KR100895319B1 - Apparatus for processing wafers - Google Patents

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KR100895319B1
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박근영
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세메스 주식회사
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하며 기판을 제1 방향으로 회전시키는 스핀 헤드와, 기판으로 액체 및 기체를 분사하여 기판을 세정하는 노즐 유닛으로서, 노즐 유닛 내부에 형성된 제1 토출구를 통하여 액체를 분사하는 제1 노즐 및 노즐 유닛 내부에 형성된 제2 토출구 및 제3 토출구를 통하여 기체를 분사하는 제2 노즐을 포함하는 노즐 유닛 및 노즐 유닛을 제2 방향으로 이동시키는 이동부를 포함하되, 제2 토출구는 노즐 유닛이 제2 방향 이동시 제1 노즐에 후행하도록 위치하며, 제3 토출구는 기판이 제1 방향으로 회전시 제1 노즐에 후행하도록 위치한다.A substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes a spin head that supports the substrate and rotates the substrate in a first direction, and a nozzle unit that cleans the substrate by spraying liquid and gas onto the substrate, wherein the substrate sprays liquid through a first discharge hole formed inside the nozzle unit. A nozzle unit including a first nozzle and a second nozzle formed inside the nozzle unit, and a second nozzle for injecting gas through the third discharge port, and a moving unit for moving the nozzle unit in a second direction, wherein the second discharge port is a nozzle; The unit is positioned to follow the first nozzle when moving in the second direction, and the third discharge port is positioned so that the substrate follows the first nozzle when the substrate rotates in the first direction.

기판 처리 장치, 세정, 노즐 Substrate Processing Equipment, Cleaning, Nozzles

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing wafers}Substrate processing apparatus {Apparatus for processing wafers}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 자세하게는 기판 상에 처리액을 공급하여 세정하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for supplying and cleaning a processing liquid onto a substrate.

반도체 제조 공정은 일련의 단위 공정들을 연속적 및 반복적으로 수행함으로써 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 단위 공정들 중 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다. The semiconductor manufacturing process is a process for producing a semiconductor integrated circuit chip by performing a series of unit processes continuously and repeatedly. Among these unit processes, the cleaning process is a process of removing foreign matter remaining on the wafer.

이러한 세정 공정에서는 액체 상태의 약액 또는 순수를 기판 위로 분사시켜 공정이 이루어진다 이때, 약액은 기판 상부의 자연산화막 등을 제거하며, 순수는 자연산화막이 제거된 기판을 린스(rinse) 한다. 또한, 린스 처리후에 질소(N2) 가스를 분사하여 기판을 건조하는 방식으로 세정공정이 이루어지고 있다.In such a cleaning process, a process is performed by spraying a liquid chemical or pure water onto a substrate. At this time, the chemical removes the natural oxide film on the upper portion of the substrate, and the pure water rinses the substrate from which the natural oxide film is removed. In addition, after the rinse treatment, a cleaning process is performed by spraying nitrogen (N 2) gas to dry the substrate.

