JP2000228513A - カラ―イメ―ジセンサ及びその製造方法 - Google Patents
カラ―イメ―ジセンサ及びその製造方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光の多様なカラー成分に対する光感度が改善
されたカラーイメージセンサを提供する。 【解決手段】 カラーイメージセンサは、Ｐ型半導体層
及びＰ型半導体層表面下部に位置する第１Ｎ型拡散領域
を含みＰ型半導体層表面下部に第１空乏領域を形成する
レッドフォトダイオードと、Ｐ型半導体層及びＰ型半導
体層表面下部に位置する第２Ｎ型拡散領域を含みＰ型半
導体層表面下部に第２空乏領域を形成するグリーンフォ
トダイオードと、Ｐ型半導体層及びＰ型半導体層表面下
部に位置する第３Ｎ型拡散領域を含みＰ型半導体層表面
下部に第３空乏領域を形成するブルーフォトダイオード
とを備える。第２空乏領域は第１空乏領域に比べＰ型半
導体層表面により近接した状態で設けられ、第３空乏領
域は第２空乏領域に比べＰ型半導体層表面にさらに近接
した状態で設けられる。
されたカラーイメージセンサを提供する。 【解決手段】 カラーイメージセンサは、Ｐ型半導体層
及びＰ型半導体層表面下部に位置する第１Ｎ型拡散領域
を含みＰ型半導体層表面下部に第１空乏領域を形成する
レッドフォトダイオードと、Ｐ型半導体層及びＰ型半導
体層表面下部に位置する第２Ｎ型拡散領域を含みＰ型半
導体層表面下部に第２空乏領域を形成するグリーンフォ
トダイオードと、Ｐ型半導体層及びＰ型半導体層表面下
部に位置する第３Ｎ型拡散領域を含みＰ型半導体層表面
下部に第３空乏領域を形成するブルーフォトダイオード
とを備える。第２空乏領域は第１空乏領域に比べＰ型半
導体層表面により近接した状態で設けられ、第３空乏領
域は第２空乏領域に比べＰ型半導体層表面にさらに近接
した状態で設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はイメージセンサに関
し、特にカラーイメージセンサ及びその製造方法に関す
る。
し、特にカラーイメージセンサ及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば、ＣＣＤ(charge coup
led device)イメージセンサまたはＣＭＯＳ(complement
ary metal oxide semiconductor)イメージセンサ等のイ
メージセンサが、光学的イメージを電気的信号に変換す
るために利用されている。
led device)イメージセンサまたはＣＭＯＳ(complement
ary metal oxide semiconductor)イメージセンサ等のイ
メージセンサが、光学的イメージを電気的信号に変換す
るために利用されている。
【０００３】図１は、従来のイメージセンサのピクセル
ユニット(pixel unit)の回路図を示す。
ユニット(pixel unit)の回路図を示す。
【０００４】図１に示すように、従来のイメージセンサ
の画素ユニット(Unit Pixel)は、１個のフォトダイオー
ドＰＤと４個のＮＭＯＳトランジスタとを含む。４個の
ＮＭＯＳトランジスタはトランスファートランジスタ１
２、リセットトランジスタ１４、ドライブトランジスタ
１６及びセレクトトランジスタ１８とを含む。
の画素ユニット(Unit Pixel)は、１個のフォトダイオー
ドＰＤと４個のＮＭＯＳトランジスタとを含む。４個の
ＮＭＯＳトランジスタはトランスファートランジスタ１
２、リセットトランジスタ１４、ドライブトランジスタ
１６及びセレクトトランジスタ１８とを含む。
【０００５】トランスファートランジスタ１２は、フォ
トダイオードＰＤで生成された光電荷をセンシングノー
ドに伝達する。リセットトランジスタ１４は、次の信号
を感知するためにセンシングノードをリセットする。ド
ライブトランジスタ１６は、ソースフォロワとしての役
割を果たす。セレクトトランジスタ１８は、アドレス信
号に応答して出力端Ｏｕｔにデータを出力する。出力端
Ｏｕｔと接地ＧＮＤとの間に位置されたロードトランジ
スタ(load transistor)はピクセルユニットをバイアシ
ングするために外部からバイアシング信号を受信する。
フローティング拡散によるキャパシタンスは”Ｃｆｄ”
で表されている。
トダイオードＰＤで生成された光電荷をセンシングノー
ドに伝達する。リセットトランジスタ１４は、次の信号
を感知するためにセンシングノードをリセットする。ド
ライブトランジスタ１６は、ソースフォロワとしての役
割を果たす。セレクトトランジスタ１８は、アドレス信
号に応答して出力端Ｏｕｔにデータを出力する。出力端
Ｏｕｔと接地ＧＮＤとの間に位置されたロードトランジ
スタ(load transistor)はピクセルユニットをバイアシ
ングするために外部からバイアシング信号を受信する。
フローティング拡散によるキャパシタンスは”Ｃｆｄ”
で表されている。
【０００６】図２は、図１に示すフォトダイオードＰＤ
の断面図である。
の断面図である。
【０００７】図２に示すように、図１に示すピクセルユ
ニットのフォトダイオードは、Ｐ+シリコン基板２１、
Ｐ−エピタキシャル層２２、フィールド酸化膜２３、Ｎ
-拡散領域２４及びＰ0拡散領域２５を備える。フォトダ
イオードＰＤは、Ｐ−エピタキシャル層２２、Ｎ-拡散
領域２４及びＰ0拡散領域２５が積層されて構成される
ＰＮＰ接合構造を有する。
ニットのフォトダイオードは、Ｐ+シリコン基板２１、
Ｐ−エピタキシャル層２２、フィールド酸化膜２３、Ｎ
-拡散領域２４及びＰ0拡散領域２５を備える。フォトダ
イオードＰＤは、Ｐ−エピタキシャル層２２、Ｎ-拡散
領域２４及びＰ0拡散領域２５が積層されて構成される
ＰＮＰ接合構造を有する。
【０００８】図３は、従来のカラーイメージセンサの断
面図である。
面図である。
【０００９】図３に示すように、従来のカラーイメージ
センサは多数のピクセルユニットを備え、各ピクセルユ
ニットはそれぞれフォトダイオードを備えている。ま
た、フォトダイオード１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃ
は、カラーイメージセンサにおいて形成されている。非
感光性領域(non-photosensing regions)１０３は、フォ
トダイオード１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃ間に形成
される。層間絶縁層１０５ａは、フォトダイオード１０
２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃ及び非感光性領域１０３上
に形成される。遮光層１０４は、非感光性領域１０３に
入射される光を遮蔽するために層間絶縁層１０５ａ上に
形成される。また、層間絶縁層１０５ｂは、遮光層１０
４を覆うようにして形成される。
センサは多数のピクセルユニットを備え、各ピクセルユ
ニットはそれぞれフォトダイオードを備えている。ま
た、フォトダイオード１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃ
は、カラーイメージセンサにおいて形成されている。非
感光性領域(non-photosensing regions)１０３は、フォ
トダイオード１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃ間に形成
される。層間絶縁層１０５ａは、フォトダイオード１０
２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃ及び非感光性領域１０３上
に形成される。遮光層１０４は、非感光性領域１０３に
入射される光を遮蔽するために層間絶縁層１０５ａ上に
形成される。また、層間絶縁層１０５ｂは、遮光層１０
４を覆うようにして形成される。
【００１０】さらに、レッド(赤色)、グリーン(緑色)及
びブルー(青色)フィルタ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６
ｃは、層間絶縁層１０５ｂ上に形成される。さらに、バ
ッファ層１０７が、レッド、グリーン及びブルーフィル
タ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃの上部の平坦化及び
光の透過度を改善させるためにレッド、グリーン及びブ
