KR100918125B1 - 유기 ｅｌ 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

유기 EL 표시 장치는 유리 기판(1)과, 유리 기판(1)의 위쪽에 배치된 평탄화막(8a)을 구비한다. 평탄화막(8a)의 표면에 배치된 복수의 양극(9)을 구비한다. 양극(9)의 표면에 배치된 복수의 유기 EL층(11)을 구비한다. 평탄화막(8a)은 복수의 유기 EL층(11)이 배치되어 있는 영역의 바깥쪽의 영역에서, 적어도 일부의 표면에 요철(61)이 형성되어 있다. 이 구성에 의해, 절연막에 수분이 잔존하는 것을 억제한 유기 EL 표시 장치를 제공할 수 있다.

Description

유기 ＥＬ 표시 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 유기 EL 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근에는, 유기 EL(Electro Luminescence) 소자를 포함하는 유기 EL 표시 장치의 개발이 열심히 실행되고 있다. 유기 EL 표시 장치는 자발광형이기 때문에, 액정 표시 장치와 같은 백 라이트가 불필요하다. 또한 박형 경량화가 가능하고, 시야각이 넓기 때문에, 차세대 디스플레이로서 기대되고 있다. 특히, 유기 EL 소자를 구동하기 위한 구동 소자로서, 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)를 화소마다 배치한 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치가 주목받고 있다.
발광층에서 발생한 광을 취출하는 구조에 대해서는, 상면(上面)에 TFT 등이 형성된 유리 기판에 대하여, 아래쪽으로부터 발생한 광을 취출하는 구조(이하, 「바툼 에미션 구조」라고 함)와, 위쪽으로부터 발생한 광을 취출하는 구조(이하, 「탑 에미션 구조」라고 함)가 있다. 탑 에미션 구조는 TFT에 의한 광의 차단이 없기 때문에, 고선명화와 광 취득 효율의 향상이 가능하다.
유기 EL 소자는 양극과 음극 사이에 유기 EL층을 사이에 유지한 구조를 갖는다. 유기 EL층으로는 발광층뿐인 경우나, 발광층, 정공 수송층 및 전자 주입층을 겹친 다층 구조의 경우 등이 있다. 유기 EL 소자는, 예컨대, 양극과 음극 사이에 전압을 인가함으로써, 음극으로부터 전자 주입층을 통해 주입된 전자와, 양극으로부터 정공 수송층을 통해 주입된 정공이 유기 EL층의 내부에서 재결합하는 것에 의해 발광한다. 또한, 유기 EL층으로서는, 저분자계 유기 EL 재료와 고분자계(폴리머계) 유기 EL 재료 등이 있다. 저분자계 유기 EL 재료는 증착법 등으로 형성된다. 고분자계 유기 EL 재료는 스핀 코팅에 의한 도포 방식이나 잉크젯법에 의해 형성된다.
유기 EL 소자는, 수분에 의해 열화가 진행하여, 휘도 저하나 장기 신뢰성이 손상 받는다고 하는 문제가 있다. 유기 EL 소자는 수분에 의해 특성이 손상되기 쉽기 때문에, 유기 EL 소자에 수분이 닿는 것을 극력 억제하는 것이 바람직하다. 유기 EL 소자에 닿는 수분에는, 크게 나눠 표시 장치의 외부로부터 침입하는 수분과, 표시 장치 내부에 함유되어 있는 수분이 있다.
표시 장치의 외부로부터 침입하는 수분으로는, 유기 EL 표시 장치가 사용되는 통상의 공기 중에 포함되는 수분이 있다. 이 수분은 유기 EL 소자를 형성하는 최상층의 음극의 핀 홀 등을 경유하여 내부로 확산하고, 예컨대, 다크 스폿이라 불리는 비발광 영역이 원 형상으로 성장하는 결함을 볼 수 있다.
표시 장치의 외부로부터의 수분에 대해서는, SiN이나 SiOxNy 등의 무기 절연막, 수지막 및 이들의 적층막 등으로 구성되어 있는 배리어층 등의 커버막으로 유 기 EL 소자의 표면 전체를 덮는 것에 의해, 침입의 방지가 도모된다. 또는, 복수의 유기 EL 소자의 모두를 커버 유리로 덮은 후에, 커버 유리의 가장자리부를 에폭시 수지 등의 광경화성의 접착제로 밀봉함으로써, 침입의 방지가 도모되고 있다. 이들 커버막 및 커버 유리에 의한 밀봉은 진공 분위기 중 또는 노점이 -80℃ 정도의 건조 불활성 가스 분위기 중에서 행해진다.
또는, 커버 유리 등으로 덮은 공간의 내부에, CaO, BaO 또는 SrO 등을 포함하는 겟터재(getter material) 또는 겟터막(getter film)을 배치한다. 이러한 흡습 부재를 배치함으로써, 외부로부터 침입하는 수분을 흡수하여, 유기 EL 소자에 수분이 닿는 것이 억제된다.
표시 장치의 내부에 함유되어 있는 수분으로는, 유기 절연막에 포함되는 수분이 있다. 예컨대, 유기 EL 소자와 TFT의 형성면 사이에 형성되고, 유기 절연막으로 형성되어 있는 평탄화막에 존재하는 수분이 있다. 또한, 유기 EL층이 배치되는 화소 영역을 둘러싸도록 배치되고, 유기 절연막으로 형성되어 있는 분리막에 존재하는 수분이 있다. 분리막은 화소 분리막이라고도 일컬어지고, 예컨대, 양극의 단부 및 양극이 존재하지 않는 영역을 덮도록 형성된다.
유기 절연막은, 감광성 수지를 포함하는 경우가 있다. 유기 절연막은, 예컨대, 스핀 코팅법으로 감광성 수지를 배치한 후에, 포토 마스크를 이용하여 소망 패턴으로 노광을 행한다. 그 다음에 현상 처리를 행함으로써 형성된다. 현상 처리 후에, 대기 하에서 열 처리를 행한다. 이 열 처리는, 큐어링/베이킹 처리(curing and baking treatment) 또는 포스트 베이킹 처리(post-baking treatment)라고 불리 고 있다. 큐어링/베이킹 처리를 행하는 것에 의해, 유기 절연막에 함유되는 도포 용제를 제거하여 경화한다. 이 큐어링/베이킹 처리의 조건으로는, 유기 재료에 의해 다소의 차는 있지만, 예컨대, 약 200℃ 이상 약 300℃ 이하의 온도로 0.5 시간 내지 1 시간 가열한다.
일본 공개 특허 공보 제2003-332058호에는, 기판 상에, 제 1 전극을 형성하는 공정과, 제 1 전극의 주변에 절연층을 형성하는 공정과, 절연층에 포함되는 수분량을 적게 하도록 절연층에 열 처리를 실시하는 공정과, 절연층상에 전계 발광층을 형성하는 공정과, 전계 발광층상에 제 2 전극을 형성하는 공정을 구비하는 전계 발광 패널의 제조 방법이 개시되어 있다.
유기 EL 표시 장치에 내재하는 수분은, 확산함으로써 유기 EL 소자를 향해 진행한다. 이 수분이 유기 EL 소자에 도달함으로써, 화소의 가장자리부로부터 중심을 향해 발광 강도가 저하하는 다크 영역이 성장하는 불량이 발현된다. 이와 같이, 유기 EL 표시 장치에 있어서는, 표시 장치의 내부에 존재하는 수분에 의해 표시 특성이 악화된다. 이 수분은 주로 평탄화막 또는 분리막을 확산 경로로 하여 유기 EL층에 도달한다.
평탄화막이나 분리막은, 범용적으로는 유기 절연막으로 구성되어 있다. 유기 절연막은 재료로서 수분을 흡수하기 쉬운 성질이 있다. 이 때문에, 유기 절연막은 제조 과정에서의 습식 처리나 수세(水洗) 처리 등의 공정에서 수분을 흡수한다. 또는, 유기 절연막은 대기 반송 중에 대량의 수분을 흡수한다.
상기한 일본 공개 특허 공보 제2003-332058호에 있어서는, 절연층에 200℃ 내지 270℃의 온도로 1시간 내지 3시간의 열 처리를 가하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 이 가열 처리에서는, 휘도의 안정성 및 장기간의 신뢰성을 충분히 얻는 것은 곤란하다고 하는 문제가 있었다. 유기 절연막의 내열 상한 온도는 그 재료에 의존하지만, 범용적인 유기 절연막의 내열 상한 온도는 200℃ 이상 300℃ 이하이다. 예컨대, 내열 상한 온도로 3시간만 가열하여도, 제품을 계속 사용하면 수백 시간까지 화소의 외주부로부터의 다크 영역이 발현되었다.
특히, 화소를 구동하는 구동 소자로서의 TFT를 갖는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치에 있어서는, 화소 전극의 아래에 TFT, 용량부 및 배선 등이 존재하고, 이들을 평탄화막이 피복하고 있다고 하는 복잡한 구조를 갖고, 함유하는 수분을 탈수하기 위해서는, 단지 상기한 공보에 기재된 열 처리를 가하는 것만으로는 불충분했다. 탈수 시간을 길게 함으로써 탈수의 효과는 높아지게 되지만, 유기 EL 표시 장치를 제조할 때의 생산성이 저하하기(스루풋을 저하시킴) 때문에, 장시간의 탈수를 할 수 없어 신뢰성의 점에서 큰 문제점이 남아 있었다.
평탄화 절연막이나 분리막의 제조 공정에 있어서는, 유기 절연막을 성형한 후에 유기 절연막을 고화시키는 공정으로서 열 처리를 행하는 큐어링/베이킹 공정이 존재한다. 수분 제거를 위해서는 큐어링/베이킹 공정 이외에 열 처리에 의한 탈수 공정을 행하는 것이 바람직하다. 그러나, 가열 온도 및 가열 시간에 제약이 있기 때문에, 스루풋을 확보하는 시간 범위에서는 유기 EL 소자의 열화를 억제하기 위해 충분한 탈수 공정을 실행할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 절연막에 수분이 잔존하는 것을 억제한 유기 EL 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 근거하는 일 국면에 있어서의 유기 EL 표시 장치는, 기판과, 기판의 위쪽에 배치된 평탄화막과, 이 평탄화막의 표면에 배치된 복수의 제 1 전극과, 이 제 1 전극의 표면에 배치된 복수의 유기 EL층을 구비한다. 평탄화막은 복수의 유기 EL층이 배치되어 있는 영역의 바깥쪽 영역에서, 적어도 일부의 표면에 제 1 요철이 형성되어 있다.
본 발명에 근거하는 다른 국면에 있어서의 유기 EL 표시 장치는 기판과, 기판의 위쪽에 배치된 평탄화막과, 평탄화막의 표면에 배치된 복수의 제 1 전극과, 이 제 1 전극의 표면에 배치된 복수의 유기 EL층과, 제 1 전극의 위쪽에 배치되고, 서로 이웃이 되는 제 1 전극의 단부를 덮도록 형성된 분리막을 구비한다. 분리막은 단부에 막 두께가 서서히 감소하도록 형성된 슬로프부를 갖고, 또한 슬로프부를 제외한 영역의 표면에 제 2 요철을 갖는다.
본 발명에 근거하는 일 국면에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법은, 기판의 표면에 구동 소자를 배치하는 공정과, 기판의 위쪽에 평탄화막을 형성하는 평탄화막 형성 공정과, 평탄화막 형성 공정 후에 가열하는 공정을 포함한다. 평탄 화막 형성 공정은, 구동 소자와 접속하기 위한 복수의 접속 구멍을 형성하는 공정을 포함한다. 또한, 이 제조 방법은, 복수의 접속 구멍을 형성하는 영역의 바깥쪽의 영역에서, 적어도 일부의 표면에 제 1 요철을 형성하는 공정을 포함한다.
