KR100810457B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 기판을 지지하는 지지부재를 복수개 구비하는 공정챔버의 공정시, 상기 지지부재들이 설치되는 공정챔버 내 각각의 공간들을 구획하는 구획부재를 구비하여, 각각의 공간들의 배기를 독립적으로 수행한다. 또한, 상기 구획부재는 각각의 지지부재들에 인가되는 전력이 서로 간섭되지 않도록 상기 공간들을 구획한다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 각각의 공간들로 공급되는 가스의 간섭으로 인한 방전 현상 및 각각의 지지부재들에 인가되는 전력의 간섭으로 인한 방전 현상을 방지한다.

반도체, 기판, 애싱, 박리, 아킹, 방전, 바이어스 전력, 플라즈마, 리모트 플라즈마

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.

도 2는 도 1에 도시된 구획 부재의 사시도이다.

도 3은 도 1에 도시된 구획 부재의 분해 사시도이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*

1 : 기판 처리 장치

10 : 공정부

20 : 플라즈마 발생부

30 : 배기부

100 : 구획 부재

110 : 제1 구획벽

120 : 제2 구획벽

130 : 체결부

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.

일반적인 반도체 집적회로 칩 제조 공정은 포토레지스트(photoresist)를 사용하는 리소그래피(lithography) 공정을 포함한다. 포토레지스트는 빛에 감응하는 유기 고분자 또는 감광제와 고분자의 혼합물로 이루어진다. 리소그래피 공정은 기판상에 도포된 포토레지스트를 광원을 이용하여 기판상에 미세 패턴을 형성시키는 공정이다. 기판상에 라인(line) 또는 스페이스(space) 패턴 등과 같은 각종의 미세회로패턴들을 형성하거나 이온 주입(ion implantation) 공정에서 마스크(mask)로 이용된 포토레지스트는 주로 애싱(ashing) 공정을 통하여 기판으로부터 제거된다.

상술한 애싱 공정을 수행하는 장치는 공정챔버 및 플라즈마 생성부, 그리고 배기부를 포함한다. 공정챔버는 내부에 애싱 공정을 수행하는 공간을 가진다. 이때, 애싱 공정의 수율을 향상시키기 위해 공정 챔버의 내부 하측에는 복수의 척(chuck)(이하, '지지부재'라 함)들이 설치된다. 공정챔버의 내부 상측에는 공정시 각각의 지지부재에 안착된 기판의 처리면으로 플라즈마 및 공정가스를 분사시키는 샤워헤드(shower head)가 설치된다. 플라즈마 발생부는 플라즈마를 발생시켜 샤워헤드로 공급한다. 그리고, 배기부는 애싱 공정시 공정 챔버 내부의 압력 조절 및 반응 부산물의 배기를 위해 공정 챔버 내 가스를 외부로 배기한다.

그러나, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치는 애싱 공정시 아킹(arcing)(이하, '방전'이라 함) 현상이 발생된다. 방전 현상은 애싱 공정시 각각의 지지부재에 인가되는 전력이 특정 영역에서 간섭되거나 과부하되어 발생된다. 또 한, 방전 현상은 공정시 공정 챔버 내부로 공급된 플라즈마의 간섭에 의해서도 발생될 수 있다. 특히, 배기부 중 각각의 지지부재들의 사이에서 공정 챔버 내 공기를 배기시키는 부분은 각각의 지지부재에 인가되는 전력의 간섭 및 공정시 각각의 지지부재에 안착된 기판으로 공급된 각각의 플라즈마의 간섭이 집중되어 방전 현상이 자주 발생된다.

