KR100876940B1 - Probe card using isolinear needle - Google Patents

Probe card using isolinear needle Download PDF

Info

Publication number
KR100876940B1
KR100876940B1 KR1020070060134A KR20070060134A KR100876940B1 KR 100876940 B1 KR100876940 B1 KR 100876940B1 KR 1020070060134 A KR1020070060134 A KR 1020070060134A KR 20070060134 A KR20070060134 A KR 20070060134A KR 100876940 B1 KR100876940 B1 KR 100876940B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
isotropic
probes
tapered
probe
diameter
Prior art date
Application number
KR1020070060134A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20080111775A (en
Inventor
김학준
전병희
표창률
김웅겸
Original Assignee
주식회사 새한마이크로텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 새한마이크로텍 filed Critical 주식회사 새한마이크로텍
Priority to KR1020070060134A priority Critical patent/KR100876940B1/en
Publication of KR20080111775A publication Critical patent/KR20080111775A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100876940B1 publication Critical patent/KR100876940B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays

Abstract

본 발명은 반도체 소자, 평면디스플레이 등 피검사체의 전기적 특성을 테스트하기 위한 등선형 니들을 사용한 프로브 카드를 개시한다. 본 발명은 인쇄회로기판과, 인쇄회로기판의 일측에 다층으로 적층되어 있으며 제1 직경을 갖는 복수의 제1 등선형 테이퍼 프로브들과, 제1 등선형 테이퍼 프로브들 중 최상층에 위치되어 있는 최상층 제1 등선형 테이퍼 프로브의 상층에 다층으로 적층되어 있고 제1 등선형 테이퍼 프로브들의 직경보다 큰 제2 직경을 갖는 복수의 제2 등선형 테이퍼 프로브들과, 최상층 제1 등선형 테이퍼 프로브와 제2 등선형 테이퍼 프로브들 중 최하층에 위치되어 있는 최하층 제2 등선형 테이퍼 프로브들 사이에 적층되어 있는 제1 비선형 테이퍼 프로브와, 인쇄회로기판의 일측면에 장착되어 있고 제1 및 제2 등선형 테이퍼 프로브들과 제1 비선형 테이퍼 프로브들을 인쇄회로기판에 지지하는 서포터로 구성된다. 제1 비선형 테이퍼 프로브는 제1 등선형 테이퍼 프로브과 동일한 제1 직경을 갖는다. 본 발명에 의하면, 다층으로 적층되는 등선형 테이퍼 프로브들의 직경 및 길이 차이에 따른 강성 차이를 최소화하기 위하여 등선형 테이퍼 프로브들 중 그 직경이 변경되는 두개 층의 등선형 테이퍼 프로브들 사이에 비선형 테이퍼 프로브를 배치함으로써, 테스트의 신뢰성과 재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 프로브들의 스크러브 마크가 일정하므로, 피검사체의 미세화에 대응하여 용이하게 제작할 수 있다.

Figure R1020070060134

The present invention discloses a probe card using an isolinear needle for testing the electrical characteristics of an object under test, such as a semiconductor device and a flat panel display. The present invention relates to a printed circuit board, a plurality of first isotropic tapered probes having a first diameter, stacked in multiple layers on one side of the printed circuit board, and a top layer positioned on a top layer of the first isotropic tapered probes. A plurality of second isotropic tapered probes stacked in multiple layers on top of the first isotropic tapered probe and having a second diameter greater than the diameter of the first isotropic tapered probes; A first nonlinear taper probe stacked between the lowest second isotropic tapered probes positioned on the lowermost of the tapered probes, and the first and second isotropic tapered probes mounted on one side of the printed circuit board. And a supporter for supporting the first nonlinear tapered probes on the printed circuit board. The first nonlinear tapered probe has a first diameter that is the same as the first isotropic tapered probe. According to the present invention, in order to minimize the stiffness difference according to the diameter and length difference of the isotropic tapered probes stacked in multiple layers, the non-linear taper probe between two isotropic tapered probes whose diameter is changed among the isotropic tapered probes By arranging, the reliability and reproducibility of the test can be improved. In addition, since the scrub marks of the probes are constant, the probes can be easily manufactured in response to the miniaturization of the inspected object.

Figure R1020070060134

Description

등선형 니들을 사용한 프로브 카드{PROBE CARD USING ISOLINEAR NEEDLE}Probe card with isometric needles {PROBE CARD USING ISOLINEAR NEEDLE}

도 1은 본 발명에 따른 등선형 니들을 사용한 프로브 카드의 구성을 나타낸 단면도,1 is a cross-sectional view showing the configuration of a probe card using an isometric needle according to the present invention,

도 2는 본 발명의 프로브 카드에서 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브를 나타낸 정면도,
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 프로브 카드에서 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브를 제작하기 위한 등선형 니들의 구성을 설명하기 위하여 나타낸 정면도,Figure 2 is a front view showing the first to third isotropic tapered probe in the probe card of the present invention,
Figures 3a and 3b is a front view showing to explain the configuration of the isometric needle for manufacturing the first to third isotropic tapered probe in the probe card of the present invention,

도 4는 본 발명의 프로브 카드에서 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브를 나타낸 정면도,
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 프로브 카드에서 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브를 제작하기 위한 비선형 니들의 구성을 설명하기 위하여 나타낸 정면도,4 is a front view of the first and second non-linear tapered probe in the probe card of the present invention,
5A and 5B are front views showing to explain the configuration of the nonlinear needles for manufacturing the first and second nonlinear tapered probes in the probe card of the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 프로브 카드를 설명하기 위하여 등선형 테이퍼 프로브들이 다층으로 적층되어 있는 구성을 나타낸 단면도,6 is a cross-sectional view showing a configuration in which isotropic tapered probes are stacked in multiple layers to explain a probe card according to the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 프로브 카드를 설명하기 위하여 비선형 테이퍼 프로브들이 다층으로 적층되어 있는 구성을 나타낸 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a configuration in which non-linear tapered probes are stacked in multiple layers in order to explain the probe card according to the present invention.

