KR100904815B1 - Image Sensor and Method for Manufacturing Thereof - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 128
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 241000123112 Cardium Species 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
실시예에 따른 이미지 센서는, 단위화소 별로 배치된 씨모스 회로를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치된 금속배선 및 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 배치된 제1 도전형 전도층; 상기 제1 도전형 전도층 상에 배치되고 이온주입층을 포함하는 진성층; 상기 진성층 상에 배치된 제2 도전형 전도층; 상기 제2 도전형 전도층 상에 배치된 상부전극; 및 상기 상부전극 상에 상호 이격되도록 갭 영역을 가지는 컬러필터를 포함한다.An image sensor according to an embodiment includes a semiconductor substrate including a CMOS circuit arranged for each unit pixel; A metal wiring and an interlayer insulating film disposed on the semiconductor substrate; A first conductivity type conductive layer disposed on the interlayer insulating film; An intrinsic layer disposed on the first conductivity type conductive layer and including an ion implantation layer; A second conductivity type conductive layer disposed on the intrinsic layer; An upper electrode disposed on the second conductivity type conductive layer; And a color filter having a gap region on the upper electrode to be spaced apart from each other.
이미지 센서, 씨모스회로, 포토다이오드 Image Sensor, CMOS Circuit, Photodiode
Description
실시예에서는 이미지 센서 및 그 제조방법이 개시된다.In an embodiment, an image sensor and a method of manufacturing the same are disclosed.
이미지 센서는 광학적 영상(Optical Image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 크게 전하결합소자(charge coupled device:CCD) 이미지 센서와 씨모스(Complementary Metal Oxide Silicon:CMOS) 이미지 센서(CIS)를 포함한다.The image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal, and includes a charge coupled device (CCD) image sensor and a complementary metal oxide silicon (CMOS) image sensor (CIS). do.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다. The CMOS image sensor implements an image by sequentially detecting an electrical signal of each unit pixel by a switching method by forming a photodiode and a MOS transistor in the unit pixel.
씨모스 이미지 센서는 빛 신호를 받아서 전기신호로 바꾸어 주는 포토 다이오드(Photo diode) 영역과 이 전기 신호를 처리하는 트랜지스터가 반도체 기판에 수평으로 배치되는 구조이다. The CMOS image sensor is a structure in which a photo diode area for receiving a light signal and converting it into an electric signal and a transistor for processing the electric signal are horizontally disposed on a semiconductor substrate.
수평형 씨모스 이미지 센서에 의하면 포토 다이오드와 트랜지스터가 기판 상에 상호 수평으로 인접하여 형성된다. 이에 따라, 포토 다이오드 형성을 위한 추가적인 영역이 요구된다. According to the horizontal CMOS image sensor, a photodiode and a transistor are formed adjacent to each other horizontally on a substrate. Accordingly, an additional area for photodiode formation is required.
실시예는 씨모스 회로와 포토 다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다.Embodiments provide an image sensor capable of providing vertical integration of a CMOS circuit and a photodiode and a method of manufacturing the same.
또한, 실시예는 레졀루션(Resolution)과 센서티버티(sensitivity)가 함께 개선될 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다. In addition, the embodiment provides an image sensor and a method of manufacturing the same that can be improved together with the resolution (Resolution) and sensor sensitivity (sensitivity).
또한, 실시예는 수직형의 포토 다이오드를 채용하면서 크로스 토크 및 노이즈 현상을 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다. In addition, the embodiment provides an image sensor and a method of manufacturing the same that can prevent crosstalk and noise phenomenon while employing a vertical photodiode.
실시예에 따른 이미지 센서는, 단위화소 별로 배치된 씨모스 회로를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치된 금속배선 및 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 배치된 제1 도전형 전도층; 상기 제1 도전형 전도층 상에 배치되고 이온주입층을 포함하는 진성층; 상기 진성층 상에 배치된 제2 도전형 전도층; 상기 제2 도전형 전도층 상에 배치된 상부전극; 및 상기 상부전극 상에 상호 이격되도록 갭 영역을 가지는 컬러필터를 포함한다.An image sensor according to an embodiment includes a semiconductor substrate including a CMOS circuit arranged for each unit pixel; A metal wiring and an interlayer insulating film disposed on the semiconductor substrate; A first conductivity type conductive layer disposed on the interlayer insulating film; An intrinsic layer disposed on the first conductivity type conductive layer and including an ion implantation layer; A second conductivity type conductive layer disposed on the intrinsic layer; An upper electrode disposed on the second conductivity type conductive layer; And a color filter having a gap region on the upper electrode to be spaced apart from each other.
