KR100914268B1 - Source supply unit, deposit apparatus for forming organic film having the same, and the method of forming organic film on substrate using the deposit apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 소스 공급 유닛은 유기물질을 수용하는 용기, 용기에 열을 제공하는 메인 가열부재, 소스 배출부, 및 소스 공급 유닛 내부에 구비되어 메인 가열부재에 의해 가열된 유기물질로부터 발생된 소스 가스를 소스 배출부 측으로 유도하는 소스 유도부를 포함한다. 소스 유도부는 소스 가스가 소스 배출부 측으로 직접 진행하는 것을 방지하고, 소스 공급 유닛 내부에서 일정 경로를 거쳐 외부로 배출시킨다. 따라서, 소스 배출부는 용기 내에 소스 가스의 밀도가 균일한 상태에서 소스가스를 외부로 배출할 수 있고, 그 결과 소스 배출부의 전체 단면적에 걸쳐 소스 가스가 균일하게 배출된다. 또한, 본 발명에 따른 소스 공급 유닛을 갖는 유기박막 증착 장치, 및 유기박막 증착 장치를 이용하여 기판에 균일한 두께를 갖는 유기박막을 형성할 수 있다. The source supply unit according to the present invention is provided with a container containing an organic material, a main heating member for providing heat to the container, a source discharge unit, and a source generated from the organic material heated by the main heating member inside the source supply unit. And a source inducing part for inducing gas to the source discharge part side. The source induction part prevents the source gas from proceeding directly to the source discharge part side, and discharges the source gas to the outside through a predetermined path inside the source supply unit. Therefore, the source discharge portion can discharge the source gas to the outside in a state where the density of the source gas is uniform in the container, and as a result, the source gas is discharged uniformly over the entire cross-sectional area of the source discharge portion. In addition, an organic thin film deposition apparatus having a source supply unit according to the present invention and an organic thin film deposition apparatus may be used to form an organic thin film having a uniform thickness on a substrate.

Description

소스 공급 유닛, 이를 갖는 유기박막 증착 장치, 및 유기박막 증착 장치를 이용한 기판 위에 유기박막의 형성 방법{SOURCE SUPPLY UNIT, DEPOSIT APPARATUS FOR FORMING ORGANIC FILM HAVING THE SAME, AND THE METHOD OF FORMING ORGANIC FILM ON SUBSTRATE USING THE DEPOSIT APPARATUS} SOURCE SUPPLY UNIT, DEPOSIT APPARATUS FOR FORMING ORGANIC FILM HAVING THE SAME, AND THE METHOD OF FORMING ORGANIC FILM ON SUBSTRATE USING THE DEPOSIT APPARATUS}

본 발명은 소스 공급 유닛, 상기 소스 공급 유닛을 갖는 유기박막 증착 장치 및 상기 유기박막 증착 장치를 이용하여 기판 위에 유기박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a source supply unit, an organic thin film deposition apparatus having the source supply unit, and a method of forming an organic thin film on a substrate using the organic thin film deposition apparatus.

정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하는 디스플레이 장치를 갖는다. 과거에는 주로 디스플레이 장치로 브라운관(Cathode Ray Tube) 모니터가 사용되었으나, 현재에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD)가 주로 사용되고 있다. 그러나 액정 표시 장치는 별도의 광원을 필요로 하는 장치로서 밝기, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있어, 최근에는 저전압 구동, 자기 발광, 경량, 박형, 넓은 시야각, 그리고 빠른 응답 속도의 장점을 갖는 유기 전계 발광 소자를 이용한 표시 장치가 각광받고 있다. Information processing devices are rapidly evolving to have various types of functions and faster information processing speeds. This information processing apparatus has a display device for displaying the operated information. In the past, a cathode ray tube monitor was mainly used as a display device, but a liquid crystal display (LCD) is mainly used. However, liquid crystal displays require a separate light source and have limitations in brightness, viewing angle, and large area, and in recent years, an organic electric field having advantages of low voltage driving, self-luminous, light weight, thinness, wide viewing angle, and fast response speed. BACKGROUND Display devices using light emitting devices have been in the spotlight.

유기 전계 발광 소자는 유기 박막에 주입되는 전자와 정공이 재결합하고 남은 에너지가 빛으로 발생되는 것으로서, 유기 물질의 도펀트(Dopant)의 양에 따라나오는 빛의 파장을 조절할 수 있고, 풀 칼라(Full Color)의 구현이 가능하다. The organic electroluminescent device is generated by the recombination of the electrons and holes injected into the organic thin film as light, and can control the wavelength of light coming out according to the amount of dopant of the organic material, and full color ) Can be implemented.

유기 박막을 증착하기 위해 일반적으로 사용되고 있는 장치는 공정 챔버들 간 기판을 이송하는 이송 챔버와, 이송 챔버의 아래에 제공되며 기판 위에 박막을 증착시키는 증착 챔버를 구비한다. 증착 챔버 내부에는 기판을 지지하는 지지유닛, 상기 지지유닛 측으로 유기물질을 제공하는 소스 공급 유닛을 포함하고, 상기 소스 공급 유닛은 유기 물질(증착 물질)을 수용하는 용기, 상기 유기 물질을 가열하는 가열 부재 및 상기 가열 부재에 의해 가열된 상기 유기물질을 상기 지지유닛 측으로 제공하는 소스 배출부를 포함한다. An apparatus generally used for depositing organic thin films includes a transfer chamber for transferring a substrate between process chambers and a deposition chamber provided below the transfer chamber and for depositing a thin film over the substrate. A deposition unit includes a support unit for supporting a substrate, a source supply unit for providing an organic material to the support unit, wherein the source supply unit is a container for containing an organic material (deposition material), and a heating for heating the organic material. A member and a source discharge portion for providing the organic material heated by the heating member to the support unit side.

상기 소스 배출부로부터 배출되어 상기 기판에 증착되는 유기물질로 이루어진 박막의 두께는 여러가지 요인에 의해 결정된다. 상기 기판의 전체 면적에 걸쳐 균일한 두께를 갖는 유기물질 박막을 형성하기 위해서는 상기 소스 배출부의 전체 단면적에 걸쳐 상기 소스 가스를 균일하게 배출되는 것이 중요하다. The thickness of the thin film made of the organic material discharged from the source discharge part and deposited on the substrate is determined by various factors. In order to form a thin film of an organic material having a uniform thickness over the entire area of the substrate, it is important to uniformly discharge the source gas over the entire cross-sectional area of the source discharge portion.