♣도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣♣ Explanation of symbols for the main parts of the drawing ♣

10: 인쇄회로기판 20: 제1 등선형 테이퍼 프로브10: printed circuit board 20: first isotropic tapered probe

30: 제2 등선형 테이퍼 프로브 40: 제3 등선형 테이퍼 프로브30: second isometric tapered probe 40: third isometric tapered probe

50: 제1 비선형 테이퍼 프로브 60: 제2 비선형 테이퍼 프로브50: first nonlinear taper probe 60: second nonlinear taper probe

70: 서포터 72: 절연수지70: supporter 72: insulating resin

본 발명은 등선형 니들을 사용한 프로브 카드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자, 평면디스플레이 등 피검사체의 전기적 특성을 테스트하기 위한 등선형 니들을 사용한 프로브 카드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card using an isotropic needle, and more particularly, to a probe card using an isotropic needle for testing electrical characteristics of an object under test such as a semiconductor device and a flat panel display.

반도체 소자는 웨이퍼(Wafer)의 제조에서부터 웨이퍼의 테스트, 다이(Die)의 패키징(Packaging) 등 많은 공정을 통하여 제조하고 있다. 웨이퍼의 테스트는 반도체 소자의 전기적 특성을 테스트하기 위한 이른 바 전기적 다이 소팅 테스트(Electrical Die Sorting Test)이다. 전기적 다이 소팅 테스트는 반도체 소자의 패드(Pad)들에 프로브 카드의 프로브들을 접촉하여 전기신호를 입출력하고, 그 신호에 따라 반도체 소자의 양품과 불량품을 분류한다. 프로브 카드는 반도체 소자의 테스트 이외에도 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), OEL(Organic ElectroLuminescence) 등 평면디스플레이(Flat Display)의 셀(Cell) 공정에서 테이터/게이트 라인(Data/Gate Line)의 테스트에 사용되고 있다.Semiconductor devices are manufactured through many processes, such as manufacturing a wafer, testing a wafer, and packaging a die. The test of the wafer is a so-called electrical die sorting test for testing the electrical properties of semiconductor devices. The electrical die sorting test contacts the probes of the probe card to pads of the semiconductor device to input and output an electrical signal, and classifies the good and defective products of the semiconductor device according to the signal. In addition to testing semiconductor devices, probe cards can be used for data / gates in flat display cell processes such as thin film transistor-liquid crystal displays (TFT-LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic electroluminescence (OEL). It is used for testing the line (Data / Gate Line).

프로브 카드는 크게 테스터(Tester)의 테스트 헤드(Test Head)와 접속되어 있는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)과, 웨이퍼의 패드들과 직접 접촉되는 복수의 프로브들과, 프로브들을 지지하는 서포터(Support)로 구성되어 있다. 이러한 프로브 카드의 인쇄회로기판과 프로브들 사이에는 스페이스 트랜스포머(Space Transformer)와 인터포저(Interposer)가 구비되기도 한다. 스페이스 트랜스포머는 복수의 프로브들을 미세한 피치(Pitch)로 배열할 수 있도록 구성되어 있다. 인터포 저는 인쇄회로기판과 스페이스 트랜스포머 사이에서 전기 신호를 전달하고, 프로브 카드의 평탄도를 유지하도록 구성되어 있다.The probe card includes a printed circuit board connected to a test head of a tester, a plurality of probes in direct contact with pads of a wafer, and a supporter for supporting the probes. It consists of). A space transformer and an interposer may be provided between the printed circuit board and the probes of the probe card. The space transformer is configured to arrange a plurality of probes at a fine pitch. The interposer is configured to carry electrical signals between the printed circuit board and the space transformer and to maintain the flatness of the probe card.

미국특허공보 제7,150,095호, 제7,138,812호 등 많은 문헌의 프로브 카드에는 인쇄회로기판에 니들 타입(Needle Type) 프로브들이 접속되어 있는 기술이 개시되어 있다. 이 특허 문헌들의 프로브 카드는 인쇄회로기판에 프로브들을 지지하기 위한 서포터가 장착되어 있다. 프로브들은 절연수지(Insulative Resin), 예를 들어 에폭시수지(Epoxy Resin)의 몰딩(Molding)에 의하여 서포터에 고정되어 있으며 솔더링(Soldering)에 의하여 인쇄회로기판에 접속되어 있다.Probe cards in many documents, such as US Pat. Nos. 7,150,095 and 7,138,812, disclose a technique in which needle type probes are connected to a printed circuit board. The probe card of these patent documents is equipped with a supporter for supporting the probes on a printed circuit board. The probes are fixed to the supporter by molding of insulating resin, for example, epoxy resin, and connected to the printed circuit board by soldering.

상기한 특허 문헌들의 프로브 카드를 포함하는 종래기술의 프로브 카드에 있어서 반도체 소자의 고밀도화 추세에 기인하여 패턴(Pattern)의 피치(Pitch)가 10㎛으로 점차 미세화되어 제작되고 있다. 니들 타입의 프로브들은 전기전도도와 강성을 고려하여 텅스텐(W), 레늄텅스텐(ReW), 백금(Pt) 등의 소재로 직경 80~150㎛으로 제작되고 있다. 니들 타입의 프로브들에 의하여 파인피치(Fine Pitch)의 패턴을 갖는 반도체 소자를 테스트하기 위하여 프로브들을 적층구조로 배열하여 제작하고 있다. In the prior art probe card including the probe card of the above-mentioned patent documents, the pitch of the pattern is gradually miniaturized to 10 mu m due to the trend of increasing the density of semiconductor elements. Needle type probes are made of materials such as tungsten (W), rhenium tungsten (ReW), and platinum (Pt) in consideration of electrical conductivity and rigidity, and are manufactured to a diameter of 80 to 150 μm. In order to test a semiconductor device having a fine pitch pattern by needle-type probes, probes are manufactured in a stacked structure.