ルーフィルタ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃ上に形成
される。
びブルー(青色)フィルタ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６
ｃは、層間絶縁層１０５ｂ上に形成される。さらに、バ
ッファ層１０７が、レッド、グリーン及びブルーフィル
タ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃの上部の平坦化及び
光の透過度を改善させるためにレッド、グリーン及びブ
ルーフィルタ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃ上に形成
される。
【００１１】フォトダイオード１０２ａは、物体からの
光を吸収して、マイクロレンズ１０８ａ及びレッドフィ
ルタ１０６ａを通過した光からの光電荷を集積する。フ
ォトダイオード１０２ｂは、物体からの光を吸収して、
マイクロレンズ１０８ｂ及びグリーンフィルタ１０６ｂ
を通過した光からの光電荷を集積する。フォトダイオー
ド１０２ｃは、物体からの光を吸収して、マイクロレン
ズ１０８ｃ及びブルーフィルタ１０６ｃを通過した光か
らの光電荷を集積する。ピクセルユニットは、物体から
のレッド、グリーン及びブルー成分のカラー信号を出力
するためにレッド、グリーン及びブルーピクセルユニッ
トで構成される。
光を吸収して、マイクロレンズ１０８ａ及びレッドフィ
ルタ１０６ａを通過した光からの光電荷を集積する。フ
ォトダイオード１０２ｂは、物体からの光を吸収して、
マイクロレンズ１０８ｂ及びグリーンフィルタ１０６ｂ
を通過した光からの光電荷を集積する。フォトダイオー
ド１０２ｃは、物体からの光を吸収して、マイクロレン
ズ１０８ｃ及びブルーフィルタ１０６ｃを通過した光か
らの光電荷を集積する。ピクセルユニットは、物体から
のレッド、グリーン及びブルー成分のカラー信号を出力
するためにレッド、グリーン及びブルーピクセルユニッ
トで構成される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のカラ
ーイメージセンサにおいて、レッド、グリーン及びブル
ーピクセルユニットは、各々同じ製造工程で形成されて
おり、レッド、グリーン及びブルーピクセルユニットの
フォトダイオード１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃは実
質的に互いに同様の空乏領域を有する。この場合、光感
度は光のレッド、グリーン及びブルー成分の波長によっ
て変化し得るため、同じ空乏領域構造のフォトダイオー
ドを有する従来のカラーイメージセンサでは、全ての色
について光感度を改善させることができないという問題
点があった。
ーイメージセンサにおいて、レッド、グリーン及びブル
ーピクセルユニットは、各々同じ製造工程で形成されて
おり、レッド、グリーン及びブルーピクセルユニットの
フォトダイオード１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃは実
質的に互いに同様の空乏領域を有する。この場合、光感
度は光のレッド、グリーン及びブルー成分の波長によっ
て変化し得るため、同じ空乏領域構造のフォトダイオー
ドを有する従来のカラーイメージセンサでは、全ての色
について光感度を改善させることができないという問題
点があった。
【００１３】図４は、多様な媒質での各波長別の光の吸
収深さを表すグラフ図である。
収深さを表すグラフ図である。
【００１４】図４には、光が媒質に入射される時、シリ
コン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）及びゲルマニ
ウム（Ｇｅ）媒質での各波長別の吸収深さを表すグラフ
が図示されている。例えばシリコンの場合には、７７０
ｎｍの波長の光の吸収深さが７μｍに達する反面、波長
３９０ｎｍの光は吸収深さが０．１μｍにしかならな
い。このように、フォトダイオードの光感度は、媒質の
種類及び光のレッド、グリーン及びブルー成分の波長に
よって異なる。
コン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）及びゲルマニ
ウム（Ｇｅ）媒質での各波長別の吸収深さを表すグラフ
が図示されている。例えばシリコンの場合には、７７０
ｎｍの波長の光の吸収深さが７μｍに達する反面、波長
３９０ｎｍの光は吸収深さが０．１μｍにしかならな
い。このように、フォトダイオードの光感度は、媒質の
種類及び光のレッド、グリーン及びブルー成分の波長に
よって異なる。
【００１５】図５は、図３に示す従来のカラーイメージ
センサの感知特性の曲線を表すグラフである。
センサの感知特性の曲線を表すグラフである。
【００１６】図５には、図３に示した従来のカラーイメ
ージセンサの光感度特性を表すグラフが図示されてい
る。カラーイメージセンサのフォトダイオードは、物体
からの光を吸収する。光は互いに異なる波長を有するレ
ッド、グリーン及びブルー成分を有している。レッド成
分はレッド、グリーン及びブルー成分のうちで最も長い
波長を有する。グリーン成分はブルー成分に比べより長
い波長を有する。従って、ブルー成分がレッドまたはグ
リーン成分より短い波長を有しているために、ブルー成
分の一部は空乏領域に到達する前に消失される。したが
って、フォトダイオードは、ブルー成分に対して低い光
感度を有することになる。また、レッドピクセルユニッ
トが飽和状態に到達する場合にも、ブルーピクセルユニ
ットは飽和状態に到達することができない。
ージセンサの光感度特性を表すグラフが図示されてい
る。カラーイメージセンサのフォトダイオードは、物体
からの光を吸収する。光は互いに異なる波長を有するレ
ッド、グリーン及びブルー成分を有している。レッド成
分はレッド、グリーン及びブルー成分のうちで最も長い
波長を有する。グリーン成分はブルー成分に比べより長
い波長を有する。従って、ブルー成分がレッドまたはグ
リーン成分より短い波長を有しているために、ブルー成
分の一部は空乏領域に到達する前に消失される。したが
って、フォトダイオードは、ブルー成分に対して低い光
感度を有することになる。また、レッドピクセルユニッ
トが飽和状態に到達する場合にも、ブルーピクセルユニ
ットは飽和状態に到達することができない。
【００１７】特に、画像処理(image processing)は、レ
ッドピクセルユニットからのカラー信号に基づいて遂行
される時、グリーン及びブルーピクセルユニットからの
カラー信号が消失されることがあるので、従来のイメー
ジセンサにより表現されるカラーが制限されることがあ
り、データを処理できる動的範囲(dynamic range)が減
少されることがある。すなわち、レッド、グリーン及び
ブルーピクセルユニットが互いに異なる光感度特性を有
するため、レッド、グリーン及びブルーピクセルユニッ
トからのカラー信号が、物体の実際の色とは異なる色を
表示するようになるという問題点がある。
ッドピクセルユニットからのカラー信号に基づいて遂行
される時、グリーン及びブルーピクセルユニットからの
カラー信号が消失されることがあるので、従来のイメー
ジセンサにより表現されるカラーが制限されることがあ
り、データを処理できる動的範囲(dynamic range)が減
少されることがある。すなわち、レッド、グリーン及び
ブルーピクセルユニットが互いに異なる光感度特性を有
するため、レッド、グリーン及びブルーピクセルユニッ
トからのカラー信号が、物体の実際の色とは異なる色を
表示するようになるという問題点がある。
【００１８】本発明は上記従来技術の問題点を解決する
ために案出されたものであり、光の多様なカラー成分に
対する光感度を改善させるために互いに異なる空乏領域
構造を有する多数のフォトダイオードを具備するカラー
イメージセンサを提供することをその目的とする。
ために案出されたものであり、光の多様なカラー成分に
対する光感度を改善させるために互いに異なる空乏領域
構造を有する多数のフォトダイオードを具備するカラー
イメージセンサを提供することをその目的とする。
【００１９】また、本発明は上記従来技術の問題点を解
決するために案出されたものであり、光の多様なカラー
成分に対する光感度を改善させるために互いに異なる空
乏領域の構造を有する多数のフォトダイオードを具備す
るカラーイメージセンサを製造する方法を提供すること
