KR100885673B1 - 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 은-팔라듐 도금층이 형성된고밀도 인쇄회로기판 및 그 도금방법 - Google Patents
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Abstract
Description
테스트항목 | 규격 | 테스트내용 | 테스트결과 | ||
실시예 1 | 실시예 2 | 비교예 1 | |||
도금 두께 | 은 도금층 0.05㎛이상 팔라듐 도금층 0.005㎛ 이상 | X-ray 두께측정기를 사용하여 측정 | ○ | ○ | ○ |
유공도 | 음 도금층 및 팔라듐 도금층의 부식 및 변색이 없을 것. | 질산 12%를 사용하여 5분 동안 침적 | ○ | ○ | ○ |
내열성 | 리플로우 후 은 도금층과 팔라듐 도금층에 변색 등 표면에 이상 없을 것 | IR-리플로우 연속 3회통과 후 표면관찰 최대온도 245℃ | ○ | ○ | ○ |
밀착성 | 도금층의 테이프 시험 후 표면에 박리가 없을 것. | 3M 테이프를 이용, 도금 표면에 부착 후, 떼어내어 표면을 관찰 | ○ | ○ | ○ |
내변 색성 | 도금층의 변색 시험 후 변색이 없을 것 | 5% K2S 용액에 1분간 침적 | ○ | ○ | × |
Claims (16)
- 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성 방법에 있어서,a) 인쇄회로기판(100)의 상부에 소정의 솔더 레지스트층(103)을 형성하는 레지스트층 형성단계와,b) 상기 구리층(101)(102)에 은 도금층(104)을 형성하는 은 도금단계와,c) 상기 은 도금층(104) 상부에 팔라듐 도금층(105)을 형성하는 팔라듐 도금단계와,d) 상기 팔라듐 도금층(105) 상부에 피막층((106))을 형성하는 피막 형성단계,를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 은 도금단계에서 은 대신 은 합금으로 은 도금층(104)을 형성하는 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 제 2항에 있어서,상기 은합금은 은 99~99.9중량%, 셀레늄과 납 또는 이들의 조합물 0.01~1.0중량%로 구성된 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 팔라듐 도금단계에서 팔라듐 대신 팔라듐 합금으로 팔라듐 도금층(105)을 형성하는 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 제 4항에 있어서,상기 팔라듐 합금은 팔라듐 92~99.9중량%, 인 또는 붕소 0.1~8중량%로 구성된 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 은 도금단계는 40~60℃의 온도로 9초에서 60분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 팔라듐 도금단계는 30~60℃의 온도로 30초에서 20분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 피막 형성단계는 30~60℃의 온도로 30초에서 5분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 은 도금단계는 치환도금법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 팔라듐 도금단계는 수용성 팔라듐화합물을 포함하는 무전해 치환형 또는 환원형 팔라듐 도금액을 접촉시켜 팔라듐 도금층(105)을 형성하는 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 은-팔라듐 도금층이 형성된 고밀도 인쇄회로기판에 있어서,상기 인쇄회로기판(100)의 구리층(101)(102) 상부에 형성된 은 또는 은 합금 중 어느 하나의 은 도금층(104)과;상기 은 도금층(104) 상부에 형성된 팔라듐 또는 팔라듐 합금 중 어느 하나의 팔라듐 도금층(105)과;상기 팔라듐 도금층(105)의 상부에 형성된 피막층(106);을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 은-팔라듐 도금층이 형성된 고밀도 인쇄회로기판.
- 제 11항에 있어서,상기 은 도금층(104)의 두께는 0.05~5.0㎛인 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 은-팔라듐 도금층이 형성된 고밀도 인쇄회로기판.
- 제 11항에 있어서,상기 팔라듐 도금층(105)의 두께는 0.005~2.0㎛인 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 은-팔라듐 도금층이 형성된 고밀도 인쇄회로기판.
- 제 11항에 있어서,상기 피막층(106)의 두께는 0.005~0.5㎛인 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 은-팔라듐 도금층이 형성된 고밀도 인쇄회로기판.
- 제 4항에 있어서,상기 팔라듐 도금단계는 수용성 팔라듐화합물을 포함하는 무전해 치환형 또는 환원형 팔라듐 도금액을 접촉시켜 팔라듐 도금층(105)을 형성하는 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
- 제 5항에 있어서,상기 팔라듐 도금단계는 수용성 팔라듐화합물을 포함하는 무전해 치환형 또는 환원형 팔라듐 도금액을 접촉시켜 팔라듐 도금층(105)을 형성하는 것을 특징으로 하는 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 고밀도 인쇄회로기판의 은-팔라듐 도금층 형성방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR (1) | KR100885673B1 (ko) |
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