적층구조의 프로브들은 그 직경이 동일한 경우, 각 층마다 프로브들의 길이가 다르게 제작되고 있다. 각 층마다 길이가 다른 프로브들은 그 강성이 다르고, 패드들과의 접촉 시 작용되는 응력에 의한 변형률이 다르기 때문에 접속 불량의 원인이 되는 문제가 있다. 즉, 최하층의 프로브들은 최상층의 프로브들보다 쉽게 변형되지 않는 반면, 프로브들은 쉽게 변형되어 프로브들과 패드들 사이의 접촉력에 상당한 차이가 발생되고, 프로브들과 패드들의 접촉이 불량해지는 문제가 있다. 한편, 적층구조의 프로브들에 있어서 각 층에서 발생되는 강성의 차이를 보상하기 위하여 층에 따라 프로브들의 직경을 변경하고 있으나, 변형률의 차이에 의한 접속 불량을 방지하지 못하고 있다.When the probes of the stacked structure have the same diameter, the lengths of the probes are manufactured differently for each layer. Probes with different lengths in each layer have different stiffness and different strains due to stresses applied to the pads, thereby causing connection failure. That is, while the lowermost probes are not easily deformed than the uppermost probes, the probes are easily deformed, resulting in a significant difference in contact force between the probes and the pads, and poor contact between the probes and the pads. Meanwhile, in order to compensate for the difference in stiffness generated in each layer in the stacked probes, the diameters of the probes are changed according to layers, but connection failures due to differences in strains are not prevented.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 여러 가지 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 다층으로 적층되는 프로브들의 직경 및 길이 차이에 따른 강성 차이를 최소화하여 테스트의 신뢰성과 재현성을 향상시킬 수 있는 등선형 니들을 사용한 프로브 카드를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve various problems of the prior art as described above, an object of the present invention is to minimize the stiffness difference according to the diameter and length difference of the probes stacked in multiple layers to improve the reliability and reproducibility of the test The present invention provides a probe card using an isometric needle.

본 발명의 다른 목적은 스크러브 마크(Scrub Mark)가 일정하므로, 피검사체의 미세화에 대응하여 용이하게 제작할 수 있는 등선형 니들을 사용한 프로브 카드를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a probe card using an isolinear needle which can be easily manufactured to cope with the miniaturization of an inspected object because a scrub mark is constant.

이와 같은 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 인쇄회로기판과; 인쇄회로기판의 일측에 다층으로 적층되어 있으며, 제1 직경을 갖는 복수의 제1 등선형 테이퍼 프로브들과; 제1 등선형 테이퍼 프로브들 중 최상층에 위치되어 있는 최상층 제1 등선형 테이퍼 프로브의 상층에 다층으로 적층되어 있고, 제1 등선형 테이퍼 프로브들의 직경보다 큰 제2 직경을 갖는 복수의 제2 등선형 테이퍼 프로브들과; 최상층 제1 등선형 테이퍼 프로브와 제2 등선형 테이퍼 프로브들 중 최하층에 위치되어 있는 최하층 제2 등선형 테이퍼 프로브들 사이에 적층되어 있는 제1 비선형 테이퍼 프로브와; 인쇄회로기판의 일측면에 장착되어 있고, 제1 및 제2 등선형 테이퍼 프로브들과 제1 비선형 테이퍼 프로브들을 인쇄회로기판에 지지하는 서포터로 이루어지는 등선형 니들을 사용한 프로브 카드에 있다.Features of the present invention for achieving the above object, a printed circuit board; A plurality of first isotropic tapered probes stacked on one side of the printed circuit board and having a first diameter; A plurality of second isoforms stacked in multiple layers on top of the topmost first isotropic taper probe positioned on the top of the first isotropic tapered probes and having a second diameter greater than the diameter of the first isotropic tapered probes; Tapered probes; A first nonlinear tapered probe stacked between the uppermost first isotropic tapered probe and the second lowest isotropic tapered probe positioned at the lowest of the second isotropic tapered probes; A probe card is mounted on one side of a printed circuit board and includes an isometric needle made of first and second isotropic tapered probes and a supporter supporting the first nonlinear taper probes on the printed circuit board.

본 발명의 그 밖의 목적, 특정한 장점들과 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 분명해질 것이다.Other objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description and preferred embodiments associated with the accompanying drawings.

이하, 본 발명에 따른 등선형 니들을 사용한 프로브 카드에 대한 바람직한 실시예들을 첨부된 도면들에 의거하여 상세하게 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a probe card using an isometric needle according to the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 프로브 카드는 인쇄회로기판(10), 복수의 제1 등선형 테이퍼 프로브(Isolinear Taper Probe: 20)들, 복수의 제2 등선형 테이퍼 프로브(30), 복수의 제3 등선형 테이퍼 프로브(40)들, 제1 비선형 테이퍼 프로브(Nonlinear Taper Probe: 50), 제2 비선형 테이퍼 프로브(Nonlinear Taper Probe: 60)와 서포터(70)로 구성되어 있다.First, referring to FIG. 1, the probe card of the present invention includes a printed circuit board 10, a plurality of first isotropic taper probes 20, a plurality of second isotropic taper probes 30, The plurality of third isolinear taper probes 40, a first nonlinear taper probe 50, a second nonlinear taper probe 60, and a supporter 70 may be formed.

인쇄회로기판(10)은 공지의 포고블록(Pogo Block)과 퍼포먼스보드유닛(Performance Board Unit)에 의하여 테스터의 테스트 헤드에 접속되어 있다. 인쇄회로기판(10)은 다층인쇄회로기판(Multi-layer Printed Circuit Board)으로 구성될 수 있다. 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들 각각은 인쇄회로기판(10)의 일측에 다층으로 적층되어 있다. 제1 비선형 테이퍼 프로브(50)는 제1 등선형 테이퍼 프로브(20)들 중 최상층에 위치되어 있는 최상층 제1 등선형 테이퍼 프로브와 제2 등선형 테이퍼 프로브(30)들 중 최하층에 위치되어 있는 최하층 제2 등선형 테이퍼 프로브 사이에 적층되어 있다. 제2 비선형 테이퍼 프로브(60)는 제2 등선형 테이퍼 프로브(30)들 중 최상층에 위치되어 있는 최상층 제2 등선형 테이퍼 프로브와 제3 등선형 테이퍼 프로브(40)들 중 최하층에 위치되어 있는 최하층 제3 등선형 테이퍼 프로브 사이에 적층되어 있다. 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60)는 텅스텐(W), 레늄텅스텐(ReW), 백금(Pt), 베릴륨-구리 합금(Be-Cu Alloy), 베릴륨-니켈 합금(Be-Ni Alloy) 등으로 구성될 수 있다.The printed circuit board 10 is connected to a test head of the tester by a known Pogo Block and a Performance Board Unit. The printed circuit board 10 may be composed of a multi-layer printed circuit board. Each of the first to third isotropic tapered probes 20, 30, and 40 is laminated in one side of the printed circuit board 10. The first nonlinear taper probe 50 is the uppermost layer positioned on the uppermost layer of the first isotropic tapered probes 20 and the lowest layer positioned on the lowermost layer of the first isotropic tapered probe and the second isotropic tapered probes 30. It is laminated between the second isotropic tapered probes. The second nonlinear taper probe 60 is the uppermost layer positioned on the uppermost layer of the second isotropic tapered probes 30 and the lowermost layer positioned on the lowermost layer of the second isotropic tapered probe and the third isotropic tapered probes 40. It is laminated between the third isotropic tapered probes. The first to third isotropic tapered probes 20, 30, 40 and the first and second nonlinear tapered probes 50, 60 are tungsten (W), rhenium tungsten (ReW), platinum (Pt), beryllium- It may be composed of a copper alloy (Be-Cu Alloy), beryllium-nickel alloy (Be-Ni Alloy) and the like.

