KR100839727B1 - Semiconductor Nanocrystal-Metal Complex - Google Patents
Semiconductor Nanocrystal-Metal Complex Download PDFInfo
- Publication number
- KR100839727B1 KR100839727B1 KR1020080013862A KR20080013862A KR100839727B1 KR 100839727 B1 KR100839727 B1 KR 100839727B1 KR 1020080013862 A KR1020080013862 A KR 1020080013862A KR 20080013862 A KR20080013862 A KR 20080013862A KR 100839727 B1 KR100839727 B1 KR 100839727B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor nanocrystal
- metal
- metal composite
- semiconductor
- nanocrystal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C2200/00—Crystalline structure
- C22C2200/04—Nanocrystalline
Abstract
본 발명은 반도체 나노결정의 표면에 하나 이상의 금속입자가 결합된 반도체 나노결정-금속 복합체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체는 종래 반도체 나노결정의 기본 특성 외에도 광전(photo current) 특성 및 향상된 결합성을 가지므로 반도체 나노결정의 응용을 넓힐 수 있으며, 본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체는 별도의 복잡한 공정을 거치지 않고 상온에서 용이하게 합성될 수 있다.The present invention relates to a semiconductor nanocrystal-metal composite in which one or more metal particles are bonded to a surface of a semiconductor nanocrystal, and a method of manufacturing the same. photo current) properties and improved binding properties can be used to broaden the application of semiconductor nanocrystals, the semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention can be easily synthesized at room temperature without a separate complex process.
반도체 나노결정-금속복합체, 금속나노입자, 상온 합성, 광전 특성, 결합성 Semiconductor Nanocrystal-Metal Complex, Metal Nanoparticles, Room Temperature Synthesis, Photoelectric Properties, Bondability
Description
도 1a는 본 발명의 반도체 나노결정이 구형일 경우에 형성될 수 있는 반도체 나노결정-금속 복합체 구조의 모식도이며,1A is a schematic diagram of a semiconductor nanocrystal-metal composite structure that may be formed when a semiconductor nanocrystal of the present invention is spherical,
도 1b는 본 발명의 반도체 나노결정이 막대형일 경우에 형성될 수 있는 반도체 나노결정-금속 복합체 구조의 모식도이며,Figure 1b is a schematic diagram of a semiconductor nanocrystal-metal composite structure that can be formed when the semiconductor nanocrystal of the present invention is rod-shaped,
도 1c는 본 발명의 반도체 나노결정이 트리포드 및 테트라포드형일 경우에 형성될 수 있는 반도체 나노결정-금속 복합체 구조의 모식도이고,1C is a schematic diagram of a semiconductor nanocrystal-metal composite structure that can be formed when the semiconductor nanocrystals of the present invention are tripod and tetrapod type,
도 2는 본 발명의 반도체 나노결정 위에 결합된 금속입자가 층을 이루는 코어쉘 타입의 반도체 나노결정-금속 복합체 구조의 모식도이며,2 is a schematic diagram of a core shell type semiconductor nanocrystal-metal composite structure in which metal particles bonded on a semiconductor nanocrystal of the present invention form a layer.
도 3은 실시예 1에서 수득한 반도체 나노결정-금속 복합체의 투과전자 현미경사진이고,3 is a transmission electron micrograph of the semiconductor nanocrystal-metal composite obtained in Example 1,
도 4는 실시예 2에서 수득한 반도체 나노결정-금속 복합체의 투과전자 현미경사진이며,4 is a transmission electron micrograph of the semiconductor nanocrystal-metal composite obtained in Example 2,
도 5a는 실시예 2에서 수득한 반도체 나노결정-금속 복합체의 STEM 사진이고,5A is a STEM photograph of a semiconductor nanocrystal-metal composite obtained in Example 2,
도 5b는 실시예 2에서 수득한 반도체 나노결정-금속 복합체의 EDS 분석 결과이며,5B is a result of EDS analysis of the semiconductor nanocrystal-metal composite obtained in Example 2,
도 6은 실험예 1에서 수득한 반도체 나노결정 및 반도체 나노결정-금속 복합체 용액 각각에 대한 흡수 스펙트럼이고,6 is an absorption spectrum of each of the semiconductor nanocrystal and the semiconductor nanocrystal-metal composite solution obtained in Experimental Example 1;
도 7은 실험예 1에서 수득한 반도체 나노결정 및 반도체 나노결정-금속 복합체 용액 각각에 대한 광여기 발광 스펙트럼이며,7 is a photoexcited emission spectrum of each of the semiconductor nanocrystal and the semiconductor nanocrystal-metal composite solution obtained in Experimental Example 1,
도 8은 실험예 2에서 수득한 반도체 나노결정 및 반도체 나노결정-금속 복합체 용액 각각에 대한 흡수 스펙트럼이다.8 is an absorption spectrum of each of the semiconductor nanocrystal and the semiconductor nanocrystal-metal composite solution obtained in Experimental Example 2. FIG.
본 발명은 반도체 나노결정-금속 복합체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 나노결정의 표면에 1개 이상의 금속입자가 결합된 반도체 나노결정-금속 복합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor nanocrystal-metal composite and a method for producing the same, and more particularly, to a semiconductor nanocrystal-metal composite and a method for manufacturing the same, wherein one or more metal particles are bonded to the surface of the semiconductor nanocrystal.
반도체 나노결정(Semiconductor Nanocrystal, "양자점(Quantum Dot)"이라고도 함)은 수 나노 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되어 있다. 이렇게 작은 크기의 물질은 단위 부피 당 표면적이 넓어 대부분의 원자들이 표면에 존재하게 되고, 양자제한(quantum confinement) 효과 등을 나타내게 되어, 물질 자체의 고유한 특성과는 다른 독특한 전기적, 자기적, 광학적, 화학적, 기계적 특성을 가지게 된다. 즉, 반도체 나노결정의 물리적인 크기를 조절함으로써 다양한 특성을 조절하는 것이 가능해진다. 이러한, 반도체 나노결정 의 다양한 특성을 응용하여 디스플레이, 바이오프로브 등이 개발되고 있다.Semiconductor nanocrystals (also called "quantum dots") are materials with crystal structures of several nanoscales and are made up of hundreds to thousands of atoms. This small size of the material has a large surface area per unit volume, causing most atoms to exist on the surface, exhibiting quantum confinement effects, etc., which are distinctive from electrical, magnetic, and optical It has chemical, mechanical properties. In other words, it is possible to control various characteristics by adjusting the physical size of the semiconductor nanocrystals. Displays, bioprobes and the like have been developed by applying various characteristics of such semiconductor nanocrystals.
미국 특허 제 6,501,091호는 반도체 나노결정을 발광물질로 사용하는 LED 등 전자소자에 대하여 개시하고 있으며, 미국 특허 제 6,727,065호는 반도체 나노결정(QD)에 연결제(linking agent), 친화물질(affinity molecule)을 차례로 결합하여 대상이 되는 바이오 물질을 측정하는 프로브(probe)로 사용하는 방법에 관하여 개시하고 있다.US Patent No. 6,501,091 discloses electronic devices such as LEDs using semiconductor nanocrystals as light emitting materials. US Patent No. 6,727,065 discloses linking agents and affinity molecules to semiconductor nanocrystals (QD). ) And a method of using a probe as a probe for measuring a bio-material of interest by sequentially combining.
상기 종래기술에서는 반도체 나노결정의 기본 특성 자체를 이용하고 있으므로 응용분야에 제한이 있으며, 바이오 에세이 등에 응용하기 위해서는 반도체 나노결정의 표면에 여러 개의 연결물질을 결합시켜야 되는데, 이와 같이 하기 위한 공정이 복잡하고 반응성이 떨어지는 단점이 있었다.Since the conventional technology uses the basic characteristics of the semiconductor nanocrystal itself, there is a limitation in the application field, and in order to apply the bioassay, it is necessary to combine several connecting materials on the surface of the semiconductor nanocrystal. And had the disadvantage of poor reactivity.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 반도체 나노결정의 특성을 다양화할 수 있으며, 반응성이 향상된 반도체 나노결정-금속 복합체 을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, it is an object to provide a semiconductor nanocrystal-metal composite that can vary the characteristics of the semiconductor nanocrystals, improved reactivity.
본 발명의 다른 목적은 별도의 장치를 사용하거나 복잡한 공정을 거치지 않고 상온에서 실시할 수 있는 반도체 나노결정-금속 복합체의 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for producing a semiconductor nanocrystal-metal composite which can be carried out at room temperature without using a separate device or through a complicated process.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은 반도체 나노결정에 하나 이상의 금속입자가 결합된 반도체 나노결정-금속 복합체에 관계한다.One aspect of the present invention for achieving the above object relates to a semiconductor nanocrystal-metal composite in which one or more metal particles are bonded to a semiconductor nanocrystal.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 양상은Another aspect of the present invention for achieving the above object is
(a) 반도체 나노결정을 합성하는 단계; 및(a) synthesizing semiconductor nanocrystals; And
(b) 합성된 반도체 나노결정을 금속전구체와 혼합한 후 금속 전구체를 환원시켜 반도체 나노결정에 금속입자를 결합시키는 단계를 포함하는 반도체 나노결정-금속 복합체의 제조방법에 관계한다.(b) mixing the synthesized semiconductor nanocrystals with a metal precursor and reducing the metal precursor to bond the metal particles to the semiconductor nanocrystals.
