KR100883368B1 - Exhaust unit and method for controlling displacement volume of the exhaust unit, and apparatus for treating substrate with the exhaust unit - Google Patents
Exhaust unit and method for controlling displacement volume of the exhaust unit, and apparatus for treating substrate with the exhaust unit Download PDFInfo
- Publication number
- KR100883368B1 KR100883368B1 KR1020070020242A KR20070020242A KR100883368B1 KR 100883368 B1 KR100883368 B1 KR 100883368B1 KR 1020070020242 A KR1020070020242 A KR 1020070020242A KR 20070020242 A KR20070020242 A KR 20070020242A KR 100883368 B1 KR100883368 B1 KR 100883368B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tube
- exhaust
- housing
- substrate
- exhaust line
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명은 배기유닛 및 상기 배기유닛의 배기량 조절방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명은 배기유닛은 배기라인 상에 설치되는 하우징의 내부에 튜브를 설치하고, 상기 튜브로/로부터 유체를 주입 및 배출시키는 액츄에이터를 가진다. 상기 액츄에이터는 상기 튜브로/로부터 유체를 주입 및 배출하여 상기 하우징 내부에서 상기 튜브를 팽창 및 수축시켜 상기 하우징 내 통로의 개구율을 조절한다.The present invention relates to an exhaust unit, a method of adjusting an exhaust amount of the exhaust unit, and a substrate processing apparatus including the exhaust unit. According to the present invention, the exhaust unit has an actuator for installing a tube inside the housing installed on the exhaust line and for injecting and discharging fluid into / from the tube. The actuator injects and discharges fluid into and out of the tube to expand and contract the tube within the housing to adjust the opening ratio of the passages in the housing.
기판, 배기, 튜브, 팽창, 수축, 액츄에이터, 개구율, Substrate, exhaust, tube, expansion, shrinkage, actuator, aperture ratio,
Description
도 1은 종래기술에 따른 배기량 조절부재를 보여주는 도면이다.1 is a view showing the displacement control member according to the prior art.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.2 is a view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
도 3은 도 1에 도시된 배기부재의 구성들을 보여주는 도면이다.3 is a view showing the configuration of the exhaust member shown in FIG.
도 4는 도 3에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면을 보여주는 도면이다.4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 배기량 조절부재의 동작과정을 설명하기 위한 도면이다.5a and 5b are views for explaining the operation of the displacement control member according to the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *
10 : 기판 처리 장치 200 : 배기유닛10: substrate processing apparatus 200: exhaust unit
100 : 공정 유닛 210 : 배기라인100: process unit 210: exhaust line
110 : 용기 220 : 배기량 조절부재110: vessel 220: displacement control member
120 : 척 222 : 하우징120: chuck 222: housing
130 : 구동부 224 : 튜브130: drive unit 224: tube
140 : 분사노즐 225 : 액츄에이터140: injection nozzle 225: actuator
본 발명은 배기유닛 및 상기 배기유닛의 배기량 조절방법, 그리고 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정이 수행되는 장치의 배기를 수행하는 배기유닛 및 상기 배기유닛의 배기량을 조절하는 방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust unit, a method of adjusting an exhaust amount of the exhaust unit, and a substrate processing apparatus, and more particularly, an exhaust unit for exhausting an apparatus in which a process is performed, and a method of adjusting an exhaust amount of the exhaust unit, and An apparatus for treating a substrate having the exhaust unit is provided.
기판 처리 장치는 반도체 집적회로 칩의 제조를 위한 웨이퍼 및 평판 디스플레이 제조를 위한 글라스 등과 같은 기판을 처리하는 장치이다. 일반적인 기판 처리 장치에는 공정이 수행되는 공간의 배기를 위한 배기유닛이 구비된다. 배기유닛은 배기라인과 배기라인의 배기량을 조절하는 배기량 조절부재를 가진다. The substrate processing apparatus is an apparatus for processing a substrate such as a wafer for manufacturing a semiconductor integrated circuit chip and a glass for manufacturing a flat panel display. A general substrate processing apparatus is provided with an exhaust unit for exhausting a space where a process is performed. The exhaust unit has an exhaust line and an exhaust amount adjusting member for adjusting the exhaust amount of the exhaust line.