をその目的とする。
決するために案出されたものであり、光の多様なカラー
成分に対する光感度を改善させるために互いに異なる空
乏領域の構造を有する多数のフォトダイオードを具備す
るカラーイメージセンサを製造する方法を提供すること
をその目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、光学的イメージを電気的信号に変換する
ためのカラーイメージセンサにおいて、Ｐ型半導体層及
び上記Ｐ型半導体層の表面下部に位置された第１Ｎ型拡
散領域を含んで上記Ｐ型半導体層の表面下部に第１空乏
領域を形成するレッドフォトダイオードと、上記Ｐ型半
導体層及び上記Ｐ型半導体層の表面下部に位置された第
２Ｎ型拡散領域を含んで上記Ｐ型半導体層の表面下部に
第２空乏領域を形成するグリーンフォトダイオードと、
上記Ｐ型半導体層及び上記Ｐ型半導体層の表面下部に位
置された第３Ｎ型拡散領域を含んで上記Ｐ型半導体層の
表面下部に第３空乏領域を形成するブルーフォトダイオ
ードとを備え、前記第２空乏領域は、前記第１空乏領域
に比べ上記Ｐ型半導体層の表面により近接した状態で設
けられており、前記第３空乏領域は、前記第２空乏領域
に比べ上記Ｐ型半導体層の表面にさらに近接した状態で
設けられている。
に、本発明は、光学的イメージを電気的信号に変換する
ためのカラーイメージセンサにおいて、Ｐ型半導体層及
び上記Ｐ型半導体層の表面下部に位置された第１Ｎ型拡
散領域を含んで上記Ｐ型半導体層の表面下部に第１空乏
領域を形成するレッドフォトダイオードと、上記Ｐ型半
導体層及び上記Ｐ型半導体層の表面下部に位置された第
２Ｎ型拡散領域を含んで上記Ｐ型半導体層の表面下部に
第２空乏領域を形成するグリーンフォトダイオードと、
上記Ｐ型半導体層及び上記Ｐ型半導体層の表面下部に位
置された第３Ｎ型拡散領域を含んで上記Ｐ型半導体層の
表面下部に第３空乏領域を形成するブルーフォトダイオ
ードとを備え、前記第２空乏領域は、前記第１空乏領域
に比べ上記Ｐ型半導体層の表面により近接した状態で設
けられており、前記第３空乏領域は、前記第２空乏領域
に比べ上記Ｐ型半導体層の表面にさらに近接した状態で
設けられている。
【００２１】上記第１、第２及び第３空乏領域は、上記
レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードのために
互いに相異なマスクパターンを持つイオン注入マスクを
利用した不純物イオン注入の技術により形成されてもよ
い。
レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードのために
互いに相異なマスクパターンを持つイオン注入マスクを
利用した不純物イオン注入の技術により形成されてもよ
い。
【００２２】上記イオン注入マスクは、上記第１Ｎ型拡
散領域を形成するための第１マスク領域と、上記第２Ｎ
型拡散領域を形成するための第２マスク領域と、上記第
３Ｎ型拡散領域を形成するための第３マスク領域とを備
え、上記第２マスク領域は不純物イオン濃度を減少させ
るために多数の第１スクリーンパターンを有しており、
上記第３マスク領域は上記第２マスク領域に比べ不純物
イオン濃度をより減少させるための多数の第２スクリー
ンパターンを有していてもよい。
散領域を形成するための第１マスク領域と、上記第２Ｎ
型拡散領域を形成するための第２マスク領域と、上記第
３Ｎ型拡散領域を形成するための第３マスク領域とを備
え、上記第２マスク領域は不純物イオン濃度を減少させ
るために多数の第１スクリーンパターンを有しており、
上記第３マスク領域は上記第２マスク領域に比べ不純物
イオン濃度をより減少させるための多数の第２スクリー
ンパターンを有していてもよい。
【００２３】上記第２スクリーンパターンの模様は上記
第１スクリーンパターンの模様と同様であり、上記第２
スクリーンパターンの数は上記第１スクリーンパターン
の数よりさらに多いように構成されていてもよい。
第１スクリーンパターンの模様と同様であり、上記第２
スクリーンパターンの数は上記第１スクリーンパターン
の数よりさらに多いように構成されていてもよい。
【００２４】上記第１及び第２スクリーンパターンは、
正方形、長方形又はストライプ形状であってよい。
正方形、長方形又はストライプ形状であってよい。
【００２５】或いは上記目的を達成するために、本発明
は、光学的イメージを電気的信号に変換するためのカラ
ーイメージセンサの製造方法において、基板上にＰ型半
導体層を形成する第１段階と、レッド、グリーン及びブ
ルーフォトダイオードの領域を画定するために上記Ｐ型
半導体層にフィールド酸化膜を形成する第２段階と、上
記レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードのため
に互いに相異なマスクパターンを持つイオン注入マスク
を提供する第３段階と、上記Ｐ型半導体層にＮ型拡散領
域を形成するために上記イオン注入マスクを利用して上
記Ｐ型半導体層に不純物イオンを注入する第４段階と、
上記レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードに該
当する互いに相異な第１、第２及び第３空乏領域を形成
するために得られた構造体に熱的処理を遂行する第５段
階とを包含している。
は、光学的イメージを電気的信号に変換するためのカラ
ーイメージセンサの製造方法において、基板上にＰ型半
導体層を形成する第１段階と、レッド、グリーン及びブ
ルーフォトダイオードの領域を画定するために上記Ｐ型
半導体層にフィールド酸化膜を形成する第２段階と、上
記レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードのため
に互いに相異なマスクパターンを持つイオン注入マスク
を提供する第３段階と、上記Ｐ型半導体層にＮ型拡散領
域を形成するために上記イオン注入マスクを利用して上
記Ｐ型半導体層に不純物イオンを注入する第４段階と、
上記レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードに該
当する互いに相異な第１、第２及び第３空乏領域を形成
するために得られた構造体に熱的処理を遂行する第５段
階とを包含している。
【００２６】上記第２空乏領域は、上記第１空乏領域に
比べて上記半導体層の表面により近接した状態で設けら
れ、上記第３空乏領域は上記第２空乏領域に比べて上記
半導体層の表面にさらに近接した状態で設けられること
が望ましい。
比べて上記半導体層の表面により近接した状態で設けら
れ、上記第３空乏領域は上記第２空乏領域に比べて上記
半導体層の表面にさらに近接した状態で設けられること
が望ましい。
【００２７】上記第３段階での上記イオン注入マスク
は、上記第１Ｎ型拡散領域を形成するための第１マスク
領域と、上記第２Ｎ型拡散領域を形成するための第２マ
スク領域と、上記第３Ｎ型拡散領域を形成するための第
３マスク領域とを有し、上記第２マスク領域は不純物イ
オン濃度を減少させるために多数の第１スクリーンパタ
ーンを有しており、上記第３マスク領域は上記第２マス
ク領域に比べ不純物イオン濃度をより減少させるために
多数の第２スクリーンパターンを有していてもよい。
は、上記第１Ｎ型拡散領域を形成するための第１マスク
領域と、上記第２Ｎ型拡散領域を形成するための第２マ
スク領域と、上記第３Ｎ型拡散領域を形成するための第
３マスク領域とを有し、上記第２マスク領域は不純物イ
オン濃度を減少させるために多数の第１スクリーンパタ
ーンを有しており、上記第３マスク領域は上記第２マス
ク領域に比べ不純物イオン濃度をより減少させるために
多数の第２スクリーンパターンを有していてもよい。
【００２８】上記第２スクリーンパターンの模様は上記
第１スクリーンパターンの模様と同様であり、上記第２
スクリーンパターンの数は上記第１スクリーンパターン
の数よりさらに多いように構成されていてもよい。
第１スクリーンパターンの模様と同様であり、上記第２
スクリーンパターンの数は上記第１スクリーンパターン
の数よりさらに多いように構成されていてもよい。
【００２９】上記第１及び第２スクリーンパターンは、
正方形、長方形又はストライプ形状であってよい。
正方形、長方形又はストライプ形状であってよい。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の最も望ましい実施
の形態を添付された図面を参照しつつ説明する。