본 발명에 근거하는 다른 국면에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법은, 기판의 표면에 구동 소자를 배치하는 공정과, 기판의 위쪽에 구동 소자에 대응하는 복수의 접속 구멍을 갖는 평탄화막을 형성하는 공정과, 복수의 구동 소자마다 복수의 제 1 전극을 형성하는 공정과, 서로 인접하는 제 1 전극의 단부끼리를 덮도록 분리막을 형성하는 분리막 형성 공정과, 이 분리막 형성 공정의 후에 가열하는 공정을 포함한다. 분리막 형성 공정은, 유기 EL층을 배치하기 위한 개구부를 형성하는 개구부 형성 공정을 포함한다. 개구부 형성 공정은 분리막의 단부에 두께가 서서히 감소하는 슬로프부를 형성하는 공정을 포함한다. 분리막 형성 공정은, 슬로프부를 제외한 영역의 분리막의 표면에 제 2 요철을 형성하는 공정을 포함한다.
본 발명에 근거하는 또 다른 국면에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법은 기판의 표면에 구동 소자를 배치하는 공정과, 기판의 위쪽에 유기 절연막을 형성하는 공정과, 이 유기 절연막의 표면에, 표면적을 크게 하기 위한 요철을 형성하는 공정과, 유기 절연막의 표면이 노출하고 있는 때에 가열하는 공정을 포함한다.
본 발명에 의하면, 절연막에 수분이 잔존하는 것을 억제한 유기 EL 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징, 국면 및 이점은 첨부의 도면과 관련하 여 이해되는 본 발명에 관한 다음의 상세한 설명으로부터 명확해 질 것이다.
본 발명에 의하면, 절연막에 수분이 잔존하는 것을 억제한 유기 EL 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
(실시예 1)
도 1 내지 도 19를 참조하여, 본 발명에 근거하는 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치는, 각각의 화소가 배열되고, 또한 각각의 화소가 구동 소자에 의해 구동되는 액티브 매트릭스형 표시 장치이다. 또한, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치는 상면(上面)으로부터 광이 취출되는 탑 에미션형 표시 장치다.
도 1은 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 개략 단면도이다. 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치는 화살표 90으로 나타내는 표시 영역을 갖는다. 유기 EL 표시 장치는 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역을 갖는다.
도 2에, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 개략 평면도를 나타낸다. 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치(30)는 화살표 90으로 나타내는 표시 영역(31)의 평면 형상이, 거의 사각형으로 형성되어 있다. 표시 영역(31)에 있어서는, 복수의 화소(32)가 배열되어 있다. 복수의 화소(32)는 규칙적으로 배치되어 있다. 각각의 화소(32)는 서로 이격하여 배치되어 있다. 화살표 91로 나타내는 표시 영역(31)의 바깥쪽의 영역은 표시 영역을 둘러싸도록 형성되어 있다.
도 1을 참조하여, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치는 기판으로서의 유리 기판(1)을 구비한다. 유기 EL 표시 장치는 유리 기판(1)의 표면에 배치되어 있는 구동 소자로서의 TFT(2)를 구비한다. TFT(2)는 화살표 90으로 나타내는 표시 영역에 배치되어 있다. 화살표 95로 나타내는 영역은, 유기 EL층(11)이 발광하는 화소의 영역이다.
TFT(2)는 각각의 화소의 양극(9)마다 형성되어 있다. TFT(2)는 소스·드레인 영역(5)을 포함한다. 본 실시예에 있어서는, 소스·드레인 영역(5) 중 드레인 영역이 각각의 화소의 양극(9)에 접속되어 있다.
TFT(2)의 표면에는 무기 절연막(3)이 형성되어 있다. 무기 절연막(3)은, 유리 기판(1)의 위쪽에 배치되어 있다. 무기 절연막(3)은, TFT(2)을 덮도록 형성되어 있다.
표시 영역에서, 무기 절연막(3)에는, 무기 절연막(3)을 관통하도록 배선 구멍(4)이 형성되어 있다. 배선 구멍(4)은 TFT(2)의 소스·드레인 영역(5)에 도달하도록 형성되어 있다. 배선 구멍(4)의 내부에는, 소스·드레인 배선(16)이 배치되어 있다. 소스·드레인 배선(16)은 소스·드레인 영역(5)에 접촉하고 있다. 소스·드레인 배선(16)은 배선 구멍(4)의 내부에 충전되도록 형성되어 있다.
표시 영역의 바깥쪽의 영역에서는, 무기 절연막(3)의 표면에 배선(46)이 형성되어 있다. 배선(46)은 무기 절연막(3)의 표면에서 선 형상으로 연장하도록 형성되어 있다.
무기 절연막(3)의 위쪽에는, 보호막(6)이 배치되어 있다. 보호막(6)은 소스·드레인 배선(16), 배선(46) 및 무기 절연막(3)의 표면을 덮도록 형성되어 있다. 보호막(6)은 관통 구멍(7)을 갖는다. 관통 구멍(7)은 드레인 영역에 접속되어 있는 소스·드레인 배선(16)의 위치에 대응하도록 형성되어 있다.
유기 EL 표시 장치는 평탄화막(8a)을 구비한다. 본 실시예에 있어서의 평탄화막(8a)은 유기 절연막이다. 평탄화막(8a)은 유리 기판(1)의 위쪽에 배치되어 있다. 평탄화막(8a)은 TFT(2) 및 소스·드레인 배선(16) 등에 의해, 표면에 형성된 단차를 평탄화하기 위해 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서의 평탄화막(8a)은 화살표 90으로 나타내는 표시 영역 및 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에 형성되어 있다. 평탄화막(8a)은 보호막(6)의 표면에 형성되어 있다.
표시 영역에서는, 평탄화막(8a)의 상면은 평면 형상으로 형성되어 있다. 평탄화막(8a)은 화살표 95로 나타내는 화소의 영역에서 상면이 평탄하게 되도록 형성되어 있다. 평탄화막(8a)은 접속 구멍(콘택트 홀)(15)을 갖는다. 접속 구멍(15)은 평탄화막(8a)을 관통하도록 형성되어 있다. 접속 구멍(15)은 각각의 드레인 영역에 접속되어 있는 소스·드레인 배선의 위치에 대응하도록 형성되어 있다. 접속 구멍(15)은 관통 구멍(7)과 연결되어 있다.
접속 구멍(15), 관통 구멍(7) 및 평탄화막(8a)의 상면에는, 제 1 전극으로서 의 양극(9)이 배치되어 있다. 양극(9)은 각각의 화소마다 형성되어 있다. 양극(9)은, 이른바, 화소 전극이다. 양극(9)은 분리부(9b)에 의해 절단되고, 각각의 화소마다 분리하여 형성되어 있다. 양극(9)은 화살표 95로 나타내는 각각의 화소 영역 전체에 걸쳐 형성되어 있다.
표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 평탄화막(8a)은 상면에 형성된 제 1 요철로서의 요철(61)을 갖는다. 본 실시예에 있어서의 요철(61)은 평탄화막(8a)의 상면에 복수의 오목부(45)가 형성되는 것에 의해 형성되어 있다. 오목부(45)는 규칙적으로 형성되어 있다. 또한, 요철(61)은 규칙적으로 오목부와 볼록부가 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서의 오목부(45)는, 후술하는 바와 같이, 사진 제판법에 의해 형성되어 있다.
본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치는, 분리막(10a)을 갖는다. 분리막(10a)은 평탄화막(8a)의 위쪽에 배치되어 있다. 분리막(10a)은 전기적인 절연성을 갖는 재료로 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서의 분리막(10a)은 유기 절연막이다.
분리막(10a)은 화살표 95로 나타내는 화소의 영역을 개구하도록 형성되어 있다. 분리막(10a)은 서로 대향하는 양극(9)의 단부를 덮도록 형성되어 있다. 분리막(10a)은 각각의 화소마다의 양극(9)을 전기적으로 절연하도록 형성되어 있다. 분리막(10a)은 각각의 화소를 둘러싸 형성되어 있다.
분리막(10a)은 단면 형상이 거의 사다리꼴로 형성되어 있다. 분리막(10a)은 단부에 슬로프부(51)를 갖는다. 슬로프부(51)는 분리막(10a)의 선단을 향함에 따 라, 막 두께가 얇아지도록 형성되어 있다.
본 실시예에 있어서의 분리막(10a)은 표면에 제 2 요철로서의 요철(71)을 갖는다. 요철(71)은 슬로프부(51)를 제외한 영역에 형성되어 있다. 요철(71)은 분리막(10a)을 관통하지 않도록 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서의 요철(71)은 상면에 복수의 오목부(47)가 형성됨으로써 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서의 오목부(47)는, 후술하는 바와 같이, 사진 제판법에 의해 형성되어 있다. 오목부(47)는 규칙적으로 형성되고, 요철(71)은 규칙적으로 오목부와 볼록부가 형성되어 있다.
본 실시예에 있어서의 평탄화막 및 분리막 등의 유기 절연막은, 지지형 감광성 수지로 형성되어 있다. 사진 제판 공법으로 형성한 요철은, 노광을 실행할 때의 마스크 패턴에 의존한 요철이 형성된다. 본 실시예에 있어서는, 마스크 패턴의 개구부가 규칙적으로 형성되어 있기 때문에, 오목부로 되는 부분이 규칙적으로 형성되어 있다.
본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치는, 유기 EL층(11)을 구비한다. 유기 EL층(11)은 분리막(10a)으로 둘러싸인 영역에 배치되어 있다. 유기 EL층(11)은 화살표 95로 나타내는 화소의 영역에 형성되어 있다. 유기 EL층(11)은 양극(9)의 표면에 배치되어 있다. 유기 EL층(11)은 단부가 슬로프부(51)의 일부를 덮도록 형성되어 있다.
표시 영역에서는, 분리막(10a) 및 유기 EL층(11)의 표면에, 제 2 전극으로서의 음극(12)이 형성되어 있다. 유기 EL층(11)은 양극(9)과 음극(12) 사이에 유지 되어 있다. 본 실시예에 있어서의 발광 소자로서의 유기 EL 소자는, 유기 EL층(11), 양극(9) 및 음극(12)을 포함한다. 표시 영역의 바깥쪽의 영역에는, 평탄화막(8a)의 표면에, 음극(12)이 배치되어 있다. 표시 영역 및 표시 영역의 바깥쪽 영역에는, 음극(12)의 위쪽에, 표면을 보호하기 위한 패시베이션막(13)이 형성되어 있다.
본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치는, 후술하는 바와 같이, 제조 공정에 있어서, 효율적으로 평탄화막(8a)이나 분리막(10a)과 같은 유기 절연막의 수분을 제거할 수 있어, 유기 EL 표시 장치의 내부에, 수분이 잔존하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 유기 EL층(11)에 수분이 도달하여, 휘도 저하 등의 표시 특성이 악화하는 것을 억제할 수 있다.
표면에 요철이 형성되어 있을 때의 평탄화막이나 분리막 등의 유기 절연막의 표면의 요철은, 중심선 평균 거칠기 Ra(JIS B 0170-1993)가 약 O.3㎚ 이상 약 0.5㎚ 이하이다. 본 실시예에 있어서의 유기 절연막의 표면에 형성한 요철은 이 표면 거칠기에 대하여 현격한 차이에 큰 거칠기의 요철이 형성되어 있다.