그런데, 노즐을 이동하면서 질소 가스와 약액 또는 순수를 동시에 분사하는 경우, 건조된 기판 상으로 약액 또는 순수가 튀는 현상이 발생하여 세정이 완료된 기판을 재오염시키는 일이 발생한다. However, when simultaneously spraying nitrogen gas and chemical liquid or pure water while moving the nozzle, the phenomenon of chemical liquid or pure water splashing occurs on the dried substrate, resulting in recontamination of the cleaned substrate.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판 세정 공정의 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of increasing the efficiency of the substrate cleaning process.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 태양은 기판을 지지하며 상기 기판을 제1 방향으로 회전시키는 스핀 헤드와, 상기 기판으로 액체 및 기체를 분사하여 상기 기판을 세정하는 노즐 유닛으로서, 상기 노즐 유닛 내부에 형성된 제1 토출구를 통하여 액체를 분사하는 제1 노즐 및 상기 노즐 유닛 내부에 형성된 제2 토출구 및 제3 토출구를 통하여 기체를 분사하는 제2 노즐을 포함하는 노즐 유닛 및 상기 노즐 유닛을 제2 방향으로 이동시키는 이동부를 포함하되, 상기 제2 토출구는 상기 노즐 유닛이 상기 제2 방향 이동시 상기 제1 노즐에 후행하도록 위치하며, 상기 제3 토출구는 상기 기판이 상기 제1 방향으로 회전시 상기 제1 노즐에 후행하도록 위치한다.One aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above technical problem is a spin head for supporting a substrate and rotating the substrate in a first direction, and a nozzle unit for cleaning the substrate by spraying liquid and gas to the substrate And a nozzle unit including a first nozzle for injecting liquid through a first discharge port formed in the nozzle unit, and a second nozzle for injecting gas through a second discharge port and a third discharge port formed in the nozzle unit. And a moving part for moving the nozzle unit in a second direction, wherein the second discharge port is positioned so that the nozzle unit follows the first nozzle when the second direction moves, and the third discharge port is located in the first direction. So as to follow the first nozzle when rotating.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 태양은 기판을 지지하며 회전 가능한 스핀 헤드와, 상기 기판으로 액체 및 기체를 분사하여 상기 기판을 세정하는 노즐 유닛으로서, 상기 노즐 유닛 내부에 형성된 제1 토출구를 통하여 액체를 분사하는 제1 노즐 및 상기 노즐 유닛 내부에 형성된 제2 토출구 및 제3 토출구를 통하여 기체를 분사하는 제2 노즐을 포함하는 노즐 유닛 및 상기 노즐 유닛을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향 중 적어도 하나의 방향으로 이동시키는 이동부를 포함하되, 상기 제2 토출구는 상기 노즐 유닛이 상기 제1 방향 이동시 상기 제1 노즐에 후행하도록 위치하며, 상기 제3 토출구는 상기 노즐 유닛이 상기 제2 방향 이동시 상기 제1 노즐에 후행하도록 위치한다.Another aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above technical problem is a rotatable spin head supporting a substrate, and a nozzle unit for cleaning the substrate by spraying liquid and gas to the substrate, the inside of the nozzle unit A nozzle unit and a nozzle unit including a first nozzle for injecting liquid through the formed first discharge port, and a second nozzle for injecting gas through the second discharge hole and the third discharge hole formed in the nozzle unit in a first direction; And a moving part configured to move in at least one of a second direction different from the first direction, wherein the second discharge port is positioned so that the nozzle unit follows the first nozzle when the first direction moves. Is positioned so that the nozzle unit follows the first nozzle when the second direction moves.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

상기한 바와 같은 기판 처리에 의하면, 세정 공정의 효율을 높일 수 있다.According to the above-mentioned substrate processing, the efficiency of a washing process can be improved.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, it may be directly connected to or coupled with another element or through another element in between. This includes all cases. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으 로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms used in the present specification (including technical and scientific terms) may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 블록도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 3은 노즐 유닛을 설명하기 위한 저면 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 개념도이다.1 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a bottom perspective view illustrating the nozzle unit. 4 is a conceptual diagram illustrating an operation of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 스핀 헤드(100), 회전축(150), 제1 구동부(180), 처리액 공급부(200), 노즐 유닛(210), 이동부(260), 보울(300), 회수부(400), 유체 공급부(500) 등을 포함한다.First, referring to FIGS. 1 to 3, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may include a spin head 100, a rotation shaft 150, a first driving unit 180, a processing liquid supply unit 200, and a nozzle unit. 210, a moving part 260, a bowl 300, a recovery part 400, a fluid supply part 500, and the like.

스핀 헤드(100)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 스핀 헤드(100)는 원판 형상일 수 있다. 스핀 헤드(100) 상에는 웨이퍼(W)의 하부를 지지하는 다수의 지지핀(120)들과, 회전시 웨이퍼(W)의 측면을 지지하는 다수의 척킹핀(110)들이 설치된다. 공정이 시작될 때 웨이퍼(W)는 지지핀(120) 상에 놓여진다. 스핀 헤드(100)가 회전하기 전에, 척킹핀(110)은 움직여서 웨이퍼(W)를 고정한다. 구체적으로, 척킹핀(110)은 회전하여 웨이퍼(W)의 위치를 정렬하고, 고정하게 된다. 따라서, 스핀 헤드(100)가 회전하더라도 스핀 헤드(100)로부터 웨이퍼(W)가 이탈하는 것을 방지할 수 있다.The spin head 100 rotates the wafer W while supporting the wafer W. FIG. The spin head 100 may be disc shaped. On the spin head 100, a plurality of support pins 120 supporting the lower portion of the wafer W and a plurality of chucking pins 110 supporting the side surface of the wafer W during rotation are installed. The wafer W is placed on the support pin 120 at the start of the process. Before the spin head 100 rotates, the chucking pin 110 moves to fix the wafer W. As shown in FIG. Specifically, the chucking pin 110 is rotated to align and fix the position of the wafer (W). Therefore, even if the spin head 100 rotates, it is possible to prevent the wafer W from being separated from the spin head 100.

