KR100904007B1 - 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법 - Google Patents

표면 검사 장치 및 표면 검사 방법 Download PDF

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Abstract

판형 물체(100)의 외주 둘레부에 형성된 복수개의 면(101a, 101b, 101c)을 검사하는 표면 검사 장치로서, 판형 물체의 복수개의 면이 형성된 외주 둘레부를 촬영하는 카메라 유닛(20)과, 상기 카메라 유닛으로 얻어진 화상을 처리하는 화상 처리 장치를 구비하고, 촬영 기구는, 판형 물체의 복수개의 면의 상을 동일한 방향으로 안내하는 광학계(11, 12, 13)와, 촬상면(20d)을 구비하고, 광학계에 의해 동일한 방향으로 안내된 복수개의 면의 상이 촬상면에 결상되도록 배치된 단일 카메라 유닛(20)에 의해 구성되어 있다.
Figure R1020077011535
표면 검사, 웨이퍼, 단일 카메라, 모따기 가공, 저비용

Description

표면 검사 장치 및 표면 검사 방법{SURFACE INSPECTION DEVICE AND SURFACE INSPECTION METHOD}
본 발명은, 실리콘 웨이퍼 등의 판형 물체의 외주 둘레부에 형성된 복수개의 면을 촬영하고, 상기 복수개의 면의 화상을 얻도록 한 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 판형 물체인 실리콘 웨이퍼의 외주 둘레부에는, 외주면과, 상기 실리콘 웨이퍼의 상하 한쌍의 판면에 의해 에지부가 형성된다. 에지부는 외력이 가해지면, 손상되기 쉽기 때문에 모따기 가공된다. 따라서, 실리콘 웨이퍼의 외주 둘레부에는 외주면과 모따기 가공에 의해 형성된 제1 테이퍼면 및 제2 테이퍼면이 존재한다.
상기 판형 물체의 외주 둘레부에 형성된 3개의 면에 타흔, 크랙(갈라짐), 미소 돌기, 파티클(particle)의 부착 등의 결함이 있으면, 실리콘 웨이퍼에 치명적인 문제가 생기는 경우가 있다. 그래서, 모따기 가공된 실리콘 웨이퍼는, 외주 둘레부의 3개의 면에 타흔, 크랙, 미소 돌기, 파티클의 부착 등의 결함이 있는지의 여부를 검사하고 있다.
종래, 실리콘 웨이퍼의 외주 둘레부를 검사하는 경우, 상기 외주 둘레부의 복수개의 면을 촬영하고, 상기 복수개의 면의 화상을 얻도록 한 표면 검사 장치가 제안되어 있다. 이와 같은 종래 기술은, 예를 들어, 하기에 나타낸 특허 문헌 1이나 특허 문헌 2에 나타나 있다.
즉, 종래의 표면 검사 장치는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 제1 내지 제3 CCD 카메라(10a, 10b, 10c)를 촬영부로서 구비하고 있다. 검사 대상이 되는 원반형의 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주 둘레부에는, 외주면(101a), 실리콘 웨이퍼(10O)의 상면 외주의 모따기에 의하여 형성된 상측 테이퍼면(101b), 및 실리콘 웨이퍼(100)의 하면 외주의 모따기에 의하여 형성된 하측 테이퍼면(101c)의 3개의 면이 형성되어 있다.
상기 제1 CCD 카메라(10a)는 상기 외주 둘레부의 외주면(101a)에 대향하는 위치에, 상기 제2 CCD 카메라(10b)는 상측 테이퍼면(101b)에 대향하는 위치에, 상기 제3 CCD 카메라(10c)는 상기 하측 테이퍼면(101c)에 대향하는 위치에 각각 배치된다.
이와 같은 상태에서, 실리콘 웨이퍼(10O)의 중심을 축(도시 생략)으로 설정하여 회전시킴으로써, 제1 내지 제3 CCD 카메라(10a, 10b, 10c)가 각각 상기 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부에 있어서의 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)을 별도로 촬영한다.
그에 따라, 제1 CCD 카메라(10a)로부터 출력되는 촬영 신호에 기초한 외주면(101a)에 대응한 화상과, 제2 CCD 카메라(10b)로부터 출력되는 촬영 신호에 기초한 상측 테이퍼면(101b)에 대응한 화상과, 제3 CCD 카메라(10c)로부터 출력되는 촬 영 신호에 기초한 하측 테이퍼면(101c)에 대응한 화상을 각각 별도로 얻고 있다.
이들 화상은, 예를 들어 모니터 장치에 표시된다. 검사원은, 상기 모니터 장치에 표시된 상기 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주 둘레부의 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)의 각각에 대응하는 화상으로부터, 상기 외주 둘레부에 크랙이나 파티클의 부착 등의 결함이 존재하는지의 여부를 검사한다.
[특허 문헌 1] 일본국 특개 2003-139523호 공보
[특허 문헌 2] 일본국 특개 2003-243465호 공보
그러나, 전술한 바와 같은 종래의 표면 검사 장치로, 실리콘 웨이퍼의 외주 둘레부에 형성된 복수개의 면, 즉 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)을 각각 제1 내지 제3 CCD 카메라(10a, 10b, 10c)로 촬영하고, 각 면마다 별도의 화상을 얻고 있다.