の形態を添付された図面を参照しつつ説明する。
【００３１】図６は、本実施形態にかかるカラーイメー
ジセンサのフォトダイオードの断面図である。
ジセンサのフォトダイオードの断面図である。
【００３２】図６に示すように、本実施形態のカラーイ
メージセンサは、レッド、グリーン及びブルーピクセル
ユニットが光の多様な成分に対する光感度を改善させる
ために互いに異なる空乏領域構造を有している。
メージセンサは、レッド、グリーン及びブルーピクセル
ユニットが光の多様な成分に対する光感度を改善させる
ために互いに異なる空乏領域構造を有している。
【００３３】レッドピクセルユニット７１０のフォトダ
イオードは、光のレッド成分を受光して、このレッド成
分から光電荷を生成する。レッドピクセルユニット７１
０のフォトダイオードは、Ｐ−エピタキシャル層７０１
の表面近くに設けられた空乏領域７０２を有する。
イオードは、光のレッド成分を受光して、このレッド成
分から光電荷を生成する。レッドピクセルユニット７１
０のフォトダイオードは、Ｐ−エピタキシャル層７０１
の表面近くに設けられた空乏領域７０２を有する。
【００３４】グリーンピクセルユニット７２０のフォト
ダイオードは、光のグリーン成分を受光して、グリーン
成分から光電荷を生成する。光のグリーン成分はレッド
成分に比べより短い波長を有するため、グリーンピクセ
ルユニット７２０のフォトダイオードは、レッドピクセ
ルユニット７１０のフォトダイオードよりＰ−エピタキ
シャル層７０１の表面により近接した状態で設けられた
空乏領域７０３を有する。
ダイオードは、光のグリーン成分を受光して、グリーン
成分から光電荷を生成する。光のグリーン成分はレッド
成分に比べより短い波長を有するため、グリーンピクセ
ルユニット７２０のフォトダイオードは、レッドピクセ
ルユニット７１０のフォトダイオードよりＰ−エピタキ
シャル層７０１の表面により近接した状態で設けられた
空乏領域７０３を有する。
【００３５】ブルーピクセルユニット７３０のフォトダ
イオードは、光のブルー成分を受光して、ブルー成分か
ら光電荷を生成する。光のブルー成分はグリーン成分に
比べより短い波長を有するため、ブルーピクセルユニッ
ト７３０のフォトダイオードは、グリーンピクセルユニ
ット７２０のフォトダイオードよりＰ−エピタキシャル
層７０１の表面にさらに近接した状態で設けられた空乏
領域７０４を有する。
イオードは、光のブルー成分を受光して、ブルー成分か
ら光電荷を生成する。光のブルー成分はグリーン成分に
比べより短い波長を有するため、ブルーピクセルユニッ
ト７３０のフォトダイオードは、グリーンピクセルユニ
ット７２０のフォトダイオードよりＰ−エピタキシャル
層７０１の表面にさらに近接した状態で設けられた空乏
領域７０４を有する。
【００３６】レッド、グリーン及びブルーピクセルユニ
ット７１０、７２０及び７３０の各々は、低濃度のＰ−
エピタキシャル層７０１、Ｐ−エピタキシャル層７０１
において形成されたＮ-拡散領域、及びＰ−エピタキシ
ャル層７０１の表面とＮ-拡散領域との間に形成された
Ｐ0拡散領域を有する。
ット７１０、７２０及び７３０の各々は、低濃度のＰ−
エピタキシャル層７０１、Ｐ−エピタキシャル層７０１
において形成されたＮ-拡散領域、及びＰ−エピタキシ
ャル層７０１の表面とＮ-拡散領域との間に形成された
Ｐ0拡散領域を有する。
【００３７】本発明にかかるカラーイメージセンサは、
異なる色に関するピクセルユニット間の感光特性差を補
償するためにＰ−エピタキシャル層の表面とＮ-拡散領
域との間の距離を制御している。例えば、最も短い波長
を有するブルー成分を受光するブルーピクセルユニット
のフォトダイオードにおいて、ブルーピクセルユニット
の空乏領域はレッド及びグリーンピクセルユニットの空
乏領域よりＰ−エピタキシャル層の表面により近接した
状態で形成されている。ブルーコンポーネントが最も短
い波長を持っているにも拘わらず、ブルーピクセルユニ
ットにおけるフォトダイオードの空乏領域は、レッド及
びグリーンピクセルユニットにおけるフォトダイオード
の空乏領域よりもＰ−エピタキシャル層の表面により近
接した状態で形成されているため、ブルー成分は空乏領
域に十分に到達し得る。これにより、ブルーピクセルユ
ニットのフォトダイオードにおけるブルー成分の光感度
を改善させることができる。
異なる色に関するピクセルユニット間の感光特性差を補
償するためにＰ−エピタキシャル層の表面とＮ-拡散領
域との間の距離を制御している。例えば、最も短い波長
を有するブルー成分を受光するブルーピクセルユニット
のフォトダイオードにおいて、ブルーピクセルユニット
の空乏領域はレッド及びグリーンピクセルユニットの空
乏領域よりＰ−エピタキシャル層の表面により近接した
状態で形成されている。ブルーコンポーネントが最も短
い波長を持っているにも拘わらず、ブルーピクセルユニ
ットにおけるフォトダイオードの空乏領域は、レッド及
びグリーンピクセルユニットにおけるフォトダイオード
の空乏領域よりもＰ−エピタキシャル層の表面により近
接した状態で形成されているため、ブルー成分は空乏領
域に十分に到達し得る。これにより、ブルーピクセルユ
ニットのフォトダイオードにおけるブルー成分の光感度
を改善させることができる。
【００３８】このようにＰ−エピタキシャル層の表面と
Ｎ-拡散領域との間の距離を制御するため、すなわち、
空乏領域に注入される不純物イオン濃度を制御するため
に、一つのイオン注入マスクが利用される。イオン注入
マスクにおいて、レッド、グリーン及びブルーピクセル
に対して互いに異なるマスクパターンが形成されてい
る。したがって、不純物イオンがイオン注入マスクを通
ってＰ−エピタキシャル層に注入される時、不純物イオ
ン濃度はレッド、グリーン及びブルーピクセルユニット
のマスクパターンにより決定される。
Ｎ-拡散領域との間の距離を制御するため、すなわち、
空乏領域に注入される不純物イオン濃度を制御するため
に、一つのイオン注入マスクが利用される。イオン注入
マスクにおいて、レッド、グリーン及びブルーピクセル
に対して互いに異なるマスクパターンが形成されてい
る。したがって、不純物イオンがイオン注入マスクを通
ってＰ−エピタキシャル層に注入される時、不純物イオ
ン濃度はレッド、グリーン及びブルーピクセルユニット
のマスクパターンにより決定される。
【００３９】図７及び図８は、図６に示すフォトダイオ
ードのためのイオン注入マスクを示す平面図である。
ードのためのイオン注入マスクを示す平面図である。
【００４０】図７及び図８に示すように、イオン注入マ
スク８００及び８５０は、空乏領域に注入される不純物
イオン濃度を制御するのに利用される。イオン注入マス
ク８００及び８５０はレッド、グリーン及びブルーピク
セルユニットに対するマスク領域８１０、８２０、８３
０、８６０、８７０及び８８０を含む。イオン注入マス
ク８００及び８５０は不純物イオン濃度を制御するため
にスクリーンパターンを含んでいる。レッドピクセルユ
ニットに対するマスク領域８１０は、スクリーンパター
ンを有していない。図７に示すマスク８００において、
グリーン及びブルーピクセルユニットに対するマスク領
域８２０及び８３０は、正方形のスクリーンパターン８
４０及び８４５を有している。また、図８に示すマスク
８５０において、グリーン及びブルーピクセルユニット
に対するマスク領域８７０及び８８０は、長方形のスク
リーンパターン８９０及び９００を有している。マスク
領域８３０のスクリーンパターン８４５の数は、マスク
領域８２０のスクリーンパターン８４０の数より多い。
スク８００及び８５０は、空乏領域に注入される不純物
イオン濃度を制御するのに利用される。イオン注入マス
ク８００及び８５０はレッド、グリーン及びブルーピク
セルユニットに対するマスク領域８１０、８２０、８３
０、８６０、８７０及び８８０を含む。イオン注入マス
ク８００及び８５０は不純物イオン濃度を制御するため
にスクリーンパターンを含んでいる。レッドピクセルユ
ニットに対するマスク領域８１０は、スクリーンパター
ンを有していない。図７に示すマスク８００において、
グリーン及びブルーピクセルユニットに対するマスク領
域８２０及び８３０は、正方形のスクリーンパターン８
４０及び８４５を有している。また、図８に示すマスク
８５０において、グリーン及びブルーピクセルユニット
に対するマスク領域８７０及び８８０は、長方形のスク
リーンパターン８９０及び９００を有している。マスク