본 발명의 목적은 소스가 배출되는 전체 단면적에 걸쳐 균일한 유량의 소스를 배출하는 소스 공급 유닛, 상기 소스 공급 유닛을 갖는 유기박막 증착 장치 및 상기 유기박막 증착 장치를 이용하여 기판 위에 유기박막을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to form an organic thin film on a substrate using a source supply unit for discharging the source of a uniform flow rate over the entire cross-sectional area from which the source is discharged, the organic thin film deposition apparatus having the source supply unit and the organic thin film deposition apparatus To provide a way.

상기한 과제를 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 소스 공급 유닛은 유기물질을 수용하는 용기, 상기 용기에 열을 제공하여 상기 유기물질을 소스가스로 승화시키는 메인 가열부재, 상기 소스가스를 배출시키는 소스 배출부, 및 상기 용기 내에 구비되어 상기 소스가스를 상기 소스 배출부 측으로 유도하는 소스 유도부를 포함한다. In order to achieve the above object, the source supply unit according to the present invention is a container containing an organic material, a main heating member for sublimating the organic material to a source gas by providing heat to the container, a source for discharging the source gas A discharge part, and a source induction part provided in the container to guide the source gas to the source discharge part.

소스 유도부는 상기 소스가스가 직접 상기 소스 배출부 측으로 진행하는 것을 방지하고, 상기 소스 가스가 상기 용기 내부에서 상기 소스 유도부에 의해 일정 경로를 거쳐 외부로 배출되게 한다. 상기 소스 가스는 상기 소스 유도부에 의해 상기 용기 내부에서 일정 경로를 따라 이동하면서 단위 체적당 밀도가 균일해지고, 그 결과, 상기 소스 배출부를 통해 외부로 배출되는 상기 소스 가스는 상기 소스 배출부의 전체 단면적에 걸쳐 균일하게 배출될 수 있다.  The source induction part prevents the source gas from proceeding directly to the source discharge part side, and allows the source gas to be discharged from the inside of the container to the outside through a predetermined path by the source induction part. The source gas is moved along the predetermined path within the vessel by the source induction part, so that the density per unit volume becomes uniform. As a result, the source gas discharged to the outside through the source discharge part is formed in the entire cross-sectional area of the source discharge part. Can be discharged uniformly over.

또한, 본 발명에 따른 유기박막 증착 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 구비되어 기판을 지지하는 지지유닛, 및 상기 챔버 내에 구비되어 상기 지지유닛 측으로 유 기물질을 제공하는 소스 공급 유닛을 포함한다. 상기 소스 공급 유닛은, 앞서 상술한, 본 발명에 따른 소스 공급 유닛과 동일한 구성요소를 갖는다. 따라서, 상기 유기박막 증착 장치는 상기 지지유닛에 지지된 기판에 균일한 유량의 소스가스를 제공할 수 있고, 그 결과 기판에 제공되는 상기 소스가스에 의해 형성되는 유기박막의 두께는 균일해진다. In addition, the organic thin film deposition apparatus according to the present invention includes a chamber, a support unit provided in the chamber to support a substrate, and a source supply unit provided in the chamber to provide an organic material to the support unit. The source supply unit has the same components as the source supply unit according to the invention, described above. Therefore, the organic thin film deposition apparatus can provide a source gas having a uniform flow rate to the substrate supported by the support unit, and as a result, the thickness of the organic thin film formed by the source gas provided to the substrate becomes uniform.

또한, 본 발명에 따른 기판을 지지하는 지지유닛 및 상기 지지유닛 측으로 유기물질을 제공하는 소스 공급 유닛을 내부에 수용하는 챔버를 이용하여 기판 위에 유기박막의 증착 방법은, 상기 소스 공급 유닛에 구비된 용기에 유기물질을 수용하는 단계, 상기 용기의 주변에 구비된 메인 가열부재를 이용하여 상기 유기물질을 가열하여 상기 유기물질을 소스가스로 승화시키는 단계, 및 상기 소스가스를 상기 소스 공급 유닛에 구비된 소스 배출부를 통해 상기 용기 외부로 배출하는 단계를 포함하고, 상기 소스가스는 상기 용기 내에 구비된 소스 유도부를 따라 이동하여 상기 소스 배출부를 통해 상기 용기 외부로 배출되는 특징을 갖는다. In addition, a method of depositing an organic thin film on a substrate using a support unit for supporting a substrate and a chamber for accommodating a source supply unit for providing an organic material to the support unit, according to the present invention, is provided in the source supply unit Receiving an organic material in a container, heating the organic material using a main heating member provided around the container to sublimate the organic material into a source gas, and providing the source gas to the source supply unit And discharging to the outside of the container through the source discharge unit, wherein the source gas is moved along the source induction unit provided in the container and discharged to the outside of the container through the source discharge unit.