도 3 내지 도 11에, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 공정도를 나타낸다. 도 3 내지 도 11은 각각의 공정에서의 개략 단면도이다.
도 3은 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 1 공정을 설명하는 단면도이다. 기판으로서의 유리 기판(1)의 표면에 소스·드레인 영역(5)을 포함하는 TFT(2)를 형성한다. 각각의 화소에 대응하도록 TFT(2)을 배열하여 형성한다. 여기서, 기판으로서는 유리 기판에 한정되지 않고, 임의의 기판을 이용할 수 있다. 예컨대, 실리콘 기판이나 플라스틱 기판, 또는 표면에 막이 형성된 기판을 이용하여도 좋다.
다음에, 유리 기판(1)의 위쪽에, TFT(2)를 덮도록 무기 절연막(3)을 형성한다. 본 실시예에 있어서는 무기 절연막(3)으로서, 산화 실리콘(SiO2)막을 형성한다. 막 두께는 500㎚로 형성했다. 무기 절연막의 성막 조건으로는, 예컨대, SiH4(실란)를 30sccm, O2(산소)를 100sccm 및 He(헬륨)을 1000sccm에서 반응실로 도입한다. 성막 압력 100Pa, 성막 온도 220℃ 및 고주파 전력 0.8㎾의 조건으로 성막을 실행했다.
다음에, 무기 절연막(3)을 관통하도록, 사진 제판법에 의해 배선 구멍(4)을 형성한다. 배선 구멍(4)은 TFT(2)의 소스·드레인 영역(5)에 도달하도록 형성한다.
다음에, 무기 절연막(3)의 표면에 3층 구조로 이루어지는 소스·드레인 배선(16)을 성막한다. 소스·드레인 배선(16)을 사진 제판 공정에서 패터닝한다. 소스·드레인 배선(16)은, 예컨대, DC 마그네트론 스퍼터법을 이용하여, 몰리브덴막, 알루미늄막 및 몰리브덴막을 연속으로 성막한다. 소스·드레인 배선(16)을 배선 구멍(4)에 배치함으로써, 소스·드레인 배선(16)이 소스·드레인 영역(5)에 접속된다.
소스·드레인 배선(16)에서는, 저항이 낮은 도전체이면, 임의의 재료를 이용할 수 있다. 예컨대, Al(알루미늄), Cr(크롬), W(텅스텐) 또는 Mo(몰리브덴) 등의 재료를 단층으로, 또는 적층하여 형성할 수 있다. 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서는, 배선(46)을 형성한다.
다음에, 무기 절연막(3)의 표면에, 소스·드레인 배선(16)을 덮도록 보호막(6)을 형성한다. 본 실시예에 있어서의 보호막(6)은 질화막(Si3N4)이다. 본 실시예에 있어서의 보호막(6)은 막 두께는 300㎚가 되도록 성막했다. 본 실시예에 있어서의 보호막(6)의 성막에 있어서는, SiH4(실란) 30sccm, NH3(암모니아) 30sccm, N2(질소) 1000sccm을 반응실에 도입한다. 성막 압력 130Pa, 성막 온도 22O℃ 및 고주파 전력 1.0㎾의 조건으로 성막을 행한다.
다음에, 사진 제판법에 의해, 보호막(6)에 소스·드레인 배선(16)의 일부를 노출하도록 관통 구멍(7)을 형성한다. 보호막(6)의 표면에는, 지금까지의 제조 공정에서 단차가 발생하고 있다.
도 4는 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 2 공정을 설명하는 단면도이다. 다음에, 보호막(6) 표면의 단차를 평탄화하기 위한 평탄화막(8a)을 형성하는 평탄화막 형성 공정을 실행한다.
본 실시예에 있어서는, 평탄화막(8a)의 형성에, 제 1 감광성 재료로서 감광성 아크릴계 수지 재료를 이용하고 있다. 평탄화막(8a)의 표면이 충분히 평탄하게 되도록, 감광성 아크릴계 수지를 스핀 코팅법으로 약 1500㎚ 이상 약 2000㎚ 이하의 막 두께로 되도록 표면 전체에 도포한다. 다음에, 온도가 90℃의 환경 하에서 10분간의 프리 베이크 처리를 행한다.
본 실시예에 있어서는, 평탄화막으로서 감광성 아크릴계 수지를 이용했지만, 이 형태에 한정되지 않고, 감광성 폴리이미드 재료 등의 다른 유기 절연막을 이용하여도 좋다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 보호막의 위쪽에 수지를 스핀 코팅법으로 배치했지만, 이 형태에 한정되지 않고, 슬릿 스핀 도포법, 롤 도포법, 또는 스프레이법 등의 임의의 방법을 채용할 수 있다.
다음에, 포토 마스크(21)를 이용하여 노광하는 제 1 노광 공정을 행한다. 포토 마스크(21)는 평탄화막에 접속 구멍을 형성하기 위한 마스크이다. 포토 마스크(21)는 개구부(21a)를 갖는다. 개구부(21a)는 화살표 90으로 나타내는 표시 영역에 대응하는 영역에 형성되어 있다. 개구부(21a)는 후에 형성하는 평탄화막(8a)의 접속 구멍에 대응하도록 형성되어 있다.
개구부(21a)가 보호막(6)의 관통 구멍(7)과 거의 같은 위치로 되도록 포토 마스크(21)를 배치하여 노광을 행한다. 이 제 1 노광 공정은 완전 노광이다. 여기서, 본 발명에 있어서, 완전 노광이란, 노광을 행하는 막의 두께 방향 전체에 대하여, 어떤 일정량의 현상 시간에서 완전히 피노광물이 제거되도록 노광을 실행하는 것을 말한다. 평탄화막(8a)에는, 완전 노광부(41)가 형성된다. 완전 노광부(41)는 평탄화막(8a)의 두께 방향 전체에 형성되어 있다. 예컨대, 아크릴계 수지 재료를 포함하는 1500㎚의 두께의 평탄화막의 완전 노광을 행하는 조건으로는, 램프 노광량이 280mJ/㎠가 최적이었다.
도 5는, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 3 공정을 설명하는 단면도이다. 다음에, 제 1 노광 공정에 계속하여 현상을 행하지 않 고, 제 2 노광 공정을 행한다. 제 2 노광 공정에서는, 포토 마스크(22)를 이용하여 노광을 행한다. 포토 마스크(22)는 평탄화막(8a)의 표면에 제 1 요철을 형성하기 위한 마스크이다. 포토 마스크(22)는 개구부(22a)를 갖는다. 개구부(22a)는 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에 대응하는 영역에 형성되어 있다.
포토 마스크(22)에는, 예컨대, 한 변의 길이가 4㎛ 이상 8㎛ 이하의 정방형의 복수의 개구부(22a)가 형성되어 있다. 요철을 형성하기 위한 포토 마스크의 개구부로는, 이 형태에 한정되지 않고, 임의의 평면 형상 및 크기의 것을 채용할 수 있다. 예컨대, 포토 마스크의 개구부는 4㎛ 이상 8㎛ 이하의 반경을 갖는 원형으로 형성되어 있어도 관계없다.
제 2 노광 공정에서는, 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 적어도 일부의 표면에 불완전 노광을 행하여, 불완전 노광부(42)를 형성한다. 평탄화막(8a) 중, 평탄화막 패턴을 최종 형상으로 하여 잔류물 없는 영역에 불완전 노광을 행한다. 또는, 평탄화막의 접속 구멍을 형성하는 영역의 바깥쪽의 영역에서, 불완전 노광을 행한다.
여기서, 본 발명에 있어서, 불완전 노광이란, 노광을 행하는 막의 두께 방향으로, 피노광부의 현상액에 대한 용해 레이트를 변화시켜(감소시켜), 어떤 일정한 현상 시간에 완전히 피노광물이 제거되지 않도록 노광을 행하는 것을 말한다. 본 실시예에 있어서는, 깊이 방향에서의 감광성 재료의 분해를 저하시켜, 현상했을 때에 관통하지 않도록 제한한 노광 방법을 나타낸다.
제 2 노광 공정에서는, 불완전 노광 조건으로서 램프 노광량을 80mJ/㎠로 했다. 이 노광 조건으로 노광을 행하는 것에 의해, 불완전 노광부(42)를 표면으로부터 약 450㎚의 깊이까지 오목 형상으로 형성했다.
도 6은, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 4 공정을 설명하는 단면도이다. 다음에, 평탄화막(8a)의 현상을 행하는 것에 의해, 평탄화막(8a)에 형성한 완전 노광부(41) 및 불완전 노광부(42)를 제거한다. 평탄화막(8a)에 접속 구멍(15)이 형성된다. 평탄화막(8a)의 표면에 크레이터 형상의 오목부(45)를 형성할 수 있다. 오목부(45)를 복수 형성함으로써, 평탄화막(8a)의 표면의 일부에 요철을 형성할 수 있다.
본 실시예에 있어서는, 오목부(45)를 형성하기 위한 제 2 노광 공정에서, 불완전 노광을 행하고 있다. 완전 노광을 행한 경우에는, 평탄화막(8a) 아래의 배선(46)과 평탄화막(8a)을 덮는 음극(12)이 단락한다. 또한, 불완전 노광에 있어서도 노광량이 많으면, 배선(46)과 음극(12)의 거리가 줄어들어 용량 증가를 초래하여, 배선(46)에 있어서 배선 지연을 야기하거나 하는 경우가 있다. 배선 지연을 야기하지 않기 위해서는 배선(46)과 음극(12)간의 평탄화막(8a)의 막 두께가 1000㎚ 이상인 것이 바람직하다.
본 실시예에 있어서는, 오목부(45)의 최심부와 보호막(6)과의 거리는 1000㎚ 이상이다. 즉, 오목부(45)가 형성되어 있는 영역에서도 평탄화막(8a)의 막 두께가 100O㎚ 이상 존재한다. 이 때문에 단락이나 배선 지연의 문제를 회피할 수 있다.
다음에, 분위기 온도가 220℃에서, 1시간의 큐어링/베이킹 처리를 행한다. 큐어링/베이킹 처리를 행하는 것에 의해, 남은 용제를 제거한다. 또한, 수지 재료의 가교 반응을 촉진하여 평탄화막을 경화시킨다. 이 큐어링/베이킹 처리에 있어서는, 사진 제판 공정 중에 흡수한 수분을 탈수하는 효과가 있다. 본 실시예에 있어서는, 평탄화막의 표면에 요철이 형성되어 있다. 이 때문에, 수분을 방출하기 위한 표면이 커져, 탈수에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
도 7은 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 5 공정을 설명하는 단면도이다. 다음에, 제 1 전극으로서의 화소 전극을 형성하는 화소 전극 형성 공정을 행한다. 화소 전극으로서의 양극(9)을 평탄화막(8a)의 표면에 형성한다.
처음에, 양극(9)을 접속 구멍(15) 및 관통 구멍(7)의 표면에 형성한다. 양극(9)은 접속 구멍(15) 및 관통 구멍(7)을 거쳐 소스·드레인 배선(16)에 전기적으로 접속된다.
본 실시예에 있어서는, Mo(몰리브덴)을 재료로 하여 DC 마그네트론 스퍼터법에 의해 양극(9)을 성막한다. 타깃으로는 Mo 타깃을 이용하여, Ar(아르곤) 가스에 의해 스퍼터링을 행한다. 스퍼터 조건은, Ar 가스 100sccm, 압력 0.14Pa, 전력1.0㎾ 및 온도 100℃로 행하였다. 양극(9)을 막 두께 100㎚로 형성했다.
