JP2023117776A - Substrate processing apparatus, and method for cleaning processing cup - Google Patents

Abstract

To provide a substrate processing apparatus including a cup cleaning configuration that can efficiently clean the entire circumference of the cup by a small number of cleaning nozzles.SOLUTION: A processing unit 5 has a rotary holding member 15 that rotates the substrate W around a predetermined rotation axis A1 while holding the substrate W, a cylindrical processing cup 16 that surrounds the rotary holding member 15, and a cup cleaning nozzle 28 that is installed below the rotary holding member 15 and injects cleaning solution in a fan shape toward the processing cup 16 in plan view. A plurality of cup cleaning nozzles 28 are arranged at a predetermined distance in the radial direction from the rotation axis A1 and at equal intervals in the circumferential direction around the rotation axis A1. Each of the cup cleaning nozzles 28 has the center of the cleaning solution jet facing a predetermined angle in the circumferential direction with respect to the radial direction.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。また、この発明は、基板処理装置における処理カップの洗浄方法を提供する。基板処理装置による処理の対象となる基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置及び有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing substrates. The present invention also provides a method of cleaning a processing cup in a substrate processing apparatus. Substrates to be processed by the substrate processing apparatus include, for example, semiconductor wafers, substrates for FPD (Flat Panel Display) such as liquid crystal display devices and organic EL (Electroluminescence) display devices, optical disk substrates, magnetic disk substrates, optical Substrates for magnetic disks, substrates for photomasks, ceramic substrates, substrates for solar cells, etc. are included.

下記特許文献１には、基板処理装置において、スピンベースの側面に洗浄液の吐出口が設けられており、カップを洗浄する構成が開示されている。 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-200001 discloses a configuration in which a spin base is provided with a discharge port for a cleaning liquid on the side surface of a substrate processing apparatus, and a cup is cleaned.

下記特許文献２には、基板処理装置において、スピンベースの下方に洗浄ノズルが設けられており、斜め上方へ向けて洗浄液を噴射して回収カップの内周面を洗浄する構成が開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200002 discloses a configuration in which a cleaning nozzle is provided below a spin base in a substrate processing apparatus, and a cleaning liquid is sprayed obliquely upward to clean the inner peripheral surface of a recovery cup. .

下記特許文献３には、基板処理装置において、円板状のカップ洗浄部材に複数の孔が設けられており、孔を通してカップが洗浄される構成が開示されている。 Patent Literature 3 listed below discloses a substrate processing apparatus in which a disk-shaped cup cleaning member is provided with a plurality of holes, and the cup is cleaned through the holes.

特開２０２１－４４４９４号公報JP 2021-44494 A 特開２０１５－５６４３１号公報JP 2015-56431 A 特開２０１７－９２２４４号公報JP 2017-92244 A

特許文献１～３に記載のカップの洗浄構造は、洗浄液の吐出口からカップまでの距離が短い。このため、特許文献１の構成では、カップの全周を洗浄するためにはスピンベースを回転させなければならない。また、特許文献２及び３の構成では、カップの全周を洗浄するためには数多くのノズル又は吐出口が必要になる。 In the cup cleaning structures described in Patent Documents 1 to 3, the distance from the ejection port of the cleaning liquid to the cup is short. Therefore, in the configuration of Patent Document 1, the spin base must be rotated in order to clean the entire circumference of the cup. Moreover, in the configurations of Patent Documents 2 and 3, a large number of nozzles or discharge ports are required to clean the entire circumference of the cup.

そこで、この発明の１つの目的は、少ない数の洗浄ノズルによって効率的にカップの全周を洗浄できるカップ洗浄構成を含む基板処理装置、および基板処理装置における処理カップの洗浄方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, one object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus including a cup cleaning structure capable of efficiently cleaning the entire circumference of the cup with a small number of cleaning nozzles, and a method of cleaning the processing cup in the substrate processing apparatus. be.

この発明の一実施形態は、基板を処理する基板処理装置であって、基板を保持しながら所定の回転軸線まわりに前記基板を回転させる回転保持部材と、前記回転保持部材を取り囲む筒状の処理カップと、前記回転保持部材の下方に設けられ、平面視において、前記処理カップに向けて洗浄液を扇形状に噴射するカップ洗浄ノズルとを備え、前記カップ洗浄ノズルは、前記回転軸線から半径方向に所定距離を隔てた位置において、前記回転軸線まわりの周方向に等しい間隔を空けて複数個が配置されており、各前記カップ洗浄ノズルは、洗浄液の噴射中心が、前記半径方向に対して前記周方向に所定角度振った方向を向いている、基板処理装置を提供する。 One embodiment of the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising a rotating holding member for rotating the substrate around a predetermined rotation axis while holding the substrate, and a cylindrical processing device surrounding the rotating holding member. a cup; and a cup cleaning nozzle provided below the rotation holding member and ejecting cleaning liquid in a fan shape toward the processing cup in a plan view, the cup cleaning nozzle extending radially from the rotation axis. A plurality of cup cleaning nozzles are arranged at equal intervals in the circumferential direction around the rotation axis at positions spaced apart by a predetermined distance, and each of the cup cleaning nozzles has a cleaning liquid injection center that is located in the circumferential direction with respect to the radial direction. To provide a substrate processing apparatus facing in a direction swayed at a predetermined angle.

この基板処理装置によれば、カップ洗浄ノズルは、平面視において、処理カップに向けて洗浄液を扇形状に噴射するので、処理カップの内面を比較的広範囲に洗浄できる。また、複数個のカップ洗浄ノズルが、回転保持部材の下方において、周方向に等しい間隔を空けて配置されているから、処理カップの内周面全体を隙間なく洗浄するように設計できる。その際に、平面視において、各カップ洗浄ノズルの噴射中心を、半径方向に対して周方向に所定角度振った方向に向けることにより、１つのカップ洗浄ノズルによる噴射範囲、言い換えれば１つのカップ洗浄ノズルによる処理カップ内周面の洗浄範囲が広がる。よって、相対的に少ない数のカップ洗浄ノズルによって、処理カップ内周面の全体を隙間なく洗浄できる構成となる。 According to this substrate processing apparatus, the cup cleaning nozzle jets the cleaning liquid in a fan shape toward the processing cup in plan view, so that the inner surface of the processing cup can be cleaned in a relatively wide range. In addition, since a plurality of cup cleaning nozzles are arranged at equal intervals in the circumferential direction below the rotary holding member, it can be designed to clean the entire inner peripheral surface of the processing cup without gaps. At this time, in plan view, by orienting the injection center of each cup cleaning nozzle in a direction that is swayed by a predetermined angle in the circumferential direction with respect to the radial direction, the injection range by one cup cleaning nozzle, in other words, one cup cleaning The cleaning range of the inner peripheral surface of the processing cup by the nozzle is widened. Therefore, a relatively small number of cup cleaning nozzles can clean the entire inner peripheral surface of the processing cup without gaps.

この基板処理装置の処理カップは、回転保持部材によって回転される基板から外方に飛散する液体を受け止める筒状ガードと、筒状ガードによって受け止められて下方へ案内される液体が溜まるカップとを含んでいてもよい。この場合、複数のカップ洗浄ノズルは、それぞれ、筒状ガードの内周面と一定の間隔を空けて対向（たとえば水平方向に対向）していることが望ましい。そうすれば、筒状ガードの内周面を周方向に隙間なく洗浄でき、洗浄液は筒状ガードの内面を伝って下方へ流れ、カップに受け止められるから、筒状ガードの内周面を効率良く洗浄できる。 The processing cup of this substrate processing apparatus includes a cylindrical guard for receiving the liquid splashing outward from the substrate rotated by the rotary holding member, and a cup for storing the liquid received and guided downward by the cylindrical guard. You can stay. In this case, it is desirable that each of the plurality of cup cleaning nozzles faces (for example, horizontally faces) the inner peripheral surface of the cylindrical guard with a certain gap therebetween. By doing so, the inner peripheral surface of the cylindrical guard can be cleaned without gaps in the circumferential direction, and the cleaning liquid flows downward along the inner surface of the cylindrical guard and is received by the cup, so that the inner peripheral surface of the cylindrical guard can be efficiently cleaned. Can be washed.

この基板処理装置のカップ洗浄ノズルは、平面視において所定の角度に拡がる扇形噴射を行い、側面視においてほぼ水平方向の直線状噴射を行うノズル、すなわち、水平面に沿って扇形に広がる扁平な噴射プロファイルを有するノズルであってもよい。このようなノズルを採用すると、相対的に少ない洗浄液を用いて、処理カップ（筒状ガード）の内周面を隙間なく洗浄できる。 The cup cleaning nozzle of this substrate processing apparatus performs a fan-shaped jet that spreads at a predetermined angle in a plan view, and a nozzle that performs a substantially horizontal linear jet in a side view. may be a nozzle having By adopting such a nozzle, it is possible to clean the inner peripheral surface of the processing cup (cylindrical guard) with a relatively small amount of cleaning liquid.

この基板処理装置の前記カップ洗浄ノズルの前記周方向に振った前記所定角度θは、１０°≦θ≦３０°であるのが好ましい。試作品において検証評価したところ、１０°≦θ≦３０°であれば、処理カップ（筒状ガード）の内周面を隙間なく洗浄できることが確認できたからである。 It is preferable that the predetermined angle θ of the cup cleaning nozzle of this substrate processing apparatus swung in the circumferential direction satisfies 10°≦θ≦30°. This is because, as a result of verifying and evaluating a prototype, it was confirmed that the inner peripheral surface of the processing cup (cylindrical guard) can be cleaned without gaps if 10°≦θ≦30°.

また、カップ洗浄ノズルは、７個設けられていてもよい。カップ洗浄ノズルを７個にした場合、各カップ洗浄ノズルの洗浄範囲が適切で、かつ、洗浄液の噴射強さも適切である。 Also, seven cup cleaning nozzles may be provided. When the number of cup cleaning nozzles is seven, the cleaning range of each cup cleaning nozzle is appropriate, and the spray strength of the cleaning liquid is also appropriate.

さらに、カップ洗浄ノズルが噴射する前記洗浄液は、ＤＩＷ（Deionized Water：脱イオン水）であってもよい。ＤＩＷを用いると、特に、ＶＯＣ(Volatile Organic Compounds：揮発性有機化合物)を処理カップ（筒状ガード）の内面から洗い流すのに効果的であり、処理カップ内のＶＯＣ濃度の低減を達成することができる。 Further, the cleaning liquid injected by the cup cleaning nozzle may be DIW (Deionized Water). The use of DIW is particularly effective in washing VOCs (Volatile Organic Compounds) from the inner surface of the processing cup (cylindrical guard), achieving a reduction in VOC concentration within the processing cup. can.

この発明の別の実施形態としての処理カップの洗浄方法は、ＶＯＣを用いたＶＯＣ処理工程を行い、その後に基板の乾燥処理工程を行う際に、当該乾燥処理工程と並行して、前記カップ洗浄ノズルを用いて前記処理カップの洗浄を行う。 According to another embodiment of the present invention, there is provided a method for cleaning a processing cup, in which a VOC processing step using a VOC is performed, and then a substrate drying processing step is performed. A nozzle is used to clean the processing cup.

この実施形態のように、ＶＯＣ処理工程後の基板乾燥処理工程と並行してカップ洗浄処理工程を行うことにより、基板終了時点の排気中のＶＯＣ濃度の低減を図れる効果がある。 As in this embodiment, by performing the cup cleaning process in parallel with the substrate drying process after the VOC process, there is an effect of reducing the VOC concentration in the exhaust gas when the substrate is finished.

図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部構成を示す図解的な平面図である。FIG. 1 is an illustrative plan view showing the internal configuration of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線から見た図解的な縦断面図である。FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view seen from line II-II of FIG. 図３は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。FIG. 3 is an illustrative cross-sectional view for explaining a configuration example of a processing unit provided in the substrate processing apparatus. 図４は、カップ洗浄ノズルの配置構造を説明するための模式的な平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view for explaining the arrangement structure of the cup cleaning nozzles. 図５は、１つのカップ洗浄ノズルから噴射される洗浄液の噴射方向を側面視で表わす模式的な図である。FIG. 5 is a schematic side view showing the ejection direction of the cleaning liquid ejected from one cup cleaning nozzle. 図６は、１つのカップ洗浄ノズルから噴射される洗浄液の噴射方向を平面視で表わす模式的な図である。FIG. 6 is a schematic plan view showing the ejection direction of the cleaning liquid ejected from one cup cleaning nozzle. 図７は、基板処理装置の主要部の電気的構成を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing the electrical configuration of the main part of the substrate processing apparatus. 図８は、基板処理装置による基板処理の一例を説明するための流れ図である。FIG. 8 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the substrate processing apparatus. 図９は、図８に示す各処理工程において主として利用される筒状ガード、排液経路及び排気経路を一覧で表わした図表である。FIG. 9 is a table showing a list of cylindrical guards, drainage paths, and exhaust paths that are mainly used in each processing step shown in FIG.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部構成を示す図解的な平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線から見た図解的な縦断面図である。 FIG. 1 is an illustrative plan view showing the internal configuration of a substrate processing apparatus 1 according to one embodiment of the invention. FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view seen from line II-II of FIG.

基板処理装置１は、インデクサブロック２と、インデクサブロック２の横方向（水平方向）に隣接された処理ブロック３と、基板処理装置１を制御するコントローラ４（後述する図７を参照）とを含む。 The substrate processing apparatus 1 includes an indexer block 2, a processing block 3 laterally (horizontally) adjacent to the indexer block 2, and a controller 4 (see FIG. 7 described later) for controlling the substrate processing apparatus 1. .

インデクサブロック２は、複数（この実施形態では４個）のロードポートＬＰと、インデクサロボットＩＲとを含む。 The indexer block 2 includes multiple (four in this embodiment) load ports LP and an indexer robot IR.