도 1은 일반적인 배기량 조절부재들을 보여주는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 배기량 조절부재(10a, 10b)는 배기라인(1) 내부에 제공된다. 일 예에 따른 배기량 조절부재(10a)는 배기라인(1) 내 원형의 회전판(10a')을 설치하고, 회전판(10a')의 회전에 의해 배기라인(1)의 배기량을 조절한다. 또는, 다른 예에 따른 배기량 조절부재(10b)는 배기라인(1) 내 두 개의 회전판(10b', 10b'')을 서로 마주보도록 배치시킨다. 회전판(10b', 10'') 각각에는 배기되는 기체가 통과되도록 제공되는 홀(h)이 형성된다. 따라서, 배기량 조절부재(10b)는 회전판(10b', 10b'') 중 적어도 어느 하나를 회전시켜 홀(h)의 개구율을 조절함으로써 배기라 인(1)의 배기량을 조절한다.1 is a view showing a typical displacement control members. As shown in FIG. 1, general
그러나, 상술한 구조의 배기유닛은 배기되는 유체에 의해 배기량 조절부재의 오동작이 발생된다. 예컨대, 배기라인(1)이 산성 및 알칼리성의 약액(chemical)을 사용하여 기판을 처리하는 장치로부터 흄(fume)을 배기시키는 라인인 경우에는 배기되는 흄에 의해 배기량 조절부재(10a, 10b)가 오염된다. 특히, 배기되는 흄은 배기량 조절부재(10a, 10b)의 회전판들(10a', 10b', 10b'') 표면에 흡착되어 회전판(10a', 10b' 10b'')의 기계적인 동작을 방해하므로, 배기량 조절부재의 오동작을 발생시켜 배기 효율을 저하시킨다.However, in the exhaust unit of the above-described structure, malfunction of the displacement adjusting member is caused by the fluid to be exhausted. For example, when the
본 발명은 배기 효율을 향상시키는 배기유닛 및 상기 배기유닛의 배기량 조절방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an exhaust unit for improving the exhaust efficiency, a method of adjusting the exhaust amount of the exhaust unit, and a substrate processing apparatus including the exhaust unit.
또한, 본 발명은 배기되는 유체에 의한 오동작을 방지하는 배기유닛 및 상기 배기유닛의 배기량 조절방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an exhaust unit for preventing a malfunction due to the fluid to be exhausted, a method of adjusting the exhaust amount of the exhaust unit, and a substrate processing apparatus including the exhaust unit.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배기유닛은 기체를 배기시키는 배기라인과, 상기 배기라인 상에 설치되는 하우징과, 상기 하우징의 내부에 설치되는, 그리고 상기 하우징 내 통로의 개구율을 조절하도록 팽창 가능한 탄성재질의 튜브와, 상기 튜브로 유체를 공급하는 액츄에이터를 포함한다.Exhaust unit according to the present invention for achieving the above object is to adjust the opening ratio of the exhaust line for exhausting the gas, the housing is installed on the exhaust line, the inside of the housing, and the passage in the housing An inflatable elastic tube and an actuator for supplying fluid to the tube.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 튜브는 상기 하우징의 내벽을 따라 환형으로 제공되고, 상기 액츄에이터는, 상기 튜브로 상기 유체를 공급하기 위해 상기 튜브와 연결되는 몸체를 포함한다.According to an embodiment of the invention, the tube is provided annularly along the inner wall of the housing, and the actuator includes a body connected with the tube for supplying the fluid to the tube.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 액츄에이터는, 상기 몸체의 내부에 설치되는 피스톤, 그리고 상기 피스톤을 상기 몸체 내부에서 이동시키는 구동기를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the actuator further includes a piston installed inside the body, and a driver for moving the piston inside the body.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 하우징의 직경은, 상기 배기라인의 직경보다 크다.According to an embodiment of the invention, the diameter of the housing is larger than the diameter of the exhaust line.