또한 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법은, 반도체 기판 상에 단위화소 별로 씨모스 회로를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 금속배선을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 제1 도전형 전도층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 전도층 상에 이온주입층을 포함하는 진성층을 형성하는 단계; 상기 진성층 상에 제2 도전형 전도층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형 전 도층 상에 상부전극을 형성하는 단계; 상기 상부전극 상에 상호 이격되도록 갭 영역을 가지는 컬러필터를 형성하는 단계를 포함한다.In addition, the manufacturing method of the image sensor according to the embodiment, forming a CMOS circuit for each unit pixel on the semiconductor substrate; Forming an interlayer insulating film including metal wiring on the semiconductor substrate; Forming a first conductivity type conductive layer on the interlayer insulating film; Forming an intrinsic layer including an ion implantation layer on the first conductivity type conductive layer; Forming a second conductivity type conductive layer on the intrinsic layer; Forming an upper electrode on the second conductivity type conductive layer; And forming a color filter having a gap region on the upper electrode so as to be spaced apart from each other.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면 트랜지스터 회로와 포토 다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있다.According to the image sensor and the manufacturing method thereof according to the embodiment, it is possible to provide a vertical integration of the transistor circuit and the photodiode.
또한, 컬러필터 사이에 광흡수부가 형성되어 컬러필터로 입사되는 빛이 해당 픽셀 이외의 영역으로 입사되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 상기 컬러필터를 통과한 빛이 해당 포토 다이오드로 입사되므로 이미지 센서의 크로스 토크 및 노이즈 발생을 방지할 수 있다. In addition, a light absorbing part may be formed between the color filters to block the light incident to the color filter from being incident to areas other than the pixel. Accordingly, since light passing through the color filter is incident on the corresponding photodiode, crosstalk and noise generation of the image sensor can be prevented.
또한, 씨모스 회로와 포토 다이오드의 수직형 집적에 의해 필 팩터(fill factor)를 100%에 근접시킬 수 있다.In addition, the fill factor can be approached to 100% by vertical integration of the CMOS circuit and the photodiode.
또한, 수직형 집적에 의해 종래기술보다 같은 픽셀 사이즈에서 높은 센서티비티(sensitivity)를 제공할 수 있다.In addition, the vertical integration can provide higher sensitivity at the same pixel size than the prior art.
또한, 각 단위 픽셀은 센서티비티(sentivity)의 감소없이 보다 복잡한 회로를 구현할 수 있다.In addition, each unit pixel can implement a more complex circuit without reducing the sensitivity.
또한, 포토 다이오드의 단위픽셀을 구현함에 있어 단위 픽셀 내의 포토 다이오드의 표면적을 증가시켜 광감지율을 향상시킬 수 있다.In addition, in implementing the unit pixel of the photodiode, the light sensing ratio may be improved by increasing the surface area of the photodiode in the unit pixel.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.An image sensor and a method of manufacturing the same according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(on/over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. In the description of the embodiments, where described as being formed "on / over" of each layer, the on / over may be directly or through another layer ( indirectly) includes everything formed.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
도 5는 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an image sensor according to an embodiment.
