JP2003272858A - 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ表示装置およびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＦＴ基板はその母材となる基板がガラスや
プラスチックなどの透明材料でなり、パターン形成され
た電極材域と前記透明材域が共存している。その表面は
電極域とその周辺域で反射度に差を有する。そこでリブ
膜形成に際し、フォト工程における半導体基板からの反
射度の差がもたらすリブパターンの加工むら、すなわち
リブパターンエッジやリブテーパーの形状むらを制御す
ることで次工程のカバレッジ性を改善する。 【解決手段】 本発明は、反射防止膜を用いて基板表面
の反射度を均一化する。前記反射防止膜は次工程で形成
される感光性有機膜と共にパターン加工されて二層構成
のリブ層と化す。それによってリブ層となる感光性有機
膜の加工を安定にし、上層の有機ＥＬ層形成における上
下電極間のショート不良や上層膜のカバレッジ不良を防
止することで信頼性向上をはかる有機ＥＬ表示装置を提
供する。
プラスチックなどの透明材料でなり、パターン形成され
た電極材域と前記透明材域が共存している。その表面は
電極域とその周辺域で反射度に差を有する。そこでリブ
膜形成に際し、フォト工程における半導体基板からの反
射度の差がもたらすリブパターンの加工むら、すなわち
リブパターンエッジやリブテーパーの形状むらを制御す
ることで次工程のカバレッジ性を改善する。 【解決手段】 本発明は、反射防止膜を用いて基板表面
の反射度を均一化する。前記反射防止膜は次工程で形成
される感光性有機膜と共にパターン加工されて二層構成
のリブ層と化す。それによってリブ層となる感光性有機
膜の加工を安定にし、上層の有機ＥＬ層形成における上
下電極間のショート不良や上層膜のカバレッジ不良を防
止することで信頼性向上をはかる有機ＥＬ表示装置を提
供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面に有機膜でなる
リブ層を有する半導体基板やその基板を用いた有機ＥＬ
表示装置およびそれらの製造方法に関するものである。
リブ層を有する半導体基板やその基板を用いた有機ＥＬ
表示装置およびそれらの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来法について、有機ＥＬ表示装置の一
製造方法を例に以下に説明する。
製造方法を例に以下に説明する。
【０００３】有機ＥＬ表示装置となる半導体基板とは、
一般にガラスやプラスチック等の絶縁性透明基板１上に
ゲートとなる電極配線層２やシリコン半導体層３、ソー
ス・ドレインとなる電極配線層４、画素電極層５が絶縁
層６を介して積層されたＴＦＴ基板である（図３）。ゲ
ートやソース・ドレイン電極は一般に低抵抗の金属材か
らなり、画素電極はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）で代表されるインジュウム系の導電性酸化膜
からなる。ＴＦＴ基板上には有機薄膜７を介して正孔注
入電極層８と電子注入電極層９を形成し、乾燥剤１０を
封入して封止する（図４）。
一般にガラスやプラスチック等の絶縁性透明基板１上に
ゲートとなる電極配線層２やシリコン半導体層３、ソー
ス・ドレインとなる電極配線層４、画素電極層５が絶縁
層６を介して積層されたＴＦＴ基板である（図３）。ゲ
ートやソース・ドレイン電極は一般に低抵抗の金属材か
らなり、画素電極はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）で代表されるインジュウム系の導電性酸化膜
からなる。ＴＦＴ基板上には有機薄膜７を介して正孔注
入電極層８と電子注入電極層９を形成し、乾燥剤１０を
封入して封止する（図４）。
【０００４】前記有機薄膜７は発光材料によって製法が
異なる。低分子系では主に真空蒸着法が、高分子系では
インクジェット法や印刷法などが検討されている。どの
製法においても色毎に分離製膜される。真空蒸着法の場
合、前記色分離にあたりマスク蒸着するが、その折にマ
スクと基板とのコンタクトに伴う基板への損傷を防止す
るため、蒸着工程前に各電極パターンが配置された基板
上に感光性有機材からなるリブ層１１がフォト工程を経
て膜形成される。また、インクジェット法の場合でも、
塗布時の色ずれが生じる。
異なる。低分子系では主に真空蒸着法が、高分子系では
インクジェット法や印刷法などが検討されている。どの
製法においても色毎に分離製膜される。真空蒸着法の場
