KR100818591B1 - Diamond conditioning of soft chemical mechanical planarization/polishingcmp polishing pads - Google Patents
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Abstract
종래의 다이아몬드-내장형(diamond-embedded) 연마용 스트립(strip)들을 사용하는 화학적 기계적 평탄화(CMP)의 컨디셔닝(conditioning)은 종래의 "경질(hard)" 연마 패드들을 컨디셔닝하기에 적합하지만 다이아몬드들이 여분의 재료만 제거할 뿐 아니라 패드의 연마 표면을 손상시키기 때문에 연질 연마 패드들을 컨디셔닝하기에는 적합하지 않다. 본 발명의 실시예들은 다이아몬드 스트립들을 사용하여 연질 연마 패드(108)를 손상시키지 않으면서 연질 연마 패드들을 컨디셔닝한다. Conditioning of chemical mechanical planarization (CMP) using conventional diamond-embedded polishing strips is suitable for conditioning conventional “hard” polishing pads, but diamonds are redundant. It is not suitable for conditioning soft polishing pads because it not only removes the material but also damages the polishing surface of the pad. Embodiments of the invention use diamond strips to condition soft polishing pads without damaging the soft polishing pad 108.
다이아몬드 컨디셔닝(diamond conditioning), 화학적 기계적 연마(CMP), 손상, 연질 연마 패드(soft polishing pad), 탈이온수(de-ionized water) Diamond conditioning, chemical mechanical polishing (CMP), damage, soft polishing pad, de-ionized water
Description
본 발명의 실시예들은 화학적 기계적 평탄화/연마(chemical mechanical planarization/polishing)(CMP) 및, 더 상세하게는, CMP 연마 패드들의 컨디셔닝(conditioning)에 관련된다.Embodiments of the present invention relate to chemical mechanical planarization / polishing (CMP) and, more particularly, conditioning of CMP polishing pads.
화학적 기계적 평탄화/연마(CMP)는 기판들 또는 웨이퍼들 위의 집적 회로들의 생산을 가능하게 하기 위해 1980년대 중반에 처음 개발된 공정 기술(process technology)이다. CMP 공정들은 웨이퍼들의 준비 및 반도체 장치들 또는 웨이퍼들 상의 구조물들의 제조에 쓰인다. CMP 공정은 소정 패턴들의 웨이퍼 상의 반도체층, 반도체층 상의 절연층, 및 절연층 상의 도전층을 평탄화하는데(즉, 편평하게 하는데) 사용될 수 있다. Chemical mechanical planarization / polishing (CMP) is a process technology first developed in the mid-1980s to enable the production of integrated circuits on substrates or wafers. CMP processes are used in the preparation of wafers and in the fabrication of semiconductor devices or structures on wafers. The CMP process can be used to planarize (ie, flatten) the semiconductor layer on the wafer, the insulating layer on the semiconductor layer, and the conductive layer on the insulating layer of certain patterns.
전형적인 CMP 시스템은 웨이퍼 캐리어(wafer carrier) 및 하우징(housing) 에 탑재된 플래튼(platen)을 포함한다. 연마 패드는 플래튼에 단단히 부착되고 연마될 웨이퍼는 웨이퍼 캐리어에 단단히 부착된다. 전형적인 CMP 공정은 다음과 같이 동작한다. 웨이퍼 캐리어는 웨이퍼를 회전시키고/거나 플래튼은 연마 패드를 회전시킨다. 화학적 슬러리(slurry)가 연마 패드의 표면에 도포되고 웨이퍼는 연마 패드와 접촉되어 연마된다(또는 평탄화된다). 화학적 슬러리를 도포하는 것과 기계적 회전의 조합으로 인해 "화학적 기계적 평탄화"라는 용어가 되었다. Typical CMP systems include a wafer carrier and a platen mounted in a housing. The polishing pad is firmly attached to the platen and the wafer to be polished is firmly attached to the wafer carrier. A typical CMP process works as follows. The wafer carrier rotates the wafer and / or the platen rotates the polishing pad. A chemical slurry is applied to the surface of the polishing pad and the wafer is polished (or planarized) in contact with the polishing pad. The combination of chemical slurry application and mechanical rotation has led to the term "chemical mechanical planarization".