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는 용기와, 공정시 상기 용기 내부에서 기판을 지지하는 척과, 공정시 상기 척에 의해 지지된 기판으로 처리유체를 분사하는 분사노즐과, 상기 용기 내 기체를 배기시키는 배기유닛을 포함하되,상기 배기유닛은, 기체를 배기시키는 배기라인과, 상기 배기라인 상에 설치되는 하우징과, 상기 하우징의 내부에 설치되는, 그리고 상기 하우징 내 통로의 개구율을 조절하도록 팽창 가능한 탄성재질의 튜브와, 상기 튜브로 유체를 공급하는 액츄에이터를 포함한다.A substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object is a container for providing a space for performing a process for processing a substrate, a chuck for supporting the substrate inside the container during the process, and supported by the chuck during the process A jet nozzle for injecting a processing fluid to a substrate, and an exhaust unit for exhausting the gas in the container, wherein the exhaust unit includes an exhaust line for exhausting the gas, a housing provided on the exhaust line, and a housing of the housing. And a tubular tube of elastic material installed therein and expandable to adjust the opening ratio of the passage in the housing, and an actuator for supplying fluid to the tube.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 튜브는, 상기 하우징의 내벽을 따라 환형으로 제공되고, 상기 액츄에이터는, 상기 튜브로 상기 유체를 공급하기 위해 상기 튜브와 연결되는 몸체를 포함한다.According to an embodiment of the invention, the tube is provided annularly along the inner wall of the housing, and the actuator includes a body connected with the tube for supplying the fluid to the tube.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 액츄에이터는, 상기 몸체의 내부에 설치되는 피스톤, 그리고 상기 피스톤을 상기 몸체 내부에서 이동시키는 구동기를 더 포 함한다.According to an embodiment of the present invention, the actuator further includes a piston installed inside the body, and a driver for moving the piston inside the body.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 하우징의 직경은, 상기 배기라인의 직경보다 크다.According to an embodiment of the invention, the diameter of the housing is larger than the diameter of the exhaust line.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배기량 조절방법은 기판을 처리하는 공정을 수행하는 장치에 연결되어 상기 장치 내 공기를 배기시키는 배기라인의 배기량을 조절하되, 상기 배기량의 조절은, 상기 배기라인의 내벽을 따라 환형으로 제공되는 튜브의 팽창 및 수축에 의해 이루어진다.The exhaust gas adjusting method according to the present invention for achieving the above object is connected to a device for performing a process for processing a substrate to adjust the exhaust amount of the exhaust line for exhausting the air in the device, the adjustment of the exhaust amount, the exhaust By expansion and contraction of the tube provided annularly along the inner wall of the line.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 튜브의 팽창 및 수축은, 상기 튜브로/로부터 유체를 공급 및 배출하여 이루어진다.According to an embodiment of the invention, expansion and contraction of the tube is achieved by supplying and discharging fluid to / from the tube.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 일 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 반도체 기판에 습식으로 처리하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, one embodiment introduced herein is provided so that the disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. In addition, in the present embodiment, the apparatus for wet processing the semiconductor substrate has been described as an example, but the present invention can be applied to any substrate processing apparatus for treating the substrate using the processing liquid.
(실시예)(Example)
