KR100826407B1 - 자외선 수광용 포토 다이오드 및 이를 포함하는 이미지센서 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 자외선을 검출할 수 있는 자외선 수광용 포토 다이오드 및 이를 포함하는 이미지 센서에 관한 것이다. 본 발명은, 제1 도전형 반도체 기판; 상기 제1 도전형 반도체 기판의 일영역에 형성되며, 상기 제1 도전형 반도체 기판의 표면에 소정간격 이격되어 반복 배치된 복수의 스트라이프 패턴으로 형성된 제2 도전형 웰을 갖는 복수의 자외선 수광용 포토 다이오드를 포함하는 자외선 수광부; 및 상기 제1 도전형 반도체 기판의 나머지 영역에 형성되며, 상기 제1 도전형 반도체 기판의 표면에 평판 형상으로 형성된 제2 도전형 웰을 갖는 복수의 가시광선 수광용 포토 다이오드를 포함하는 가시광선 수광부를 갖는 이미지 센서를 제공한다.
이미지 센서, 포토 다이오드, 자외선, PN접합, 공핍영역
Description
도 1은 종래의 이미지 센서를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 종래의 포토 다이오드를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 이미지 센서를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 이미지 센서를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 이미지 센서의 자외선 수광부에 채용된 자외선 수광용 포토 다이오드를 도시한 확대 단면도이다.
도 6는 본 발명의 이미지 센서의 자외선 수광부에 채용된 자외선 수광용 포토 다이오드를 도시한 평면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
11: 제1 도전형 반도체 기판(p형 Si 기판)
12a: 스트라이프 패턴의 제2 도전형 웰(n형 웰)
12b: 평면 형상의 제2 도전형 웰(n형 웰)
13: 절연층 14: 컬러 필터
15: 반사방지층 20: 이미지 센서
21, A1: 자외선 수광부 22, A2: 가시광선 수광부
D1: 자외선 수광 영역(자외선 수광 공핍영역)
본 발명은 자외선의 수광이 가능한 포토 다이오드 및 이 포토 다이오드를 포함하는 이미지 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 제1 도전형 기판의 표면에 공핍영역이 형성 가능하게 함으로써 자외선 수광이 가능한 자외선 수광용 포토 다이오드 및 이 자외선 수광용 포토 다이오드를 포함하는 자외선 수광부와 가시광선 수광부를 포함하는 이미지 센서에 관한 것이다.
최근 유무선 초고속 통신망을 이용한 화상통신 기술의 발달 및 디지탈 카메라와 같은 화상 입력 및 인식 기기의 발달에 따라 이미지 컬러 및 조도(illuminance) 센서 등에 대한 요구가 증대되고 있다.
일반적으로, 이미지 센서는 크게 CCD(전하 결합소자, Charge Coupled Device)형과 CMOS(상보성 금속산화물 반도체, Complementary Metal Oxide Semiconductor)형으로 구분된다. 여기서 CCD형 이미지센서는 빛에 의해 발생한 전자를 그대로 게이트 펄스를 이용해서 출력부까지 이동시킨다. 따라서 도중에 외부 잡음이 있어 전압은 달라지더라도 전자의 수 자체는 변함이 없으므로 잡음이 출력 신호에 영향을 주지 않는 특성을 가지고 있다. 이에 디지탈 카메라 및 캠코더와 같은 높은 화질을 요구하는 멀티미디어 기기에서 많이 사용되고 있다.
또한, 컬러 센서 및 조도 센서는 멀티미디어 기기의 디스플레이 장치 중 하나인 액정 디스플레이 패널의 백라이트 유닛(Back ligth Unit)의 광량 및 색상을 측정하고 이를 조정하는데 널리 사용되고 있다.
이러한, 이미지, 칼라 및 조도(illuminance) 센서에 적용되는 포토 다이오드(Photo Diode)는 광 신호를 검출하여 이를 전기 신호로 변환하는 소자이다. 일반적으로 포토 다이오드에는 PN 접합 다이오드 구조 및 PIN 접합 다이오드 구조가 널리 사용되고 있다. PN 접합 다이오드는 일반적인 CMOS 반도체 공정에 의해 용이하게 제작 가능하고 그 구조가 단순하므로 사용되었으나, 고밀도 화소가 요구되는 센서에서 화소의 사이즈 감소로 인해 포토 다이오드의 수광감도 저하가 발생하게 된다. 이를 해결하기 위해 광의 수광 깊이를 증가 시킨 PIN 접합 포토 다이오드가 제안되어 현재 사용되고 있다.
