KR100837548B1 - Disk pedestal of ion implant apparatus - Google Patents

Abstract

반도체 소자 제조에 사용되는 이온 주입장치에 있어서, 핸들러를 사용한 웨이퍼의 언로딩시에 상기 웨이퍼가 핸들러로부터 드롭(drop)되는 것을 방지할 수 있는 디스크 받침대를 제공하기 위하여, 본 발명은, 이온 주입장치의 공정 챔버 내부에 구비되며, 웨이퍼가 안착되는 디스크 지지대에 있어서, 상기 지지대의 웨이퍼 안착면에는 웨이퍼를 안착면으로부터 일정 높이만큼 이격 상태로 지지하는 이격 지지부가 구비되고, 상기 이격 지지부는 일단부에 나사부를 구비하여 상기 디스크 받침대에 형성된 나사홈에 결합되는 지지핀으로 이루어지며, 상기 지지핀은 3개가 디스크 받침대에 등간격으로 설치된다.In the ion implantation apparatus used for manufacturing a semiconductor device, in order to provide a disk support which can prevent the wafer from being dropped from the handler during unloading of the wafer using the handler, the present invention provides an ion implantation apparatus. In the disk support is provided in the process chamber of the wafer, the wafer seating surface of the support is provided with a spaced apart support portion for supporting the wafer spaced apart from the seating surface by a certain height, the spaced support portion at one end It comprises a support pin coupled to the screw groove formed in the disk support having a screw portion, three of the support pins are installed at equal intervals on the disk support.

반도체, 웨이퍼, 디스크, 받침대, 아웃개싱, 포토레지스트, 핀 Semiconductor, Wafer, Disc, Pedestal, Outgassing, Photoresist, Pin

Description

이온 주입장치의 디스크 받침대{DISK PEDESTAL OF ION IMPLANT APPARATUS}Disk stand of ion implanter {DISK PEDESTAL OF ION IMPLANT APPARATUS}

도 1은 본 발명에 따른 디스크 받침대가 배치된 상태를 나타내는 개략도이고, 1 is a schematic view showing a state in which a disk stand according to the present invention is arranged,

도 2는 디스크 받침대의 분해 사시도이며,2 is an exploded perspective view of the disk stand;

도 3은 디스크 받침대에 웨이퍼가 설치된 상태를 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a state in which a wafer is installed on a disk stand.

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 이온 주입장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 핸들러를 사용한 웨이퍼의 언로딩시에 상기 웨이퍼가 핸들러로부터 드롭(drop)되는 것을 방지할 수 있는 디스크 받침대에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus used in the manufacture of semiconductor devices, and more particularly, to a disk support which can prevent the wafer from being dropped from the handler when unloading the wafer using the handler.

통상적으로, 웨이퍼의 표면에 이온을 주입하기 위해 사용되는 이온 주입장치는 파워 서플라이, 이온빔 발생부, 이온빔 가속기 및 이온 공정 챔버로 구성되고, 이온빔 발생부는 소스 헤드, 이온 질량분석기, 셔터 및 스캐닝 전극으로 구성되며, 이온 공정 챔버의 내부에는 복수개의 웨이퍼를 안착시킬 수 있는 디스크 받침대가 구비된다.Typically, an ion implanter used to inject ions into the surface of a wafer consists of a power supply, an ion beam generator, an ion beam accelerator, and an ion processing chamber, wherein the ion beam generator comprises a source head, an ion mass spectrometer, a shutter, and a scanning electrode. It is configured, the inside of the ion process chamber is provided with a disk support for mounting a plurality of wafers.

이에 따라, 이온 주입시에는 상기 디스크 받침대에 웨이퍼를 안착시킨 상태 에서 고전압을 이용하여 이온 소스를 이온빔으로 만든 후 질량 분석기와 스캐닝 전극을 이용하여 이온빔의 주사 경로를 변경시키고, 빔 가속기를 통해 가속시킨 후 웨이퍼의 표면에 소정의 농도로 이온을 주입한다.Accordingly, during ion implantation, the ion source is made into an ion beam using a high voltage while the wafer is placed on the disk support, and then the scanning path of the ion beam is changed using a mass spectrometer and a scanning electrode, and accelerated through a beam accelerator. Thereafter, ions are implanted into the surface of the wafer at a predetermined concentration.

상기한 구성의 이온 주입장치를 사용하여 이온을 주입할 때, 웨이퍼에는 이온 주입 마스크로서 포토레지스트막이 구비되어 있는데, 이온 주입 동안에는 포토레지스트막 내부의 수소나 질소 등이 탈기(outgasing)되어 끈적끈적한 성질의 오염물이 발생되고, 이 오염물은 디스크 받침대에 남게 된다.When implanting ions using the ion implantation apparatus of the above-described configuration, the wafer is provided with a photoresist film as an ion implantation mask. During ion implantation, hydrogen or nitrogen inside the photoresist film is degassed and sticky. Contaminants are generated and these contaminants remain on the disk stand.

따라서, 이온 주입 완료후 핸들러를 사용하여 웨이퍼를 언로드 할 때 상기 오염물로 인해 웨이퍼가 드롭(drop)되는 현상이 발생하게 되는바, 이러한 웨이퍼 드롭 문제를 해결하기 위해 종래에는 수리업체에 의뢰하여 상기 디스크 받침대를 대략 1년에 1회 정도 수리하였다. 그런데, 상기한 수리에는 고비용이 지출되어야 하므로, 수리로 인한 비용 증가가 문제점으로 대두되었다.Therefore, when the wafer is unloaded using the handler after the ion implantation is completed, the wafer may be dropped due to the contaminants. In order to solve the problem of the wafer drop, the disk is usually referred to a repair company. The pedestal was repaired approximately once a year. However, since the above-mentioned repair must be expensive, an increase in cost due to the repair has emerged as a problem.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 이온 주입시에 발생된 포토레지스트막의 오염물로 인해 웨이퍼 드롭 현상이 발생되는 것을 억제함으로써 수리 비용을 절감할 수 있도록 한 디스크 받침대를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a disk stand which can reduce the repair cost by suppressing wafer drop phenomenon caused by contaminants in the photoresist film generated during ion implantation. .