이하, 본 발명에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명의 한 측면은 반도체 나노결정에 금속입자가 결합된 반도체 나노결정-금속 복합체에 관한 것이다. 보다 상세하게는 반도체 나노결정의 표면에 1개 이상의 금속입자가 결합된 반도체 나노결정-금속 복합체에 관한 것이다.One aspect of the invention relates to a semiconductor nanocrystal-metal composite in which metal particles are bonded to semiconductor nanocrystals. More specifically, the present invention relates to a semiconductor nanocrystal-metal composite in which one or more metal particles are bonded to a surface of a semiconductor nanocrystal.
본 발명의 반도체 나노결정에 결합되는 금속입자는 반도체 나노결정 표면에 직접 결합될 수 있다.Metal particles bonded to the semiconductor nanocrystal of the present invention may be directly bonded to the semiconductor nanocrystal surface.
본 발명의 반도체 나노결정의 형태는 구형, 정사면체(tetrahedron), 원통형, 막대형(rod), 삼각형, 원판형(disc), 트리포드(tripod), 테트라포드(tetrapod), 큐브(cube), 박스(box), 스타(star), 튜브(tube) 등 다양한 형태를 지닐 수 있다. 본 발명의 반도체 나노결정에 결합되는 금속입자의 위치는 특별히 제한되지는 않으며, 상기 반도체 나노결정의 모서리(edge) 혹은 끝단에 결합될 수 있다. 이와 같은 본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체의 구조는 도 1a 에서 도 1c에 나타내었다.The shape of the semiconductor nanocrystal of the present invention is spherical, tetrahedron, cylindrical, rod, triangle, disc, tripod, tetrapod, cube, box ( It may have various shapes such as a box, a star, and a tube. The position of the metal particles bonded to the semiconductor nanocrystals of the present invention is not particularly limited, and may be bonded to edges or ends of the semiconductor nanocrystals. Such a structure of the semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention is shown in Figure 1a to Figure 1c.
도 1a는 본 발명의 반도체 나노결정이 구형일 경우에 형성될 수 있는 반도체 나노결정-금속 복합체 구조의 모식도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 하나의 실시예에서 본 발명의 복합체는 구형 반도체 나노 결정의 표면 에지에 금속 입자가 하나 이상 결합된 구조를 가질 수 있다.1A is a schematic diagram of a semiconductor nanocrystal-metal composite structure that may be formed when a semiconductor nanocrystal of the present invention is spherical. As shown in FIG. 1, in one embodiment, the composite of the present invention may have a structure in which one or more metal particles are bonded to the surface edge of the spherical semiconductor nanocrystal.
도 1b는 본 발명의 반도체 나노결정이 막대형일 경우에 형성될 수 있는 반도체 나노결정-금속 복합체 구조의 모식도이며, 도 1c는 본 발명의 반도체 나노결정이 트리포드 및 테트라포드형일 경우에 형성될 수 있는 반도체 나노결정-금속 복합체 구조의 모식도이다. 도 1c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 복합체가 트리포드 또는 테트라포드 등의 가지상(dendrite)으로 형성되는 경우에는 각 가지의 끝단에 금속 입자가 결합될 수 있다.FIG. 1B is a schematic diagram of a semiconductor nanocrystal-metal composite structure that may be formed when the semiconductor nanocrystals of the present invention are rod-shaped, and FIG. 1C may be formed when the semiconductor nanocrystals of the present invention are tripod and tetrapod types. It is a schematic diagram of a semiconductor nanocrystal-metal composite structure. As illustrated in FIG. 1C, when the complex of the present invention is formed as a dendrite such as tripod or tetrapod, metal particles may be bonded to the ends of each branch.
본 발명의 반도체 나노결정에 금속입자를 연속적으로 반응시키면 반도체 나노결정 표면에 결합된 금속입자들이 서로 연결되어 반도체 나노결정을 둘러싸는 연속적인 층을 형성할 수 있는데, 이 경우 반도체 나노결정과 금속입자가 코어쉘 형태의 반도체 나노결정-금속 복합체를 구성할 수 있다.When the metal particles are continuously reacted with the semiconductor nanocrystal of the present invention, the metal particles bonded to the surface of the semiconductor nanocrystal may be connected to each other to form a continuous layer surrounding the semiconductor nanocrystal, in which case the semiconductor nanocrystal and the metal particle It is possible to form a semiconductor nanocrystal-metal composite in the form of a core shell.
이와 같은 본 발명의 코어-쉘 형태의 반도체 나노결정-금속 복합체의 구조를 도 2에 나타내었다. 도 2에 나타난 바와 같이, 구형, 막대형, 테트라포드형 등 다양한 형태의 반도체 나노결정으로 이루어진 코어와 이를 둘러싸는 금속입자로 이루어지는 쉘이 형성될 수 있다.The structure of the core-shell semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention is shown in FIG. 2. As shown in FIG. 2, a core made of various types of semiconductor nanocrystals, such as a spherical shape, a rod shape, and a tetrapod shape, and a shell made of metal particles surrounding the core may be formed.
본 발명에 따른 반도체 나노결정-금속 복합체의 반도체 나노결정을 구성하는 물질은 반도체 나노결정으로 양자제한효과를 갖는 물질이면 모두 사용될 수 있으며, 구체적으로는 II-VI족 또는 III-V족 및 IV-VI족, IV족 반도체 화합물 또는 상 기 물질의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택될 수 있다.The material constituting the semiconductor nanocrystal of the semiconductor nanocrystal-metal composite according to the present invention can be used as long as it has a quantum limiting effect as a semiconductor nanocrystal, specifically, II-VI or III-V and IV- It may be selected from the group consisting of Group VI, Group IV semiconductor compound or a mixture of the above materials.
상기 반도체 나노결정으로 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, 또는 상기 물질의 혼합물을 예로 들 수 있다.CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, or the material as the semiconductor nanocrystals The mixture of is mentioned as an example.
본 발명의 금속입자는 나노결정의 표면에 결합될 수 있는 금속이면 모두 가능하며, 구체적으로는 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Ni, Fe, Co로 이루어진 군에서 선택될 수 있지만 이에 제한되지 않는다.The metal particles of the present invention can be any metal that can be bonded to the surface of the nanocrystals, specifically, may be selected from the group consisting of Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Ni, Fe, Co, but is not limited thereto. Do not.
또한, 본 발명의 금속입자의 크기는 특별히 제한되지 않지만, 수 나노 내지 수십 나노 크기의 금속나노입자일 수 있다.In addition, the size of the metal particles of the present invention is not particularly limited, but may be metal nanoparticles of several nanometers to several tens of nanometers in size.
본 발명에 따른 반도체 나노결정-금속 복합체는 우수한 광전(photo current) 특성을 가지며, 또한, 본 발명에 따른 반도체 나노결정-금속 복합체는 복잡한 공정 없이 실온에서도 합성이 용이하다.The semiconductor nanocrystal-metal composite according to the present invention has excellent photo current characteristics, and the semiconductor nanocrystal-metal composite according to the present invention is easy to synthesize even at room temperature without a complicated process.
본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체는 반도체 나노구조와 금속 나노구조의 특성이 혼합되어 양자화된 에너지 레벨로 여기된 전자가 금속 나노구조로 전이되어 공명현상을 일으키는 등 새로운 특성을 갖는다.The semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention has new characteristics such as electrons excited at a quantized energy level by transferring the characteristics of the semiconductor nanostructure and the metal nanostructure to the metal nanostructure, causing resonance.
본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체는 광여기 발광스펙트럼 측정 시에 반도체 나노결정과 달리 발광특성이 사라지거나 약해질 수 있는데, 이는 반도체-금속복합체 내에서 엑시톤의 재조합이 덜 일어나고 전하 분리가 일어나거나 금속 구조로 인해서 반도체 나노결정 상의 비발광 재결합(Auger Recombination)이 일어나기 때문인 것으로 추론된다.The semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention may disappear or become weak in luminescence properties when measuring photoexcited emission spectra, unlike semiconductor nanocrystals, which may result in less recombination of excitons and charge separation in the semiconductor-metal complex. It is inferred that the metal structure causes auger recombination on the semiconductor nanocrystals.
본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체는 광전특성을 이용하여 태양전지나 광센서와 같은 광전 특성을 이용하는 여러 가지 소자에 적용될 수 있다.The semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention may be applied to various devices using photoelectric properties such as solar cells or optical sensors using photoelectric properties.
또한, 본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체는 반도체 나노결정에 결합된 금속입자가 기능기를 가진 유기물들과 용이하게 강한 공유결합을 형성할 수 있기 때문에 반도체 나노결정의 특징을 이용할 수 있는 배열 (array)등에 적용될 수 있으므로 바이오 에세이 등 다양한 분야에서 사용 가능하다.In addition, since the semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention can easily form strong covalent bonds with the organic particles having functional groups, the metal nanoparticles bonded to the semiconductor nanocrystals can be arrayed. It can be used in various fields such as bio essays.
본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체는 태양전지나 광센서와 같은 광전 특성을 이용하는 다양한 전자 소자에 적용될 수 있다.The semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention can be applied to various electronic devices using photoelectric characteristics such as solar cells or optical sensors.