領域８３０のスクリーンパターン８４５の数は、マスク
領域８２０のスクリーンパターン８４０の数より多い。
【００４１】同様に、マスク領域８８０のスクリーンパ
ターン９００の数はマスク領域８７０のスクリーンパタ
ーン８９０の数より多い。望ましく、グリーンピクセル
ユニットに対する隣り合うスクリーンパターン間の距
離”Ａ”はブルーピクセルユニットに対する隣り合うス
クリーンパターン間の距離”Ｂ”より長い。また、グリ
ーンピクセルユニットに対する各スクリーンパターンの
大きさ”ａ”はブルーピクセルユニットに対する各スク
リーンパターンの大きさ”ｂ”より小さい。
ターン９００の数はマスク領域８７０のスクリーンパタ
ーン８９０の数より多い。望ましく、グリーンピクセル
ユニットに対する隣り合うスクリーンパターン間の距
離”Ａ”はブルーピクセルユニットに対する隣り合うス
クリーンパターン間の距離”Ｂ”より長い。また、グリ
ーンピクセルユニットに対する各スクリーンパターンの
大きさ”ａ”はブルーピクセルユニットに対する各スク
リーンパターンの大きさ”ｂ”より小さい。
【００４２】イオン注入マスクを通したイオン注入後
に、得られた構造体に対して熱的処理が適用される。こ
の時に、空乏領域の不均一な領域は、グリーン及びブル
ーピクセルユニットのフォトダイオードのＰ−エピタキ
シャル層の表面により近接した状態で形成される。本発
明にかかるカラーイメージセンサは、従来のイオン注入
マスクと異なるイオン注入マスクを用いることを除いて
は、従来の製造工程を利用することによって製造でき
る。
に、得られた構造体に対して熱的処理が適用される。こ
の時に、空乏領域の不均一な領域は、グリーン及びブル
ーピクセルユニットのフォトダイオードのＰ−エピタキ
シャル層の表面により近接した状態で形成される。本発
明にかかるカラーイメージセンサは、従来のイオン注入
マスクと異なるイオン注入マスクを用いることを除いて
は、従来の製造工程を利用することによって製造でき
る。
【００４３】なお、本実施形態ではＰＮＰ接合を有する
フォトダイオードを例として説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、ＰＮ接合フォトダイオード
等に適用されることができる。このように本発明の技術
思想は上記望ましい実施形態によって具体的に記述され
たが、上記一実施形態はその説明のためのものでありそ
の制限のためのものでないことを注意するべきである。
また、本発明の技術分野の通常の専門家ならば本発明の
技術思想の範囲内で多様な実施形態が可能であることを
理解できる。
フォトダイオードを例として説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、ＰＮ接合フォトダイオード
等に適用されることができる。このように本発明の技術
思想は上記望ましい実施形態によって具体的に記述され
たが、上記一実施形態はその説明のためのものでありそ
の制限のためのものでないことを注意するべきである。
また、本発明の技術分野の通常の専門家ならば本発明の
技術思想の範囲内で多様な実施形態が可能であることを
理解できる。
【００４４】
【発明の効果】本発明は、カラーイメージセンサを具現
することにおいて、波長が異なる３原色（赤色、緑色、
青色）の光に対する特性を一致させることにより、動作
領域を増加させることができる。これによって以後画像
処理の際のより広い自由度と解像度とを達成することが
できる。また、本発明によれば、従来ある１つの波長を
基準とした場合に、他の波長帯では損失があった光感度
を補償し得る。
することにおいて、波長が異なる３原色（赤色、緑色、
青色）の光に対する特性を一致させることにより、動作
領域を増加させることができる。これによって以後画像
処理の際のより広い自由度と解像度とを達成することが
できる。また、本発明によれば、従来ある１つの波長を
基準とした場合に、他の波長帯では損失があった光感度
を補償し得る。
【図１】 従来のイメージセンサのピクセルユニットの
回路図である。
回路図である。
【図２】 図１に示すフォトダイオードの断面図であ
る。
る。
【図３】 従来のカラーイメージセンサの断面図であ
る。
る。
【図４】 多様な媒質での各波長別の光の吸収深さを表
すグラフである。
すグラフである。
【図５】 図３に示す従来のカラーイメージセンサの光
感知特性曲線を表すグラフである。
感知特性曲線を表すグラフである。
【図６】 本発明にかかるカラーイメージセンサのフォ
トダイオードの断面図である。
トダイオードの断面図である。
【図７】 図６に示すフォトダイオードに対するイオン
注入マスクの平面図である。
注入マスクの平面図である。
【図８】 図７に示すイオン注入マスクとは異なる形態
のイオン注入マスクの平面図である。
のイオン注入マスクの平面図である。
７１０ レッドピクセルユニット ７２０ グリーンピクセルユニット ７３０ ブルーピクセルユニット ７０１ Ｐ−エピタキシャル層 ７０２、７０３、７０４ 空乏領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 康 ▲秦▼ 大韓民国京畿道利川市夫鉢邑牙美里山 136‐１ 現代電子産業株式会社内 (72)発明者 金 燦 基 大韓民国京畿道利川市夫鉢邑牙美里山 136‐１ 現代電子産業株式会社内 (72)発明者 朴 基 男 大韓民国京畿道利川市夫鉢邑牙美里山 136‐１ 現代電子産業株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 光学的イメージを電気的信号に変換する
ためのカラーイメージセンサにおいて、 Ｐ型半導体層及び上記Ｐ型半導体層の表面下部に位置さ
れた第１Ｎ型拡散領域を含んで上記Ｐ型半導体層の表面
下部に第１空乏領域を形成するレッドフォトダイオード
と、 上記Ｐ型半導体層及び上記Ｐ型半導体層の表面下部に位
置された第２Ｎ型拡散領域を含んで上記Ｐ型半導体層の
表面下部に第２空乏領域を形成するグリーンフォトダイ
オードと、 上記Ｐ型半導体層及び上記Ｐ型半導体層の表面下部に位
置された第３Ｎ型拡散領域を含んで上記Ｐ型半導体層の
表面下部に第３空乏領域を形成するブルーフォトダイオ
ードとを備え、 前記第２空乏領域は、前記第１空乏領域に比べ上記Ｐ型
半導体層の表面により近接した状態で設けられており、 前記第３空乏領域は、前記第２空乏領域に比べ上記Ｐ型
半導体層の表面にさらに近接した状態で設けられている
ことを特徴とするカラーイメージセンサ。 - 【請求項２】 上記第１、第２及び第３空乏領域は、 上記レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードのた
めに互いに相異なマスクパターンを持つイオン注入マス
クを利用した不純物イオン注入の技術により形成される
請求項１記載のカラーイメージセンサ。 - 【請求項３】 上記イオン注入マスクは、 上記第１Ｎ型拡散領域を形成するための第１マスク領域
と、 上記第２Ｎ型拡散領域を形成するための第２マスク領域
と、 上記第３Ｎ型拡散領域を形成するための第３マスク領域
とを備え、 上記第２マスク領域は不純物イオン濃度を減少させるた
めに多数の第１スクリーンパターンを有しており、 上記第３マスク領域は上記第２マスク領域に比べ不純物
イオン濃度をより減少させるための多数の第２スクリー
ンパターンを有していることを特徴とする請求項２記載
のカラーイメージセンサ。 - 【請求項４】 上記第２スクリーンパターンの模様は上
記第１スクリーンパターンの模様と同様であり、上記第
２スクリーンパターンの数は上記第１スクリーンパター
ンの数よりさらに多いことを特徴とする請求項３記載の
カラーイメージセンサ。 - 【請求項５】 上記第１及び第２スクリーンパターン
は、正方形である請求項３記載のカラーイメージセン
サ。 - 【請求項６】 上記第１及び第２スクリーンパターン
は、長方形である請求項３記載のカラーイメージセン
サ。 - 【請求項７】 上記第１及び第２スクリーンパターン
は、ストライプ形状である請求項３記載のカラーイメー
ジセンサ。 - 【請求項８】 光学的イメージを電気的信号に変換する
ためのカラーイメージセンサの製造方法において、 基板上にＰ型半導体層を形成する第１段階と、 レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードの領域を
画定するために上記Ｐ型半導体層にフィールド酸化膜を