제1 등선형 테이퍼 프로브(20)들은 제1층 등선형 테이퍼 프로브(20-1), 제2층 등선형 테이퍼 프로브(20-2)와 제3층 등선형 테이퍼 프로브(20-3)로 적층되어 있다. 제2 등선형 테이퍼 프로브(30)들은 제5층 등선형 테이퍼 프로브(30-1), 제6 층 등선형 테이퍼 프로브(30-2)와 제7층 등선형 테이퍼 프로브(30-3)로 적층되어 있다. 제3 등선형 테이퍼 프로브(40)들은 제9 층 등선형 테이퍼 프로브(40-1)와 제10층 등선형 테이퍼 프로브(40-2)로 적층되어 있다.The first isotropic tapered probes 20 are stacked with a first layer isotropic tapered probe 20-1, a second layer isotropic tapered probe 20-2, and a third layer isotropic tapered probe 20-3. It is. The second isotropic tapered probes 30 are stacked with a fifth layer isotropic tapered probe 30-1, a sixth layer isotropic tapered probe 30-2, and a seventh layer isotropic tapered probe 30-3. It is. The third isotropic tapered probes 40 are stacked with a ninth layer isotropic taper probe 40-1 and a tenth layer isotropic taper probe 40-2.

제1 비선형 테이퍼 프로브(50)는 제3층 등선형 테이퍼 프로브(20-3)와 제5층 등선형 테이퍼 프로브(30-1) 사이에 위치되는 제4층으로 적층되어 있다. 제2 비선형 테이퍼 프로브(60)는 제7층 등선형 테이퍼 프로브(30-3)와 제9층 등선형 테이퍼 프로브(40-1) 사이에 위치되는 제8층으로 적층되어 있다. 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60) 각각의 층수는 필요에 따라 증감될 수 있다. The first nonlinear tapered probe 50 is stacked in a fourth layer positioned between the third layer isotropic tapered probe 20-3 and the fifth layer isotropic tapered probe 30-1. The second nonlinear taper probe 60 is stacked in an eighth layer positioned between the seventh layer isotropic taper probe 30-3 and the ninth layer isotropic taper probe 40-1. The number of layers of each of the first to third isotropic tapered probes 20, 30 and 40 and the first and second nonlinear tapered probes 50 and 60 may be increased or decreased as necessary.

도 1, 도 2와 도 4를 함께 참조하면, 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60) 각각의 일단과 타단에 제1 팁(Tip: 22, 32, 42, 52, 62)과 제2 팁(24, 34, 44, 54, 64)이 형성되어 있다. 제1 팁(22, 32, 42, 52, 62)은 예를 들어 솔더링에 의하여 인쇄회로기판(10)에 접속되어 있다. 제2 팁(24, 34, 44, 54, 64)은 자유단으로 구성되어 있으며, 웨이퍼, 평면디스플레이 등 피검사체의 패드들에 접촉되어 전기 신호를 입출력한다. 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60) 각각은 서포터(70)에 의하여 인쇄회로기판(10)의 일측면에 지지되어 있다. 프로브(20, 30, 40, 50, 60)들 각각은 절연수지(72), 예를 들어 에폭시수지의 몰딩에 의하여 서포터(70)에 고정되어 있다. 서포터(70)는 절연성을 갖는 소재, 예를 들어 세라믹으로 구성될 수 있다. Referring to FIGS. 1, 2 and 4 together, at one end and the other end of each of the first to third isotropic tapered probes 20, 30, 40 and the first and second non-linear tapered probes 50, 60, respectively. First tips 22, 32, 42, 52 and 62 and second tips 24, 34, 44, 54 and 64 are formed. The first tips 22, 32, 42, 52 and 62 are connected to the printed circuit board 10 by soldering, for example. The second tips 24, 34, 44, 54, and 64 have free ends, and are in contact with pads of a test object such as a wafer and a flat panel display to input and output electrical signals. Each of the first to third isotropic tapered probes 20, 30, and 40 and the first and second nonlinear tapered probes 50 and 60 is supported by one supporter 70 on one side of the printed circuit board 10. It is. Each of the probes 20, 30, 40, 50, and 60 is fixed to the supporter 70 by molding an insulating resin 72, for example, an epoxy resin. The supporter 70 may be made of an insulating material, for example, ceramic.

프로브(20, 30, 40, 50, 60)들 각각의 양측에 제1 절곡부분(28a, 38a, 48a, 58a, 68a)과 제2 절곡부분(28b, 38b, 48b, 58b, 68b)이 형성되어 있다. 도 1에 프로브(20, 30, 40, 50, 60)들 각각은 하나가 도시되어 있으나, 프로브(20, 30, 40, 50, 60)들 각각은 동일한 수평 평면에 복수로 배열되어 있다. 또한, 프로브(20, 30, 40, 50, 60)들 각각은 두 개소가 절곡되어 있는 것을 도시하고 설명하였으나, 프로브(20, 30, 40, 50, 60)들 각각의 절곡 형상은 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다.First bent portions 28a, 38a, 48a, 58a, 68a and second bent portions 28b, 38b, 48b, 58b, 68b are formed on both sides of each of the probes 20, 30, 40, 50, and 60. It is. Although each of the probes 20, 30, 40, 50, and 60 is illustrated in FIG. 1, each of the probes 20, 30, 40, 50, and 60 is arranged in plural in the same horizontal plane. In addition, although each of the probes 20, 30, 40, 50, and 60 shows and explained that two places are bent, the bent shape of each of the probes 20, 30, 40, 50, and 60 may be changed as necessary. It can be changed in various ways.