한편, 이미지, 컬러 및 조도 센서의 다중파장에 대한 선별 감응에 대한 기능이 요구되고 있다. 이는 센서의 기능이 복합화가 진행 되면서, 가시광선 뿐만아니라 자외선 및 적외선 같은 파장에 대한 감응 요구가 증대되고 있다. 특히, 오존층의 감소와 같은 자연 환경의 변화로 인하여 자외선과 같은 단파장 광의 입사량이 증가하고 있는 추세에서 자외선을 수광할 수 있는 포토 다이오드 및 이미지 센서에 대한 요구가 증가하고 있다.
도 1은 종래의 이미지 센서를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 종래의 이미지 센서(100)는 복수의 포토 다이오드를 포함하는 가시광선 수광부(110)로 이루어진다. 즉, 통상적인 이미지 센서는 가시광선 수광을 위한 포토 다이오드만 구비하고 있어 가시광선의 파장 대역을 벗어나는 단파장의 자외선을 수광하는 기능을 구비하지 못한다.
도 2는 종래의 포토 다이오드를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2에 도시된 포토 다이오드는 종래 가시광선을 수광하기 위한 PN 접합 구조를 갖는 포토 다이오드이다.
도 2에 도시된 것과 같이, PN 접합 구조를 갖는 종래의 포토 다이오드는 제1 도전형 반도체 기판(p형 Si 기판)(210)의 표면에 평판 형상의 제2 도전형(n형) 웰(211)이 형성된 구조를 갖는다. 상기 제2 도전형 웰(211)은 제1 도전형 반도체 기판(210) 표면에 비소(As) 또는 인(P) 이온을 주입하여 형성될 수 있다. 이와 같은 구조의 포토 다이오드에서, 제1 도전형 반도체 기판(210)과 제2 도전형 웰(211)의 경계면에는 소정 두께의 공핍영역(Depletion region)(D)이 형성된다. 이 공핍영역(D)에 입사된 광은 밸런스 밴드(Valence Band)에 존재하는 전자를 컨덕션 밴드(Conduction Band)로 여기시켜서 컨덕션 밴드와 밸런스 밴드에 각각 전자와 정공을 생성시키게 된다. 이와 같이 공핍영역(D)에 입사된 광에 의해 생성된 전자와 정 공은 외부 인가 전압에 의한 전자장에 의해 이동하여 포토 생성 전류(photo generation current)를 생성하게 된다.
한편, 가시광선 수광을 위한 이미지 센서에서는 제1 도전형 반도체 기판 표면 상부에 컬러 필터를 배치한다. 컬러필터는 적색, 녹색, 청색을 선택적으로 수광할 수 있도록 각 색상 필터가 소정 패턴으로 배열된 것이다. 따라서, 컬러 필터를 통과한 각 색상의 가시광선이 상기 PN 접합에 의해 형성된 공핍영역에 도달하면 해당 색상의 가시광선에 대한 전류가 생성되고 이를 적절하게 처리함으로써 원하는 이미지를 생성할 수 있게 된다.
그러나, 도 2에 도시된 가시광선 수광을 위한 포토 다이오드 구조는 자외선 수광을 검출할 수 없는 문제가 있다. 일반적으로, 파장을 달리하는 광선은 그 파장에 따라 흡수 깊이가 다른 특징이 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체 기판을 채용하는 경우, 장파장의 적색광은 실리콘 반도체 기판의 약 6 ㎛ 깊이에서 흡수가 발생하며, 단파장인 청색광은 약 1 ㎛ 깊이에서 흡수가 발생한다. 청색광보다 더 짧은 파장을 갖는 자외선의 경우, 실리콘 반도체 기판의 거의 표면에서 흡수가 일어나게 된다. 따라서, 도 2에 도시된 것과 같이 제1 도전형 반도체 기판 표면의 거의 전면에 평판 형상의 제2 도전형 웰이 형성된 포토 다이오드 구조를 채용한 경우, 기판 표면에서 자외선의 흡수가 발생하므로 입사된 광에 의해 전자를 형성할 수 있는 공핍영역(D)까지 자외선이 도달하지 못하여 자외선을 수광할 수 없는 문제가 발생한다.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 그 목적은, 새로운 구조의 PN 접합을 통해 자외선 수광에 의한 전류 발생이 가능하도록 공핍영역을 반도체 기판의 표면에 형성한 자외선 수광용 포토 다이오드를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 자외선 수광용 포토 다이오드를 갖는 자외선 수광부와 가시광선을 수광할 수 있는 가시광선 수광부를 함께 갖는 이미지 센서를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 기술적 구성으로서, 본 발명은,
제1 도전형 반도체 기판; 및
상기 제1 도전형 반도체 기판의 표면에 불순물의 주입에 의해 형성되며, 소정간격 이격되어 반복 배치된 복수의 스트라이프 패턴을 갖는 제2 도전형 웰
을 포함하는 자외선 수광용 포토 다이오드를 제공한다.
