KR100886819B1 - 반사막 전극, 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자 및그의 제조방법 - Google Patents

반사막 전극, 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자 및그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반사막 전극, 상기 반사막 전극이 구비된 화합물 반도체 발광소자 및 이에 대한 제조방법에 관한 것으로서, 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 산화물 전극을 오믹 접촉하여 형성하고 산화물 전극에 홀을 형성하여 광을 반사하는 금속 반사막을 홀 내부에 충진한 후, 그 위에 금속 반사막을 추가로 더 형성하여 광을 효율적으로 반사하는 것을 포함한다.
본 발명에 따르면 투명 산화물 전극에 n형 다 성분계 투명 산화물 전극과 p형 산화물 투명전극을 사용하고 금속 반사막 전극을 형성함에 의하여 발광한 빛의 반사율을 높일 수 있으며 열 방출 효율 및 출사 효율을 아울러 개선시킬 수 있어 고성능의 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.
화합물 반도체, 발광소자, 반사막 전극, 산화물 전극

Description

반사막 전극, 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자 및 그의 제조방법{Reflector Electrode, Compound Semiconductor Light Emitting Device Including The Reflector Electrode And Method Of Manufacturing The Same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사막 전극을 구비한 화합물 반도체 발광소자의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사막 전극과 p형 질화갈륨(GaN)계 반도체층과의 접합상태를 나타내는 전류-전압 특성 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사막 전극을 구비한 화합물 반도체 발광소자의 전압-전류 특성을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사막 전극을 구비한 발광소자와 다른 투명 전극을 구비한 발광소자의 전류-출력 파워 특성을 나타낸 그래프이다.
｛도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명｝
10 : 기판 11 : 버퍼층
12 : n형 금속전극 13 : n형 화합물 반도체층
14 : 활성층 15 : p형 화합물 반도체층
16 : 산화물 전극 17 : 금속 반사막
18 : 반사막 보호 금속층 19 : p형 금속전극
본 발명은 반사막 전극 및 투명 산화물 전극을 포함하는 화합물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 낮은 접촉저항과 높은 반사율, 및 향상된 전기 전도성을 가지도록 반사막 전극과 투명 산화물 전극의 구조를 변형한 화합물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기적 신호를 빛으로 변환시키는 화합물 반도체 발광소자 즉, LED(Light Emitting Diode) 또는 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)와 같은 발광소자들은 조명, 광통신, 다중통신 등의 응용분야에서 많이 연구되고 실용화되어가고 있는 추세이다.
이러한 반도체 발광소자들은 통신분야나 디스크 플레이어 등과 같은 장치에서 데이터의 전송이나 데이터의 기록 및 판독을 위한 수단의 광원으로써도 널리 사용되고 있다.
일반적으로 화합물 반도체 발광소자 중 플립칩(flip-chip)형이 탑에미트(top-emitting)형보다 p형 화합물 반도체층 위에 반사막을 더 형성할 수 있고 상기 반사막이 활성층에서 발생한 빛을 반사하기 때문에 더욱 높은 광이용효율과 높 은 휘도의 특성을 가지게 된다.
반도체 발광소자에서 광추출 또는 이용효율을 높이기 위해 반사막을 적용할 경우 반사막의 재료는 반사도가 높고 접촉되는 p형 화합물 반도체층과 오믹 접합 특성이 좋아야 한다.
주로 반사막의 재료로서 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh) 등이 사용되고 있다.
그러나, 은(Ag)은 반사도와 오믹 접합 특성은 높지만 반도체층과의 접착력과 열적 안정성에 문제가 있어 LED 칩의 신뢰성에 한계를 가지고 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 p형 질화갈륨계 반도체층(p-GaN)과 금속 반사막 사이에 산화물 전극을 사용하여 접착력을 향상시키는 기술이 제안되어 LED칩에 현재 적용을 시도하고 있다.
국내 공개특허 제10-2006-0020331호, 제10-2006-0031079호, 제10-2006-0037938호 및 제10-2006-0054089호는 그러한 산화물 전극을 이용한 반사막에 대한 종래기술을 개시한다.
