KR100835485B1 - 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법 - Google Patents

이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 이머젼 리소그라피를 이용한 노광 후 베이크 하기 전 또는 노광 전 레지스트막을 물로 세척한 후에 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 사용하여 레지스트막 표면을 처리함으로써, 이머젼 리소그라피 공정의 문제점인 워터 마크 디펙트 현상을 효과적으로 해결할 수 있다.

Description

이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법{Manufacturing Method of Semiconductor Device Using Immersion Lithography Process}
도 1은 종래의 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 경우에 발생하는 워터 마크 디펙트를 보여주는 SEM 사진이다.
도 2a 내지 도 2f 는 본 발명에 따른 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법을 도시하는 공정도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 반도체 웨이퍼 12 : 레지스트막
14 : 노광 마스크 16 : 노광 렌즈
18 : 물 20 : 노광 영역
22 : 비노광 영역 24 : 물방울
26 : 워터 마크 28 : 노광 스테이지
30 : 물 분사기 40 : 정제 공기 노즐 장치
본 발명은 이머젼 리소그라피 (immersion lithography) 공정을 이용한 반도 체 소자 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이머젼 리소그라피 공정에서 노광 빔의 중간 매체로서 사용되는 물(H2O)에 의해 발생하는 워터 마크 디펙트 (water mark defect)를 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 소자 제조방법에 관한 것이다.
점차 미세화되는 반도체 소자를 제조하기 위하여 패턴의 크기 또한 점차 작아지는 추세이다. 그동안 미세한 패턴을 얻기 위해서 노광 장비와 그에 대응하는 레지스트를 개발하는 방향으로 연구가 진행되어 왔다.
노광 장비에 있어서, 노광 광원은 주로 248㎚ 파장의 KrF 또는 193㎚ 파장의 ArF 광원이 생산 공정에 적용되었으나, 점차 F2 (157㎚) 또는 EUV (13nm) 등과 같이 단파장화 광원과 렌즈 개구수 (numerical aperture)를 증대시키기 위한 노력이 시도되고 있다.
하지만, F2 등 새로운 광원을 채용하는 경우에는 새로운 노광 장치가 필요하게 되므로 제조 비용 면에서 효율적이지 못하고, 개구수를 증대시키는 방안 또한 초점 심도 폭이 저하되는 문제가 있다.
최근, 이러한 문제를 해결하기 위하여 이머젼 리소그라피 공정이 개발되었다. 기존 노광 공정의 경우 노광 장비에서 노광 렌즈와 레지스트막이 형성된 웨이퍼 중간의 노광 빔의 매체로서 굴절률 1.0의 값을 갖는 공기를 사용하는 반면, 상기 이머젼 리소그라피 공정은 중간 매체로서 1.0 이상의 굴절률을 갖는 물(H2O) 또는 유기 용매 등의 유체들을 사용함으로써, 같은 노광 파장의 광원을 사용해도 보다 단파장의 광원을 사용하거나 높은 개구수의 렌즈를 이용한 것과 같은 효과를 달 성할 수 있으며, 초점 심도의 저하도 없다.
즉 상기 이머젼 리소그라피 공정은 초점 심도를 현저히 개선할 수 있는 노광 공정이고, 이를 이용할 경우, 기존 노광 파장 적용시에 더 작은 미세 패턴을 형성할 수 있다는 장점이 있다.
그러나 이머젼 리소그라피 공정이 진행될 때에 반도체 웨이퍼를 트랙과 노광 장비로 이동시킨 후에 물을 완벽하게 제거하지 못하면 도 1에서 나타낸 바와 같은 워터 마크 디펙트 현상을 일으킨다는 단점이 있으며, 이러한 단점으로 인하여 이머젼 리소그라피 공정을 실제 공정에 적용하기가 곤란하였다.