웨이퍼가 연마됨에 따라, 화학적 슬러리 및 웨이퍼로부터 제거된 재료들은 연마 패드를 매끄럽게 만들고 연마 레이트(rate) 및 효율성을 감소시키면서 연마 패드의 표면을 윤내는 경향이 있다. 따라서 연마 패드 표면이 깨끗하고 표면 불규칙성이 없는 것이 중요하다. 연마 패드를 세정하는 공정은 때때로 "컨디셔닝(conditioning)" 또는 "리프레싱(refreshing)" 이라고 불린다.As the wafer is polished, chemical slurries and materials removed from the wafer tend to polish the surface of the polishing pad while smoothing the polishing pad and reducing the polishing rate and efficiency. It is therefore important that the polishing pad surface is clean and free of surface irregularities. The process of cleaning the polishing pad is sometimes referred to as "conditioning" or "refreshing."
연마 패드들을 컨디셔닝하는 하나의 방법은 종래의 다이아몬드 내장형(diamond-embedded) 연마용 디스크(disk) 또는 스트립(strip)으로 문질러 닳게 하는 것이다. 종래의 다이아몬드 내장형 연마용 스트립들이 거친 연마에 사용되는 "경질(hard)" 연마 패드들을 컨디셔닝하는데 상당히 적합하더라도, 정밀한 연마에 사용되는 "연질(soft)" 연마 패드들을 컨디셔닝하는데는 적합하지 않다. 연질 연마 패드(soft polishing pad)가 다이아몬드 내장형 연마용 디스크로 컨디셔닝될 때, 다이아몬드들은 여분의 재료를 제거할 뿐 아니라, 패드의 연마면도 손상시킨다.One way to condition the polishing pads is to rub them with a conventional diamond-embedded polishing disk or strip. Although conventional diamond embedded abrasive strips are quite suitable for conditioning "hard" polishing pads used for rough polishing, they are not suitable for conditioning "soft" polishing pads used for precise polishing. When a soft polishing pad is conditioned with a diamond embedded abrasive disk, the diamonds not only remove excess material, but also damage the polishing surface of the pad.
도면들에서, 일반적으로 유사한 참조번호들은 동일하거나, 기능적으로 유사하거나, 및/또는 구조적으로 동등한 요소들을 표시한다. 소정의 요소가 처음 나타나는 도면은 참조번호의 맨 좌측 자리로 표시된다.In the drawings, like reference numerals generally indicate the same, functionally similar, and / or structurally equivalent elements. The drawing in which a given element first appears is indicated by the leftmost digit of the reference number.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 CMP 연마 시스템의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a CMP polishing system according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따라 CMP 연마 시스템에 의해 수행되는 공정을 예시하는 순서도이다.2 is a flow chart illustrating a process performed by a CMP polishing system in accordance with embodiments of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 연질 연마 패드를 예시한다. 3 illustrates an exemplary soft polishing pad in accordance with an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 컨디셔닝 