본 발명에 따른 소스 공급 유닛, 상기 소스 공급 유닛을 포함하는 유기박막 증착 장치 및 상기 유기박막 증착 장치를 이용한 기판 위에 유기박막의 형성 방법에 의하면 기판 위에 형성되는 유기물질로 이루어진 박막의 두께를 균일하게 할 수 있다. According to the method for forming an organic thin film on a substrate using a source supply unit, an organic thin film deposition apparatus including the source supply unit, and the organic thin film deposition apparatus, the thickness of a thin film made of an organic material formed on the substrate is uniformly can do.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 살펴보기로 한 다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련된 실시예들을 통해서 용이하게 이해될 것이다. 다만 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 하기 실시예와 함께 제시된 도면은 명확한 설명을 위해서 다소 간략화되거나 과장된 것이며, 도면상에 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The objects, features and effects of the present invention described above will be readily understood through embodiments related to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be applied and modified in various forms. Rather, the following embodiments are provided to clarify the technical spirit disclosed by the present invention, and furthermore, to fully convey the technical spirit of the present invention to those skilled in the art having an average knowledge in the field to which the present invention belongs. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as limited by the embodiments described below. On the other hand, the drawings presented in conjunction with the following examples are somewhat simplified or exaggerated for clarity, the same reference numerals in the drawings represent the same components.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기박막 증착 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1 의 공정 챔버들의 내부를 나타낸 단면도이다. 1 is a perspective view of an organic thin film deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing the interior of the process chamber of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 유기박막 증착 장치(1)는 복수의 챔버들을 포함한다. 챔버들은 로딩 챔버(10), 크리닝 챔버(30), 공정 챔버들(40), 그리고 언로딩 챔버(20)를 포함하고, 상기 공정 챔버들(40) 각각은 마스크 부착 챔버(42), 증착 챔버(44), 그리고 마스크 제거 챔버(46)를 갖는다. 상기 공정 챔버들(40) 각각에는 상기 증착 챔버(44)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 상기 마스크 부착 챔버(42) 또는 상기 마스크 제거 챔버(44)에는 각각 마스크들이 저장되는 마스크 챔버(미도시)가 제공될 수 있다. 또한, 상기 유기박막 증착 장치(1)은 상기 로딩 챔버(10), 상기 크리닝 챔버(30), 상기 공정 챔버(40) 및 상기 언로딩 챔버(20) 외에 다른 종류의 챔버들을 더 포함할 수 있다. 1 and 2, the organic thin film deposition apparatus 1 includes a plurality of chambers. The chambers include a loading chamber 10, a cleaning chamber 30, process chambers 40, and an unloading chamber 20, each of which has a masked chamber 42 and a deposition chamber. 44, and a mask removal chamber 46. Each of the process chambers 40 may be provided with one or a plurality of deposition chambers 44. A mask chamber (not shown) in which masks are stored may be provided in the mask attach chamber 42 or the mask removal chamber 44, respectively. In addition, the organic thin film deposition apparatus 1 may further include other types of chambers in addition to the loading chamber 10, the cleaning chamber 30, the process chamber 40, and the unloading chamber 20. .

일 예에 의하면, 상기 로딩 챔버(10), 상기 크리닝 챔버(30), 상기 공정 챔버(40), 그리고 상기 언로딩 챔버(20)는 순차적으로 일렬로 배치되고, 상기 공정 챔버(40) 내에서 상기 마스크 부착 챔버(42), 상기 증착 챔버(44), 그리고 상기 마스크 제거 챔버(46)는 동일 방향으로 순차적으로 일렬로 배치된다. 상기 공정 챔버(40)의 수는 다양하게 변화될 수 있으며, 본 발명의 제 1 실시예에서와 같이, 상기 증착 장치(1)가 유기전계 발광소자 제조에 사용되는 경우, 상기 공정 챔버(40)는 약 20개가 제공될 수 있다. According to an example, the loading chamber 10, the cleaning chamber 30, the process chamber 40, and the unloading chamber 20 are sequentially arranged in a row and within the process chamber 40. The mask attach chamber 42, the deposition chamber 44, and the mask removal chamber 46 are sequentially arranged in the same direction. The number of the process chambers 40 may vary, and as in the first embodiment of the present invention, when the deposition apparatus 1 is used for manufacturing an organic light emitting device, the process chambers 40 About 20 may be provided.

각각의 챔버에는 내부의 유지 보수 등이 용이하도록 도어(52)가 설치되며, 공정 진행시 챔버 내부가 고진공을 유지하도록 진공 펌프(미도시)가 설치된 배기관(54)이 연결되는 진공 포트(미도시)가 제공된다. 상술한 바와 달리 챔버들의 배열은 다양하게 변화될 수 있다. 예컨대, 유기박막 증착 장치가 일 방향으로 매우 길어지지 않도록 공정 챔버들(40)은 'ㄷ'자 형상으로 배열되거나 지그재그 형상으로 배열될 수 있다. Each chamber is provided with a door 52 to facilitate maintenance, etc., and a vacuum port (not shown) to which an exhaust pipe 54 having a vacuum pump (not shown) is installed to maintain a high vacuum in the chamber during the process. ) Is provided. Unlike the above, the arrangement of the chambers may vary. For example, the process chambers 40 may be arranged in a 'c' shape or arranged in a zigzag shape so that the organic thin film deposition apparatus is not very long in one direction.

증착 공정이 수행될 기판(3)은 상기 로딩 챔버(10)를 통해 상기 증착장치(1) 내로 반입되고, 증착 공정이 완료된 상기 기판(3)은 상기 언로딩 챔버(20)를 통해 상기 증착 장치(1)로부터 반출된다. 상기 로딩 챔버(10)로 반입된 상기 기판(3)은 상기 크리닝 챔버(30)로 이송된다. 상기 크리닝 챔버(30)는 플라즈마 또는 자외선 등을 사용하여 상기 기판(3)을 세정하는 공정을 수행한다. 크리닝이 완료된 상기 기판(3)은 상기 마스크 부착 챔버(42), 상기 증착 챔버(44), 그리고 상기 마스크 제거 챔버(46)로 순차적으로 이동된다. The substrate 3 on which the deposition process is to be carried is introduced into the deposition apparatus 1 through the loading chamber 10, and the substrate 3 having the deposition process completed is transferred to the deposition apparatus through the unloading chamber 20. It is taken out from (1). The substrate 3 carried into the loading chamber 10 is transferred to the cleaning chamber 30. The cleaning chamber 30 performs a process of cleaning the substrate 3 using plasma or ultraviolet rays. After cleaning, the substrate 3 is sequentially moved to the mask attaching chamber 42, the deposition chamber 44, and the mask removing chamber 46.