合、前記色分離にあたりマスク蒸着するが、その折にマ
スクと基板とのコンタクトに伴う基板への損傷を防止す
るため、蒸着工程前に各電極パターンが配置された基板
上に感光性有機材からなるリブ層１１がフォト工程を経
て膜形成される。また、インクジェット法の場合でも、
塗布時の色ずれが生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴ基板はその母材
となる基板がガラスやプラスチックなどの透明材料から
なり、パターン形成された電極材域と前記透明材域が共
存している。その表面は電極域とその周辺域で反射度に
差を有する。そこで、リブ膜形成に際し、フォト工程に
おける半導体基板からの反射度の差がもたらすリブパタ
ーンの加工むら、すなわちリブパターンエッジ（図５
（ａ））やリブテーパーの形状むら（図５（ｂ））を制
御することで、次工程のカバレッジ性を改善しなければ
ならない。リブパターンの加工むらは図６に示すよう
に、上下電極間のショート不良１２（図６（ａ））や上
層膜のカバレッジ不良（図６（ｂ）、（ｃ））を生じさ
せる。そして、図６（ｃ）のカバレッジ不良による空乏
層１３がガス溜まりや局所ストレスなどに起因する信頼
性不良を生じさせるのである。
となる基板がガラスやプラスチックなどの透明材料から
なり、パターン形成された電極材域と前記透明材域が共
存している。その表面は電極域とその周辺域で反射度に
差を有する。そこで、リブ膜形成に際し、フォト工程に
おける半導体基板からの反射度の差がもたらすリブパタ
ーンの加工むら、すなわちリブパターンエッジ（図５
（ａ））やリブテーパーの形状むら（図５（ｂ））を制
御することで、次工程のカバレッジ性を改善しなければ
ならない。リブパターンの加工むらは図６に示すよう
に、上下電極間のショート不良１２（図６（ａ））や上
層膜のカバレッジ不良（図６（ｂ）、（ｃ））を生じさ
せる。そして、図６（ｃ）のカバレッジ不良による空乏
層１３がガス溜まりや局所ストレスなどに起因する信頼
性不良を生じさせるのである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板は、
リブ層となる感光性有機膜の加工を安定にするために反
射防止膜を用いて基板表面の反射度を均一化するもので
ある。前記反射防止膜は次工程で形成される感光性有機
膜とともにパターン加工されて二層構成のリブ層と化
す。具体的には、第１の発明は、基板上に設けてなるリ
ブ層が二層構成からなることに特徴を有しており、第２
の発明は、前記リブ層が熱架橋性有機膜と感光性有機膜
の二層構成からなることに特徴を有している。これによ
り、次のような作用を有する。すなわち、基板上のパタ
ーン製膜において、マスクと基板とのコンタクトにおけ
る基板への損傷防止するリブ層の形成において、紫外線
を吸収する熱架橋性有機膜（反射防止膜）を基板上に形
成することで基板表面からの反射度を制御し、リブ層の
加工性を向上させるものである。また、インクジェット
法の場合における塗布時の色ずれを防止する効果も有す
る。
リブ層となる感光性有機膜の加工を安定にするために反
射防止膜を用いて基板表面の反射度を均一化するもので
ある。前記反射防止膜は次工程で形成される感光性有機
膜とともにパターン加工されて二層構成のリブ層と化
す。具体的には、第１の発明は、基板上に設けてなるリ
ブ層が二層構成からなることに特徴を有しており、第２
の発明は、前記リブ層が熱架橋性有機膜と感光性有機膜
の二層構成からなることに特徴を有している。これによ
り、次のような作用を有する。すなわち、基板上のパタ
ーン製膜において、マスクと基板とのコンタクトにおけ
る基板への損傷防止するリブ層の形成において、紫外線
を吸収する熱架橋性有機膜（反射防止膜）を基板上に形
成することで基板表面からの反射度を制御し、リブ層の
加工性を向上させるものである。また、インクジェット
法の場合における塗布時の色ずれを防止する効果も有す
る。
【０００７】第３の発明は、第１又は２の発明の基板上
に、一対の電極間に少なくとも有機発光層を有する有機
ＥＬ素子を具備したことを特徴とした有機ＥＬ表示装置
である。
に、一対の電極間に少なくとも有機発光層を有する有機
ＥＬ素子を具備したことを特徴とした有機ＥＬ表示装置
である。
【０００８】第４の発明は、金属配線等で生じる凹凸を
平滑にする平坦化膜を有した半導体基板上に、熱架橋性
有機膜および感光性有機膜からなるリブ膜を有すること
を特徴とした有機ＥＬ表示装置である。これにより、次
のような作用を有する。すなわち、基板表面からの反射