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성들을 보여주는 도면이고, 도 3은 도 1에 도시된 배기부재의 구성들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 4는 도 3에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면을 보여주는 도면이다.2 is a view showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 3 is a view showing the configuration of the exhaust member shown in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는 공정유닛(process unit)(100) 및 배기유닛(exhaust unit)(200)을 포함한다. 공정유닛(100)은 기판(W)을 습식으로 처리하는 공정을 수행하고, 배기유닛(200)은 공정유닛(100)의 배기를 수행한다.2 to 4, the
공정유닛(100)은 용기(vessel)(110), 척(chuck)(120), 구동부(driving member)(130), 그리고 분사노즐(injection nozzle)(140)을 포함한다.The
용기(110)는 내부에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 용기(110)는 대체로 원통형상을 가진다. 용기(110)의 상부는 개방되며, 개방된 상부는 공정시 상기 공간으로 기판(W)이 이동되기 위한 통로로 사용된다. 용기(110)의 내측벽에는 상하로 적층되는 회수통들(112, 114, 116)이 구비된다. 회수통들(112, 114, 116) 각각은 공정시 기판(W)으로부터 비산되는 처리액을 회수한다. 회수통들(112, 114, 116)은 처리액을 유입시키는 개구가 상하로 적층되도록 구비된다.The
척(120)은 공정시 용기(110) 내부에서 기판(W)을 지지한다. 척(120)은 용기(110) 내부에서 회전가능하도록 설치된다. 척(120)에는 기판(W)을 고정시키는 고정수단이 제공된다. 고정수단으로는 기판(W)의 일부를 척킹(chucking)시키는 척킹핀들이 사용될 수 있다. 또한, 척(120)은 상하로 승강이 가능하도록 설치된다.The
구동부(130)는 척(120)을 구동한다. 즉, 구동부(130)는 공정시 척(120)을 회전시켜 척(120)에 의해 지지된 기판(W)을 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 또한, 구동부(130)는 공정시 회전되는 기판(W)으로부터 비산되는 처리액을 회수하고자 하는 회수통들(112, 114, 116) 중 어느 하나로 유입되도록 척(120)의 높이를 조절한다. The
분사노즐(140)은 공정시 척(120)에 의해 지지된 기판(W)의 처리면으로 처리유체를 분사한다. 분사노즐(140)은 적어도 하나가 구비된다. 분사노즐(140)이 복수개가 구비되는 경우에는 각각의 분사노즐들은 서로 상이한 처리유체를 분사한다. 처리유체로는 다양한 종류의 약액(chemical), 초순수(DIW:Deionized Water), 그리고 건조가스(dry gas)가 사용될 수 있다. 상기 약액으로는 포토레지스트(photoresist), 세정액, 그리고 식각액 등이 포함될 수 있다.The
배기유닛(200)은 공정유닛(100)의 배기를 수행한다. 배기유닛(200)은 배기라인(exhaust line)(210) 및 배기량 조절부재(displacement volume control member)(220)를 포함한다.The
배기라인(210)은 용기(110)와 연결된다. 배기라인(210)은 용기(110) 내 기체를 외부로 배출한다. 상기 기체에는 공정시 사용되는 약액으로부터 발생되는 흄(fume)이 포함된다. 즉, 공정유닛(100)에서 사용되는 약액으로는 산성 및 알칼리성의 케미칼들이 사용되므로, 이러한 케미칼들로부터 발생되는 유독성 흄들은 배기라인(210)을 통해 배기된다. 배기라인(210)은 각각의 회수통들(112, 114, 116) 내 공간과 통한다. 따라서, 배기라인(210)은 공정시 회수통들(112, 114, 116)로 회수된 처리액들로부터 발생되는 흄을 배기시킨다. 배기라인(210)의 배기량을 향상시키기 위해, 배기라인(210)에는 진공펌프(vacuum pump)(미도시됨)가 설치될 수 있다. 진공펌프는 배기라인(210)에 유동압을 제공하여, 공정시 배기라인(210)이 공정유닛(100) 내 기체를 강제로 흡입하도록 한다. The
배기량 조절부재(220)는 배기라인(210) 내부를 이동하는 기체의 유량을 조절하여 공정유닛(100)의 배기량을 조절한다. 배기량 조절부재(220)는 하우징(housing)(222), 튜브(tube)(224), 액츄에이터(actuator)(225)를 포함한다.The
하우징(222)은 배기라인(210) 상에 제공된다. 하우징(222)의 내부에는 튜브(224)가 설치되기 위한 공간이 제공된다. 하우징(222)은 링(ring) 형상을 가진다. 하우징(222)의 중앙에는 유체가 이동되기 위한 통로가 형성된다. 이때, 하우징(222)의 직경은 배기라인(210)의 직경보다 크다. 이는 튜브(224)의 수축시 하우징(222)에 설치되는 튜브(224)의 내측면(224a)이 배기라인(210)의 내측면(212)과 대체로 일치하도록 하여 배기라인(210)의 배기량을 최대화하기 위함이다.The
튜브(224)는 하우징(222)의 내벽을 따라 환형으로 설치된다. 튜브(224)는 팽창 및 수축 가능한 탄성 재질로 이루어진다. 튜브(224)의 팽창 및 수축에 의해 하우징(222) 내 통로의 개구율이 조절된다. 즉, 튜브(224)가 팽창되면 하우징(222) 내 통로의 개구율이 감소되고, 튜브(224)가 수축되면 하우징(222) 내 통로의 개구율이 증가한다. 본 실시예에서는 링 형상의 튜브(224)를 사용하여 배기라인(210)의 배기량을 조절하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 튜브(224)의 형상은 다양하게 변경 및 변형될 수 있다.The
액츄에이터(225)는 튜브(224)로 유체를 주입 및 배출시킨다. 상기 유체로는 다양한 종류의 액체가 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 유체로는 오일(oil)이 사용된 다. 또는, 선택적으로 상기 유체로는 기체가 사용될 수 있다. 액츄에이터(225)는 몸체(body)(226), 피스톤(piston)(228), 그리고 구동기(driving part)(229)를 포함한다.