그러므로, 3대의 CCD 카메라(10a, 10b, 10c)를 구비함으로써, 장치 자체가 대형화되는 동시에, 비용이 증가하는 경우가 있다. 또한, 제1 내지 제3 CCD 카메라(10a, 10b, 10c)로부터 별도로 얻어진 3개의 화면의 화상을 동기시킬 필요가 있으므로, 이러한 화상 처리도 복잡하게 된다.
본 발명은, 전술한 바와 같은 종래의 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 저비용화 및 컴팩트화가 가능하며, 화상 처리도 용이하게 행할 수 있는 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법을 제공한다.
본 발명은, 판형 물체의 외주 둘레부에 형성된 복수개의 면을 검사하는 표면 검사 장치로서,
상기 판형 물체의 복수개의 면이 형성된 외주 둘레부를 촬영하는 촬영 기구와,
상기 촬영 기구에서 얻어진 화상을 처리하는 화상 처리 장치를 구비하고,
상기 촬영 기구는, 상기 판형 물체의 복수개의 면의 상을 동일한 방향으로 안내하는 광학계와,
촬상면을 포함하고, 상기 광학계에 의해 동일한 방향으로 안내된 복수개의 면의 상이 상기 촬상면에 결상되도록 배치된 단일 카메라 유닛에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 검사 장치이다.
본 발명은, 판형 물체의 외주 둘레부에 형성된 복수개의 면을 검사하는 표면 검사 방법으로서,
상기 판형 물체의 외주 둘레부에 형성된 복수개의 면의 각 상을 동일한 방향으로 안내하는 단계와,
동일한 방향으로 안내된 복수개의 면의 각 상을 단일 카메라 유닛의 촬상면에 결상시키는 단계와,
상기 카메라 유닛의 촬상면에 결상된 상기 복수개의 면의 각 상을 화상 처리하는 단계
를 구비한 것을 특징으로 하는 표면 검사 방법이다.
[발명의 효과]
본 발명에 따른 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법에 의하면, 단일 카메라 유닛에 의해 검사 대상이 되는 판형 물체의 외주 둘레부에 형성된 복수개의 면에 대응한 화상을 얻을 수 있으므로, 그 장치의 저비용화 및 컴팩트화를 도모할 수 있다.
또한, 판형 물체의 외주 둘레부의 복수개의 면의 각각의 상이 단일 카메라 유닛의 촬상면에 결상되므로, 상기 촬상면에 결상된 상기 복수개의 면의 복수개의 화상을 일괄적으로 처리할 수 있으므로, 화상 처리도 용이하게 된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표면 검사 장치에서의 촬영 기구의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표면 검사 장치에서의 촬영 기구의 다른 구성예를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표면 검사 장치의 기본 구성을 나타낸 도면이다.
도 4는 촬영 대상이 되는 실리콘 웨이퍼를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4에 나타낸 실리콘 웨이퍼에 노치(notch)가 형성된 외주 둘레부를 촬영했을 때의 표시 화상예를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 표면 검사 장치에서의 촬영 기구의, 또 다른 구성예를 나타낸 도면이다.
도 7은 도 6에 나타낸 촬영 기구를 사용하여 실리콘 웨이퍼에 노치가 형성된 외주 둘레부를 촬영했을 때의 표시 화상예를 나타낸 도면이다.
도 8은 종래의 표면 검사 장치에서의 촬영 기구의 구성예를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 일실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 표면 검사 장치의 촬영 기구(50)는, 도 1에 나타낸 바와 같이 구성된다. 상기 표면 검사 장치는, 판형의 실리콘 웨이퍼(100)를 검사 대상으로 하고, 그 외주 둘레부의 크랙이나 파티클의 부착 등의 결함을 검사할 수 있다.
도 1에 있어서, 실리콘 웨이퍼(10O)는, 턴테이블(11O) 상에 놓여지고, 상기 턴테이블(110)의 회전에 따라 그 축심 Lc를 중심으로 하여 회전하도록 되어 있다. 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주 둘레부는, 외주면(101a)과, 상기 외주면(101a)과 상기 턴테이블(110)에 대향하는 면과는 반대측의 면인, 상면으로 이루어지는 제1 에지부를 모따기하여 형성된 제1 테이퍼면인 상측 테이퍼면(101b)과, 상기 외주면(101a)과 상기 턴테이블에 대향하는 하면으로 이루어지는 제2 에지부를 모따기하여 형성된 제2 테이퍼면인 하측 테이퍼면(101c)을 포함한다.
실리콘 웨이퍼(10O)의 외주 둘레부에 있어서의 상측 테이퍼면(101b) 근방에는 제1 가이드 미러(11)가 배치되고, 그 하측 테이퍼면(101c) 근방에는 제2 가이드 미러(12)가 배치되어 있다. 제1 가이드 미러(11)에서 반사된 상측 테이퍼면(101b)의 상이 안내되는 방향과, 제2 가이드 미러(12)에서 반사된 하측 테이퍼면(101c)의 상이 안내되는 방향이 동일한 방향으로 평행하게 되도록, 제1 가이드 미러(11) 및 제2 가이드 미러(12)의 경사각이 각각 설정되어 있다.