암(conditioning arm)의 작동을 예시한다. 4 illustrates the operation of a conditioning arm in accordance with an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 다이아몬드 컨디셔너(conditioner)를 예시한다.5 illustrates a diamond conditioner according to an embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 CMP 연마 시스템(100)의 개략도이다. CMP 연마 시스템은 하우징(housing)(101), 연마 헤드(polishing head)(102), 제어 패널(control panel)(103), 플래튼(platen)(104), 스핀들(spindle)(105), 웨이퍼(106), 베이스(base)(107), 연질 연마 패드(108), 컨디셔닝 암(110), 다이아몬드(또는 인공 다이아몬드) 컨디셔너(112), 슬러리 탱크(114), 스핀들(105), 물 탱크(116), 및 전기기계적 장비(electromechanical equipment)(118)를 포함한다. 슬러리 탱크(114) 및/또는 물 탱크(116)는 하우징(101)에 또는 하우징과 분리되어 위치될 수 있다. 전기기계적 장비(118)는 수직 구동기들(vertical drivers), 회전 구동기들(rotational drivers), 제어기들, 또는 암들, 모터들, 및 CMP 연마 시스템들의 다른 장치들을 작동시키는데 일반적으로 사용되는 다른 장비를 포함할 수 있다. 1 is a schematic diagram of a
플래튼(104)은 하우징(101)에 탑재되고 전기기계적 장비(118) 안의 모터(도시되지 않음)에 의해 회전될 수 있다. 연마 헤드(102)는 스핀들(105)에 탑재되고 전기기계적 장비(118) 안의 모터(도시 안 됨)에 의해 회전될 수 있다. 웨이퍼(106)는 연마될 표면을 아래로 하고 연마 헤드(102)로부터 떨어져서 탑재된다. 연질 연마 패드(108)는 접착제를 사용하여 플래튼에 탑재된다. 웨이퍼(106)의 연마 동안, 연마 헤드(102)는, 화살표들(120 및 122)에 의해 도시된 것처럼, 연마 패드(108)의 회전과 반대 방향으로 회전될 수 있다. 또는, 플래튼(104)이 멈춰있는 동안 연마 헤드(102)가 회전할 수 있다. 또는, 플래튼(104)이 회전하는 동안 연마 헤드(102)가 멈춰있을 수 있다. 슬러리 탱크(114)는 웨이퍼(106) 연마 동안 연질 연마 패드(108)의 표면에 슬러리를 전달한다. The
컨디셔닝 암(110)은 연질 연마 패드(108)를 컨디셔닝할 때 그 베이스(107)에서 선회한다. 전기기계적 장비(118) 안의 모터(도시되지 않음)는 컨디셔닝 암(110)을 움직일 수 있다. 연질 연마 패드(108)의 컨디셔닝 동안 물 탱크(116)는 연질 연마 패드(108)의 표면에 식수 또는 탈이온(de-ionized)(DI)수와 같은 헹굼액(rinsing solution)을 공급할 수 있다. The
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 CMP 연마 시스템(100)에 의해 수행되는 공정(200)을 예시하는 순서도이다. 기계 판독 가능한 명령들을 가지는 기계 판독 가능한 매체는 프로세서가 공정(200)을 수행하도록 하는데 쓰일 수 있다. 물론, 공정(200)은 단지 예시 공정이고 다른 공정들이 사용될 수 있다. 예시적인 공정(200)은 금속, 산화물들, 유리, 실리콘 등을 제거하는 데 사용될 수 있다. 예시 공정(200)이 웨이퍼들과 관련하여 기술되었음에도 불구하고, 예시 공정(200)은 반도체들, 메모리 디스크들, 또는 렌즈들 및 거울들과 같은, 평탄함, 평면성, 정밀한 연마 등이 필요한 다른 적합한 대상들에 사용될 수 있다.2 is a flow chart illustrating a process 200 performed by a
블록(202)에서 슬러리 탱크(114)로부터의 슬러리가 연질 연마 패드(108) 표면에 도포되고 플래튼(104)이 웨이퍼(106)에 힘을 인가할 때 헤드(102)는 웨이퍼(106)를 붙잡고 연질 연마 패드(108)에 대해 웨이퍼(106)를 회전시킨다. 블록(204)에서, 헤드(102)는 웨이퍼(106)를 연질 연마 패드(108)와의 접촉에서 분리하고 슬러리가 연질 연마 패드(108) 표면으로 흐르는 것을 멈춘다.In