도 5을 참조하여, 반도체 기판(10)은 씨모스 회로(15)를 포함한다. Referring to FIG. 5, the
상기 씨모스 회로(15)는 단위픽셀 별로 배치되고 상부의 포토 다이오드(70)와 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터 및 셀렉트 트랜지스터 등으로 이루어질 수 있다. The
상기 반도체 기판(10) 상에는 금속배선(21)을 포함하는 층간 절연막(20)이 배치된다. 상기 층간 절연막(20)은 복수의 층으로 배치되고, 상기 금속배선(21)도 복수개로 배치될 수 있다. The
상기 금속배선(21) 상에는 하부전극(30)이 배치된다. 예를 들어, 상기 하부전극(30)은 Cr, Ti, TiW 및 Ta과 같은 금속으로 형성할 수 있다.The
상기 하부전극(30)은 상기 금속배선(21)이 노출되지 않도록 상기 금속배선(21) 및 층간 절연막(20) 상에 배치된다. 또한, 상기 하부전극(30)은 단위픽셀 별로 배치된 상기 금속배선(21) 상부에 배치되어 단위픽셀 별로 이격된다. 상기 하부전극(30)은 이웃하는 하부전극과 이격되어 갭 영역(D1)을 가진다. The
상기 하부전극(30)을 포함하는 층간 절연막(20) 상에 포토 다이오드(70)가 배치된다.The
상기 포토 다이오드(70)는 제1 도전형 전도층(40), 진성층(50) 및 제2 도전형 전도층(60)을 포함한다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 전도층(40)은 n형 비정질 실리콘층(n-type amorphous silicon)이고, 진성층(50)은 진성 비정질 실리콘층(intrinsic amorphous silicon)이고, 상기 제2 도전형 전도층(60)은 p형 비정질 실리콘층(p-type amorphous silicon)일 수 있다.The
상기 진성층(50)에는 이온주입층(65)이 배치된다. 상기 이온주입층(65)은 상기 하부전극(30)의 갭 영역(D1)에 대응되는 위치에 형성되고, 상기 갭 영역에 대응되는 너비(D3)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 이온주입층(65)은 p형 불순물로 형성될 수 있다. An
상기 이온주입층(65)에 의하여 상기 포토 다이오드(70)의 진성층(50)이 이 단위화소 별로 분리되어, 경사각을 가지는 광이 컬러필터(90)를 통하여 인접 픽셀의 포토 다이오드(70)로 입사되는 것을 방지하여 크로스 토크를 방지할 수 있다. The
상기 포토 다이오드(70) 상부에는 상부전극(80)이 배치된다. An
상기 상부전극(80)은 빛의 투과성이 좋고 전도성이 높은 투명전극으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부전극(80)은 ITO(indium tin oxide), CTO(cardium tin oxide), ZnO2 중 어느 하나로 형성될 수 있다.The
상기 상부전극(80) 상에 단위화소 별로 컬러필터(90)가 배치된다. The
상기 컬러필터(90)는 염색된 포토레지스트를 사용하며 각각의 단위픽셀마다 하나의 컬러필터(90)가 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해 낸다. 이러한 컬러필터(90)는 각각 다른 색상을 나타내는 것으로 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 색으로 이루어질 수 있다. The
상기 컬러필터(90) 사이에는 갭 영역(D2)이 형성되어 상기 컬러필터(90)를 단위화소 별로 분리할 수 있다. 상기 컬러필터(90)의 갭 영역(D2)은 상기 하부전극(30)의 갭 영역(D1)에 대응되는 너비로 형성될 수 있다. A gap region D2 is formed between the
상기 컬러필터(90)의 갭 영역(D2)에는 광흡수 필터(100)가 배치된다. 예를 들어, 상기 광흡수 필터(100)는 블랙 필터일 수 있다.The
상기 컬러필터(90)의 갭 영역(D1)에 광흡수 필터(100)가 배치되어 있으므로, 상기 컬러필터(90)에 대하여 경사각을 가지는 광은 상기 광흡수 필터(100)가 흡수하여 하부의 포토 다이오드(70)로 입사되는 것을 방지하여 크로스 토크 발생을 방지할 수 있다. 또한, 상기 포토 다이오드(70) 사이에는 단위픽셀 별로 이온주입층(65)이 형성되어 경사각을 가지고 컬러필터(90)로 입사되는 광은 상기 이온주입층(65)으로 입사되어 전자화되지 않으므로 크로스 토크의 발생을 방지할 수 있다. Since the
따라서, 상기 컬러필터(90)에 대하여 경사각을 가지고 입사되는 광은 상기 광흡수 필터(100) 및 이온주입층(65)에 의하여 이중으로 크로스 토크의 발생을 방지하여 이미지 센서의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Therefore, light incident at an angle of inclination with respect to the
이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing an image sensor according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6.