하지만, 상기 종래기술은 산화물 전극을 이용하여 오믹 접합과 접착력을 일응 개선시킨 점은 인정되나, LED칩의 열적 신뢰성면에서 볼 때 산화물 전극의 열전도 특성이 매우 낮고 오믹접합 특성이 낮아 신뢰성에 한계를 가지며, 접착력 또한 완전히 해결되지 않아 이에 대한 개선이 필요하다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하여 열 방출 효율과 출사효율이 개선된 홀 구조를 가지는 투명 산화물 전극과 금속 반사막을 구비한 화합물 반도체 발광소자를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 화합물 반도체 발광소자에 있어서 생성된 광의 파장에 따라 높은 반사도를 가지면서 반도체층과의 접착력과 오믹접합 특성이 개선된 반사막 전극을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 일반적인 화합물 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서 간단한 공정을 추가함으로써 단일 발광소자의 면적당 광반사율이 높고 낮은 접촉저항을 가지는 고효율 및 고신뢰도의 발광소자를 제조하여 경제적 부가가치를 창출하는 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극은 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉된 산화물 전극과, 상기 산화물 전극과 함께 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉되어 광을 반사하는 금속 반사막과, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되어 광을 반사하는 금속 반사막을 포함한다.
본 발명에서 상기 산화물 전극과 함께 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉되는 금속 반사막은, 상기 산화물 전극에 하나 이상의 홀을 형성하고 상기 홀에 채워진다.
본 발명에서 바람직하게는 상기 홀의 형상은 원기둥형 또는 다각기둥형인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 바람직하게는 상기 홀의 크기는 직경이 1㎛ 내지 10㎛로 형성된다.
본 발명에서, 상기 금속 반사막은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 원소인 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 산화물 전극은 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 알루미늄(Al2O3), 구리알루미늄 산화물(CuAlO2), 구리갈륨 산화물(CuGaO2) 및 스트론튬구리 산화물(SrCu2O2)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 산화물인 것이 바람직하다.
본 발명에서 바람직하게는 상기 산화물 전극의 두께는 1㎚ 내지 1000㎚로 형성된다.
본 발명에서 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 두께는 1㎚ 내지 500㎚인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 상면에 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 텅스텐(W) 으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 원소로 이루어진 반사막 보호 금속층을 더 포함한다.
본 발명에서 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉된 산화물 전극과 금속 반사막은 진공 또는 질소 분위기 하에서 500℃ 내지 700℃로 10초 내지 5분간 열처리하는 것이 바람직하다.
상기 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 화합물 반도체 발광소자는 종래 n형 및 p형 전극과 그 사이에 적어도 n형 화합물 반도체층, 활성층 및 p형 화합물 반도체층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉된 산화물 전극과, 상기 산화물 전극과 함께 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉되어 광을 반사하는 금속 반사막과, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되어 광을 반사하는 금속 반사막을 포함한다.
본 발명에서, 상기 산화물 전극과 함께 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉되는 금속 반사막은, 상기 산화물 전극에 하나 이상의 홀을 형성하고 상기 홀에 채워진다.
본 발명에서 바람직하게는 상기 홀의 형상이 원기둥형 또는 다각기둥형인 것을 포함한다.
본 발명에서 바람직하게는 상기 홀의 크기가 직경이 1㎛ 내지 10㎛인 것으로 형성된다.
본 발명에서, 상기 금속 반사막은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 원소로 형성된다.
본 발명에서, 상기 산화물 전극은 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 알루미늄(Al2O3), 구리알루미늄 산화물(CuAlO2), 구리갈륨 산화물(CuGaO2) 및 스트론튬구리 산화물(SrCu2O2)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 산화물로 형성된다.
본 발명에서, 상기 산화물 전극의 두께는 1㎚ 내지 1000㎚인 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 두께는 1㎚ 내지 500㎚인 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막은 그 상면에 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 원소로 이루어진 반사막 보호 금속층을 더 포함한다.
본 발명에서, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉된 산화물 전극과 금속 반사막은 진공 또는 질소 분위기 하에서 500℃ 내지 700℃로 10초 내지 5분간 열처리한다.
상기 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 화합물 반도체 발광소자의 제조방법은 n형 및 p형 전극과 그 사이에 적어도 n형 화합물 반도체층, 활성층 및 p형 화합물 반도체층을 순차로 구비하는 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 산화물 전극을 형성하는 단계와, 상기 산화물 전극에 상기 활성층과 p형 화합물 반도체층보다 밴드갭이 큰 홀을 형성하는 단계와 상기 홀에 금속 반사막 재료를 충진하고 열처리하는 단계 및 상기 단계 후 금속 반사막 및 반사막 보호 금속층을 순차로 더 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에서, 상기 산화물 전극은 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 알루미늄(Al2O3), 구리알루미늄 산화물(CuAlO2), 구리갈륨 산화물(CuGaO2) 및 스트론튬구리 산화물(SrCu2O2)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 산화물인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 바람직하게는 상기 산화물 전극의 두께가 1㎚ 내지 1000㎚으로 형성된다.