제1 구동부(180)는 스핀 헤드(100)에 연결된 회전축(150)을 예컨데 시계 방 향(이하 "제1 방향" 이라 함)으로 회전시키고, 이에 따라 스핀 헤드(100) 상에 장착된 웨이퍼(W)가 제1 방향으로 회전된다. 즉, 회전축(150)은 제1 구동부(180)의 구동력을 스핀 헤드(100)에 전달한다. 회전축(150)은 내부가 비어있는 중공축(hollow shaft) 형태를 가지며, 내부에는 후술하는 유체 공급 라인(540) 등이 설치된다. 제1 구동부(180)의 구성을 예로 들면, 제1 구동부(180)는 구동모터, 구동풀리, 벨트 등을 구비할 수 있다. 구동모터는 외부로부터 인가된 전원에 의하여 동력을 발생시키며, 구동모터에 연결된 구동풀리와 회전축(150)은 벨트를 통하여 연결된다. 구동모터에 의하여 발생한 회전력은 벨트를 통하여 회전축(150)에 전달되며, 회전축(150)의 회전속도는 구동모터와 회전축(150)의 직경비를 조절함으로써 조절할 수 있다.The first driving unit 180 rotates the rotational shaft 150 connected to the spin head 100 in a clockwise direction (hereinafter referred to as a “first direction”), and thus, a wafer mounted on the spin head 100 ( W) is rotated in the first direction. That is, the rotation shaft 150 transmits the driving force of the first drive unit 180 to the spin head 100. Rotating shaft 150 has a hollow shaft (hollow shaft) form, the inside is provided with a fluid supply line 540 to be described later. Taking the configuration of the first driving unit 180 as an example, the first driving unit 180 may include a driving motor, a driving pulley, a belt, and the like. The drive motor generates power by power applied from the outside, and the drive pulley and the rotating shaft 150 connected to the drive motor are connected through the belt. The rotational force generated by the drive motor is transmitted to the rotating shaft 150 through the belt, the rotational speed of the rotating shaft 150 can be adjusted by adjusting the diameter ratio of the driving motor and the rotating shaft 150.

처리액 공급부(200)는 노즐 유닛(210), 제1 및 제2 저장부(222, 224), 제1 및 제2 밸브(232, 234) 및 제1 및 제2 공급 라인(242, 244)를 포함하여, 공정시 스핀 헤드(100)에 안착된 기판(W)의 처리면에 액체 및 기체를 제공한다. The treatment liquid supply unit 200 includes the nozzle unit 210, the first and second storage units 222 and 224, the first and second valves 232 and 234, and the first and second supply lines 242 and 244. Including, to provide a liquid and gas to the processing surface of the substrate (W) seated on the spin head 100 during the process.