상기 마스크 부착 챔버(42), 상기 증착 챔버(44), 그리고 상기 마스크 제거 챔버(46)의 양 측벽에는 개구(40a)가 형성된다. 상기 기판(3)은 상기 개구(40a)를 통해 인접하는 챔버들로 이동된다. 상기 마스크 부착 챔버(42)에서 일정 패턴이 형성된 마스크(4)가 상기 기판(3)에 부착되고, 상기 증착 챔버(44)에서 상기 기판(3)상에 박막이 증착되며, 상기 마스크 제거 챔버(46)에서 상기 마스크(4)가 상기 기판(3)으로부터 제거된다. 이후, 상기 기판(3)은 상기 공정 챔버(40)로 이동되며, 상술한 마스크 부착, 증착, 마스크 제거 과정이 계속적으로 반복된다. Openings 40a are formed in both sidewalls of the mask attach chamber 42, the deposition chamber 44, and the mask removal chamber 46. The substrate 3 is moved to adjacent chambers through the opening 40a. In the mask attaching chamber 42, a mask 4 having a predetermined pattern is attached to the substrate 3, a thin film is deposited on the substrate 3 in the deposition chamber 44, and the mask removing chamber ( In 46 the mask 4 is removed from the substrate 3. Subsequently, the substrate 3 is moved to the process chamber 40, and the above-described mask attaching, deposition, and mask removing process are continuously repeated.

증착 공정 진행시 상기 공정 챔버(40) 내부는 고진공으로 유지된다. 종종 챔버들 중 어느 하나에 이상이 발생되는 경우 챔버 내부를 보수하여야 할 필요가 있다. 보수는 챔버 내부가 상압으로 유지된 상태에서 이루어진다. 챔버들 내부가 상기 개구(40a)를 통해 연통되어 있으므로, 어느 하나의 챔버에서 보수가 이루어질 때 모든 챔버 내의 압력이 상압으로 변화된다. 보수가 완료된 이후 공정을 시작하기 전에 모든 챔버 내부를 다시 진공으로 유지하여야 하므로 많은 시간이 소요된다. 이를 방지하기 위해 본 발명의 상기 증착장치(1)는 도 2에 도시된 바와 같이 각각의 상기 공정 챔버들(40)간 경계벽에 형성된 상기 개구(40a)를 개폐하는 게이트 밸브(41)를 가진다. During the deposition process, the process chamber 40 is maintained at a high vacuum. Often, when an abnormality occurs in any one of the chambers, it is necessary to repair the inside of the chamber. Repair is carried out with the chamber inside at atmospheric pressure. Since the interior of the chambers is communicated through the opening 40a, the pressure in all the chambers is changed to atmospheric pressure when maintenance is made in either chamber. After the maintenance is completed, it takes a lot of time because all the chamber interior must be kept in vacuum again before starting the process. To prevent this, the deposition apparatus 1 of the present invention has a gate valve 41 for opening and closing the opening 40a formed in the boundary wall between each of the process chambers 40, as shown in FIG.

도 3은 도 2의 마스크 부착 챔버의 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of the chamber with a mask of FIG. 2.

도 3을 참조하면, 마스크 부착 챔버(42) 내에는 마스크 이동기(100)가 제공된다. 상기 마스크 이동기(100)는 상하로 이동가능하며, 마스크(4)는 상기 마스크 이동기(100) 상에 놓인다. 상기 마스크 부착 챔버(42)에서 상기 마스크 이동 기(100)가 기설정된 높이까지 이동되면, 기판 지지유닛(200)에 제공된 클램프(도시되지 않음)에 의해 상기 마스크(4)는 상기 기판 지지유닛(200)과 결합한다. Referring to FIG. 3, a mask mover 100 is provided in the mask attach chamber 42. The mask mover 100 is movable up and down, and the mask 4 is placed on the mask mover 100. When the mask mover 100 is moved to a predetermined height in the mask attach chamber 42, the mask 4 is moved to the substrate support unit by a clamp (not shown) provided to the substrate support unit 200. 200).

또한, 본 도면에서는 도시되지 않았지만, 마스크 제거 챔버(도 1의 46)는, 앞서 상술한, 상기 마스크 부착 챔버(42)가 동작하는 역순으로 동작하여 상기 기판 지지유닛(200)과 결합된 상기 마스크(4)를 해체한다. In addition, although not shown in the drawing, the mask removing chamber (46 of FIG. 1) operates in the reverse order in which the mask attaching chamber 42 operates as described above, and is coupled to the mask supporting unit 200. Dismantle (4).

도 4는 도 2의 증착 챔버의 단면도이고, 도 5는 도 4의 소스 공급유닛의 사시도이고, 도 6은 도 5의 I-I'을 절취한 부분을 나타낸 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of the deposition chamber of FIG. 2, FIG. 5 is a perspective view of the source supply unit of FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a portion taken along line II ′ of FIG. 5.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 증착 챔버(44)의 측벽에는 개구부(40a)가 형성되어 상기 개구부(40a)를 통해 상기 기판 지지유닛(200)은 상기 마스크 부착 챔버(도3의 42)로부터 상기 증착 챔버(44) 측으로 이동된다. 상기 기판 지지유닛(200)은 상기 증착 챔버(44) 내에 구비되는 이송 가이드(210)를 따라 움직인다. 4 to 6, an opening 40a is formed in a sidewall of the deposition chamber 44, and the substrate support unit 200 is connected to the mask attaching chamber (42 in FIG. 3) through the opening 40a. It is moved to the deposition chamber 44 side. The substrate support unit 200 moves along the transfer guide 210 provided in the deposition chamber 44.

상기 기판 지지유닛(200) 상에는 크리닝 챔버(도1의 30)에서 크리닝이 완료된 기판(3)이 놓이고, 또한, 상기 기판 지지유닛(200) 위에는 마스크 부착 챔버(도3의 42)에서 상기 기판 지지유닛(200)과 결합한 마스크(4)가 위치한다.The substrate 3 on which the cleaning is completed is placed in the cleaning chamber (30 in FIG. 1) on the substrate support unit 200, and the substrate in the chamber with a mask (42 in FIG. 3) is placed on the substrate support unit 200. The mask 4 coupled with the support unit 200 is positioned.

상기 증착 챔버(44) 내부에는 상기 증착 챔버(44)의 바닥부와 인접하여 소스 공급 유닛(300)이 제공된다. 상기 소스 공급 유닛(300)은 상기 기판 지지유닛(200)에 의해 지지되는 기판(3)과 마주보도록 설치되어 상기 기판(3) 측으로 유기 물질을 공급한다. Inside the deposition chamber 44, a source supply unit 300 is provided adjacent to the bottom of the deposition chamber 44. The source supply unit 300 is installed to face the substrate 3 supported by the substrate support unit 200 to supply an organic material to the substrate 3.