ロードポートＬＰは、水平方向に沿って配列されている。各ロードポートＬＰは、一つのキャリヤＣＡを保持できるように構成されている。キャリヤＣＡは、処理対象の基板Ｗを収容する基板収容器である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハである。 The load ports LP are arranged horizontally. Each load port LP is configured to hold one carrier CA. The carrier CA is a substrate container that accommodates substrates W to be processed. The substrate W is, for example, a semiconductor wafer.

インデクサロボットＩＲは、複数のロードポートＬＰにそれぞれ保持されるキャリヤＣＡにアクセスして、基板Ｗを搬入／搬出し、処理ブロック３との間で基板Ｗを搬送できるように構成されている。この実施形態では、インデクサロボットＩＲは、多関節アームを備えた多関節アームロボットである。 The indexer robot IR is configured to be able to access the carriers CA held by the plurality of load ports LP, load/unload the substrates W, and transport the substrates W to and from the processing block 3 . In this embodiment, the indexer robot IR is an articulated arm robot with an articulated arm.

処理ブロック３は、複数（この実施形態では、２４個）の処理ユニット５と、複数の基板載置部６（第１基板載置部６Ｕ及び第２基板載置部６Ｌ）と、複数の主搬送ロボットＣＲ（第１主搬送ロボットＣＲＵ及び第２主搬送ロボットＣＲＬ）とを含む。 The processing block 3 includes a plurality (24 in this embodiment) of processing units 5, a plurality of substrate platforms 6 (a first substrate platform 6U and a second substrate platform 6L), and a plurality of main units. and a transport robot CR (first main transport robot CRU and second main transport robot CRL).

複数の処理ユニット５は、それぞれ、基板Ｗに対して処理を行う。この実施形態では、各処理ユニット５は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型処理ユニットである。 A plurality of processing units 5 perform processing on substrates W, respectively. In this embodiment, each processing unit 5 is a single wafer processing unit that processes substrates W one by one.

複数の処理ユニット５は、複数の主搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬送される搬送空間８に沿って当該搬送空間８の両側に配列され、搬送空間８に臨んでいる。搬送空間８は、平面視において、インデクサブロック２から離れる方向に直線的に延びている。 A plurality of processing units 5 are arranged on both sides of a transport space 8 in which substrates W are transported by a plurality of main transport robots CR, and face the transport space 8 . The transfer space 8 linearly extends in a direction away from the indexer block 2 in plan view.

複数の処理ユニット５は、複数（この実施形態では、４個）の処理タワーＴＷを構成している。平面視において搬送空間８の両側方のそれぞれには、複数（この実施形態では、２個）の処理タワーＴＷが配置されている。各処理タワーＴＷは、上下方向に積層された複数段（この実施形態では６段）の処理ユニット５を含む。この実施形態では、２４個の処理ユニット５が４つの処理タワーＴＷに６個ずつ分かれて配置されている。全ての処理ユニット５は、搬送空間８に臨む位置に基板搬出／搬入口５ａを有している。 The multiple processing units 5 constitute multiple (four in this embodiment) processing towers TW. A plurality of (two in this embodiment) processing towers TW are arranged on each side of the transfer space 8 in plan view. Each processing tower TW includes a plurality of stages (six stages in this embodiment) of processing units 5 stacked vertically. In this embodiment, 24 processing units 5 are arranged in 4 processing towers TW with 6 units each. All the processing units 5 have a substrate carry-out/carry-in port 5 a at a position facing the transfer space 8 .

各処理タワーＴＷの側方には、流体供給部９及び排気部１０が配置されている。流体供給部９は、処理タワーＴＷを構成する複数の処理ユニット５で用いられる処理流体を供給するための配管類や、配管内の流体を送るためのポンプ類を収容する。排気部１０は、処理タワーＴＷを構成する複数の処理ユニット５の内部の雰囲気を排気するための配管類を収容する。 A fluid supply unit 9 and an exhaust unit 10 are arranged on the side of each processing tower TW. The fluid supply section 9 accommodates pipes for supplying the processing fluid used in the plurality of processing units 5 constituting the processing tower TW, and pumps for sending the fluid in the pipes. The exhaust part 10 accommodates pipes for exhausting the atmosphere inside the plurality of processing units 5 constituting the processing tower TW.

処理流体は、基板処理装置１で使用される液体（処理液）や気体のことである。処理液としては後述する薬液、リンス液、洗浄液等が挙げられる。 The processing fluid is liquid (processing liquid) or gas used in the substrate processing apparatus 1 . Examples of the treatment liquid include chemical liquids, rinse liquids, cleaning liquids, and the like, which will be described later.

排気部１０には、平面視において、対応する処理タワーＴＷを構成する複数の処理ユニット５からの排気を基板処理装置１外の排気設備に導くための排気配管１１が収容されている。排気配管１１は、酸排気用、アルカリ排気用及び揮発性有機化合物排気用の３つが設けられている。排気部１０は、さらに、処理ユニット５内での処理の種類（より具体的には処理液の種類）に応じて、３つの排気配管１１を切り換える切り換え機構１２が併せて収容されている。図示は省略するが、排気部１０には、切り換え機構１２を駆動するアクチュエータ類が収容されていてもよい。 The exhaust part 10 accommodates an exhaust pipe 11 for guiding the exhaust from the plurality of processing units 5 constituting the corresponding processing tower TW to an exhaust facility outside the substrate processing apparatus 1 in plan view. Three exhaust pipes 11 are provided for acid exhaust, alkali exhaust, and volatile organic compound exhaust. The exhaust unit 10 further accommodates a switching mechanism 12 for switching the three exhaust pipes 11 according to the type of processing (more specifically, the type of processing liquid) in the processing unit 5 . Although not shown, the exhaust section 10 may accommodate actuators for driving the switching mechanism 12 .

複数の処理ユニット５は、下層の処理ユニット５又は上層の処理ユニット５に分類される。この実施形態では、下側３段の処理ユニット５が下層の処理ユニット５であり、上側３段の処理ユニット５が上層の処理ユニット５である。 The plurality of processing units 5 are classified into lower layer processing units 5 or upper layer processing units 5 . In this embodiment, the processing units 5 in the lower three stages are the processing units 5 in the lower layer, and the processing units 5 in the upper three stages are the processing units 5 in the upper layer.

第１基板載置部６Ｕ及び第２基板載置部６Ｌは、上下方向に並んで配置されている。第１主搬送ロボットＣＲＵ及び第２主搬送ロボットＣＲＬは、搬送空間８において上下方向に並んで配置されている。 The first substrate platform 6U and the second substrate platform 6L are arranged side by side in the vertical direction. The first main transport robot CRU and the second main transport robot CRL are arranged vertically side by side in the transport space 8 .

第１基板載置部６Ｕは、インデクサロボットＩＲと第１主搬送ロボットＣＲＵとの間で受け渡しされる基板Ｗを一時保持する。第２基板載置部６Ｌは、インデクサロボットＩＲと第２主搬送ロボットＣＲＬとの間で受け渡しされる基板Ｗを一時保持する。 The first substrate platform 6U temporarily holds substrates W transferred between the indexer robot IR and the first main transfer robot CRU. The second substrate platform 6L temporarily holds substrates W transferred between the indexer robot IR and the second main transfer robot CRL.

第１主搬送ロボットＣＲＵは、第１基板載置部６Ｕと上層の処理ユニット５との間で基板Ｗを搬送する。第２主搬送ロボットＣＲＬは、第２基板載置部６Ｌと下層の処理ユニット５との間で基板Ｗを搬送する。 The first main transport robot CRU transports the substrate W between the first substrate platform 6U and the processing unit 5 in the upper layer. The second main transport robot CRL transports the substrate W between the second substrate platform 6L and the underlying processing unit 5 .

処理ユニット５は、基板Ｗを水平に保持しながら回転軸線Ａ１（鉛直軸線）まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１５と、平面視でスピンチャック１５を取り囲む処理カップ１６と、スピンチャック１５及び処理カップ１６を収容する処理チャンバ１７とを含む。回転軸線Ａ１は、基板Ｗの中央部を通る鉛直な直線である。スピンチャック１５は、回転保持部材の一例である。 The processing unit 5 includes a spin chuck 15 that horizontally holds the substrate W and rotates the substrate W around a rotation axis A1 (vertical axis), a processing cup 16 that surrounds the spin chuck 15 in a plan view, a spin chuck 15 and a processing cup. and a processing chamber 17 containing a cup 16 . The rotation axis A1 is a vertical straight line passing through the central portion of the substrate W. As shown in FIG. The spin chuck 15 is an example of a rotation holding member.

処理チャンバ１７は、下壁１７Ａ、複数（この実施形態では４個）の側壁１７Ｂ及び上壁１７Ｃ（後述する図３を参照）を含んでおり、これらによって、処理チャンバ１７の内部空間１０１が区画されている。基板搬出／搬入口５ａは、処理チャンバ１７の側壁１７Ｂに形成されている。 The processing chamber 17 includes a bottom wall 17A, a plurality (four in this embodiment) of side walls 17B and a top wall 17C (see FIG. 3 described below), which define an interior space 101 of the processing chamber 17. It is A substrate unloading/loading port 5 a is formed in a side wall 17 B of the processing chamber 17 .

図３は、処理ユニット５の構成例を説明するための図解的な断面図である。 FIG. 3 is an illustrative cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 5. As shown in FIG.

スピンチャック１５は、複数のチャックピン２０と、スピンベース２１と、回転軸２２と、スピンモータ２３とを含む。 The spin chuck 15 includes multiple chuck pins 20 , a spin base 21 , a rotating shaft 22 and a spin motor 23 .

スピンベース２１は、水平方向に沿う円板形状を有している。スピンベース２１は、平面視において基板Ｗよりも大径の円形状を有する。スピンベース２１の上面には、基板Ｗの周縁を把持する複数のチャックピン２０が、スピンベース２１の周方向に間隔を空けて配置されている。チャックピン２０は、把持ピンともいう。 The spin base 21 has a disk shape along the horizontal direction. The spin base 21 has a circular shape with a larger diameter than the substrate W in plan view. A plurality of chuck pins 20 for gripping the peripheral edge of the substrate W are arranged on the upper surface of the spin base 21 at intervals in the circumferential direction of the spin base 21 . The chuck pins 20 are also called gripping pins.

スピンベース２１及び複数のチャックピン２０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持ユニットを構成している。基板保持ユニットは、基板ホルダともいう。 The spin base 21 and the plurality of chuck pins 20 constitute a substrate holding unit that holds the substrate W horizontally. A substrate holding unit is also called a substrate holder.

回転軸２２は、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。回転軸２２の上端部は、スピンベース２１の下面中央に結合されている。スピンモータ２３は、回転軸２２に回転力を与える。スピンモータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、スピンベース２１が回転される。これにより、基板Ｗが回転軸線Ａ１のまわりに回転される。スピンモータ２３は、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる基板回転ユニットの一例である。この実施形態では、基板保持ユニット及び基板回転ユニットによって回転保持部材が実現されている。 The rotation shaft 22 extends vertically along the rotation axis A1. The upper end of the rotating shaft 22 is connected to the center of the lower surface of the spin base 21 . The spin motor 23 applies rotational force to the rotating shaft 22 . As the rotating shaft 22 is rotated by the spin motor 23, the spin base 21 is rotated. Thereby, the substrate W is rotated around the rotation axis A1. The spin motor 23 is an example of a substrate rotation unit that rotates the substrate W around the rotation axis A1. In this embodiment, the rotation holding member is implemented by the substrate holding unit and the substrate rotation unit.

処理ユニット５は、複数の処理液ノズル３０、及び、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２６を含む。複数の処理液ノズル３０は、処理チャンバ１７に収容されている。 The processing unit 5 includes a plurality of processing liquid nozzles 30 and an FFU (Fan Filter Unit) 26 . A plurality of processing liquid nozzles 30 are housed in the processing chamber 17 .

ＦＦＵ２６は、処理チャンバ１７の上壁１７Ｃに設けられた開口１７ａに取り付けられており、清浄空気を処理チャンバ１７内に送る送風ユニットの一例である。ＦＦＵ２６は、処理チャンバ１７外から処理チャンバ１７内に向かう気流を発生させるファン（図示せず）と、気流中に含まれる異物を除去するためのフィルタ（図示せず）と、ファンを駆動させるモータ等のアクチュエータ（図示せず）とを含む。 The FFU 26 is attached to an opening 17 a provided in the upper wall 17 C of the processing chamber 17 and is an example of a blower unit that sends clean air into the processing chamber 17 . The FFU 26 includes a fan (not shown) that generates airflow from outside the processing chamber 17 into the processing chamber 17, a filter (not shown) that removes foreign matter contained in the airflow, and a motor that drives the fan. and actuators (not shown).

各処理液ノズル３０は、スピンチャック１５に保持されている基板Ｗに液体を供給する液体供給部材の一例である。複数の処理液ノズル３０には、基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する薬液ノズル３１、３４と、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する上側リンス液ノズル３２と、基板Ｗの下面に向けてリンス液を吐出する下側リンス液ノズル３３と、基板Ｗの上面に向けてＩＰＡ（Isopropyl Alcohol）を吐出するＩＰＡノズル３５とが含まれる。ＩＰＡは、ＶＯＣ(Volatile Organic Compounds：揮発性有機化合物)の一例である。 Each processing liquid nozzle 30 is an example of a liquid supply member that supplies liquid to the substrate W held by the spin chuck 15 . The plurality of processing liquid nozzles 30 includes chemical liquid nozzles 31 and 34 that discharge the chemical liquid toward the upper surface of the substrate W, an upper rinse liquid nozzle 32 that discharges the rinse liquid toward the upper surface of the substrate W, and the lower surface of the substrate W. and an IPA nozzle 35 for discharging IPA (Isopropyl Alcohol) toward the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. IPA is an example of VOCs (Volatile Organic Compounds).