度を制御することで加工性を向上させたリブ層上に、電
子注入電極と有機薄膜と正孔注入電極をカバレッジよく
積層できる。
平滑にする平坦化膜を有した半導体基板上に、熱架橋性
有機膜および感光性有機膜からなるリブ膜を有すること
を特徴とした有機ＥＬ表示装置である。これにより、次
のような作用を有する。すなわち、基板表面からの反射
度を制御することで加工性を向上させたリブ層上に、電
子注入電極と有機薄膜と正孔注入電極をカバレッジよく
積層できる。
【０００９】第５および第６の発明は、感光性有機膜が
ポジ型であり、熱架橋性有機膜および感光性有機膜が２
００〜２５０℃で熱硬化してなることに特徴を有し、感
光性有機膜の露光・現像とともに露光部感光性有機膜下
の熱架橋性有機膜が除去されて、未露光域に二層リブ層
と化す熱架橋性有機膜が前記加熱処理によって硬化し、
膜質の安定化を図る。
ポジ型であり、熱架橋性有機膜および感光性有機膜が２
００〜２５０℃で熱硬化してなることに特徴を有し、感
光性有機膜の露光・現像とともに露光部感光性有機膜下
の熱架橋性有機膜が除去されて、未露光域に二層リブ層
と化す熱架橋性有機膜が前記加熱処理によって硬化し、
膜質の安定化を図る。
【００１０】第７および８の発明は、第１〜６の発明の
二層リブ層を形成してなる基板や有機ＥＬ表示装置の製
造方法に特徴がある。これにより、基板凹凸や基板構成
材料の異なる物の共存で生じる反射度の違いを熱架橋性
有機膜で均一に制御することからリブ層の加工を安定に
行うという作用がある。
二層リブ層を形成してなる基板や有機ＥＬ表示装置の製
造方法に特徴がある。これにより、基板凹凸や基板構成
材料の異なる物の共存で生じる反射度の違いを熱架橋性
有機膜で均一に制御することからリブ層の加工を安定に
行うという作用がある。
【００１１】第９および１０の発明は、熱架橋性有機膜
のプリベーク温度を次工程で形成するフォトレジストの
プリベーク温度よりも高くしたことに特徴を有する基板
および有機ＥＬ表示装置の製造方法である。これによ
り、二層リブ層を構成する反射防止膜のサイドエッチ加
工性を抑制するという作用がある。
のプリベーク温度を次工程で形成するフォトレジストの
プリベーク温度よりも高くしたことに特徴を有する基板
および有機ＥＬ表示装置の製造方法である。これによ
り、二層リブ層を構成する反射防止膜のサイドエッチ加
工性を抑制するという作用がある。
【００１２】第１１の発明は、電極材などのパターン層
と層間絶縁層が積層されることで生じる表面凹凸を有す
る基板上の、前記凹凸部分にかからない位置に感光性有
機膜のパターンエッジ部が設けられた構成で、感光性有
機膜のパターンエッジ部は同種下地膜上にある。これに
よって、感光性有機膜パターンエッジは安定形状が得ら
れ、感光性有機パターン層を介する薄膜の被膜において
良好で安定したカバレッジ性を得るという作用がある。
と層間絶縁層が積層されることで生じる表面凹凸を有す
る基板上の、前記凹凸部分にかからない位置に感光性有
機膜のパターンエッジ部が設けられた構成で、感光性有
機膜のパターンエッジ部は同種下地膜上にある。これに
よって、感光性有機膜パターンエッジは安定形状が得ら
れ、感光性有機パターン層を介する薄膜の被膜において
良好で安定したカバレッジ性を得るという作用がある。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【００１４】（実施の形態１）本発明の第１の実施形態
について半導体基板の概略製造フローを例に説明する
（図１（ａ）〜（ｄ）参照）。
について半導体基板の概略製造フローを例に説明する
（図１（ａ）〜（ｄ）参照）。
【００１５】基板上にアンダーコート膜としてＳｉＮｘ
やＳｉＯｘやＯ3：ＴＥＯＳ等で成る膜を形成する工程
と、半導体層となる結晶化シリコン層をパターン形成す
る工程と、ゲート電極をパターン形成する工程と、前記
ゲート電極が任意の高さに至るまで前記ゲート電極およ
び前記軟質材を除去する工程と、前記ゲート電極の側壁
に前記軟質材を残存せしめ、それらの表面より任意の不
純物を注入する工程と、層間絶縁膜を形成する工程と、
コンタクトウィンドウを形成する工程と、ソース・ドレ
イン電極および画素電極をそれぞれパターン形成する工
程とを少なくとも含んで成る半導体基板は、その基板表
面が凹凸を有する（図３参照）。そして、電極パターン
上の高反射域（電極配線層）２とその他の低反射域とが
共存し、例えばＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯ
ｘ膜でなる層間絶縁膜では光が吸収されることから反射