제1 저장부(222)는 액체를 저장하고, 제2 저장부(224)는 기체를 저장한다. 여기서 액체는 이소프로필알코올, 아세톤, 메탄올, 솔벤트 등의 친수성의 물질일 수 있다. 기판(W)의 상부면에 존재하는 자연산화막을 제거하기 위해서 기판(W)의 표면에는 불산용액이 공급되며, 다음으로 순수를 공급하여 기판(W)의 표면을 린스한다. 순수 중 일부는 기판(W)의 회전에 의하여 제거되지만, 일부는 기판(W)의 표면에 잔존한다. 이때, 기판(W)의 표면에 잔존하는 순수를 제거하기 위하여 이소프로필알코올, 아세톤, 메탄올, 솔벤트 등의 친수성의 물질이 사용된다. 기체는 질소 가스(N2)일 수 있다. 질소가스는 기판(W)의 상부면에 잔존하는 이소프로필알코올을 건조하기 위하여 제공된다. 본 실시예에서는 건조가스로써 질소가스를 예로 들어 설명하고 있으나, 이와 달리 다른 종류의 건조가스가 사용될 수 있다.The first reservoir 222 stores the liquid, and the second reservoir 224 stores the gas. The liquid may be a hydrophilic material such as isopropyl alcohol, acetone, methanol, solvent, and the like. In order to remove the natural oxide film present on the upper surface of the substrate W, a hydrofluoric acid solution is supplied to the surface of the substrate W. Next, pure water is supplied to rinse the surface of the substrate W. Some of the pure water is removed by the rotation of the substrate W, but some remain on the surface of the substrate W. In this case, in order to remove the pure water remaining on the surface of the substrate W, hydrophilic materials such as isopropyl alcohol, acetone, methanol, and solvent are used. The gas may be nitrogen gas (N2). Nitrogen gas is provided to dry the isopropyl alcohol remaining on the upper surface of the substrate (W). In this embodiment, the nitrogen gas is described as an example of dry gas, but other types of dry gas may be used.

밸브(230)는 제어부(700)의 제어에 의한 온/오프를 통해서 액체 및 기체를 공급하거나 공급하지 않게 한다. 공급 라인(242, 244)은 제1 및 제2 저장부(222, 224)로부터 액체 및 기체를 노즐 유닛(210)까지 전달하는 라인이다. The valve 230 may or may not supply liquid and gas through on / off controlled by the controller 700. Supply lines 242 and 244 are lines for delivering liquid and gas from the first and second reservoirs 222 and 224 to the nozzle unit 210.

이동부(260)는 노즐 유닛(210)을 이동시키기 위한 부분이다. 이러한 이동부(260)는 노즐 유닛(210)이 설치되는 아암(arm)(262), 아암(262)을 이동시키는 제2 구동부(250) 및 지지축(264)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 노즐 유닛(210)은 아암(262)에 고정되고, 아암(262)이 이동됨으로써 노즐 유닛(210)이 이동될 수 있다. 여기서, 아암(262)은 제2 구동부(250)의 동작 조절에 의해서 도 2에 도시된 바와 같이, 호(arc) 방향(이하 "제2 방향"이라 함)으로 이동할 수 있다.The moving part 260 is a part for moving the nozzle unit 210. The moving unit 260 may include an arm 262 in which the nozzle unit 210 is installed, a second driving unit 250 for moving the arm 262, and a support shaft 264. In one embodiment of the present invention, the nozzle unit 210 is fixed to the arm 262, the nozzle unit 210 can be moved by moving the arm 262. Here, the arm 262 may move in an arc direction (hereinafter referred to as a “second direction”) as shown in FIG. 2 by controlling the operation of the second driving unit 250.

노즐 유닛(210)은 제1 노즐(212) 및 제2 노즐(214)을 포함한다. 도 3을 참조하여 좀더 상세히 설명하면, 제1 노즐(212)은 노즐 유닛(210) 내부에 형성된 제1 토출구(L)를 통하여 액체를 분사하고, 제2 노즐(214)은 노즐 유닛(210) 내부에 형성된 제2 토출구(G_1) 및 제3 토출구(G_2)를 통하여 기체를 분사한다. 여기서 제2 토출구(G_1)는 노즐 유닛(210)이 제2 방향 이동시 제1 노즐(212)에 후행하도록 위치하며, 제3 토출구(G_2)는 기판(W)이 제1 방향으로 회전시 제1 노즐(212)에 후행하도록 위치한다. 이러한 제2 토출구(G_1) 및 제3 토출구(G_2)는 일체형으로 "ㄱ"자 형상일 수 있다. 또는 제2 토출구(G_1) 및 제3 토출구(G_2)는 분리되어 각각 형 성될 수 있다.The nozzle unit 210 includes a first nozzle 212 and a second nozzle 214. Referring to FIG. 3, the first nozzle 212 injects liquid through the first discharge port L formed in the nozzle unit 210, and the second nozzle 214 is the nozzle unit 210. The gas is injected through the second discharge port G_1 and the third discharge port G_2 formed therein. Here, the second discharge hole G_1 is positioned so that the nozzle unit 210 follows the first nozzle 212 when the second direction moves, and the third discharge hole G_2 is disposed when the substrate W rotates in the first direction. It is positioned to follow the nozzle 212. The second discharge hole G_1 and the third discharge hole G_2 may be integrally formed with a "-" shape. Alternatively, the second discharge holes G_1 and the third discharge holes G_2 may be separately formed.