도 1을 참조하여, 씨모스 회로(15)가 형성된 반도체 기판(10) 상에 금속배 선(21)을 포함하는 층간 절연막(20)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 1, an
상기 반도체 기판(10) 상에는 후술되는 포토 다이오드(70)와 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터 및 셀렉트 트랜지스터 등으로 이루어진 씨모스 회로(15)가 단위화소 별로 형성될 수 있다. On the
상기 씨모스 회로(15)가 형성된 반도체 기판(10) 상부에는 전원라인 또는 신호라인과의 접속을 위하여 층간 절연막(20) 및 금속배선(21)이 형성되어 있다. An
상기 층간 절연막(20)은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(20)은 질화막 또는 산화막으로 형성될 수 있다.The
상기 금속배선(21)은 상기 층간 절연막(20)을 관통하여 복수개로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속배선(21)은 금속, 합금 또는 살리사이드를 포함하는 다양한 전도성 물질, 즉 알루미늄, 구리, 코발트 또는 텅스텐등으로 형성될 수 있다.The
상기 금속배선(21)은 포토 다이오드(70)에서 생성된 전자를 하부의 씨모스 회로(15)로 전달하는 역할을 한다. 도시되지는 않았지만, 상기 금속배선(21)은 상기 반도체 기판(10)의 하부에 형성된 불순물이 도핑된 영역과 접속될 수 있다. The
상기 금속배선(21)을 포함하는 층간 절연막(20) 상에 하부전극(30)이 형성된다. 예를 들어, 상기 하부전극(30)은 Cr, Ti, TiW 및 Ta과 같은 금속으로 형성될 수 있다. The
상기 하부전극(30)은 단위픽셀 별로 배치된 금속배선(21) 상부에 각각 형성된다. 상기 하부전극(30)은 단위픽셀 별로 패터닝되어 상기 하부전극 사이에는 갭 영역(D1)이 형성된다. 또한, 상기 하부전극(30)은 상기 금속배선(21)으로 많은 양의 전자가 전달되도록 넓은 영역을 가지도록 형성될 수 있다. The
상기 하부전극(30)을 포함하는 층간 절연막(20) 상에 상기 금속배선(21)과 연결되도록 포토 다이오드(70)가 형성된다. The
실시예에서는 포토 다이오드(70)는 NIP 다이오드(NIP diode)를 사용한다. 상기 NIP 다이오드는 금속, n형 비정질 실리콘층(n-type amorphous silicon), 진성 비정질 실리콘층(intrinsic amorphous silicon), p형 비정질 실리콘층(p-type amorphous silicon)이 접합된 구조로 형성되는 것이다. In the embodiment, the
상기 NIP 다이오드는 p형 실리콘층과 금속 사이에 순수한 반도체인 진성 비정질 실리콘층이 접합된 구조의 광 다이오드로서, 상기 p형과 금속 사이에 형성되는 진성 비정질 실리콘층이 모두 공핍영역이 되어 전하의 생성 및 보관에 유리하게 된다. The NIP diode is a photodiode in which an intrinsic amorphous silicon layer, which is a pure semiconductor, is bonded between a p-type silicon layer and a metal, and the intrinsic amorphous silicon layer formed between the p-type metal and the metal becomes a depletion region to generate charge. And storage.
실시예에서는 포토 다이오드로서 NIP 다이오드를 사용하며 상기 다이오드의 구조는 P-I-N 또는 N-I-P, I-P 등의 구조로 형성될 수 있다. In an embodiment, a NIP diode is used as the photodiode, and the diode may have a structure such as P-I-N, N-I-P, or I-P.
실시예에서는 N-I-P 구조의 포토 다이오드가 사용되는 것을 예로 하며, 상기 n형 비정질 실리콘층은 제1 도전형 전도층(40), 진성 비정질 실리콘층은 진성층(50), 상기 p형 비정질 실리콘층은 제2 도전형 전도층(60)이라 칭하도록 한다. In this embodiment, a photodiode having a NIP structure is used as an example. The n-type amorphous silicon layer is the first conductive
상기 포토 다이오드를 형성하는 방법에 대하여 설명하면 다음과 같다. A method of forming the photodiode will be described below.