바람직하게, 상기 제1 도전형 반도체 기판 표면에 배치된 반사방지층을 더 포함할 수 있다. 이 때 상기 반사방지층은, SiN 박막 및 SiO2 박막이 교대로 적층된 구조를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일실시형태에서, 상기 제2 도전형 웰의 하나의 스트라이프 패턴은 1 ㎛ 이하의 폭을 가지며, 이웃한 스트라이프 패턴 사이의 간격은 3 내지 5 ㎛인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 기술적 구성으로서, 본 발명은,
제1 도전형 반도체 기판;
상기 제1 도전형 반도체 기판의 일영역에 형성되며, 상기 제1 도전형 반도체 기판의 표면에 소정간격 이격되어 반복 배치된 복수의 스트라이프 패턴으로 형성된 제2 도전형 웰을 갖는 복수의 자외선 수광용 포토 다이오드를 포함하는 자외선 수광부; 및
상기 제1 도전형 반도체 기판의 나머지 영역에 형성되며, 상기 제1 도전형 반도체 기판의 표면에 평판 형상으로 형성된 제2 도전형 웰을 갖는 복수의 가시광선 수광용 포토 다이오드를 포함하는 가시광선 수광부
를 갖는 이미지 센서를 제공한다.
바람직하게, 상기 자외선 수광부는, 상기 자외선 수광부에 포함된 상기 제1 도전형 반도체 기판 표면에 배치된 반사방지층을 더 포함할 수 있다. 이 때 상기 반사방지층은, SiN 박막 및 SiO2 박막이 교대로 적층된 구조를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일실시형태에서, 상기 제2 도전형 웰의 하나의 스트라이프 패턴은 1 ㎛ 이하의 폭을 가지며, 이웃한 스트라이프 패턴 사이의 간격은 3 내지 5 ㎛인 것이 바람직하다.
바람직하게, 상기 가시광선 수광부는, 상기 가시광선 수광부에 포함된 상기 제1 도전형 반도체 기판 표면에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상면에 배치된 베이어(Beyer) 패턴의 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명되는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 실시형태에 대한 설명에 참조되는 도면에서 실질적으로 동일하거나 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용할 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 정의되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의 내려진 것으로, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있으므로, 본 발명의 기술적 구성요소를 한정하는 의미로 이해되어서는 아니 될 것이다. 특히, 본 명세서에서 이미지 센서라 함은 다양한 파장의 광을 수광하는데 사용되는 센서, 즉 디지털 카메라용 이미지센서 이외의 조도센서, 컬러센서 등과 같이 포토 다이오드를 채용한 센서를 통칭하는 것으로 이해되어야 할 것이다.
도 3은 본 발명의 이미지 센서, 특히 이미지 센서 내의 포토 다이오드를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 이미지 센서가 자외선을 수광할 수 있는 자외선 수광부(A1) 및 가시광선을 수광하기 위한 가시광선 수광부(A2)를 하나의 기판(11) 상에 구현할 수 있음을 보이기 위해 자외선 수광부(A1) 및 가시광선 수광부(A2)가 서로 인접한 부분을 도시한 것이다. 특히, 도 3에서 왼쪽에 도시된 자외선 수광부(A1)는 자외선 수광부(A1) 내에 포함되는 자외선 수광용 포토 다이오드의 구조를 도시하고 있으며, 도 3의 오른쪽에 도시된 가시광선 수광부(A2)는 가시광선 수광부(A2) 내에 포함되는 가시광선 수광용 포토 다이오드의 구조를 도시하고 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 이미지 센서는 제1 도전형 반도체 기판(11)과, 상기 제1 도전형 반도체 기판(11)의 일영역에 형성되며, 상기 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에 소정간격 이격되어 반복 배치된 복수의 스트라이프 패턴으로 형성된 제2 도전형 웰(12a)을 갖는 복수의 자외선 수광용 포토 다이오드를 포함하는 자외선 수광부(A1) 및 상기 제1 도전형 반도체 기판(11)의 나머지 영역에 형성되며, 상기 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에 평판 형상으로 형성된 제2 도전형 웰(12b)을 갖는 복수의 가시광선 수광용 포토 다이오드를 포함하는 가시광선 수광부(A2)를 포함한다.