상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 방전 현상을 방지하여 공정 효율을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은 기판을 지지하는 지지부재들을 복수개 구비하는 장치에 있어서, 공정시 방전 현상을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 복수의 지지부재들 및 상기 지지부재들 각각에 전력을 인가하는 전력인가기를 구비하는 공정챔버, 상기 공정 챔버 내 공기를 배기시키는 배기부, 그리고 상기 전력이 인가된 상기 지지부재들 상호간에 전력 간섭이 이루어지지 않도록 상기 지지부재들이 설치되는 공간들을 구획하는 제1 구획벽을 가지는 구획부재를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기부는 상기 지지부재들 사이에서 상기 공정챔버 내 상기 공간들 내 가스를 배기하도록 상기 공정챔버와 연결되는 공통 배기관을 포함하고, 상기 구획부재는 상기 공간들 각각으로 공급된 가스가 상기 공통 배기관을 통해 독립적으로 분리배기되도록 상기 배기관 내부를 구획하는 제2 구획벽을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구획부재는 상기 제1 구획벽 및 상기 제2 구획벽 사이에서 상기 공정챔버 또는 상기 배기관과 체결가능하도록 제공되는 체결부를 더 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 체결부는 원반형상을 가지고, 하부면 가장자리 일부는 상기 배기관에 안착되어 결합되며, 상기 공간들로부터 상기 배기관으로 플라즈마가 배출되는 배출홀들이 형성된다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구획부재의 재질은 절연체이다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판을 지지하는 지지부재를 복수개 가지는 공정 챔버, 상기 지지부재들 사이에서 상기 지지부재들이 설치되는 상기 공정 챔버 내부 공간들 모두에서 가스를 배기시키는 공통 배기관을 구비하는 기판 처리 장치를 사용하여 공정을 수행하되, 상기 공간들은 각각 구획되며, 상기 공간들 내 가스는 서로 독립적으로 상기 공통 배기관을 통해 분리배기된다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 플라즈마를 발생시켜 상기 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 생성부를 더 포함하여 애싱공정을 수행한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공간들의 구획 및 상기 공간들 내 가스의 분리배기는 상기 공간들 사이에 배치되어 상기 공간들을 구획시키는 구획부재에 의 해 이루어진다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지부재들 각각에는 전력이 인가되되, 전력이 인가된 상기 지지부재들 상호간에는 상기 구획부재에 의해 전력 간섭이 이루어지지 않는다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판을 지지하며 공정시 전력을 인가받는 지지부재를 복수개를 구비하는 공정챔버 및 플라즈마를 생성하여 공정시 상기 지지부재들이 설치되는 상기 공정 챔버 내 공간들로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 생성부, 그리고 상기 공정챔버 내부로 공급된 플라즈마를 배기시키는 배기부를 사용하여 기판을 처리하되, 상기 공간들로 공급된 각각의 플라즈마는 상기 배기부로 분리배기되고, 상기 각각의 지지부재들에 의해 인가된 전력은 상기 지지부재들 상호간에 차단되어 애싱 공정을 수행한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플라즈마의 분리배기 및 상기 지지부재들 상호간의 전력 차단은 상기 공간들을 구획시키는 구획부재에 의해 이루어지되, 상기 구획부재는 상기 플라즈마가 배기되는 배기관 내부까지 연장된다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 플라즈마를 생성하여 반도체 기판상에 애싱 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 복수의 웨이퍼를 동시에 처리하는 모든 반도체 제조 장치에 적용이 가능하다.

(실시예)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(1)는 공정처리부(process treating member)(10), 플라즈마 생성부(plasma generating member)(20), 그리고 배기부(exhaust member)(30)를 포함한다. 공정처리부(10)는 기판 처리 공정을 수행한다. 이때, 상기 기판 처리 공정은 애싱 공정일 수 있다. 플라즈마 생성부(20)는 애싱 공정시 사용되는 플라즈마를 생성하여 공정처리부(10)로 공급한다. 그리고, 배기부(30)는 공정처리부(10)의 배기를 수행한다.

공정처리부(10)는 하우징(housing)(12), 척(chuck)(이하, '지지부재'라 함)(14), 샤워헤드(shower head)(16), 그리고, 전력인가기(power supply part)(18)를 포함한다. 하우징(12)은 내부에 애싱 공정(ashing process) 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(12)의 내부는 공정시 두 개의 기판(W)을 동시에 처리할 수 있는 구조를 가진다. 즉, 하우징(12) 내부 공간은 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)으로 구획된다. 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 각각은 공정시 수용된 낱장의 기판(W)상에 애싱 공정이 수행되는 공간이다. 하우징(12)의 측벽에는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판출입구(12a)가 형성된다(제2 공간(b)으로의 기판출입구는 미도시됨). 기판출입구(12a)는 슬릿도어(slit door)와 같은 개폐부재에 의해 개폐된다. 그리고, 하우징(12)의 하부벽에는 하우징(12) 내 공기가 배기되는 배기구(12a)가 제공된다. 배기구(12a)는 지지부재(14)의 주변에 형성되며, 후술할 배기부(30)와 연결된다.