카메라 유닛(20)은 카메라 렌즈(20a)와 카메라 본체(20b)를 구비하고 있다. 카메라 본체(20b)는, 예를 들면, 촬영 소자인 CCD 라인 센서(20c)를 구비하고, 카메라 렌즈(20a)를 통해 안내되는 상이 상기 CCD 라인 센서(20c)의 촬상면(20d)에 형성되도록 되어 있다. 그리고, 카메라 유닛(20)은, 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부를 포함하는(커버하는) 시야 범위를 가지며, 전술한 제1 가이드 미러(11) 및 제2 가이드 미러(12)에서 안내되는 상측 테이퍼면(101b)의 상 및 하측 테이퍼면(101c)의 상이 상기 촬상면(20d)에 초점이 맞는 상태로 결상되는 위치, 즉 핀트가 맞는 상태로 결상되는 위치에 배치되어 있다.
그리고, 상측 테이퍼면(101b), 제1 가이드 미러(11) 및 카메라 유닛(20)의 상대적 위치 관계와, 하측 테이퍼면(101c), 제2 가이드 미러(12) 및 카메라 유닛(20)의 상대적 위치 관계를 동일하게 설정함으로써, 전술한 바와 같이, 상측 테이퍼면(101b)의 상과 하측 테이퍼면(101c)의 상을 상기 촬상면(20d)에 초점을 동시에 맞춘 상태로 결상시킬 수 있다.
실리콘 웨이퍼(100)의 외주면(101a)의 상도 카메라 유닛(20)의 카메라 렌즈(20a)를 통해 카메라 본체(20b) 내의 촬상면(20d)에 형성된다. 이 경우, 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)으로부터 제1 가이드 미러(11) 및 제2 가이드 미러(12)를 통한 카메라 유닛(20)까지의 각각의 광로 길이와, 외주면(101a)으로부터 카메라 유닛(20)까지의 광로 길이가 상이하므로, 그 상태로는, 외주면(101a)의 상이 카메라 본체(20b) 내의 촬상면(20d)에 초점이 맞는 상태로 결상되지 않는 다. 그래서, 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주면(101a)과 카메라 유닛(20) 사이에 볼록 렌즈로 이루어지는 보정 렌즈(13)를 설치한다.
상기 보정 렌즈(13)에 의해 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주면(101a)의 허상을 형성함으로써, 상기 허상이 형성된 위치로부터 카메라 유닛(20)까지의 광로 길이와, 상기 상측 테이퍼면(101b) 및 상기 하측 테이퍼면(101c)으로부터 제1 가이드 미러(11) 및 제2 가이드 미러(12)를 통한 카메라 유닛(20)까지의 각각의 광로 길이를 일치시킬 수 있다. 이에 따라, 실리콘 웨이퍼(100)의 외주면(101a)의 상이 보정 렌즈(13) 및 카메라 렌즈(20a)에서 카메라 본체(20b) 내의 촬상면(20d)에 초점이 맞는 상태로 결상되도록 안내된다.
이와 같이, 카메라 유닛(2O)과 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부 사이에 설치한 광학계로서의 제1 가이드 미러(11), 제2 가이드 미러(12) 및 보정 렌즈(13)에 의해, 상기 외주 둘레부에 있어서의 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)의 각 상이 카메라 유닛(20)의 촬상면(20d)에 초점이 맞는 상태로 결상되도록 안내된다.
그리고, 보정 렌즈(13)를 카메라 유닛(20)과 실리콘 웨이퍼(100)의 외주면(101a) 사이에 설치하지 않아도 된다. 이 경우, 카메라 렌즈(20a)의 초점 위치를 조정하여, 외주면(101a)의 상이 촬상면(20d)에 초점이 맞는 상태로 결상하는 위치에 카메라 유닛(20)을 설치한다.
그리고, 상측 테이퍼면(101b)과 카메라 유닛(2O)의 광로 및 하측 테이퍼면(101c)과 카메라 유닛(20)까지의 광로에, 각각 오목 렌즈로 이루어지는 보정 렌 즈를 설치한다. 이와 같이 행하여도, 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)의 각 상을 카메라 유닛(20)의 촬상면(20d)에 초점을 맞춘 상태로 결상시킬 수 있다.
그리고, 상기 촬상면(20d)에 초점을 맞춘 상태에서의 결상이란, 카메라 유닛(20)에 의해 촬상되는 상(실상 또는 허상)이 카메라 렌즈(20a)의 초점 위치에 일치하는 경우뿐만 아니라, 상기 상이 카메라 렌즈(20a)의 초점 심도의 범위 내에 있는 경우도 포함한다.
또한, 상기 표면 검사 장치에서는, 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주 둘레부를 비추는 조명 장치(도시 생략)가 구비되어 있다. 상기 조명 장치로서, 예를 들면, 일본국 특개 2003-139523호 공보, 및 일본국 특개 2003-243465호 공보에 개시된 장치에서 이용되는 C 형상의 광원을 사용할 수 있다.
표면 검사 장치의 촬영 기구는, 도 2에 나타낸 바와 같이 구성될 수도 있다.
즉, 이 경우의 촬영 기구(50A)는, 카메라 유닛(20)과 실리콘 웨이퍼(100) 외주 둘레부 사이에 설치되는 광학계를 구성하는 방향 변환 미러(14)를 구비하고 있다. 방향 변환 미러(14)는, 보정 렌즈(13)를 통하여 안내되는 실리콘 웨이퍼(100)의 외주면(101a)의 상, 제1 가이드 미러(11)를 통하여 안내되는 상측 테이퍼면(101b)의 상 및 제2 가이드 미러(12)를 통하여 안내되는 하측 테이퍼면(101c)의 상을 반사하여 그 안내하는 방향을 약 90˚ 변환한다. 그리고, 방향 변환 미러(14)에서 반사된 각 상이 카메라 본체(20b) 내의 CCD 라인 센서(20c)의 촬상면(20d)에서 결상되도록, 카메라 유닛(20)이 배치된다.
