것을 알 수 있다.

전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 펌핑 전압 생성 회로는 차지 펌핑 동작으로 인하여 발생할 수 있는 펌핑전압(V_PP)의 노이즈를 최대한 줄여주는 것이 가능 하다. 때문에 이 펌핑전압(V_PP)을 사용하는 회로의 안정성 및 신뢰성을 확보할 수 있다. 특히, 고속으로 데이터를 입/출력하는 장치의 안정적인 'tDV'를 확보할 수 있다.

또한, 종래에서처럼 펌핑 전압 생성 회로를 다수 구비하는 것이 아니라, 제1 및 제2 실시예에서 알 수 있듯이, 다수의 펌핑 전압 생성부를 구동하기 위한 주변 회로(전압레벨 검출부와, 기준 발진신호 생성부, 및 (소오스)발진신호 생성부)를 공유함으로써, 넷다이(net-die)를 증가시킬 수 있으며, 넷다이 증가를 통한 생산력 향상은 제조 원가의 절감으로 연결될 수 있다.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 이상에서 설명한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경으로 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

또한, 전술한 실시예에서 예시한 논리 게이트 및 트랜지스터는 입력되는 신호의 극성에 따라 그 위치 및 종류가 다르게 구현되어야 할 것이다.

또한, 전술한 실시예에서는 다수의 발진신호가 180°와 90°의 위상 차이를 가지는 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 본 발명은 이외 다른 위상 차이를 가지는 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 전술한 실시예에서는 펌핑 전압(V_PP)을 생성하는 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 기판 바이어스 전압뿐 아니라 차지 펌핑 동작을 통해 생성되는 모든 전압에 대하여도 적용할 수 있다.

도 1은 일반적인 펌핑 전압 생성 회로를 설명하기 위한 블록도.

도 2는 본 발명에 따른 펌핑 전압 생성 회로의 제1 실시예를 설명하기 위한 블록도.

도 3은 도 2의 발진신호 생성부(250)를 설명하기 위한 블록도.

도 4는 도 3의 제1 제어신호 생성부(310)를 설명하기 위한 회로도.

도 5는 도 3의 기준 발진신호(OSC_REF)와 제1 및 제2 발진신호(OSC1, OSC2)를 설명하기 위한 파형도.

도 6은 본 발명에 따른 펌핑 전압 생성 회로의 제2 실시예를 설명하기 위한 블록도.

도 7은 도 6의 소오스 발진신호 생성부(650)와, 제1 및 제2 발진신호 생성부(672, 674)를 설명하기 위한 회로도.

도 8은 도 7에 관련된 각 신호를 설명하기 위한 파형도.

도 9는 종래와 본 발명에 따른 펌핑전압(V_PP)의 노이즈의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

210 : 전압레벨 검출부 230 : 기준 발진신호 생성부

250 : 발진신호 생성부 270 : 펌핑전압 생성부

272 : 제1 펌핑전압 생성부 274 : 제2 펌핑전압 생성부

Claims

삭제
삭제
기준전압 대비 펌핑전압을 검출한 결과에 따라 기준 발진신호를 생성하는 기준 발진신호 생성수단;

상기 기준 발진신호를 기반으로, 예정된 위상 차이를 가지고 활성화되는 다수의 발진신호를 생성하는 발진신호 생성수단; 및

상기 다수의 발진신호에 각각 응답하여 순차적인 차지 펌핑 동작을 통해 상기 펌핑전압을 생성하는 펌핑전압 생성수단을 구비하되,

상기 발진신호 생성수단은,

상기 기준 발진신호에 응답하여 순차적으로 활성화되는 다수의 제어신호를 생성하는 다수의 제어신호 생성부와,

상기 다수의 제어신호에 응답하여 상기 기준 발진신호를 상기 다수의 발진신호로서 출력하는 다수의 발진신호 출력부를 구비하며,

상기 다수의 제어신호 생성부는,

상기 기준 발진신호에 응답하여 입력신호를 제1 제어신호로서 출력하는 제1 제어신호 생성부와,

상기 기준 발진신호에 응답하여 상기 제1 제어신호를 제2 제어신호로서 출력하는 적어도 하나 이상의 제2 제어신호 생성부를 구비하는 내부 전압 생성 회로.
제3항에 있어서,

상기 다수의 제어신호 생성부 각각은,

상기 기준 발진신호에 응답하여 해당하는 입력신호를 저장하는 저장부와,

상기 기준 발진신호에 응답하여 상기 저장부의 출력신호를 해당하는 제어신호로서 출력하는 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제3항에 있어서,

상기 다수의 발진신호 출력부 각각은 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 기준 발진신호를 해당하는 발진신호로서 출력하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제3항에 있어서,

상기 다수의 발진신호는 각각 180°만큼 위상 차이를 가지는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제3항에 있어서,

상기 펌핑전압 생성수단은,

상기 다수의 발진신호에 각각 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하는 다수의 차지 펌핑부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
기준전압 대비 펌핑전압을 검출한 결과에 따라 기준 발진신호를 생성하는 기준 발진신호 생성수단;

상기 기준 발진신호를 기반으로, 예정된 위상 차이를 가지며 천이 시점이 서로 오버랩되지 않는 제1 및 제2 발진신호를 생성하는 발진신호 생성수단; 및

상기 제1 및 제2 발진신호에 각각 응답하여 순차적인 차지 펌핑 동작을 통해 상기 펌핑전압을 생성하는 펌핑전압 생성수단을 구비하되,

상기 발진신호 생성수단은,

상기 기준 발진신호를 분주하여 상기 제1 발진신호를 생성하는 클럭분주부와,

상기 기준 발진신호에 응답하여 상기 제1 발진신호를 쉬프팅하고 상기 제2 발진신호로서 출력하는 클럭쉬프팅부를 구비하는 내부 전압 생성 회로.
제8항에 있어서,