薬液ノズル３１は、薬液ノズル３１に薬液を案内する薬液配管４１に接続されている。薬液配管４１には、その流路を開閉する薬液バルブ５１と、薬液ノズル３１に薬液を送る薬液ポンプ６１とが介装されている。薬液バルブ５１が開かれると、薬液ノズル３１から下方に連続流で薬液が吐出される。 The chemical liquid nozzle 31 is connected to a chemical liquid pipe 41 that guides the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 31 . A chemical valve 51 for opening and closing the flow path and a chemical pump 61 for sending the chemical to the chemical liquid nozzle 31 are interposed in the chemical liquid pipe 41 . When the chemical liquid valve 51 is opened, the chemical liquid is discharged downward from the chemical liquid nozzle 31 in a continuous flow.

この実施形態では、薬液ノズル３１は、第１ノズル移動ユニット７１によって水平方向及び鉛直方向に移動される移動ノズルである。薬液ノズル３１は、中央位置とホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動するように構成されている。薬液ノズル３１が中央位置に位置するときに薬液バルブ５１が開かれると、薬液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。 In this embodiment, the chemical liquid nozzle 31 is a moving nozzle moved horizontally and vertically by the first nozzle moving unit 71 . The chemical liquid nozzle 31 is configured to horizontally move between a central position and a home position (retracted position). When the chemical liquid valve 51 is opened when the chemical liquid nozzle 31 is positioned at the central position, the chemical liquid is supplied to the central region of the upper surface of the substrate W. As shown in FIG.

第１ノズル移動ユニット７１は、薬液ノズル３１に結合されて水平に延びるアーム７１Ａと、アーム７１Ａに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸７１Ｂと、回動軸７１Ｂを回動及び昇降させる回動軸駆動ユニット７１Ｃとを含んでいてもよい。 The first nozzle moving unit 71 includes an arm 71A coupled to the liquid medicine nozzle 31 and extending horizontally, a rotating shaft 71B coupled to the arm 71A and extending along the vertical direction, and a rotating shaft 71B for rotating and raising and lowering the rotating shaft 71B. 71 C of driving shaft drive units may be included.

回動軸駆動ユニット７１Ｃは、鉛直方向に延びる回動軸線Ａ２まわりに回動軸７１Ｂを回動させることによってアーム７１Ａを揺動させる駆動モータ（図示せず）と、回動軸７１Ｂを鉛直方向に沿って昇降させることにより、アーム７１Ａを昇降させるアームリフタ（図示せず）とを含む。アームリフタは、例えば、ボールねじ機構又はラックアンドピニオン機構である。 The rotary shaft drive unit 71C includes a drive motor (not shown) that swings the arm 71A by rotating the rotary shaft 71B around a vertical rotary axis A2, and a drive motor (not shown) that rotates the rotary shaft 71B in the vertical direction. and an arm lifter (not shown) that raises and lowers the arm 71A by raising and lowering the arm 71A. The arm lifter is, for example, a ball screw mechanism or a rack and pinion mechanism.

薬液ノズル３１は、この実施形態とは異なり、水平方向及び鉛直方向に位置が固定された固定ノズルであってもよい。 Unlike this embodiment, the chemical liquid nozzle 31 may be a fixed nozzle whose position is fixed in the horizontal direction and the vertical direction.

薬液ノズル３１から吐出される薬液は、この実施形態では、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、蓚酸等）等の酸性液が挙げられる。これらの薬液は、単一種の薬液として用いられてもよく、それらの混合液が用いられてもよい。混合液の例としては、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）が挙げられる。 In this embodiment, the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 31 includes acidic liquids such as sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, hydrogen peroxide, and organic acids (eg, citric acid, oxalic acid, etc.). These chemical solutions may be used as a single type of chemical solution, or a mixed solution thereof may be used. An example of the mixed solution is SPM (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture).

薬液ノズル３４は、薬液ノズル３４に薬液を案内する薬液配管４７に接続されている。薬液配管４７には、その流路を開閉する薬液バルブ５７と、薬液ノズル３４に薬液を送る薬液ポンプ６７とが介装されている。薬液バルブ５７が開かれると、薬液ノズル３４から下方に連続流で薬液が吐出される。 The chemical liquid nozzle 34 is connected to a chemical liquid pipe 47 that guides the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 34 . A chemical valve 57 that opens and closes the flow path of the chemical liquid pipe 47 and a chemical liquid pump 67 that sends the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 34 are interposed in the chemical liquid pipe 47 . When the chemical liquid valve 57 is opened, the chemical liquid is discharged downward from the chemical liquid nozzle 34 in a continuous flow.

この実施形態では、薬液ノズル３４は、第３ノズル移動ユニット７４によって水平方向及び鉛直方向に移動される移動ノズルである。薬液ノズル３４は、中央位置とホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動するように構成されている。薬液ノズル３４が中央位置に位置するときに薬液バルブ５７が開かれると、薬液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。 In this embodiment, the chemical liquid nozzle 34 is a moving nozzle moved horizontally and vertically by the third nozzle moving unit 74 . The chemical nozzle 34 is configured to horizontally move between a central position and a home position (retracted position). When the chemical liquid valve 57 is opened when the chemical liquid nozzle 34 is positioned at the central position, the chemical liquid is supplied to the central region of the upper surface of the substrate W. As shown in FIG.

第３ノズル移動ユニット７４は、薬液ノズル３４に結合されて水平に延びるアーム７４Ａと、アーム７４Ａに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸７４Ｂと、回動軸７４Ｂを回動及び昇降させる回動軸駆動ユニット７４Ｃとを含んでいてもよい。 The third nozzle moving unit 74 includes an arm 74A coupled to the liquid medicine nozzle 34 and extending horizontally, a rotating shaft 74B coupled to the arm 74A and extending along the vertical direction, and a rotating shaft 74B for rotating and raising and lowering the rotating shaft 74B. A drive shaft drive unit 74C may also be included.

回動軸駆動ユニット７４Ｃは、鉛直方向に延びる回動軸線Ａ４まわりに回動軸７４Ｂを回動させることによってアーム７４Ａを揺動させる駆動モータ（図示せず）と、回動軸７４Ｂを鉛直方向に沿って昇降させることにより、アーム７４Ａを昇降させるアームリフタ（図示せず）とを含む。アームリフタは、例えば、ボールねじ機構又はラックアンドピニオン機構である。 The rotary shaft drive unit 74C includes a drive motor (not shown) that swings the arm 74A by rotating the rotary shaft 74B around a vertical rotary axis A4, and a drive motor (not shown) that rotates the rotary shaft 74B in the vertical direction. and an arm lifter (not shown) that raises and lowers the arm 74A by raising and lowering the arm 74A. The arm lifter is, for example, a ball screw mechanism or a rack and pinion mechanism.

薬液ノズル３４は、この実施形態とは異なり、水平方向及び鉛直方向に位置が固定された固定ノズルであってもよい。 Unlike this embodiment, the chemical liquid nozzle 34 may be a fixed nozzle whose position is fixed in the horizontal direction and the vertical direction.

薬液ノズル３４から吐出される薬液は、この実施形態では、アンモニア水、過酸化水素水、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等）等のアルカリ性液が挙げられる。これらの薬液は、単一種の薬液として用いられてもよく、それらの混合液が用いられてもよい。混合液の例としては、ＡＰＭ（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）が挙げられる。 In this embodiment, the chemical solution discharged from the chemical solution nozzle 34 may be alkaline liquid such as ammonia water, hydrogen peroxide solution, organic alkali (eg, TMAH: tetramethylammonium hydroxide, etc.). These chemical solutions may be used as a single type of chemical solution, or a mixed solution thereof may be used. Examples of mixed solutions include APM (ammonia-hydrogen peroxide mixture).

上側リンス液ノズル３２は、上側リンス液ノズル３２にリンス液を案内する上側リンス液配管４２に接続されている。上側リンス液配管４２には、その流路を開閉する上側リンス液バルブ５２と、上側リンス液ノズル３２にリンス液を送る上側リンス液ポンプ６２とが介装されている。上側リンス液バルブ５２が開かれると、上側リンス液ノズル３２から下方に連続流でリンス液が吐出される。 The upper rinse liquid nozzle 32 is connected to an upper rinse liquid pipe 42 that guides the rinse liquid to the upper rinse liquid nozzle 32 . The upper rinse liquid pipe 42 is provided with an upper rinse liquid valve 52 for opening and closing the flow path thereof, and an upper rinse liquid pump 62 for sending the rinse liquid to the upper rinse liquid nozzle 32 . When the upper rinse liquid valve 52 is opened, the rinse liquid is discharged downward from the upper rinse liquid nozzle 32 in a continuous flow.

この実施形態では、上側リンス液ノズル３２は、第２ノズル移動ユニット７２によって水平方向及び鉛直方向に移動される移動ノズルである。上側リンス液ノズル３２は、中央位置とホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動するように構成されている。上側リンス液ノズル３２が中央位置に位置するときに上側リンス液バルブ５２が開かれると、リンス液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。 In this embodiment, the upper rinse liquid nozzle 32 is a movable nozzle that is horizontally and vertically moved by the second nozzle movement unit 72 . The upper rinse liquid nozzle 32 is configured to move horizontally between a central position and a home position (retracted position). When the upper rinse liquid valve 52 is opened when the upper rinse liquid nozzle 32 is positioned at the central position, the rinse liquid is supplied to the central region of the upper surface of the substrate W. As shown in FIG.

第２ノズル移動ユニット７２は、上側リンス液ノズル３２に結合されて水平に延びるアーム７２Ａと、アーム７２Ａに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸７２Ｂと、回動軸７２Ｂを回動及び昇降させる回動軸駆動ユニット７２Ｃとを含んでいてもよい。 The second nozzle moving unit 72 includes an arm 72A that is coupled to the upper rinse liquid nozzle 32 and extends horizontally, a rotating shaft 72B that is coupled to the arm 72A and extends along the vertical direction, and the rotating shaft 72B that rotates and moves up and down. It may include a rotation shaft drive unit 72C that allows it to rotate.

回動軸駆動ユニット７２Ｃは、鉛直方向に延びる回動軸線Ａ３まわりに回動軸７２Ｂを回動させることによってアーム７２Ａを揺動させる駆動モータ（図示せず）と、回動軸を鉛直方向に沿って昇降することにより、アーム７２Ａを昇降させるアームリフタ（図示せず）とを含む。アームリフタは、例えば、ボールねじ機構又はラックアンドピニオン機構である。 The rotary shaft drive unit 72C includes a drive motor (not shown) that swings the arm 72A by rotating the rotary shaft 72B around a vertical rotary axis A3, and a drive motor (not shown) that rotates the rotary shaft in the vertical direction. and an arm lifter (not shown) that raises and lowers the arm 72A by moving up and down along it. The arm lifter is, for example, a ball screw mechanism or a rack and pinion mechanism.

上側リンス液ノズル３２は、この実施形態とは異なり、水平方向及び鉛直方向に位置が固定された固定ノズルであってもよい。 Unlike this embodiment, the upper rinse liquid nozzle 32 may be a fixed nozzle whose position is fixed in the horizontal and vertical directions.

下側リンス液ノズル３３は、基板Ｗの下面中央部に向けてリンス液を吐出する固定ノズルである。下側リンス液ノズル３３は、スピンベース２１の上面中央部で開口する貫通孔２１ａと、貫通孔２１ａに連通される回転軸２２の内部空間２２ａとに挿入されている。下側リンス液ノズル３３の吐出口３３ａは、スピンベース２１の上面に露出されている。 The lower rinse liquid nozzle 33 is a fixed nozzle that discharges the rinse liquid toward the center of the lower surface of the substrate W. As shown in FIG. The lower rinse liquid nozzle 33 is inserted into a through hole 21a that opens at the center of the upper surface of the spin base 21 and an internal space 22a of the rotating shaft 22 that communicates with the through hole 21a. A discharge port 33 a of the lower rinse liquid nozzle 33 is exposed on the upper surface of the spin base 21 .

下側リンス液ノズル３３は、下側リンス液ノズル３３にリンス液を案内する下側リンス液配管４３に接続されている。下側リンス液配管４３には、その流路を開閉する下側リンス液バルブ５３と、下側リンス液ノズル３３にリンス液を送る下側リンス液ポンプ６３とが介装されている。下側リンス液バルブ５３が開かれると、下側リンス液ノズル３３から上方に連続流でリンス液が吐出される。 The lower rinse liquid nozzle 33 is connected to a lower rinse liquid pipe 43 that guides the rinse liquid to the lower rinse liquid nozzle 33 . A lower rinse liquid valve 53 that opens and closes the flow path of the lower rinse liquid pipe 43 and a lower rinse liquid pump 63 that sends the rinse liquid to the lower rinse liquid nozzle 33 are interposed in the lower rinse liquid pipe 43 . When the lower rinse liquid valve 53 is opened, the rinse liquid is discharged upward from the lower rinse liquid nozzle 33 in a continuous flow.

リンス液の例としては、ＤＩＷ（Deionized Water：脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度（例えば、１ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、希釈濃度（例えば、１ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水、還元水（水素水）等が挙げられる。 Examples of rinse liquids include DIW (deionized water), carbonated water, electrolytically ionized water, diluted hydrochloric acid water (for example, about 1 ppm to 100 ppm), and ammonia for diluted concentration (for example, about 1 ppm to 100 ppm). Examples include water, reduced water (hydrogen water), and the like.