이와 같이, 방향 변환 미러(14)를 설치함으로써, 검사 대상이 되는 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부에 대향하여 설치되어 있던 카메라 유닛(20)(도 1 참조)을 실리콘 웨이퍼(100)의 하측의 경사진 방향으로 설치할 수 있게 된다.
전술한 바와 같은 구조를 가지는 촬영 기구(50, 50A)를 구비하는 표면 검사 장치의 기본적인 구성은, 도 3에 나타낸 바와 같다. 즉, 상기 표면 검사 장치는, 전술한 바와 같이 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부가 시야 범위가 되는 소정 위치에 배치된 카메라 유닛(20), 화상 처리 장치(30) 및 모니터 장치(40)를 구비하고 있다. 카메라 유닛(20)은, 턴테이블(11O)에서 회전되는 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)의 3개의 상에 대응한 화상 신호를 화상 처리 장치(30)에 차례로 송출한다.
화상 처리 장치(30)는, 카메라 유닛(20)으로부터의 화상 신호를 차례로 읽어들이고, 상기 화상 신호에 기초하여, 카메라 유닛(20)에서 촬영된 화상을 나타내는 화상 데이터를 1화면분 만큼 화상 메모리 상에 전개한다. 그리고, 화상 처리 장치(30)는, 화상 메모리 상에 전개된 1화면분의 화상 데이터를 차례로 모니터 장치(40)에 출력한다. 이로써, 모니터 장치(40)에는, 상기 1화면분의 화상이 표시된다.
전술한 바와 같이, 카메라 유닛(20)의 촬상면(20d)에는, 실리콘 웨이퍼(100)의 외주면(101a)의 상, 상측 테이퍼면(101b)의 상 및 하측 테이퍼면(101c)의 상의 3개의 상이 결상되므로, 상기 3개의 상에 대응한 화상 신호에 기초한 상기 1화면 분의 화상은, 이들 3개의 상을 선명하게 포함하게 된다.
따라서, 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부에, 예를 들어, 도 4에 나타낸 바와 같이, 노치(102)가 형성되는 경우, 그 노치부(102)가 카메라 유닛(20)의 시야 범위에 들어갔을 때 읽어들여져서 모니터 장치(40)에 표시되는 화상은, 도 5에 나타낸 바와 같이 된다.
도 5에 있어서, 모니터 장치(40)의 화면(40a)에는, 실리콘 웨이퍼(100)의 외주면(101a)에 대응한 시야 화상 부분 Ea, 그것을 협지하는 상측 테이퍼면(101b)에 대응한 시야 화상 부분 Eb 및 하측 테이퍼면(101c)에 대응한 시야 화상 부분 Ec가 표시된다.
그리고, 외주면(101a)에 대응한 시야 화상 부분 Ea에는 노치부(201a)를 포함하는 외주면 화상(200a)이 나타나고, 상측 테이퍼면(101b)에 대응한 시야 화상 부분 Eb에는 노치부(201b)를 포함하는 상측 테이퍼면 화상(200b)이 나타나고, 하측 테이퍼면(101c)에 대응한 시야 화상 부분 Ec에는 노치부(201c)를 포함하는 하측 테이퍼면 화상(200c)이 나타난다.
외주면 화상(200a), 상측 테이퍼면 화상(200b) 및 하측 테이퍼면 화상(200c)은 원래 1화면에 포함되는 화상이다. 그러므로, 이들 화상의 동기 처리를 행하지 않아도, 외주면 화상(200a)의 노치부(201a), 상측 테이퍼면 화상(200b)의 노치부(201b) 및 하측 테이퍼면 화상(200c)의 노치부(201c)의 화면(40a) 상에서의 가로 방향의 위치는 동일하게 된다.
검사원은, 모니터 장치(40)의 화면(40a)에 1화면분의 화상으로서 나타나는 외주면 화상(200a), 상측 테이퍼면 화상(200b) 및 하측 테이퍼면 화상(200c)을 보 고, 외주 둘레부의 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)에 타흔, 크랙, 미소 돌기 또는 파티클 부착 등의 결함이 있는지의 여부를 육안으로 관찰하여 검사할 수 있다.
전술한 바와 같은 표면 검사 장치에 의하면, 단일 카메라 유닛(20)에서 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주 둘레부를 촬영함으로써, 상기 외주 둘레부를 구성하는 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)의 각 상에 대응한 선명한 외주면 화상(200a), 상측 테이퍼면 화상(200b) 및 하측 테이퍼면 화상(200c)을 포함하는 1화면분의 화상이 모니터 장치(40)에 표시된다. 따라서, 종래와 같이 각 면을 개별적으로 촬영하기 위한 복수개의 카메라를 필요로 하지 않고, 장치의 저비용화 및 컴팩트화를 도모할 수 있다.
또한, 화상 처리 장치(30)에서는, 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)의 상에 대응한 화상 데이터를 개별적으로 처리하는 것이 아니라, 1화면분의 화상 데이터로서 처리할 수 있다. 그러므로, 화상 처리량의 저감과 함께, 전술한 바와 같이, 검사 대상이 되는 실리콘 웨이퍼(100)가 회전하더라도, 각 면에 대응한 화상 표시를 행할 때, 동기시킬 필요가 없다. 그러므로, 화상 처리 장치(30)에서의 처리도 비교적 간단하게 된다.