양극(9)의 막 두께에 대해서는, 반사율을 충분히 얻기 위해 50㎚ 이상이 바람직하다. 한편, 막 두께가 너무 두껍게 되면 막의 표면에 돌기가 발생하여 평탄성이 나빠지기 때문에 100㎚ 이하가 바람직하다.
본 실시예에 있어서는, 양극을 Mo(몰리브덴)으로 형성했지만, 이 형태에 한 정되지 않고, Cr(크롬), Ag(은), Al(알루미늄), Pd(팔라듐), 또는 그 밖의 금속이라도 관계없다. 또한, 바툼 에미션형 표시 장치이면, 양극은 투명 도전막을 선택한다. 투명 도전막으로는, 예컨대, ITO(인듐 주석 산화물), IZO(인듐 아연 산화물) 또는 ZnO(아연 산화물) 등을 이용할 수 있다.
다음에, 사진 제판 공정과 에칭 공정을 통해 패터닝을 행하는 것에 의해 분리부(9b)를 형성한다. 분리부(9b)를 형성하여, 각각의 화소마다 양극(9)을 분리한다. 우선, 사진 제판 공법에 의해 소망 패턴의 레지스트막을 형성한다. 인산, 초산(硝酸) 및 초산(酢酸)을 혼합한 에칭액을 이용하여 에칭을 행한다. 에칭 후에는, 10분간의 수세(水洗)를 행하여 에칭액을 충분히 씻어낸다. 다음에, 레지스트 박리액을 이용하여 불필요하게 된 레지스트막을 제거한다. 다음에, 수세를 행하고 화소 전극으로서의 양극(9)을 형성한다. 이 화소 전극 형성 공정에서는 몇 번이나 액체를 이용하는 습식 공정이 있기 때문에, 평탄화막(8a)은 다량의 물을 흡수한다.
도 8은, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 6 공정을 설명하는 단면도이다. 다음에, 평탄화막(8a)의 표면에 형성된 각각의 화소마다의 양극(9)의 주위에 화소 분리막으로서의 분리막(10a)을 형성한다. 본 실시예에 있어서는, 제 2 감광성 재료로서의 감광성 폴리이미드 재료를 이용하고 있다. 우선, 스핀 코팅법에 의해, 양극(9) 및 평탄화막(8a)의 전체를 덮도록, 약 1500㎚의 막 두께로 감광성 폴리이미드 재료를 배치한다.
본 실시예에 있어서는, 분리막을 형성하기 위한 재료로서, 감광성 폴리이미드 재료를 이용하고 있지만, 그 형태에 한정되지 않고, 예컨대, 감광성 아크릴계 수지 재료를 이용하여도 좋다. 감광성 수지의 배치에 있어서는, 스핀 코팅법에 한정되지 않고, 슬릿 스핀 도포법, 롤 도포법 또는 스프레이법 등의 임의의 방법을 채용할 수 있다. 다음에, 프리 베이크 처리를 120℃의 온도로 2분간 행한다.
다음에, 포토 마스크(23)를 이용하여, 제 3 노광 공정을 행한다. 포토 마스크(23)는 분리막에 유기 EL층을 배치하는 개구부를 형성하기 위한 마스크다. 평탄화막(8a)의 평탄한 표면 중 양극(9)이 배치되어 있는 영역에 개구부를 형성하도록, 분리막(10a)에 대하여 완전 노광을 행한다. 완전 노광을 행하는 것에 의해 완전 노광부(43)를 형성한다. 막 두께가 1500㎚의 감광성 폴리이미드 재료의 완전 노광 조건으로는, 램프 노광량 340mJ/㎠이 최적이었다.
도 12에, 분리막에 개구부를 형성하기 위한 포토 마스크의 개략 평면도를 나타낸다. 포토 마스크(23)는 복수의 개구부(23a)를 갖는다. 개구부(23a)는 각각의 화소에 대응하여 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서의 개구부(23a)는 평면 형상이 사각형으로 형성되어 있다.
도 8 및 도 12를 참조하여, 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽 영역에서는, 완전 노광이 행해지도록 개구부(23a)가 형성되어 있다. 포토 마스크(23)는 표시 영역의 바깥쪽 영역을 차광하지 않도록 작게 형성되어 있어도 관계없다.
도 9는 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 7 공정을 설명하는 단면도이다. 다음에, 포토 마스크(24)를 이용하여 제 4 노광 공정을 행한다. 포토 마스크(24)는 분리막의 표면에 제 2 요철을 형성하기 위한 마스크다. 제 4 노광 공정에서는, 분리막(10a)의 표면에 요철을 형성하기 위한 불완전 노광을 행한다. 불완전 노광을 행하는 것에 의해, 분리막(10a)의 정상면에 불완전 노광부(44)를 형성한다.
본 실시예에 있어서의 제 4 노광 공정은, 현상 전에 행한다. 불완전 노광을 행하는 것에 의해 불완전 노광부(44)를 형성한다. 본 실시예에 있어서는, 분리막(10a)의 슬로프부(51)로 되는 단부를 피한 영역에 불완전 노광부(44)를 형성한다. 본 실시예에 있어서는, 분리막(10a)의 슬로프부(51)로 되는 영역보다 안쪽 영역에 불완전 노광부(44)를 형성한다.
도 13에, 분리막의 표면에 요철을 형성하기 위한 포토 마스크의 개략 평면도를 나타낸다. 포토 마스크(24)는 복수의 개구부(24a)를 갖는다. 복수의 개구부(24a)는 서로 이격하여 형성되어 있다. 개구부(24a)는 각각의 화소끼리 사이의 영역에 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서의 포토 마스크(24)에는, 예컨대, 한 변의 길이가 약 4㎛ 이상 약 8㎛ 이하의 정방형의 개구부(24a)가 형성되어 있다.
유기 절연막의 표면에 요철을 형성하기 위한 포토 마스크로는, 본 실시예에 한정되지 않고, 임의의 평면 형상 및 크기의 개구부를 갖는 것을 채용할 수 있다. 예컨대, 포토 마스크의 개구부는, 약 4㎛ 이상 약 8㎛ 이하의 반경을 갖는 원형으로 형성되어 있어도 관계없다.
본 실시예에 있어서의 불완전 노광 조건으로는, 램프 노광량을 280mJ/㎠로 했다. 이 노광 조건으로 노광을 행하는 것에 의해, 분리막(10a)의 아래에 존재하는 평탄화막(8a)이나 양극(9)에 오목부가 도달하지 않고, 크레이터 형상의 오목부를 형성했다.
도 9 및 도 13을 참조하여, 포토 마스크(24)는 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서는, 노광이 행해지지 않도록 형성되어 있다. 개구부(24a)는 분리막(10a) 중 완전 노광부(43)를 피한 영역에 형성되어 있다.
도 10은 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 8 공정을 설명하는 단면도이다. 다음에, 현상을 행하여 완전 노광부(43) 및 불완전 노광부(44)를 제거한다.
화살표 90으로 나타내는 표시 영역에서는, 표면에 요철(71)을 갖는 분리막(10a)을 형성할 수 있다. 오목부(47)가 분리막(10a)을 관통하지 않도록 형성할 수 있다. 이 오목부(47)를 형성함으로써 분리막(10a)의 위쪽에 형성되는 음극(12)이 분리막(10a)의 아래쪽에 형성되는 양극(9)과 단락하여, 발광 불량을 야기하는 것을 방지할 수 있다.
분리막(10a)에는, 화소의 영역으로 되는 개구부(17)를 형성할 수 있다. 분리막(10a)의 단부에는, 슬로프부(51)를 형성할 수 있다. 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에 있어서는, 표면에 요철(61)을 갖는 평탄화막(8a)이 노출되어 있다.
다음에, 온도 230℃로 1시간의 큐어링/베이킹 처리를 행하는 것에 의해 여분인 용제를 제거한다. 또한, 수지 재료의 가교 반응을 촉진하여 분리막(10a)을 경화시킨다. 이 큐어링/베이킹 처리에 있어서는, 사진 제판 공정 중에 흡수한 수분을 탈수하는 효과가 있다.
본 실시예에 있어서는, 표시 영역의 바깥쪽의 평탄화막(8a)의 표면 및 표시 영역의 분리막(10a)의 표면에 요철이 형성되어 있다. 즉, 유기 절연막의 표면에 요철이 형성되어 있다. 이 때문에, 수분을 방출하기 위한 표면적이 커져, 탈수에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
다음에, 오존수 세정을 행하여 유기 잔류물을 제거한다. 본 실시예에 있어서의 오존수 세정은, 오존 농도 10∼30ppm, 수량 20L/분, 처리 시간 2분으로 행하였다. 양극(9)의 노출부인 유기 EL층의 형성부에는, 양극을 패터닝했을 때의 레지스트의 잔류물이나 분리막을 형성할 때의 분리막의 잔류물이 잔존하는 경우가 있다. 유기 EL층을 형성하는 양극(9)의 노출부에 잔류물과 같은 이물질이 존재하는 경우에는, 그 이물질 때문에 유기 EL층의 막 두께가 극단적으로 얇아지거나, 유기 EL층의 형성이 이루어지지 않거나 한다. 그 결과, 다크 스폿이 발생하거나 양극과 음극의 단락이 발생하거나 한다. 오존수 세정을 행하는 것에 의해, 이들 이물질을 제거할 수 있다.
다음에, 진공 가열 챔버, 유기 EL 증착 챔버, 음극 성막 챔버 및 패시베이션 성막 챔버를 구비한 장치에 기판을 배치한다. 본 실시예에 있어서는, 진공 분위기 중에서의 가열 탈수를 행한다. 이 후에, 유기 EL층의 증착, 음극의 형성, 패시베이션막의 성막을 연속으로 행한다. 본 실시예에 있어서의 각각의 챔버는 반송 챔버에 연결되어 있고, 진공 분위기 중에서 장치를 반송하는 것이 가능하다.
우선, 지금까지의 제조 과정에서 평탄화막과 분리막 등의 유기 절연막에 잔존하는 수분을 제거하기 위한 예비 가열 공정을 행한다. 본 실시예에 있어서의 예비 가열 공정은 진공 가열 챔버를 이용하여 행한다. 예비 가열 공정에서는, 200℃ 의 조건으로 1시간 장치를 가열한다.
예비 가열 공정에서는, 수분이 진공 가열 챔버 내로 방출되기 때문에, 진공 가열 챔버의 진공도는 악화된다. 본 실시예에 있어서는, 진공 가열 챔버의 아이들링 시의 도달 진공도는 약 5×10-7Pa이었다. 가열을 개시함으로써 진공도가 악화된다. 그러나, 1시간 후의 진공 가열 챔버의 진공도는, 아이들링 시의 도달 진공도와 같아졌다. 그 결과로부터, 예비 가열 공정에서 충분한 수분 제거가 행해진 것을 알 수 있다.
여기서, 후술하는 비교예로서 평탄화막의 표면 및 분리막의 표면에 요철을 형성하지 않는 장치를 이용하여 마찬가지의 시험을 행하였다. 즉, 평탄화막 및 분리막의 표면의 전체가 평탄한 장치를 제조하여, 이 장치에 대하여, 마찬가지의 예비 가열 공정을 실시했다. 그 결과, 200℃의 온도로 2시간 가열을 행하더라도 진공도가 약 2×10-6pa까지 밖에 내려가지 않았다. 비교예로서의 장치에서는, 2시간의 예비 가열을 행하여도 완전히 수분 제거가 되지 않은 것을 알 수 있다.
도 10을 참조하면, 평탄화막(8a) 및 분리막(10a)에 포함되는 수분은, 화살표 81로 나타내는 바와 같이, 평탄화막(8a) 및 분리막(10a)의 내부를 진행한다. 수분은 주로 평탄화막(8a) 및 분리막(10a)의 노출하고 있는 표면으로부터 방출된다.