상기 소스 공급 유닛(300)은 용기(310), 메인 가열부재(320), 보조 가열부재(322) 및 소스 유도부(330)를 포함한다. 상기 용기(310)는 바닥부(314) 및 상기 바닥부(314)로부터 연장된 측벽들을 구비하여 유기 물질(350)을 수용한다. 상기 유기물질(350)은 상기 기판(3) 위에 증착하고자 하는 원재료이다. The source supply unit 300 includes a vessel 310, a main heating member 320, an auxiliary heating member 322, and a source induction part 330. The container 310 has a bottom portion 314 and sidewalls extending from the bottom portion 314 to accommodate the organic material 350. The organic material 350 is a raw material to be deposited on the substrate 3.

상기 용기(310)의 일 측 상부에는 상기 메인 가열부재(320)에 의해 가열되어 상기 유기물질(350)로부터 발생된 소스가스(355)를 배출하는 소스 배출부(312)가 형성된다. 상기 소스 배출부(312)의 슬롯의 길이(L)는 기판(3)의 제 1 방향(D1)으로 나란한 어느 하나의 변의 길이보다 크고, 상기 기판(3)은 상기 제 1 방향(D1)과 수직인 제 2 방향(D2)으로 상기 소스 배출부(312) 측으로 이동하면서 상기 소스 배출부(312)로부터 소스가스(355)를 제공받아 상기 기판(3)의 표면에 유기물질이 증착된다. A source discharge part 312 is formed on one side of the vessel 310 to be heated by the main heating member 320 to discharge the source gas 355 generated from the organic material 350. The length L of the slot of the source discharge part 312 is greater than the length of any one side lined in the first direction D1 of the substrate 3, and the substrate 3 is formed in the first direction D1. The organic material is deposited on the surface of the substrate 3 by receiving the source gas 355 from the source discharge part 312 while moving toward the source discharge part 312 in the second vertical direction D2.

상기 메인 가열부재(320)는 상기 용기(310)에 수용된 상기 유기물질(350)을 가열하여 상기 유기물질(350)로부터 소스가스(355)를 발생시킨다. 상기 메인 가열부재(322)는 코일 구조의 저항 발열체로 형성될 수 있으며, 상기 용기(310)의 측벽들을 감싸도록 형성될 수 있다. The main heating member 320 generates the source gas 355 from the organic material 350 by heating the organic material 350 accommodated in the container 310. The main heating member 322 may be formed of a resistance heating element having a coil structure, and may be formed to surround sidewalls of the container 310.

상기 보조 가열부재(322)는 상기 소스 배출부(312) 주변을 감싸도록 형성된다. 상기 보조 가열부재(322)는, 상기 메인 가열부재(320)와 마찬가지로, 코일 구조의 저항 발열체로 형성될 수 있다. 상기 보조 가열부재(322)는 상기 소스 배출부(312) 주변에 열을 제공하여 상기 소스 배출부(312) 주변에 고착된 유기물질을 증발시키고, 그 결과, 상기 소스 배출부(312) 주변에 고착된 유기물질에 의해 소스 가스들의 배출이 지연되는 것이 방지된다. The auxiliary heating member 322 is formed to surround the source discharge portion 312. The auxiliary heating member 322 may be formed of a resistance heating element having a coil structure, similar to the main heating member 320. The auxiliary heating member 322 provides heat around the source outlet 312 to evaporate the organic material stuck around the source outlet 312, and as a result, around the source outlet 312. Delayed release of source gases by the stuck organic material is prevented.

상기 소스 유도부(330)는 판의 형상을 갖고, 상기 용기(310)의 내부에 구비 되어 상기 소스 가스(355)의 이동 경로를 연장하고, 상기 용기(310)의 전체 내부에 걸쳐 상기 소스 가스(355)의 밀도를 균일하게 한다. The source induction part 330 has a plate shape, is provided inside the container 310 to extend the movement path of the source gas 355, and the source gas (over the entire interior of the container 310) 355) to make the density uniform.

상기 소스 유도부(330)는 상기 용기(310)의 제 1 측벽(313)과 결합하여 상기 제 1 측벽(313)을 따라 상기 소스 배출부(312) 측으로 이동하는 상기 소스 가스(355)를 차단하고, 그 결과, 상기 용기(310)의 제 1 공간(A) 내에서의 상기 소스 가스(355)의 단위 체적당 밀도는 균일해진다. The source guide part 330 is coupled to the first side wall 313 of the container 310 to block the source gas 355 moving along the first side wall 313 toward the source discharge part 312. As a result, the density per unit volume of the source gas 355 in the first space A of the container 310 becomes uniform.

또한, 상기 소스 유도부(330)는 유도 통로(335)가 형성되도록 상기 제 1 측벽(313)과 마주보는 제 2 측벽(315)과 일정 간격으로 이격되고, 그 결과, 상기 소스가스(355)는 상기 유도 통로(335)를 통해 제 2 공간(B) 내로 이동한다. 상기 소스가스(355)는 상기 제 2 공간(B) 내에서 상기 소스 유도부(330) 및 상기 용기의 상부(316)와 연속적으로 충돌하면서 상기 용기(310)의 제 2 공간(B)에서의 상기 소스 가스(355)의 단위 체적당 밀도는 더욱 균일해진다. In addition, the source guide portion 330 is spaced apart from the second side wall 315 facing the first side wall 313 at a predetermined interval so that the induction passage 335 is formed, as a result, the source gas 355 is It moves into the second space B through the guide passage 335. The source gas 355 continuously collides with the source guide portion 330 and the upper portion 316 of the container in the second space B, and thus, the source gas 355 in the second space B of the container 310. The density per unit volume of the source gas 355 becomes more uniform.

따라서, 상기 제 1 공간(A) 및 상기 제 2 공간(B)에서 상기 소스 유도부(330)에 의해 밀도가 균일해진 상기 소스가스(355)는 상기 소스 배출부(312)의 전체 단면적에 걸쳐 균일하게 배출될 수 있다. Therefore, in the first space A and the second space B, the source gas 355 having a uniform density by the source guide part 330 is uniform over the entire cross-sectional area of the source discharge part 312. Can be discharged.

