JP4862442B2 - Iii−v族窒化物系半導体基板の製造方法及びiii−v族窒化物系デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 216
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 69
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 55
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 48
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 10
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 125
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 117
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 18
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 2
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012932 thermodynamic analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02389—Nitrides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02491—Conductive materials
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/0251—Graded layers
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- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
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- H01L21/0257—Doping during depositing
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Description
図1に、本発明の一実施形態に係る複合自立基板を示す。
この複合自立基板10は、GaN層11上に、AlN層12を形成したものであり、AlN層12の表面及びGaN層11の裏面は平坦に研磨されている。発光デバイスは、この複合自立基板10上にデバイス構造を形成した後、バックラップによりGaN層11の裏面からAlN層12に到達するまでGaN層11を除去することにより形成される。以下、更に詳しく説明する。
まず、自立基板(自立した基板)とは、自らの形状を保持できるだけでなく、ハンドリングに不都合が生じない程度の強度を有する基板をいう。このような強度を有するためには、自立基板の厚さを200μm以上とするのが好ましい。
基板寸法としては、直径が50mm以上の円形であり、基板の厚さは、200μm以上であることが望ましい。発光素子、特にLEDは、民生品に多用される汎用素子であり、量産できることが実用化、普及に不可欠な案件である。基板の直径を50mm以上とすれば、先行するGaAs基板などで既に量産用のプロセス装置が開発されており、量産ラインへの適用が容易になる。また、基板の厚さを200μm以上とするのは、200μmよりも薄いと、ピンセット等のハンドリング時に基板が割れる危険が急激に高まるためである。
複合自立基板10の下層としては、エピタキシャル成長が容易であり、ある程度の大口径でかつ厚みの厚い結晶を容易に得ることができるためGaN層11としている。GaN層11の表面の結晶方位は(0001)のIII族面であることが望ましい。III族窒化物系の結晶は極性が強く、III族面の方がV族面(窒素面)より化学的及び熱的に安定だからである。
AlN層12は、下地のGaN層11と同一炉内で連続的に成長された層であることが望ましい。これは、成長にかかる時間を短縮できるという工程上のメリットだけでなく、GaN層11とAlN層12との間に、酸化膜などが介在することを抑制し、AlN層12の結晶中に欠陥が発生するのを防ぐと同時に、層間に電気的な障壁となる層が発生することも防止するためである。GaN層からAlN層への移行は、間に組成が連続的に変化する遷移層を介在させて行っても良い。
複合自立基板に求められる特性としては、その上に成長したデバイスからの発熱を、基板を通じて外部に放熱することのできる十分に小さな熱抵抗を有していること以外に、デバイス構造を形成するためのエピタキシャル成長工程や、その後の半導体プロセス工程において、ハンドリング時などに割れないよう、十分な強度を有することが求められる。そのために最低でも200μm以上の基板厚さが要求される。しかし、実際にデバイスが使用される際には、基板は裏面からバックラップで除去されて、最終的には100μm程度の厚さしか残存しないことになる。即ち、デバイスの放熱特性を左右するのは、基板の表面近傍100μm程度の結晶の熱抵抗であり、その下の領域は、作業時に、基台として作用すればことが足りる。このため、AlN層12(23)の厚さは、最終的に50μm以上であることが望ましい。これは、バックラップでGaN層11(21)を除去した後に、デバイスチップの強度を保つために必要な膜厚である。バックラップでは、GaN層11(21)だけを選択的に除去することは困難であり、通常AlN層12(23)も10〜20μmは除去されてしまう。このため、形成したAlN層12(23)が50μmよりも薄いと、実際のデバイスではAlN層12(23)が30μm以下にまで薄くなってしまい、チップをマウントする際やワイヤボンディングする際にチップが割れるなどの不具合が生じる可能性が高まってしまう。
また、AlN層12(23)に代えて、熱伝導率が極端に低下しない程度の組成のAlGaN層としても良い。具体的には、AlNも含めて、AlxGa1−xN(0.9<x≦1)で表す層とすることができる。ここで、Al組成が0.9を超えることとしたのは、Al組成が0.9以下となりGa組成が0.1を超えると、熱伝導率がAlNの1/10以下と大幅に低下してしまい、放熱特性が悪化してしまうためである。