화살표 90으로 나타내는 표시 영역에서는, 평탄화막 또는 분리막에 함유되어 있는 수분을 외부로 방출하는 주된 경계는 분리막(10a)의 표면으로 된다. 또한, 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서는, 본 실시예와 같이 분리막 이 피막되어 있지 않은 경우에는, 평탄화막(8a)의 표면이 외부로 수분을 방출하는 주된 경계로 된다.
본 실시예에 있어서는, 평탄화막 및 분리막의 표면에 요철이 형성되어 있기 때문에, 탈수 공정에서 수분을 방출하기 위한 표면적이 커진다. 이 때문에, 짧은 시간에 충분한 탈수를 행할 수 있다. 또한, 유기 EL 표시 장치의 내부에 잔존하는 수분을 충분히 제거할 수 있고, 휘도의 열화가 없게 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치를 제공할 수 있다. 특히, 표시 영역의 외주부의 표시 특성의 열화를 방지할 수 있다.
도 11은 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 9 공정을 설명하는 단면도이다. 다음에, 진공 가열 챔버에 접속되어 있는 반송 챔버를 경유하여, 유기 EL 증착 챔버에 장치를 반송한다. 분리막(10a)의 개구부에 노출한 양극(9)의 표면에 유기 EL층(11)을 형성한다. 유기 EL층(11)은, 예컨대, 마스크 증착법에 의해 성막한다.
유기 EL층(11)의 각 층은 진공 상태를 유지한 채로 성막된다. 본 실시예에 있어서의 유기 EL층(11)은 정공 수송층, 발광층 및 전자 주입층을 순서대로 성막한다. 본 실시예에 있어서는, 정공 수송층으로서 비즈[(N-나프틸)-N-페닐] 벤지딘(α-NPD)층을 두께 40㎚, 발광층으로서 8-키놀리놀알루미늄착체(Alq)층을 두께 30㎚, 전자 주입층으로서 바소크프로인층을 두께 50㎚로 각각 연속적으로 성막했다. 유기 EL층(11)으로는 본 실시예에 한정되지 않고, 임의의 유기 EL층을 형성할 수 있다.
다음에, 유기 EL 증착 챔버에 접속되어 있는 반송 챔버를 경유하여, 장치를 음극 성막 챔버로 반송한다. 음극 성막 챔버로써, 적어도 표시 영역의 전체를 덮도록 음극(12)을 형성한다. 음극(12)을 형성함으로써, 유기 EL 소자가 구성된다.
본 실시예에 있어서의 음극(12)으로서는, MgAg 막을 진공 증착법에 의해 10㎚의 두께로 형성하고, 또한 그 표면에 ITO(Indium Tin 0xide)막을 스퍼터법에 의해 60㎚의 두께로 성막했다.
진공 증착법에 있어서는, 진공도 1O-5Pa의 조건 하에 저항 가열 방식에 의해 증착을 행했다. MgAg 막은 스퍼터법 등에 의해 성막을 행하여도 관계없다.
ITO막의 형성에 있어서의 스퍼터 조건은 Ar(아르곤) 가스 50sccm, O2(산소) 1sccm, 압력 0.1Pa, 전력 0.42㎾, 온도 23℃로 형성했다. 본 실시예에 있어서의 투명 도전막은 ITO 막을 형성했지만, 이 형태에 한정되지 않고, IZO(Indium Zinc Oxide)막 등의 다른 투명 도전막을 형성하여도 관계없다.
다음에, 음극 성막 챔버에 접속되어 있는 반송 챔버를 경유하여, 장치를 패시베이션 성막 챔버에 반송한다. 패시베이션 성막 챔버에서, 표면 전체를 덮도록 패시베이션막(13)을 형성한다.
본 실시예에 있어서는, 플라즈마 CVD법에 의해 패시베이션막(13)을 성막한다. 성막 조건으로는, 재료 가스로서 SiH4를 30sccm, N2O를 200sccm, He를 500sccm의 유량으로 흘린다. 고주파 전력 100W, 압력 1.0Torr(0.133kPa), 챔버 내부 온도도 120℃의 조건으로, SiON을 막 두께 3000㎚로 되도록 형성했다.
본 실시예에 있어서는, 유기 절연막의 수분을 충분히 제거함으로써, 신뢰성에 우수한 유기 EL 표시 패널을 제조할 수 있다. 또한, 진공 분위기 하에서 패시베이션막까지 성막함으로써, 신뢰성의 저하를 억제한 유기 EL 장치를 형성할 수 있다.
다음에, 유기 EL 소자가 형성되어 있는 표시 영역을 유리로 밀봉한다. 다음에, 외부 드라이버 등과의 접속을 행하는 것에 의해, 유기 EL 표시 장치를 제조할 수 있다.
여기서, 도 14 내지 도 17을 참조하여, 본 실시예에 있어서의 비교예로서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 14 내지 도 17은 각각의 공정에서의 개략 단면도이다. 비교예로서의 유기 EL 표시 장치는 평탄화막 및 분리막의 표면에 요철이 형성되지 않고 평탄하게 형성되어 있다.
도 14는 본 실시예에 있어서의 비교예로서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 1 공정도이다. 유리 기판(1)의 표면에 유기 EL 소자를 구동하기 위한 TFT(2)를 형성한다. TFT(2)를 덮도록 SiOx 등의 무기 절연막(3)을 형성한다. 무기 절연막(3)에 배선 구멍(4)을 형성한다. 무기 절연막(3)의 표면에 소스·드레인 배선(16)을 형성한다. 또한 그 상층에 SiNx 등의 보호막(6)을 형성한다. 보호막(6)에 관통 구멍(7)을 형성한다. 관통 구멍(7)은 TFT(2)의 드레인 영역에 접속되어 있는 소스·드레인 배선(16)에 대응하도록 형성한다.
다음에, 표면의 단차를 평탄화하기 위해, 유기 절연막으로 이루어지는 평탄화막(8b)을 형성한다. 이 유기 절연막은 스핀 코팅법으로 도포한 후, 보호막과 마 찬가지로 TFT(2)의 드레인 영역에 접속되어 있는 소스·드레인 배선(16)의 일부를 노출하는 개구를 형성하도록 노광 및 현상 처리를 행한다. 현상 처리 후에 대기 하에 큐어링/베이킹 처리를 행하여, 내부에 함유되는 유기 용제를 제거하여 경화시킨다. 이 때에, 현상 과정에서 흡수한 수분이 어느 정도 제거된다.
도 15는 본 실시예에 있어서의 비교예로서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 2 공정도이다. 다음에, 평탄화막(8b)의 표면에 양극(9)을 스퍼터법으로 성막한 후에 에칭 공정에 의해 분리부(9b)를 형성하는 스퍼터링을 행한다. 양극(9)은 분리부(9b)에 의해 화소마다 분리된다. 양극(9)을 형성하는 공정에서는, 에칭 공정, 레지스트의 박리 공정, 수세 공정 등의 습식 처리가 행해지고, 평탄화막(8b)이 수분에 직접적으로 노출되기 때문에, 평탄화막(8b)은 화살표 82로 나타내는 바와 같이 대량의 수분을 흡수한다.
도 16은 본 실시예에 있어서의 비교예로서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 3 공정도이다. 다음에, 양극(9)의 단부의 주위에 유기 절연막으로 이루어지는 분리막(10b)을 형성한다. 분리막(10b)의 형성에 있어서는, 유기 절연막 재료를 스핀 코팅법으로 도포한 후, 양극(9)의 일부를 노출하도록 패터닝을 행한다. 패터닝은 노광 및 현상을 포함하는 사진 제판법에 의해 행한다.
다음에, 대기 분위기 하에 큐어링/베이킹 처리를 행하여, 내부에 함유되는 유기 용제를 제거하여 경화시킨다. 이 분리막(10b)의 큐어링/베이킹 처리에 있어서, 흡수한 수분이 어느 정도 제거된다.
그 후, 양극(9) 상의 파티클 등의 이물질을 제거하기 위해, 수세를 기본으로 한 세정 공정을 행한다. 이 세정 공정에서는, 화살표 83으로 나타내는 바와 같이, 분리막(10b)이 수분을 대량으로 흡수한다.
이 후에, 유기 EL층의 형성, 음극의 형성 및 각종 밀봉 등을 행하여, 유기 EL 표시 장치를 제조한다.
비교예로서의 유기 EL 표시 장치에 있어서는, 내부에 잔존하는 수분이 유기 EL층에 도달하여, 표시 영역의 가장자리부로부터의 다크 영역이 성장하는 불량이 현저하였다.
도 17은 본 실시예에 있어서의 비교예에서의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 유기 절연막이 수분을 방출할 때의 개략 단면도이다. 평탄화막(8b)나 분리막(10b)의 내부에 존재하는 수분은, 화살표 81로 나타내는 바와 같이, 평탄화막(8b) 및 분리막(10b)의 내부를 따라 이동한다.
특히, 평탄화막(8b)에서는, 바로 위의 양극(9)을 패터닝할 때의 습식 처리에 의해, 대량의 수분을 흡수한다. 이 수분을 열 처리로 탈수하려고 시도한 경우, 양극(9)이 수분의 확산의 방해로 되어, 충분한 탈수 효과를 얻을 수 없었다.
이에 대하여, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 장치는, 평탄화막 또는 분리막의 적어도 한쪽 표면에 요철을 형성함으로써, 수분의 방출 면적이 커져 충분한 탈수 효과를 얻을 수 있다.
도 18에, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 분리막의 단부의 개략단면도를 나타낸다. 본 실시예에 있어서의 분리막(10a)은 단면 형상이 거의 사다리꼴로 형성되어 있다. 분리막(10a)은 단부에 막 두께가 서서히 감소하도록 형성 된 슬로프부(51)를 갖는다. 분리막(10a)의 표면에 형성되어 있는 요철은 단부를 피한 위치에 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서의 요철은 슬로프부(51)를 피한 영역에 형성되어 있다. 분리막(10a)의 표면의 요철은 단면 형상의 사다리꼴의 정상 면에 형성되어 있다.
분리막(10a)은 유기 EL층(11)을 마스크 증착할 때의 마스크의 대좌(臺座)로서의 기능을 갖는다. 양극(9)의 단부를 덮도록 형성하는 분리막(10a)은, 선단부(52)에 있어서, 각각의 화소를 구획하는 기능을 갖는다. 또한, 선단부(52)는 양극(9)과 음극(12)의 단락을 방지하는 기능을 갖는다.
도 19에, 본 실시예에 있어서의 다른 비교예로서의 유기 EL 표시 장치의 분리막의 단부의 개략 단면도를 나타낸다. 다른 비교예의 유기 EL 표시 장치는, 평탄화막(8c) 및 분리막(10c)을 갖는다. 분리막(10c)은, 단면 형상이 대략 사다리꼴로 형성되어 있다. 분리막(10c)은 슬로프부(51)를 갖는다. 분리막(10c)은 표면 전체에 요철이 형성되어 있다. 표면의 요철은 분리막(10c)의 정상면에 더하여 슬로프부(51)에도 형성되어 있다. 요철은 분리막(10c)의 선단부(52)에도 형성되어 있다.
유기 EL층(11)을 형성하는 공정에서는, 예컨대, 직진성이 높은 EL 증착을 행한다. 분리막(10c)의 슬로프부(51)에 요철이 형성되어 있으면, 증착되는 분자가 분리막(10c)의 요철의 표면의 거의 법선 방향이 아니라, 요철의 표면의 경사 방향으로부터 입사하는 것으로 된다. 극단적인 경우에는, 분리막(10c)의 요철에 의해, 증착의 그늘로 되는 부분이 발생한다.