여기서 도 4를 참조 하여 좀더 구체적으로 설명한다.This will be described in more detail with reference to FIG. 4.

도 3 및 도 4를 참조하면, 노즐 유닛(210)이 제2 방향으로 이동한다. 이때, 제2 토출구(G_1)가 제1 토출구(L)보다 후행하게 된다. 즉, 기판(W)에는 먼저, 액체, 예컨데 이소프로필알코올이 먼저 제1 토출구(L)를 통해 분사되고, 다음으로 이소프로필알코올이 분사된 기판(W)에 기체의 건조 가스, 예컨데 질소가스가 제2 토출구(G_1)를 통해 분사된다. 따라서 노즐 유닛(210)이 제2 방향으로 이동하게 되면, 기판(W)에 이소프로필알코올 및 질소가스가 순차적으로 분사되어, 순수가 이소프로필알코올에 의해 제거되고, 이소프로필알코올은 질소가스에 의해 제거된다. 3 and 4, the nozzle unit 210 moves in the second direction. At this time, the second discharge port G_1 follows the first discharge port L. FIG. That is, a liquid, for example isopropyl alcohol, is first injected into the substrate W through the first discharge port L, and then a dry gas of gas, for example, nitrogen gas, is injected into the substrate W into which the isopropyl alcohol is injected. It is injected through the second discharge port (G_1). Therefore, when the nozzle unit 210 moves in the second direction, isopropyl alcohol and nitrogen gas are sequentially sprayed onto the substrate W, pure water is removed by isopropyl alcohol, and isopropyl alcohol is removed by nitrogen gas. Removed.

또한, 기판(W)이 제1 방향으로 이동할 때, 제3 토출구(G_2)가 제1 토출구(L)보다 후행하게 된다. 기판(W)에는 먼저, 이소프로필알코올이 먼저 제1 토출구(L)를 통해 분사되고, 다음으로 이소프로필알코올이 분사된 기판(W)에 기체의 건조 가스, 예컨데 질소가스가 제3 토출구(G_2)를 통해 분사된다. 따라서 노즐 유닛(210)이 제2 방향으로 이동하게 되면, 기판(W)에 이소프로필알코올 및 질소가스가 순차적으로 분사되어, 순수가 이소프로필알코올에 의해 제거되고, 이소프로필알코올은 질소가스에 의해 제거된다.In addition, when the substrate W moves in the first direction, the third discharge port G_2 follows the first discharge port L. FIG. First, isopropyl alcohol is first injected into the substrate W through the first discharge port L, and then a dry gas, for example, nitrogen gas, is injected into the substrate W into which the isopropyl alcohol is injected. Sprayed through). Therefore, when the nozzle unit 210 moves in the second direction, isopropyl alcohol and nitrogen gas are sequentially sprayed onto the substrate W, pure water is removed by isopropyl alcohol, and isopropyl alcohol is removed by nitrogen gas. Removed.

정리해서 설명하면, 제2 토출구(G_1)는 노즐 유닛(210)이 제2 방향 이동시 제1 노즐(212)의 제1 토출구(L)에 후행하도록 위치하고, 제3 토출구(G_2)는 기판(W)이 제1 방향으로 회전시 제1 노즐(212)의 제1 토출구(L)에 후행하므로, 세정이 완료된 기판(W)을 재오염시키는 일이 발생되지 않고, 세정 공정의 작업 효율이 향상될 수 있다.In summary, the second discharge port G_1 is positioned so that the nozzle unit 210 follows the first discharge port L of the first nozzle 212 when the second direction moves, and the third discharge port G_2 is the substrate W. FIG. ) Is followed by the first discharge port L of the first nozzle 212 when rotated in the first direction, so that re-contamination of the substrate W on which cleaning is completed does not occur, and the working efficiency of the cleaning process may be improved. Can be.

