KR100820913B1 - 반도체 패키지, 그 제조방법 및 이미지 센서용 반도체패키지 모듈 - Google Patents

반도체 패키지, 그 제조방법 및 이미지 센서용 반도체패키지 모듈 Download PDF

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Abstract

경박 단소화되며, 공정이 단순화될 수 있는 반도체 패키지가 제공되며, 본 발명의 반도체 패키지는, 복수 개의 본딩패드들이 형성되어 있는 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 측벽으로부터 이격 배치되며, 하부면들이 상기 반도체 칩의 하부면과 본질적으로 동일 평면상에 놓이는 복수개의 리드들을 포함하며, 상기 반도체 칩의 본딩패드들과 상기 복수개의 리드들을 전기적으로 연결하는 복수개의 본딩와이어들과 상기 반도체 칩의 하부면 및 상기 리드들의 하부면을 노출시키면서 상기 반도체 칩, 본딩와이어들 및 리드들을 고정하여 밀봉시키는 봉지재를 포함한다.
패키지, 리드, 봉지재, 투명물질, 테이프, 싱귤레이션

Description

반도체 패키지, 그 제조방법 및 이미지 센서용 반도체 패키지 모듈{Semiconductor package, method of fabricating the same and semiconductor package module for image sensor}
도 1은 종래의 세라믹 반도체 패키지의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 2a, 2b 및 2c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 패키지를 나타내는 평면도, 저면도 및 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타내는 단면도이며, 도 5b는 도 5a의 저면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지와 카메라 홀더가 결합된 이미지 센서용 패키지 모듈을 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 제조하기 위한 리드 프레임의 평면도이다.
도 8a 내지 도 8f는 도 3c의 반도체 패키지를 제조하는 일 예의 과정을 도 7 의 B-B'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도들이다.
* 도면의 주요 부분에 부호의 설명
30 ; 리드프레임 31 ; 하부도금층
32, 32a ; 리드 33 ; 상부도금층
34 ; 반도체 칩 36 ; 본딩패드
38 ; 본딩 와이어 40 ; 봉지재
32b ; 다이 패드 31a ; 다이패드 도금층
50 ; 카메라 홀더 52 ; 카메라 렌즈
60 ; 테이프
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것이다. 보다 상세하게는 이미지 센서용 반도체 칩을 포함하는 반도체 패키지, 그의 제조방법 및 이미지 센서용 반도체 패키지 모듈에 관한 것이다.
최근 급성장하고 있는 핸드폰용 카메라나 CCD(Charge Coupled Device) 카메라용으로 널리 사용되는 광검출소자인 CIS(CMOS Image Sensor)용 반도체 칩을 탑재한 패키지를 인쇄회로기판(PCB) 위에 실장하는 데 있어서 소비자들의 욕구가 점차 고기능화 및 경박 단소화되는 추세에 따라 칩 사이즈 패키지로서 적합한 반도체 패키지에 대한 연구가 이루어지고 있다. 이러한 이미지 센서용 칩 사이즈 패키지로서 종래에는 세라믹 패키지 및 플라스틱 패키지를 일반적으로 사용하였다.
도 1은 종래의 이미지 센서용 세라믹 패키지의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 세라믹 재료로 된 패키지 바닥부(11a) 상에 반도체 칩(12)이 에폭시계 접착제(16)에 의해 탑재되어 있다. 반도체 칩(12)의 상부면 가장자리를 따라 복수개의 본딩 패드(12a)들이 형성되어 있다. 패키지 바닥부(11a)에는 복수개의 외부 리드(15)와 내부 리드(17)들이 형성되어 있다. 상기 외부 리드(15)들은 인쇄회로기판(도시 안됨)의 특정 회로와 전기적으로 연결될 수 있는 접촉부 역할을 하며, 내부 리드(17)들은 반도체 칩(12)의 상부 가장자리를 따라 형성된 복수개의 본딩 패드(12a)와 본딩 와이어(13)에 의해 전기적으로 연결될 수 있는 접촉부 역할을 한다. 반도체 칩(12)으로부터 이격되면서 세라믹 재료로 된 패키지 벽체부(11b)가 형성되며, 패키지 벽체부(11b)의 상측으로는 그라스 등과 같은 투명 판(14)이 형성되어 있다.