一般に、アズグロウンのAlN層12(23)表面には、ヒロック等の大きな凹凸や、ステップバンチングによって現れると思われる微少な凹凸が多数存在している。これを平坦に研磨加工するのは、その上にエピを成長させたときのモフォロジや、膜厚、組成等を不均一にする要因を排除し、更には、デバイス作製プロセスにおいても、フォトリソグラフィ工程の加工精度を落とすことなく、デバイスの作製歩留りを向上させるためである。
複合自立基板10(20)下部のGaN層11(21)裏面も平坦に研磨加工される。裏面を平坦に研磨加工するのは、基板にエピ成長を行う際に、基板とサセプタとの密着性を良くするためである。基板の裏面全面が、サセプタと均等に接触していないと、サセプタからの熱伝導が不均一になって、エピ成長中の基板温度が面内で不均一になってしまう。基板温度の面内ばらつきは、結晶成長速度や組成、不純物濃度のばらつきとなって現れるため、特性の面内均一性の高いエピを成長することができなくなってしまう。エピの成長装置には、基板の裏面をサセプタと密着させない、フェイスダウン方式も存在するが、この場合も、基板の裏面に均熱板と呼ぶ平板を置くことが一般的であり、基板の裏面と均熱板との距離にばらつきがあれば、前述の温度ばらつきが生じ、特性の均一性に支障を来たす結果になる。裏面は、エピ成長時のサセプタとの密着性が問題なく得られる程度に平坦であれば良く、必ずしも鏡面になっている必要はない。即ち、ラップ面や研削面、あるいはこれに歪除去のための処理(エッチング等)を施した面であっても構わない。
基板の表面における転位密度は、1×108cm−2以下であることが望ましい。基板上に成長されるエピタキシャル成長層中には、下地基板からの転位が引き継がれることが判明しており、上記転位密度を超えるエピ層中の転位は、デバイスの特性を阻害し、信頼性を低下させる要因となるからである。
本実施形態の複合自立基板は、異種基板上にGaN層及AlN層単結晶を成長した後、異種基板を剥離除去することにより得られる。GaN層及AlN層単結晶は、HVPE法(ハイドライド気相成長)により成長することが望ましい。これは、HVPE法は結晶成長速度が速く、厚膜成長を必要とする基板の作製に適するからである。
図3に、本実施例で使用するHVPE反応炉の例を示す。
このHVPE反応炉30は、横長の石英反応管31の外側にヒータ32を設けて加熱するホットウォール式であり、石英反応管31の図面左側(上流側)には、V族原料のNH3ガスを導入するNH3導入管33、III族原料のAlCl3を形成するためのHClガスを導入するHClガス導入管34、III族原料のGaClを形成するためのHClガスを導入するHClガス導入管35、及び導電性制御のためのドーパントガスを導入するドーピングガス導入管36を備えている。また、HClガス導入管34はアルミナ製であり、その途中にパイロリティックグラファイト(PG)製のボート34aが設けられて金属アルミニウム34bが収容される。HClガス導入管35は石英製であり、その途中に石英製のボート35aが設けられて金属ガリウム35bが収容される。一方、石英反応管31内の図面右側(下流側)には、下地基板38が配置される基板ホルダ37が回転軸37aによって支持され、この回転軸37aを中心として回転自在に設けられている。また、ヒータ32は、金属アルミニウム34bが収容されるボート34a部分を加熱するAl原料加熱部32a、金属ガリウム35bが収容されるボート35a部分を加熱するGa原料加熱部32b、下地基板38部分を加熱する結晶成長領域加熱部32cの3つのゾーンを備えている。なお、石英反応管31の内壁には、結晶成長中にアルミニウム原料と反応して石英が侵食されるのを防止するため、また、成長中の堆積物と石英との熱膨張率の違いにより炉体冷却時に反応管が割れるのを防止するために、パイロリティック窒化ホウ素(PBN)製のライナ39が挿入されている。なお、石英反応管31の下流側端部には、排気管31aが設けられている。
このHVPE反応炉30を用いて下地基板38上にGaN層及びAlN層を順に成長させる方法について説明する。
まず、基板ホルダ37上にサファイア等の下地基板38を配置し、ボート34aに金属アルミニウム34bを、ボート35aに金属ガリウム35bを収容する。次に、Al原料加熱部32a、Ga原料加熱部32bをそれぞれ、500℃、800℃に加熱し、金属アルミニウム34b及び金属ガリウム35bを溶解させて融液とする。また、結晶成長領域加熱部32cを1000℃に加熱しておく。その後、NH3ガス導入管33からV族原料となるNH3ガスを、HClガス導入管35からIII族原料となるHClガスを導入する。なお、反応性の制御の点から、原料ガスであるHClガス及びNH3ガスは、H2ガスなどのキャリアガスと混合して用いられる。
このようにして下地基板38上にGaN層及びAlN層を成長させた後、下地基板38を剥離することにより、図1に示すようなGaN層11及びAlN層12からなる複合自立基板10とする。剥離する方法としては、ボイド形成剥離法(VAS法)を用いることができる。VAS法は、大口径の基板を再現良く剥離することが可能で、かつ、低転位で特性の均一なGaN系自立基板を得ることができるという点で優れている。
(1)AlNは、GaNに較べて成長が難しく、従って結晶欠陥が多く結晶性が悪いという問題があるが、本実施形態によれば、欠陥密度の少ない高品質なGaN結晶上にAlNをエピタキシャル成長させれば良くなるため、下地の結晶性を引き継いで、AlN層の結晶性も向上させることができる。
(2)AlNは、GaNに較べて成長が難しく、従って結晶性を損なわずに成長速度を上げること難しいという問題があるが、本実施形態によれば、高速で成長したGaNの表面だけにAlNを成長させれば良くなり、トータルで必要な成長時間が短くて済み、生産性が飛躍的に向上する。
(3)HVPE法でAlNを成長する際に、原料として用いる塩化アルミニウムは、成長条件によっては炉を構成する石英部材と反応して、これを侵食してしまうという問題があるが、本実施形態によれば、AlNの成長が必要最小限に抑えられるため、このような問題も大幅に軽減することが可能となる。