상기 반도체 기판(10) 상에 제1 도전형 전도층(40)이 형성된다. 경우에 따라서, 상기 제1 도전형 전도층(40)은 형성되지 않고 이후의 공정이 진행될 수도 있 다.The first conductivity type
상기 제1 도전형 전도층(40)은 실시예에서 채용하는 N-I-P 다이오드의 N층의 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 제1 도전형 전도층(40)은 N 타입 도전형 전도층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first conductivity type
예를 들어, 상기 제1 도전형 전도층(40)은 N 도핑된 비정질 실리콘(n-doped amorphous silicon)을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 전도층(50)은 실란가스(SiH4)에 PH3 또는 P2H6 등의 가스를 혼합하여 PECVD에 의해 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다. For example, the first conductivity type
상기 제1 도전형 전도층(40) 상에 진성층(intrinsic layer)(50)이 형성된다. 상기 진성층(50)은 실시예에서 채용하는 N-I-P 다이오드의 I층의 역할을 할 수 있다. An
상기 진성층(50)은 비정질 실리콘(intrinsic amorphous silicon)을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 진성층(50)은 실란가스(SiH4) 등을 이용하여 PECVD에 의해 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다. The
여기서, 상기 진성층(50)은 상기 제1 도전형 전도층(40)의 두께보다 약 10~1,000배 정도의 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 이는 상기 진성층(50)의 두께가 두꺼울수록 핀 다이오드의 공핍영역이 늘어나 많은 양의 광전하를 보관 및 생성하기에 유리하기 때문이다. Here, the
상기 진성층(50) 상에 제2 도전형 전도층(60)이 형성된다. 상기 제2 도전형 전도층(60)은 상기 진성층(50)의 형성과 연속공정으로 형성될 수 있다. The second conductivity type
상기 제2 도전형 전도층(60)은 실시예에서 채용하는 N-I-P 다이오드의 P층의 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 도전형 전도층()은 P 타입 도전형 전도층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 전도층(60)은 실란가스(SiH4)에 BH3 또는 B2H6 등의 가스를 혼합하여 PECVD에 의해 P 도핑된 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다. The second conductivity type
따라서, 상기 반도체 기판(10) 상에 형성된 씨모스 회로(15)와 상기 포토 다이오드(70)가 수집형 집적을 이루어 상기 포토 다이오드(70)의 필팩터를 100%에 근접시킬 수 있다. Therefore, the
도 2를 참조하여, 상기 포토 다이오드(70)가 형성된 반도체 기판(10) 상부로 상부전극(80)이 형성된다.Referring to FIG. 2, an
상기 상부전극(80)은 빛의 투과성이 좋고 전도성이 높은 투명전극으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부전극(80)은 ITO(indium tin oxide), CTO(cardium tin oxide), ZnO2 중 어느 하나로 형성될 수 있다.The
도 3을 참조하여, 상기 상부전극(80) 상에 컬러필터(90)가 형성된다.Referring to FIG. 3, a
상기 컬러필터(90)는 염색된 포토레지스트를 사용하며 각각의 단위픽셀마다 하나의 컬러필터(90)가 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해 낸다. 이러한 컬러필터(90)는 각각 다른 색상을 나타내는 것으로 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 색으로 이루어질 수 있다. The
상기 컬러필터(90)는 이웃하는 컬러필터(90)와 상호 이격되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 블루(Blue) 컬러필터(90)는 이웃하는 레드(Red) 컬러필터(90) 및 그린(Green) 컬러필터(90)와 분리되어 갭 영역(D2)을 가질 수 있다. 상기 컬러필터(90)의 갭 영역(D2)은 상기 하부전극(30)의 갭 영역(D1)에 대응되는 너비로 형성될 수 있다. The
도 4를 참조하여, 상기 포토 다이오드(70)의 진성층(50)에 이온주입층(65)이 형성된다. Referring to FIG. 4, an
상기 이온주입층(65)은 상기 컬러필터(90)를 마스크로 하여 하부의 포토 다이오드(70) 영역에 불순물을 주입함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 이온주입층(65)은 p형 불순물을 이온주입하여 형성될 수 있다.The
상기 이온주입층(65)은 상기 컬러필터(90)를 마스크로 하여 이온주입되어 상기 컬러필터(90)의 갭 영역(D2)에 대응하는 너비를 가진다. 또한, 상기 이온주입층(65)은 하부전극(30)의 갭 영역(D1)에 대응되는 너비를 가지게 된다.The
따라서, 외부의 광이 컬러필터(90)를 통해 하부의 포토 다이오드(70) 영역으로 입사될 때 상기 컬러필터(90)가 갭 영역(D2)에 의하여 분리되어 있으므로 입사광의 크로스 토크를 방지할 수 있다.Therefore, when external light is incident to the
또한, 상기 블루(Blue) 컬러필터(90)에 대하여 경사각을 가지는 입사광은 상기 블루(Blue) 컬러필터(90)를 통과하여 이웃하는 레드(Red) 컬러필터(90) 또는 그린(Green) 컬러필터(90)에 해당하는 포토 다이오드(17)로 입사되어 크로스 토크가발생될 수 있다. 하지만, 실시예에서는 상기 포토 다이오드(70)의 진성층(50)에 이온주입층(65)이 형성되어 있으므로 경사각을 가지는 광은 상기 블루(Blue) 컬러필터(90)를 통해 상기 이온주입층(65) 영역으로 입사된다. 상기 이온주입층(65)으로 입사된 광은 전자화되지 않게 되므로 인접 픽셀의 포토 다이오드(70)로 입사되는 것을 방지하여 크로스 토크 및 노이즈의 발생을 방지할 수 있다. In addition, incident light having an inclination angle with respect to the
도 5를 참조하여, 상기 컬러필터(90)의 갭 영역(D2)에 광흡수 필터(100)가 형성된다.5, the
상기 광흡수 필터(100)는 상기 컬러필터(90)의 갭 영역(D2)에 광흡수 물질을 갭필함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광흡수 필터(100)는 블랙필터로 형성될 수 있다.The