그러나 상기와 같은 종래의 세라믹 패키지는 그 구조적으로 복잡하기 때문에 경박 단소화를 구현하는 데 한계가 있으며, 세라믹 패키지의 가격이 고가이며, 단품 단위의 생산으로 제조비용이 높다는 한계가 있다.
따라서, 종래의 이미지 센서용 반도체 패키지에 비하여 보다 경박 단소화되며, 제조 공정이 단순화되고, 대량 생산에 유리하며, 생산 원가를 절감할 수 있는 이미지 센서용 반도체 패키지가 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 상기 종래 기술의 문제점을 감안하여 경박 단소화된 반도체 패키지를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 경박 단소화된 본 발명의 반도체 패키지를 단순하고 저가격으로 제조할 수 있는 반도체 패키지 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또다른 기술적 과제는, 상기 경박 단소화된 본 발명의 반도체 패키지를 이용한 이미지 센서용 반도체 패키지 모듈을 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 패키지는, 복수 개의 본딩패드들이 형성되어 있는 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 측벽으로부터 이격 배치되며, 하부면들이 상기 반도체 칩의 하부면과 본질적으로 동일 평면상에 놓이는 복수개의 리드들을 포함하며, 상기 반도체 칩의 본딩패드들과 상기 복수개의 리드들을 전기적으로 연결하는 복수개의 본딩와이어들과 상기 반도체 칩의 하부면 및 상기 리드들의 하부면을 노출시키면서 상기 반도체 칩, 본딩와이어들 및 리드들을 고정하여 밀봉시키는 봉지재를 포함한다.
바람직하기로는 상기 봉지재는 투명물질이며, 상기 봉지재는 상기 리드들의 상부면 이상의 높이로 형성될 수 있다. 또한 상기 리드들의 높이는 상기 반도체 칩의 높이 보다 높거나 낮을 수도 있다.
한편, 상기 리드들의 노출된 상부면 및 하부면 상에는 각기 상부도금층 및 하부도금층이 더 형성되어 있으며, 상기 본딩 와이어들이 상기 상부면에 형성된 상부도금층과 연결되며, 상기 반도체 칩의 하부면에는 반도체 칩 패드가 더 형성되어 있으며, 상기 반도체 칩 패드의 하부면과 상기 리드들의 하부면이 동일 평면상에 놓이게 할 수 있다.
한편, 상기 본 발명의 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 형태에 따른 반도체 패키지 제조방법은, 내측 공간을 향하여 돌출된 복수개의 리드들을 포함하는 리드 프레임을 준비한 후, 상기 리드 프레임의 하부면 상에 테이프를 부착한다. 이어서, 상기 리드 프레임의 내측 공간 내에서 노출된 상기 테이프 상에 반도체 칩을 접착한 후, 상기 리드들과 상기 반도체 칩을 전기적으로 연결하기 위해 본딩 와이어들로 와이어 본딩한다. 이어서, 상기 리드들, 본딩 와이어들 및 반도체 칩을 밀봉하도록 봉지재로 몰딩한 후, 상기 반도체 칩으로부터 상기 테이프를 제거한다.
상기 리드 프레임의 하부면 상에 테이프를 부착하기 전에 상기 리드들의 상부면 및 하부면에 각기 상부 도금층 및 하부 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 테이프를 제거하기 전에 리드 프레임을 싱귤레이션하여 단위 패키지로 분리할 수 있다.