블록(206)에서, 연질 연마 패드(108)는 다이아몬드 컨디셔너(112)를 사용하여 컨디셔닝된다. 본 발명의 한 실시예에서, 플래튼(104)은 연질 연마 패드(108)를 회전시키고, 물 탱크(116)로부터의 헹굼액은 예를 들면, 탈이온수를 연질 연마 패드(108)의 표면에 공급함으로써 연질 연마 패드(108)를 헹구고, 다이아몬드 컨디셔너(112)를 가진 컨디셔닝 암(110)은 연질 연마 패드(108)를 가로질러 (예를 들면, 앞뒤로) 움직인다. 연질 연마 패드(108)의 연마가 몇몇 실시예들에서 '엑스-시츄(ex situ)'(웨이퍼(106) 연마 단계들 사이)에서 수행되는 것처럼 기술되더라도, 다른 실시예들에서 연질 패드(108)의 연마는 '인-시츄(in situ)'(웨이퍼들(106)이 연마되는 동안)로, 또는 둘의 소정의 조합으로 수행될 수 있다. 물론, 연질 연마 패드(108)는 임의의 웨이퍼들(106)을 연마하기 전에, 본 발명의 실시예들에 따라 컨디셔닝될 수 있다.In
다이아몬드 컨디셔너(112)를 가진 컨디셔닝 암(110)이 연질 연마 패드(108)를 파괴하거나 그 수명을 상당히 감소시키지 않는 것을 보장하기 위해 다이아몬드 컨디셔너(112)를 사용하는 연질 패드(108) 컨디셔닝에 대한 공정을 개선시키도록 다음의 공정 파라미터들 중 하나 또는 그들의 조합은 수정될 수 있다. 사실, 본 발명의 실시예들에 따르면, 연질 연마 패드(108)의 수명은 상당히 증가한다. 증가된 연질 연마 패드(108)의 수명으로 인해 인건비 및 부품비가 절감될 뿐만 아니라, 공정들이 개선된다(예를 들면, 연질 연마 패드들(108)은 자주 교체될 필요가 없다). Process for conditioning the
한 실시예에서, 컨디셔닝 암(110)은 연질 연마 패드(108)에 다이아몬드 컨디셔너(112)를 통해, 종래의 경질 연마 패드 기술들을 사용할 경우 인가되는 대략 3psi와는 대조적으로 0.25psi를 인가한다. In one embodiment, the
알려진 연질 연마 패드 컨디셔닝 방법들에서, 플래튼 및 연질 연마 패드는 회전하지 않는다. 본 발명의 실시예들에서, 플래튼(104) 및 연질 연마 패드(108)의 회전 속도는 대략 분당 100 회전(100(rpm))일 수 있다.In known soft polishing pad conditioning methods, the platen and soft polishing pad do not rotate. In embodiments of the present invention, the rotation speed of the
알려진 연질 연마 패드 컨디셔닝 방법들에서, 연질 연마 패드에 탈이온수를 흘리지 않을 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 물 탱크(116)로부터의 탈이온수 용적 유량치(volumetric flow rate)는 분당 1갤론(gpm)일 수 있다. 또는, 유량은 분당 0에서 대략 7갤런 사이의 임의의 값일 수 있다. In known soft polishing pad conditioning methods, deionized water may not flow into the soft polishing pad. In one embodiment of the invention, the deionized water volume flow rate from the
알려진 연질 연마 패드 컨디셔닝 방법들에서, 다이아몬드 컨디셔너가 사용되지 않고, 그 결과 아래 방향의 힘이 연질 연마 패드에 인가되지 않는다. 한 실시예에서, 다이아몬드 컨디셔너(112)에 의해 연질 연마 패드에 인가되는 아래 방향의 힘은 0.25psi 일 수 있다.In known soft polishing pad conditioning methods, no diamond conditioner is used, so that no downward force is applied to the soft polishing pad. In one embodiment, the downward force applied by the
알려진 연질 연마 패드 컨디셔닝 방법들에서, 다이아몬드 컨디셔너는 사용되지 않는다. 알려진 경질 연마 패드 컨디셔닝 방법들에서, 다이아몬드 컨디셔너는 최소한 10번 스위핑한다. 한 실시예에서, 다이아몬드 컨디셔너(112)는 연질 연마 패드를 가로질러 한 번 스위핑한다.In known soft polishing pad conditioning methods, a diamond conditioner is not used. In known hard polishing pad conditioning methods, the diamond conditioner sweeps at least 10 times. In one embodiment,