度は低い。本発明ではこのような基板１に対し、基板表
面の反射度に合わせて反射防止膜（熱架橋性有機膜）の
塗布膜厚の調整を行う。そして、前記基板表面に反射防
止膜１４（日産科学製ＡＲＣ−ＸＬＸ）を塗布し、必要
に応じて１１０〜１３０℃程度でアニールを行う（図１
（ａ））。次に、主たるリブ層となる感光性有機膜１５
として、例えば東レ製（ポリイミド系樹脂ＤＬ−１００
０）やＪＳＲ製（アクリル系樹脂ＰＣ４０３）や日本ゼ
オン製（ノボラッグ系樹脂ＷＩＸ−２）などの感光性有
機材であるポジ型樹脂を塗布する。次に、その樹脂をパ
ターン形成するために１１０〜１３０℃程度でプリベー
クを行った後、不要な領域に対しマスク１６を介して紫
外線１７を照射する（図１（ｂ））。このとき、基板上
に熱架橋性有機膜（反射防止膜）が塗布されており、紫
外線が基板上の高反射域で反射してきた光を吸収するた
め、基板の反射むらによる影響が防止できる。その後、
紫外線照射領域の樹脂を現像液で除去する。このとき前
記反射防止膜１４が露出する（図１（ｃ））ので、この
反射防止膜１４も前記現像液でエッチング除去する。こ
のようにして反射防止膜１４と感光性有機膜１５の二層
からなるリブ層１１を形成する。次に、２００〜２５０
℃以内でアニールを行い、前記二層でなるリブ層１１の
膜質を安定にするという作用を有するものである。その
後、陽極、正孔注入電極層８、有機発光層（有機薄膜）
７、電子注入電極層９を有する有機ＥＬ素子をカバレッ
ジ性良く形成する（図１（ｄ））。場合によっては、正
孔注入電極層（陽極）と有機発光層の間に、正孔輸送
層、正孔注入層をいれてもよく、また、有機発光層と電
子注入電極層（陰極）との間に電子輸送層、電子注入層
をいれてもよい。
やＳｉＯｘやＯ3：ＴＥＯＳ等で成る膜を形成する工程
と、半導体層となる結晶化シリコン層をパターン形成す
る工程と、ゲート電極をパターン形成する工程と、前記
ゲート電極が任意の高さに至るまで前記ゲート電極およ
び前記軟質材を除去する工程と、前記ゲート電極の側壁
に前記軟質材を残存せしめ、それらの表面より任意の不
純物を注入する工程と、層間絶縁膜を形成する工程と、
コンタクトウィンドウを形成する工程と、ソース・ドレ
イン電極および画素電極をそれぞれパターン形成する工
程とを少なくとも含んで成る半導体基板は、その基板表
面が凹凸を有する（図３参照）。そして、電極パターン
上の高反射域（電極配線層）２とその他の低反射域とが
共存し、例えばＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯ
ｘ膜でなる層間絶縁膜では光が吸収されることから反射
度は低い。本発明ではこのような基板１に対し、基板表
面の反射度に合わせて反射防止膜（熱架橋性有機膜）の
塗布膜厚の調整を行う。そして、前記基板表面に反射防
止膜１４（日産科学製ＡＲＣ−ＸＬＸ）を塗布し、必要
に応じて１１０〜１３０℃程度でアニールを行う（図１
（ａ））。次に、主たるリブ層となる感光性有機膜１５
として、例えば東レ製（ポリイミド系樹脂ＤＬ−１００
０）やＪＳＲ製（アクリル系樹脂ＰＣ４０３）や日本ゼ
オン製（ノボラッグ系樹脂ＷＩＸ−２）などの感光性有
機材であるポジ型樹脂を塗布する。次に、その樹脂をパ
ターン形成するために１１０〜１３０℃程度でプリベー
クを行った後、不要な領域に対しマスク１６を介して紫
外線１７を照射する（図１（ｂ））。このとき、基板上
に熱架橋性有機膜（反射防止膜）が塗布されており、紫
外線が基板上の高反射域で反射してきた光を吸収するた
め、基板の反射むらによる影響が防止できる。その後、
紫外線照射領域の樹脂を現像液で除去する。このとき前
記反射防止膜１４が露出する（図１（ｃ））ので、この
反射防止膜１４も前記現像液でエッチング除去する。こ
のようにして反射防止膜１４と感光性有機膜１５の二層
からなるリブ層１１を形成する。次に、２００〜２５０
℃以内でアニールを行い、前記二層でなるリブ層１１の
膜質を安定にするという作用を有するものである。その
後、陽極、正孔注入電極層８、有機発光層（有機薄膜）
７、電子注入電極層９を有する有機ＥＬ素子をカバレッ
ジ性良く形成する（図１（ｄ））。場合によっては、正
孔注入電極層（陽極）と有機発光層の間に、正孔輸送
層、正孔注入層をいれてもよく、また、有機発光層と電
子注入電極層（陰極）との間に電子輸送層、電子注入層
をいれてもよい。
【００１６】（実施の形態２）第２の実施形態は、第１
の実施形態に記載のリブ層形成基板において、基板表面
に反射防止材を塗布した後、例えば１２０〜２００℃以
内でアニールを行う（図１（ａ））。次に、主たるリブ