下側リンス液ノズル３３とスピンベース２１の貫通孔２１ａとの間の空間によって、下側気体流路２５が形成されている。下側気体流路２５は、回転軸２２の内周面と下側リンス液ノズル３３との間において内部空間２２ａに挿通された下側気体配管４４に接続されている。下側気体配管４４に介装された下側気体バルブ５４が開かれると、窒素ガス（Ｎ_２ガス）等の気体が、基板Ｗの下面とスピンベース２１の上面との間の空間に向けて下側気体流路２５から吐出される。 A space between the lower rinse liquid nozzle 33 and the through hole 21 a of the spin base 21 forms a lower gas flow path 25 . The lower gas flow path 25 is connected to a lower gas pipe 44 inserted through the internal space 22a between the inner peripheral surface of the rotary shaft 22 and the lower rinse liquid nozzle 33 . When the lower gas valve 54 interposed in the lower gas pipe 44 is opened, gas such as nitrogen gas (N ₂ gas) is directed toward the space between the lower surface of the substrate W and the upper surface of the spin base 21. It is discharged from the lower gas flow path 25 .

下側気体流路２５から吐出される気体は、窒素ガスに限られない。下側気体流路２５から吐出される気体は、空気であってもよい。また、下側気体流路２５から吐出される気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。窒素ガス以外の不活性ガスは、例えば、アルゴンである。 The gas discharged from the lower gas channel 25 is not limited to nitrogen gas. The gas discharged from the lower gas channel 25 may be air. Also, the gas discharged from the lower gas flow path 25 may be an inert gas other than nitrogen gas. An inert gas other than nitrogen gas is, for example, argon.

ＩＰＡノズル３５は、アーム３５Ａによって保持されている。アーム３５Ａはアーム移動ユニット３５Ｂに連結されている。アーム移動ユニット３５Ｂは、アーム３５Ａを介して、ＩＰＡノズル３５を昇降させることができ、かつ、所定の退避位置へ退避させることができる。 The IPA nozzle 35 is held by an arm 35A. Arm 35A is connected to arm movement unit 35B. The arm moving unit 35B can raise and lower the IPA nozzle 35 via the arm 35A, and can retract it to a predetermined retraction position.

ＩＰＡノズル３５には配管４８が接続されている。配管４８にはバルブ５８が介装されている。バルブ５８が開かれると、ＩＰＡが配管４８を通してＩＰＡノズル３５へ与えられ、ＩＰＡノズル３５からＩＰＡが基板Ｗの上面の中央領域に供給される。 A pipe 48 is connected to the IPA nozzle 35 . A valve 58 is interposed in the pipe 48 . When the valve 58 is opened, IPA is supplied to the IPA nozzle 35 through the pipe 48, and the IPA is supplied from the IPA nozzle 35 to the central region of the upper surface of the substrate W. As shown in FIG.

ＩＰＡノズル３５には、さらに、配管４９が接続されている。配管４９にはバルブ５９が介装されている。バルブ５９が開かれると、Ｎ_２ガスが配管４９を通してＩＰＡノズル３５へ与えられる。ＩＰＡノズル３５には、配管４９から与えられるＮ_２ガスを、例えば下方又は側方へ向けて吐出する吐出口が備えられている。ＩＰＡノズル３５からＮ_２ガスが吐出されることにより、Ｎ_２ガスは基板Ｗの乾燥に寄与する。 A pipe 49 is further connected to the IPA nozzle 35 . A valve 59 is interposed in the pipe 49 . When valve 59 is opened, N ₂ gas is fed through line 49 to IPA nozzle 35 . The IPA nozzle 35 is provided with a discharge port for discharging the N ₂ gas supplied from the pipe 49 downward or sideways, for example. The N ₂ gas contributes to the drying of the substrate W by discharging the N ₂ gas from the IPA nozzle 35 .

スピンベース２１の下方には、回転軸２２及びスピンモータ２３等を囲う円筒状のボスケーシング２７が設けられている。ボスケーシング２７の外周面上端部には上方内側へ向かって傾斜した傾斜面２７ａが形成されている。傾斜面２７ａは、平面視において円環形状を有している。傾斜面２７ａには、複数のカップ洗浄ノズル２８が配置されている。カップ洗浄ノズル２８は、傾斜面２７ａの周方向に等間隔を空けて設けられていることが好ましく、その個数は例えば７つであってもよい。各カップ洗浄ノズル２８は、傾斜面２７ａにおいて、ボスケーシング２７にネジ込みにより取り付けられていてもよい。 A cylindrical boss casing 27 that surrounds the rotating shaft 22, the spin motor 23, and the like is provided below the spin base 21. As shown in FIG. An inclined surface 27a inclined upward and inward is formed at the upper end portion of the outer peripheral surface of the boss casing 27. As shown in FIG. The inclined surface 27a has an annular shape in plan view. A plurality of cup cleaning nozzles 28 are arranged on the inclined surface 27a. The cup cleaning nozzles 28 are preferably provided at equal intervals in the circumferential direction of the inclined surface 27a, and the number of the cup cleaning nozzles 28 may be seven, for example. Each cup cleaning nozzle 28 may be attached to the boss casing 27 by screwing on the inclined surface 27a.

カップ洗浄ノズル２８は、カップ洗浄ノズル２８に洗浄液を案内する洗浄液配管４６に接続されている。洗浄液配管４６は、各カップ洗浄ノズル２８に洗浄液を案内する分枝部４６ａと、複数の分枝部４６ａが合流した本管部４６ｂとを含んでいる。洗浄液配管４６の本管部４６ｂには、その流路を開閉する洗浄液バルブ５５と、洗浄液配管４６に洗浄液を送る洗浄液ポンプ６４とが介装されている。洗浄液バルブ５５が開かれると、洗浄液が本管部４６ｂから複数の分枝部４６ａへと流れ、各カップ洗浄ノズル２８から均等な流量で洗浄液が噴射される。 The cup washing nozzle 28 is connected to a washing liquid pipe 46 that guides the washing liquid to the cup washing nozzle 28 . The cleaning liquid pipe 46 includes a branch portion 46a that guides the cleaning liquid to each cup cleaning nozzle 28, and a main pipe portion 46b where a plurality of branch portions 46a join. A cleaning liquid valve 55 for opening and closing the flow path of the cleaning liquid pipe 46 and a cleaning liquid pump 64 for sending the cleaning liquid to the cleaning liquid pipe 46 are interposed in the main pipe portion 46 b of the cleaning liquid pipe 46 . When the cleaning liquid valve 55 is opened, the cleaning liquid flows from the main pipe portion 46b to the plurality of branch portions 46a, and the cleaning liquid is jetted from each cup cleaning nozzle 28 at a uniform flow rate.

処理カップ１６は、スピンチャック１５に保持されて回転する基板Ｗから外方に飛散する液体を受け止める筒状ガード８０と、筒状ガード８０によって下方に案内された液体を受け止めるカップ９０と、平面視において、筒状ガード８０及びカップ９０を取り囲む排気桶１００とを含む。 The processing cup 16 includes a cylindrical guard 80 that receives liquid splashing outward from the substrate W that is held by the spin chuck 15 and rotates, and a cup 90 that receives the liquid guided downward by the cylindrical guard 80 . , includes a tubular guard 80 and an exhaust trough 100 surrounding the cup 90 .

この実施形態では、２つの筒状ガード８０（第１筒状ガード８０Ａ及び第２筒状ガード８０Ｂ）と、２つのカップ９０（第１カップ９０Ａ及び第２カップ９０Ｂ）とが設けられている例を示している。しかし、筒状ガード８０は、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。カップ９０も、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。 In this embodiment, two tubular guards 80 (first tubular guard 80A and second tubular guard 80B) and two cups 90 (first cup 90A and second cup 90B) are provided. is shown. However, the number of tubular guards 80 may be one, or three or more. The number of cups 90 may also be one, or three or more.

筒状ガード８０は、例えば、樹脂製である。筒状ガード８０は、親水性樹脂又は疎水性樹脂によって形成されている。筒状ガード８０は、疎水性樹脂によって形成されていることが好ましい。 The cylindrical guard 80 is made of resin, for example. The cylindrical guard 80 is made of hydrophilic resin or hydrophobic resin. The cylindrical guard 80 is preferably made of hydrophobic resin.

疎水性樹脂は、例えば、フッ素樹脂である。具体的には、筒状ガード８０は、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、及び、エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー（ＥＣＴＦＥ）のうちの一種によって、又は、これらのうちの二種以上を含有する混合物によって形成されている。 Hydrophobic resin is, for example, fluororesin. Specifically, the tubular guard 80 is made of perfluoroalkoxyalkane (PFA), polytetrafluoroethylene (PTFE), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), and ethylene chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE). It is formed by one type or by a mixture containing two or more of these.

第１カップ９０Ａ及び第２カップ９０Ｂのそれぞれは、上向きに開放された環状溝の形態を有している。 Each of the first cup 90A and the second cup 90B has the shape of an annular groove that opens upward.

第１筒状ガード８０Ａ及び第２筒状ガード８０Ｂは、それぞれ、ほぼ円筒形状を有しており、各筒状ガード８０の上端部は、筒状ガード８０の中心側に向かうように内方に傾斜している。第１筒状ガード８０Ａは、スピンチャック１５に保持されている基板Ｗを取り囲むように配置されている。第２筒状ガード８０Ｂ（内側ガード）は、第１筒状ガード８０Ａ（外側ガード）よりも第１筒状ガード８０Ａの中心側でスピンチャック１５に保持されている基板Ｗを取り囲むように配置されている。 Each of the first tubular guard 80A and the second tubular guard 80B has a substantially cylindrical shape, and the upper end of each tubular guard 80 extends inward toward the center of the tubular guard 80. Inclined. The first tubular guard 80A is arranged to surround the substrate W held by the spin chuck 15 . The second cylindrical guard 80B (inner guard) is arranged to surround the substrate W held by the spin chuck 15 closer to the center of the first cylindrical guard 80A than the first cylindrical guard 80A (outer guard). ing.

第１筒状ガード８０Ａの中心側（以下では、「ガード内側ＩＳ」という。）は、基板Ｗの回転半径方向の内側でもある。第１筒状ガード８０Ａの中心側とは反対側（以下では、「ガード外側ＯＳ」という。）は、基板Ｗの回転半径方向の外側でもある。第１筒状ガード８０Ａ及び第２筒状ガード８０Ｂは、回転軸線Ａ１上に同軸状に配置されており、第１筒状ガード８０Ａの中心側は、第２筒状ガード８０Ｂの中心側でもある。 The center side of the first cylindrical guard 80A (hereinafter referred to as "guard inner side IS") is also the inner side of the substrate W in the radial direction of rotation. The side opposite to the center side of the first cylindrical guard 80A (hereinafter referred to as the "guard outer side OS") is also the outer side of the substrate W in the radial direction of rotation. The first tubular guard 80A and the second tubular guard 80B are coaxially arranged on the rotation axis A1, and the center side of the first tubular guard 80A is also the center side of the second tubular guard 80B. .

第１カップ９０Ａは、第２筒状ガード８０Ｂと一体に形成されており、第１筒状ガード８０Ａによって下方に案内された液体を受け止める。第２カップ９０Ｂは、第２筒状ガード８０Ｂによって下方に案内された液体を受け止める。第１カップ９０Ａによって受けられた液体は、第１カップ９０Ａの下端に連結された第１処理液回収路９０１を通じて、バルブＶ１が開かれることにより、所定の回収容器へ回収される。第２カップ９０Ｂによって受けられた液体は、第２カップ９０Ｂの下端に連結された流路９０２及び第２処理液回収路９０３を通じて、バルブＶ２が開かれることにより、所定の回収容器へ回収される。さらに、第２カップ９０Ｂによって受けられた液体は、第２カップ９０Ｂの下端に連結された流路９０２及び第３処理液回収路９０４を通じて、バルブＶ３が開かれることにより、所定の回収容器へ回収される。 The first cup 90A is formed integrally with the second tubular guard 80B and receives liquid guided downward by the first tubular guard 80A. The second cup 90B receives liquid guided downward by the second tubular guard 80B. The liquid received by the first cup 90A is collected into a predetermined collection container by opening the valve V1 through the first processing liquid collection path 901 connected to the lower end of the first cup 90A. The liquid received by the second cup 90B passes through a flow path 902 and a second processing liquid recovery path 903 connected to the lower end of the second cup 90B and is recovered to a predetermined recovery container by opening the valve V2. . Furthermore, the liquid received by the second cup 90B passes through the flow path 902 connected to the lower end of the second cup 90B and the third processing liquid recovery path 904, and is recovered to a predetermined recovery container by opening the valve V3. be done.

なお、この実施形態では、後述するように、第１処理液回収路９０１を通じて回収される液体は、ＤＨＦ（Dolute Hydrogen Fluoride）とされ、第２処理液回収路９０３を通じて回収される液体は、アルカリ性液とされ、第３処理液回収路９０４を通じて回収される液体はＩＰＡとされている。 In this embodiment, as will be described later, the liquid recovered through the first treatment liquid recovery path 901 is DHF (Dolute Hydrogen Fluoride), and the liquid recovered through the second treatment liquid recovery path 903 is alkaline. The liquid recovered through the third processing liquid recovery path 904 is IPA.

処理ユニット５は、第１筒状ガード８０Ａ及び第２筒状ガード８０Ｂを別々に昇降させるガード昇降ユニット９５を含む。ガード昇降ユニット９５は、下位置と上位置との間で第１筒状ガード８０Ａを昇降させる。ガード昇降ユニット９５は、下位置と上位置との間で第２筒状ガード８０Ｂを昇降させる。 The processing unit 5 includes a guard elevating unit 95 that separately elevates the first tubular guard 80A and the second tubular guard 80B. The guard elevating unit 95 elevates the first tubular guard 80A between the lower position and the upper position. The guard elevating unit 95 elevates the second cylindrical guard 80B between the lower position and the upper position.