形成する第２段階と、 上記レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードのた
めに互いに相異なマスクパターンを持つイオン注入マス
クを提供する第３段階と、 上記Ｐ型半導体層にＮ型拡散領域を形成するために上記
イオン注入マスクを利用して上記Ｐ型半導体層に不純物
イオンを注入する第４段階と、 上記レッド、グリーン及びブルーフォトダイオードに該
当する互いに相異な第１、第２及び第３空乏領域を形成
するために得られた構造体に熱的処理を遂行する第５段
階とを包含するカラーイメージセンサの製造方法。 - 【請求項９】 上記第２空乏領域は、上記第１空乏領域
に比べて上記半導体層の表面により近接した状態で設け
られ、上記第３空乏領域は上記第２空乏領域に比べて上
記半導体層の表面にさらに近接した状態で設けられる請
求項８記載のカラーイメージセンサの製造方法。 - 【請求項１０】 上記第３段階での上記イオン注入マス
クは、 上記第１Ｎ型拡散領域を形成するための第１マスク領域
と、 上記第２Ｎ型拡散領域を形成するための第２マスク領域
と、 上記第３Ｎ型拡散領域を形成するための第３マスク領域
とを有し、 上記第２マスク領域は不純物イオン濃度を減少させるた
めに多数の第１スクリーンパターンを有しており、 上記第３マスク領域は上記第２マスク領域に比べ不純物
イオン濃度をより減少させるために多数の第２スクリー
ンパターンを有していることを特徴とする請求項９記載
のカラーイメージセンサの製造方法。 - 【請求項１１】 上記第２スクリーンパターンの模様は
上記第１スクリーンパターンの模様と同様であり、上記
第２スクリーンパターンの数は上記第１スクリーンパタ
ーンの数よりさらに多いことを特徴とする請求項１０記
載のカラーイメージセンサの製造方法。 - 【請求項１２】 上記第１及び第２スクリーンパターン
は、正方形である請求項１０記載のカラーイメージセン
サの製造方法。 - 【請求項１３】上記第１及び第２スクリーンパターン
は、長方形である請求項１０記載のカラーイメージセン
サの製造方法。 - 【請求項１４】 上記第１及び第２スクリーンパターン
は、ストライプ形状である請求項１０記載のカラーイメ
ージセンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0061126A KR100399951B1 (ko) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | 칼라이미지센서제조방법 |
| KR1998-61126 | 1998-12-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228513A true JP2000228513A (ja) | 2000-08-15 |
| JP3899432B2 JP3899432B2 (ja) | 2007-03-28 |
Family
ID=19567882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37414699A Expired - Lifetime JP3899432B2 (ja) | 1998-12-30 | 1999-12-28 | カラーイメージセンサ及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6359323B1 (ja) |
| JP (1) | JP3899432B2 (ja) |
| KR (1) | KR100399951B1 (ja) |
| TW (1) | TW437080B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109490A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサー及びその製造方法 |
| WO2005109511A1 (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Rohm Co., Ltd. | 光電変換デバイス、イメージセンサおよび光電変換デバイスの製造方法 |
| JP2005332925A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP2006073682A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sony Corp | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール |
| JP2008047896A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサー及びその製造方法 |
| US7345703B2 (en) | 2002-10-23 | 2008-03-18 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | CMOS image sensor including photodiodes having different depth according to wavelength of light |
| JP2009088545A (ja) * | 2008-11-28 | 2009-04-23 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| JP2010103272A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び撮像装置 |
| JP2011197553A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 露光用マスク、不純物層を有する半導体装置の製造方法および固体撮像装置 |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3467013B2 (ja) | 1999-12-06 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US7057656B2 (en) * | 2000-02-11 | 2006-06-06 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Pixel for CMOS image sensor having a select shape for low pixel crosstalk |
| US6960817B2 (en) * | 2000-04-21 | 2005-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device |
| US6518085B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-02-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for making spectrally efficient photodiode structures for CMOS color imagers |
| KR20030037871A (ko) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100755629B1 (ko) * | 2001-11-14 | 2007-09-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 포토다이오드의 제조 방법 |
| KR20030052740A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 각 원색에 적합한 포토다이오드를 갖는 이미지센서 |
| KR100749253B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2007-08-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 청색감쇠가 개선된 이미지센서 |