그 결과, 분리막(10c)의 선단부(52)에 피막되는 유기 EL층(11)의 막 두께가 극단적으로 얇아지거나 도중에서 끊기거나 한다. 이 때문에, 양극(9)과 음극(12)의 거리가 감소하여 전계가 높아지게 되어 방전 파괴를 일으키거나 한다. 또는, 양극(9)과 음극(12)이 접촉함으로써 쇼트 모드 고장이 발생한다. 이 화소에 있어서는, 유기 EL층보다 단락된 개소에서 우선적으로 전류가 흐르기 때문에, 비점등 화소로 된다. 표시 장치에 있어서는 비점등의 점 결함이 발생한다.
따라서, 분리막은 슬로프부의 표면에 요철을 갖지 않은 것이 바람직하다. 분리막은, 내부로 향함에 따라 완만한 슬로프부를 갖는 것이 바람직하다. 특히, 분리막의 선단부에 요철을 갖지 않는 것이 바람직하다. 이 구성에 의해, 분리막의 선단부에서의 유기 EL층의 피막성이 향상하여 방전 파괴나 단락 등을 억제할 수 있다.
본 실시예에 있어서의 유기 절연막의 수분을 제거하기 위한 예비 가열 공정은 화소 전극의 표면을 세정하는 오존수 세정 후에 행했지만, 이 형태에 한정되지 않고, 습식의 처리가 완료된 후부터 유기 EL층을 형성하는 공정 전까지 행할 수 있다.
예컨대, 화소 전극 표면의 불순물을 제거하기 위해, UV-O3 처리나 O2 플라즈마 처리 등의 건식 세정을 행하는 경우에는, 이들 공정 전에 예비 가열 공정을 행하여도 관계없다. UV-O3 처리로는, 예컨대, UV(자외선)의 조도 26μW/㎠, 건조 공기 1000sccm, 압력 100Torr(13.3kPa)의 조건으로 4분간의 처리를 행한다. 또한, O2 플라즈마 처리로는, 예컨대, O2 800sccm, 압력 400Pa, 고주파 전력 100W의 조건으로 30초간 행한다.
예비 가열 공정으로부터 유기 EL층을 형성하는 공정까지의 반송에 있어서는, 흡습을 피하기 위해 대기를 피하여 행하는 것이 바람직하다. 예컨대, 외기와 격리된 반송 챔버 내를 통과하는 것에 의해 반송을 행하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 있어서의 평탄화막의 표면에 형성하는 요철은 표시 영역의 바깥쪽의 영역의 모두에 형성되어 있지만, 이 형태에 한정되지 않고, 표시 영역의 바깥쪽의 영역의 적어도 일부에 형성되어 있으면 좋다. 또한, 분리막의 표면에 형성하는 요철은 복수의 분리막 중 적어도 일부의 분리막에 형성되어 있으면 좋다.
본 실시예에 있어서는, 사진 제판 공법에 의해, 유기 절연막의 표면에 요철을 형성했지만, 이 형태에 한정되지 않고, 임의의 방법으로 표면에 요철을 형성할 수 있다. 예컨대, 연마포를 이용함으로써, 기계적으로 유기 절연막의 표면에 요철을 형성하더라도 관계없다.
(실시예 2)
도 20 내지 도 22를 참조하여, 본 발명에 근거하는 실시예 2에 있어서의 유기 EL 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치는, 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 평탄화막의 표면에 제 1 요철이 형성되어 있는 것은, 실시예 1과 마찬가지이 다. 또한, 표시 영역에서, 분리막의 정상면에 제 2 요철이 형성되어 있는 것도 실시예 1과 마찬가지이다. 본 실시예에 있어서는, 플라즈마 처리법에 의해 분리막의 표면에 제 2 요철을 형성한다. 플라즈마 처리법에 의해 형성된 요철은 불규칙적이며, 불규칙적인 크기의 오목부와 볼록부가 정렬되어 있다.
도 20 내지 도 22를 참조하여, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 20 내지 도 22는 각각의 공정에서의 개략 단면도이다.
도 20은 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 1 공정도이다. 유리 기판(1)의 위쪽에, TFT(2), 무기 절연막(3) 및 평탄화막(8d)를 형성한다. 평탄화막(8d) 중, 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 표면에 요철(61)을 형성한다. 요철(61)은 사진 제판법에 의해 형성한다. 평탄화막(8d)의 표면에, 각각의 화소에 대응하도록 양극(9)을 형성한다.
다음에, 본 실시예에 있어서는, 분리막을 형성하는 공정을 행한다. 본 실시예에 있어서는, 제 2 감광성 재료로서, 감광성 폴리이미드 재료를 이용한다. 분리막(10d)을 스핀 코팅법에 의해 약 2000㎚의 막 두께가 되도록 표면 전체에 배치한다.
본 실시예에 있어서는, 분리막(10d)을 실시예 1보다 두껍게 형성하고 있다. 이것은 후에 행하는 플라즈마 처리에 의해 감소하는 막 두께분을 고려한 것이다. 다음에, 프리 베이킹 처리를 온도 120℃의 조건으로 2분간 행한다.
다음에, 제 1 플라즈마 처리 공정을 행한다. 제 1 플라즈마 처리 공정에서 는, 분리막(10d)의 표면 전체에 플라즈마 처리를 행한다. 본 실시예에 있어서의 제 1 플라즈마 처리 공정에서는, O2 플라즈마에 의한 건식 에칭을 행한다.
본 실시예에 있어서는, 현상 및 큐어링/베이킹 처리 전에, 플라즈마 처리를 행하기 위해, 플라즈마가 발생하는 광에 의해 분리막이 감광하는 경우가 있다. 본 실시예에 있어서는, 처리를 행하는 부분으로부터 떨어진 위치에 플라즈마를 발생시켜, 활성종을 반송하여 피처리물의 처리를 행하는 리모트 플라즈마 방식에 의해 처리를 행하고 있다.
플라즈마 처리법으로서, 리모트 플라즈마 방식을 채용함으로써, 감광성막의 감광을 방지할 수 있다. 분리막의 패터닝을 행할 때에, 사진 제판 공법을 이용할 수 있어, 용이하게 패터닝을 행할 수 있다.
본 실시예에 있어서는, 고주파 도파관의 내부에, 산소를 통과시킴으로써 산소의 래디컬을 생성한다. 이 래디컬을, 챔버에 도입함으로써 에칭을 행하고 있다. 본 실시예에 있어서는, 고주파 전력 4000W에서 고주파를 인가한 도파관의 내부에 석영관을 배치했다. 석영관은 도파관의 연장 방향에 수직인 방향으로 연장하도록 배치했다. 석영관에 O2를 2.0L/분의 유량으로 흘리는 것에 의해, 도파관 내에서 산소 래디컬이 생성된다.
다음에, 장치를 배치한 챔버에, 생성된 산소 래디컬을 도입하여, 600초간의 에칭 처리를 행했다. 도 20을 참조하면, 분리막(10d)의 두께가 얇아짐과 아울러, 표면에 요철(72)이 형성된다. 분리막(10d)의 표면 전체에, 요철(72)이 형성된다. 본 실시예에 있어서는, 제 1 플라즈마 처리를 행하는 것에 의해, 분리막(10d)으로서의 폴리이미드막의 막 두께가 약 1500㎚로 되었다.
본 실시예에 있어서는, AFM(Atomic Force Microscopy)을 이용하여, 분리막(10d)의 표면의, 1㎛2의 범위를 측정했을 때에, 중심선 평균 거칠기 Ra가 약 70㎚였다.
본 실시예에 있어서의 제 1 플라즈마 처리 공정에서는, 플라즈마 처리를 행하는 건식 에칭 가스로서 O2를 이용했지만, 이 형태에 한정되지 않고, 예컨대, CF4, NF3, 또는 C2F6 등을 이용하여도, 마찬가지의 처리를 행할 수 있다.
도 21에, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 2 공정을 설명하는 단면도를 나타낸다. 다음에, 사진 제판 공법에 의해, 분리막의 패터닝을 행한다. 개구부(23a)를 갖는 포토 마스크(23)를 이용하여 노광을 행한다. 개구부(23a)는 화소의 부분을 노광하도록 형성되어 있다. 개구부(23a)를 통해 노광을 행하는 것에 의해, 완전 노광부(49)가 형성된다.
도 22에, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 3 공정을 설명하는 단면도를 나타낸다. 다음에, 현상 공정을 행한다. 현상을 행하는 것에 의해, 완전 노광부(49)가 제거되어, 단면 형상이 거의 사다리꼴인 분리막(10d)이 형성된다. 분리막(10d)은 단부에 슬로프부(51)를 갖는다. 슬로프부(51)는 표면에 요철이 형성되어 있지 않고, 매끄러운 곡면 형상으로 형성되어 있다.
이 다음에, 예컨대, 230℃의 분위기 하에서, 1시간의 큐어링/베이킹 처리를 행한다. 큐어링/베이킹 공정에 의해, 용제를 제거하여 폴리이미드의 이미드화를 촉진하여, 분리막(10d)을 경화한다.
다음에, 예비 가열 공정을 행한다. 예비 가열 공정을 행하는 것에 의해, 유기 EL 표시 장치의 내부에 잔존하는 수분을 충분히 제거할 수 있다. 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 있어서도, 분리막(10d)의 정상면에 요철(72)이 형성되어 있기 때문에, 수분의 방출 면적을 크게 할 수 있어, 평탄화막이나 분리막에 함유되어 있는 수분을 충분히 제거할 수 있다.
본 실시예에 있어서의 분리막의 표면에 형성된 요철은, 1㎛2당 중심선 평균 거칠기 Ra가 70㎚였다. 큐어링/베이킹 공정이나 예비 가열 공정 등의 가열 공정에서, 수분을 증발시키기 위해 분리막의 표면적은 큰 쪽이 바람직하다. 따라서, 분리막의 표면에 형성하는 요철은 평균선 중심 거칠기 Ra가 클수록 바람직하다.
그러나, 표면의 요철을 너무 크게 하면, 분리막의 표면에 배치되는 음극에 국소적인 단선이 발생하여, 음극의 배선 저항이 높게 된다. 배선 저항이 높게 되는 것에 의해, 표시 영역의 외주로부터 내부를 향해 발생하는 전압 강하가 현저하게 된다. 그 결과, 표시 영역의 내부를 향할수록 휘도가 저하하는 이른바 셰이딩 문제가 발생한다. 또는, 음극에 단선이 발생하는 것에 의해 비점등의 화소가 발현된다.
본 실시예에 있어서의 시험에 있어서는, 1㎛2당 중심선 평균 거칠기 Ra가 약 90㎚을 넘으면, 셰이딩 문제가 발생하거나, 부분적인 비발광 영역이 발생하거나 했 다. 또한, 유기 EL 표시 장치의 표시 성능이 불안정했다. 이에 대하여, 1㎛2당 중심선 평균 거칠기 Ra를 80㎚ 이하로 하는 것에 의해, 이 문제를 회피할 수 있었다.
이와 같이, 분리막의 표면에 형성하는 요철은 어느 정도 작은 쪽이 바람직하고, 1㎛2당 중심선 평균 거칠기 Ra는 약 80㎚ 이하가 바람직하다. 이 구성에 의해, 음극의 배선 저항의 상승이나 단선 등을 억제할 수 있다.