第１筒状ガード８０Ａ及び第２筒状ガード８０Ｂがともに上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する液体は、第２筒状ガード８０Ｂによって受けられる。第２筒状ガード８０Ｂが下位置に位置し、第１筒状ガード８０Ａが上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する液体は、第１筒状ガード８０Ａによって受けられる。 When both the first tubular guard 80A and the second tubular guard 80B are positioned at the upper position, liquid splashing from the substrate W is received by the second tubular guard 80B. When the second tubular guard 80B is positioned at the lower position and the first tubular guard 80A is positioned at the upper position, liquid splashing from the substrate W is received by the first tubular guard 80A.

第１筒状ガード８０Ａ及び第２筒状ガード８０Ｂがともに下位置に位置するときには、対応する主搬送ロボットＣＲが、処理チャンバ１７内に基板Ｗを搬入したり処理チャンバ１７内から基板Ｗを搬出したりすることができる。 When both the first cylindrical guard 80A and the second cylindrical guard 80B are positioned at the lower position, the corresponding main transfer robot CR loads the substrate W into the processing chamber 17 or unloads the substrate W from the processing chamber 17. You can

ガード昇降ユニット９５は、第１筒状ガード８０Ａを昇降させる第１ガード昇降ユニットと、第２筒状ガード８０Ｂを昇降させる第２ガード昇降ユニットとを含む。第１ガード昇降ユニットは、例えば、第１筒状ガード８０Ａに結合された第１昇降機構（図示せず）に駆動力を与える第１アクチュエータ（図示せず）である。第１昇降機構は、例えば、ボールねじ機構又はラックアンドピニオン機構である。第２ガード昇降ユニットは、第２筒状ガード８０Ｂに結合された第２昇降機構（図示せず）に駆動力を与える第２アクチュエータ（図示せず）である。第２昇降機構は、例えば、ボールねじ機構又はラックアンドピニオン機構である。 The guard elevating unit 95 includes a first guard elevating unit that elevates the first cylindrical guard 80A and a second guard elevating unit that elevates the second cylindrical guard 80B. The first guard lifting unit is, for example, a first actuator (not shown) that applies driving force to a first lifting mechanism (not shown) coupled to the first cylindrical guard 80A. The first elevating mechanism is, for example, a ball screw mechanism or a rack and pinion mechanism. The second guard lifting unit is a second actuator (not shown) that applies driving force to a second lifting mechanism (not shown) coupled to the second cylindrical guard 80B. The second elevating mechanism is, for example, a ball screw mechanism or a rack and pinion mechanism.

ガード昇降ユニット９５は、ガードリフタともいう。同様に、第１ガード昇降ユニットは、第１ガードリフタであり、第２ガード昇降ユニットは、第２ガードリフタである。 The guard lifting unit 95 is also called a guard lifter. Similarly, the first guard lifting unit is the first guard lifter, and the second guard lifting unit is the second guard lifter.

処理チャンバ１７の内部空間１０１は、第１筒状ガード８０Ａよりもガード内側ＩＳのガード内空間１０２と、ガード内空間１０２以外のガード外空間１０３とに分けられている。処理チャンバ１７の少なくともいずれかの側壁１７Ｂには、処理チャンバ１７のガード外空間１０３を上下に仕切る仕切り板１０４が設けられている。すなわち、ガード外空間１０３は、仕切り板１０４によって、仕切り板１０４よりも上側の上空間１０３Ａと、仕切り板１０４よりも下側の下空間１０３Ｂとに分けられている。仕切り板１０４は、排気桶１００によって支持されている。 An internal space 101 of the processing chamber 17 is divided into a guard inner space 102 inside the guard IS from the first cylindrical guard 80A and a guard outer space 103 other than the guard inner space 102 . At least one side wall 17B of the processing chamber 17 is provided with a partition plate 104 that vertically partitions the outer guard space 103 of the processing chamber 17 . That is, the guard outside space 103 is divided by the partition plate 104 into an upper space 103A above the partition plate 104 and a lower space 103B below the partition plate 104 . The partition plate 104 is supported by the exhaust tub 100 .

上空間１０３Ａは、仕切り板１０４よりも上側で、かつ第１筒状ガード８０Ａよりもガード内側ＩＳの空間と、仕切り板１０４よりも上側で、かつ、第１筒状ガード８０Ａよりもガード外側ＯＳの空間とを含む。 The upper space 103A is a space IS above the partition plate 104 and inside the first tubular guard 80A, and an OS above the partition plate 104 and outside the first tubular guard 80A. including the space of

下空間１０３Ｂは、排気桶１００よりもガード内側ＩＳの内側下空間１０５と、排気桶１００よりもガード外側ＯＳの外側下空間１０６とに分けられる。 The lower space 103B is divided into a lower space 105 inside the guard inside IS from the exhaust trough 100 and a lower space 106 outside the guard outside OS from the exhaust trough 100 .

処理チャンバ１７内の雰囲気は、処理チャンバ１７の側壁１７Ｂ及び排気桶１００を貫通する排気接続管４５を介して排気される。排気接続管４５は、排気部１０に配置された排気配管１１（図１を参照）に接続されている。 The atmosphere in the processing chamber 17 is exhausted through an exhaust connection pipe 45 penetrating the side wall 17B of the processing chamber 17 and the exhaust tub 100 . The exhaust connection pipe 45 is connected to the exhaust pipe 11 (see FIG. 1) arranged in the exhaust section 10 .

ＦＦＵ２６は、処理チャンバ１７の内部空間１０１に清浄空気を送ることによって、気流Ｆを形成する。気流Ｆは、上空間１０３Ａからガード内空間１０２又は下空間１０３Ｂを通って、排気部１０の排気接続管４５に送られる。気流Ｆは、ガード内側ＩＳにおける仕切り板１０４の端部と第１筒状ガード８０Ａとの間の隙間Ｇ１、又は、ガード外側ＯＳにおける仕切り板１０４の端部に形成された隙間Ｇ２を通って、下空間１０３Ｂに流入する。 The FFU 26 forms an airflow F by sending clean air into the inner space 101 of the processing chamber 17 . The airflow F is sent from the upper space 103A to the exhaust connection pipe 45 of the exhaust section 10 through the guard inner space 102 or the lower space 103B. The airflow F passes through a gap G1 between the end of the partition plate 104 on the inner side IS of the guard and the first cylindrical guard 80A, or through a gap G2 formed at the end of the partition plate 104 on the outer side of the guard OS. It flows into the lower space 103B.

隙間Ｇ１を通って内側下空間１０５に流入した気流Ｆ１は、内側下空間１０５から排気接続管４５に流入する。 The airflow F1 that has flowed into the inner lower space 105 through the gap G1 flows from the inner lower space 105 into the exhaust connection pipe 45 .

隙間Ｇ２を通って外側下空間１０６に流入した気流Ｆ２は、排気桶１００に形成された開口１００ａを介して、内側下空間１０５に流入し、その後、排気接続管４５に流入する。ガード内空間１０２に流入した気流Ｆ３は、ガード内空間１０２から排気接続管４５に流入する。 The airflow F2 that has flowed into the outer lower space 106 through the gap G2 flows into the inner lower space 105 through the opening 100a formed in the exhaust tub 100, and then flows into the exhaust connection pipe 45. The airflow F3 that has flowed into the guard inner space 102 flows from the guard inner space 102 into the exhaust connection pipe 45 .

排気接続管４５に流入した気流Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３は、前述した排気部１０に収容されている排気配管１１へと流れ、排気の種類によって、酸排気用配管、アルカリ排気用配管及び有機排気用配管へと流入先が切り換え機構１２によって切り換えられる。 The airflows F1, F2, and F3 flowing into the exhaust connection pipe 45 flow to the exhaust pipe 11 accommodated in the exhaust unit 10 described above, and depending on the type of exhaust, there are pipes for acid exhaust, alkali exhaust, and organic exhaust. The switching mechanism 12 switches the inflow destination to the piping.

第１筒状ガード８０Ａの高さ位置を調整することによって、仕切り板１０４と第１筒状ガード８０Ａとの間の隙間Ｇ１のサイズを調整できる。隙間Ｇ１のサイズを調整することで気流Ｆ１～Ｆ３の流量を調整することができる。 By adjusting the height position of the first tubular guard 80A, the size of the gap G1 between the partition plate 104 and the first tubular guard 80A can be adjusted. By adjusting the size of the gap G1, the flow rates of the airflows F1 to F3 can be adjusted.

図４は、カップ洗浄ノズル２８の配置構造を説明するための模式的な平面図である。図５は、１つのカップ洗浄ノズル２８から噴射される洗浄液の噴射方向を側面視で表わす模式的な図である。図６は、１つのカップ洗浄ノズル２８から噴射される洗浄液の噴射方向を平面視で表わす模式的な図である。 FIG. 4 is a schematic plan view for explaining the arrangement structure of the cup cleaning nozzles 28. As shown in FIG. FIG. 5 is a schematic side view showing the ejection direction of the cleaning liquid ejected from one cup cleaning nozzle 28. As shown in FIG. FIG. 6 is a schematic plan view showing the ejection direction of the cleaning liquid ejected from one cup cleaning nozzle 28. As shown in FIG.

図４を参照して、ボスケーシング２７の外周面上端部に形成された傾斜面２７ａは、平面視において、所定の幅を有する円環状をなしている。この円環状の傾斜面２７ａには、回転軸線Ａ１まわりの周方向に等しい間隔を空けて、７つのカップ洗浄ノズル２８が配置されている。換言すれば、回転軸線Ａ１のまわりに等しい角度間隔で７つのカップ洗浄ノズル２８が配置されている。より具体的には、回転軸線Ａ１を中心に平面視で円環状に延びる傾斜面２７ａには、約５１．４°の角度間隔を空けて、７つのカップ洗浄ノズル２８が配置されている。７つのカップ洗浄ノズル２８は、回転軸線Ａ１から半径方向に所定距離（すなわち、等しい距離）を隔てた位置に配置されている。各カップ洗浄ノズル２８は、傾斜面２７ａから外方へ向けてほぼ水平に洗浄液を扇形状に噴射するようにノズル方向が調整されている。 Referring to FIG. 4, an inclined surface 27a formed at the upper end portion of the outer peripheral surface of boss casing 27 has an annular shape with a predetermined width in plan view. Seven cup cleaning nozzles 28 are arranged on the annular inclined surface 27a at equal intervals in the circumferential direction around the rotation axis A1. In other words, seven cup cleaning nozzles 28 are arranged at equal angular intervals around the axis of rotation A1. More specifically, seven cup cleaning nozzles 28 are arranged at angular intervals of about 51.4° on the inclined surface 27a extending annularly in plan view around the rotation axis A1. The seven cup cleaning nozzles 28 are positioned at predetermined (ie, equal) radial distances from the axis of rotation A1. The nozzle direction of each cup cleaning nozzle 28 is adjusted so that the cleaning liquid is sprayed outward from the inclined surface 27a substantially horizontally in a fan shape.

また、各カップ洗浄ノズル２８は、扇形噴射の中心方向が、回転軸線Ａ１からの放射方向、すなわち、回転半径方向に対して、傾斜面２７ａの周方向に所定角度θ（図６参照）振った方向に向けられている。このため、各カップ洗浄ノズル２８から噴射される洗浄液は、ドット表示で描くように、回転軸線Ａ１から見たときに、回転半径方向に対して一方向（図示の例では左方向（反時計回り方向））に傾いた扇形を示す。 The direction of the center of the fan-shaped jet of each cup cleaning nozzle 28 is swayed by a predetermined angle θ (see FIG. 6) in the circumferential direction of the inclined surface 27a with respect to the radial direction from the rotation axis A1, that is, the radial direction of rotation. directed in the direction. For this reason, the cleaning liquid jetted from each cup cleaning nozzle 28 is oriented in one direction (to the left (counterclockwise in the illustrated example)) with respect to the radial direction of rotation when viewed from the rotation axis A1, as drawn by dots. shows a sector tilted in the direction )).

図５を参照して、カップ洗浄ノズル２８は、傾斜面２７ａからボスケーシング２７にネジ込まれることによって取り付けられていてもよい。カップ洗浄ノズル２８は、側面視において、ほぼ水平方向に、直線状に噴射を行うノズルである。すなわち、カップ洗浄ノズル２８は、水平方向に広がり、上下方向にはほとんど広がりを持たない、扁平な扇形の噴射プロファイルを有している。側面視で見たカップ洗浄ノズル２８の水平方向の直線状噴射は、ノズルの性能上、上下方向に角度β（０＜β＜２０°）程度の拡がりを生じてもかまわない。カップ洗浄ノズル２８に洗浄液を供給する洗浄液配管４６（より詳細にはその分枝部４６ａ）は、ボスケーシング２７内に配置されている。１つのカップ洗浄ノズル２８が噴射する洗浄液の流量は、一例として、２１０ｍｌ／ｍｉｎ以下に設定されているのが望ましい。洗浄液の流量を上記の流量にすれば、カップ洗浄ノズル２８から噴射された洗浄液が筒状ガード８０の内周面に当たる流速を小さくでき、筒状ガード８０の内周面に当たって跳ね返る洗浄液の液滴をほぼ無くせるか、極めて少なくできるからである。 Referring to FIG. 5, cup cleaning nozzle 28 may be attached by being screwed into boss casing 27 from inclined surface 27a. The cup cleaning nozzle 28 is a nozzle that jets in a straight line in a substantially horizontal direction when viewed from the side. That is, the cup cleaning nozzle 28 has a flat fan-shaped spray profile that spreads horizontally and has little spread in the vertical direction. The horizontal straight jet of the cup washing nozzle 28 as viewed from the side may spread vertically by an angle β (0<β<20°) due to the performance of the nozzle. A cleaning liquid pipe 46 (more specifically, a branch portion 46 a thereof) for supplying cleaning liquid to the cup cleaning nozzle 28 is arranged inside the boss casing 27 . As an example, it is desirable that the flow rate of the cleaning liquid injected by one cup cleaning nozzle 28 is set to 210 ml/min or less. By setting the flow rate of the cleaning liquid to the above-mentioned flow rate, the flow velocity of the cleaning liquid sprayed from the cup cleaning nozzle 28 hitting the inner peripheral surface of the cylindrical guard 80 can be reduced, and the droplets of the cleaning liquid that hit the inner peripheral surface of the cylindrical guard 80 and rebound can be reduced. This is because it can be almost eliminated or extremely reduced.