지지부재(supporter)(14)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 지지부재(14)는 제1 공간(a)에 설치되는 제1 지지부재(14a) 및 제2 공간(b)에 설치되는 제2 지지부재(14b)를 포함한다. 제1 및 제2 지지부재(14a, 14b)로는 정전척(electrode chuck)이 사용될 수 있다. 또한, 지지부재(14)는 공정시 기판(W)을 안착시켜 기설정된 공정온도로 가열한다. 이를 위해, 지지부재(14)는 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 위한 리프트 핀(lift pin)들 및 적어도 하나의 히터(heater)를 포함한다. 샤워헤드(16)는 공정시 하우징(12) 내부로 플라즈마(plasma)를 분사한다. 샤워헤드(16)는 하우징(12)의 상부벽에 설치된다. 샤워헤드(16)는 제1 헤드(16a) 및 제2 헤드(16b)를 포함한다. 제1 헤드(16a)는 제1 지지부재(14a)의 상부면을 향해 플라즈마를 분사하고, 제2 헤드(16b)는 제2 지지부재(14b)의 상부면을 향해 플라즈마를 분사한다. 전력인가기(18)는 지지부재(14)에 전력을 인가한다. 즉, 전력인가기(18)는 제1 지지부재(14a) 및 제2 지지부재(14b) 각각에 기설정된 크기의 바이어스 전력을 인가한다.

플라즈마 생성부(20)는 공정시 플라즈마를 발생시켜 샤워헤드(16)로 공급한다. 플라즈마 생성부(20)로는 원격 플라즈마 발생장치(remote plasma generating apparatus)가 사용된다. 즉, 플라즈마 생성부(20)는 마그네트론(magnetron)(22), 도파관(wave guide line)(24), 그리고 가스 공급관(gas supply line)(26)을 포함한다. 마그네트론(22)은 공정시 플라즈마 생성을 위한 마이크로파(micro wave)를 발 생시킨다. 도파관(24)은 마그네트론(22)에서 생성된 마이크로파를 가스 공급관(26)으로 유도한다. 가스 공급관(26)은 공정시 반응 가스를 공급한다. 이때, 가스 공급관(26)을 통해 공급받은 반응가스는 마그네트론(22)에서 생성된 마이크로파에 의해 플라즈마가 발생된다. 플라즈마 생성부(20)에서 생성된 플라즈마는 애싱 공정시 공정 챔버(10)의 샤워헤드(14)로 공급된다.

배기부(30)는 공정챔버(10)의 압력 조절 및 내부 공기의 배기를 수행한다. 배기부(30)는 배기관(32) 및 감압부재(34)를 포함한다. 배기관(32)은 공정챔버(10) 내부 가스를 외부로 배기시킨다. 배기관(32)은 독립 배기관(32a), 공통 배기관(32b), 그리고 통합 배기관(32c)을 포함한다. 독립 배기관(32a)은 도면에 도시된 바와 같이, 제1 지지부재(14a)와 제2 지지부재(14b)의 사이를 제외한 영역으로부터 제1 및 제2 공간(a, b) 내 가스를 각각 독립적으로 배기하도록 하우징(12)의 하부벽와 연결된다. 공통 배기관(32b)은 제1 지지부재(14a)와 제2 지지부재(14b)의 사이 영역으로부터 제1 및 제2 공간(a, b) 내 가스를 모두 배기하도록 하우징(12)의 하부와 연결된다. 그리고, 통합 배기관(32c)은 하우징(12)의 외부에서 독립 배기관(32a) 및 공통 배기관(32b)을 통합하여, 독립 배기관(32a) 및 공통 배기관(32b)으로부터 배기되는 가스를 배출시킨다. 감압부재(34)는 통합 배기관(32c)에 설치된다. 감압부재(34)는 하우징(12) 내부 압력을 감압하도록 제1 및 제2 공간(a, b) 내 가스를 강제로 흡입한다. 감압부재(34)로는 진공펌프(vacuum pump)가 사용될 수 있다.