상기 제1 발진신호는 상기 기준 발진신호의 제1 에지에 응답하여 천이되고, 상기 제2 발진신호는 상기 기준 발진신호의 제2 에지에 응답하여 천이되는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
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제8항에 있어서,

상기 클럭분주부는,

상기 기준 발진신호에 응답하여 피드백되는 상기 제1 발진신호를 저장하는 저장부와,

상기 기준 발진신호에 응답하여 상기 저장부의 출력신호를 상기 제1 발진신호로서 출력하는 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제8항에 있어서,

상기 클럭쉬프팅부는,

상기 기준 발진신호에 응답하여 상기 제1 발진신호를 저장하는 저장부와,

상기 기준 발진신호에 응답하여 상기 저장부의 출력신호를 상기 제2 발진신호로서 출력하는 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제8항에 있어서,

상기 제1 발진신호와 상기 제2 발진신호는 90°만큼 위상 차이를 가지는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제8항에 있어서,

상기 펌핑전압 생성수단은,

상기 제1 및 제2 발진신호에 각각 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하는 다수의 차지 펌핑부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
기준전압 대비 펌핑전압을 검출한 결과에 따라 기준 발진신호를 생성하는 기준 발진신호 생성수단;

상기 기준 발진신호를 기반으로, 예정된 위상 차이를 가지며 천이 시점이 서로 오버랩되지 않는 제1 및 제2 소오스 발진신호를 생성하는 소오스발진신호 생성수단;

상기 제1 소오스 발진신호에 응답하여 순차적으로 활성화되는 다수의 제1 발진신호를 생성하는 제1 발진신호 생성수단;

상기 제2 소오스 발진신호에 응답하여 순차적으로 활성화되는 다수의 제2 발진신호를 생성하는 제2 발진신호 생성수단; 및

상기 다수의 제1 및 제2 발진신호 각각에 응답하여 상기 펌핑전압을 생성하는 펌핑전압 생성수단

을 구비하는 내부 전압 생성 회로.
제15항에 있어서,

상기 제1 소오스 발진신호는 상기 기준 발진신호의 제1 에지에 응답하여 천이되고, 상기 제2 소오스 발진신호는 상기 기준 발진신호의 제2 에지에 응답하여 천이되는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제15항에 있어서,

상기 소오스 발진신호 생성수단은,

상기 기준 발진신호를 분주하여 상기 제1 소오스 발진신호를 생성하는 클럭분주부와,

상기 기준 발진신호에 응답하여 상기 제1 소오스 발진신호를 쉬프팅하고 상기 제2 소오스 발진신호로서 출력하는 클럭쉬프팅부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제17항에 있어서,

상기 클럭분주부는,

상기 기준 발진신호에 응답하여 피드백되는 상기 제1 소오스 발진신호를 저장하는 저장부와,

상기 기준 발진신호에 응답하여 상기 저장부의 출력신호를 상기 제1 소오스 발진신호로서 출력하는 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제17항에 있어서,

상기 클럭쉬프팅부는,

상기 기준 발진신호에 응답하여 상기 제1 소오스 발진신호를 저장하는 저장부와,

상기 기준 발진신호에 응답하여 상기 저장부의 출력신호를 상기 제2 소오스 발진신호로서 출력하는 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제15항에 있어서,

상기 제1 발진신호 생성수단은,

상기 제1 소오스 발진신호에 응답하여 순차적으로 활성화되는 다수의 제어신호를 생성하는 다수의 제어신호 생성부와,

상기 다수의 제어신호에 응답하여 상기 제1 소오스 발진신호를 상기 다수의 제1 발진신호로서 출력하는 다수의 제1 발진신호 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제20항에 있어서,

상기 다수의 제어신호 생성부는,

상기 제1 소오스 발진신호에 응답하여 입력신호를 제1 제어신호로서 출력하 는 제1 제어신호 생성부와,

상기 제1 소오스 발진신호에 응답하여 상기 제1 제어신호를 제2 제어신호로서 출력하는 적어도 하나 이상의 제2 제어신호 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제20항에 있어서,

상기 다수의 제1 발진신호 출력부 각각은 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 제1 소오스 발진신호를 해당하는 제1 발진신호로서 출력하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제15항에 있어서,

상기 제2 발진신호 생성수단은,

상기 제2 소오스 발진신호에 응답하여 순차적으로 활성화되는 다수의 제어신호를 생성하는 다수의 제어신호 생성부와,

상기 다수의 제어신호에 응답하여 상기 제2 소오스 발진신호를 상기 다수의 제2 발진신호로서 출력하는 다수의 제2 발진신호 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제23항에 있어서,

상기 다수의 제어신호 생성부는,

상기 제2 소오스 발진신호에 응답하여 입력신호를 제1 제어신호로서 출력하는 제1 제어신호 생성부와,

상기 제2 소오스 발진신호에 응답하여 상기 제1 제어신호를 제2 제어신호로서 출력하는 적어도 하나 이상의 제2 제어신호 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제23항에 있어서,

상기 다수의 제2 발진신호 출력부 각각은 해당하는 제어신호에 응답하여 상기 제2 소오스 발진신호를 해당하는 제2 발진신호로서 출력하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제15항에 있어서,

상기 다수의 제1 발진신호 각각과 이에 대응하는 다수의 제2 발진신호 각각은 90°만큼 위상 차이를 가지는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.
제15항에 있어서,

상기 펌핑전압 생성수단은,

상기 다수의 제1 및 제2 발진신호 각각 응답하여 차지 펌핑 동작을 수행하는 다수의 차지 펌핑부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 생성 회로.