한편, 도 1의 보울(300)은 공정시 스핀 헤드(100)의 회전으로 인하여 웨이퍼(W)로부터 액체 등이 외부로 비산하는 것을 방지한다. 보울(300)는 상단에 웨이퍼(W)가 드나들 수 있는 개구가 형성되며, 스핀 헤드(100)를 감싸도록 배치된다.Meanwhile, the bowl 300 of FIG. 1 prevents liquid or the like from flying out of the wafer W due to the rotation of the spin head 100 during the process. The bowl 300 has an opening through which the wafer W can enter and exit, and is arranged to surround the spin head 100.

회수부(400)는 공정에서 사용된 액체 등을 다시 회수한다. 이러한 회수부(400)는 회수 탱크(420), 밸브(430), 회수 라인(440)을 포함할 수 있다.The recovery unit 400 recovers the liquid used in the process again. The recovery unit 400 may include a recovery tank 420, a valve 430, and a recovery line 440.

유체 공급부(500)는 스핀 헤드(100)에 지지된 기판(W)의 저면으로 유체를 공급한다. 액체가 점성이 강할 경우, 액체는은 기판(W)을 타고 흘러, 기판(W)을 지지하고 있는 스핀 헤드(100)에 묻게 된다. 묻어 있는 액체는 흄(fume)이 되어 기판 처리 장치를 오염시킬 수 있다. 따라서, 스핀 헤드(100)의 저면에서 액체를 제거하기 위한 유체를 공급하게 된다. 여기서, 사용하는 유체는 예를 들어, 순수(DIW)일 수 있다. 이러한 유체 공급부(500)는 백 노즐(510), 유체 저장부(520), 밸브(530), 유체 공급 라인(540)을 포함할 수 있다. 유체 저장부(520)는 유체를 저장하는 탱크이고, 밸브(530)는 제어부(700)의 제어에 의한 온/오프를 통해서 유체를 공급하거나 유체를 공급하지 않게 한다. 유체 공급 라인(540)은 유체 저장부(520)로부터 유체를 백 노즐(510)까지 전달하는 라인이다. 백 노즐(510)은 스핀 헤드(100)에 설치되어 있어서, 기판(W)의 저면으로부터 처리액을 공급한다. 도면에서는 백 노즐(510)은 예를 들어, 스핀 헤드(100)의 중앙에 설치되어 있는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The fluid supply unit 500 supplies the fluid to the bottom surface of the substrate W supported by the spin head 100. When the liquid is viscous, the liquid flows through the substrate W and is buried in the spin head 100 supporting the substrate W. Buried liquid may become a fume and contaminate the substrate processing apparatus. Therefore, the fluid for removing the liquid from the bottom of the spin head 100 is supplied. Here, the fluid to be used may be pure water (DIW), for example. The fluid supply unit 500 may include a bag nozzle 510, a fluid storage unit 520, a valve 530, and a fluid supply line 540. The fluid storage unit 520 is a tank for storing fluid, and the valve 530 may supply or not supply fluid through on / off control of the control unit 700. The fluid supply line 540 is a line for transferring the fluid from the fluid reservoir 520 to the bag nozzle 510. The back nozzle 510 is provided in the spin head 100 to supply the processing liquid from the bottom surface of the substrate W. As shown in FIG. In the drawing, the back nozzle 510 is illustrated as being installed at the center of the spin head 100, but is not limited thereto.

도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다. 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 6은 도 5의 노즐 유닛을 설명하기 위한 개념도이다. 도 2 및 도 4에 도시된 구성 요소와 동일한 기능을 하는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 설명의 편의상 해당 구성 요소에 대한 상세한 설명은 생략한다.A substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. 5 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment. FIG. 6 is a conceptual diagram illustrating the nozzle unit of FIG. 5. The same reference numerals are used for components that have the same function as the components illustrated in FIGS. 2 and 4, and detailed descriptions of the corresponding components are omitted for convenience of description.