(4)GaN上にAlNを別工程で付ける場合、一旦大気中に取り出すと、GaN表面に自然酸化膜が発生したり、ハンドリング時の汚染などによって成長界面が清浄でなくなったりする。また、GaN表面に昇降温サイクルが加わることで、GaN表面の熱変性といった問題も生じることになり、場合によってはAlNの結晶層にクラックが多数生じたりする結果になる。これに対して、本実施形態では、GaN層とAlN層を、同一炉内で、成長温度を大きく変えずに連続で成長させることができるため、クラックが無く、GaN/AlN界面の清浄な複合自立基板とすることができる。
(5)本実施形態では、予め基台として膜厚の大きなGaN層を形成しているため、デバイス構造のエピタキシャル成長においても、既に実用化が始まっているGaNの基板上に結晶成長を行うのと同様の方法で、エピタキシャル成長が可能である。また、半導体プロセスにおいても、従来技術をそのまま使うことができ、基板の割れや欠けといった問題も起こりにくい。このため、AlN基板上にデバイス構造を、容易に、再現性良く製造することが可能になる。
(6)本実施形態では、既に実用化されているラッピング技術や研削技術を使って、デバイス構造作製後に基板の裏面からGaN層を除去することで、あたかも結晶性の良好なAlN基板上にデバイスを作製したのと同等の構造を得ることができる。従って、このデバイスを実装すれば、デバイスでの発熱はAlN層だけになった基板を介して放熱することができるため、デバイスの特性が熱によって阻害されることを大幅に軽減することができ、信頼性も向上する。
図4に示す製造工程により、図1に示す複合自立基板を製造した。
まず、直径2インチ径のC面ジャストサファイア基板41上に、MOVPE法で、20nmの低温成長GaNバッファ層(図示せず)を介してSiドープGaN層43を0.5μm成長させた(a)。成長条件は、圧力を常圧とし、バッファ層成長時の基板温度を600℃、エピ層成長時の基板温度を1100℃とした。原料は、III族原料としてトリメチルガリウム(TMG)を、V族原料としてアンモニア(NH3)を、ドーパントとしてモノシランを用いた。キャリアガスは、水素と窒素の混合ガスである。結晶の成長速度は4μm/hとした。エピ層のキャリア濃度は、2×1018cm−3とした。
GaNの成長が終了した後、続けてキャリアガス中に2.2×10−3atmの三塩化アルミニウム(AlCl3)と4.8×10−2atmのNH3からなる原料ガスを含有するガスを供給して、AlN層49を150μmの厚さに成長させた(d)。AlN層49成長時のキャリアガスは、窒素ガスとした。
図5に示す製造工程により、図2に示す複合自立基板を製造した。
まず、m軸方向に0.25°のオフを有する市販の直径2.5インチ径の単結晶C面サファイア基板51上に、MOVPE法で、アンドープGaN層53を300nm成長させた(a)。成長条件は、圧力を常圧とし、エピ層成長時の基板温度を1100℃とした。原料は、III族原料としてトリメチルガリウム(TMG)を、V族原料としてアンモニア(NH3)を用いた。キャリアガスは、水素と窒素の混合ガスである。結晶の成長速度は4μm/hとした。
実施例2で得られた複合自立基板上に、減圧MOVPE法を用いて、青色LED用エピタキシャル層を成長させて青色LEDを作製した。
[比較例]
図7に、比較例に係る青色LEDを作製した例を示す。
この青色LEDは、実施例2と同様の方法でGaN層71のみを成長して得られたGaN自立基板の表面に、実施例3と同様の構造の青色LEDを作製したものである。
以上の結果より、AlN層を用いることで、デバイスからの放熱特性が向上し、高出力LEDの発光出力向上と信頼性の向上につながることが確認できた。
[他の実施形態]
11,21 GaN層
12 AlN層
22 AlpGa1−pN遷移層
22a GaN
22b AlN
30 HVPE炉
31 石英反応管
31a 排気管
32 ヒータ
32a Al原料加熱部
32b Ga原料加熱部
32c 結晶成長領域加熱部
33 NH3ガス導入管
34 HClガス導入管
34a 金属アルミニウム
35 HClガス導入管
35b 金属ガリウム
36 ドーピングガス導入管
37 基板ホルダ
37a 回転軸
38 下地基板
39 ライナ
41,51 サファイア基板
43,53 SiドープGaN層
45,55 Ti薄膜
46,56 ボイド層
47,57 TiN層
48,58 GaN層
49,60 AlN層
59 AlpGa1−pN遷移層
61 AlN層
62 Siドープn型GaN層
63 InGaN−MQW層
64 Mgドープp型Al0.15GaN層
65 Mgドープp型Al0.10GaN層
66 Mgドープp型GaN層
67 n型電極
68 p型電極
71 GaN層
Claims (8)
- 異種基板上にIII-V族窒化物系半導体膜を成長させた後、金属膜を堆積する工程と、
該金属膜を堆積した基板を水素ガス又は水素化物ガスを含む雰囲気中で熱処理し、前記III-V族窒化物系半導体膜中に空隙を形成する工程と、
その上にGaN単結晶からなる第1の層をHVPE法により堆積する工程と、
更にその上に直接、又は他の層を介してAlxGa1-xN(0.9<x≦1)で表されるIII-V族窒化物系半導体単結晶からなる第2の層をHVPE法により堆積する工程と、
前記第1の層及び前記第2の層を残して前記異種基板を除去し、III-V族窒化物系半導体基板を得る工程と、
前記第2の層の露出面である前記基板の表面及び前記第1の層の露出面である前記基板の裏面を研磨して平担面とする工程と、
を備えることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法。 - 前記第1の層と前記第2の層とを同一炉内で連続的に成長させることを特徴とする請求項1記載のIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法。
- 前記他の層は、組成がGaNからAl x Ga 1-x N(0.9<x≦1)へと連続的に変化する遷移層であることを特徴とする請求項1記載のIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法。
- 前記基板は、直径が50mm以上の円形であり、厚さが200μm以上であることを特徴とする請求項1記載のIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法。
- 前記基板の表面における転位密度が1×10 8 cm -2 以下であることを特徴とする請求項1記載のIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法。