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,The present invention to achieve the above object,

이온 주입장치의 공정 챔버 내부에 구비되며, 웨이퍼가 안착되는 디스크 지지대에 있어서, In the disk support is provided in the process chamber of the ion implanter, the wafer is seated,                     

상기 지지대의 웨이퍼 안착면에는 웨이퍼를 안착면으로부터 일정 높이만큼 이격 상태로 지지하는 이격 지지부가 구비되는 이온 주입장치의 디스크 받침대를 제공한다.The wafer mounting surface of the support is provided with a disk support of the ion implantation apparatus is provided with a separation support for supporting the wafer spaced apart from the mounting surface by a predetermined height.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 이격 지지부는 일단부에 나사부를 구비하여 상기 디스크 받침대에 형성된 나사홈에 결합되는 지지핀으로 이루어지며, 상기 지지핀은 3개가 디스크 받침대에 등간격으로 설치된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the spaced support portion is formed of a support pin coupled to the screw groove formed in the disk support having a screw portion at one end, three of the support pins are installed at equal intervals on the disk support.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 디스크 받침대가 배치된 상태를 나타내는 개략도이고, 도 2는 디스크 받침대의 분해 사시도이며, 도 3은 디스크 받침대에 웨이퍼가 설치된 상태를 나타내는 도면이다.1 is a schematic diagram showing a state where a disk stand according to the present invention is disposed, Figure 2 is an exploded perspective view of the disk stand, Figure 3 is a view showing a state in which a wafer is installed on the disk stand.

도시한 바와 같이, 이온 공정 챔버(10)의 내부에는 다수개(도 1에는 13개가 도시됨)의 디스크 받침대(12)가 방사형으로 설치되어 있다. 상기 디스크 받침대(12)는 위에서 설명한 바와 같이 이온 주입시 웨이퍼(W)가 안착되는 것으로, 이 받침대(12)에는 3개의 나사홈(14)이 등간격으로 형성되어 있다.As shown in the figure, a plurality of disk pedestals 12 (13 are shown in FIG. 1) are radially provided inside the ion process chamber 10. As described above, the disk pedestal 12 is a wafer (W) is seated during the ion implantation, three screw grooves 14 are formed in the pedestal 12 at equal intervals.

상기 나사홈(14)은 지지핀(16)이 설치되는 곳으로, 상기 지지핀(16)의 일단부에는 나사홈(14)과 결합되는 나사부가 구비되어 있다.The screw groove 14 is a place where the support pin 16 is installed, one end of the support pin 16 is provided with a screw portion coupled to the screw groove 14.

이에 따라, 웨이퍼(W)는 도 3에 도시한 바와 같이 지지핀(16)에 의해 일정 간격만큼 이격된 상태로 지지되는바, 이러한 구성의 디스크 받침대에 의하면 이온 주입 공정시에 포토레지스트막의 탈기에 의해 발생된 오염물이 디스크 받침대(12) 에 묻게 되더라도 웨이퍼(W)가 상기 디스크 받침대(12)에 달라붙지 않게 된다.Accordingly, as shown in FIG. 3, the wafer W is supported by the support pins 16 spaced apart by a predetermined interval. According to the disk support of such a configuration, the wafer resist W is degassed during the ion implantation process. Even if contaminants generated by the disk pedestal 12 are buried, the wafer W does not stick to the disk pedestal 12.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

이와 같이 본 발명의 디스크 받침대는 웨이퍼를 디스크 받침대로부터 일정 간격만큼 이격된 상태로 지지하는 지지핀을 구비하므로, 포토레지스트막의 오염물로 인해 웨이퍼가 디스크 받침대에 달라붙게 되어 핸들러를 사용한 웨이퍼 언로드시에 웨이퍼가 드롭되는 것을 효과적으로 방지할 수 있으며, 이로 인해 디스크 받침대의 수리 주기를 연장할 수 있어 수리 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.As described above, the disk support of the present invention includes a support pin for supporting the wafer at a predetermined distance from the disk support, so that the wafer adheres to the disk support due to the contamination of the photoresist film, and thus the wafer is unloaded using the handler. Can be effectively prevented, which can extend the repair interval of the disk support, thereby reducing the repair cost.

Claims (3)

이온 주입장치의 공정 챔버에 다수개로 구비되어 각각 웨이퍼를 안착시키며, 삼각형의 꼭지점을 이루는 세 곳의 영역에 나사홈이 형성된 디스크 지지대;A disk support provided in a plurality of process chambers of the ion implantation device to seat the wafer, and having a screw groove formed in three regions forming a vertex of a triangle; 상기 나사홈에 나사 구조로 결합된 후 상측 일부가 상기 디스크 지지대의 상면으로 돌출되어 상기 웨이퍼를 안착면으로부터 일정 높이 만큼 이격 상태로 지지하는 나사 형태의 지지핀을 포함하는 이온 주입장치의 디스크 받침대.The disk support of the ion implantation apparatus including a screw-shaped support pin coupled to the screw groove in a screw structure to support the wafer spaced apart from the seating surface by a predetermined height from a portion of the upper side to the upper surface of the disk support. 삭제delete 삭제delete

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