본 발명에서 상기 산화물 전극의 홀의 형상은 원기둥형 또는 다각기둥형이고, 상기 산화물 전극의 홀의 크기는 직경이 1㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 금속 반사막은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 원소로 형성된다.
본 발명의 화합물 반도체 발광소자의 제조방법에서 상기 열처리는 진공 또는 질소 분위기 하에서 500℃ 내지 700℃로 10초 내지 5분간 수행된다.
본 발명에서 상기 산화물 전극 상에 형성되는 금속 반사막의 두께는 1㎚ 내지 500㎚인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 반사막 보호 금속층은 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 원소로 이루어진다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사막 전극을 구비한 화합물 반도체 발광소자의 구조를 나타낸 단면도이다.
구체적인 화합물 반도체 발광소자의 대표적인 예는 질화갈륨(GaN)계 반도체 발광 다이오드가 있다.
도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따르면, 반도체 기판(10) 상에 버퍼층(11)을 형성하고 그 위에 n형 화합물 반도체층(13), 활성층(14) 및 p형 화합물 반도체층(15)를 순차적으로 적층하여 p-n 발광다이오드를 형성한다.
본 발명의 일 실시예로서, 상기 기판은 주로 사파이어 기판을 사용하여 투광성을 높이고, 상기 버퍼층은 언도핑된(undoped) 질화갈륨(GaN)층으로 형성된다.
또한, 상기 활성층은 단일 및 다중 양자우물 구조로 형성될 수 있다.
상기 실시예에서, 상기 p형 화합물 반도체층(15) 상면에 활성층과 p형 반도체층보다 밴드갭이 큰 홀을 가지는 투명 산화물 전극층(16)을 형성하고, 금속 반사 막(17)은 상기 홀에 채워짐과 동시에 산화물 전극층 위에 한 개 층으로 더 형성된다.
상기 금속 반사막 위에 반사막 보호 금속층(18)을 더 형성하고, 그 위에 p형 금속전극(19)를 형성한다. n형 금속전극(12)은 발광 다이오드를 소정부분을 n형 반도체층(13)까지 식각하여 n형 반도체층의 타측상에 형성한다.
투명 산화물 전극은 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성된 n형 다 성분계 투명 산화물 전극과, 구리알루미늄 산화물(CuAlO2), 구리갈륨 산화물(CuGaO2) 및 스트론튬구리 산화물(SrCu2O2) 등으로 이루어진 p형 산화물 투명전극을 사용함으로써 더 우수한 광 반사율을 얻을 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 상기 반사막 전극이 구비된 화합물 반도체 발광소자, 특히 질화갈륨(GaN)계 발광다이오드를 제시하며, 아울러 그의 제조방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 일 실시예의 투명 산화물 전극층은 공지의 증착방법 중에서 해당분야 당업자라면 누구나 알 수 있는 방법을 사용하여 형성할 수 있으며, 특히 스퍼터링 증착법의 사용이 바람직하다. 산화물로 이루어진 산화물 투명 전극은 1nm 내지 1000nm 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 산화물 전극층을 증착하고 난 후 금속 반사막이 충진될 수 있는 홀을 형성하는 방법은 당업자라면 누구나 공지기술로부터 알 수 있는 방법을 사용할 수 있으나, 특히 리프트오프(lift-off)법을 사용하여 형성한다. 리프트오프법을 통해 형성되는 홀의 모양은 다양하며, 특히 원기둥이나 다각기둥 형태가 바람직하다.
홀의 크기는 그 직경이 1㎛ 내지 10㎛로 형성되고, 홀 사이의 간격은 1㎛ 내지 10㎛로 형성될 수 있다.
상기 다 성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극층 및 홀에 충진되는 금속 반사막과 화합물 반도체층은 오믹 접촉을 이루게 되는데, 이 때 접촉 저항 특성을 향상하기 위하여 열처리 과정을 더 수행하고 이로 인해 전류 확산 특성이 향상될 수 있다.
열처리는 진공 또는 질소의 분위기 하에서 500℃ 내지 700℃로 10초 내지 5분간 수행하는 것이 바람직하다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사막 전극과 p형 질화갈륨(GaN)계 반도체층과의 접합상태를 나타내는 전류-전압 특성 그래프이다.