한편, 본 발명의 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또다른 형태에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지 모듈은, 반도체 패키지와 상기 반도체 패키지의 상측에 배치되는 렌즈 홀더를 포함하며, 상기 반도체 패키지는 복수 개의 본딩패드들이 형성되어 있는 반도체 칩과 상기 반도체 칩의 측벽으로부터 이격 배치 되며, 하부면들이 상기 반도체 칩의 하부면과 본질적으로 동일 평면상에 놓이는 복수개의 리드들을 포함하며, 상기 반도체 칩의 본딩패드들과 상기 복수개의 리드들을 전기적으로 연결하는 복수개의 본딩와이어들 및 상기 반도체 칩의 하부면 및 상기 리드들의 하부면을 노출시키면서 상기 반도체 칩, 본딩와이어들 및 리드들을 고정하여 밀봉시키는 봉지재를 포함한다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
다음에 설명되는 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 본 발명의 실시예를 설명하는 도면에 있어서, 어떤 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되어진 것으로, 도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 기판의 "상부"에 있다고 기재된 경우, 상기 어떤 층이 상기 다른 층 또는 기판의 상부에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 질 수도 있다.
도 2a, 2b 및 2c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 나타내는 각기 평면도, 저면도 및 단면도이다. 도 2a, 2b에서는 설명의 편의를 위해 상부 도금층(33) 및 하부 도금층(31)을 도시하지 않았으며 단지 리드들(32)의 도면번호에 그 도면번호들을 병기하였다. 또한, 평면도에서도 비록 상부에 봉지재(40)가 덮혀 있지만, 리드들(32)의 배치관계를 보여주기 위해 리드들(32) 및 본딩 와이어(38) 및 반도체 칩(34) 등이 나타나도록 도시하였다. 도 2c는 도 2a의 A-A'선을 따라 자른 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 반도체 패키지의 중앙에는 반도체 칩(34)이 위치하며, 반도체 칩(34)을 둘러싸는 형태로 이격되어 배치된 복수개의 리드들(32)이 형성되어 있다. 반도체 칩(34)의 상부면에는 가장자리를 따라 복수개의 본딩패드(36)들이 형성되어 있다. 각 리드(32)의 상부면에는 상부 도금층(33)이 형성되어 있으며, 하부면 상에는 하부 도금층(31)이 각기 형성되어 있다.
또한, 상부 도금층(33)과 반도체 칩(34)의 본딩패드(36)는 본딩 와이어(38)들에 의해 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 리드들(32) 및 반도체 칩(34)을 밀봉하여 고정시키는 봉지재(40)가 형성되어 있다. 도 2c에서 보여지는 바와 같이, 본질적으로 반도체 칩(34)의 하부면과 리드들(32)의 하부면, 또는 리드들(32)의 하부면 상에 형성된 하부 도금층(31)의 하부면은 동일 평면상에 놓이도록 구성된다.
상기 봉지재(40)는 일체로 형성되어 있으며, 예를 들어 빛이 투과할 수 있는 투명물질인 투명 에폭시 몰드 컴파운드(EMC)를 이용하여 형성할 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 상기 반도체 칩(34) 주위로 이격되어 배치되는 상기 리드(32)의 높이는 적어도 상기 반도체 칩(32)의 상부면의 높이 보다 크도록 형성하였다.
상기 반도체 칩(34)은 핸드폰용 카메라나 CCD용 카메라에서 사용되는 광검출소자인 CMOS 이미지 센서가 형성되어 있다. 반도체 칩(34)의 상부면에는 가장자리를 따라 외부 회로와 전기적으로 연결될 수 있는 복수개의 본딩패드(36)들이 형성되어 있다. 상기 복수개의 본딩패드(36)는 본딩 와이어(38)에 의해 상기 노출된 리 드(32)들의 상부면과 전기적으로 연결된다. 본 발명에서는 알루미늄, 금 등으로 된 본딩 와이어(38)와의 본딩력을 향상시키기 위해 금(Au), 은(Ag) 등의 금속 또는 NiPd 등의 합금으로 된 상부 도금층(33)을 리드(32)들의 노출된 상부면 상에 형성한다.
한편, 리드(32)들의 노출된 하부면 상에는 상기 상부 도금층(33)과 동일한 물질로 이루어진 하부 도금층(31)이 형성되거나, 반도체 패키지를 장착하기 위한 기판(도시 안됨)과의 솔더 접착력을 향상시키기 위해 예를 들어 SnPb 솔더 도금층이 형성될 수도 있다. 상부 도금층(33)으로서 상기 금, 은 등의 금속 대신에 Ni, Pd, Au 등의 금속층으로 층이 구성된 PPF(Pre-Plated Frame) 도금층을 사용하고, 하부 도금층(31)으로서 SnPb 솔더 도금층 대신에 Ni, Pd, Au 등의 금속층으로 층이 구성된 PPF 도금층을 사용할 수도 있다.