도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들 각각의 타단에 테이퍼(26, 36, 46)가 형성되어 있으며, 테이퍼(26, 36, 46)의 윤곽선은 직선으로 형성되어 있다. 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들은 일직선 테이퍼 프로브(Straight Taper Probe)라 부르고도 있다. 도 3a 및 도 3b에는 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들을 제작하기 위한 등선형 니들(100)이 도시되어 있다. 등선형 니들(100)의 양단에 테이퍼(102, 104)가 형성되어 있다. 등선형 니들(100)의 모든 절곡은 도 3a 및 도 3b에 점선(106)으로 도시되어 있는 바와 같이 테이퍼(102, 104) 부분에서 이루어진다.
도 4에 도시되어 있는 바와 같이, 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60) 각각의 타단에 테이퍼(56, 66)가 형성되어 있고, 테이퍼(56, 66)의 윤곽선은 곡선 모양으로 형성되어 있다. 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60)는 벨타입 프로브(Bell Type Probe) 또는 파라볼릭 타입 프로브(Parabolic Type Probe)라 부르고도 있다. 도 5a 및 도 5b에는 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60)를 제작하기 위한 비선형 니들(110)이 도시되어 있다. 등선형 니들(110)의 양단에 테이퍼(112, 114)가 형성되어 있다. 비선형 니들(110)의 모든 절곡은 도 5a 및 도 5b에 점선(116)으로 도시되어 있는 바와 같이 테이퍼(112, 114) 부분에서 이루어진다. As shown in FIG. 2, tapers 26, 36, and 46 are formed at the other ends of the first to third isotropic tapered probes 20, 30, and 40, respectively, and tapers 26, 36, and 46 are provided. ) Outlines are formed in a straight line. The first to third isotropic tapered probes 20, 30, and 40 may also be referred to as straight taper probes. 3A and 3B show isometric needles 100 for fabricating the first to third isotropic tapered probes 20, 30, 40. Tapers 102 and 104 are formed at both ends of the isotropic needle 100. All bending of the isotropic needle 100 takes place at the tapered portions 102, 104, as shown by dashed lines 106 in FIGS. 3A and 3B.
As shown in FIG. 4, tapers 56 and 66 are formed at the other ends of the first and second nonlinear taper probes 50 and 60, respectively, and the contours of the tapers 56 and 66 are curved. It is. The first and second nonlinear taper probes 50 and 60 may also be referred to as bell type probes or parabolic type probes. 5A and 5B show nonlinear needles 110 for fabricating first and second nonlinear tapered probes 50 and 60. Tapers 112 and 114 are formed at both ends of the isotropic needle 110. All bending of the nonlinear needle 110 is at the portion of the taper 112, 114 as shown by the dashed line 116 in FIGS. 5A and 5B.

도 1을 다시 참조하면, 제1 등선형 테이퍼 프로브(20)들은 제1 직경을 가지며, 제2 등선형 테이퍼 프로브(30)들은 제1 등선형 테이퍼 프로브(20)들의 제1 직경보다 큰 제2 직경을 갖는다. 제3 등선형 테이퍼 프로브(40)들은 제2 등선형 테이퍼 프로브(30)들의 직경보다 큰 제3 직경을 갖는다. 제1 비선형 테이퍼 프로브(50)는 제1 등선형 테이퍼 프로브(20)들의 직경과 동일한 제1 직경을 가지며, 제2 비선형 테이퍼 프로브(60)는 제2 등선형 테이퍼 프로브(30)들의 직경과 동일한 제2 직경을 갖는다. 예컨대, 제1 등선형 테이퍼 프로브(20)들의 직경은 80㎛이며, 제2 등선형 테이퍼 프로브(30)들의 직경은 100㎛이고, 제3 등선형 테이퍼 프로브(40)들의 직경은 120㎛이다. 제1 비선형 테이퍼 프로브(50)의 직경은 80㎛이며, 제2 비선형 테이퍼 프로브(60)의 직경은 100㎛이다. Referring back to FIG. 1, the first isotropic tapered probes 20 have a first diameter, and the second isotropic tapered probes 30 have a second larger than the first diameter of the first isotropic tapered probes 20. Have a diameter. The third isotropic tapered probes 40 have a third diameter that is larger than the diameter of the second isotropic tapered probes 30. The first nonlinear taper probe 50 has a first diameter equal to the diameter of the first isotropic tapered probes 20, and the second nonlinear taper probe 60 is equal to the diameter of the second isotropic tapered probes 30. Have a second diameter. For example, the diameter of the first isotropic tapered probes 20 is 80 μm, the diameter of the second isotropic tapered probes 30 is 100 μm, and the diameter of the third isotropic tapered probes 40 is 120 μm. The diameter of the first nonlinear taper probe 50 is 80 μm, and the diameter of the second nonlinear taper probe 60 is 100 μm.

도 2와 도 4를 함께 참조하면, 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들의 최대직경(D1)과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60)의 최대직경(D2)은 동일하다. 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60) 각각은 그 테이퍼(26, 36, 46, 56, 66)의 일부분이 절곡되어 있다. 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60)의 제2 절곡부분(58b, 68b)의 직경(d2)은 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들의 제2 절곡부분(28b, 38b, 48b)의 직경(d1)보다 크다. 2 and 4 together, the maximum diameter D1 of the first to third isotropic tapered probes 20, 30, and 40 and the maximum diameters of the first and second nonlinear tapered probes 50 and 60 ( D2) is the same. Each of the first to third isotropic tapered probes 20, 30, 40 and the first and second nonlinear tapered probes 50, 60 are bent a portion of the taper 26, 36, 46, 56, 66. It is. The diameters d2 of the second bent portions 58b and 68b of the first and second nonlinear tapered probes 50 and 60 are the second bent portions of the first to third isotropic tapered probes 20, 30 and 40. It is larger than the diameter d1 of (28b, 38b, 48b).

제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60) 각각의 강성계수(k)는 수학식 1에 의하여 구할 수 있다.The stiffness coefficient k of each of the first to third isotropic tapered probes 20, 30, and 40 and the first and second nonlinear tapered probes 50 and 60 may be obtained by Equation 1 below.