図６を参照して、カップ洗浄ノズル２８は、平面視において、外方へ所定の角度２α（１２０°≦２α≦１４０°）で広がる扇形噴射を行うスプレーノズルである。そして、この実施形態においては、カップ洗浄ノズル２８の噴射方向の中心（扇形噴射プロファイルの中心方向）が回転軸線Ａ１から直線状に外方へ延びる半径方向Ｄ１ではなく、半径方向Ｄ１に対して傾斜面２７ａの周方向に所定角度θ振った方向Ｄ２に向けられている。ここに、所定角度θは、試作品において検証評価したところ、１０°≦θ≦３０°であることが好ましいことを確認した。 Referring to FIG. 6, the cup cleaning nozzle 28 is a spray nozzle that performs a fan-shaped spray spreading outward at a predetermined angle 2α (120°≦2α≦140°) in plan view. In this embodiment, the center of the injection direction of the cup cleaning nozzle 28 (the center direction of the fan-shaped injection profile) is inclined with respect to the radial direction D1 instead of the radial direction D1 extending linearly outward from the rotation axis A1. It is oriented in a direction D2 which is slanted at a predetermined angle θ in the circumferential direction of the surface 27a. Here, it was confirmed that the predetermined angle .theta.

カップ洗浄ノズル２８による平面視における扇形噴射方向を、上述のように傾斜面２７ａの周方向に所定角度θ振った方向Ｄ２に向けることにより、振った角度方向において洗浄液の噴射距離が伸びる。すなわち、カップ洗浄ノズル２８から筒状ガード８０の内周面までの距離が長くなる。そのために、洗浄液が筒状ガード８０の内周面に当たる当たり範囲が広がる。その結果、筒状ガード８０の内周面が、７つのカップ洗浄ノズル２８によって、洗い残しの隙間が生じることなく全周きれいに洗えるという効果を奏する。 By directing the direction of the fan-shaped spray from the cup washing nozzle 28 in a plan view to the direction D2 that is swung by a predetermined angle θ in the circumferential direction of the inclined surface 27a as described above, the spray distance of the washing liquid is extended in the swung angular direction. That is, the distance from the cup cleaning nozzle 28 to the inner peripheral surface of the tubular guard 80 is increased. Therefore, the contact range of the cleaning liquid against the inner peripheral surface of the tubular guard 80 is widened. As a result, the inner peripheral surface of the cylindrical guard 80 can be cleanly washed all around by the seven cup washing nozzles 28 without any gaps left unwashed.

図７は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を示すブロック図である。コントローラ４は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。 FIG. 7 is a block diagram showing the electrical configuration of the main part of the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG. The controller 4 has a microcomputer, and controls objects provided in the substrate processing apparatus 1 according to a predetermined control program.

具体的には、コントローラ４は、プロセッサ（ＣＰＵ）４Ａと、制御プログラムが格納されたメモリ４Ｂとを含むコンピュータであってもよい。コントローラ４は、プロセッサ４Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。 Specifically, the controller 4 may be a computer including a processor (CPU) 4A and a memory 4B storing a control program. The controller 4 is configured to perform various controls for substrate processing by the processor 4A executing a control program.

コントローラ４の制御対象には、インデクサロボットＩＲ及び複数の主搬送ロボットＣＲが含まれる。コントローラ４の制御対象には、排気部１０に配置されたアクチュエータ類、流体供給部９に配置されたバルブ（薬液バルブ５１、上側リンス液バルブ５２、下側リンス液バルブ５３、下側気体バルブ５４、洗浄液バルブ５５）、ポンプ（薬液ポンプ６１、上側リンス液ポンプ６２、下側リンス液ポンプ６３、洗浄液ポンプ６４）及び処理液回収路９０１，９０３，９０４のバルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３が含まれる。 Objects controlled by the controller 4 include an indexer robot IR and a plurality of main transfer robots CR. The objects controlled by the controller 4 include the actuators arranged in the exhaust unit 10 and the valves arranged in the fluid supply unit 9 (chemical liquid valve 51, upper rinse liquid valve 52, lower rinse liquid valve 53, lower gas valve 54). , cleaning liquid valve 55), pumps (chemical liquid pump 61, upper rinse liquid pump 62, lower rinse liquid pump 63, cleaning liquid pump 64), and valves V1, V2, and V3 of processing liquid recovery paths 901, 903, and 904 are included.

コントローラ４の制御対象には、さらに、処理ユニットに備えられた各部材（スピンモータ２３、第１ノズル移動ユニット７１、第２ノズル移動ユニット７２、第３ノズル移動ユニット７４、ガード昇降ユニット９５、ＦＦＵ２６）が含まれる。 The objects controlled by the controller 4 also include members provided in the processing unit (spin motor 23, first nozzle moving unit 71, second nozzle moving unit 72, third nozzle moving unit 74, guard lifting unit 95, FFU 26, ) is included.

図８は、基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図である。基板処理装置１による基板処理では、例えば、図８に示すように、ＤＨＦ処理工程（ステップＳ１）、リンス処理工程（ステップＳ２）、ＡＭＰ処理工程（ステップＳ３）、リンス処理工程（ステップＳ４）、ＩＰＡ処理工程（ステップＳ５）、及びＮ_２乾燥処理及びカップ洗浄処理工程（ステップＳ６）がこの順番で実行される。 FIG. 8 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG. In substrate processing by the substrate processing apparatus 1, for example, as shown in FIG. 8, a DHF processing step (step S1), a rinsing processing step (step S2), an AMP processing step (step S3), a rinsing processing step (step S4), The IPA treatment step (step S5) and the _N2 drying treatment and cup cleaning treatment step (step S6) are performed in this order.

図９は、図８に示す各処理工程において主として利用される筒状ガード８０、排液経路及び排気経路を一覧で表わした図表である。 FIG. 9 is a table showing a list of the cylindrical guard 80, the drainage path and the exhaust path that are mainly used in each processing step shown in FIG.

以下では、主に図３、図８及び図９を参照する。まず、未処理の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲ（図１参照）と、複数の主搬送ロボットＣＲのいずれか（図１参照）とによってキャリヤＣＡから処理ユニット５に搬入され、スピンチャック１５に渡される。これにより、基板Ｗは、スピンチャック１５によって水平に保持される（基板保持工程）。 3, 8 and 9 are mainly referred to below. First, an unprocessed substrate W is loaded from the carrier CA into the processing unit 5 by the indexer robot IR (see FIG. 1) and one of the plurality of main transfer robots CR (see FIG. 1), and passed to the spin chuck 15. be Thereby, the substrate W is horizontally held by the spin chuck 15 (substrate holding step).

スピンチャック１５による基板Ｗの保持は、Ｎ_２乾燥処理及びカップ洗浄工程（ステップＳ６）が終了するまで継続される。基板保持工程が開始されてからＮ_２乾燥処理及びカップ洗浄処理工程（ステップＳ６）が終了するまでの間、ガード昇降ユニット９５は、少なくとも一つの筒状ガード８０が上位置に位置するように、第１筒状ガード８０Ａ及び第２筒状ガード８０Ｂの高さ位置を調整する。基板Ｗがスピンチャック１５に保持された状態で、スピンモータ２３が、スピンベース２１を回転させる。これにより、水平に保持された基板Ｗの回転が開始される（基板回転工程）。基板Ｗの回転速度は、例えば、６００ｒｐｍ以上でかつ１２００ｒｐｍ以下である。 The holding of the substrate W by the spin chuck 15 is continued until the _N2 drying process and the cup cleaning process (step S6) are completed. During the period from the start of the substrate holding process to the end of the _N2 drying process and cup cleaning process (step S6), the guard lifting unit 95 is operated so that at least one cylindrical guard 80 is positioned at the upper position. The height positions of the first tubular guard 80A and the second tubular guard 80B are adjusted. The spin motor 23 rotates the spin base 21 while the substrate W is held by the spin chuck 15 . As a result, the horizontally held substrate W is started to rotate (substrate rotation step). The rotation speed of the substrate W is, for example, 600 rpm or more and 1200 rpm or less.

そして、下側気体バルブ５４が開かれて下側気体流路２５から気体が吐出される（気体吐出工程）。下側気体バルブ５４は、Ｎ_２乾燥処理及びカップ洗浄処理工程（ステップＳ６）が終了するまで開かれた状態で維持される。下側気体流路２５からの気体の流量は、例えば、５０Ｌ／ｍｉｎである。下側気体流路２５からの気体の供給、及び、ＦＦＵ２６による気体の流入によって、排気流量が調整されて、処理チャンバ１７の内圧が所定の圧力に調整される。排気流量は、例えば、３ｍ^３／ｍｉｎである。この場合、処理チャンバ１７の内圧は、－３０Ｐａに調整される。 Then, the lower gas valve 54 is opened and the gas is discharged from the lower gas flow path 25 (gas discharge step). The lower gas valve 54 is kept open until the _N2 drying and cup cleaning process (step S6) is completed. The gas flow rate from the lower gas flow path 25 is, for example, 50 L/min. By supplying gas from the lower gas flow path 25 and inflowing gas from the FFU 26, the exhaust flow rate is adjusted, and the internal pressure of the processing chamber 17 is adjusted to a predetermined pressure. The exhaust flow rate is, for example, 3 m ³ /min. In this case, the internal pressure of the processing chamber 17 is adjusted to -30Pa.

次に、基板Ｗの上面を薬液の一例であるＤＨＦで洗浄処理するＤＨＦ処理工程（ステップＳ１）が実行される。 Next, a DHF processing step (step S1) is performed for cleaning the upper surface of the substrate W with DHF, which is an example of a chemical solution.

具体的には、第１ノズル移動ユニット７１が、薬液ノズル３１を処理位置に移動させる。薬液ノズル３１の処理位置は、例えば、中央位置である。 Specifically, the first nozzle moving unit 71 moves the chemical liquid nozzle 31 to the processing position. The processing position of the chemical liquid nozzle 31 is, for example, the central position.

薬液ノズル３１が処理位置に位置する状態で、薬液バルブ５１が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、薬液ノズル３１からＤＨＦが供給（吐出）される（薬液供給工程）。 The chemical valve 51 is opened while the chemical nozzle 31 is positioned at the processing position. As a result, DHF is supplied (discharged) from the chemical liquid nozzle 31 toward the central region of the upper surface of the substrate W in the rotating state (chemical liquid supply step).

基板Ｗの上面に供給されたＤＨＦは、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。ＤＨＦは、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗの上面の全体がＤＨＦで洗浄処理される。 The DHF supplied to the upper surface of the substrate W receives centrifugal force and spreads radially, and spreads over the entire upper surface of the substrate W. FIG. DHF is discharged from the peripheral edge of the upper surface of the substrate W by centrifugal force. As a result, the entire upper surface of the substrate W is cleaned with DHF.

基板Ｗの上面から排出されたＤＨＦは、第１筒状ガード８０Ａ（Guard1）の傾斜面によって主に受けられる。傾斜面によって受けられたＤＨＦは、傾斜面に沿って下方に移動し、筒状面へ案内される。筒状面へ案内されたＤＨＦは、最終的に、対応するカップ９０Ａによって受け止められる。カップ９０Ａによって受け止められたＤＨＦは、バルブＶ１が開かれることにより、第１処理液回収路９０１を通じて所定の回収容器へ回収される。 DHF discharged from the upper surface of the substrate W is mainly received by the inclined surface of the first cylindrical guard 80A (Guard1). The DHF received by the ramp moves downward along the ramp and is guided to the cylindrical surface. The DHF guided to the cylindrical surface is finally received by the corresponding cup 90A. The DHF received by the cup 90A is recovered to a predetermined recovery container through the first processing liquid recovery path 901 by opening the valve V1.

また、ＤＨＦ処理工程（ステップＳ１）の間は、排気接続管４５に接続される排気配管１１が、酸排気用配管となるように、切り換え機構１２により切り換えられている。 During the DHF treatment step (step S1), the switching mechanism 12 switches the exhaust pipe 11 connected to the exhaust connection pipe 45 to the acid exhaust pipe.

次に、基板Ｗをリンス液で洗浄するリンス処理工程（ステップＳ２）が実行される。具体的には、薬液バルブ５１が閉じられた後、第１ノズル移動ユニット７１が、薬液ノズル３１をホーム位置に移動させる。薬液バルブ５１が閉じられた後、第２ノズル移動ユニット７２が、上側リンス液ノズル３２を処理位置に移動させる。上側リンス液ノズル３２の処理位置は、例えば、中央位置である。 Next, a rinsing process (step S2) is performed to clean the substrate W with a rinsing liquid. Specifically, after the chemical liquid valve 51 is closed, the first nozzle moving unit 71 moves the chemical liquid nozzle 31 to the home position. After the chemical liquid valve 51 is closed, the second nozzle moving unit 72 moves the upper rinse liquid nozzle 32 to the processing position. The processing position of the upper rinse liquid nozzle 32 is, for example, the central position.

上側リンス液ノズル３２が処理位置に位置する状態で、上側リンス液バルブ５２が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、上側リンス液ノズル３２からリンス液が供給（吐出）される（上側リンス液供給工程）。 With the upper rinse liquid nozzle 32 positioned at the processing position, the upper rinse liquid valve 52 is opened. As a result, the rinse liquid is supplied (discharged) from the upper rinse liquid nozzle 32 toward the central region of the upper surface of the substrate W in the rotating state (upper rinse liquid supply step).