가로축은 인가 전압(V)이고, 세로축은 전류(A)를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 전류가 인가 전압에 대하여 비례하고 있으므로, 반사막 전극과 p형 GaN계 반도체층과의 접합은 오믹 접촉을 형성함을 알 수 있다.
여기서, 산화물 투명 전극은 비저항이 1x10-3 Ω·cm 이하이고, 광선 투과율 이 85% 이상이며, 캐리어 농도는 1x1019 cm-3 이상의 특성을 가진다.
또한 금속 반사막은 비저항이 1x10-5Ω·cm 이하이고, 광선 반사도가 70% 이상이다.
이와 같은 조건으로 형성된 반사막 전극은 금속 전극으로부터 전류의 주입이 용이하고, 면 방향으로 전류의 확산 특성이 뛰어나, 효율적인 발광이 가능해진다.
도 2를 참조하면, 온도에 따른 열처리에 의해 오믹 접촉 저항의 특성이 달라짐을 알 수 있는데, 열처리 온도가 높을수록, 즉 실온보다 400℃, 650℃로 열처리 온도를 높일수록 산화물 전극과 p형 질화갈륨계 반도체층의 오믹 접촉 저항이 낮아져서 전류의 확산력이 뛰어나게 되는 것을 알 수 있다.
또한 본 발명의 질화갈륨(GaN)계 반도체 발광소자는 반도체 발광소자의 열 방출 효율 및 출사 효율이 뛰어난 발광소자를 구현할 수 있다.
구체적으로 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사막 전극을 구비한 화합물 반도체 발광소자의 전압-전류 특성을 나타낸 그래프로서, 이 때 발광 파장은 460nm이며, 20mA에서 Vf 값은 3.4eV 이었다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사막 전극을 구비한 발광소자와 다른 투명 전극을 구비한 발광소자의 전류-출력 파워 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.
상기 도 4를 참조하면, 기존의 투명 전극재료인 니켈(Ni)/금(Au) 또는 인듐주석산화물(ITO)에 비교하여 상대적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 반사막 전극은 출력 파워가 우수하여 효율적으로 빛을 외부로 꺼낼 수 있음을 나타내고 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 질화갈륨(GaN)계 반도체 발광 다이오드 제조방법은 하기와 같다.
p형 질화갈륨계 반도체층 상부에 xZn2In2O5 + (1-x)GaInO3 화합물의 조성에 있어서, x는 0<x<1 사이의 조성을 가지는 소결체를 사용하여 스퍼터링법으로 일정한 두께를 가지는 산화물 투명 전극층을 형성한다.
산화물 투명전극의 홀은 liff-off법을 이용하여 형성하며, 홀은 원형 모양이며 크기는 3μm이고 홀 사이의 간격은 3μm 이다.
여기서 스퍼터링 증착 조건으로서, 스퍼터링 가스는 아르곤 가스를 사용하고, 스퍼트 압력 5mTorr, 투입 전력 90W ~ 150W, 증착 온도는 상온에서 수행할 수 있다.
다음으로, 투명 산화물 전극을 스퍼터링으로 증착한 후, 홀을 lift-off 하고, 급속 가열로 홀 내부에 금속 반사막 시료를 넣어 질소 분위기 하에서 650℃에서 2분 동안 열처리하여 전류 확산 특성을 향상시킨다.
다음으로, 산화물 투명전극 위에 은(Ag)을 원료로 하는 금속 반사막을 형성시킨 후, 금속 반사막 위에 금(Au)을 원료로 하는 반사막 보호 금속층을 형성시킨 다.
반사막 보호 금속층 위에 p-형 전극층을 형성시킨 후, 순차적으로 n형 질화갈륨(GaN) 반도체층의 중간까지 에칭하고, 노출된 n형 질화갈륨(GaN) 반도체층 및 p형 질화갈륨(GaN) 반도체층 일측 상부면에는 금속 전극을 전자빔 증착기로 증착하고, 리프트 오프 공정을 거친 후, 급속 가열로 안에 시료를 넣어 진공에서 600℃에서 30초 동안 열처리하여 금속 전극을 형성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허등록청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 반도체층 상에 산화물 전극과 반사막 전극이 함께 오믹접촉되고 그 위에 다시 반사막 전극을 구비함으로써 발광한 빛의 반사율을 더욱 높일 수 있고 열 방출 효율 및 출사 효율이 향상되는 효과가 있다.