| US6596981B1 (en) * | 2002-01-14 | 2003-07-22 | Texas Advanced Optoelectronic Solutions, Inc. | Method and apparatus for optical detector with special discrimination |
| KR100485892B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2005-04-29 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
| US7176544B2 (en) * | 2003-04-14 | 2007-02-13 | Dialog Imaging Systems Gmbh | Red/green pixel with simultaneous exposure and improved MTF |
| JP2008511968A (ja) | 2003-10-13 | 2008-04-17 | ノーブル ピーク ヴィジョン コーポレーション | シリコン基板およびシリコン回路と一体化された分離されたゲルマニウム光検出器を備えるイメージ・センサ |
| US7105906B1 (en) * | 2003-11-19 | 2006-09-12 | National Semiconductor Corporation | Photodiode that reduces the effects of surface recombination sites |
| EP1564817A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photodiode having light-absorption part separated by PN junction and method of fabricating the same |
| KR100618820B1 (ko) * | 2004-02-10 | 2006-09-12 | 삼성전자주식회사 | Ｐｎ 접합에 의해 분리된 수광부를 갖는 포토다이오드 및 그의 제조방법 |
| US20050224901A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Xinping He | Active pixel having buried transistor |
| KR100612875B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2006-08-14 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 실리콘광소자 및 이를 적용한 화상 입력 및/또는 출력장치 |
| KR100672701B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-01-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스(ｃｍｏｓ) 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
| KR100672994B1 (ko) * | 2005-01-28 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| DE102005025937B4 (de) * | 2005-02-18 | 2009-11-26 | Austriamicrosystems Ag | Lichtempfindliches Bauelement mit erhöhter Blauempfindlichkeit, Verfahren zur Herstellung und Betriebsverfahren |
| KR100685892B1 (ko) * | 2005-06-07 | 2007-02-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7214998B2 (en) * | 2005-07-26 | 2007-05-08 | United Microelectronics Corp. | Complementary metal oxide semiconductor image sensor layout structure |
| KR100710207B1 (ko) * | 2005-09-22 | 2007-04-20 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| US7821553B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-10-26 | International Business Machines Corporation | Pixel array, imaging sensor including the pixel array and digital camera including the imaging sensor |
| WO2007116887A1 (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-18 | Toppan Printing Co., Ltd. | カラー撮像素子及びカラー撮像素子製造方法 |
| US7547573B2 (en) * | 2006-08-01 | 2009-06-16 | United Microelectronics Corp. | Image sensor and method of manufacturing the same |
| US8184190B2 (en) * | 2006-11-28 | 2012-05-22 | Youliza, Gehts B.V. Limited Liability Company | Simultaneous global shutter and correlated double sampling read out in multiple photosensor pixels |
| US20080165257A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-10 | Micron Technology, Inc. | Configurable pixel array system and method |
| US7812869B2 (en) * | 2007-05-11 | 2010-10-12 | Aptina Imaging Corporation | Configurable pixel array system and method |
| KR101152389B1 (ko) * | 2007-09-13 | 2012-06-05 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서와 그 제조 방법 |
| EP2172974A1 (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-07 | Nxp B.V. | Wavelength selective electromagnetic radiation detector using pores as photonic crystal |
| US8264377B2 (en) | 2009-03-02 | 2012-09-11 | Griffith Gregory M | Aircraft collision avoidance system |
| US8334195B2 (en) | 2009-09-09 | 2012-12-18 | International Business Machines Corporation | Pixel sensors of multiple pixel size and methods of implant dose control |
| US9404795B2 (en) | 2013-10-03 | 2016-08-02 | Infineon Technologies Ag | Opitical detector with adjustable spectral response |