한편, 증착 챔버(44) 내부에서 기판 지지유닛(200)이 이송 가이드(210)를 따라 이동하면, 상기 소스 공급 유닛(300)은 상기 기판 지지유닛(200)에 지지된 기판(3) 측으로 소스 가스(335)를 제공한다. 상기 기판 지지유닛(200)이 연속적으로 일정 속도로 이동되면서 증착 공정을 수행할 수 있으며, 기판 지지유닛(200)이 일정 시간씩 정지하면서 이동되어 증착 공정을 수행할 수 있다. 증착 공정이 수행되 는 동안, 기판 지지유닛(200)은 증착 챔버(44) 내에서 왕복 이동될 수 있다. 이와 달리 용기(310)가 이동되면서 증착이 이루어질 수 있다. 그러나 이 경우 설비의 구성이 복잡해지므로, 기판 지지유닛(200)이 이송 가이드(210)를 따라 이동되면서 증착 공정이 수행되는 것이 바람직하다. Meanwhile, when the substrate support unit 200 moves along the transfer guide 210 in the deposition chamber 44, the source supply unit 300 moves toward the substrate 3 supported by the substrate support unit 200. Provide gas 335. The substrate support unit 200 may continuously perform the deposition process while moving at a constant speed, and the substrate support unit 200 may be moved while stopping for a predetermined time to perform the deposition process. During the deposition process, the substrate support unit 200 may be reciprocated in the deposition chamber 44. Unlike this, deposition may be performed while the container 310 is moved. However, in this case, since the configuration of the equipment becomes complicated, it is preferable that the deposition process is performed while the substrate support unit 200 is moved along the transfer guide 210.

증착 공정 수행시 증착 물질로부터 발생된 소스가스가 기판(3)으로부터 벗어나 기판(3) 상부로 이동되면 소스가스가 기판 지지유닛(200) 또는 다른 구조물에 증착된다. 또한, 소스가스가 증착 챔버(44) 내 넓은 영역으로 퍼지면 증착 챔버(44)의 측벽에 형성된 개구(40a)를 통해 이와 인접한 마스크 부착 챔버(42) 또는 마스크 제거 챔버(46) 내로 유입되어 그 챔버들(42,46)을 오염시킨다. 이를 방지하기 위해 증착 챔버(44) 내에서 기판 지지유닛(200)에 부착된 기판(3)보다 낮은 위치에 차단판(400)이 제공된다. 차단판(400)은 소스 공급 유닛(300)와 대향되는 위치에 일정 크기의 개구(410)를 가진다. 소스가스는 개구(410)를 통해서 증착 챔버(44) 내 상부로 공급되므로, 유기 물질로부터 발생된 소스가스가 도달되는 영역은 기판(3) 상의 일정영역으로만 제한된다. When the source gas generated from the deposition material is moved out of the substrate 3 and moved over the substrate 3 during the deposition process, the source gas is deposited on the substrate support unit 200 or another structure. In addition, when the source gas spreads to a large area in the deposition chamber 44, the source gas is introduced into the mask attaching chamber 42 or the mask removing chamber 46 adjacent thereto through the opening 40a formed in the sidewall of the deposition chamber 44. It contaminates the fields 42 and 46. In order to prevent this, the blocking plate 400 is provided at a position lower than the substrate 3 attached to the substrate support unit 200 in the deposition chamber 44. The blocking plate 400 has an opening 410 of a predetermined size at a position opposite to the source supply unit 300. Since the source gas is supplied to the upper portion of the deposition chamber 44 through the opening 410, the region where the source gas generated from the organic material is reached is limited to only a predetermined region on the substrate 3.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 소스 공급 유닛의 단면도이다. 도 7을 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성요소에 대해서는 도면부호를 병기하고, 이에 대한 중복된 설명은 생략한다. 7 is a sectional view of a source supply unit according to a second embodiment of the present invention. In the description of FIG. 7, the same reference numerals denote the same elements and duplicate description thereof will be omitted.

도 7을 참조하면, 소스 공급 유닛(301)은 용기(310), 메인 가열부재(320), 보조 가열부재(322) 및 소스 유도부(331)를 포함한다. Referring to FIG. 7, the source supply unit 301 includes a vessel 310, a main heating member 320, an auxiliary heating member 322, and a source induction part 331.

상기 소스 유도부(331)는 판의 형상을 갖되, 상기 소스 유도부(331)는 상기 용기(310)의 제 1 측벽(313) 및 제 2 측벽(315)과 결합한다. 또한, 상기 소스 유도부(331)의 일측 단부에는 부분적으로 제거된 유도통로(336)가 형성된다. 상기 유도통로(336)는 상기 메인 가열부재(320)에 의해 가열된 유기물질(350)로부터 발생된 소스 가스(355)가 이동하는 통로가 된다. The source guide part 331 has a plate shape, and the source guide part 331 is coupled to the first side wall 313 and the second side wall 315 of the container 310. In addition, an induction passage 336 partially removed is formed at one end of the source induction portion 331. The induction passage 336 is a passage through which the source gas 355 generated from the organic material 350 heated by the main heating member 320 moves.

상기 소스 유도부(331)는, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 소스 유도부(도6의 330)와 같이, 메인 가열부재(320)가 유기물질(350)을 가열하여 상기 유기물질(350)로부터 발생된 소스 가스(355)가 직접 상기 소스 배출부(312) 측으로 배출되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 소스 유도부(331)에 의해 상기 용기(310) 내부의 단위 체적당 밀도가 균일해지고, 이에 따라, 상기 소스 배출부(312)는 상기 소스 배출부(312)의 전체 단면적에 걸쳐 균일하게 상기 소스 가스(355)를 배출할 수 있다. The source induction part 331 is, as in the source induction part 330 of FIG. 6 according to the first embodiment of the present invention, the main heating member 320 heats the organic material 350 from the organic material 350. The generated source gas 355 is prevented from being discharged directly to the source discharge portion 312 side. Therefore, the source guide portion 331 makes the density per unit volume inside the vessel 310 uniform, and thus, the source discharge portion 312 is uniformly distributed over the entire cross-sectional area of the source discharge portion 312. The source gas 355 may be discharged.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 소스 공급 유닛(302)의 단면도이다. 도 8을 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성요소에 대해서는 도면부호를 병기하고, 이에 대한 중복된 설명은 생략한다. 8 is a cross-sectional view of the source supply unit 302 according to the third embodiment of the present invention. In the description of FIG. 8, the same reference numerals denote the same elements and duplicate description thereof will be omitted.