도 6은 표면 검사 장치의 또 다른 실시예를 나타낸다. 그리고, 도 1과 동일한 부분에는 동일한 기호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1에 나타낸 촬영 기구(50)가 실리콘 웨이퍼(100)의 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)을 촬상한 데 비해, 도 6에 나타낸 촬영 기 구(50B)는, 이들 3개의 면에 더하여 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부 상면(100a)과 외주 둘레부 하면(100b)의 상을 카메라 유닛(20)의 카메라 렌즈(20a)를 통해 카메라 본체(20b) 내의 촬상면(20d)에 결상시키고 있다.
즉, 상기 촬영 기구(50B)에서는, 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부 상면(10Oa)의 근방에 제3 가이드 미러(15)가 배치되고, 외주 둘레부 하면(100b)의 근방에 제4 가이드 미러(16)가 배치되어 있다. 제3 가이드 미러(15)에서 반사된 외주면 둘레부 상면(100a)의 상이 안내되는 방향과 제4 가이드 미러(16)에서 반사된 외주 둘레부 하면(100b)의 상이 안내되는 방향은, 모두 제1 가이드 미러(11)에서 반사된 상측 테이퍼면(101b)의 상 및, 제2 가이드 미러(12)에서 반사된 하측 테이퍼면(101c)의 상이 안내되는 방향과 동일한 방향으로 평행하게 되도록, 상기 제3 가이드 미러(15)와 제4 가이드 미러(16)의 경사각이 각각 설정되어 있다.
실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부 상면(100a)의 상 및 외주 둘레부 하면(100b)의 상은, 카메라 유닛(20)의 카메라 렌즈(20a)를 통해 카메라 본체(20b) 내의 촬상면(20d)에 결상된다. 이 경우, 상측 테이퍼면(101b) 및 하측 테이퍼면(101c)으로부터 제1 가이드 미러(11) 및 제2 가이드 미러(12)를 통한 카메라 유닛(20)까지의 각각의 광로 길이와, 외주 둘레부 상면(100a) 및 외주 둘레부 하면(100b)으로부터 카메라 유닛(20)까지의 광로 길이가 상이하므로, 그 상태로는 외주 둘레부 상면(100a)의 상 및 외주 둘레부 하면(100b)의 상이 카메라 본체(20b) 내의 촬상면(20d)에 초점이 맞는 상태로 결상되지 않게 된다.
그래서, 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부 상면(100a)과 카메라 유닛(20) 사이, 및 외주 둘레부 하면(100b)과 카메라 유닛(20) 사이에 각각 오목 렌즈로 이루어지는 보정 렌즈(17)를 설치한다.
보정 렌즈(17)를 설치함으로써, 양 측의 광로 길이를 광학적으로 일치시킬 수 있으므로, 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주 둘레부 상면(100a)의 상과 외주 둘레부 하면(100b)의 상이, 보정 렌즈(17) 및 카메라 렌즈(20a)를 통하여 카메라 본체(20b) 내에 안내되면, 이들 상은 CCD 라인 센서(20c)의 촬상면(20d)에 초점이 맞는 상태로 결상된다.
즉, 본 실시예에서는, 광학계로서의 제1 내지 제4 가이드 미러(11, 12, 15, 16) 및 보정 렌즈(13, 17)에 의해, 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부의 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b), 하측 테이퍼면(101c), 외주 둘레부 상면(100a) 및 외주 둘레부 하면(100b)의 5개의 각 상이 단일 카메라 유닛(20)의 촬상면(20d)에 초점이 맞는 상태에서 결상되도록 안내된다.
그리고, 카메라 유닛(20)은, 턴테이블(110)에서 회전되는 실리콘 웨이퍼(100)의 5개의 상에 대응한 화상 신호를 도 3에 나타낸 화상 처리 장치(30)에 차례로 송출하고, 화상 처리 장치(30)에서는, 카메라 유닛(20)으로부터의 화상 신호를 차례로 읽어들이며, 상기 화상 신호에 기초하여, 카메라 유닛(20)에서 촬영된 화상을 나타내는 화상 데이터를 1화면분 만큼, 화상 메모리에 전개한다. 그리고, 화상 처리 장치(30)는, 화상 메모리 상에 전개된 1화면분의 화상 데이터를 차례로 모니터 장치(40)에 출력한다.
도 7은 상기 촬영 기구(50B)를 사용하여 실리콘 웨이퍼(100)를 촬영할 때, 모니터 장치(40)의 화면(40a)에 표시된 화상을 나타내고, 도 5에 해당하는 도면이다.
도 7에 있어서, 도 5와 상이한 점은, 모니터 장치(40)의 화면(40a) 내에, 실리콘 웨이퍼(10O)의 외주 둘레부 상면(100a)에 대응한 시야 화상 부분 Ed와, 외주 둘레부 하면(100b)에 대응한 시야 화상 부분 Ee가, 각각 최상 위치, 최하 위치에 표시되는 것이다. 그리고, 외주 둘레부 상면(100a)에 대응한 시야 화상 부분 Ed에는 노치(201d)를 포함한 외주 둘레부 상면 화상(200d)이 나타나고, 외주 둘레부 하면(100b)에 대응한 시야 화상 부분 Ee에는 노치부(201e)를 포함한 외주 둘레부 하면 화상(200e)이 나타난다.