계속해서, 본 발명에 따른 구획부재(100)에 대해서 상세히 설명한다. 도 2는 도 1에 도시된 차단 부재의 사시도이고, 도 3은 도 1에 도시된 차단 부재의 분해 사시도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 구획부재(division member)(100)는 제1 구획벽(first division wall)(110), 제2 구획벽(second division wall)(120), 그리고, 체결부(conclusion part)(130)를 포함한다. 제1 구획벽(110)은 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)을 구획한다. 제1 구획벽(110)은 제1 지지부재(14a) 및 제2 지지부재(14b) 사이에 하우징(12)을 상하로 수직하게 설치된다. 제2 구획벽(120)은 공통 배기관(32b) 내부를 구획한다. 제2 구획벽(120)은 공통 배기관(32b)에 삽입되어, 공통 배기관(32b) 내부에서 상하로 수직하게 설치된다. 제2 구획벽(120)은 배기구(12a)로부터 공통 배기관(32b)이 통합 배기관(32c)과 연결되는 부분까지 연장되는 것이 바람직하다. 여기서, 제2 구획벽(120)은 최소한 배기구(12b)로부터 공통 배기관(32b)까지 대략 50mm 내지 200mm까지는 연장되는 것이 바람직하다. 만약, 제2 구획벽(120)의 배기구(12b)로부터의 연장길이가 500mm이하이면, 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 내 가스의 분리배기가 완전히 이루어지지 않을 수 있다. 상술한 구조의 제2 구획벽(120)에 의해 공통 배기관(32b) 내부는 제1 배출공간(c) 및 제2 배출공간(d)으로 구획된다. 제1 배출공간(c)은 제1 공간(a)으로부터 배기되는 가스를 배출시키는 공간이고, 제2 배출공간(d)은 제2 공간(b)으로부터 배기되는 가스를 배출시키는 공간이다.

체결부(130)는 제1 구획벽(110)과 제2 구획벽(120)이 하우징(12) 또는 제2 배기관(32b)에 체결하기 위해 제공된다. 체결부(130)는 제1 구획벽(110)과 제2 구획벽(120) 사이에 제공된다. 체결부(130)는 대체로 원반형상을 가진다. 체결부(130)의 하부면 가장자리 일부는 공통 배기관(32b)의 안착면(32b')에 안착되어 고정된다. 체결부(130)는 복수의 배출홀들을 가진다. 예컨대, 체결부(130)는 제1 배출홀(132a) 및 제2 배출홀(132b)을 가지는 배출홀(132)이 형성된다. 제1 배출홀(132a)은 제1 공간(a) 내 공기가 공통 배기관(32b)으로 배출되기 위한 개구이고, 제2 배출홀(132b)은 제2 공간(b) 내 공기가 공통 배기관(32b)으로 배출되기 위한 개구이다. 따라서, 공정 진행시 제1 공간(a) 내 공기는 제1 배출홀(132a)을 통해 제1 배출공간(c)으로 배출되며, 제2 공간(b) 내 공기는 제2 배출홀(132b)을 통해 제2 배출공간(d)으로 배출된다. 이때, 배출홀(132)의 형상 및 개수, 그리고 배치는 다양하게 변형 및 변경이 가능하다.

상술한 구획부재(100)는 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)의 분리배기를 위해 제공된다. 또한, 구획부재(100)는 제1 지지부재(14a)에 인가되는 전력과 제2 지지부재(14b)에 인가되는 전력이 서로 영향을 받지 않도록 제1 공간(a) 및 제2 공간(b)을 구획한다. 따라서, 구획부재(100)의 재질은 절연체인 것이 바람직하다.

본 실시예에서는 구획부재(100)의 제1 및 제2 구획벽(110, 120), 그리고 체결부(130)가 일체형으로 제작되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 구획부재(110)의 제1 및 제2 구획벽(110, 120), 그리고 체결부(130)는 서로 분리가능하도록 제작될 수 있다. 또는, 구획부재(100)의 제1 구획벽(110)은 하우징(12)에 고정설치되고, 제2 구획벽(120)은 제2 배기관(32b)에 고정설치되어 기판 처리 장치(1)의 결합시 서로 체결되어 구획부재(100)의 조립이 완성되도록 구비될 수도 있다.

이하, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치(1)의 공정 과정을 상세히 설명 한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.