도 8을 참조하면, 소스 공급 유닛(302)은 용기(311), 메인 가열부재(320) 및 보조 가열부재(322)를 포함한다. Referring to FIG. 8, the source supply unit 302 includes a vessel 311, a main heating member 320, and an auxiliary heating member 322.

상기 용기(311)는 제 1 측벽(306) 및 제 2 측벽(309) 각각으로부터 연장되어 상기 용기(311)의 바닥부(307)와 나란하도록 절곡되어 형성된 소스 유도부(308)를 구비한다. 즉, 상기 소스 유도부(308)는 상기 용기(311)의 측벽을 이용하여 형성하므로 상기 용기(311) 내부에 앞선 실시예에서와 같이 판의 형상을 갖는 소스 유도부가 필요 없다. The vessel 311 includes a source guide portion 308 extending from each of the first sidewall 306 and the second sidewall 309 and bent to be parallel to the bottom 307 of the vessel 311. That is, since the source induction part 308 is formed using the sidewall of the container 311, the source induction part having the shape of a plate is not required inside the container 311 as in the previous embodiment.

상기 소스 유도부(308)는, 본 발명의 제 1 실시예의 소스 유도부(도6의 330) 및 본 발명의 제 2 실시예의 소스 유도부(도7의 331)와 같이, 메인 가열부재(320)가 유기물질(350)을 가열하여 상기 유기물질(350)로부터 발생된 소스 가스(355)가 직접 상기 소스 배출부(312) 측으로 배출되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 소스 유도부(308)에 의해 상기 용기(310) 내부의 단위 체적당 밀도가 균일해지고, 이에 따라, 상기 소스 배출부(312)는 상기 소스 배출부(312)의 전체 단면적에 걸쳐 균일하게 상기 소스 가스(355)를 배출할 수 있다. The source induction part 308 is a main heating element 320, such as the source induction part 330 of FIG. 6 and the source induction part 331 of FIG. 7 of the second embodiment of the present invention. The material 350 is heated to prevent the source gas 355 generated from the organic material 350 from being discharged directly to the source discharge portion 312. Thus, the source guide portion 308 makes the density per unit volume inside the vessel 310 uniform, so that the source discharge portion 312 is uniform over the entire cross-sectional area of the source discharge portion 312. The source gas 355 may be discharged.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although described with reference to the above embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 소스 공급 유닛을 갖는 유기박막 증착 장치의 사시도이다. 1 is a perspective view of an organic thin film deposition apparatus having a source supply unit according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1 의 공정 챔버들의 내부를 나타낸 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the interior of the process chambers of FIG. 1.

도 3은 도 2의 마스크 부착(제거) 챔버의 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of the mask attaching (removing) chamber of FIG. 2.

도 4는 도 2의 증착 챔버의 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of the deposition chamber of FIG. 2.

도 5는 도 4의 소스 공급 유닛의 사시도이다. 5 is a perspective view of the source supply unit of FIG. 4.

도 6은 도 5의 I-I'을 절취한 부분을 나타낸 단면도이다. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a portion taken along line II ′ of FIG. 5.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 소스 공급 유닛의 단면도이다. 7 is a sectional view of a source supply unit according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 소스 공급 유닛의 단면도이다. 8 is a sectional view of a source supply unit according to a third embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1 -- 증착 장치 3 -- 기판1-Deposition Device 3-Substrate

4 -- 마스크 10 -- 로딩 챔버4-mask 10-loading chamber

20 -- 언로딩 챔버 30 -- 크리닝 챔버20-Unloading Chamber 30-Cleaning Chamber

40 -- 공정 챔버 42 -- 마스크 부착 챔버40-Process Chamber 42-Masked Chamber

44 -- 증착 챔버 46 -- 마스크 제거 챔버44-Deposition Chamber 46-Mask Removal Chamber

300 -- 소스 공급 유닛 310 -- 용기300-Sauce Supply Unit 310-Vessel

312 -- 소스 배출부 320 -- 메인 가열부재312-Source outlet 320-Main heating element

322 -- 보조 가열부재 330 -- 소스 유도부322-Auxiliary Heating Element 330-Source Induction Section

350 -- 유기 물질 355 -- 소스 가스350-Organic Matter 355-Source Gas

Claims (11)