따라서, 본 실시예에 따르면, 외주면 화상(200a), 상측 테이퍼면 화상(200b), 하측 테이퍼면 화상(200c), 외주 둘레부 상면 화상(200d) 및 외주 둘레부 하면 화상(200e)의 5개의 화상이 1화면에 포함되는 화상이 된다.
그러므로, 이들 5개의 화상의 동기 처리를 행하지 않아도, 외주면 화상(200a)의 노치부(201a), 상측 테이퍼면 화상(200b)의 노치부(201b), 하측 테이퍼면 화상(200c)의 노치부(201c), 외주 둘레부 상면 화상(200d)의 노치부(201d) 및 외주 둘레부 하면 화상(200e)의 노치부(201e)의 화면(40a) 상에서의 가로 방향의 위치는 동일하게 된다.
그 결과, 검사원은, 모니터 장치(40)의 화면(40a)를 보고, 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부의 외주면(101a), 상측 테이퍼면(101b), 하측 테이퍼면(101c), 외주 둘레부 상면(10Oa) 및 외주 둘레부 하면(100b)에 타흔, 크랙, 미소 돌기 또는 파티클 등의 부착 등의 결함이 있는지의 여부를 육안으로 관찰하여 검사할 수 있다.
그리고, 카메라 유닛(20)과 검사 대상이 되는 실리콘 웨이퍼(100)의 외주 둘레부 사이에 설치하는 광학계는, 도 1, 도 2 및 도 6에 나타내는 구성에 한정되지 않고, 상기 외주 둘레부를 구성하는 복수개의 면의 각각의 상을 카메라 유닛(20)으로 안내하고, CCD 라인 센서(20c)의 촬상면(20d)에 결상시킬 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.
또한, 화상 처리 장치(30)는, 카메라 유닛(20)으로부터의 화상 신호에 기초한 화상을 모니터 장치(40)에 표시하게 할 뿐만 아니라, 거기에 더하여서 소정의 화상 해석 처리를 행함으로써, 결함의 유무 판별, 개수 및 분류 등을 자동적으로 행할 수도 있다.
본 발명에 따른 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법은, 저비용화를 도모하면서 컴팩트화가 가능하며, 상기 화상 처리도 용이하게 행할 수 있고, 특히 실리콘 웨이퍼 등의 외주 둘레부에 형성된 복수개의 면을 검사하는 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법으로서 효과적으로 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법에 의하면, 단일 카메라 유닛을 사용하여 검사 대상이 되는 판형 물체의 외주 둘레부에 있어서의 복수개의 면에 대응한 화상을 얻을 수 있으므로, 장치의 저비용화 및 컴팩트화를 도모할 수 있다.
또한, 검사 대상이 되는 판형 물체의 외주 둘레부에 있어서의 복수개의 면의 각각의 상이 단일 카메라 유닛의 촬상면에 결상되고, 상기 촬상면에 결상된 상기 복수개의 면의 복수개의 상에 대응한 화상을 일괄적으로 처리할 수 있으므로, 화상 처리도 용이하게 된다.

Claims (7)

  1. 판형 물체의 외주 둘레부에는, 상기 판형 물체의 외주면과; 상기 판형 물체의 한쪽의 판면과 상기 외주면으로 이루어지는 제1 에지부를 모따기하여 형성된 제1 테이퍼면과; 상기 외주면과 상기 판형 물체의 다른 쪽의 판면으로 이루어지는 제2 에지부를 모따기하여 형성된 제2 테이퍼면이 형성되어 있으며, 상기 제1 테이퍼면, 상기 제2 테이퍼면 및 상기 외주면을 검사하는 표면 검사 장치로서,
    상기 판형 물체의 상기 제1 테이퍼면, 상기 제2 테이퍼면 및 상기 외주면을 촬영하는 촬영 기구와,
    상기 촬영 기구로 얻어진 화상을 처리하는 화상 처리 장치를 구비하고,
    상기 촬영 기구는,
    상기 판형 물체의 복수개의 면의 상을 동일한 방향으로 안내하는 광학계와,
    촬상면을 포함하고 상기 광학계에 의해 동일한 방향으로 안내된 복수개의 면의 상이 상기 촬상면에 결상되는 단일 카메라 유닛을 구비하며,
    상기 광학계는,
    상기 제1 테이퍼면의 상을 반사하여 상기 상이 상기 카메라 유닛의 상기 촬상면에 초점이 맞는 상태로 결상되도록 배치된 제1 가이드 미러와,
    상기 제2 테이퍼면의 상을 반사하여 상기 상이 상기 카메라 유닛의 상기 촬상면에 초점이 맞는 상태로 결상되도록 배치된 제2 가이드 미러와,
    상기 카메라 유닛과 상기 외주면 사이에 설치되고, 상기 외주면의 상을 상기 카메라 유닛의 촬상면에 초점이 맞는 상태로 결상시키는 보정 렌즈
    를 구비한 것을 특징으로 하는 표면 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광학계는, 상기 제1 가이드 미러, 상기 제2 가이드 미러, 및 상기 보정 렌즈를 통하여 안내되는 각각의 상기 면의 상을 소정의 방향으로 반사하는 방향 변환 미러를 구비하고,
    상기 카메라 유닛의 촬상면에는 상기 방향 변환 미러에서 반사된 각각의 상기 면의 상이 결상되는 것을 특징으로 하는 표면 검사 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광학계는,
    상기 판형 물체의 외주 둘레부 상면의 상을 반사하여 상기 상을 상기 카메라 유닛으로 안내하는 제3의 가이드 미러,
    상기 판형 물체의 외주 둘레부 하면의 상을 반사하여 상기 상을 상기 카메라 유닛으로 안내하는 제4의 가이드 미러, 및
    상기 카메라 유닛과 상기 제3의 가이드 미러 및 상기 제4의 가이드 미러의 사이에 각각 설치되어, 상기 판형 물체의 외주 둘레부 상면의 상과 외주 둘레부 하면의 상을 상기 카메라 유닛의 촬상면에 결상시키는 보정 렌즈
    를 더 구비한 것을 특징으로 하는 표면 검사 장치.