몸체(226)는 내부에 유체가 저장되는 공간을 제공한다. 몸체(226)는 대체로 원통형상을 가진다. 몸체(226)의 일단은 하우징(222)에 설치되는 튜브(224) 내부와 통하도록 연결된다.The
피스톤(228)은 몸체(226)의 내부에 설치된다. 피스톤(228)은 몸체(226)의 길이방향을 따라 직선왕복 이동이 가능하도록 설치된다. 즉, 피스톤(228)은 튜브(224)를 팽창시키기 위한 위치(이하, '제1 위치'라 함)와 튜브(224)를 수축시키기 위한 위치(이하, '제2 위치'라 함) 상호간에 이동된다. The
구동기(229)는 피스톤(228)을 구동시킨다. 즉, 구동기(229)는 피스톤(228)을 제1 위치(a) 및 제2 위치(b) 상호간에 이동시킨다.The
이하, 상술한 기판 처리 장치(10)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the process of the
기판 처리 공정이 개시되면, 로봇암(robot arm)과 같은 기판 이송 장치(미도시됨)는 공정유닛(100)의 척(120)에 기판(W)을 안착시킨다. 척(120)에 기판(W)이 안착되면, 구동부(130)는 척(120)의 높이를 조절한 후 척(120)을 회전시킨다. 척(120)의 회전으로 인해 기판(W)은 기설정된 공정속도로 회전되고, 분사노즐(140)은 회전되는 기판(W)의 처리면 중앙으로 약액을 분사한다. 분사된 약액은 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 퍼져나간다. 그리고, 가장자리영역으로 이동되는 약액은 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)으로부터 비산되어 회수통들(112, 114, 116) 중 회수하고자 하는 회수통으로 회수된다.When the substrate treating process is started, a substrate transfer device (not shown) such as a robot arm mounts the substrate W on the
약액에 의한 기판(W)의 처리가 완료되면, 분사노즐(140)은 기판(W)의 처리면으로 초순수를 분사하여 기판(W) 표면에 잔류하는 약액을 린스한 후 건조가스를 분사하여 기판(W)을 건조한다. 건조 공정이 완료되면, 기판 이송 장치는 척(120)에 놓여진 기판(W)을 언로딩(unloading)한 후 후속공정이 수행되는 설비로 이송한다.When the processing of the substrate W by the chemical liquid is completed, the
상술한 공정이 수행되는 과정에서 배기유닛(200)은 공정유닛(100)의 배기를 수행한다. 특히, 세정 공정시 공정유닛(100)에서 사용되는 약액으로부터 발생되는 흄은 배기라인(210)을 통해 배출되며, 이때, 배기량 조절부재(220)는 배기라인(210)의 배기량을 조절한다. 배기량 조절부재(220)의 배기량 조절과정은 다음과 같다.In the process of performing the above-described process, the
배기라인(210)의 배기량을 증가시킬 경우에는 도 5a에 도시된 바와 같이, 구동기(229)는 피스톤(228)이 제2 위치(b)로부터 제1 위치(a)로 이동되도록 피스톤(228)을 구동한다. 피스톤(228)이 제1 위치(a)로 이동되면, 튜브(224) 내 유체가 몸체(226)로 배출되어 튜브(224)가 점차 수축된다. 튜브(224)가 수축되면, 하우징(222) 내 통로의 개구율이 증가되어 배기라인(210)의 배기량이 증가된다.When increasing the displacement of the
또한, 배기라인(210)의 배기량을 감소시킬 경우에는 도 5b에 도시된 바와 같이, 구동기(229)는 피스톤(228)이 제1 위치(a)로부터 제2 위치(b)로 이동되도록 피스톤(228)을 구동한다. 피스톤(228)이 제2 위치(b)로 이동되면, 몸체(226) 내 유체가 튜브(224)로 주입되어 튜브(224)가 점차 팽창된다. 튜브(224)가 팽창되면, 하우징(222) 내 통로의 개구율이 감소되어 배기라인(210)의 배기량이 감소된다. In addition, when reducing the displacement of the
상술한 본 발명에 따른 배기량 조절부재(220)는 배기라인(210) 상에 팽창 및 수축이 가능한 튜브(224)를 제공하여, 튜브(224)의 팽창 및 수축에 의해 배기라인(210)의 배기량을 조절한다. 이러한 구조의 배기량 조절부재(220)는 종래의 배기라인(1) 내부에 회전판(10a', 10b', 10b'')을 회전시켜 배기라인(1)의 배기량을 조절하는 방식에 비해, 배기되는 기체의 이동방향과 직접적으로 충돌되어 배기되는 기체의 유량을 조절하는 것이 아니므로, 배기되는 유체(흄)에 의한 오염을 감소시킨다.The above-described
또한, 본 발명에 따른 배기량 조절부재(220)는 배기되는 흄에 의해 튜브(224)가 오염되어도 배기량의 조절에는 문제가 발생되지 않는다. 즉, 배기되는 흄은 튜브(224)의 외부면에만 부착되므로, 튜브(224)의 팽창 및 수축 동작에는 문제를 발생시키지 않는다. 따라서, 본 발명은 배기되는 흄에 의해 배기량 조절부재(220)의 오동작이 발생하는 것을 방지한다.In addition, the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구 현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The foregoing embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, the use of other inventions, such as the present invention, the implementation in other states known in the art, and the specific fields of application and uses of the invention. Many changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 배기유닛 및 상기 배기유닛의 배기량 조절방법, 그리고 상기 배기유닛을 구비하는 기판 처리 장치는 튜브의 팽창 및 수축을 이용하여 배기라인의 배기량을 조절함으로써, 배기되는 흄으로 인한 오염에 따른 배기량 조절부재의 오동작을 방지하여 배기 효율을 향상시킨다.As described above, the exhaust unit according to the present invention, the method of adjusting the exhaust amount of the exhaust unit, and the substrate processing apparatus including the exhaust unit, the exhaust fume is exhausted by adjusting the exhaust amount of the exhaust line by using the expansion and contraction of the tube It prevents the malfunction of the displacement adjusting member due to the contamination caused by the air pollution, thereby improving the exhaust efficiency.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070020242A KR100883368B1 (en) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | Exhaust unit and method for controlling displacement volume of the exhaust unit, and apparatus for treating substrate with the exhaust unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070020242A KR100883368B1 (en) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | Exhaust unit and method for controlling displacement volume of the exhaust unit, and apparatus for treating substrate with the exhaust unit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080079795A KR20080079795A (en) | 2008-09-02 |