본 발명의 다른 측면은 반도체 나노결정-금속 복합체의 제조방법에 관한 것이다.Another aspect of the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor nanocrystal-metal composite.
본 발명의 제조방법은The manufacturing method of the present invention
(a) 반도체 나노결정을 합성하는 단계;(a) synthesizing semiconductor nanocrystals;
(b) 합성된 반도체 나노결정을 금속전구체와 혼합한 후 금속 전구체를 환원시켜 반도체 나노결정에 금속입자를 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.(b) mixing the synthesized semiconductor nanocrystals with a metal precursor and reducing the metal precursor to bond the metal particles to the semiconductor nanocrystals.
보다 구체적으로, 상기 (a) 단계에서 반도체 나노결정은 각각 해당 원소를 포함하는 전구체를 사용하여 본 발명이 속하는 기술 분야에 알려져 있는 통상의 방법을 이용하여 합성할 수 있다. 예를 들어, 용매 및 분산제 중의 금속 전구체와 용매 중의 칼코겐 화합물 전구체를 혼합하여 균일하게 교반하면서 온도를 올리고 불활성 분위기를 유지하면서 반응시켜 형성할 수 있다. 이와 다른 방법으로 금속 전구체 및 칼코겐 화합물 전구체 대신에 금속과 칼코겐 화합물 원소를 모두 포함하고 있는 단일 화합물을 넣을 수 있다. 이 때 합성되는 반도체 결정의 형태를 조절하기 위하여 전구체의 농도, 반응 온도, 분산제의 종류 등을 바꾸어 볼 수 있다.More specifically, in the step (a), the semiconductor nanocrystals may be synthesized using conventional methods known in the art to which the present invention belongs, using precursors each containing the corresponding element. For example, the metal precursor in the solvent and the dispersant and the chalcogen compound precursor in the solvent may be mixed and reacted while raising the temperature with uniform stirring and maintaining the inert atmosphere. Alternatively, instead of the metal precursor and the chalcogenide precursor, a single compound containing both a metal and a chalcogenide element may be added. In this case, in order to control the shape of the semiconductor crystal to be synthesized, it is possible to change the concentration of the precursor, the reaction temperature, the type of dispersant, and the like.
상기 (a) 단계의 반도체 나노결정을 형성하는 방법 중 금속전구체와 칼코겐 화합물 전구체를 사용하는 반도체 나노결정-금속 복합체의 제조방법을 사용하는 경우에, 상기 (a) 단계의 금속전구체로는 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연 (diethyl zinc), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세틸아세토네이트 (Zinc acetylactetonate), 아연 아이오다이드(Zinc iodide), 아연 브로마이드(Zinc bromide), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 플루오라이드(Zinc fluoride), 아연 카보네이트(Zinc carbonate), 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 디메틸 카드뮴(dimethyl cadmium), 디에틸 카드뮴(diethyl cadmium), 카드뮴 아세테이트(Cadmium acetate), 카드뮴 아세틸아세토네이트(Cadmium acetylactetonate), 카드뮴 아이오다이드(Cadmium iodide), 카드뮴 브로마이드(Cadmium bromide), 카드뮴 클로라이드(Cadmium chloride), 카드뮴 플루오라이드(Cadmium fluoride), 카드뮴 카보네이트(Cadmium carbonate), 카드뮴 나이트레이트(Cadmium nitrate), 카드뮴 옥사이드(Cadmium oxide), 카드뮴 퍼클로레이트(Cadmium perchlorate), 카드뮴 포스파이드(Cadmium phosphide), 카드뮴 설페이트(Cadmium sulfate), 수은 아세테 이트(Mercury acetate), 수은 아이오다이드(Mercury iodide), 수은 브로마이드(Mercury bromide), 수은 클로라이드(Mercury chloride), 수은 플루오라이드(Mercury fluoride), 수은 시아나이드(Mercury cyanide), 수은 나이트레이트(Mercury nitrate), 수은 옥사이드(Mercury oxide), 수은 퍼클로레이트(Mercury perchlorate), 수은 설페이트(Mercury sulfate), 납 아세테이트(Lead acetate), 납 브로마이드(Lead bromide), 납 클로라이드(Lead chloride), 납 플루오라이드(Lead fluoride), 납 옥사이드(Lead oxide), 납 퍼클로레이트(Lead perchlorate), 납 나이트레이트(Lead nitrate), 납 설페이트(Lead sulfate), 납 카보네이트(Lead carbonate), 주석 아세테이트(Tin acetate), 주석 비스아세틸아세토네이트(Tin bisacetylacetonate), 주석 브로마이드(Tin bromide), 주석 클로라이드(Tin chloride), 주석 플루오라이드(Tin fluoride), 주석 옥사이드(Tin oxide), 주석 설페이트(Tin sulfate), 게르마늄 테트라클로라이드(Germanium tetrachloride), 게르마늄 옥사이드(Germanium oxide), 게르마늄 에톡사이드(Germanium ethoxide), 갈륨 아세틸아세토네이트(Gallium acetylacetonate), 갈륨 클로라이드(Gallium chloride), 갈륨 플루오라이드(Gallium fluoride), 갈륨 옥사이드(Gallium oxide), 갈륨 나이트레이트(Gallium nitrate), 갈륨 설페이트(Gallium sulfate), 인듐 클로라이드(Indium chloride), 인듐 옥사이드(Indium oxide), 인듐 나이트레이트(Indium nitrate), 인듐 설페이트(Indium sulfate)를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the method of forming a semiconductor nanocrystal-metal composite using a metal precursor and a chalcogen compound precursor in the method of forming the semiconductor nanocrystal of step (a), the metal precursor of step (a) is dimethyl Zinc dimethyl zinc, diethyl zinc, zinc acetate, zinc acetylactetonate, zinc iodide, zinc bromide, zinc chloride chloride, zinc fluoride, zinc carbonate, zinc cyanide, zinc nitrate, zinc oxide, zinc peroxide, zinc Zinc perchlorate, zinc sulfate, dimethyl cadmium, diethyl cadmium, cadmium acetate, cadmium acetyla Cadmium acetylactetonate, Cadmium iodide, Cadmium bromide, Cadmium chloride, Cadmium fluoride, Cadmium carbonate, Cadmium nitrate nitrate, cadmium oxide, cadmium perchlorate, cadmium phosphide, cadmium sulfate, mercury acetate, mercury iodide, mercury iodide, Mercury bromide, mercury chloride, mercury fluoride, mercury cyanide, mercury nitrate, mercury oxide, mercury perchlorate ), Mercury sulfate, lead acetate, lead bromide, lead chlora Lead chloride, lead fluoride, lead oxide, lead perchlorate, lead nitrate, lead sulfate, lead carbonate, Tin acetate, tin bisacetylacetonate, tin bromide, tin chloride, tin fluoride, tin oxide, tin sulfate sulfate, germanium tetrachloride, germanium oxide, germanium ethoxide, gallium acetylacetonate, gallium chloride, gallium fluoride, Gallium oxide, Gallium nitrate, Gallium sulfate, Indium chloride, Indium jade Id (Indium oxide), indium nitrate (Indium nitrate), but can use the indium sulfate (Indium sulfate), but is not limited to such.
상기 (a) 단계의 반도체 나노결정을 형성하는 방법 중 금속전구체와 칼코겐 화합물 전구체를 사용하는 반도체 나노결정-금속 복합체의 제조방법을 사용하는 경우에, 상기 (a)단계의 칼코겐 화합물 전구체로는 헥산 싸이올, 옥탄 싸이올, 데칸 싸이올, 도데칸 싸이올, 헥사데칸 싸이올, 머캡토 프로필 실란 등과 같은 알킬 싸이올 화합물, 설퍼-트리옥틸포스핀(S-TOP), 설퍼-트리부틸포스핀(S-TBP), 설퍼-트리페닐포스핀(S-TPP), 설퍼-트리옥틸아민(S-TOA), 트리메틸실릴 설퍼(트리methylsilyl sulfur), 황화 암모늄, 황화 나트륨, 셀렌-트리옥틸포스핀(Se-TOP), 셀렌-트리부틸포스핀(Se-TBP), 셀렌-트리페닐포스핀(Se-TPP), 텔루르-트리부틸포스핀(Te-TBP), 텔루르-트리페닐포스핀(Te-TPP), 트리메틸실릴 포스핀(트리methylsilyl phosphine) 및 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리시클로헥실포스핀을 포함하는 알킬 포스핀(alkyl phosphine), 알세닉 옥사이드 (Arsenic oxide), 알세닉 클로라이드(Arsenic chloride), 알세닉 설페이트(Arsenic sulfate), 알세닉 브로마이드(Arsenic bromide), 알세닉 아이오다이드(Arsenic iodide), 나이트릭 옥사이드(Nitric oxide), 나이트릭산(Nitric acid), 암모늄 나이트레이트(Ammonium nitrate) 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the method of forming a semiconductor nanocrystal-metal composite using a metal precursor and a chalcogen compound precursor, the chalcogen compound precursor of step (a) may be used. Is an alkyl thiol compound such as hexane thiol, octane thiol, decane thiol, dodecane thiol, hexadecane thiol, mercapto propyl silane, etc., sulfur-trioctylphosphine (S-TOP), sulfur-tributyl Phosphine (S-TBP), sulfur-triphenylphosphine (S-TPP), sulfur-trioctylamine (S-TOA), trimethylsilyl sulfur, ammonium sulfide, sodium sulfide, selenium-trioctyl Phosphine (Se-TOP), selenium-tributylphosphine (Se-TBP), selenium-triphenylphosphine (Se-TPP), tellurium-tributylphosphine (Te-TBP), tellurium-triphenylphosphine (Te-TPP), trimethylsilyl phosphine and triethylphosphine, tributylphosphine, trioctylphosph Alkyl phosphine, arsenic oxide, arsenic chloride, arsenic sulfate, alsenic bromide, including pins, triphenylphosphine, tricyclohexylphosphine (Arsenic bromide), Arsenic iodide (Arsenic iodide), Nitric oxide (Nitric oxide), Nitric acid (Nitric acid), Ammonium nitrate (Ammonium nitrate) and the like can be used, but is not limited thereto.