  4. 판형 물체의 외주 둘레부에는, 상기 판형 물체의 외주면과; 상기 판형 물체의 한쪽의 판면과 상기 외주면으로 이루어지는 제1 에지부를 모따기하여 형성된 제1 테이퍼면과; 상기 외주면과 상기 판형 물체의 다른 쪽의 판면으로 이루어지는 제2 에지부를 모따기하여 형성된 제2 테이퍼면이 형성되어 있으며, 상기 제1 테이퍼면, 상기 제2 테이퍼면 및 상기 외주면을 검사하는 표면 검사 장치로서,
    상기 판형 물체의 상기 제1 테이퍼면, 상기 제2 테이퍼면 및 상기 외주면을 촬영하는 촬영 기구와,
    상기 촬영 기구로 얻어진 화상을 처리하는 화상 처리 장치를 구비하고,
    상기 촬영 기구는,
    상기 판형 물체의 복수개의 면의 상을 동일한 방향으로 안내하는 광학계와,
    촬상면을 포함하고 상기 광학계에 의해 동일한 방향으로 안내된 복수개의 면의 상이 상기 촬상면에 결상되도록 하는 단일 카메라 유닛을 구비하며,
    상기 카메라 유닛은, 상기 카메라 유닛의 촬상면에 상기 외주면의 상이 초점이 맞는 상태로 결상되는 위치에 설치되고,
    상기 광학계는,
    상기 제1 테이퍼면의 상을 반사하여 상기 상을 상기 카메라 유닛으로 안내하는 광로와, 상기 제2의 테이퍼면의 상을 반사시켜 상기 상을 상기 카메라 유닛으로 안내하는 광로에 각각 설치되어 상기 제1 테이퍼면과 상기 제2 테이퍼면의 상을 상기 카메라 유닛의 촬상면에 초점이 맞는 상태로 결상시키는 보정 렌즈
    를 구비한 것을 특징으로 하는 표면 검사 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판형 물체가 놓여지는 턴테이블을 구비하고, 상기 턴테이블에 의해 상기 판형 물체가 회전되는 것을 특징으로 하는 표면 검사 장치.
  6. 판형 물체의 외주 둘레부에는, 상기 판형 물체의 외주면과; 상기 판형 물체의 한쪽의 판면과 상기 외주면으로 이루어지는 제1 에지부를 모따기하여 형성된 제1 테이퍼면과; 상기 외주면과 상기 판형 물체의 다른 쪽의 판면으로 이루어지는 제2 에지부를 모따기하여 형성된 제2 테이퍼면이 형성되어 있으며, 상기 제1 테이퍼면, 상기 제2 테이퍼면 및 상기 외주면을 검사하는 표면 검사 방법으로서,
    상기 판형 물체의 외주 둘레부에 형성된 상기 제1 테이퍼면, 상기 제2 테이퍼면 및 상기 외주면의 각 상을 하나의 카메라 유닛의 촬상면으로 안내하는 단계와,
    상기 제1 테이퍼면, 상기 제2 테이퍼면 및 상기 외주면으로부터 상기 촬상면까지의 각각의 광로 길이 차이를 상기 외주면과 상기 촬상면의 사이 또는 상기 제1 테이퍼면, 제2 테이퍼면 및 상기 촬상면의 사이에 설치된 보정 렌즈에 의해 일치시키는 단계와,
    광로 길이가 일치된 상기 제1 테이퍼면, 상기 제2 테이퍼면 및 상기 외주면의 각 상을 상기 촬상면에 결상시키는 단계와,
    상기 카메라 유닛의 촬상면에 결상된 상기 제1 테이퍼면, 상기 제2 테이퍼면 및 상기 외주면의 각 상을 화상 처리하는 단계
    를 구비한 것을 특징으로 하는 표면 검사 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 카메라 유닛의 촬상면에 결상된 상기 복수개의 면의 각 상을 촬상면에 결상시킬 때, 상기 판형 물체를 회전시키는 것을 특징으로 하는 표면 검사 방법.