또한, 화합물 반도체 발광소자의 제조 공정에서 산화물 전극에 홈을 형성하고 금속 반사막 전극을 충진하는 간단한 공정을 추가함으로써 고반사율과 낮은 접촉저항을 갖는 고효율 및 고신뢰도의 반도체 발광소자를 제조할 수 있고 경제적 측면에서 잇점이 있다.

Claims (29)

  1. 삭제
  2. 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서,
    하나 이상의 홀을 포함하고, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉하는 산화물 전극;
    상기 산화물 전극의 홀에 충진되면서 산화물 전극 위에 형성되고, 상기 홀을 통해 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉하는 금속 반사막; 및
    상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되어 광을 반사하는 금속 반사막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 홀의 형상은 원기둥형 또는 다각기둥형인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 홀의 크기는 직경이 1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 금속 반사막은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극.
  6. 제 2항에 있어서, 상기 산화물 전극은 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 알루미늄(Al2O3), 구리알루미늄 산화물(CuAlO2), 구리갈륨 산화물(CuGaO2) 및 스트론튬구리 산화물(SrCu2O2)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 산화물인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극.
  7. 제 2항 또는 제 6항에 있어서, 상기 산화물 전극의 두께는 1㎚ 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극.
  8. 제 2항에 있어서, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 두께는 1㎚ 내지 500㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극.
  9. 제 2항 또는 제 8항에 있어서, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 상면에 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 원소로 이루어진 반사막 보호 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. n형 및 p형 전극과 그 사이에 적어도 n형 화합물 반도체층, 활성층 및 p형 화합물 반도체층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자에 있어서,
    하나 이상의 홀을 포함하고, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉하는 산화물 전극;
    상기 산화물 전극의 홀에 충진되면서 산화물 전극 위에 형성되고, 상기 홀을 통해 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉하는 금속 반사막; 및
    상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되어 광을 반사하는 금속 반사막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 홀의 형상은 원기둥형 또는 다각기둥형인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 홀의 크기는 직경이 1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  15. 제 12항에 있어서, 상기 금속 반사막은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  16. 제 12항에 있어서, 상기 산화물 전극은 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 알루미늄(Al2O3), 구리알루미늄 산화물(CuAlO2), 구리갈륨 산화물(CuGaO2) 및 스트론튬구리 산화물(SrCu2O2)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 산화물인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  17. 제 12항 또는 제 16항에 있어서, 상기 산화물 전극의 두께는 1㎚ 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  18. 제 12항에 있어서, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 두께는 1㎚ 내지 500㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  19. 제 12항 또는 제 18항에 있어서, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 상면에 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 원소로 이루어진 반사막 보호 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  20. 삭제
  21. n형 및 p형 전극과 그 사이에 적어도 n형 화합물 반도체층, 활성층 및 p형 화합물 반도체층을 순차로 구비하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서,
    상기 p형 화합물 반도체층 상에 산화물 전극을 형성하는 단계;
    상기 산화물 전극에 홀을 형성하고, 상기 홀에 금속 반사막 재료를 충진하고 열처리하는 단계; 및
    상기 금속 반사막 재료가 충진된 홀을 구비하는 산화물 전극 위에 금속 반사막 및 반사막 보호 금속층을 순차로 더 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 산화물 전극은 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 알루미늄(Al2O3), 구리알루미늄 산화물(CuAlO2), 구리갈륨 산화물(CuGaO2) 및 스트론튬구리 산화물(SrCu2O2)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 산화물인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  23. 제 21항 또는 제 22항에 있어서, 상기 산화물 전극의 두께는 1㎚ 내지 1000㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  24. 제 21항에 있어서, 상기 산화물 전극의 홀의 형상은 원기둥형 또는 다각기둥형인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  25. 제 21항에 있어서, 상기 산화물 전극의 홀의 크기는 직경이 1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  26. 제 21항에 있어서, 상기 금속 반사막은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  27. 제 21항에 있어서, 상기 열처리는 진공 또는 질소 분위기 하에서 500℃ 내지 700℃로 10초 내지 5분간 수행하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  28. 제 21항에 있어서, 상기 산화물 전극 상에 형성되는 금속 반사막의 두께는 1㎚ 내지 500㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  29. 제 21항에 있어서, 상기 반사막 보호 금속층은 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 원소로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
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