層となる感光性有機膜として、例えば東レ製（ポリイミ
ド系樹脂ＤＬ−１０００）やＪＳＲ製（アクリル系樹脂
ＰＣ４０３）や日本ゼオン製（ノボラッグ系樹脂ＷＩＸ
−２）などの感光性有機材であるポジ型樹脂を塗布する
（図１（ｂ））。次に、その樹脂をパターン形成するた
めに１１０〜１３０℃程度でプリベークを行った後、不
要な領域に対しマスクを介して紫外線を照射する（図１
（ｃ））。その後、紫外線照射領域の樹脂を現像液で除
去する。このとき、前記反射防止膜が露出する（図１
（ｄ））ので、この反射防止膜も前記現像液でエッチン
グ除去する。第１の実施形態とは異なり、反射防止膜の
アニール温度を二層目の感光性樹脂のプリベーク温度よ
りも高温で処理しておくことで、感光性樹脂と反射防止
膜の現像工程におけるエッチング性に差を設け、サイド
エッチによる加工形状の不良を防止するものである。こ
のようにして反射防止膜と感光性有機膜の二層からなる
リブ層を形成する（図１（ｅ））。次に、２００〜２５
０℃以内でアニールを行い、前記二層からなるリブ層の
膜質を安定にするという作用を有するものである。
の実施形態に記載のリブ層形成基板において、基板表面
に反射防止材を塗布した後、例えば１２０〜２００℃以
内でアニールを行う（図１（ａ））。次に、主たるリブ
層となる感光性有機膜として、例えば東レ製（ポリイミ
ド系樹脂ＤＬ−１０００）やＪＳＲ製（アクリル系樹脂
ＰＣ４０３）や日本ゼオン製（ノボラッグ系樹脂ＷＩＸ
−２）などの感光性有機材であるポジ型樹脂を塗布する
（図１（ｂ））。次に、その樹脂をパターン形成するた
めに１１０〜１３０℃程度でプリベークを行った後、不
要な領域に対しマスクを介して紫外線を照射する（図１
（ｃ））。その後、紫外線照射領域の樹脂を現像液で除
去する。このとき、前記反射防止膜が露出する（図１
（ｄ））ので、この反射防止膜も前記現像液でエッチン
グ除去する。第１の実施形態とは異なり、反射防止膜の
アニール温度を二層目の感光性樹脂のプリベーク温度よ
りも高温で処理しておくことで、感光性樹脂と反射防止
膜の現像工程におけるエッチング性に差を設け、サイド
エッチによる加工形状の不良を防止するものである。こ
のようにして反射防止膜と感光性有機膜の二層からなる
リブ層を形成する（図１（ｅ））。次に、２００〜２５
０℃以内でアニールを行い、前記二層からなるリブ層の
膜質を安定にするという作用を有するものである。
【００１７】（実施の形態３）第３の実施形態は、第１
や第２の実施形態に記載のリブ層形成後の基板を用いた
有機ＥＬ表示装置である。
や第２の実施形態に記載のリブ層形成後の基板を用いた
有機ＥＬ表示装置である。
【００１８】表面に凹凸を有する半導体基板もしくは、
金属配線等で生じた凹凸を平坦化膜であらかじめ平滑に
した半導体基板上に、前記第１、第２の実施形態に記載
の反射防止膜および感光性有機膜の二層からなるリブ膜
を形成し、その後、電子注入電極と、有機薄膜と、正孔
注入電極をそれぞれ構成して有機ＥＬ表示装置を得る。
金属配線等で生じた凹凸を平坦化膜であらかじめ平滑に
した半導体基板上に、前記第１、第２の実施形態に記載
の反射防止膜および感光性有機膜の二層からなるリブ膜
を形成し、その後、電子注入電極と、有機薄膜と、正孔
注入電極をそれぞれ構成して有機ＥＬ表示装置を得る。
【００１９】このように基板表面を制御して得たリブ層
上に、薄膜からなる電子注入電極や有機薄膜や正孔注入
電極を真空蒸着法でマスク蒸着するが、リブ材表面や画
素電極に対するカバレッジ性は良好となり、電極間ショ
ート等の欠陥を防御するという作用を有するものであ
る。
上に、薄膜からなる電子注入電極や有機薄膜や正孔注入
電極を真空蒸着法でマスク蒸着するが、リブ材表面や画
素電極に対するカバレッジ性は良好となり、電極間ショ
ート等の欠陥を防御するという作用を有するものであ
る。
【００２０】（実施の形態４）従来のリブ開口は電極露
出面積を広く確保するため、リブパターンエッジが下地
基板の各種配線にまたがった位置に配置されている（図
５（ａ））。本第５の実施形態の場合には、前記下地基
板の反射度合いによるリブパターンエッジの加工性のみ
ならず、下地基板とリブ層の接する構成条件を一定にし
た配置構成とする（図２）。これにより、密着性を安定
にして空乏層を作らず、有機ＥＬ素子層間における電極
間ショート等の欠陥を防御するという作用を有するもの
である。
出面積を広く確保するため、リブパターンエッジが下地
基板の各種配線にまたがった位置に配置されている（図
５（ａ））。本第５の実施形態の場合には、前記下地基
板の反射度合いによるリブパターンエッジの加工性のみ