상하로 대향된 상부 및 바닥부, 상기 상부 및 바닥부를 연결하는 측벽들을 구비하여 유기물질을 수용하는 용기;A container accommodating an organic material, having a top and a bottom facing up and down, and sidewalls connecting the top and the bottom; 상기 용기에 열을 제공하여 상기 유기물질을 가열하는 메인 가열부재;A main heating member for supplying heat to the vessel to heat the organic material; 상기 메인 가열부재에 의해 상기 유기물질이 승화되어 발생된 소스가스를 배출하는 소스 배출부;A source discharge part for discharging the source gas generated by sublimation of the organic material by the main heating member; 상기 용기 내에 구비되어 상기 소스 가스를 상기 소스 배출부 측으로 유도하는 소스 유도부; 및A source induction part provided in the container to guide the source gas to the source discharge part; And 상기 소스 배출부 주변에 열을 제공하는 보조 가열부재를 포함하되,Includes an auxiliary heating element for providing heat around the source outlet, 상기 소스 유도부는 상기 용기의 제 1 측벽으로부터 상기 제1 측벽과 마주보는 제 2 측벽을 향해 연장되는 플레이트로 제공되고,The source inducing portion is provided with a plate extending from the first sidewall of the vessel toward the second sidewall facing the first sidewall, 상기 용기는 상기 제 1 측벽에 인접한 상기 상부의 부분으로부터 상부를 향해 돌출되는 부분을 가지고,The container has a portion projecting upwardly from a portion of the upper portion adjacent to the first sidewall, 상기 소스 배출부는 상기 용기의 상기 돌출되는 부분에 제공되고,The source outlet is provided in the protruding portion of the container, 상기 보조 가열부재는 상기 용기의 상기 돌출되는 부분의 주변을 감싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 소스 공급 유닛. And the auxiliary heating element is arranged to surround the periphery of the protruding portion of the container. 삭제delete 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 소스 유도부는 상기 용기의 제 1 측벽과 결합하여 상기 소스가스가 상기 제 1 측벽을 따라 상기 소스 배출부 측으로 이동하는 것을 방지하고, 상기 소스 유도부는 상기 제 1 측벽과 마주보는 제 2 측벽과 일정 간격으로 이격되어 상기 소스가스가 상기 소스 유도부와 상기 제 2 측벽 사이를 통해 상기 소스 배출부 측으로 이동하는 것을 특징으로 하는 소스 공급 유닛. The source induction part is coupled to the first sidewall of the container to prevent the source gas from moving along the first sidewall toward the source outlet part, and the source induction part is constant with a second sidewall facing the first sidewall. The source supply unit, characterized in that spaced apart at intervals the source gas is moved to the source discharge side through between the source guide portion and the second side wall. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 소스 유도부는 상기 용기의 제 1 측벽 및 상기 제 1 측벽과 마주보는 제 2 측벽과 결합하여 상기 소스가스가 상기 제 1 측벽 및 상기 제 2 측벽을 따라 상기 소스 배출부 측으로 이동하는 것을 방지하고, 상기 소스 유도부의 상기 제 2 측벽과 인접한 부분에 개구부가 형성되어 상기 소스가스가 상기 개구부를 통하여 상기 소스 배출부 측으로 이동하는 것을 특징으로 하는 소스 공급 유닛. The source induction part is coupled to the first sidewall and the second sidewall facing the first sidewall to prevent the source gas from moving along the first sidewall and the second sidewall to the source outlet side, And an opening is formed in a portion adjacent to the second sidewall of the source induction part so that the source gas moves to the source discharge part through the opening. 챔버;chamber; 상기 챔버 내에 구비되고, 기판을 지지하는 지지유닛; 및A support unit provided in the chamber and supporting the substrate; And 상기 챔버 내에 구비되고, 상기 지지유닛 측으로 유기물질을 제공하는 소스 공급 유닛을 포함하고,A source supply unit provided in the chamber and providing an organic material to the support unit, 상기 소스 공급 유닛은,The source supply unit, 상하로 대향된 상부 및 바닥부, 상기 상부 및 상기 바닥부를 연결하는 상기 바닥부로부터 연장된 측벽들을 구비하여 유기물질을 수용하는 용기;A container accommodating an organic material, having a top and a bottom facing up and down and sidewalls extending from the bottom connecting the top and the bottom; 상기 용기에 열을 제공하여 상기 유기물질을 가열하는 메인 가열부재;A main heating member for supplying heat to the vessel to heat the organic material; 상기 메인 가열부재에 의해 상기 유기물질이 승화되어 발생된 소스가스를 상기 지지유닛 측으로 배출하는 소스 배출부; 및A source discharge part for discharging the source gas generated by sublimation of the organic material by the main heating member to the support unit; And 상기 용기 내에 구비되어 상기 소스가스를 상기 소스 배출부 측으로 유도하는 소스 유도부; 및A source guide part provided in the container to guide the source gas to the source discharge part; And 상기 소스 배출부 주변에 열을 제공하는 보조 가열부재를 포함하되,Includes an auxiliary heating element for providing heat around the source outlet, 상기 소스 유도부는 상기 용기의 제 1 측벽으로부터 상기 제 2 측벽을 향해 연장되는 플레이트로 제공되고,The source inducing portion is provided with a plate extending from the first sidewall of the container toward the second sidewall, 상기 용기는 상기 제 1 측벽에 인접한 상기 상부의 부분으로부터 상부를 향해 돌출되는 부분을 가지고,The container has a portion projecting upwardly from a portion of the upper portion adjacent to the first sidewall, 상기 소스 배출부는 상기 용기의 상기 돌출되는 부분에 제공되고,The source outlet is provided in the protruding portion of the container, 상기 보조 가열부재는 상기 용기의 상기 돌출되는 부분의 주변을 감싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 유기박막 증착 장치.And the auxiliary heating member is disposed to surround a periphery of the protruding portion of the container. 삭제delete 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, wherein 상기 소스 유도부는 상기 용기의 제 1 측벽과 결합하여 상기 소스가스가 상기 제 1 측벽을 따라 상기 소스 배출부 측으로 이동하는 것을 방지하고, 상기 소스 유도부는 상기 제 1 측벽과 마주보는 제 2 측벽과 일정 간격으로 이격되어 상기 소스가스가 상기 소스 유도부와 상기 제 2 측벽 사이를 통해 상기 소스 배출부 측으로 이동하는 것을 특징으로 하는 유기박막 증착 장치. The source induction part is coupled to the first sidewall of the container to prevent the source gas from moving along the first sidewall toward the source outlet part, and the source induction part is constant with a second sidewall facing the first sidewall. The organic thin film deposition apparatus of claim 1, wherein the source gas moves to the source discharge part through the source guide part and the second side wall spaced apart from each other. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, wherein 상기 소스 유도부는 상기 용기의 제 1 측벽 및 상기 제 1 측벽과 마주보는 제 2 측벽과 결합하여 상기 소스가스가 상기 제 1 측벽 및 상기 제 2 측벽을 따라 상기 소스 배출부 측으로 이동하는 것을 방지하고, 상기 소스 유도부의 상기 제 2 측벽과 인접한 부분에 개구부가 형성되어 상기 소스가스가 상기 개구부를 통하여 상기 소스 배출부 측으로 이동하는 것을 특징으로 하는 유기박막 증착 장치.The source induction part is coupled to the first sidewall and the second sidewall facing the first sidewall to prevent the source gas from moving along the first sidewall and the second sidewall to the source outlet side, And an opening is formed in a portion adjacent to the second sidewall of the source induction part so that the source gas moves to the source discharge part through the opening. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS612448U (en) * 1984-06-12 1986-01-09 三菱電機株式会社 crucible
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS612448U (en) * 1984-06-12 1986-01-09 三菱電機株式会社 crucible
JP2004211110A (en) * 2002-12-26 2004-07-29 Fuji Electric Holdings Co Ltd Crucible for vapor deposition, vapor deposition system, and vapor deposition method

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