KR100818593B1 - 저장 장치 - Google Patents
저장 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100818593B1 KR100818593B1 KR1020060129698A KR20060129698A KR100818593B1 KR 100818593 B1 KR100818593 B1 KR 100818593B1 KR 1020060129698 A KR1020060129698 A KR 1020060129698A KR 20060129698 A KR20060129698 A KR 20060129698A KR 100818593 B1 KR100818593 B1 KR 100818593B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor package
- semiconductor
- connection pads
- storage device
- passive element
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1접속패드들이 배열된 적어도 1개 이상의 제1실장부, 제2접속패드들이 배열된 적어도 1개 이상의 제2실장부, 복수개의 수동 소자 영역 및 상기 수동 소자 영역들, 상기 제1 및 제2접속패드들을 전기적으로 연결시키는 회로 배선들을 포함하는 메인 기판;상기 제1접속패드들과 접속되고 상기 제1실장부에 실장되며, 데이터를 저장하는 적어도 1개 이상의 제1반도체패키지;상기 제2접속패드들과 접속되도록 상기 제2실장부에 실장되고, 상기 제1반도체패키지들과 전기적으로 연결되며, 상기 제1반도체패키지를 제어하는 제어부 및 상기 제1반도체패키지를 보호하는 보호부가 내장된 제2반도체패키지; 및상기 수동 소자 영역 내에 위치하여 상기 제1및 제2반도체패키지들과 전기적으로 연결되며, 상기 제1반도체패키지들 및 상기 제2반도체패키지간의 신호를 정합하는 수동 소자를 포함하며,상기 메인 기판 중 상기 수동 소자 영역과 대응되는 부분에는 수납 홈이 형성되어 상기 수동 소자들이 상기 수납 홈 내에 실장되고, 상기 수동 소자들은 상기 회로 배선과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 수동 소자는 낱개의 저항(R), 낱개의 인덕턴스(L) 및 낱개의 커패시턴스(C)이며, 상기 수동 소자는 제3접속패드들과 접속되는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
- 제 9 항에 있어서, 상기 수납 홈의 깊이는 상기 수납 홈에 수납되는 각각의 상기 수동 소자들의 두께보다 깊은 것을 특징으로 하는 저장 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 메인 기판은 몸체, 상기 몸체의 상부면에 형성된 제1금속층 및 상기 몸체의 하부면에 형성된 제2금속층을 포함하는 다층 인쇄회로기판인 것을 특징으로 하는 저장 장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 메인 기판의 상기 수동 소자 영역에는 저항(R), 인덕턴스(L) 및 커패시턴스(C)를 포함하는 수동 소자가 형성되는 특징으로 하는 저장 장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 저항은 상기 수동 소자 영역 내의 상기 제1 및 제2 금속층을 지그 재그 형태로 패터닝하여 형성한 것을 특징으로 하는 저장 장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 인덕턴스 및 상기 커패시턴스는 상기 수동 소자 영역 내의 상기 제1 금속층에 패터닝된 제1전극, 상기 수동 소자 영역 내의 상기 제2금속층에 패터닝된 제2전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060129698A KR100818593B1 (ko) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | 저장 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060129698A KR100818593B1 (ko) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | 저장 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100818593B1 true KR100818593B1 (ko) | 2008-04-02 |
Family
ID=39533485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060129698A KR100818593B1 (ko) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | 저장 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100818593B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980058604A (ko) * | 1996-12-30 | 1998-10-07 | 황인길 | 확장형 반도체패키지 |
KR20020007576A (ko) * | 2000-07-18 | 2002-01-29 | 윤종용 | 칩 온 보드 타입의 메모리 카드 |
KR20020065325A (ko) * | 2001-02-06 | 2002-08-13 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
-
2006
- 2006-12-18 KR KR1020060129698A patent/KR100818593B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980058604A (ko) * | 1996-12-30 | 1998-10-07 | 황인길 | 확장형 반도체패키지 |
KR20020007576A (ko) * | 2000-07-18 | 2002-01-29 | 윤종용 | 칩 온 보드 타입의 메모리 카드 |
KR20020065325A (ko) * | 2001-02-06 | 2002-08-13 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100818088B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
KR100914552B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 이를 구비하는 메모리 모듈 | |
KR101006523B1 (ko) | 메모리 카드용 회로 기판 및 이를 갖는 메모리 카드 | |
US7298033B2 (en) | Stack type ball grid array package and method for manufacturing the same | |
KR101024241B1 (ko) | 반도체 장치 및 그를 포함하는 반도체 패키지 | |
US20050104196A1 (en) | Semiconductor package | |
US10163767B2 (en) | Semiconductor package | |
JP3785083B2 (ja) | 半導体装置、電子カード及びパッド再配置基板 | |
KR101710681B1 (ko) | 패키지 기판 및 이를 구비한 반도체 패키지 | |
JPH04212444A (ja) | カプセル封じされた電子装置をパッケージした集積回路 | |
US7606046B2 (en) | Semiconductor device and method for mitigating electrostatic discharge (ESD) | |
US9728507B2 (en) | Cap chip and reroute layer for stacked microelectronic module | |
US9806053B2 (en) | Semiconductor package | |
KR100818593B1 (ko) | 저장 장치 | |
KR100546359B1 (ko) | 동일 평면상에 횡 배치된 기능부 및 실장부를 구비하는 반도체 칩 패키지 및 그 적층 모듈 | |
US9245853B2 (en) | Memory module | |
KR101142336B1 (ko) | 반도체 칩 및 이를 이용한 스택 패키지 | |
KR100945501B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
US9392696B2 (en) | Semiconductor package | |
CN113555351B (zh) | 半导体封装 | |
KR100235108B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
KR20080082862A (ko) | 반도체 패키지 | |
US20210074621A1 (en) | Semiconductor package | |
KR20150014282A (ko) | 반도체 칩 패키지 모듈 및 그 제조방법 | |
JPH10242378A (ja) | メモリモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130311 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140317 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150427 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160310 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170210 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200128 Year of fee payment: 13 |