Figure 112007056807906-pat00010
Figure 112007056807906-pat00010

여기서,

Figure 112007044395499-pat00002
는 프로브의 탄성률(Elastic Modulus),
Figure 112007044395499-pat00003
은 서포터로부터 노출되어 있는 프로브의 길이,
Figure 112007044395499-pat00004
는 테이퍼의 절곡부분 직경을 나타낸다.here,
Figure 112007044395499-pat00002
Is the elastic modulus of the probe,
Figure 112007044395499-pat00003
Is the length of the probe exposed from the supporter,
Figure 112007044395499-pat00004
Denotes the diameter of the bent portion of the taper.

수학식 1에 의하여 알 수 있듯이, 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60)의 강성은 직경에 비례한다. 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60)의 직경 차이가 10%일 때 약 45%의 강성 차이가 있다.As can be seen from Equation 1, the stiffness of the first to third isotropic tapered probes (20, 30, 40) and the first and second non-linear tapered probes (50, 60) is proportional to the diameter. When the diameter difference between the first to third isotropic tapered probes 20, 30 and 40 and the first and second nonlinear tapered probes 50 and 60 is 10%, there is a stiffness difference of about 45%.

도 6에는 직경 100㎛의 제1 내지 제4층 등선형 테이퍼 프로브(40-1, 40-2, 40-3, 40-4)가 서포터(70)에 절연수지(72)의 몰딩에 의하여 적층되어 있는 구성이 도시되어 있다. 제1 내지 제4층 등선형 테이퍼 프로브(40-1, 40-2, 40-3, 40-4) 각각의 제2 팁(44)에 작용되는 폰 미세스 응력(von Mises Stress)은 1gf, 1.1gf, 1.15gf, 1.2gf으로 측정되었다.In FIG. 6, first to fourth layer isotropic tapered probes 40-1, 40-2, 40-3, and 40-4 having a diameter of 100 μm are laminated to the supporter 70 by molding the insulating resin 72. The configuration shown is shown. The von Mises stresses applied to the second tips 44 of the first to fourth layer isotropic tapered probes 40-1, 40-2, 40-3, and 40-4 are 1gf, 1.1, respectively. gf, 1.15gf, and 1.2gf.

도 7에는 직경 100㎛의 제1 내지 제4층 비선형 테이퍼 프로브(60-1, 60-2, 60-3, 60-4)가 서포터(70)에 절연수지(72)의 몰딩에 의하여 적층되어 있는 구성이 도시되어 있다. 제1 내지 제4층 등선형 테이퍼 프로브(60-1, 60-2, 60-3, 60-4) 각각의 제2 팁(64)에 작용되는 폰 미세스 응력은 1.1gf, 1.13gf, 1.16gf, 1.18gf으로 측정되었다. In FIG. 7, the first to fourth layer nonlinear tapered probes 60-1, 60-2, 60-3, and 60-4 having a diameter of 100 μm are stacked by the molding of the insulating resin 72 on the supporter 70. The configuration is shown. The von Mises stresses applied to the second tips 64 of the first to fourth layer isotropic tapered probes 60-1, 60-2, 60-3, and 60-4 are 1.1 gf, 1.13 gf, and 1.16 gf. , 1.18 gf.

이와 같은 폰 미세스 응력에 의하여 확인할 수 있는 바와 같이, 제1 내지 제4층 등선형 테이퍼 프로브(40-1, 40-2, 40-3, 40-4)와 제1 내지 제4층 비선형 테이퍼 프로브(60-1, 60-2, 60-3, 60-4) 각각의 팁이 피검사체의 패드에 접촉 시 작용되는 접촉력(Contact Force)은 제1 내지 제4층 비선형 테이퍼 프로브(60-1, 60-2, 60-3, 60-4)에 비하여 제1 내지 제4층 등선형 테이퍼 프로브(40-1, 40-2, 40-3, 40-4)가 약 3% 작다. 따라서 도 6에 도시되어 있는 제4층 비선형 테이퍼 프로브(60-4)를 도 7에 도시되어 있는 제4층 등선형 테이퍼 프로브(40-4)로 교환할 경우, 제1 내지 제3층 등선형 테이퍼 프로브(40-1, 40-2, 40-3)와 제4층 비선형 테이퍼 프로브(60-4)의 강성 차이가 크게 감소된다. As can be confirmed by such von Mistress stress, the first to fourth layer isotropic tapered probes 40-1, 40-2, 40-3, 40-4 and the first to fourth layer nonlinear taper probes. (60-1, 60-2, 60-3, 60-4) The contact force acting when each tip contacts the pad of the test subject is the first to fourth layer nonlinear taper probes 60-1, The first to fourth layer isotropic tapered probes 40-1, 40-2, 40-3, and 40-4 are about 3% smaller than 60-2, 60-3, and 60-4. Therefore, when the fourth layer nonlinear taper probe 60-4 shown in FIG. 6 is replaced with the fourth layer isotropic taper probe 40-4 shown in FIG. The difference in stiffness of the tapered probes 40-1, 40-2, 40-3 and the fourth layer nonlinear tapered probe 60-4 is greatly reduced.

도 1을 참조하면, 직경 80㎛의 제1 비선형 테이퍼 프로브(50)의 강성은 직경 90㎛의 등선형 테이퍼 프로브의 강성과 거의 같은 것으로 실측된다. 직경 80㎛의 제1 비선형 테이퍼 프로브(50)는 직경 90㎛의 등선형 테이퍼 프로브의 역할을 수행하게 된다. 직경 100㎛의 제2 비선형 테이퍼 프로브(60)의 강성은 직경 110㎛의 등선형 테이퍼 프로브의 강성과 거의 같은 것으로 실측된다. 직경 100㎛의 제2 비선형 테이퍼 프로브(60)는 직경 110㎛의 등선형 테이퍼 프로브의 역할을 수행하게 된다. 직경 90㎛ 및 100㎛의 등선형 테이퍼 프로브는 상용화되지 못하여 구입이 곤란하고, 가격이 비싸 프로브 카드의 제작에 채택하기 부적합하다. Referring to FIG. 1, the stiffness of the first nonlinear tapered probe 50 having a diameter of 80 μm is measured to be almost the same as that of the isotropic tapered probe having a diameter of 90 μm. The first nonlinear tapered probe 50 having a diameter of 80 μm serves as an isotropic tapered probe having a diameter of 90 μm. The stiffness of the second nonlinear tapered probe 60 having a diameter of 100 mu m is almost the same as that of the isotropic tapered probe having a diameter of 110 mu m. The second nonlinear tapered probe 60 having a diameter of 100 μm serves as an isotropic tapered probe having a diameter of 110 μm. Equivalent tapered probes with diameters of 90 μm and 100 μm are not commercially available and are difficult to purchase, and are expensive and unsuitable for production of probe cards.