ならず、下地基板とリブ層の接する構成条件を一定にし
た配置構成とする（図２）。これにより、密着性を安定
にして空乏層を作らず、有機ＥＬ素子層間における電極
間ショート等の欠陥を防御するという作用を有するもの
である。
【００２１】
【発明の効果】本発明によると、光反射度の異なる基板
面において、リブ層となる感光性有機膜の加工を安定に
し、上層の有機ＥＬ素子層形成における上下電極間のシ
ョート不良や上層膜のカバレッジ不良を防止する。そし
て、信頼性向上をはかる有機ＥＬ表示装置を提供するも
のである。
面において、リブ層となる感光性有機膜の加工を安定に
し、上層の有機ＥＬ素子層形成における上下電極間のシ
ョート不良や上層膜のカバレッジ不良を防止する。そし
て、信頼性向上をはかる有機ＥＬ表示装置を提供するも
のである。
【図１】本発明の概略製造フローおよび構成図
【図２】本発明の画素部パターン配置図
【図３】従来のＴＦＴ基板の断面構成図
【図４】従来の有機ＥＬ表示装置概略構成図
【図５】（ａ）従来の画素部パターン配置図
（ｂ）従来の画素部構成別リブ層断面形状図
【図６】従来のリブ層形状と、上層膜のカバレッジ不良
図
図
１ 基板
２ 電極配線層（ゲート電極）
３ シリコン半導体層
４ 電極配線層（ソース・ドレイン電極）
５ 画素電極層
６ 絶縁層
７ 有機発光層（有機薄膜）
８ 正孔注入電極層
９ 電子注入電極層
１０ 乾燥剤
１１ リブ層
１２ ショート不良
１３ 空乏層
１４ 反射防止膜
１５ 感光性有機膜
１６ マスク
１７ 紫外線
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも第一の有機膜と第
二の有機膜とを順に有するリブ層を具備することを特徴
とする基板。 - 【請求項２】 第一の有機膜が熱架橋性有機膜であり、
第二の有機膜が感光性有機膜であることを特徴とする請
求項１記載の基板。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の基板上に、一対の
電極間に、少なくとも有機発光層を有する有機ＥＬ表示
を具備することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項４】 熱架橋性有機膜が、紫外線を吸収するこ
とを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項５】 前記感光性有機膜がポジ型であり、熱架
橋性膜および感光性有機膜が２００〜２５０℃で熱硬化
してなることを特徴とする請求項２記載の基板。 - 【請求項６】 前記感光性有機膜がポジ型であり、熱架
橋性有機膜および感光性有機膜が２００〜２５０℃で熱
硬化してなることを特徴とする請求項３または４のいず
れかに記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項７】 基板表面に熱架橋性有機膜を形成する工
程と、感光性有機膜をパターン形成する工程と、前記感
光性有機膜パターンで開口され露出した熱架橋性有機膜
を除去する工程と、前記工程によってパターン形成され
た熱架橋性有機膜および感光性有機膜を加熱処理する工
程とを少なくとも有してなる請求項２記載の基板の製造
方法。 - 【請求項８】 基板表面に熱架橋性有機膜を形成する工
程と、感光性有機膜をパターン形成する工程と、前記感
光性有機膜パターンで開口され露出した熱架橋性有機膜
を除去する工程と、前記工程によってパターン形成され
た熱架橋性有機膜および感光性有機膜を加熱処理する工
程と、電子注入電極を形成する工程と有機薄膜層を形成
する工程と、正孔注入電極を形成する工程を少なくとも
有してなる請求項３または４のいずれかに記載の有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記基板がガラスやプラスチックなどの
透明材料でなり、パターン形成された電極材域と前記透
明材域が共存する面において、前記基板がパターン形成
された電極材料とその周辺の絶縁透明材が共存すること
で反射度の異なる表面領域を有し、その基板表面の反射
率を均一化するために用いる第一の有機膜である熱架橋
性有機膜のプリベーク温度を、次工程で形成する第二の
有機膜のプリベーク温度よりも高くしたことを特徴とす
る請求項７記載の基板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記基板がガラスやプラスチックなど
の透明材料でなり、パターン形成された電極材域と前記
透明材域が共存する面において、前記基板がパターン形