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7622666B2 (en) * 2005-06-16 2009-11-24 Soliant Energy Inc. Photovoltaic concentrator modules and systems having a heat dissipating element located within a volume in which light rays converge from an optical concentrating element towards a photovoltaic receiver
WO2007044384A2 (en) * 2005-10-04 2007-04-19 Soliant Energy, Inc. A heatsink for concentrating or focusing optical/electrical energy conversion systems
WO2007044385A2 (en) * 2005-10-04 2007-04-19 Practical Instruments, Inc. Self-powered systems and methods using auxiliary solar cells
CN101375112A (zh) * 2006-01-17 2009-02-25 索利安特能源公司 用于光学聚光器的混合式主光学部件
CN101375111A (zh) * 2006-01-17 2009-02-25 索利安特能源公司 聚光式太阳能电池板及相关***和方法
CN101021489A (zh) * 2006-02-15 2007-08-22 奥林巴斯株式会社 外观检查装置
US20080142078A1 (en) * 2006-09-30 2008-06-19 Johnson Richard L Optical concentrators having one or more spot focus and related methods
US20090000662A1 (en) * 2007-03-11 2009-01-01 Harwood Duncan W J Photovoltaic receiver for solar concentrator applications
DE102007024525B4 (de) * 2007-03-19 2009-05-28 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bewertung von Defekten am Randbereich eines Wafers
JP5060808B2 (ja) * 2007-03-27 2012-10-31 オリンパス株式会社 外観検査装置
US8194241B2 (en) 2007-03-30 2012-06-05 Shibaura Mechatronics Corporation Apparatus and method for inspecting edge of semiconductor wafer
US8023111B2 (en) 2007-04-27 2011-09-20 Shibaura Mechatronics Corporation Surface inspection apparatus
US20090000612A1 (en) * 2007-05-04 2009-01-01 Hines Braden E Apparatuses and methods for shaping reflective surfaces of optical concentrators
WO2009013887A1 (ja) * 2007-07-25 2009-01-29 Nikon Corporation 端部検査装置
WO2009054403A1 (ja) * 2007-10-23 2009-04-30 Shibaura Mechatronics Corporation 円盤状基板の検査装置
JP5183147B2 (ja) * 2007-10-23 2013-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 円盤状基板の検査装置
JP5183146B2 (ja) * 2007-10-23 2013-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 円盤状基板の検査装置
JP5372359B2 (ja) * 2007-11-07 2013-12-18 芝浦メカトロニクス株式会社 板状基板のエッジ検査装置
JP5100371B2 (ja) * 2007-12-28 2012-12-19 株式会社山梨技術工房 ウェハ周縁端の異物検査方法、及び異物検査装置
JP5500427B2 (ja) * 2008-02-06 2014-05-21 株式会社ニコン 表面検査装置および表面検査方法
US8242350B2 (en) 2008-05-16 2012-08-14 Cashion Steven A Concentrating photovoltaic solar panel
JP5144401B2 (ja) * 2008-07-01 2013-02-13 直江津電子工業株式会社 ウエハ用検査装置
US20110199480A1 (en) * 2009-07-09 2011-08-18 Camtek Ltd. Optical inspection system using multi-facet imaging
KR101228459B1 (ko) * 2010-09-09 2013-01-31 한미반도체 주식회사 웨이퍼 검사장치 및 이를 구비한 웨이퍼 검사 시스템
JP2013190309A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Toshiba Corp 欠陥検査装置
JP5490855B2 (ja) * 2012-07-12 2014-05-14 芝浦メカトロニクス株式会社 板状基板のエッジ検査装置
KR20160040044A (ko) * 2014-10-02 2016-04-12 삼성전자주식회사 패널 검사장치 및 검사방법
JP7132042B2 (ja) * 2018-09-10 2022-09-06 株式会社ディスコ 加工装置
JP6827086B2 (ja) * 2019-09-25 2021-02-10 東京エレクトロン株式会社 基板撮像装置
JP6788089B2 (ja) * 2019-10-23 2020-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11201906A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 N Tec:Kk 物体の外観検査装置
JP2003139523A (ja) * 2001-11-02 2003-05-14 Nippon Electro Sensari Device Kk 表面欠陥検出方法および表面欠陥検出装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6262432B1 (en) * 1992-12-03 2001-07-17 Brown & Sharpe Surface Inspection Systems, Inc. High speed surface inspection optical apparatus for a reflective disk using gaussian distribution analysis and method therefor
US6294793B1 (en) * 1992-12-03 2001-09-25 Brown & Sharpe Surface Inspection Systems, Inc. High speed optical inspection apparatus for a transparent disk using gaussian distribution analysis and method therefor
EP0657732A1 (de) * 1993-12-06 1995-06-14 Elpatronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur optischen Prüfung eines durchsichtigen Behälterbereichs, insbesondere des Mündungsbereichs
JP2999925B2 (ja) * 1994-07-18 2000-01-17 三洋電機株式会社 物品側面撮像装置
CH688663A5 (de) * 1994-10-20 1997-12-31 Elpatronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion von Gegenstaenden, insbesondere von Flaschen.
DE69800328T2 (de) * 1998-02-05 2001-02-01 Wacker Siltronic Halbleitermat Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion der Mikrotextur am Umfang einer Halbleiterscheibe
CN1260800C (zh) * 2001-09-19 2006-06-21 奥林巴斯光学工业株式会社 半导体晶片检查设备
JP3629244B2 (ja) 2002-02-19 2005-03-16 本多エレクトロン株式会社 ウエーハ用検査装置
JP3936220B2 (ja) * 2002-03-28 2007-06-27 株式会社レイテックス 端部傷検査装置
US7280200B2 (en) * 2003-07-18 2007-10-09 Ade Corporation Detection of a wafer edge using collimated light
US7280197B1 (en) * 2004-07-27 2007-10-09 Kla-Tehcor Technologies Corporation Wafer edge inspection apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11201906A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 N Tec:Kk 物体の外観検査装置
JP2003139523A (ja) * 2001-11-02 2003-05-14 Nippon Electro Sensari Device Kk 表面欠陥検出方法および表面欠陥検出装置

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