도 3은 도 2c에 대응하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 나타내는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 도 2c와 비교하여 전체적으로 유사하지만, 봉지재(40)의 높이가 반도체 칩(34) 주변에 배치된 리드들(32)의 높이, 또는 리드들(32)의 상부면에 형성된 상부 도금층(33)의 표면 높이와 거의 동일하다는 점에서 상이하다.
도 4는 도 2c에 대응하는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 나타내는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 도 2c와 비교하여 전체적으로 유사하지만, 반도체 칩(34) 주변에 배치된 리드들(32a)의 높이, 또는 리드들(32)의 상부면에 형성된 상부 도금층(33a)의 표면 높이가 반도체 칩(34)의 표면 높이 보다 낮은 경우라는 점에서 상이하다.
도 5a는 도 2c에 대응하는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 이미지 센서용 반도체 패키지를 나타내는 단면도이며, 도 5b는 저면도이다. 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 도 2c 및 도 2b와 비교하여 전체적으로 유사하지만, 리드 프레임의 형태가 다르다. 즉, 리드 프레임에서 리드들(32) 사이의 공간에 리드들(32)과 동일한 재질이지만 높이가 리드들(32) 보다 낮은 다이패드(32b)가 형성되며, 반도체 칩(34)이 다이패드(32b) 상에 접착제(도시안됨)에 의해 탑재된다. 따라서 리드들(32)의 하부면에 하부 도금층(31)이 형성될 때 다이패드(32b)의 하부면 상에도 동일하게 다이패드 도금층(31a)이 형성된다는 점에서 상이하다. 따라서 본 실시예에서는 리드들(32) 또는 리드들(32)의 하부면 상에 형성된 하부 도금층(31)의 하부면과 다이패드 도금층(31a)이 동일 평면상에 위치한다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 반도체 패키지와 카메라 홀더가 결합된 모듈을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서는 반도체 패키지로서 도 2c에 도시된 반도체 패키지를 적용한 예를 나타내지만, 도 3 내지 도 5에서 도시된 다른 실시예의 반도체 패키지를 적용할 수 있음은 물론이다.
도 6을 참조하면, 도 2c에 도시된 패키지에서 반도체 패키지의 가장자리를 따라 렌즈 홀더(50)를 접착제(도시안됨)로 접착시킨 형태를 갖는다. 렌즈 홀더(50)에는 카메라용 렌즈(52)가 결합되어 있다. 상기와 같이 렌즈 홀더(50)가 결합된 반도체 패키지는 인쇄회로기판 등의 기판(도시안됨) 상에 탑재될 수 있다.
도 7, 도 8a 내지 도 8f를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 를 제조하는 과정을 구체적으로 살펴본다. 도 7은 도 2c에 도시한 반도체 패키지를 제조하기 위한 리드 프레임의 평면도이며, 도 8a 내지 도 8f는 도 2c의 반도체 패키지를 제조하는 일 예의 과정을 도 7의 B-B'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도들이다.
도 7을 참조하며, 복수개의 단위 유니트가 배치된 리드 프레임(30)이 준비된다. 리드 프레임은 구리, 구리 또는 구리와 기타 철, 니켈 화합물등의 도전성 물질을 사용할 수 있다. 단위 유니트에는 내측 공간(35)을 향하여 일정한 길이 만큼 연장된 복수개의 리드(32)들이 형성되어 있다. 본 발명의 리드 프레임(30)의 두께, 즉 리드(32)의 두께는 도 2c에서 알 수 있는 바와 같이 반도체 칩(34)의 두께 보다 큰 것이 바람직하며 수십 내지 수백 ㎛ 이상이 될 수 있다. 그러나 도 4의 실시예에서는 리드(32a)의 두께가 반도체 칩(34)의 두께 보다 낮을 수도 있다.