이에 따라 워터 마크를 없애기 위해 반도체 웨이퍼의 회전 속도를 조절하는 등 다양한 레시피 (recipe)를 최적화하였으나, 셋업하는데 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라 개선 효과가 미비하였다. 또한 질소 가스를 블로우시키면서 물을 건조시키는 등의 방법을 이용하였으나, 고순도의 질소 가스를 공급하기 위한 별도의 설비 및 장치가 필요하여 추가 비용이 발생하였고 관리에 유의해야 하며 공정 시간을 단축시킬 수 없는 등 여러 가지 문제점이 발생하였다.
이에 본 발명자들은 활발한 연구를 거듭한 결과, 고가의 장비 개발 없이도 상기한 종래의 문제점을 극복할 수 있는 이머젼 리소그라피 공정에 의해 워터 마크 디펙트를 해결할 수 있는 반도체 소자 제조방법을 개발하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 상기와 같이 이머젼 리소그라피 공정 시에 워터 마크 디펙트 현상이 발생하는 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 이머젼 리소그라피 공정 시 에 레지스트막 표면에 발생하는 워터 마크를 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 소자 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법에 있어서, 이머젼 리소그라피를 이용한 (i) 노광 전 레지스트막을 물로 세척한 후 또는 (ii) 노광 후 베이크 하기 전 레지스트막을 물로 세척한 후에 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 사용하여 레지스트막 표면에 처리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법을 제공한다.
구체적으로 본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법은
반도체 웨이퍼 상의 피식각층 상부에 레지스트막을 형성하는 단계;
이머젼 리소그라피용 노광 장비를 이용한 노광 공정을 수행하는 단계;
상기 레지스트막 표면을 물로 세척한 후에 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 레지스트막 표면에 블로우하는 단계;
상기 결과물을 노광 후 베이크하는 단계; 및
상기 결과물을 현상하여 원하는 패턴을 얻는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명에 따라 반도체 소자를 제조하는 다른 방법은
반도체 웨이퍼 상의 피식각층 상부에 레지스트막을 형성하는 단계;
상기 레지스트막 표면을 물로 세척한 후에 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 레지스트막 표면에 블로우하는 단계;
이머젼 리소그라피용 노광 장비를 이용한 노광 공정을 수행하는 단계;
상기 레지스트막 표면을 물로 세척한 후에 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 레지스트막 표면에 블로우하는 단계;
상기 결과물을 노광 후 베이크하는 단계; 및
상기 결과물을 현상하여 원하는 패턴을 얻는 단계를 포함한다.
다시 말해, 본 발명은 반도체 웨이퍼 상의 피식각층 상부에 레지스트막을 형성한 다음 상기 레지스트막 표면을 물로 세척하는 "프리 소우크 (pre-soak) 공정 후" 및/또는 이머젼 리소그라피용 노광 장비를 이용한 노광 공정을 수행한 다음 상기 레지스트막 표면을 물로 세척하는 "포스트 소우크 (post-soak) 공정 후" 물을 건조할 때에 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 레지스트막 표면에 블로우하는 것을 특징으로 한다.
또 상기 대기중의 공기의 온도는 60∼70℃ 이고, 상기 아민 제거용 화학 필터는 공기중의 아민류 불순물을 흡착하여 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 정제되어진 공기는 상기 물 분사기의 노즐에 사선 각도로 추가 장착된 노즐 장치에 의해 분사되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 블로우 공정시 반도체 웨이퍼는 상대적으로 높은 속도로 가속되면서 회전되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 단 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
도 2a 내지 도 2f 는 본 발명에 따른 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법을 도시하는 공정도이다.
도 2a 를 참조하면, 반도체 웨이퍼(10) 상의 피식각층(미도시) 상부에 포토레지스트를 코팅하고 130℃ 에서 90 초간 소프트 베이크 하여 레지스트막(12)을 형성한다.
도 2b 를 참조하면, 물 분사기(30)로부터 탈이온수를 분사시켜 레지스트막(12) 표면을 씻어준다. 이는 레지스트막(12) 표면에 존재하는 광산발생제나 퀀쳐 등의 성분을 노광하기 전에 미리 제거시키기 위한 프리 소우크 공정이다.