- 前記第2の層は、厚さが50μm以上であることを特徴とする請求項1記載のIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法。
- 前記基板が自立基板であることを特徴とする請求項1記載のIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法。
- 異種基板上にIII-V族窒化物系半導体膜を成長させた後、金属膜を堆積する工程と、
該金属膜を堆積した基板を水素ガス又は水素化物ガスを含む雰囲気中で熱処理し、前記III-V族窒化物系半導体膜中に空隙を形成する工程と、
その上にGaN単結晶からなる第1の層をHVPE法により堆積する工程と、
更にその上にAl x Ga 1-x N(0.9<x≦1)で表されるIII-V族窒化物系半導体単結晶からなる第2の層をHVPE法により堆積する工程と、
前記第1の層及び前記第2の層を残して前記異種基板を除去し、III-V族窒化物系半導体基板を得る工程と、
前記第2の層の露出面である前記基板の表面及び前記第1の層の露出面である前記基板の裏面を研磨して平担面とする工程と、
前記基板上に、デバイス構造を有するエピタキシャル成長層を形成する工程と、
前記基板の裏面側から研磨して前記第1の層を除去し、前記第2の層を露出させることにより、前記第2の層上に前記デバイス構造を設けたIII-V族窒化物系デバイスを製造する工程と、
を備えることを特徴とするIII-V族窒化物系デバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006071723A JP4862442B2 (ja) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | Iii−v族窒化物系半導体基板の製造方法及びiii−v族窒化物系デバイスの製造方法 |
US11/508,884 US20070221954A1 (en) | 2006-03-15 | 2006-08-24 | Group III-V nitride-based semiconductor substrate, group III-V nitride-based device and method of fabricating the same |
US12/332,876 US7981713B2 (en) | 2006-03-15 | 2008-12-11 | Group III-V nitride-based semiconductor substrate, group III-V nitride-based device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006071723A JP4862442B2 (ja) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | Iii−v族窒化物系半導体基板の製造方法及びiii−v族窒化物系デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007246330A JP2007246330A (ja) | 2007-09-27 |
JP4862442B2 true JP4862442B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=38532427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006071723A Expired - Fee Related JP4862442B2 (ja) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | Iii−v族窒化物系半導体基板の製造方法及びiii−v族窒化物系デバイスの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20070221954A1 (ja) |
JP (1) | JP4862442B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080037606A (ko) * | 2005-08-25 | 2008-04-30 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | GaxIn1―xN(0≤x≤1) 결정의 제조 방법,GaxIn1―xN(0≤x≤1) 결정 기판, GaN 결정의제조 방법, GaN 결정 기판 및 제품 |
DE102006017621B4 (de) * | 2006-04-12 | 2008-12-24 | Schott Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von multikristallinem Silizium |
JP2007290895A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Furukawa Co Ltd | Iii族窒化物半導体自立基板の製造方法およびiii族窒化物半導体自立基板 |
US8222669B2 (en) * | 2008-03-27 | 2012-07-17 | Nitek, Inc. | Mixed source growth apparatus and method of fabricating III-nitride ultraviolet emitters |
KR101220433B1 (ko) * | 2009-06-10 | 2013-02-04 | 서울옵토디바이스주식회사 | 반도체 기판, 그 제조 방법, 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US8860183B2 (en) | 2009-06-10 | 2014-10-14 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof |
US8481411B2 (en) * | 2009-06-10 | 2013-07-09 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor substrate having a cavity |