基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。リンス液は、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗの上面の全体がリンス液で洗い流される（上側リンス工程）。 The rinsing liquid supplied to the upper surface of the substrate W is subjected to centrifugal force and spreads radially, and spreads over the entire upper surface of the substrate W. As shown in FIG. The rinse liquid is discharged from the peripheral edge of the upper surface of the substrate W by centrifugal force. As a result, the entire upper surface of the substrate W is washed away with the rinsing liquid (upper rinsing step).

基板Ｗの上面から排出されたリンス液は、第１筒状ガード８０Ａ（Guard1）の傾斜面によって主に受けられる。傾斜面によって受けられたリンス液は、傾斜面に沿って下方に移動し、筒状面に案内される。筒状面に案内されたリンス液は、最終的に、対応するカップ９０Ａによって受け止められる。カップ９０Ａによって受け止められたリンス液は、バルブＶ１が開かれることにより、第１処理液回収路９０１を通じて所定の回収容器へ回収される。 The rinse liquid discharged from the upper surface of the substrate W is mainly received by the inclined surface of the first cylindrical guard 80A (Guard1). The rinse liquid received by the inclined surface moves downward along the inclined surface and is guided by the cylindrical surface. The rinse liquid guided to the cylindrical surface is finally received by the corresponding cup 90A. The rinse liquid received by the cup 90A is recovered to a predetermined recovery container through the first processing liquid recovery path 901 by opening the valve V1.

また、リンス処理工程（ステップＳ２）の間は、排気接続管４５に接続される排気配管１１が、酸排気用配管となるように、切り換え機構１２により切り換えられている。 During the rinsing process (step S2), the switching mechanism 12 switches the exhaust pipe 11 connected to the exhaust connection pipe 45 to the acid exhaust pipe.

基板Ｗの上面にリンス液を供給する際、下側リンス液バルブ５３を開いて、下側リンス液ノズル３３からリンス液を吐出させてもよい（下側リンス液供給工程）。これにより、基板Ｗの下面がリンス液で洗い流される（下側リンス工程）。 When supplying the rinse liquid to the upper surface of the substrate W, the lower rinse liquid valve 53 may be opened to discharge the rinse liquid from the lower rinse liquid nozzle 33 (lower rinse liquid supply step). As a result, the bottom surface of the substrate W is washed away with the rinsing liquid (bottom rinse step).

次に、基板Ｗの上面を薬液の一例であるＡＰＭで洗浄処理するＡＰＭ処理工程（ステップＳ３）が実行される。 Next, an APM processing step (step S3) is performed for cleaning the upper surface of the substrate W with APM, which is an example of a chemical solution.

具体的には、第３ノズル移動ユニット７４が、薬液ノズル３４を処理位置に移動させる。薬液ノズル３４の処理位置は、例えば、中央位置である。 Specifically, the third nozzle moving unit 74 moves the chemical liquid nozzle 34 to the processing position. The processing position of the chemical liquid nozzle 34 is, for example, the central position.

薬液ノズル３４が処理位置に位置する状態で、薬液バルブ５７が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、薬液ノズル３４からＡＰＭが供給（吐出）される（薬液供給工程）。 The chemical valve 57 is opened while the chemical nozzle 34 is positioned at the processing position. As a result, the APM is supplied (discharged) from the chemical nozzle 34 toward the center region of the upper surface of the substrate W in the rotating state (chemical solution supply step).

基板Ｗの上面に供給されたＡＰＭは、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。ＡＰＭは、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗの上面の全体がＡＰＭで洗浄処理される。 The APM supplied to the upper surface of the substrate W spreads radially due to centrifugal force and spreads over the entire upper surface of the substrate W. FIG. APM is discharged from the periphery of the upper surface of the substrate W by centrifugal force. As a result, the entire upper surface of the substrate W is cleaned with APM.

基板Ｗの上面から排出されたＡＰＭは、第２筒状ガード８０Ｂ（Guard2）の傾斜面によって主に受けられる。傾斜面によって受けられたＡＰＭは、傾斜面に沿って下方に移動し、筒状面へ案内される。筒状面へ案内されたＡＰＭは、最終的に、対応するカップ９０Ｂによって受け止められる。カップ９０Ｂによって受け止められたＡＰＭは、バルブＶ２が開かれることにより、流路９０２及び第２処理液回収路９０３を通じて所定の回収容器へ回収される。 APM discharged from the upper surface of the substrate W is mainly received by the inclined surface of the second cylindrical guard 80B (Guard2). The APM received by the ramp moves downward along the ramp and is guided to the cylindrical surface. APM guided to the cylindrical surface is eventually received by the corresponding cup 90B. The APM received by the cup 90B is recovered to a predetermined recovery container through the channel 902 and the second processing liquid recovery channel 903 by opening the valve V2.

また、ＡＰＭ処理工程（ステップＳ３）の間は、排気接続管４５に接続される排気配管１１が、アルカリ排気用配管となるように、切り換え機構１２により切り換えられている。 Further, during the APM processing step (step S3), the switching mechanism 12 switches the exhaust pipe 11 connected to the exhaust connection pipe 45 to the alkaline exhaust pipe.

次に、基板Ｗをリンス液で洗浄するリンス処理工程（ステップＳ４(Rinse)）が実行される。具体的には、薬液バルブ５７が閉じられた後、第３ノズル移動ユニット７４が、薬液ノズル３４をホーム位置に移動させる。薬液バルブ５７が閉じられた後、第２ノズル移動ユニット７２が、上側リンス液ノズル３２を処理位置に移動させる。上側リンス液ノズル３２の処理位置は、例えば、中央位置である。 Next, a rinsing process (step S4 (Rinse)) for cleaning the substrate W with a rinsing liquid is performed. Specifically, after the chemical liquid valve 57 is closed, the third nozzle moving unit 74 moves the chemical liquid nozzle 34 to the home position. After the chemical liquid valve 57 is closed, the second nozzle moving unit 72 moves the upper rinse liquid nozzle 32 to the processing position. The processing position of the upper rinse liquid nozzle 32 is, for example, the central position.

上側リンス液ノズル３２が処理位置に位置する状態で、上側リンス液バルブ５２が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、上側リンス液ノズル３２からリンス液が供給（吐出）される（上側リンス液供給工程）。 With the upper rinse liquid nozzle 32 positioned at the processing position, the upper rinse liquid valve 52 is opened. As a result, the rinse liquid is supplied (discharged) from the upper rinse liquid nozzle 32 toward the central region of the upper surface of the substrate W in the rotating state (upper rinse liquid supply step).

基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。リンス液は、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗの上面の全体がリンス液で洗い流される（上側リンス工程）。 The rinsing liquid supplied to the upper surface of the substrate W is subjected to centrifugal force and spreads radially, and spreads over the entire upper surface of the substrate W. As shown in FIG. The rinse liquid is discharged from the peripheral edge of the upper surface of the substrate W by centrifugal force. As a result, the entire upper surface of the substrate W is washed away with the rinsing liquid (upper rinsing step).

基板Ｗの上面から排出されたリンス液は、第２筒状ガード８０Ｂ（Guard2）のいずれかの傾斜面によって主に受けられる。傾斜面によって受けられたリンス液は、傾斜面に沿って下方に移動し、筒状面に案内される。筒状面に案内されたリンス液は、最終的に、対応するカップ９０Ｂによって受け止められる。カップ９０Ｂによって受け止められたリンス液は、バルブＶ２が開かれることにより、流路９０２及び第２処理液回収路９０３を通じて所定の回収容器へ回収される。 The rinse liquid discharged from the upper surface of the substrate W is mainly received by one of the inclined surfaces of the second cylindrical guard 80B (Guard2). The rinse liquid received by the inclined surface moves downward along the inclined surface and is guided by the cylindrical surface. The rinse liquid guided to the cylindrical surface is finally received by the corresponding cup 90B. The rinse liquid received by the cup 90B is collected into a predetermined collection container through the flow path 902 and the second processing liquid collection path 903 by opening the valve V2.

また、リンス処理工程（ステップＳ４）の間は、排気接続管４５に接続される排気配管１１が、アルカリ排気用配管となるように、切り換え機構１２により切り換えられている。 Further, during the rinsing process (step S4), the switching mechanism 12 switches the exhaust pipe 11 connected to the exhaust connection pipe 45 to the alkaline exhaust pipe.

ステップＳ４のリンス処理工程において、基板Ｗの上面にリンス液を供給する際、下側リンス液バルブ５３を開いて、下側リンス液ノズル３３からリンス液を吐出させてもよい（下側リンス液供給工程）。これにより、基板Ｗの下面がリンス液で洗い流される（下側リンス工程）。 In the rinsing process of step S4, when the rinse liquid is supplied to the upper surface of the substrate W, the lower rinse liquid valve 53 may be opened to eject the rinse liquid from the lower rinse liquid nozzle 33 (lower rinse liquid supply process). As a result, the bottom surface of the substrate W is washed away with the rinsing liquid (bottom rinse step).

次に、基板Ｗの上面を薬液であるＩＰＡで洗浄処理するＩＰＡ処理工程（ステップＳ５）が実行される。ＩＰＡ処理工程は、ＶＯＣ処理工程の一例である。 Next, an IPA treatment step (step S5) is performed for cleaning the upper surface of the substrate W with IPA, which is a chemical solution. The IPA treatment process is an example of the VOC treatment process.

具体的には、アーム移動ユニット３５Ｂが、アーム３５Ａに保持されたＩＰＡノズル３５を処理位置に移動させる。ＩＰＡノズル３５の処理位置は、例えば、中央位置である。 Specifically, the arm moving unit 35B moves the IPA nozzle 35 held by the arm 35A to the processing position. The processing position of the IPA nozzle 35 is, for example, the central position.

ＩＰＡノズル３５が処理位置に位置する状態で、バルブ５８が開かれ、配管４８を通じてＩＰＡがＩＰＡノズル３５へ与えられる。そして、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、ＩＰＡノズル３５からＩＰＡが供給（吐出）される。 With the IPA nozzle 35 in the processing position, the valve 58 is opened to supply IPA to the IPA nozzle 35 through the pipe 48 . Then, IPA is supplied (discharged) from the IPA nozzle 35 toward the central region of the upper surface of the substrate W in the rotating state.

基板Ｗの上面に供給されたＩＰＡは、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。ＩＰＡは、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗの上面の全体がＩＰＡで洗浄処理される。 The IPA supplied to the upper surface of the substrate W spreads radially due to centrifugal force and spreads over the entire upper surface of the substrate W. FIG. The IPA is discharged from the periphery of the upper surface of the substrate W by centrifugal force. As a result, the entire upper surface of the substrate W is cleaned with IPA.

基板Ｗの上面から排出されたＩＰＡは、第２筒状ガード８０Ｂ（Guard2）の傾斜面によって主に受けられる。傾斜面によって受けられたＩＰＡは、傾斜面に沿って下方に移動し、筒状面へ案内される。筒状面へ案内されたＩＰＡは、最終的に、対応するカップ９０Ｂによって受け止められる。カップ９０Ｂによって受け止められたＩＰＡは、バルブＶ３が開かれることにより、流路９０２及び第３処理液回収路９０４を通じて所定の回収容器へ回収される。 The IPA discharged from the upper surface of the substrate W is mainly received by the inclined surface of the second cylindrical guard 80B (Guard2). The IPA received by the sloping surface moves downward along the sloping surface and is guided to the cylindrical surface. The IPA guided to the cylindrical surface is finally received by the corresponding cup 90B. The IPA received by the cup 90B is recovered to a predetermined recovery container through the channel 902 and the third processing liquid recovery channel 904 by opening the valve V3.

また、ＩＰＡ処理工程（ステップＳ５）の間は、排気接続管４５に接続される排気配管１１が、有機排気用配管となるように、切り換え機構１２により切り換えられている。 During the IPA treatment step (step S5), the switching mechanism 12 switches the exhaust pipe 11 connected to the exhaust connection pipe 45 to the organic exhaust pipe.

次に、基板ＷをＮ_２ガスを用いて乾燥する乾燥処理工程（ステップＳ６（N₂dry））が実行される。具体的には、ＩＰＡノズル３５の位置は、上記の処理位置のままで、バルブ５８が閉じられ、バルブ５９が開かれる。これにより、Ｎ_２ガスが配管４９を通じてＩＰＡノズル３５に供給され、ＩＰＡノズル３５からＮ_２ガスが吐出される。これにより、Ｎ_２ガスにより基板Ｗの表面のＩＰＡが乾燥される。図９の例では、乾燥処理工程において基板Ｗに側方から対向するガードは、第１筒状ガード８０Ａ（Guard1）である。 Next, a drying process step (step S6 ( _N2 dry)) of drying the substrate W using _N2 gas is performed. Specifically, the IPA nozzle 35 remains at the processing position described above, the valve 58 is closed, and the valve 59 is opened. Thereby, the N ₂ gas is supplied to the IPA nozzle 35 through the pipe 49 and the N ₂ gas is discharged from the IPA nozzle 35 . As a result, the IPA on the surface of the substrate W is dried by the _N2 gas. In the example of FIG. 9, the guard that laterally faces the substrate W in the drying process is the first cylindrical guard 80A (Guard1).

また、乾燥処理工程（ステップＳ６）の間に、並行して、カップ洗浄処理工程（ステップＳ６）が行われる。 Further, the cup cleaning process (step S6) is performed in parallel with the drying process (step S6).