그 결과, 노광 렌즈가 오염되는 것을 줄여서 노광 균일도를 개선시킬 수 있고, 그 결과 패턴 선폭의 균일도를 향상시킬 수 있게 된다. 또한 노광 렌즈의 오염을 줄이면 렌즈의 세정 주기가 단축되어 렌즈 수명이 길어지므로 노광 장비의 수명이 길어진다.
다음, 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 노즐 장치(40)로부터 레지스트막(12) 표면에 블로우하여 레지스트막(12) 표면에 잔류하는 물을 건조시킨다. 이때 대기중의 공기의 온도는 60∼70℃ 로 따뜻하게 함으로써, 건조 효과를 극대화시키고 건조 시간을 단축시킬 수 있다. 상기 노즐 장치(40)는 상기 물 분사기(30)의 노즐에 사선 각도로 추가 장착된 것이고, 상기 공정시 반도체 웨이퍼(10)는 저속의 500∼1000 rpm (revolution per minute)에서 고속의 2500~6000 rpm 으로 상대적으로 높은 속도로 가속되면서 회전된다.
또한 상기 아민 제거용 화학 필터는 공기중의 아민류 불순물을 흡착하여 제 거하는 것이면 무엇이든 사용가능하다.
도 2c 를 참조하면, 노광 마스크(14)와 이머젼 리소그라피용 노광 장비를 이용한 노광 공정을 수행한다. 상기 노광 공정의 광원으로는 G-라인 (436㎚), i-라인 (365㎚), KrF (248㎚), ArF (193㎚), F2 (157㎚) 또는 EUV (13㎚) 을 사용한다.
상기 노광 장비의 노광 렌즈(16)와 레지스트막(12)이 형성된 반도체 웨이퍼(10) 중간의 노광 빔의 매체로서 물(H2O)이 사용됨을 알 수 있다. 상기 노광 공정의 결과 레지스트막(12)에는 노광 영역(20)과 비노광 영역(22)이 형성되고, 레지스트막(12) 표면에는 물방울(24)이 생긴다.
즉, 도 2c 는 노광 스테이지(미도시)가 스캐닝되어 우측으로 이동한 상태로서, 정지되어 있던 스테이지가 스캐닝되면서 물방울(24)이 발생한 것이다. 스테이지가 우측으로 움직이면 물(18)의 메니스커스는 좌측으로 휘면서 터지게 되는데, 이때 생긴 물방울(24)들이 레지스트막(12)의 표면으로 떨어진다.
도 2d 를 참조하면, 물 분사기(30)로부터 탈이온수를 분사시켜 레지스트막(12) 표면을 씻어주는 포스트 소우크 공정을 수행한 다음, 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 노즐 장치(40)로부터 레지스트막(12) 표면에 블로우하여 물을 건조시킨다.
상기한 바와 같이, 대기중의 공기의 온도는 60∼70℃ 로 따뜻하게 함으로써, 건조 효과를 극대화시키고 건조 시간을 단축시킬 수 있다. 상기 노즐 장치(40)는 상기 물 분사기(30)의 노즐에 사선 각도로 추가 장착된 것이고, 상기 블로우 공정 시 반도체 웨이퍼(10)는 500∼1000 rpm 의 저속으로 회전시키다 점점 속도를 높여 2500~6000 rpm 의 고속으로 회전시키는 것으로 다시 말해, 상기 블로우 공정시 반도체 웨이퍼(10)는 상대적으로 높은 속도로 가속되면서 회전되는 것이다.
이러한 포스트 소우크 공정의 결과, 물방울(24)에 의해 발생하는 워터 마크가 탈이온수에 의해 세척되고, 상기 탈이온수는 정제되어진 공기에 의해 급속히 건조됨으로써 레지스트막(12) 표면에는 워터 마크 자국이 남지 않게 된다.
도 2e 를 참조하면, 상기 결과물을 130℃ 에서 90 초간 베이크한다.