| US10560811B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-02-11 | Intelligent Cleaning Equipment Holdings Co., Ltd. | Tracking device, system for tracking objects, and associated method of use |
| US11682313B2 (en) | 2021-03-17 | 2023-06-20 | Gregory M. Griffith | Sensor assembly for use in association with aircraft collision avoidance system and method of using the same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0472664A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| KR0186195B1 (ko) * | 1995-12-11 | 1999-05-01 | 문정환 | 컬러선형 전하결합소자 및 이의 구동방법 |
| JPH09232555A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Sony Corp | イメージセンサ |
| US5710451A (en) | 1996-04-10 | 1998-01-20 | Philips Electronics North America Corporation | High-voltage lateral MOSFET SOI device having a semiconductor linkup region |
| JP3222380B2 (ja) | 1996-04-25 | 2001-10-29 | シャープ株式会社 | 電界効果トランジスタ、および、ｃｍｏｓトランジスタ |
| US5677224A (en) | 1996-09-03 | 1997-10-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making asymmetrical N-channel and P-channel devices |
| US6150683A (en) * | 1997-06-27 | 2000-11-21 | Foveon, Inc. | CMOS-based color pixel with reduced noise in the blue signal |
| TW377517B (en) * | 1998-03-19 | 1999-12-21 | United Microelectronics Corp | Color sensing apparatus of diode and the method of manufacturing the same |
| JP3236261B2 (ja) | 1998-04-09 | 2001-12-10 | 大塚化学株式会社 | ハロゲン化β−ラクタム化合物の製造法 |
-
1998
- 1998-12-30 KR KR10-1998-0061126A patent/KR100399951B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-12-16 US US09/461,717 patent/US6359323B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-21 TW TW088122562A patent/TW437080B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-28 JP JP37414699A patent/JP3899432B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-07 US US10/091,409 patent/US6632702B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7345703B2 (en) | 2002-10-23 | 2008-03-18 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | CMOS image sensor including photodiodes having different depth according to wavelength of light |
| JP2005109490A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサー及びその製造方法 |
| US7579633B2 (en) | 2004-05-07 | 2009-08-25 | Rohm Co., Ltd. | Photoelectric conversion device, image sensor, and method for manufacturing photoelectric conversion device |
| WO2005109511A1 (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Rohm Co., Ltd. | 光電変換デバイス、イメージセンサおよび光電変換デバイスの製造方法 |
| KR101120373B1 (ko) | 2004-05-07 | 2012-02-24 | 로무 가부시키가이샤 | 광전 변환 디바이스, 이미지 센서 및 광전 변환 디바이스의제조 방법 |
| CN100466280C (zh) * | 2004-05-07 | 2009-03-04 | 罗姆股份有限公司 | 光电转换装置以及光电转换装置的制造方法 |
| JP2005332925A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| US8063461B2 (en) | 2004-08-31 | 2011-11-22 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, camera module and electronic equipment module |
| JP4507769B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール |
| JP2006073682A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sony Corp | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール |
| JP2008047896A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサー及びその製造方法 |
| JP2010103272A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び撮像装置 |
| US8384809B2 (en) | 2008-10-23 | 2013-02-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, and imaging apparatus |
| US8773559B2 (en) | 2008-10-23 | 2014-07-08 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, and imaging apparatus |
| JP2009088545A (ja) * | 2008-11-28 | 2009-04-23 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| JP2011197553A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 露光用マスク、不純物層を有する半導体装置の製造方法および固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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