본 발명에 따른 반도체 나노결정-금속 복합체의 제조방법에 있어서, 상기 (a) 단계에서 사용가능한 용매로는 탄소수 6 내지 22의 일차 알킬 아민, 탄소수 6 내지 22의 이차 알킬 아민, 및 탄소수 6 내지 22의 삼차 알킬 아민; 탄소수 6 내지 22의 일차 알코올, 탄소수 6 내지 22의 이차 알코올 및 탄소수 6 내지 22의 삼차 알코올; 탄소수 6 내지 22의 케톤 및 에스테르; 탄소수 6 내지 22의 질소 또는 황 을 포함한 헤테로 고리 화합물(heterocyclic compound); 탄소수 6 내지 22의 알칸, 탄소수 6 내지 22의 알켄, 탄소수 6 내지 22의 알킨; 트리옥틸포스핀, 트리옥틸포스핀 옥사이드를 예로 들 수 있으나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다.In the method for preparing a semiconductor nanocrystal-metal composite according to the present invention, the solvent usable in the step (a) may be a primary alkyl amine having 6 to 22 carbon atoms, a secondary alkyl amine having 6 to 22 carbon atoms, and 6 to 22 carbon atoms. Tertiary alkyl amines; Primary alcohols having 6 to 22 carbon atoms, secondary alcohols having 6 to 22 carbon atoms and tertiary alcohols having 6 to 22 carbon atoms; Ketones and esters having 6 to 22 carbon atoms; Heterocyclic compounds including nitrogen or sulfur having 6 to 22 carbon atoms; Alkanes having 6 to 22 carbon atoms, alkenes having 6 to 22 carbon atoms, alkynes having 6 to 22 carbon atoms; Trioctylphosphine and trioctylphosphine oxide are mentioned as an example, but it is not necessarily limited to these.
또한, 본 발명에 따른 반도체 나노결정-금속 복합체의 제조방법에 있어서, 상기 (a) 단계의 분산제로는 말단에 COOH기를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄; 말단에 POOH기를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄; 또는 말단에 SOOH기를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄; 및 말단에 NH2기를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄을 예로 들 수 있다.In addition, in the method for producing a semiconductor nanocrystal-metal composite according to the present invention, the dispersing agent of step (a) may include alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having a COOH group at the terminal; Alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having a POOH group at the terminals; Or alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having a SOOH group at the terminal; And alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having NH 2 groups at the ends.
구체적으로, 상기 분산제로는 올레인산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 팔미트산(palmitic acid), 헥실 포스포늄산(hexyl phosphonicacid), n-옥틸 포스포늄산(n-octyl phosphonicacid), 테트라데실 포스포늄산(tetradecyl phosphonicacid), 옥타데실포스포늄산(octadecyl phosphonic acid), n-옥틸 아민 (n-octyl amine), 헥사데실아민(hexadecyl amine)을 예로 들 수 있다.Specifically, the dispersant may be oleic acid (oleic acid), stearic acid (stearic acid), palmitic acid (palmitic acid), hexyl phosphonic acid (hexyl phosphonic acid), n-octyl phosphonic acid (n-octyl phosphonic acid), Tetradecyl phosphonic acid, octadecyl phosphonic acid, octadecyl phosphonic acid, n-octyl amine, and hexadecyl amine may be mentioned.
(b) 단계에서는, 이렇게 제조된 반도체 나노결정을 금속입자 형성을 위한 금속전구체와 혼합한 후 금속 전구체를 환원시켜 반도체 나노결정에 금속입자를 결합시킨다.In step (b), the semiconductor nanocrystals thus prepared are mixed with a metal precursor for metal particle formation, and then the metal precursor is reduced to bond the metal particles to the semiconductor nanocrystals.
본 발명의 제조방법에서, 상기 (b) 단계의 금속 전구체는 유기 용매에 용해가 가능한 해당 금속의 유기금속착물을 용매 및 분산제에 넣고 녹여서 형성되며, 금속 전구체 형성에 사용되는 금속은 나노결정의 표면에 결합될 수 있는 금속이면 모두 가능하며, 구체적으로는 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Ni, Fe, Co 로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이에 해당하는 유기금속 착물의 예들은 암모니움 테트라클로로아우레이트, 하이드로젠 테트라브로모아우레이트, 하이드로젠 테트라클로로아우레이트, 포타슘 디시아노아우레이트, 포타슘 테트라브로모아우레이트, 포타슘 테트라클로로아우레이트, 소디움테트라브로모아우레이트, 디-n-부틸틴 디라우레이트, 은 아세테이트, 은 브로마이드, 은 카보네이트, 은 클로라이드, 은 크로메이트, 은 사아나이드, 은 시클로헥사네부티레이트(Silver cyclohexanebutyrate), 은 2-에틸헥사노에이트, 은 (I) 플루오라이드, 은 (II) 플루오라이드, 은 헥사브로모카르보레인, 은 헥사플루오로안티모네이트, 은 헥사플루오로아르세네이트, 은 헥사플루오로포스페이트, 은 아이오다이드, 은 나이트레이트, 은 퍼클로레이트, 은 퍼클로레이트 모노하이드레이트, 은 퍼리네이트(Silver perrhenate), 은 포스페이트, 은 설페이트, 은 텔루라이드, 은 테트라플루오로보레이트, 은 티오시아네이트, 은 트리플루오로아세테이트, 은 트리플루오로메탄설포네이트, 은 텅스테이트, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토 은, 트리메틸포스핀(헥사플루오로아세틸아세토네이토)은, 비닐트리에틸실란(헥사플루오로아세틸아세토네이토)은, 비스(N,N'-디-sec-부틸아세트아미디네이토)디구리(Cu), 비스(6,6,7,7,8,8,8-헵타플루오로-2,2-디메틸틸-3,5-옥탄디오네이트)구리, 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토)구리, 비스(트리페닐포스핀)구리 나이트레이트, 브로모(1,10-페난트롤린)(트리페닐포스핀)구리, 구리 (I) 아세테이트, 구리 (II) 아세테이트, 구리 (II) 아세틸아세토네이트, 구리 (I) 브로마이드 구리 (II) 브로마이드, 구리 i-부티레이트, 구리 카보네이트, 구리 (I) 클로라이드, 구리 (II) 클로라이드, 구리 시아나이드, 구리 시클로헥사네부티레이트, 구리 에틸아세토아세테이트, 구리 2-에틸헥사노에이트, 구리 (II) 플루오라이드, 구리 포름메이트, 구리 글루코네이트, 구리 헥사플루오로아세틸아세토네이트, 구리 헥사플루오로아세틸아세토네이트, 구리 아이오다이드, 구리 나프텐에이트, 구리 네오도데카노에이트, 구리 나이트레이트, 구리 퍼클로레이트, 구리 페닐아세틸라이드, 구리 프탈로시아닌, 구리 설페이트, 무수 구리 테트라플루오로보레이트, 구리 (I) 티오시아네이트, 구리 (II) 트리플루오로아세틸아세토네이트, 구리 (II) 트리플루오로메탄설포네이트, 시클로펜타디에닐(트리에틸포스핀)구리, (1,10-펜난트롤린)비스(트리페닐포스핀)구리 나이트레이트 디클로로메탄, 테트라아민구리 설페이트, 테트라키스(아세토니트릴)구리 헥사플루오로포스페이트, 트리메틸포스핀(헥사플루오로아세틸아세토네이토)구리, 암모니움 헥사클로로플라티네이트, 암모니움 테트라클로로플라티네이트, 바륨 테트라시아노플라티네이트, 비스(에틸렌디아민)플래티늄 클로라이드, 비스(트리-t-부틸포스핀)플래티늄, 클로로플라틴산 헥사하이드레이트, 1,1-시클로부탄디카르복실레이트디아민플래티늄, 디아민플래티늄 니트리트, 디브로모(1,5-시클로옥타디엔)플래티늄, 디클로로비스(벤조니트릴)플래티늄, 시스-디클로로비스(디에틸설파이드)플래티늄, 시스-디클로로비스(피리딘)플래티늄, 시스-디클로로비스(트리에틸포스핀)플래티늄, 시스-디클로로비스(트리페닐포스핀)플래티늄, 디클로로(1,5-시클로옥타디엔)플래티늄, 디클로로디아민 플래티늄, 디-뮤-클로로-디클로로비스(에틸렌)디플래티늄, 디클로로(디시클로펜타디에닐)플래티늄, 디하이드로젠 헥사하이드록시플라티네이트, 디-뮤-이오도비스(에틸렌디아민) 디플래티늄 나이트레이트, 디이오도(1,5-시클로옥타디엔)플래티늄, 이오도트리메틸플래티늄, 플래티늄 아세틸아세토네이트, 플래티늄 브로마이드 플래티늄 클로라이드, 플래티늄 사아나이드, 플래티늄 헥사플루오로아세틸아세토네이트, 플래티늄 아이오다이드, 테트라아민플래티늄 클로라이드, 테트라아민플래티늄, 테트라아민플래티늄 나이트레이트, 테트라클로로디아민 플래티늄, 테트라키스(트리플루오로포스핀)플래티늄, (트리메틸)시클로펜타디에닐플래티늄, (트리메틸)메틸시클로펜타디에닐플래티늄, 포타슘 비스(옥살레이토)플라티네이트, 포타슘 헥사브로모플라티네이트, 포타슘 헥사클로로플라티네이트, 포타슘 헥사시아노플라티네이트, 포타슘 테트라브로모플라티네이트, 포타슘 테트라클로로플라티네이트, 포타슘 테트라시아노플라티네이트, 포타슘 테트라니트로플라티네이트, 포타슘 트리클로로아민플라티네이트, 포타슘 트리클로로(에틸렌)플라티네이트, 소디움헥사클로로플라티네이트 헥사하이드레이트, 소디움테트라클로로플라티네이트, 알릴팔라듐 클로라이드 다이머, 비스(아세테이토)트리페닐포스핀팔라듐, 비스[1,2-비스(디페닐포스피노)에탄]팔라듐, 비스(디벤질 인덴아세톤)팔라듐, 비스(트리-t-부틸포스핀)팔라듐, 비스(트리시클로헥실포스핀)팔라듐, 디(아세테이토)디시클로헥실페닐포스핀팔라듐, 디아민팔라듐 니트리트, 디--브로모비스(트리-t-부틸포스피노)디팔라듐, 디클로로비스(아세토니트릴)팔라듐, 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐, 디클로로(1,2-비스(디페닐포스피노)에탄)팔라듐, 디클로로(1,3-비스(디페닐포스피노)프로판)팔라듐, 트랜스-디클로로비스(트리시클로헥실포스핀)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 트랜스-디클로로비스(트리-o-톨일포스핀)팔라듐, 디클로로(1,5-시클로옥타디엔)팔 