본 발명의 프로브 카드는 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60)의 적층구조에 의하여 각 층마다의 강 성 차이를 최소화하여 테스트의 신뢰성과 재현성을 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 등선형 테이퍼 프로브(20, 30, 40)들과 제1 및 제2 비선형 테이퍼 프로브(50, 60) 각각의 제2 팁(24, 34, 44)의 스크러브 마크가 일정하므로, 피검사체의 미세화에 대응하여 용이하게 제작할 수 있다. In the probe card of the present invention, the stiffness difference of each layer is determined by the stack structure of the first to third isotropic tapered probes 20, 30, and 40 and the first and second nonlinear tapered probes 50 and 60. Minimization can greatly improve test reliability and reproducibility. In addition, the scrub marks of the first to third isotropic tapered probes 20, 30, 40 and the second tips 24, 34, 44 of each of the first and second non-linear tapered probes 50, 60 may be Since it is constant, it can manufacture easily corresponding to the refinement | miniaturization of the to-be-tested object.

한편, 제10층 등선형 테이퍼 프로브(40-2)의 상층에 제10층 등선형 테이퍼 프로브(40-2)의 제3 직경과 동일한 직경을 갖는 비선형 테이퍼 프로브가 제11층으로 적층되고, 제11층 비선형 테이퍼 프로브의 상층에 제10층 등선형 테이퍼 프로브(40-2)의 제3 직경보다 큰 직경을 갖는 복수의 등선형 테이퍼 프로브들이 다층으로 적층될 수 있다. 이와 같이 다층으로 적층되는 등선형 테이퍼 프로브들 중 직경이 변화되는 사이에 비선형 테이퍼 프로브들을 적층하여 프로브들을 수십층으로 구성할 수 있다. 따라서 본 발명의 프로브 카드에 의해서는 파인피치의 패턴을 검사할 수 있으므로, 반도체 소자의 패턴 설계를 용이하게 실시할 수 있다.On the other hand, a nonlinear taper probe having the same diameter as the third diameter of the tenth layer isotropic taper probe 40-2 is stacked in the eleventh layer on the upper layer of the tenth layer isotropic taper probe 40-2. A plurality of isotropic tapered probes having a diameter larger than the third diameter of the tenth layer isotropic tapered probe 40-2 may be stacked in a plurality of layers. As described above, nonlinear tapered probes may be stacked between the isotropic tapered probes stacked in multiple layers to form dozens of probes. Therefore, since the fine pitch pattern can be inspected by the probe card of the present invention, the pattern design of the semiconductor element can be easily performed.

이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다. The embodiments described above are merely illustrative of the preferred embodiments of the present invention, the scope of the present invention is not limited to the described embodiments, those skilled in the art within the spirit and claims of the present invention It will be understood that various changes, modifications, or substitutions may be made thereto, and such embodiments are to be understood as being within the scope of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 등선형 니들을 사용한 프로브 카드에 의하면, 다층으로 적층되는 등선형 테이퍼 프로브들의 직경 및 길이 차이에 따른 강성 차이를 최소화하기 위하여 등선형 테이퍼 프로브들 중 그 직경이 변경되는 두개 층의 등선형 테이퍼 프로브들 사이에 비선형 테이퍼 프로브를 배치함으로써, 테스트의 신뢰성과 재현성을 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 프로브들의 스크러브 마크가 일정하므로, 피검사체의 미세화에 대응하여 용이하게 제작할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the probe card using the isotropic needle according to the present invention, the diameter of the isotropic tapered probes is changed in order to minimize the stiffness difference according to the diameter and length difference of the isotropic tapered probes stacked in multiple layers By placing the nonlinear taper probe between two layers of isotropic tapered probes, the reliability and reproducibility of the test can be greatly improved. In addition, since the scrub marks of the probes are constant, there is an effect that can be easily produced in response to the miniaturization of the inspected object.

Claims (4)