유기 절연막의 표면에 형성되는 요철의 크기를 제어하는 방법으로는, 예컨대, 플라즈마 처리 시간을 소정 시간의 범위 내로 하는 것에 의해 행한다. 플라즈마 처리의 처리 시간을 길게 함으로써, 요철은 커진다. 따라서, 플라즈마 처리를 행하는 시간과, 형성되는 요철의 크기의 관계를 미리 조사하여 두고, 플라즈마 처리를 행하는 시간을 소정의 범위 내로 하는 것에 의해, 최적 크기의 요철을 형성할 수 있다.
본 실시예에 있어서는, 리모트 플라즈마 방식을 이용하여, 유기 절연막을 형성하기 위한 감광성 재료의 표면에 요철을 형성하고 있지만, 이 형태에 한정되지 않고, 플라즈마를 직접 조사하는 방법에 의해 감광성 재료의 표면에 요철을 형성하여도 관계없다. 플라즈마를 직접적으로 조사하는 경우에는, 플라즈마 처리를 행할 때에 감광성막의 감광을 억제하는 플라즈마 조건을 선정하고, 또한 감광성 재료로서 수지 조성물의 종류가 선정된 것을 이용하는 것이 바람직하다.
그 밖의 구성, 작용, 효과 및 제조 방법에 있어서는, 실시예 1과 마찬가지이므로, 여기서는 설명을 반복하지 않는다.
(실시예 3)
도 23 내지 도 25를 참조하여, 본 발명에 근거하는 실시예 3에 있어서의 유기 EL 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 있어서는, 평탄화막 및 분리막의 표면에 형성하는 요철의 형성 방법이 실시예 1과 다르다. 본 실시예에 있어서는, 분리막의 패터닝을 행한 후에, 평탄화막 및 분리막의 표면에 요철을 형성하기 위한 플라즈마 처리를 행한다.
도 23 및 도 24는 본 실시예에 있어서의 각각의 제조 공정의 개략 단면도이다. 도 23은 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 1 공정을 설명하는 단면도이다. 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서는, 평탄화막(8e)의 표면에 요철(61)을 형성한다. 요철(61)은 사진 제판 공법에 의해 복수의 오목부(45)를 형성함으로써 행한다. 화살표 90으로 나타내는 표시 영역에서는, 평탄화막(8e)의 표면에 양극(9)을 형성한다.
다음에, 화소 분리막으로서의 분리막(10e)을 형성하기 위해, 제 2 감광성 재료로서 감광성 폴리이미드 재료를 스핀 코팅법에 의해 약 1500㎚의 막 두께로 표면 전체에 배치한다. 프리 베이킹 처리를 120℃의 온도로 2분간 행한다.
다음에, 각각의 화소에 대응하도록 개구부(23a)를 갖는 포토 마스크(23)를 이용하여 노광을 행한다(도 12 참조). 이 후에, 현상을 행하여, 화소의 영역에 대응하는 부분에 개구부(17)를 형성한다. 분리막(10e)은 단면 형상이 사다리꼴로 형 성되어 있다.
다음에, 230℃의 온도로 1시간의 포스트 베이킹을 행한다. 분리막(10e)을 경화한다. 본 실시예에 있어서는, 이 단계에서 분리막(10e)의 표면에 요철은 형성되어 있지 않다.
다음에, 본 실시예에 있어서의 플라즈마 처리로서의 제 2 플라즈마 처리 공정을 행한다. 제 2 플라즈마 처리 공정은 유기 절연막의 현상을 행한 후에 행한다. 제 2 플라즈마 처리 공정에서는 건식 에칭을 행한다.
도 25에, 본 실시예에 있어서의 플라즈마 처리 공정에서 이용하는 섀도우 마스크의 개략 평면도를 나타낸다. 섀도우 마스크(25)는 유기 EL층으로 되는 영역을 덮도록 형성되어 있다. 섀도우 마스크(25)는 분리막의 슬로프부를 덮도록 형성되어 있다. 섀도우 마스크(25)는 각각의 화소끼리 사이의 영역을 개구하도록 형성되어 있다.
도 24에, 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 2 공정을 설명하는 단면도를 나타낸다. 도 24는 본 실시예에 있어서의 플라즈마 처리 공정을 행하고 있을 때의 개략 단면도이다.
섀도우 마스크(25)의 개구부(25a)는 분리막(10e)에 대응하도록 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서는, 섀도우 마스크(25)를 분리막(10e)에 접촉시킨다. 개구부(25a)가 분리막(10e)에 접촉된다. 이 상태에서, 화살표 84로 나타내는 바와 같이, 플라즈마의 활성종을 조사함으로써, 분리막(10e)의 표면에 요철(73)을 형성한다. 분리막(10e)의 정상면에 요철(73)을 형성한다. 요철(73)은 슬로프부(51)를 피한 영역에 형성된다.
또한, 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 평탄화막(8e)의 표면에 요철(62)을 형성한다. 요철(62)은 사진 제판 공법에 의해 형성된 요철의 표면에, 플라즈마 처리를 더욱 행하는 것에 의해 형성된 요철이다.
제 2 플라즈마 처리 공정에서의 건식 에칭의 조건으로는, O2가 200sccm, He가 200sccm이고, 고주파 전력이 300W, 압력이 70Pa, 챔버 내의 온도가 23℃의 조건 하에서, 200초간 처리를 행하였다.
이와 같이, 화살표 90으로 나타내는 표시 영역에서, 분리막(10e)의 표면에 요철(73)을 형성할 수 있어, 분리막(10e)의 표면적을 크게 할 수 있다. 또한, 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 평탄화막(8e)의 표면에 요철(62)을 형성할 수 있어, 평탄화막(8e)의 표면적을 크게 할 수 있다.
다음에, 예비 가열 공정을 행하는 것에 의해, 내부에 포함되어 있는 수분을 효율적으로 제거할 수 있다.
본 실시예에 있어서는, 분리막(10e)의 표면에 접하도록, 섀도우 마스크(25)를 배치하고 있다. 이 방법에 의해, 플라즈마에 의해 발생한 래디컬 및 이온 등의 활성종을, 분리막(10e)의 정상면에 선택적으로 조사할 수 있다. 분리막(10e)의 슬로프부(51)보다, 많은 활성종을 확실하게 분리막(10e)의 정상면에 충돌시킬 수 있어, 슬로프부(51)에 요철이 형성되는 것을 억제할 수 있다.
본 실시예에 있어서의 제 2 플라즈마 처리 공정에서는, 전술한 리모트 플라 즈마법을 이용하거나 또는 직접적으로 플라즈마를 조사하는 방법을 채용하여도 관계없다. 본 실시예에 있어서는, 분리막의 패턴 형성이 완료되어 있으므로 직접적인 플라즈마법을 채용할 수 있다.
분리막(10e)의 표면에 형성하는 요철(73)로는, 1㎛2당 중심선 평균 거칠기 Ra가 80㎚ 이하로 되도록 형성하는 것이 바람직한 것은 실시예 2와 마찬가지이다.
또한, 본 실시예에 있어서는, 플라즈마 처리의 건식 에칭 가스로서, O2를 이용하고 있지만, 이 형태에 한정되지 않고, CF4, NF3 또는 C2F6을 이용하여도 마찬가지의 요철을 형성할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서는, 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 평탄화막의 표면에 사진 제판 공법을 이용하여, 미리 요철을 형성했지만, 이 형태에 한정되지 않고, 사진 제판 공법에 의한 요철을 형성하지 않고, 플라즈마 처리에 의해 제 1 요철을 형성하더라도 좋다. 평탄화막의 표면에 제 1 요철이 형성되는 경우에 있어서도, 표면 거칠기는 1㎛2 중심선 평균 거칠기 Ra가 80㎚ 이하로 되도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의해, 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 표면의 음극의 배선 저항이 상승하는 것을 억제할 수 있다.
그 밖의 구성, 작용, 효과 및 제조 방법에 대해서는, 실시예 1 또는 2와 마찬가지이므로 여기서는 설명은 반복하지 않는다.
(실시예 4)
도 26을 참조하여, 본 발명에 근거하는 실시예 4에 있어서의 유기 EL 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치는, 분리막의 표면에 요철이 형성되고, 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 평탄화막의 표면에 요철이 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서는, 평탄화막 및 분리막에 대하여, 사진 제판 공법에 의해, 각각 요철을 형성한 후에, 또한 평탄화막 및 분리막에 대하여 플라즈마 처리를 행하여, 제 1 요철 및 제 2 요철을 형성한다.
도 26은 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다. 화살표 91로 나타내는 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 평탄화막(8f)의 표면에, 사진 제판 공법에 의해 요철을 형성하는 것은, 실시예 1과 마찬가지이다. 또한, 화살표 90으로 나타내는 표시 영역에 있어서, 분리막(10f)의 슬로프부(51)를 피한 영역에 요철을 형성하는 것은 실시예 1과 마찬가지이다(도 10 참조).
본 실시예에 있어서의 분리막(10f)의 형성에 있어서는, 제 2 감광성 재료를 스핀 코팅법에 의해 약 1500㎚의 막 두께로 되도록, 기판의 표면 전체에 배치한다. 온도 120℃의 조건으로 2분간의 프리 베이킹 처리를 행한다. 분리막(10f)에 대하여 유기 EL층을 배치하기 위한 개구부를 형성하기 위해 완전 노광을 행한다. 분리막(10f)의 정상면에, 요철을 형성하기 위한 불완전 노광을 행한다.
다음에, 현상을 행하여 완전 노광 및 불완전 노광으로 형성된 피노광부를 제거함으로써, 정상면에 요철이 형성된 분리막(10f)을 형성한다. 다음에, 온도 230 ℃의 조건으로 1시간의 포스트 베이킹 처리를 행하는 것에 의해 용제를 제거한다. 분리막(10f)에서, 폴리이미드의 이미드화를 촉진하여 경화한다.
다음에, 현상 공정 후에, 제 2 플라즈마 처리 공정을 행한다. 제 2 플라즈마 처리에 있어서는, 평탄화막의 표면에 제 1 요철 및 분리막의 표면에 제 2 요철을 형성하기 위한 섀도우 마스크를 이용하여 플라즈마 처리를 행한다. 제 2 플라즈마 처리 공정에서는, 화소 영역이 덮인 섀도우 마스크를 이용한다(도 25 참조).
도 26을 참조하여, 본 실시예에 있어서는, 섀도우 마스크(25)를 분리막(10f)의 정상면에 접촉시킨다. 표시 영역에서는, 화살표 84로 나타내는 바와 같이, 개구부(25a)를 통해 플라즈마 처리를 행함으로써, 분리막(10f)의 표면에 요철(74)을 형성한다. 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서는, 평탄화막(8f)의 표면에 요철(63)을 형성한다.
이와 같이, 본 실시예에 있어서는, 사진 제판 공법에 의해 분리막 및 평탄화막의 표면에 요철을 형성한다. 또한, 분리막의 현상을 행한 후에, 제 2 플라즈마 처리 공정을 행하여 요철을 형성한다. 본 실시예에 있어서의 유기 EL 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 있어서도, 절연막에 수분이 잔존하는 것을 억제한 유기 EL 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
그 밖의 구성, 작용, 효과 및 제조 방법에 대해서는, 실시예 1 내지 3 중 어느 하나와 마찬가지이므로 여기서는 설명을 반복하지 않는다.
상술한 각각의 실시예에 있어서는, 분리막 및 평탄화막의 양쪽의 표면에 요철을 형성했지만, 이 형태에 한정되지 않고, 분리막 또는 평탄화막의 한쪽에 요철 을 형성하더라도 관계없다.