カップ洗浄処理工程では、洗浄液ポンプ６４が駆動され、洗浄液バルブ５５が開かれて、洗浄液として例えばＤＩＷが洗浄液配管４６を通して複数、具体的には７つのカップ洗浄ノズル２８へ与えられる。その際、洗浄液ポンプ６４の供給力が制御され、洗浄液配管４６（詳しくはその本管部４６ｂ）を流れるＤＩＷの流量が、例えば、１５００ｍｌ／分に設定される。これにより、７つのカップ洗浄ノズル２８へそれぞれ供給されるＤＩＷの流量、換言すればカップ洗浄ノズル２８の１つ当たりに供給されるＤＩＷの流量は、約２１０ｍｌ／分となる。 In the cup cleaning process, the cleaning liquid pump 64 is driven, the cleaning liquid valve 55 is opened, and a cleaning liquid such as DIW is supplied to a plurality of, specifically seven, cup cleaning nozzles 28 through the cleaning liquid pipe 46 . At that time, the supply power of the cleaning liquid pump 64 is controlled, and the flow rate of DIW flowing through the cleaning liquid pipe 46 (specifically, its main pipe portion 46b) is set to, for example, 1500 ml/min. As a result, the flow rate of DIW supplied to each of the seven cup cleaning nozzles 28, in other words, the flow rate of DIW supplied per cup cleaning nozzle 28 is about 210 ml/min.

７つのカップ洗浄ノズル２８は、それぞれ、前述した通りの平面視で扇形噴射を行い、かつ、噴射中心が周方向に所定角度θ振った方向に広範囲に噴射を行う。これにより、筒状ガード８０のうちの主として第２筒状ガード８０Ｂ（内側ガード：Guard2）の内周面に付着したＩＰＡがＤＩＷによって洗浄される。そして、洗浄液（ＩＰＡとＤＩＷとが混ざった液）は、カップ９０Ｂにより受け止められる。カップ９０Ｂによって受け止められた洗浄液は、バルブＶ３が開かれることにより、流路９０２及び第３処理液回収路９０４を通じて所定の回収容器へ回収される。 Each of the seven cup cleaning nozzles 28 performs a fan-shaped jet in a plan view as described above, and jets over a wide range in a direction in which the center of the jet is swung at a predetermined angle θ in the circumferential direction. As a result, of the tubular guards 80, mainly the IPA adhering to the inner peripheral surface of the second tubular guard 80B (inner guard: Guard2) is washed by DIW. A cleaning liquid (a liquid in which IPA and DIW are mixed) is received by the cup 90B. The cleaning liquid received by the cup 90B is recovered to a predetermined recovery container through the flow path 902 and the third processing liquid recovery path 904 by opening the valve V3.

また、ＩＰＡ処理工程（ステップＳ５）及びＮ_２乾燥処理工程兼カップ洗浄処理工程（ステップＳ６）の間は、排気接続管４５に接続される排気配管１１が、有機化合物排気用配管となるように、切り換え機構１２により切り換えられている。 Further, during the IPA treatment step (step S5) and the _N2 drying treatment/cup cleaning treatment step (step S6), the exhaust pipe 11 connected to the exhaust connection pipe 45 is arranged to be an organic compound exhaust pipe. , are switched by the switching mechanism 12 .

この実施形態のように、Ｎ_２乾燥燥処理工程（ステップＳ６）を行う際に、並行して、カップ洗浄処理工程を行うことにより、レシピ終了時点の排気中のＩＰＡ濃度の低減を図れるという効果がある。 As in this embodiment, by performing the cup cleaning process in parallel with the _N2 drying process (step S6), the effect is that the concentration of IPA in the exhaust gas at the end of the recipe can be reduced. There is

なぜならば、ＩＰＡ処理工程（ステップＳ５）においては、筒状ガード８０にＩＰＡが付着残留するため、レシピ終了までに排気中のＩＰＡ濃度が減衰しないという課題があった。この実施形態では、筒状ガード８０に付着残留したＩＰＡを、Ｎ_２乾燥処理工程と並行して洗浄するカップ洗浄処理を行うこととしたので、筒状ガード８０にＩＰＡが付着残留することを抑制又は防止できる。よって、レシピ終了時点の排気中ＩＰＡ濃度が低減する。 This is because, in the IPA processing step (step S5), IPA remains attached to the cylindrical guard 80, so there is a problem that the IPA concentration in the exhaust gas does not decrease until the end of the recipe. In this embodiment, the cup cleaning process for cleaning the IPA remaining on the cylindrical guard 80 is performed in parallel with the _N2 drying process, so that the remaining IPA on the cylindrical guard 80 is suppressed. or can be prevented. Therefore, the exhaust IPA concentration at the end of the recipe is reduced.

＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。 <Other embodiments>
The present invention is not limited to the embodiments described above, but can be embodied in other forms.

例えば、上述の実施形態では、２つの筒状ガード８０（第１筒状ガード８０Ａ及び第２筒状ガード８０Ｂ）が設けられている。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、いずれかの筒状ガード８０のみが設けられていてもよい。 For example, in the embodiment described above, two tubular guards 80 (a first tubular guard 80A and a second tubular guard 80B) are provided. However, unlike the embodiments described above, only one of the tubular guards 80 may be provided.

また、上述の実施形態では、Ｎ_２ガスを用いたＮ_２乾燥処理工程（ステップＳ６）が行われる構成を説明した。しかし、基板Ｗの乾燥処理は、Ｎ_２ガスを用いずに、例えば、スピンドライ工程により行われるものでもよい。その場合でも、スピンドライ工程と並行してカップ洗浄処理工程を行うことにより、レシピ終了時点の排気中ＩＰＡ濃度を低減させることができる。 Further, in the above-described embodiment, the configuration in which the N ₂ drying treatment step (step S6) using N ₂ gas is performed has been described. However, the drying process of the substrate W may be performed by, for example, a spin dry process without using _N2 gas. Even in that case, the concentration of IPA in the exhaust gas at the end of the recipe can be reduced by performing the cup cleaning process in parallel with the spin dry process.

また、上述の実施形態では、仕切り板１０４が設けられている。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、仕切り板１０４が設けられておらず、ガード外空間１０３が上下に仕切られていない構成であってもよい。この場合、排気接続管４５は、処理チャンバ１７の側壁１７Ｂに開口される。 Moreover, the partition plate 104 is provided in the above-described embodiment. However, unlike the above-described embodiment, the partition plate 104 may not be provided, and the space 103 outside the guard may not be vertically partitioned. In this case, the exhaust connection pipe 45 is opened in the side wall 17B of the processing chamber 17 .

また、上述の実施形態では、複数の処理ユニット５が、複数の基板載置部６、インデクサロボットＩＲ、複数の主搬送ロボットＣＲ及びコントローラ４とともに、基板処理装置１に備えられている。しかしながら、基板処理装置は、単一の処理ユニット５のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット５が基板処理装置の一例であってもよい。 Further, in the above-described embodiment, the substrate processing apparatus 1 is provided with a plurality of processing units 5 together with a plurality of substrate platforms 6 , an indexer robot IR, a plurality of main transfer robots CR and the controller 4 . However, the substrate processing apparatus may be configured with only a single processing unit 5 . In other words, the processing unit 5 may be an example of a substrate processing apparatus.

なお、上述の実施形態では、「沿う」、「水平」、「鉛直」などといった表現を用いているが、厳密に「沿う」、「水平」、「鉛直」などであることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置精度等のずれを許容するものである。 In the above-described embodiment, expressions such as "along", "horizontal", "vertical", etc. are used, but strictly "along", "horizontal", "vertical", etc. are not required. In other words, each of these expressions allows deviations in manufacturing accuracy, installation accuracy, and the like.

この明細書において、「～」を用いて数値範囲を示した場合、特に限定されて言及されない限り、これらは両方の端点を含む。 In this specification, when "to" is used to indicate a numerical range, it includes both endpoints, unless specifically stated otherwise.

その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。 In addition, various modifications can be made within the scope of the claims.

１ ：基板処理装置
４ ：コントローラ
５ ：処理ユニット
９ ：流体供給部
１５ ：スピンチャック
１６ ：処理カップ
２０ ：チャックピン
２１ ：スピンベース
２２ ：回転軸
２３ ：スピンモータ
２７ ：ボスケーシング
２７ａ ：傾斜面
２８ ：カップ洗浄ノズル
３０ ：処理液ノズル
３１、３４ ：薬液ノズル
３２ ：上側リンス液ノズル
３３ ：下側リンス液ノズル
３５ ：ＩＰＡノズル
４１、４７ ：薬液配管
４２ ：上側リンス液配管
４３ ：下側リンス液配管
４４ ：下側気体配管
４５ ：排気接続管
４６ ：洗浄液配管
４８、４９ ：配管
５１、５７ ：薬液バルブ
５２ ：上側リンス液バルブ
５３ ：下側リンス液バルブ
５４ ：下側気体バルブ
５５ ：洗浄液バルブ
５８、５９ ：バルブ
６１、６７ ：薬液ポンプ
６２ ：上側リンス液ポンプ
６３ ：下側リンス液ポンプ
６４ ：洗浄液ポンプ
８０、８０Ａ、８０Ｂ ：筒状ガード
９０、９０Ａ、９０Ｂ ：カップ
９５ ：ガード昇降ユニット
９０１、９０３、９０４ ：処理液回収路
９０２ ：流路
Ａ１ ：回転軸線
Ｗ ：基板 Reference Signs List 1 : substrate processing apparatus 4 : controller 5 : processing unit 9 : fluid supply unit 15 : spin chuck 16 : processing cup 20 : chuck pin 21 : spin base 22 : rotating shaft 23 : spin motor 27 : boss casing 27a : inclined surface 28 : Cup cleaning nozzle 30 : Treatment liquid nozzles 31 and 34 : Chemical liquid nozzle 32 : Upper rinse liquid nozzle 33 : Lower rinse liquid nozzle 35 : IPA nozzles 41 and 47 : Chemical liquid pipe 42 : Upper rinse liquid pipe 43 : Lower rinse liquid Piping 44 : Lower gas pipe 45 : Exhaust connecting pipe 46 : Washing liquid pipes 48, 49 : Piping 51, 57 : Chemical liquid valve 52 : Upper rinse liquid valve 53 : Lower rinse liquid valve 54 : Lower gas valve 55 : Cleaning liquid valve 58, 59: Valves 61, 67: Chemical liquid pump 62: Upper rinse liquid pump 63: Lower rinse liquid pump 64: Cleaning liquid pumps 80, 80A, 80B: Cylindrical guards 90, 90A, 90B: Cup 95: Guard lifting unit 901 , 903, 904: treatment liquid recovery path 902: flow path A1: rotation axis W: substrate

Claims (7)

基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持しながら所定の回転軸線まわりに前記基板を回転させる回転保持部材と、
前記回転保持部材を取り囲む筒状の処理カップと、
前記回転保持部材の下方に設けられ、平面視において、前記処理カップに向けて洗浄液を扇形状に噴射するカップ洗浄ノズルとを備え、
前記カップ洗浄ノズルは、前記回転軸線から半径方向に所定距離を隔てた位置において、前記回転軸線まわりの周方向に等しい間隔を空けて複数個が配置されており、
各前記カップ洗浄ノズルは、洗浄液の噴射中心が、前記半径方向に対して前記周方向に所定角度振った方向を向いている、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
a rotation holding member that rotates the substrate around a predetermined rotation axis while holding the substrate;
a cylindrical processing cup surrounding the rotary holding member;
a cup cleaning nozzle that is provided below the rotation holding member and ejects cleaning liquid in a fan shape toward the processing cup in a plan view;
A plurality of the cup cleaning nozzles are arranged at a predetermined distance in the radial direction from the axis of rotation at equal intervals in the circumferential direction around the axis of rotation,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein each of the cup cleaning nozzles has a center of spraying the cleaning liquid oriented in a direction swayed in the circumferential direction by a predetermined angle with respect to the radial direction. 前記処理カップは、前記回転保持部材によって回転される前記基板から外方に飛散する液体を受け止める筒状ガードと、前記筒状ガードによって下方に案内される液体を受け止めるカップとを含み、
複数の前記カップ洗浄ノズルは、それぞれ、前記筒状ガードの内周面と一定の間隔を空けて対向している、請求項１に記載の基板処理装置。 The processing cup includes a cylindrical guard that receives liquid splashing outward from the substrate rotated by the rotation holding member, and a cup that receives liquid guided downward by the cylindrical guard,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said plurality of cup cleaning nozzles are opposed to the inner circumferential surface of said cylindrical guard with a predetermined gap therebetween. 前記カップ洗浄ノズルは、平面視において所定の角度に拡がる扇形噴射を行い、側面視においてほぼ水平方向の直線状噴射を行うノズルである、請求項１又は２に記載の基板処理装置。 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said cup cleaning nozzle is a nozzle that performs a fan-shaped jet that spreads at a predetermined angle in a plan view, and a nozzle that performs a substantially horizontal linear jet in a side view. 前記カップ洗浄ノズルの前記周方向に振った前記所定角度θは、１０°≦θ≦３０°である、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。 4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said predetermined angle θ of said cup cleaning nozzle swung in said circumferential direction satisfies 10°≦θ≦30°. 前記カップ洗浄ノズルは、７個設けられている、請求項４に記載の基板処理装置。 5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein seven cup cleaning nozzles are provided. 前記カップ洗浄ノズルが噴射する前記洗浄液は、ＤＩＷ（脱イオン水）を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said cleaning liquid ejected from said cup cleaning nozzle contains DIW (deionized water). 請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置における処理カップの洗浄方法であって、
ＶＯＣ（揮発性有機化合物）を用いたＶＯＣ処理工程を行い、その後に基板の乾燥処理工程を行う際に、当該乾燥処理工程と並行して、前記カップ洗浄ノズルを用いて前記処理カップの洗浄を行う、基板処理装置における処理カップの洗浄方法。 A method for cleaning a processing cup in a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
When performing a VOC treatment process using a VOC (volatile organic compound) and then performing a substrate drying process, the cup cleaning nozzle is used to clean the processing cup in parallel with the drying process. A method for cleaning a processing cup in a substrate processing apparatus, comprising:

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