인쇄회로기판과;A printed circuit board; 상기 인쇄회로기판의 일측에 다층으로 적층되어 있으며, 제1 직경을 갖는 복수의 제1 등선형 테이퍼 프로브들과;A plurality of first isotropic tapered probes stacked on one side of the printed circuit board and having a first diameter; 상기 제1 등선형 테이퍼 프로브들 중 최상층에 위치되어 있는 최상층 제1 등선형 테이퍼 프로브의 상층에 다층으로 적층되어 있고, 상기 제1 등선형 테이퍼 프로브들의 직경보다 큰 제2 직경을 갖는 복수의 제2 등선형 테이퍼 프로브들과;A plurality of second layers stacked in multiple layers on an upper layer of the uppermost first isotropic taper probe positioned on the uppermost layer of the first isotropic tapered probes and having a second diameter greater than the diameter of the first isotropic tapered probes; Isotropic tapered probes; 최상층 제1 등선형 테이퍼 프로브와 상기 제2 등선형 테이퍼 프로브들 중 최하층에 위치되어 있는 최하층 제2 등선형 테이퍼 프로브들 사이에 적층되어 있는 제1 비선형 테이퍼 프로브와;A first nonlinear taper probe stacked between an uppermost first isotropic taper probe and a lowermost second isotropic taper probe positioned on a lowermost layer of the second isotropic tapered probes; 상기 인쇄회로기판의 일측면에 장착되어 있고, 상기 제1 및 제2 등선형 테이퍼 프로브들과 상기 제1 비선형 테이퍼 프로브들을 상기 인쇄회로기판에 지지하는 서포터로 이루어지는 등선형 니들을 사용한 프로브 카드.A probe card mounted on one side of the printed circuit board and comprising a supporter for supporting the first and second isotropic tapered probes and the first non-linear taper probes on the printed circuit board. 제 1 항에 있어서, 제1 비선형 테이퍼 프로브는 상기 제1 등선형 테이퍼 프로브와 동일한 제1 직경을 갖는 등선형 니들을 사용한 프로브 카드.The probe card of claim 1, wherein the first nonlinear tapered probe has a first diameter having the same first diameter as the first isotropic tapered probe. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제2 등선형 테이퍼 프로브들 중 최상층에 위치되어 있는 최상층 제2 등선형 테이퍼 프로브의 상층에 다층으로 적층되어 있으며 상기 제2 등선형 테이퍼 프로브들의 직경보다 큰 제3 직경을 갖는 복수의 제3 등선형 테이퍼 프로브들과, 상기 최상층 제2 등선형 테이퍼 프로브와 상기 제3 등선형 테이퍼 프로브들 중 최하층에 위치되어 있는 최하층 제3 등선형 테이퍼 프로브 사이에 적층되어 있고 상기 제2 등선형 테이퍼 프로브들과 동일한 제2 직경을 갖는 제2 비선형 테이퍼 프로브를 더 구비하고, 상기 제3 등선형 테이퍼 프로브들과 상기 제2 비선형 테이퍼 프로브 각각은 상기 서포터에 의하여 상기 인쇄회로기판에 지지되어 있는 등선형 니들을 사용한 프로브 카드.The method of claim 1 or 2, wherein the second isotropic taper probes are stacked in multiple layers on top layers of the uppermost second isotropic taper probes and are larger than the diameters of the second isotropic taper probes. Stacked between a plurality of third isotropic tapered probes having a third diameter, and a lowermost third isotropic tapered probe positioned on a lowermost layer of the uppermost second isotropic tapered probe and the third isotropic tapered probe; And a second non-linear taper probe having a second diameter equal to the second isotropic tapered probes, wherein each of the third isotropic tapered probes and the second non-linear tapered probe are each supported by the supporter. Probe card using isotropic needles supported on a substrate. 제 3 항에 있어서, 상기 제1 등선형 테이퍼 프로브들과 상기 제1 비선형 테이퍼 프로브의 직경은 80㎛이며, 상기 제2 등선형 테이퍼 프로브들과 상기 제2 비선형 테이퍼 프로브의 직경은 100㎛이며, 상기 제3 등선형 테이퍼 프로브들의 직경은 120㎛인 등선형 니들을 사용한 프로브 카드.The diameter of the first isotropic taper probes and the first non-linear taper probe is 80㎛, the diameter of the second isotropic tapered probes and the second non-linear taper probe is 100㎛, A probe card using an isotropic needle having a diameter of the third isotropic tapered probes 120㎛.
KR1020070060134A 2007-06-19 2007-06-19 Probe card using isolinear needle KR100876940B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070060134A KR100876940B1 (en) 2007-06-19 2007-06-19 Probe card using isolinear needle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070060134A KR100876940B1 (en) 2007-06-19 2007-06-19 Probe card using isolinear needle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080111775A KR20080111775A (en) 2008-12-24
KR100876940B1 true KR100876940B1 (en) 2009-01-07

Family

ID=40369847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070060134A KR100876940B1 (en) 2007-06-19 2007-06-19 Probe card using isolinear needle

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100876940B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101823141B1 (en) 2016-10-05 2018-01-30 (주)이큐이엔지 The needle assembly for the probe card
KR20180055396A (en) * 2016-11-17 2018-05-25 (주)이큐이엔지 The needle assembly for the probe card

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101467382B1 (en) * 2014-03-20 2014-12-02 윌테크놀러지(주) Stacked Needle Structure of Cantilever Probe Card
KR102188379B1 (en) * 2020-08-07 2020-12-08 이정문 Manufacturing method of probecard and probecard using the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970072232A (en) * 1996-04-04 1997-11-07 문정환 Probe device of semiconductor device
US5923178A (en) 1997-04-17 1999-07-13 Cerprobe Corporation Probe assembly and method for switchable multi-DUT testing of integrated circuit wafers
KR19990068745A (en) * 1999-06-16 1999-09-06 허기호 Prove block for testing Liquid Crystal Display
KR20050044592A (en) * 2001-12-07 2005-05-12 에이티지 테스트 시스템즈 지엠비에이취 코오아퍼레이션 케이지 Test probe for a finger tester and corresponding finger tester

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970072232A (en) * 1996-04-04 1997-11-07 문정환 Probe device of semiconductor device
US5923178A (en) 1997-04-17 1999-07-13 Cerprobe Corporation Probe assembly and method for switchable multi-DUT testing of integrated circuit wafers
KR19990068745A (en) * 1999-06-16 1999-09-06 허기호 Prove block for testing Liquid Crystal Display
KR20050044592A (en) * 2001-12-07 2005-05-12 에이티지 테스트 시스템즈 지엠비에이취 코오아퍼레이션 케이지 Test probe for a finger tester and corresponding finger tester

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101823141B1 (en) 2016-10-05 2018-01-30 (주)이큐이엔지 The needle assembly for the probe card
KR20180055396A (en) * 2016-11-17 2018-05-25 (주)이큐이엔지 The needle assembly for the probe card

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080111775A (en) 2008-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW502354B (en) Inspection device for semiconductor
TWI226932B (en) Contactor for testing miniaturized devices and components
TW396657B (en) Small contactor for test probes, chip packaging and the like
JP4099412B2 (en) Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
US20080309363A1 (en) Probe assembly with wire probes
JP4721099B2 (en) Electrical signal connection device, probe assembly and prober device using the same
US20140266280A1 (en) Probe card, probe structure and method for manufacturing the same
KR20070083187A (en) Probe assembly
JP2008510166A (en) High elasticity cantilever spring probe for inspecting IC
JP2008180716A (en) Probe, and probe card therewith
KR20040110094A (en) Probe Card
KR20080035468A (en) Probe
JP5024861B2 (en) Probe card
CN101122616A (en) Contactor assembly
US20150061719A1 (en) Vertical probe card for micro-bump probing
JP2007218890A (en) Probe assembly
US9267968B2 (en) Probe card assemblies and probe pins including carbon nanotubes
KR100876940B1 (en) Probe card using isolinear needle
JP2799973B2 (en) Vertically actuated probe card
JP4936275B2 (en) Contact assembly
JP5643476B2 (en) Double elastic mechanism probe card
CN101275984B (en) Semiconductor inspection apparatus
JP4962929B2 (en) PROBER DEVICE AND PROBE ASSEMBLY USED FOR THE SAME
JP2006194772A (en) Thin-film type wafer testing device and its probe detecting/transmitting structure
JP4974022B2 (en) Lattice array probe assembly

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121226

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131224

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141226

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151228

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161222

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181213

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191216

Year of fee payment: 12