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 예시적인 연질 연마 패드(108)를 예시한다. 예시적인 연질 연마 패드(108)는 몇 개의 기공들(pores)을 포함하고 마일라(mylar) 또는 압축 가능한 우레탄 기판 상의, 기모형 포로메릭스-다공성(napped poromerics-porous) 우레탄 층들로 만들어질 수 있다. 대안적인 실시예에서, 예시적인 연질 연마 패드(108)는 폴리우레탄(polyurethane)으로 코팅된 얽힌 폴리에스테르(tangled polyester) 섬유들로 만들어진 연질 패드일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 예시적인 연질 연마 패드(108)는 미세한 다공성 탄성중합체(micro porous elastomer)가 함유된 섬유들의 펠트 시트(felt sheet) 일 수 있다. 또는, 예시적인 연질 연마 패드(108)는 폴리에스테르 섬유의 펠트 매트(felted mat)와 같은 섬유질 망상조직(fibrous network)으로 강화된 전형적으로 폴리우레탄인, 다공성의 열가소성 수지(porous thermoplastic resin) 매트릭스(matrix)일 수 있다. 적합한 연질 패드의 예는 델라웨어주의 윌밍톤의 로델 홀딩스(Rodel Holdings)에서 나오는 Politex®Series 연질 패드들 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 3 illustrates an exemplary
본 발명의 실시예들에 따른 연질 연마 패드(108)는, 다른 유형들의 연마 패드들 및 폴리우레탄 함유 펠트 연마 패드들과 비교되었을 때, 상대적으로 딱딱하고 압축성이 없는 미세한 다공성 폴리우레탄 연마 패드들을 포함하는, 알려진 경질 연마 패드들과는 구별될 것이다. 경질 패드들의 예들은 SUBA 1000 Series 연마 패드들 및 아리조나주의 피닉스의 로델(Rodel)에서 나오는 SUBA®Pads를 포함한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 컨디셔닝 암(110)의 작동을 예시한다. 연질 연마 패드(108)가 움직이고 웨이퍼(106)가 연마되고 있을 때, 컨디셔닝 암(110) (및 다이아몬드 컨디셔너(112))은 연질 연마 패드(108)의 주변에 인접한 위치(402)에 머무른다. 소정 개수의 웨이퍼들이 연질 연마 패드(108)에 의해 연마된 후, 또는 슬러리 및 다른 부스러기의 축적으로 인해 연마 레이트가 감소되었을 때, 컨디셔닝 암(110)은 베이스(107)에 의해 한쪽 끝에서 선회하고, 연질 연마 패드(108) 위로 내려지고, 위치(402)로부터 (가상선(phantom line)들로 도시되었듯이) 연질 연마 패드(108)의 표면을 가로질러 연질 연마 패드(108)의 주변의 다른 편에 인접한 제2 위치(406)로(또한 가상선들로 표시됨), 화살표들(408)로 표시된 호를 따라 스위핑된다. 4 illustrates the operation of a
도 5는 본 발명의 실시예를 따른 다이아몬드 컨디셔너(112)를 예시한다. 다이아몬드 컨디셔너(112)는 다이아몬드들(504)을 가진 베이스(502)를 포함한다. 베이스(502)는 임의의 적합한 강성(rigid) 기판이다. 다이아몬드들(504)은 인조 다이아몬드들, 천연 다이아몬드들 등일 수 있다. 5 illustrates a
다이아몬드들(504)은 화학 증기 증착법(chemical vapor deposition)(CVD)을 사용하여 베이스(502) 위에 배치될 수 있다. 또는, 다이아몬드들(504)은 베이스(502) 안에 내장될 수 있다. 예를 들면, 다이아몬드 컨디셔너(112)는 공지된 기술 또는 특허 기술들에 따라 다이아몬드 입자들을 강성 기판의 표면에 코팅된(coated) 니켈에 내장함으로써 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합을 사용하여 구현될 수 있다. 소프트웨어를 사용한 구현들에서, 소프트웨어는 (광학 디스크, 자기 디스크, 플로피 디스크 등과 같은) 컴퓨터 프로그램 제품 또는 (광학 디스크 드라이브, 자기 디스크 드라이브, 플로피 디스크 드라이브 등과 같은) 프로그램 저장 장치에 저장될 수 있다. Embodiments of the invention may be implemented using hardware, software, firmware, or a combination of hardware and software. In implementations using software, the software may be stored in a computer program product (such as an optical disk, magnetic disk, floppy disk, etc.) or a program storage device (such as an optical disk drive, magnetic disk drive, floppy disk drive, etc.).
