KR100890085B1 - 질화물 기판 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (4)
- 기판 가장 자리를 일정 두께(T)만큼 얇게 가공하는 제 1 단계와;상기 기판의 가장 자리에 다결정 질화물층을 성장시키고, 그 외의 영역에 단결정 질화물층을 성장시키는 제 2 단계와;상기 제 2 단계를 통해 상기 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리에 다결정의 질화물층이 성장된 후, 상온(常溫)으로 온도를 내려 열팽창 계수의 차이에 의해 스트레인(strain)을 발생시키고, 발생된 스트레인에 의해 상기 기판의 두께가 얇은 가장 자리 부분을 분리하는 제 3 단계와;상기 제 3 단계를 통해 두께가 얇은 기판의 가장 자리가 분리되면, 상기 기판으로 레이저를 조사하여 기판과 질화물 결정이 성장된 질화물층을 분리하는 제 4 단계로 이루어지는 질화물 기판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계와 제 4 단계 사이에;상기 두께가 얇게 가공된 기판의 가장 자리가 분리되면, 분리된 기판의 가장 자리와 접촉했던 영역을 폴리싱(polishing) 처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 기판 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판 가장 자리의 두께 T는;10 ~ 1000㎛이고,상기 기판 가장 자리의 폭은;1 ~ 5mm인 것을 특징으로 하는 질화물 기판 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은;기판은 사파이어(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘과 갈륨 비소(GaAs) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 기판 제조 방법.
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