도 4는 본 발명의 이미지 센서를 상부에서 본 형상을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 이미지 센서는 기판의 일영역(도 4에서 상부)에 자외선을 검출할 수 있는 자외선 수광부(21)를 가지며, 나머지 영역 (도 4에서 하부)에 가시광선을 검출하기 위한 가시광선 수광부(22)를 갖는다. 도 4에서는 이미지 센서의 상하부에 각각 분리 형성된 자외선 수광부(21) 및 가시광선 수광부(22)를 도시하고 있으나, 적용 분야 또는 필요에 따라 상기 자외선 수광부(21) 및 가시광선 수광부(22)의 형태나 배치구조는 다양하게 변경, 개조될 수 있을 것이다.
다시 도 3을 참조하면, 본 발명의 자외선 수광부(A1)는 자외선 수광용 포토 다이오드를 포함한다.
본 발명에 따른 자외선 수광용 포토 다이오드는, 상기 제1 도전형 반도체 기판(11)과, 상기 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에 불순물의 주입에 의해 형성되며, 소정간격 이격되어 반복 배치된 복수의 스트라이프 패턴을 갖는 제2 도전형 웰(12a)을 포함한다.
상기 제1 도전형 반도체 기판(11)은 당업계에 널리 알려진 상용 p형 실리콘(Si) 기판이 사용될 수 있으며, 상기 제2 도전형 웰(12a)의 형성을 위해 사용되는 주입 불순물로는 비소(As) 또는 인(P)이 사용될 수 있다.
본 발명의 자외선 수광용 포토 다이오드는, 제2 도전형 웰(12a)이 스트라이프 형상으로 형성되는데 특징이 있다. 이러한 제2 도전형 웰(12a)의 형상은 도 5에 도시된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 자외선 수광용 포토 다이오드는 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에 제2 도전형 웰(12a)이 서로 소정간격 이격되어 반복 배치된 복수의 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있다.
이러한 스트라이프 패턴을 갖는 제2 도전형 웰(12a)은, 상기 제1 도전형 반도체 기판(11)의 상면에 제2 도전형 웰(12a)을 형성하기 위한 영역을 노출시키는 마스크를 형성한 후, 상기 n형 불순물을 주입하는 공정을 실시함으로써 형성될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 본 발명의 자외선 수광용 포토 다이오드는, 소정 간격으로 이격되어 나란하게 형성된 복수의 스트라이프 패턴의 제2 도전형 웰(12a)과 제1 도전형 반도체 기판(11)의 경계 영역에서 형성된 공핍 영역(Depletion region)(D1)이 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에 형성되도록 할 수 있다. 즉, 스트라이프 패턴의 제2 도전형 웰(12a)의 측면부와 상기 제1 도전형 반도체 기판(11)의 경계에서 형성된 공핍 영역은 이웃한 스트라이프 패턴의 제2 도전형 웰(12a)과 제1 도전형 반도체 기판(11)이 형성하는 공핍 영역과 서로 중첩되어 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에 공핍 영역을 형성하게 된다. 따라서, 기판의 표면에 형성된 공핍 영역에 의해 기판에 입사되는 자외선을 검출할 수 있게 된다.
제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에 자외선을 검출할 수 있는 공핍영역을 형성하기 위해서 도 4에 도시된 것과 같이 상기 제2 도전형 웰(12a)의 하나의 스트라이프 패턴의 폭(d1)은 1 ㎛ 이하인 것이 바람직하며, 이웃한 스트라이프 패턴 사이의 간격은 3 내지 5 ㎛인 것이 바람직하다.
한편, 자외선 수광용 포토 다이오드는 제2 도전형 웰(12a)이 형성된 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에 배치된 반사방지층(15)을 더 포함할 수 있다. 단파 장을 갖는 자외선은 실리콘 재질의 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에서 거의 대부분 반사될 수 있으므로 반사방지층(15)이 필요하다. 반사 방지층으로는, 서로 다른 굴절률을 갖는 SiN 박막 및 SiO2 박막이 교대로 복수회 적층된 구조를 갖는 것이 바람직하다. 상기 반사방지층(15)은 유전체 물질로 이루어지므로 상기 반사방지층(15)의 내부에는 전기적 연결을 위한 금속층과 콘택(contact) 등이 형성될 수 있다. 상기 반사방지층(15)은 다수의 자외선 수광용 포토 다이오드를 포함하는 자외선 수광부(A1) 상면 전체에 일체형으로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 이미지 센서는 가시광선을 수광, 검출하는 가시광선 수광부(A2)도 포함한다. 상기 가시광선 수광부(A2)는, 상기 자외선 수광부(A1)이 형성된 영역의 나머지 영역에 형성될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에 평판 형상(planar)으로 형성된 제2 도전형 웰(12b)을 갖는 복수의 가시광선 수광용 포토 다이오드를 포함한다. 상기 복수의 가시광선 수광용 포토 다이오드는, 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상면에 배치된 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 상기 절연층 및 컬러필터는 본 발명의 이미지 센서 가시광선 수광부에 포함된 제1 도전형 반도체 기판(11)의 표면 상에 일체형으로 형성될 수 있다.