도 8a를 참조하면, 리드 프레임(30), 보다 구체적으로는 리드들(32)의 상부면 및 하부면 상에 각기 상부 도금층(33) 및 하부 도금층(31)을 동일 공정 또는 별도의 공정으로 형성한다. 상부 도금층(33)은 알루미늄, 금 등으로 된 본딩 와이어(도 8d의 38)와의 본딩력을 향상시키기 위해 금(Au), 은(Ag) 등의 금속 또는 NiPd 등의 합금으로 된 상부 도금층(33)을 리드(32)들의 노출된 상부면 상에 형성한다. 한편, 리드(32)들의 노출된 하부면 상에는 상기 상부 도금층(33)과 동일한 물질로 이루어진 하부 도금층(31)이 형성되거나, 반도체 패키지를 장착하기 위한 기판(도시 안됨)과의 솔더 접착력을 향상시키기 위해 예를 들어 SnPb 솔더 도금층이 형성될 수도 있다. 상부 도금층(33)으로서 상기 금, 은 등의 금속 대신에 Ni, Pd, Au 등의 금속층으로 층이 구성된 PPF(Pre-Plated Frame) 도금층을 사용하고, 하부 도금층(31)으로서 SnPb 솔더 도금층 대신에 Ni, Pd, Au 등의 금속층으로 층이 구성된 PPF 도금층을 사용할 수도 있다.
도 8b를 참조하면, 리드 프레임(30)의 하부면 상에 접착성과 유연성이 있는 테이프(60)를 부착한다.
도 8c를 참조하면, 리드 프레임(30)의 각 단위 유니트 별로 리드들(32) 사이에 형성된 내측 공간(35)에 미리 형성된 반도체 칩(34)을 부착한다(다이 어태칭).
도 8d를 참조하면, 반도체 칩(34)의 상부면에 형성된 본딩패드(36)들과 리드들(32)의 상부면에 형성된 상부 도금층(33)을 전기적으로 연결하기 위해 본딩 와이어(38)로 와이어 본딩한다.
계속하여 도 8e를 참조하면, 봉지재(40)로서 투명 EMC를 사용하여 상기 반도체 칩(34), 본딩 와이어(38) 및 리드들(32)을 고정시키면서 몰딩한다.
도 8f를 참조하면, 몰딩이 완료된 후 블레이드를 사용하여 각 단위 유니트 별로 분리하는 싱귤레이션(singulation) 공정을 수행한 후 테이프(60)를 제거함으로써 본 발명의 단위 반도체 패키지를 완성한다.
이상에서는 본 발명을 여러 가지 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예들에 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술적 사상 내에서 당분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 물론이다. 예를 들어, 반도체 칩(34)의 두께에 대하여 리드들(32)과 봉지재(40)의 높이를 적절하게 선택하여 사용할 수 있으며, 봉지재(40)로서 투명 에폭시 물질을 사용하였지만 본 발명이 적용 되는 한 다양한 몰딩 물질을 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 도 7 내지 도 8f는 다이패드가 없는 리드 프레임을 사용하여 본 발명의 반도체 패키지를 제조하는 과정에 대하여 설명한 것이지만, 도 5a 및 도 5b의 반도체 패키지를 제조하기 위해서는 리드들 사이의 내측 공간에 다이패드가 형성된 리드 프레임을 사용하여 전술한 공정과 같은 공정을 수행할 수 있음은 물론이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면, 경박 단소화된 반도체 패키지를 실현할 수 있으며, 공정이 매우 단순하면서도 대량 생산에 유리하다.