본 발명의 예시된 실시예들에 대한 위의 설명은 본 발명을 총망라하거나 개시된 바로 그 형태로 한정하도록 의도되지 않는다. 관련 기술분야의 당업자들이 인식하듯이, 본 발명의 특정한 실시예들 및 예시들이 예시적인 목적을 위해 본원에 기술되었으나, 다양한 동등한 수정들이 본 발명의 범위 안에서 가능하다. 위의 상세한 설명의 견지에서 본 발명에 대해 그러한 수정들이 이루어질 수 있다. The above description of the illustrated embodiments of the invention is not intended to be exhaustive or to limit the invention to the precise form disclosed. As will be appreciated by those skilled in the art, specific embodiments and examples of the invention have been described herein for illustrative purposes, but various equivalent modifications are possible within the scope of the invention. Such modifications may be made to the invention in light of the above detailed description.
위의 설명에서, 특정한 공정들, 재료들, 장치들 등과 같은 수많은 특정한 세부사항들이 본 발명의 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 제시된다. 그러나 관련 기술분야의 당업자는 본 발명의 실시예들이 하나 또는 그 이상의 특정한 세부사항들 없이도, 또는 다른 방법들, 구성요소들 등과 함께 실시될 수 있다는 것을 인지할 것이다. 다른 경우들에서, 공지의 구조들 또는 작동들이 본 설명의 이해를 모호하게 하는 것을 피하기 위해 도시되지 않거나 상세하게 기술되지 않는다. In the above description, numerous specific details, such as specific processes, materials, devices, etc., are set forth in order to provide a thorough understanding of embodiments of the present invention. However, one skilled in the art will recognize that embodiments of the present invention may be practiced without one or more specific details or with other methods, components, and the like. In other instances, well-known structures or operations are not shown or described in detail to avoid obscuring the understanding of this description.
다양한 작동들이 본 발명의 실시예들을 이해하는데 가장 도움이 되는 방식으로 차례차례 수행되는 다수의 개별적인 작동들처럼 기술되었다. 그러나, 그들이 기술된 순서는 그러한 작동들이 반드시 순서에 의존하는 것임을 암시하거나 작동들이 제시된 순서로 수행된다는 것을 암시하는 것으로 해석되어서는 안 된다. Various operations have been described as a number of individual operations that are performed in turn in a manner that is most helpful in understanding embodiments of the present invention. However, the order in which they are described should not be construed to imply that such operations are necessarily order dependent or to imply that the operations are performed in the order presented.
본 명세서에 전체에 걸쳐 "하나의 실시예" 또는 "실시예"에 대한 언급은 해당 실시예와 연관되어 기술된 특정한 특징, 구조, 공정, 블록, 또는 특성이 본 발명의 적어도 한 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 그래서, 본 명세서의 다양한 곳에서의 "한 실시예에서" 또는 "실시예에서"라는 표현들의 출현은 반드시 모두 동일한 실시예를 언급하는 것은 아니다. 더욱이, 특정한 특징들, 구조들, 또는 특성들은 하나 또는 그 이상의 실시예들에서 임의의 적합한 방식으로 결합될 수 있다. Reference throughout this specification to “one embodiment” or “an embodiment” includes any specific feature, structure, process, block, or characteristic described in connection with the embodiment in at least one embodiment of the invention. It means. Thus, the appearances of the phrases "in one embodiment" or "in an embodiment" in various places in the specification are not necessarily all referring to the same embodiment. Moreover, certain features, structures, or characteristics may be combined in any suitable manner in one or more embodiments.
다음의 청구항들에서 사용된 용어들은 본 명세서 및 청구항들에 개시된 특정한 실시예들로 본 발명을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 오히려, 본 발명의 실시예들의 범위는 오로지 다음의 청구항들에 의해 결정되고, 확립된 청구항 해석주의들에 따라 해석되어야 한다. The terms used in the following claims should not be construed as limiting the invention to the specific embodiments disclosed in the specification and the claims. Rather, the scope of embodiments of the present invention is to be determined solely by the following claims and should be construed in accordance with established claim interpretations.
Claims (17)
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