라듐, 트랜스-디클로로디아민 팔라듐, 팔라듐 아세테이트, 팔라듐 아세틸아세토네이트, 팔라듐 브로마이드 팔라듐 클로라이드, 팔라듐 사아나이드, 팔라듐 아이오다이드, 팔라듐 나이트레이트, 팔라듐 트리플루오로아세테이트, 테트라아민팔라듐 나이트레이트, 테트라아민 팔라듐 테트라클로로팔라데이트, 테트라키스(아세토니트릴)팔라듐 테트라플루오로보레이트, 테트라키스(트리페닐포스핀), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐, 비스(1,5-시클로옥타디엔)니켈, 비스(시클로펜타디에닐)니켈, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄 니켈 클로라이드, 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판 니켈 클로라이드, 비스(에틸시클로펜타디에닐)니켈, 비스(펜타메틸시클로펜타디에닐)니켈, 비스(i-프로필시클로펜타디에닐)니켈, 비스(테트라메틸시클로펜타디에닐)니켈, 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵타디오네이토)니켈, 비스(트리페닐포스핀)니켈 브로마이드 비스(트리페닐포스핀)니켈 클로라이드, 비스(트리페닐포스핀)니켈 디카르보닐, 디클로로[1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]니켈, 헥사아민니켈 클로라이드, 헥사아민니켈 아이오다이드, 니켈 아세테이트, 니켈 아세틸아세토네이트, 니켈 브로마이드 니켈 카보네이트, 니켈 카르보닐, 니켈 클로라이드, 니켈 시클로헥사네부티레이트, 니켈 2-에틸헥사노에이트, 니켈 플루오라이드, 니켈 헥사플루오로아세틸아세토네이트, 니켈 하이드록시아세테이트, 니켈 아이오다이드, 니켈 나프텐에이트, 니켈 나이트레이트, 니켈 옥살레이트, 니켈 퍼클로레이트, 니켈 프탈로시아닌, 니켈 스테아레이트, 니켈 테트라플루오로보레이트, 니켈 티오시아네이트, 니켈 트리플루오로아세틸아세토네이트, 포타슘 헥사플루오로니켈에이트, 포타슘 테트라시아노니켈에이트 하이드레이트, 비스(시클로펜타디에닐)코발트, 비스(N,N'- 디-i-프로필아세트아미디네이토)코발트, 코발트 아세테이트, 코발트 아세틸아세토네이트, 코발트 브로마이드 코발트 카보네이트, 코발트 카르보닐, 코발트 클로라이드, 코발트 시트레이트, 코발트 시클로헥사네부티레이트, 코발트 2-에틸헥사노에이트, 코발트 플루오라이드, 코발트 아이오다이드, 코발트 나이트레이트, 코발트 퍼클로레이트, 코발트 포스페이트, 코발트 프탈로시아닌, 코발트 스테아레이트, 코발트 티오시아네이트, 시클로펜타디에닐코발트 디카르보닐, 헥사아민코발트 클로라이드, 테트라코발트 도데카카르보닐, 포타슘 헥사시아노코발트에이트, 소디움코발트카르보란, 소디움(시클로펜타디에닐)트리스(디메틸포스피토)코발트에이트, 소디움헥사니트리토코발트에이트, 비스(시클로펜타디에닐)아이언, 비스(에틸시클로펜타디에닐)아이언, 비스(펜타메틸시클로펜타디에닐)아이언, 비스(i-프로필시클로펜타디에닐)아이언, 비스(테트라메틸시클로펜타디에닐)아이언, 시클로헥사디엔 아이언 트리카르보닐, 아이언 아세테이트, 아이언 아세틸아세토네이트, 아이언 브로마이드 아이언 클로라이드, 아이언 도데카카르보닐 아이언 플루오라이드, 아이언 아이오다이드, 아이언 나이트레이트, 아이언 노나카르보닐, 아이언 펜타카르보닐, 아이언 퍼클로레이트, 아이언 프탈로시아닌, 아이언 i-프로폭시드, 아이언 스테아레이트, 아이언 테트라플루오로보레이트, 아이언 트리플루오로아세틸아세토네이트 등이 있으나, 이에 제한되지 않는다.In the production method of the present invention, the metal precursor of step (b) is formed by dissolving the organometallic complex of the metal that can be dissolved in an organic solvent in a solvent and a dispersant, the metal used to form the metal precursor is the surface of the nanocrystals Any metal that can be bonded to is possible, specifically, it may be selected from the group consisting of Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Ni, Fe, Co. Examples of corresponding organometallic complexes include ammonium tetrachloroaurate, hydrogen tetrabromoaurate, hydrogen tetrachloroaurate, potassium dicyanoaurate, potassium tetrabromoaurate, potassium tetrachloroaurate, Sodium tetrabromoaurate, di-n-butyltin dilaurate, silver acetate, silver bromide, silver carbonate, silver chloride, silver chromate, silver saanide, silver cyclohexanebutyrate, silver 2-ethyl Hexanoate, silver (I) fluoride, silver (II) fluoride, silver hexabromocarbolane, silver hexafluoroantimonate, silver hexafluoroarsenate, silver hexafluorophosphate, silver ioda Silver, silver nitrate, silver perchlorate, silver perchlorate monohydrate, silver perrinate (Silver perrhenate), silver phosphate, silver sulfate, silver telluride, silver tetrafluoroborate, silver thiocyanate, silver trifluoroacetate, silver trifluoromethanesulfonate, silver tungstate, 2,2,6,6- Tetramethyl-3,5-heptanedionate silver, trimethylphosphine (hexafluoroacetylacetonato), and vinyl triethylsilane (hexafluoroacetylacetonato), bis (N, N'-di- sec-butylacetamidineto) copper (Cu), bis (6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimethyltyl-3,5-octanedionate) Copper, bis (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) copper, bis (triphenylphosphine) copper nitrate, bromo (1,10-phenanthroline) (triphenyl Phosphine) copper, copper (I) acetate, copper (II) acetate, copper (II) acetylacetonate, copper (I) bromide copper (II) bromide, copper i-butyrate, copper carbonate, sphere (I) chloride, copper (II) chloride, copper cyanide, copper cyclohexanebutyrate, copper ethylacetoacetate, copper 2-ethylhexanoate, copper (II) fluoride, copper formmate, copper gluconate, copper Hexafluoroacetylacetonate, copper hexafluoroacetylacetonate, copper iodide, copper naphthenate, copper neododecanoate, copper nitrate, copper perchlorate, copper phenylacetylide, copper phthalocyanine, copper sulfate, anhydrous Copper tetrafluoroborate, copper (I) thiocyanate, copper (II) trifluoroacetylacetonate, copper (II) trifluoromethanesulfonate, cyclopentadienyl (triethylphosphine) copper, (1 , 10-phenanthroline) bis (triphenylphosphine) copper nitrate dichloromethane, tetraaminecopper sulfate, tet Cus (acetonitrile) copper hexafluorophosphate, trimethylphosphine (hexafluoroacetylacetonato) copper, ammonium hexachloroplatinate, ammonium tetrachloroplatinate, barium tetracyanoplatinate, bis (Ethylenediamine) platinum chloride, bis (tri-t-butylphosphine) platinum, chloroplatinic acid hexahydrate, 1,1-cyclobutanedicarboxylatediamineplatinum, diamineplatinum nitrile, dibromo (1, 5-cyclooctadiene) platinum, dichlorobis (benzonitrile) platinum, cis-dichlorobis (diethylsulfide) platinum, cis-dichlorobis (pyridine) platinum, cis-dichlorobis (triethylphosphine) platinum, cis- Dichlorobis (triphenylphosphine) platinum, dichloro (1,5-cyclooctadiene) platinum, dichlorodiamine platinum, di-mu-chloro-dichloro (Ethylene) diplatinium, dichloro (dicyclopentadienyl) platinum, dihydrogen hexahydroxyplatinate, di-mu-iodobis (ethylenediamine) diplatinum nitrate, diiodo (1,5 -Cyclooctadiene) platinum, iodotrimethylplatinum, platinum acetylacetonate, platinum bromide platinum chloride, platinum zanide, platinum hexafluoroacetylacetonate, platinum iodide, tetraamineplatinum chloride, tetraamineplatinum chloride, tetraamineplatinum Platinum nitrate, tetrachlorodiamine platinum, tetrakis (trifluorophosphine) platinum, (trimethyl) cyclopentadienylplatinum, (trimethyl) methylcyclopentadienylplatinum, potassium bis (oxalato) platinum, potassium Hexabromoplatinate, potassium hexachloro Latinate, potassium hexacyanoplatinate, potassium tetrabromoplatinate, potassium tetrachloroplatinate, potassium tetracyanoplatinate, potassium tetranitroplatinate, potassium trichloroamineplatinate, potassium Trichloro (ethylene) platinate, sodium