상기 절연층은 SiO2와 같은 유전체 물질로 형성될 수 있으며, 절연층 내에 전기적 연결을 위한 금속층과 콘택(contact) 등이 형성될 수 있다.
상기 컬러 필터는 적색, 녹색, 청색의 가시광선을 선택적으로 수광할 수 있도록 베이어(Beyer) 패턴을 갖는 컬러필터가 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 이미지 센서는 베이어 패턴을 갖는 컬러필터를 상부에 배치한 가시광선 수광부와, 제1 도전형 반도체 기판 상에 스트라이프 패턴을 갖는 제2 도전형 웰을 갖는 자외선 수광용 포토 다이오드를 갖는 자외선 수광부를 하나의 기판 상에 동시에 형성함으로써, 자외선과 가시광선을 함께 검출할 수 있으며, 공정상의 간편화를 도모할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 제1 도전형 반도체 기판의 표면에 스트라이프 패턴으로 형성된 제2 도전형 웰을 형성함으로써 PN 접합에 의한 공핍영역을 제1 도전형 반도체 기판의 표면에 형성함으로써 기판의 표면에서 거의 흡수되는 자외선을 검출할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 일련의 CMOS 반도체 공정을 통해 자외선 수광부와 가시광선 수광부를 동시에 포함하는 이미지 센서를 제조할 수 있으므로 제조 공정이 복잡해지는 문제를 회피할 수 있으며, 저렴한 제조 비용으로 자외선 및 가시광선을 동시에 검출할 수 있는 이미지 센서를 제공할 수 있는 효과가 있다.
Claims (9)
- 제1 도전형 반도체 기판;상기 제1 도전형 반도체 기판의 표면에 불순물의 주입에 의해 형성되며, 소정간격 이격되어 반복 배치된 복수의 스트라이프 패턴을 갖는 제2 도전형 웰; 및상기 제1 도전형 반도체 기판 표면에 배치된 반사방지층을 포함하는 자외선 수광용 포토 다이오드.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 반사방지층은, SiN 박막 및 SiO2 박막이 교대로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 자외선 수광용 포토 다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제2 도전형 웰의 하나의 스트라이프 패턴은 1 ㎛ 이하의 폭을 가지며, 이웃한 스트라이프 패턴 사이의 간격은 3 내지 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 자외선 수광용 포토 다이오드.
- 제1 도전형 반도체 기판;상기 제1 도전형 반도체 기판의 일영역에 형성되며, 상기 제1 도전형 반도체 기판의 표면에 소정간격 이격되어 반복 배치된 복수의 스트라이프 패턴으로 형성된 제2 도전형 웰을 갖는 복수의 자외선 수광용 포토 다이오드를 포함하는 자외선 수광부; 및상기 제1 도전형 반도체 기판의 나머지 영역에 형성되며, 상기 제1 도전형 반도체 기판의 표면에 평판 형상으로 형성된 제2 도전형 웰을 갖는 복수의 가시광선 수광용 포토 다이오드를 포함하는 가시광선 수광부를 갖는 이미지 센서.
- 제5항에 있어서,상기 자외선 수광부는, 상기 자외선 수광부에 포함된 상기 제1 도전형 반도체 기판 표면에 배치된 반사방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제6항에 있어서,상기 반사방지층은, SiN 박막 및 SiO2 박막이 교대로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제5항에 있어서,상기 제2 도전형 웰의 하나의 스트라이프 패턴은 1 ㎛ 이하의 폭을 가지며, 이웃한 스트라이프 패턴 사이의 간격은 3 내지 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제5항에 있어서,상기 가시광선 수광부는, 상기 가시광선 수광부에 포함된 상기 제1 도전형 반도체 기판 표면에 배치된 절연층; 및상기 절연층 상면에 배치된 베이어(Beyer) 패턴의 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
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