도 5을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(11)에서, 이동부(260)의 아암(262)이 기판(W)의 일측에서 타측 방향(이하에서 "제1 방향"이라 함)으로, 즉 직선으로 이동할 수 있고, 또한 호(arc) 방향(이하에서 "제2 방향"이라 함)으로 이동할수 있다. 따라서, 노즐 유닛(210) 은 제1 방향으로 이동하면서 기판(W)의 일부분을 건조시키고, 다음으로 제2 방향으로 이동한후 다시 제1 방향으로 이동하면서 순차적으로 기판(W)의 다른 일부분을 건조시킬 수 있다. 또는 노즐 유닛(210)은 제2 방향 및 제1 방향으로 동시에 이동하면서 기판(W)을 건조시킬 수 있다. 또는 노즐 유닛(210)은 제2 방향으로 이동하면서 기판(W)의 전면을 건조시키고, 다시 제1 방향으로 이동하면서 기판(W)의 전면을 건조시킬 수 있다.Referring to FIG. 5, in the substrate processing apparatus 11 according to another exemplary embodiment of the present invention, the arm 262 of the moving unit 260 moves from one side of the substrate W to the other side (hereinafter referred to as “first direction”). ), That is, in a straight line, and also in an arc direction (hereinafter referred to as "second direction"). Therefore, the nozzle unit 210 dries a portion of the substrate W while moving in the first direction, and then sequentially dries another portion of the substrate W while moving in the second direction and then again in the first direction. You can. Alternatively, the nozzle unit 210 may dry the substrate W while simultaneously moving in the second direction and the first direction. Alternatively, the nozzle unit 210 may dry the entire surface of the substrate W while moving in the second direction, and may dry the entire surface of the substrate W while moving in the first direction.

도 6을 더 참조하면, 노즐 유닛(210)이 제1 방향으로 이동하는 경우, 이때, 제3 토출구(G_2)가 제1 토출구(L)보다 후행하게 된다. 즉, 기판(W)에는 먼저, 액체, 예컨데 이소프로필알코올이 먼저 제1 토출구(L)를 통해 분사되고, 다음으로 이소프로필알코올이 분사된 기판(W)에 기체의 건조 가스, 예컨데 질소가스가 제2 토출구(G_1)를 통해 분사된다. 따라서 노즐 유닛(210)이 제1 방향으로 이동하게 되면, 기판(W)에 이소프로필알코올 및 질소가스가 순차적으로 분사되어, 순수가 이소프로필알코올에 의해 제거되고, 이소프로필알코올은 질소가스에 의해 제거된다. Referring to FIG. 6, when the nozzle unit 210 moves in the first direction, the third discharge port G_2 is later than the first discharge port L. FIG. That is, a liquid, for example isopropyl alcohol, is first injected into the substrate W through the first discharge port L, and then a dry gas of gas, for example, nitrogen gas, is injected into the substrate W into which the isopropyl alcohol is injected. It is injected through the second discharge port (G_1). Therefore, when the nozzle unit 210 moves in the first direction, isopropyl alcohol and nitrogen gas are sequentially sprayed onto the substrate W, pure water is removed by isopropyl alcohol, and isopropyl alcohol is removed by nitrogen gas. Removed.

노즐 유닛(210)이 제2 방향으로 이동하는 경우는 이전 실시예에서 상술하였듯이, 제2 토출구(G_1)가 제1 토출구(L)보다 후행하게 된다. When the nozzle unit 210 moves in the second direction, as described above in the previous embodiment, the second discharge port G_1 is later than the first discharge port L. FIG.

정리해서 설명하면, 제2 토출구(G_1)는 노즐 유닛(210)이 제2 방향 이동시 제1 노즐(212)의 제1 토출구(L)에 후행하도록 위치하고, 제3 토출구(G_2)는 노즐 유닛(210)이 제1 방향으로 회전시 제1 노즐(212)의 제1 토출구(L)에 후행하므로, 세정이 완료된 기판을 재오염시키는 일이 발생되지 않고, 세정 공정의 작업 효율이 향상될 수 있다.In summary, the second discharge port G_1 is positioned so that the nozzle unit 210 follows the first discharge port L of the first nozzle 212 when the second direction moves, and the third discharge port G_2 is located in the nozzle unit ( When 210 is rotated in the first direction, the second discharge port L of the first nozzle 212 is trailed, so that re-contamination of the substrate on which cleaning is completed does not occur, and the working efficiency of the cleaning process may be improved. .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1. FIG.