hexachloroplatinate hexahydrate, sodium tetrachloroplatinate, allylpalladium chloride dimer, bis (acetateto) triphenylphosphinepalladium, bis [1,2-bis ( Diphenylphosphino) ethane] palladium, bis (dibenzyl indenacetone) palladium, bis (tri-t-butylphosphine) palladium, bis (tricyclohexylphosphine) palladium, di (acetateto) dicyclohexylphenyl Phosphinepalladium, diaminepalladium nitrile, di-bromobis (tri-t-butylphosphino) dipalladium, dichlorobis (acetonitrile) palladium, dichlorobis ( Zonitrile) palladium, dichloro (1,2-bis (diphenylphosphino) ethane) palladium, dichloro (1,3-bis (diphenylphosphino) propane) palladium, trans-dichlorobis (tricyclohexylphosphine) Palladium, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, trans-dichlorobis (tri-o-tolylphosphine) palladium, dichloro (1,5-cyclooctadiene) palladium, trans-dichlorodiamine palladium, palladium acetate, palladium Acetylacetonate, palladium bromide palladium chloride, palladium sanide, palladium iodide, palladium nitrate, palladium trifluoroacetate, tetraamine palladium nitrate, tetraamine palladium tetrachloropalladate, tetrakis (acetonitrile) palladium tetra Fluoroborate, tetrakis (triphenylphosphine), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, bis (1,5-cyclooctadiene) Kel, Bis (cyclopentadienyl) nickel, 1,2-bis (diphenylphosphino) ethane nickel chloride, 1,3-bis (diphenylphosphino) propane nickel chloride, bis (ethylcyclopentadienyl) nickel Bis (pentamethylcyclopentadienyl) nickel, bis (i-propylcyclopentadienyl) nickel, bis (tetramethylcyclopentadienyl) nickel, bis (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptadioneto) nickel, bis (triphenylphosphine) nickel bromide bis (triphenylphosphine) nickel chloride, bis (triphenylphosphine) nickel dicarbonyl, dichloro [1,1'-bis (diphenyl Phosphino) ferrocene] nickel, hexaaminenickel chloride, hexaaminenickel iodide, nickel acetate, nickel acetylacetonate, nickel bromide nickel carbonate, nickel carbonyl, nickel chloride, nickel cyclohexanebutyrate, nickel 2-ethylhexa Noate, Nickel Fluoride , Nickel hexafluoroacetylacetonate, nickel hydroxyacetate, nickel iodide, nickel naphthenate, nickel nitrate, nickel oxalate, nickel perchlorate, nickel phthalocyanine, nickel stearate, nickel tetrafluoroborate, nickel thio Cyanate, nickel trifluoroacetylacetonate, potassium hexafluoronickate, potassium tetracyanonickelate hydrate, bis (cyclopentadienyl) cobalt, bis (N, N'-di-i-propylacetamidi Cobalt, cobalt acetate, cobalt acetylacetonate, cobalt bromide cobalt carbonate, cobalt carbonyl, cobalt chloride, cobalt citrate, cobalt cyclohexanebutyrate, cobalt 2-ethylhexanoate, cobalt fluoride, cobalt iodide Droid, cobalt nitrate, Cobalt perchlorate, cobalt phosphate, cobalt phthalocyanine, cobalt stearate, cobalt thiocyanate, cyclopentadienylcobalt dicarbonyl, hexaamine cobalt chloride, tetracobalt dodecacarbonyl, potassium hexacyanocobaltate, sodium cobalt carborate , Sodium (cyclopentadienyl) tris (dimethyl phosphito) cobaltate, sodium hexanitrito cobaltate, bis (cyclopentadienyl) iron, bis (ethylcyclopentadienyl) iron, bis (pentamethylcyclopentadiene Nil) iron, bis (i-propylcyclopentadienyl) iron, bis (tetramethylcyclopentadienyl) iron, cyclohexadiene iron tricarbonyl, iron acetate, iron acetylacetonate, iron bromide iron chloride, iron dode Carbonyl Iron Fluoride, Iron A Odide, iron nitrate, iron nonacarbonyl, iron pentacarbonyl, iron perchlorate, iron phthalocyanine, iron i-propoxide, iron stearate, iron tetrafluoroborate, iron trifluoroacetylacetonate This is not restrictive.
본 발명의 제조방법에서, 상기 (b) 단계의 금속전구체 형성에 사용되는 분산제는 올레인산 (oleic acid), 스테아르산 (stearic acid), 팔미트산 (palmitic acid), 헥실 포스포늄산 (hexyl phosphonicacid), n-옥틸 포스포늄산 (n-octyl phosphonicacid), 테트라데실 포스포늄산 (tetradecyl phosphonicacid), 옥타데실포스포늄산 (octadecyl phosphonic acid), 트리옥틸 포스핀 (trioctylphosphine), 트리옥틸 포스핀 옥사이드 (trioctylphosphine oxide), n-옥틸 아민 (n-octyl amine), 헥사데실아민 (hexadecyl amine), 헥실 티올(hexyl thiol), 옥틸 티올(octyl thiol), 옥타데실 티올(octadecyl thiol) 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.In the preparation method of the present invention, the dispersing agent used in forming the metal precursor of step (b) is oleic acid, stearic acid, palmitic acid, hexyl phosphonic acid n-octyl phosphonic acid, tetradecyl phosphonic acid, octadecyl phosphonic acid, octadecyl phosphonic acid, trioctyl phosphine, trioctyl phosphine oxide, trioctyl phosphine oxide oxide, n-octyl amine, hexadecyl amine, hexyl thiol, octyl thiol, octadecyl thiol, and the like. Can be, but is not limited to this.
본 발명에서 금속 전구체를 환원시키는 방법으로는 금속입자를 제조하기 위한 전구체 용액에 전 단계에서 합성된 반도체 나노결정의 용액을 가하여 일정 시간 교반하는 방법을 사용할 수 있다. 이때, 반응온도는 특별히 제한되지 않는데, 별도의 가열처리를 행하지 않고 상온에서 반응을 진행해도 본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체를 충분히 합성할 수 있다.As a method of reducing the metal precursor in the present invention, a method of adding a solution of the semiconductor nanocrystals synthesized in the previous step to a precursor solution for preparing metal particles and stirring the mixture for a predetermined time may be used. At this time, the reaction temperature is not particularly limited, and the semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention can be sufficiently synthesized even if the reaction is carried out at room temperature without additional heat treatment.
본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체의 제조방법에 있어서, 상기 (b) 단계의 금속입자는 반도체 나노결정의 표면에 결합될 수 있다.In the method of manufacturing a semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention, the metal particles of step (b) may be bonded to the surface of the semiconductor nanocrystal.
그리고, 상기 (b) 단계에서 반도체 나노결정에 결합되는 금속입자의 위치는 특별히 제한되지 않지만, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 나노결정의 각진 부분인 모서리 혹은 끝단 등에 우선적으로 결합될 수 있다.In addition, the position of the metal particles bonded to the semiconductor nanocrystals in step (b) is not particularly limited, but as shown in FIG. 1, the metal particles may be preferentially bonded to corners or ends, which are angled portions of the semiconductor nanocrystals.