KR100883368B1 true KR100883368B1 (en) | 2009-02-12 |
Family
ID=40020585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070020242A KR100883368B1 (en) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | Exhaust unit and method for controlling displacement volume of the exhaust unit, and apparatus for treating substrate with the exhaust unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100883368B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102498912B1 (en) * | 2021-04-02 | 2023-02-10 | 주식회사 디엠에스 | Apparatus for providing chemical liquid |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060009773A (en) * | 2004-07-26 | 2006-02-01 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor manufacturing equipment having an exhaust controller |
KR20060019261A (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | Exhaust device for spin coater |
JP2006229062A (en) | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and its method |
-
2007
- 2007-02-28 KR KR1020070020242A patent/KR100883368B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060009773A (en) * | 2004-07-26 | 2006-02-01 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor manufacturing equipment having an exhaust controller |
KR20060019261A (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | Exhaust device for spin coater |
JP2006229062A (en) | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and its method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080079795A (en) | 2008-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101499412B (en) | Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method | |
KR100855129B1 (en) | Single peace type substrate cleaning method | |
US10682674B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR100887364B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TWI652754B (en) | Substrate processing device | |
KR20100028488A (en) | Method and apparatus for cleaning nozzle, and for preventing process liquid from drying in liquid processing | |
CN101689491A (en) | Apparatus and method for drying substrates | |
KR102297377B1 (en) | Substrate treating apparatus | |
WO2016117363A1 (en) | Substrate processing device | |
KR102454444B1 (en) | A substrate processing apparatus | |
JP4187540B2 (en) | Substrate processing method | |
JP2016167582A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR100797081B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR100883368B1 (en) | Exhaust unit and method for controlling displacement volume of the exhaust unit, and apparatus for treating substrate with the exhaust unit | |
KR100757848B1 (en) | Apparatus of treating a substrate in a single wafer type | |
KR20080009838A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR101460272B1 (en) | Nozzle assembly, substrate treating apparatus including the assembly, and substrate treating method using the assembly | |
JP6215748B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR20080030203A (en) | Apparatus and method for cleaning substrates | |
JP2009032901A (en) | Substrate processing apparatus | |
KR102357841B1 (en) | Substrate transfer apparatus | |
KR100831989B1 (en) | Apparatus for treating substrates | |
JP2023117776A (en) | Substrate processing apparatus, and method for cleaning processing cup | |
KR100809591B1 (en) | Method for cleaning substrate in single wafer | |
KR100794586B1 (en) | Apparatus for treating substrates and method for drying substrates |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130204 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140204 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150206 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160202 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170207 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180202 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190207 Year of fee payment: 11 |