도 3은 노즐 유닛을 설명하기 위한 저면 사시도이다.3 is a bottom perspective view for explaining the nozzle unit.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 개념도이다.4 is a conceptual diagram illustrating an operation of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.5 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 노즐 유닛을 설명하기 위한 개념도이다.6 is a conceptual diagram for describing the nozzle unit of FIG. 5.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

10, 11: 기판 처리 장치 100: 스핀 헤드10, 11: substrate processing apparatus 100: spin head

150: 회전축 180: 제1 구동부150: rotation axis 180: first drive unit

200: 처리액 공급부 210: 노즐 유닛200: processing liquid supply unit 210: nozzle unit

212: 제1 노즐 214: 제2 노즐212: first nozzle 214: second nozzle

260: 이동부 300: 보울260: moving unit 300: bowl

400: 회수부 500: 유체 공급부400: recovery part 500: fluid supply part

L: 제1 토출구 G_1: 제2 토출구L: first discharge port G_1: second discharge port

G_3: 제2 토출구G_3: second outlet

Claims (4)

기판을 지지하며 상기 기판을 제1 방향으로 회전시키는 스핀 헤드; A spin head supporting a substrate and rotating the substrate in a first direction; 상기 기판으로 액체 및 기체를 분사하여 상기 기판을 세정하는 노즐 유닛으로서, 상기 노즐 유닛 내부에 형성된 제1 토출구를 통하여 액체를 분사하는 제1 노즐 및 상기 노즐 유닛 내부에 형성된 제2 토출구 및 제3 토출구를 통하여 기체를 분사하는 제2 노즐을 포함하는 노즐 유닛; 및A nozzle unit for cleaning the substrate by injecting liquid and gas to the substrate, the first nozzle for injecting liquid through the first discharge port formed inside the nozzle unit and the second discharge port and the third discharge port formed inside the nozzle unit A nozzle unit including a second nozzle for injecting gas through the air; And 상기 노즐 유닛을 제2 방향으로 이동시키는 이동부를 포함하되,Including a moving unit for moving the nozzle unit in a second direction, 상기 제2 토출구는 상기 노즐 유닛의 이동 방향인 상기 제2 방향으로 이동 시에 상기 제1 노즐에 후행하도록 위치하며, 상기 제3 토출구는 상기 기판의 회전 방향인 상기 제1 방향으로 회전시 상기 제1 노즐에 후행하도록 위치하는 기판 처리 장치.The second discharge port is positioned so as to trail the first nozzle when the second discharge port moves in the second direction, which is the movement direction of the nozzle unit, and the third discharge port is rotated in the first direction, which is the rotation direction of the substrate. Substrate processing apparatus positioned to follow one nozzle. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 토출구 및 제3 토출구는 일체형으로 "ㄱ"자 형상인 기판 처리 장치.And the second discharge port and the third discharge port are integrally "-" shaped. 기판을 지지하며 회전 가능한 스핀 헤드; A spin head rotatable supporting the substrate; 상기 기판으로 액체 및 기체를 분사하여 상기 기판을 세정하는 노즐 유닛으로서, 상기 노즐 유닛 내부에 형성된 제1 토출구를 통하여 액체를 분사하는 제1 노즐 및 상기 노즐 유닛 내부에 형성된 제2 토출구 및 제3 토출구를 통하여 기체를 분사하는 제2 노즐을 포함하는 노즐 유닛; 및A nozzle unit for cleaning the substrate by injecting liquid and gas to the substrate, the first nozzle for injecting liquid through the first discharge port formed inside the nozzle unit and the second discharge port and the third discharge port formed inside the nozzle unit A nozzle unit including a second nozzle for injecting gas through the air; And 상기 노즐 유닛을 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향 중 적어도 하나의 방향으로 이동시키는 이동부를 포함하되,It includes a moving unit for moving the nozzle unit in at least one of the first direction and a second direction different from the first direction, 상기 제2 토출구는 상기 노즐 유닛이 상기 제1 방향으로 이동시 상기 제1 노즐에 후행하도록 위치하며, 상기 제3 토출구는 상기 노즐 유닛이 상기 제2 방향으로 이동시 상기 제1 노즐에 후행하도록 위치하는 기판 처리 장치.The second discharge port is positioned so that the nozzle unit follows the first nozzle when the nozzle unit moves in the first direction, and the third discharge port is positioned so that the nozzle unit follows the first nozzle when the nozzle unit moves in the second direction. Processing unit. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제2 토출구 및 제3 토출구는 일체형으로 "ㄱ"자 형상인 기판 처리 장치.And the second discharge port and the third discharge port are integrally "-" shaped.
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