Claims (14)

  1. 복수 개의 본딩패드들이 형성되어 있는 반도체 칩;
    상기 반도체 칩의 측벽으로부터 이격 배치되며, 하부면 상에 하부도금층이 형성되고, 상기 하부도금층이 상기 반도체 칩의 하부면과 본질적으로 동일 평면상에 놓이는 복수개의 리드들;
    상기 반도체 칩의 본딩패드들과 상기 복수개의 리드들을 전기적으로 연결하는 복수개의 본딩와이어들; 및
    상기 반도체 칩의 하부면 및 상기 리드들의 하부면 상의 상기 하부도금층과, 상기 리드들의 외측면을 노출시키면서 상기 반도체 칩, 본딩와이어들 및 리드들을 고정하여 밀봉시키는 봉지재;
    를 포함하는 반도체 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 봉지재가 투명물질인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 봉지재는 상기 리드들의 상부면 이상의 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 리드들의 상부면 상에는 상부도금층이 더 형성되어 있으며, 상기 본딩 와이어들이 상기 상부면에 형성된 상부도금층과 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반도체 칩의 하부면에는 반도체 칩 패드가 더 형성되어 있으며, 상기 반도체 칩 패드의 하부면과 상기 리드들의 하부면이 동일 평면상에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  6. 내측 공간을 향하여 돌출된 복수개의 리드들을 포함하는 리드 프레임을 준비하는 단계;
    상기 리드 프레임의 하부면 상에 테이프를 부착하는 단계;
    상기 리드 프레임의 내측 공간 내에서 노출된 상기 테이프 상에 반도체 칩을 접착하는 단계;
    상기 리드들과 상기 반도체 칩을 전기적으로 연결하기 위해 본딩 와이어들로 와이어 본딩하는 단계;
    상기 리드들, 본딩 와이어들 및 반도체 칩을 밀봉하도록 봉지재로 몰딩하는 단계; 및
    상기 반도체 칩으로부터 상기 테이프를 제거하는 단계;
    를 포함하는 반도체 패키지 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 리드 프레임의 하부면 상에 테이프를 부착하기 전에 상기 리드들의 상부면 및 하부면에 각기 상부 도금층 및 하부 도금층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 반도체 칩을 밀봉하는 단계에서는, 상기 봉지재가 상기 리드들의 높이 이상이 되도록 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 봉지재는 투명물질임을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.
  10. 반도체 패키지와 상기 반도체 패키지의 상측에 배치되는 렌즈 홀더를 포함하는 이미지 센서용 반도체 패키지 모듈에 있어서,
    상기 반도체 패키지는,
    복수 개의 본딩패드들이 형성되어 있는 반도체 칩;
    상기 반도체 칩의 측벽으로부터 이격 배치되며, 하부면 상에 하부도금층이 형성되고, 상기 하부도금층이 상기 반도체 칩의 하부면과 본질적으로 동일 평면상에 놓이는 복수개의 리드들;
    상기 반도체 칩의 본딩패드들과 상기 복수개의 리드들을 전기적으로 연결하는 복수개의 본딩와이어들; 및
    상기 반도체 칩의 하부면 및 상기 리드들의 하부면 상의 상기 하부도금층과, 상기 리드들의 외측면을 노출시키면서 상기 반도체 칩, 본딩와이어들 및 리드들을 고정하여 밀봉시키는 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로하는 이미지 센서용 반도체 패키지 모듈.
  11. 복수 개의 본딩패드들이 형성되어 있는 반도체 칩;
    상기 반도체 칩의 측벽으로부터 이격 배치되며, 하부면 상에 하부도금층이 형성되고, 상기 하부도금층이 상기 반도체 칩의 하부면과 본질적으로 동일 평면상에 놓이며, 상부면의 표면 높이가 상기 반도체 칩의 표면 높이 보다 높은 복수개의 리드들;
    상기 반도체 칩의 본딩패드들과 상기 복수개의 리드들을 전기적으로 연결하는 복수개의 본딩와이어들; 및
    상기 반도체 칩의 하부면 및 상기 리드들의 하부면 상의 상기 하부도금층과, 상기 리드들의 외측면을 노출시키면서 상기 반도체 칩, 본딩와이어들 및 리드들을 고정하여 밀봉시키는 봉지재;
    를 포함하는 반도체 패키지.
  12. 제11항에 있어서, 상기 봉지재가 투명물질인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  13. 제11항에 있어서, 상기 봉지재는 상기 리드들의 상부면 이상의 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  14. 제1항에 있어서, 상기 리드들의 상부면 상에는 상부도금층이 더 형성되어 있으며, 상기 본딩 와이어들이 상기 상부면에 형성된 상부도금층과 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
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