본 발명의 반도체 나노결정-금속 복합체의 제조방법에 있어서, 상기 (b) 단계에서 금속전구체의 농도나 종류, 반응 시간을 조절하면 반도체 나노결정의 표면 위에 금속입자가 다량으로 환원되면서 연속적 혹은 불연속적인 금속입자 층이 형성할 수 있다. 이 경우 반도체 나노결정의 코어와 금속입자의 쉘로 이루어지는 코어 -쉘 구조를 형성할 수 있다. 이렇게 형성된 코어-쉘 구조의 반도체 금속 복합체의 구조를 도 2에 도시하였다.In the method of manufacturing a semiconductor nanocrystal-metal composite of the present invention, by adjusting the concentration, type, and reaction time of the metal precursor in the step (b), the metal particles are reduced in a large amount on the surface of the semiconductor nanocrystal and are continuously or discontinuous. A metal particle layer can be formed. In this case, a core-shell structure consisting of a core of semiconductor nanocrystals and a shell of metal particles can be formed. The structure of the semiconductor-metal composite of the core-shell structure thus formed is shown in FIG. 2.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the following Examples are for the purpose of explanation and are not intended to limit the present invention.
실시예Example 1. 구형 반도체 나노결정-금속 복합체 ( 1.Spherical Semiconductor Nanocrystal-Metal Composite CdSeSCdSeS / Of AuAu )합성 )synthesis
트리옥틸아민 (trioctylamine, 이하 "TOA") 16g과 올레인 산 (Oleic acid) 0.5g, 카드뮴 옥사이드 0.4 mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 100 ml 플라스크에 넣고, 이를 교반하면서 반응 온도를 300℃로 조절하여 카드뮴 전구체 용액을 형성하였다. 이와 별도로 Se 분말은 트리옥틸포스핀 (trioctylphosphine, 이하 "TOP"에 녹여서 Se 농도가 0.1M 정도인 Se-TOP 착물 (complex) 용액을 만들고, S 분말은 TOP에 녹여서 S 농도가 4M 정도인 S-TOP 착물 용액을 준비하였다.16 g of trioctylamine (“TOA”), 0.5 g of oleic acid and 0.4 mmol of cadmium oxide were simultaneously added to a 100 ml flask equipped with a reflux condenser and the reaction temperature was adjusted to 300 ° C. while stirring. A cadmium precursor solution was formed. Separately, Se powder is dissolved in trioctylphosphine (“TOP”) to form a Se-TOP complex solution with a Se concentration of about 0.1M, and S powder is dissolved in TOP and S- with a S concentration of about 4M. The TOP complex solution was prepared.
카드뮴 전구체 용액에 S-TOP 착물 용액 0.5ml와 Se-TOP 착물 용액 0.5ml의 혼합물을 빠른 속도로 주입하고 4분 정도 더 교반시켜 CdSe 나노결정을 형성하였다.A mixture of 0.5 ml of the S-TOP complex solution and 0.5 ml of the Se-TOP complex solution was rapidly injected into the cadmium precursor solution and stirred for about 4 minutes to form CdSe nanocrystals.
하이드로젠테트라클로로오레이트 (HAuCl4) 0.017g을 테트라하이드로퓨란 (Tetrahydrofuran, 이하 "THF"에 녹이고, 올레일아민 (Oleylamine, 이하 "OAm") 4ml를 더하여 골드 전구체 용액을 제조하였다. 이 용액에 합성한 CdSeS 1wt% 톨루엔 용액 1 ml를 넣고 상온에서 3시간 동안 교반하여 CdSeS/Au 반도체 나노결정-금속 복합체를 형성하였으며, CdSeS/Au 반도체 나노결정-금속 복합체의 투과전자현미 경 사진을 도 3에 표시하였다. 도 3에 도시한 바와 같이, 구형 반도체 나노결정의 표면에 하나 이상의 금속 입자들이 결합되어 복합체가 형성되었음을 확인할 수 있다.0.017 g of hydrogentetrachloroorate (HAuCl4) was dissolved in tetrahydrofuran ("THF") and 4 ml of oleylamine ("OAm") was added to prepare a gold precursor solution. 1 ml of a 1 wt% toluene solution of CdSeS was added and stirred at room temperature for 3 hours to form a CdSeS / Au semiconductor nanocrystal-metal composite. A transmission electron micrograph of the CdSeS / Au semiconductor nanocrystal-metal composite was shown in FIG. 3. As shown in Fig. 3, it can be seen that one or more metal particles are bonded to the surface of the spherical semiconductor nanocrystal to form a composite.
실시예Example 2. 막대형 반도체 나노결정-금속 복합체 ( 2. Rod-shaped semiconductor nanocrystal-metal composite ( CdSeCdSe / Of AuAu )합성 )synthesis
트리옥틸포스핀 옥사이드 (trioctylphosphine, 이하 "TOPO") 2.2g과 옥타데실포스폰산 (Octadecylphosphonic acid) 1.07g, 카드뮴 옥사이드 0.205 g을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 100 ml 플라스크에 넣고, 이를 교반하면서 반응 온도를 330℃로 조절하여 카드뮴 전구체 용액을 형성하였다. 이와 별도로 Se 분말 0.063g, 트리부틸포스핀 (tributylphosphine, 이하 "TBP") 0.23mL 과 TOP 1.74ml과 톨루엔 0.3ml를 섞어 녹여서 Se 착물 용액을 준비하였다. 상기 카드뮴 전구체 용액에 Se착물 용액을 주입하면서, 반응온도를 280도로 낮추고, 6분 정도 교반하여 CdSe 나노결정을 형성하였다.2.2 g of trioctylphosphine oxide (“TOPO”), 1.07 g of octadecylphosphonic acid and 0.205 g of cadmium oxide were simultaneously added to a 100 ml flask equipped with a reflux condenser and stirred at a reaction temperature of 330 It was adjusted to ℃ to form a cadmium precursor solution. Separately, 0.063 g of Se powder, 0.23 mL of tributylphosphine (hereinafter, "TBP"), 1.74 mL of TOP, and 0.3 mL of toluene were mixed and dissolved to prepare a Se complex solution. While injecting the Se complex solution into the cadmium precursor solution, the reaction temperature was lowered to 280 degrees and stirred for about 6 minutes to form CdSe nanocrystals.
하이드로젠테트라클로로오레이트 (HAuCl4) 0.017g을 THF에 녹이고, OAm 4mL를 더하여 골드 전구체 용액을 제조한다. 이 용액에 상기 합성한 CdSe 막대 1wt% 톨루엔 용액 1 ml를 넣고 상온에서 3시간 동안 교반하여 CdSe/Au 반도체 나노결정-금속 복합체를 형성하였으며, 막대형 CdSe/Au 반도체 나노결정-금속 복합체의 투과전자현미경 사진을 도 4에 표시하였다.Dissolve 0.017 g of hydrogentetrachloroorate (HAuCl 4) in THF and add 4 mL of OAm to prepare a gold precursor solution. 1 ml of the synthesized CdSe rod 1wt% toluene solution was added to the solution, followed by stirring at room temperature for 3 hours to form a CdSe / Au semiconductor nanocrystal-metal composite, and the transmission electrons of the rod-shaped CdSe / Au semiconductor nanocrystal-metal composite Micrographs are shown in FIG. 4.
또한 수득된 반도체 나노결정-금속 복합체의 STEM 사진을 도 5a에 도시하였고, EDS 분석을 통해 반도체 나노결정-금속 복합체의 성분을 분석한 결과를 도 5b 에 표시하였다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 수득된 반도체 나노결정-금속 복합체에서는 Cd, Se, Au의 성분이 분석되었다.Also, the STEM photograph of the obtained semiconductor nanocrystal-metal composite is shown in FIG. 5A, and the results of analyzing the components of the semiconductor nanocrystal-metal composite through EDS analysis are shown in FIG. 5B. As shown in FIG. 5B, in the obtained semiconductor nanocrystal-metal composite, components of Cd, Se, and Au were analyzed.
실험예Experimental Example 1. 구형 반도체 나노결정-금속 복합체의 특성 평가 1. Characterization of Spherical Semiconductor Nanocrystal-Metal Composites
구형 반도체 나노결정-금속 복합체의 특성을 평가하기 위해서, 실시예 1에 의해 제조된 구형 반도체 나노결정-금속 복합체와, 금속전구체와 반응하지 않은 반도체 나노결정(QD) 각각의 입자형성 반응이 종결되면, 반응 혼합물의 반응온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매(non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전물을 제외한 상청액은 따라서 버리고, 침전물은 톨루엔에 1wt% 정도로 분산시켰다. 이렇게 합성된 CdSeS 나노결정과, CdSeS/Au 반도체 나노결정-금속 복합체 용액 각각에 대해 흡수 스펙트럼과 광여기 발광 스펙트럼 (photoluminescence)을 측정하여 각각 도 6과 도 7에 표시하였다.In order to evaluate the properties of the spherical semiconductor nanocrystal-metal composite, the particle formation reaction of each of the spherical semiconductor nanocrystal-metal composite prepared in Example 1 and the semiconductor nanocrystals (QD) which did not react with the metal precursor was terminated. The reaction temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, followed by centrifugation by addition of non-solvent ethanol. The supernatant except the centrifuged precipitate was discarded accordingly, and the precipitate was dispersed in toluene at about 1 wt%. The absorption spectra and photoluminescence spectra of the CdSeS nanocrystals thus synthesized and the CdSeS / Au semiconductor nanocrystal-metal composite solution were measured and shown in FIGS. 6 and 7, respectively.