도 2f 를 참조하면, 현상액인 TMAH 2.38 wt% 수용액을 사용하여 노광 영역(20)을 20초 이상 제거하면 비노광 영역(22)이 레지스트 패턴으로 남게 된다. 이렇게 형성된 레지스트 패턴에는 T-탑 또는 브릿지와 같은 불량 상태가 발생하지 않는다.
한편, 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 및 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에서는 이머젼 리소그라피를 이용한 노광 후 베이크 하기 전 또는 노광 전 레지스트막을 물로 세척한 후에 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 사용하여 레지스트막 표면을 처리함으로써, 원료 재고 등 관리에 신경 쓸 필요가 없고 대기중의 공기의 온도 를 60∼70℃ 이 되도록 하기 때문에 건조 효과가 극대화되며 건조 시간을 단축시키면서 이머젼 리소그라피 공정의 문제점인 워터 마크 디펙트 현상을 효과적으로 해결할 수 있다.

Claims (10)

  1. 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법에 있어서,
    아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 블로우하여 레지스트막 표면에 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 노광 후 베이크 하기 전 레지스트막을 물로 세척한 후에 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 (i) 노광 전 레지스트막을 물로 세척한 후 및 (ii) 노광 후 베이크 하기 전 레지스트막을 물로 세척한 후에 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 노광 전 레지스트막을 물로 세척한 후에 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 방법은
    반도체 웨이퍼 상의 피식각층 상부에 레지스트막을 형성하는 단계;
    이머젼 리소그라피용 노광 장비를 이용한 노광 공정을 수행하는 단계;
    상기 레지스트막 표면을 물로 세척한 후에 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 레지스트막 표면에 블로우하는 단계;
    상기 결과물을 노광 후 베이크하는 단계; 및
    상기 결과물을 현상하여 원하는 패턴을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  6. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 방법은
    반도체 웨이퍼 상의 피식각층 상부에 레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막 표면을 물로 세척한 후에 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 레지스트막 표면에 블로우하는 단계;
    이머젼 리소그라피용 노광 장비를 이용한 노광 공정을 수행하는 단계;
    상기 레지스트막 표면을 물로 세척한 후에 아민 제거용 화학 필터를 통과함으로써 정제되어진 대기중의 공기를 레지스트막 표면에 블로우하는 단계;
    상기 결과물을 노광 후 베이크하는 단계; 및
    상기 결과물을 현상하여 원하는 패턴을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 대기중의 공기의 온도는 60∼70℃ 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 아민 제거용 화학 필터는 공기중의 아민류 불순물을 흡착하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 정제되어진 공기는 상기 물 분사기의 노즐에 사선 각도로 추가 장착된 노즐 장치에 의해 분사되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 블로우 공정시 반도체 웨이퍼는 500∼1000 rpm 에서 2500~6000 rpm 으로 가속되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN208297925U (zh) * 2018-01-02 2018-12-28 长鑫存储技术有限公司 浸润式曝光后移除残留水滴的装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050085236A (ko) * 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69816277T2 (de) * 1997-02-28 2004-06-03 Extraction Systems, Inc., Franklin System zum nachweis von aminen und anderen basischen molekularen verumreinigungen in einem gas
TW558736B (en) * 2000-02-26 2003-10-21 Shipley Co Llc Method of reducing defects
CN1471131A (zh) * 2002-07-25 2004-01-28 矽统科技股份有限公司 在半导体基底上形成光阻层的方法
JP4816080B2 (ja) * 2003-06-03 2011-11-16 株式会社ニコン フィルタ装置及び露光システム並びにデバイスの製造方法
US7166418B2 (en) * 2003-09-03 2007-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sulfonamide compound, polymer compound, resist material and pattern formation method
CN1289964C (zh) * 2004-06-25 2006-12-13 清华大学 一种在普通实验室条件下制作玻璃芯片的方法
US20060008746A1 (en) * 2004-07-07 2006-01-12 Yasunobu Onishi Method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050085236A (ko) * 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법

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