예컨대, 평탄화막의 아래에 위치하는 배선을 게이트선으로 대용한 장치에 있어서는, 게이트선과 음극 사이에 무기 절연막이 존재하기 때문에, 표시 영역의 바깥쪽 영역에서는 평탄화막을 제거하는 것이 가능하다. 이러한 경우에는, 분리막의 표면에만 요철을 형성하면 좋다. 또한, 분리막으로서, 수분 차단성이 우수한 질화막과 같은 무기 절연막을 형성한 장치에 있어서는, 평탄화막의 표면에만 요철을 형성하면 좋다. 소망 영역에, 요철을 형성하기 위해서는, 포토 마스크 또는 시드 마스크의 개구 패턴을 변경하는 것으로 대응할 수 있다.
상술한 각각의 도면에서, 동일 또는 상당하는 부분에는 동일한 부호를 부여하고 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 위 또는 아래 등의 기재는, 연직 방향의 절대적인 상하 방향을 나타내는 것이 아니라, 각각의 부분이나 부재의 상대적인 위치 관계를 나타내는 것이다.
본 발명을 상세히 설명하여 나타내고 있지만, 이것은 예시일 뿐, 발명을 한정하는 것은 아니고, 발명의 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해 해석되어야 하는 것은 명백할 것이다.
도 1은 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 개략 단면도이다.
도 2는 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 개략 평면도이다.
도 3은 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 1 공정을 설명하는 단면도이다.
도 4는 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 2 공정을 설명하는 단면도이다.
도 5는 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 3 공정을 설명하는 단면도이다.
도 6은 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 4 공정을 설명하는 단면도이다.
도 7은 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 5 공정을 설명하는 단면도이다.
도 8은 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 6 공정을 설명하는 단면도이다.
도 9는 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 7 공정을 설명하는 단면도이다.
도 10은 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 8 공정을 설명하는 단면도이다.
도 11은 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 9 공정을 설명하는 단면도이다.
도 12는 실시예 1에 있어서의 하나의 포토 마스크의 개략 평면도이다.
도 13은 실시예 1에 있어서의 다른 포토 마스크의 개략 평면도이다.
도 14는 실시예 1에 있어서의 비교예의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 1 공정을 설명하는 단면도이다.
도 15는 실시예 1에 있어서의 비교예의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 2 공정을 설명하는 단면도이다.
도 16은 실시예 1에 있어서의 비교예의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 3 공정을 설명하는 단면도이다.
도 17은 실시예 1에 있어서의 비교예의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 유기 절연막이 수분을 방출할 때의 개략 단면도이다.
도 18은 실시예 1에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 분리막의 단부의 확대 개략 단면도이다.
도 19는 실시예 1에 있어서의 다른 비교예로서의 유기 EL 표시 장치의 분리막의 단부의 확대 개략 단면도이다.
도 20은 실시예 2에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 1 공정을 설명하는 단면도이다.
도 21은 실시예 2에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 2 공정을 설명하는 단면도이다.
도 22는 실시예 2에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 3 공정을 설명하는 단면도이다.
도 23은 실시예 3에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 1 공정을 설명하는 단면도이다.
도 24는 실시예 3에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제 2 공정을 설명하는 단면도이다.
도 25는 실시예 3에 있어서의 플라즈마 처리 공정에 이용하는 섀도우 마스크의 개략 평면도이다.
도 26은 실시예 4에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 공정도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 유리 기판 2 : TFT
3 : 무기 절연막 4 : 배선 구멍
5 : 소스·드레인 영역 6 : 보호막
7 : 관통 구멍 8a : 평탄화막
9 : 양극 10a : 분리막
11 : 유기 EL층 15 : 접속 구멍
16 : 소스·드레인 배선 45, 47 : 오목부
51 : 슬로프부 61, 71 : 요철

Claims (20)

  1. 기판과,
    상기 기판의 위쪽에 배치된 평탄화막과,
    상기 평탄화막의 표면에 배치된 표시 영역
    을 구비하고,
    상기 표시 영역에는, 제 1 전극과, 이 제 1 전극 위에 배치된 제 2 전극과, 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유지된 유기 EL층을 구비하는 화소가 복수 배열되어 있고, 상기 제 1 전극 위에서 인접하는 화소 사이에는, 분리막이 배치되어 있으며,
    상기 평탄화막은, 상기 표시 영역의 바깥쪽의 상기 분리막이 마련되어 있지 않은 영역에서, 적어도 일부의 표면에 제 1 요철이 형성되어 있는
    유기 EL 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 평탄화막은 상기 제 1 요철의 오목부의 최심부(deepest portion)에서의 막 두께가 1000㎚ 이상인 유기 EL 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 요철은 1㎛2당 중심선 평균 거칠기(arithmetic mean deviation of roughness profile) Ra가 80㎚ 이하인 유기 EL 표시 장치.
  4. 기판과,
    상기 기판의 위쪽에 배치된 평탄화막과,
    상기 평탄화막의 표면에 배치된 복수의 제 1 전극과,
    상기 제 1 전극의 표면에 배치된 복수의 유기 EL층과,
    상기 제 1 전극의 위쪽에 배치되고, 서로 인접하는 상기 제 1 전극의 단부(end portion)를 덮는 분리막
    을 구비하고,
    상기 분리막은, 단부에 막 두께가 서서히 감소하는 슬로프부를 갖고, 상기 슬로프부를 제외한 영역의 표면에 제 2 요철을 갖고,
    상기 제 2 요철은 1㎛2당 중심선 평균 거칠기 Ra가 80㎚ 이하인
    유기 EL 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 분리막은 상기 제 1 전극의 표면에 형성되고,
    상기 제 2 요철의 오목부가 상기 분리막을 관통하지 않는 유기 EL 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 평탄화막은, 상기 제 1 전극과, 이 제 1 전극 위에 배치된 제 2 전극과, 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유지된 상기 유기 EL층을 구비하는 화소가 복수 배열된 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 적어도 일부의 표면에 제 1 요철이 형성되어 있는 유기 EL 표시 장치.
  8. 제 1 전극과, 이 제 1 전극 위에 배치된 제 2 전극과, 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유지된 유기 EL층을 구비하는 화소가 복수 배열된 표시 영역을 갖는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법으로서,
    기판의 표면에 구동 소자를 배치하는 공정과,
    상기 기판의 위쪽에 평탄화막을 형성하는 평탄화막 형성 공정과,
    상기 평탄화막 형성 공정 후에 가열하는 공정과,
    상기 평탄화막의 표면에 복수의 화소에 대응하는 복수의 제 1 전극을 형성하는 공정과,
    서로 인접하는 상기 제 1 전극의 단부를 덮는 분리막을 형성하는 공정과,
    상기 제 1 전극 위에 유기 EL층을 형성하는 공정과,
    상기 유기 EL층 위에 상기 제 2 전극을 형성하는 공정
    을 포함하고,
    상기 평탄화막 형성 공정은,
    상기 구동 소자와 접속하기 위한 복수의 접속 구멍을 형성하는 공정과,
    상기 표시 영역의 바깥쪽의 영역에서, 적어도 일부의 표면에 제 1 요철을 형성하는 공정을 포함하는
    유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서.
    상기 평탄화막 형성 공정은,
    상기 구동 소자를 덮도록 제 1 감광성 재료를 배치하는 공정과,
    복수의 상기 접속 구멍을 형성하기 위한 포토 마스크를 이용하여 노광을 행하는 공정과,
    상기 제 1 요철을 형성하기 위한 포토 마스크를 이용하여 노광을 행하는 공정과,
    상기 제 1 감광성 재료의 현상을 행하는 공정
    을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  10. 기판의 표면에 구동 소자를 배치하는 공정과,
    상기 기판의 위쪽에 상기 구동 소자에 대응하는 복수의 접속 구멍을 갖는 평탄화막을 형성하는 공정과,
    복수의 상기 구동 소자마다 복수의 제 1 전극을 형성하는 공정과,
    서로 인접하는 상기 제 1 전극의 단부끼리를 덮도록 분리막을 형성하는 분리막 형성 공정과,
    상기 분리막 형성 공정의 후에 가열하는 공정
    을 포함하고,
    상기 분리막 형성 공정은, 유기 EL층을 배치하기 위한 개구부를 형성하는 개구부 형성 공정을 포함하고,
    상기 개구부 형성 공정은, 상기 분리막의 단부에 두께가 서서히 감소하는 슬로프부를 형성하는 공정을 포함하며,
    상기 분리막 형성 공정은, 상기 슬로프부를 제외한 영역의 상기 분리막의 표면에 제 2 요철을 형성하는 공정을 포함하는
    유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 분리막 형성 공정은,
    상기 제 1 전극의 표면 및 상기 평탄화막의 표면에 제 2 감광성 재료를 배치하는 공정과,
    복수의 상기 개구부를 형성하기 위한 포토 마스크를 이용하여 노광을 행하는 공정과,
    상기 제 2 요철을 형성하기 위한 포토 마스크를 이용하여 노광을 행하는 공정과,
    상기 제 2 감광성 재료의 현상을 행하는 공정
    을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 분리막 형성 공정은,
    상기 제 1 전극의 표면 및 상기 평탄화막의 표면에 제 2 감광성 재료를 배치하는 공정과,
    상기 제 2 요철을 형성하기 위해 제 1 플라즈마 처리를 행하는 공정과,
    복수의 상기 개구부를 형성하기 위한 포토 마스크를 이용하여 노광을 행하는 공정과,
    상기 제 1 플라즈마 처리 공정의 후에, 상기 제 2 감광성 재료의 현상을 행 하는 공정
    을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 플라즈마 처리 공정은 리모트 플라즈마(remote plasma)에 의해 처리를 행하는 공정을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 플라즈마 처리 공정은 상기 제 2 요철의 1㎛2당 중심선 평균 거칠기 Ra가 80㎚ 이하로 되도록 행하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 분리막 형성 공정은,
    상기 제 1 전극의 표면 및 상기 평탄화막의 표면에 제 2 감광성 재료를 배치하는 공정과,
    복수의 상기 개구부를 형성하기 위한 포토 마스크를 이용하여 노광을 행하는 공정과,
    상기 제 2 감광성 재료의 현상을 행하는 현상 공정과,
    상기 현상 공정 후에, 상기 제 2 요철을 형성하기 위한 섀도우 마스 크(shadow mask)를 이용하여, 제 2 플라즈마 처리를 행하는 공정
    을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 플라즈마 처리 공정은 복수의 상기 접속 구멍이 형성되어 있는 영역의 바깥쪽 영역에서, 상기 플라즈마 처리를 행하는 것에 의해 상기 평탄화막의 표면에 상기 제 1 요철을 형성하는 공정을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 플라즈마 처리 공정은 상기 제 2 요철의 1㎛2당 중심선 평균 거칠기 Ra가 80㎚ 이하로 되도록 행하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  18. 기판의 표면에 구동 소자를 배치하는 공정과,
    상기 기판의 위쪽에 유기 절연막을 형성하는 공정과,
    상기 유기 절연막의 표면에, 표면적을 크게 하기 위한 요철을 형성하는 공정과,
    상기 유기 절연막의 표면이 노출하고 있는 때에 가열하는 공정
    을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 가열하는 공정은 상기 유기 절연막을 형성하는 공정 후에 행하는 예비 가열 공정을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 요철을 형성하는 공정은 사진 제판 공법 및 플라즈마 처리법 중 어느 한 공정 또는 양 공정에 의해 행하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
KR1020080002542A 2007-01-10 2008-01-09 유기 ｅｌ 표시 장치 및 그 제조 방법 KR100918125B1 (ko)

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