CdSeS 나노반도체의 경우 최초 흡수 최대 파장은 580nm에서 나타났고, 발광 세기의 최대점은 약 598nm에서 나타났고, 반측폭 (Full width half maximum)은 약 30nm으로 나타났는데 비해, CdSeS/Au 반도체 나노결정-금속 복합체는 최초 흡수 최대 파장은 582nm에서 나타났고, 발광 세기는 10배로 증가시켜 나타내었으나, 발광특성이 거의 나타나지 않았다.In the case of CdSeS nanosemiconductor, the maximum absorption maximum wavelength appeared at 580nm, the maximum emission intensity appeared at about 598nm, and the full width half maximum was about 30nm, whereas CdSeS / Au semiconductor nanocrystal- In the metal composite, the maximum absorption maximum wavelength was found at 582 nm and the emission intensity was increased by 10 times.
실험예Experimental Example 2. 막대형 반도체 나노결정-금속 복합체의 특성 평가 2. Characterization of Rod-Type Semiconductor Nanocrystal-Metal Composites
막대형 반도체 나노결정-금속 복합체의 특성을 평가하기 위해서, 실시예 2에 의해 제조된 막대형 반도체 나노결정-금속 복합체와, 금속전구체와 반응하지 않은 반도체 나노결정(QD) 각각의 입자형성반응이 종결되면, 반응 혼합물의 반응온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매(non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전물을 제외한 상청액은 따라서 버리고, 침전은 톨루엔에 1wt% 정도로 분산시켰다. 이렇게 합성된 막대형 CdSe 나노결정과, CdSe/Au 반도체 나노결정-금속 복합체 용액 각각을 흡수 스펙트럼을 측정하여 도 8에 같이 표시하였다.In order to evaluate the properties of the rod-shaped semiconductor nanocrystal-metal composite, the particle formation reaction of each of the rod-shaped semiconductor nanocrystal-metal composite prepared in Example 2 and the semiconductor nanocrystal (QD) which did not react with the metal precursor was Upon completion, the reaction temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, followed by centrifugation by addition of non-solvent ethanol. The supernatant except the centrifuged precipitate was thus discarded and the precipitate dispersed in toluene at about 1 wt%. The rod-shaped CdSe nanocrystals thus synthesized and the CdSe / Au semiconductor nanocrystal-metal composite solution were respectively shown in FIG. 8 by measuring absorption spectra.
막대형 CdSe 나노반도체의 경우 최초 흡수 최대 파장은 570nm에서 나타났는데 비해, 막대형 CdSe/Au 반도체 나노결정-금속 복합체는 최초 흡수 최대 파장이 분리되어 나타나지 않았다.The rod-shaped CdSe nanosemiconductor exhibited an initial absorption maximum wavelength of 570 nm, whereas the rod-shaped CdSe / Au semiconductor nanocrystal-metal composite did not appear to have a separate initial absorption maximum wavelength.
본 발명에 따른 반도체 나노결정-금속 복합체는 반도체와 금속의 특성이 혼합되어 우수한 광전(photo current) 특성을 가지며, 금속입자로 인하여 반도체 나노결정과 다른 물질 사이의 결합성이 향상되어 반도체 나노결정의 응용을 넓힐 수 있다.The semiconductor nanocrystal-metal composite according to the present invention has excellent photo current characteristics by mixing the characteristics of the semiconductor and the metal, and the bonding between the semiconductor nanocrystal and other materials is improved due to the metal particles to improve the semiconductor nanocrystal. It can broaden the application.
또한, 본 발명에 따른 반도체 나노결정-금속 복합체의 제조방법에 의하면 별도의 장치를 사용하거나 복잡한 공정을 거치지 않고 상온에서도 상기 복합체를 용이하게 합성할 수 있다.In addition, according to the method for manufacturing a semiconductor nanocrystal-metal composite according to the present invention, it is possible to easily synthesize the composite even at room temperature without using a separate device or a complicated process.
Claims (10)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080013862A KR100839727B1 (en) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | Semiconductor Nanocrystal-Metal Complex |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080013862A KR100839727B1 (en) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | Semiconductor Nanocrystal-Metal Complex |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060043760A Division KR20070110995A (en) | 2006-05-16 | 2006-05-16 | Semiconductor nanocrystal-metal complex and method of preparing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080019678A KR20080019678A (en) | 2008-03-04 |
| KR100839727B1 true KR100839727B1 (en) | 2008-06-19 |
Family
ID=39394840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080013862A KR100839727B1 (en) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | Semiconductor Nanocrystal-Metal Complex |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100839727B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10424695B2 (en) | 2016-12-14 | 2019-09-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Emissive nanocrystal particle, method of preparing the same and device including emissive nanocrystal particle |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101462658B1 (en) | 2008-12-19 | 2014-11-17 | 삼성전자 주식회사 | Semiconductor Nanocrystal and Preparation Method thereof |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030035206A (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | 한국과학기술원 | Method for Chemical Synthesis of Various Shaped Nanomaterials Including Spheres, Rods, and Stars |
| US20040009341A1 (en) | 2001-09-17 | 2004-01-15 | Imad Naasani | Highly luminescent functionalized semiconductor nanocrystals for biological and physical applications |
| JP2004299011A (en) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Japan Science & Technology Agency | Core shell structure having nanoparticle composite as core, structure having that as component, and processing method for structure processed from these |
| KR20050013571A (en) * | 2002-06-12 | 2005-02-04 | 인텔 코포레이션 | Metal coated nanocrystalline silicon as an active surface enhanced raman spectroscopy(sers) substrate |
| US20050116336A1 (en) | 2003-09-16 | 2005-06-02 | Koila, Inc. | Nano-composite materials for thermal management applications |
-
2008
- 2008-02-15 KR KR1020080013862A patent/KR100839727B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040009341A1 (en) | 2001-09-17 | 2004-01-15 | Imad Naasani | Highly luminescent functionalized semiconductor nanocrystals for biological and physical applications |
| KR20030035206A (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | 한국과학기술원 | Method for Chemical Synthesis of Various Shaped Nanomaterials Including Spheres, Rods, and Stars |
| KR20050013571A (en) * | 2002-06-12 | 2005-02-04 | 인텔 코포레이션 | Metal coated nanocrystalline silicon as an active surface enhanced raman spectroscopy(sers) substrate |
| JP2004299011A (en) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Japan Science & Technology Agency | Core shell structure having nanoparticle composite as core, structure having that as component, and processing method for structure processed from these |
| US20050116336A1 (en) | 2003-09-16 | 2005-06-02 | Koila, Inc. | Nano-composite materials for thermal management applications |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Surface Science, Vol.454-456(2000), p.837-841 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10424695B2 (en) | 2016-12-14 | 2019-09-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Emissive nanocrystal particle, method of preparing the same and device including emissive nanocrystal particle |
| US11316079B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Emissive nanocrystal particle, method of preparing the same and device including emissive nanocrystal particle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080019678A (en) | 2008-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20070110995A (en) | Semiconductor nanocrystal-metal complex and method of preparing the same | |
| KR102066423B1 (en) | Group III-V/Zinc Chalcogenide Alloyed Semiconductor Quantum Dots | |
| Mourdikoudis et al. | Oleylamine in nanoparticle synthesis | |
| US8294267B2 (en) | Nanostructures and method for selective preparation | |
| US7867557B2 (en) | Nanoparticles | |
| KR100621309B1 (en) | Method for Preparing Metal Sulfide Nanocrystal Using Thiol Compound As Sulfur Precursor | |
| EP2190944B1 (en) | Core shell nanoparticles and preparation method thereof | |
| Fan et al. | Solution-based synthesis of III–V quantum dots and their applications in gas sensing and bio-imaging | |
| KR20080107578A (en) | Core/shell nanocrystals and method for preparing the same | |
| KR20090120769A (en) | Method for synthesis of nano particle using carbene derivative | |
| US20210024356A1 (en) | Method for preparing nanocrystal with core-shell structure | |
| Geisenhoff et al. | Manipulation of precursor reactivity for the facile synthesis of heterostructured and hollow metal selenide nanocrystals | |
| KR100839727B1 (en) | Semiconductor Nanocrystal-Metal Complex | |
| Mishra | Ultra-mild synthesis of nanometric metal chalcogenides using organyl chalcogenide precursors | |
| Kowalik et al. | Indium (II) chloride as a precursor in the synthesis of ternary (Ag–In–S) and quaternary (Ag–In–Zn–S) nanocrystals | |
| Bujak | Core and surface engineering in binary, ternary and quaternary semiconductor nanocrystals—A critical review | |
| WO2020073926A1 (en) | Preparation method for quantum dots | |
| Murphy | CdS nanoclusters stabilized by thiolate ligands: A mini-review | |
| Tzitzios et al. | A general chemical route for the synthesis of capped nanocrystalline materials | |
| KR100442775B1 (en) | Method for Chemical Synthesis of Various Shaped Nanomaterials Including Spheres, Rods, and Stars | |
| CN110753734A (en) | Semiconductor nano structure and application | |
| Kedarnath | Synthesis of Advanced Inorganic Materials Through Molecular Precursors | |
| Pron et al. | Synthesis of solution‐processable nanoparticles of inorganic semiconductors and their application to the fabrication of hybrid materials for organic electronics and photonics | |
| CN113498405A (en) | Doped semiconductor nanocrystals, methods of making, and uses thereof | |
| Mishra et al. | Chalcogenoethers as convenient synthons for low-temperature solution-phase synthesis of metal chalcogenide nanocrystals |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130522 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140522 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150522 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160518 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170522 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180518 Year of fee payment: 11 |