CN104716023B (zh) * | 2009-08-26 | 2017-08-29 | 首尔伟傲世有限公司 | 制造半导体基底的方法和制造发光装置的方法 |
US8648387B2 (en) * | 2009-12-30 | 2014-02-11 | Industrial Technology Research Institute | Nitride semiconductor template and method of manufacturing the same |
TWI505504B (zh) * | 2010-01-20 | 2015-10-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Method for manufacturing epitaxial crystal substrate |
JP5570838B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2014-08-13 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | 半導体基板、その製造方法、半導体デバイス及びその製造方法 |
JP5931737B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2016-06-08 | 株式会社トクヤマ | 光学素子の製造方法 |
KR101148694B1 (ko) * | 2010-12-09 | 2012-05-25 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP5612516B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2014-10-22 | スタンレー電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP5603812B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2014-10-08 | スタンレー電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
TW201301570A (zh) * | 2011-06-28 | 2013-01-01 | Aceplux Optotech Inc | 多光色發光二極體及其製作方法 |
TWI479486B (zh) * | 2011-11-15 | 2015-04-01 | Ritedia Corp | 光透射氮化鋁保護層及相關裝置及方法 |
KR20130059026A (ko) * | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 서울옵토디바이스주식회사 | 에피층을 성장 기판으로부터 분리하는 방법 |
WO2013119868A1 (en) * | 2012-02-07 | 2013-08-15 | Ritedia Corporation | LIGHT TRANSMITTIVE AlN LAYERS AND ASSOCIATED DEVICES AND METHODS |
US12046471B1 (en) | 2018-06-06 | 2024-07-23 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Optimized thick heteroepitaxial growth of semiconductors with in-situ substrate pretreatment |
CN113990986B (zh) * | 2021-09-29 | 2023-10-13 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 垂直结构的微型发光二极管芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088217B2 (ja) | 1991-01-31 | 1996-01-29 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
JP3139445B2 (ja) | 1997-03-13 | 2001-02-26 | 日本電気株式会社 | GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜 |
JPH10335750A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Sony Corp | 半導体基板および半導体装置 |
JP4183787B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2008-11-19 | Tdk株式会社 | 電子デバイス用基板の製造方法 |
JP3876518B2 (ja) | 1998-03-05 | 2007-01-31 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 |
JP3788037B2 (ja) | 1998-06-18 | 2006-06-21 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板 |
JP3788041B2 (ja) | 1998-06-30 | 2006-06-21 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板の製造方法 |
TW417315B (en) * | 1998-06-18 | 2001-01-01 | Sumitomo Electric Industries | GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same |
US6649287B2 (en) * | 2000-12-14 | 2003-11-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods |
JP3631724B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2005-03-23 | 日本電気株式会社 | Iii族窒化物半導体基板およびその製造方法 |