成された電極材料とその周辺の絶縁透明材が共存するこ
とで反射度の異なる表面領域を有し、その基板表面の反
射率を均一化するために用いる第一の有機膜である熱架
橋性有機膜のプリベーク温度を、次工程で形成する第二
の有機膜のプリベーク温度よりも高くしたことを特徴と
する請求項８記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002078368A JP2003272858A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002078368A JP2003272858A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003272858A true JP2003272858A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29206023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002078368A Pending JP2003272858A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003272858A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041262A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2010061889A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Casio Comput Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US9653527B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus having pixels areas with different thicknesses |
| CN110578120A (zh) * | 2013-11-14 | 2019-12-17 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及蒸镀掩模的制造方法 |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002078368A patent/JP2003272858A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041262A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2010061889A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Casio Comput Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| CN110578120A (zh) * | 2013-11-14 | 2019-12-17 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及蒸镀掩模的制造方法 |
| CN110578120B (zh) * | 2013-11-14 | 2022-03-08 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及蒸镀掩模的制造方法 |
| US9653527B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus having pixels areas with different thicknesses |
| US10002914B2 (en) | 2015-03-30 | 2018-06-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing a display apparatus having pixels areas with different thicknesses |
| TWI690077B (zh) * | 2015-03-30 | 2020-04-01 | 南韓商三星顯示器有限公司 | 顯示設備及製造顯示設備的設備及方法 |
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