도 6을 참조하여, 상기 컬러필터(90) 사이에 광흡수 필터(100)가 형성되어 있으므로 픽셀간의 크로스 토크가 발생되는 것을 이중으로 차단하여 이미지 센서의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 6, since the
따라서, 상기 컬러필터(90)를 통과하는 빛은 상기 포토 다이오드(70)로 입사되어 전자를 발생시킨 후, 상기 전자는 하부전극(30)으로 모아져 금속배선(21)에 의하여 하부의 씨모스 회로(15)로 전달될 수 있다. Therefore, after the light passing through the
예를 들어, 상기 블루(Blue) 컬러필터(90)에 대하여 수직으로 입사되는 빛은 하부의 해당 포토 다이오드(70) 영역으로 입사되어 해당 하부전극(30) 및 금속배선(21)을 통해 씨모스 회로(15)로 전달될 수 있다.For example, light incident vertically with respect to the
이때, 상기 블루(Blue) 컬러필터(90)에 대하여 경사를 가지고 입사되는 빛은 인접 포토 다이오드(70) 영역 즉, 레드(Red) 또는 그린(Green) 컬러필터(90)에 해당되는 포토 다이오드(70)로 입사되어 크로스 토크가 발생될 수 있다. 하지만, 실시예에서는 상기 컬러필터(90) 사이에 광흡수 필터(100)가 형성되어 경사각을 가지고 컬러필터(90)로 입사되는 광을 상기 광흡수 필터(100)가 흡수하여 인접 포토 다이오드(70)로 입사되는 것을 방지하여 크로스 토크 발생을 방지할 수 있다. 또한, 상기 포토 다이오드(70) 사이에 이온주입층(65)이 형성되어 경사각을 가지고 컬러필터(90)를 통과하여 인접하는 픽셀의 포토다이오드(70)로 입사되는 광은 상기 이온주입층(65)으로 입사되어 전자화되지 않으므로 크로스 토크의 발생을 방지할 수 있다. In this case, the light incident with the inclination with respect to the
이상에서 설명한 실시예는 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. The above-described embodiments are not limited to the above-described embodiments and drawings, and it is common in the technical field to which the present embodiments belong that various changes, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present embodiments. It will be apparent to those who have
도 1 내지 도 5는 실시예에 따른 이미지 센서의 제조공정을 나타내는 단면도이다.1 to 5 are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an image sensor according to an embodiment.
도 6은 실시예에 따른 이미지 센서의 평면도이다.6 is a plan view of an image sensor according to an embodiment.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070085997A KR100904815B1 (en) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | Image Sensor and Method for Manufacturing Thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070085997A KR100904815B1 (en) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | Image Sensor and Method for Manufacturing Thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090021462A KR20090021462A (en) | 2009-03-04 |
KR100904815B1 true KR100904815B1 (en) | 2009-06-25 |
Family
ID=40691502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070085997A KR100904815B1 (en) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | Image Sensor and Method for Manufacturing Thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100904815B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102622675B1 (en) * | 2022-03-04 | 2024-01-10 | 서영곤 | The ground transformer uninterruptible replacement method using the ground transformer elbow connector three phase batch separation connection apparatus and feed through |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050106932A (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-11 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Image sensor and fabricating method thereof |
KR20050117674A (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-15 | 이상윤 | 3-dimensional solid-state image sensor and method of making the same |
-
2007
- 2007-08-27 KR KR1020070085997A patent/KR100904815B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050106932A (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-11 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Image sensor and fabricating method thereof |
KR20050117674A (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-15 | 이상윤 | 3-dimensional solid-state image sensor and method of making the same |
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---|---|
KR20090021462A (en) | 2009-03-04 |
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