WO2002080225A2 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Technologies And Devices International Inc. | Method and apparatus for growing submicron group iii nitride structures utilizing hvpe techniques |
US7198671B2 (en) * | 2001-07-11 | 2007-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Layered substrates for epitaxial processing, and device |
JP3864870B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2007-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法 |
US7030428B2 (en) * | 2001-12-03 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Strain balanced nitride heterojunction transistors |
US6831293B2 (en) * | 2002-03-19 | 2004-12-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | P-n junction-type compound semiconductor light-emitting device, production method thereof, lamp and light source |
US7176115B2 (en) * | 2003-03-20 | 2007-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing Group III nitride substrate and semiconductor device |
JP4545389B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2010-09-15 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびiii族窒化物層群の転位低減方法 |
JP2005340747A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-12-08 | Hitachi Cable Ltd | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法、iii−v族窒化物系半導体デバイス、iii−v族窒化物系半導体基板のロット |
US7276779B2 (en) * | 2003-11-04 | 2007-10-02 | Hitachi Cable, Ltd. | III-V group nitride system semiconductor substrate |
JP4340866B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2009-10-07 | 日立電線株式会社 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
JP4423969B2 (ja) | 2003-12-25 | 2010-03-03 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体積層基板およびそれを用いた窒化物半導体デバイス、窒化物半導体レーザ素子 |
JP4420705B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2010-02-24 | シャープ株式会社 | AlGaN系複合基板を備えた窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP4333466B2 (ja) * | 2004-04-22 | 2009-09-16 | 日立電線株式会社 | 半導体基板の製造方法及び自立基板の製造方法 |
JP2005343704A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlxGayIn1−x−yN結晶の製造方法 |
JP4735949B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2011-07-27 | 日立電線株式会社 | Iii−v族窒化物半導体結晶の製造方法およびiii−v族窒化物半導体基板の製造方法 |
JP4529846B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2010-08-25 | 日立電線株式会社 | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-03-15 JP JP2006071723A patent/JP4862442B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-24 US US11/508,884 patent/US20070221954A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-12-11 US US12/332,876 patent/US7981713B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070221954A1 (en) | 2007-09-27 |
US7981713B2 (en) | 2011-07-19 |
JP2007246330A (ja) | 2007-09-27 |
US20090098677A1 (en) | 2009-04-16 |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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