기판 처리 장치(1)의 공정이 개시되면, 기판들(W)은 기판 출입구(12a)를 통해 제1 지지부재(14a) 및 제2 지지부재(14b)에 각각 로딩(loading)된다. 기판(W)이 로딩되면, 기판(W)은 지지부재(14)에 의해 기설정된 공정온도로 가열된다. 그리고, 전력인가기(18)는 제1 및 제2 지지부재(14a, 14b) 각각에 바이어스 전력을 인가한다. 또한, 감압부재(34)는 하우징(12) 내부 공기를 강제흡입하여, 하우징(12) 내부 압력을 기설정된 압력으로 감압한다. 이때, 공정 챔버(10) 내 공정 압력은 최대 1200mTorr이고, 지지부재(14)에 인가되는 바이어스 전력은 최대 500Watt일 수 있다. 만약, 공정 압력이 1200mTorr를 초과하거나, 바이어스 전력이 500Watt를 초과하면, 공정시 공정 챔버(10) 내부에 방전현상이 발생될 수 있다.

하우징(12) 내부 공정 압력 및 온도 등의 공정 조건이 기설정된 조건을 만족하면, 플라즈마 생성부(30)는 플라즈마를 생성하여 공정챔버(10)로 공급하고, 배기부(30)는 공정챔버(10) 내부 압력이 일정압력을 유지시킨다. 즉, 플라즈마 생성부(30)의 마그네트론(22)은 마이크로파를 발생시키고, 도파관(24)은 가스공급관(26)을 통해 샤워헤드(16)로 공급되는 공정가스로 마이크로파를 인가시켜 플라즈마를 발생시킨다. 그리고, 플라즈마가 샤워헤드(16)를 통과할 때, 플라즈마 내 전자 또는 이온 등과 같은 하전 입자는 접지(ground)된 금속 재질의 샤워헤드(16)에 의해 갇히고, 산소 라디칼 등과 같은 전하를 띄지 않는 중성입자들만 샤워헤드(16)를 통해 기판(W)으로 공급된다. 이러한 산소 플라즈마는 기판(W) 표면에 잔류하는 레지스트를 제거한다.그리고, 배기부(30)는 하우징(12) 내부로 공급된 플라즈마 및 공정가스를 일정 유량으로 배기시켜, 하우징(12) 내부 압력을 유지한다. 기판(W) 표면에 레지스트가 제거되면, 기판(W)은 지지부재(14)로부터 언로딩(unloading)된 후 기판 출입구(12a)를 통해 공정챔버(10)로부터 반출된다.

상술한 기판(W) 표면의 레지스트 제거 공정(애싱 공정)이 수행되는 과정에서, 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 각각의 배기는 독립적으로 이루어진다. 즉, 제1 공간(a) 내 플라즈마 및 공정가스는 구획부재(100)에 의해 공통 배기관(32b) 내 제1 배출공간(c)으로 배기되고, 제2 공간(b) 내 플라즈마 및 공정가스는 구획부재(100)에 의해 공통 배기관(32b) 내 제2 배출공간(d)으로 배기된다. 따라서, 제1 공간(a)과 제2 공간(b)으로 공급된 가스는 서로 혼합되지 않는다. 따라서, 종래의 제1 공간(a) 및 제2 공간(b) 내 플라즈마의 간섭으로 인한 방전현상을 방지한다. 또한, 구획부재(100)는 제1 지지부재(14a)와 제2 지지부재(14b) 각각에 인가된 바이어스 전력이 서로 영향으로 받지 않도록 구획한다. 따라서, 종래에 바이어스 전력이 인가된 제1 및 제2 지지부재(14a, 14b) 상호간에는 전력의 간섭이 이루어지지 않으므로, 지지부재들(14a, 14b)에 인가된 전력의 간섭으로 인한 방전현상이 방지된다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 방전 현상을 방지하여 공정 효율을 향상시킨다. 특히, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 기판을 지지하는 지지부재를 복수개 구비하는 공정챔버의 공정시, 각각의 지지부재들의 사이에서 각각의 지지부재들이 설치되는 공간들의 가스 간섭 및 각각의 지지부재들에 인가되는 전력의 간섭으로 인한 방전 현상을 방지한다.

Claims (9)

1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,

   기판을 지지하는 복수의 지지부재들 및 상기 지지부재들 각각에 전력을 인가하는 전력인가기를 구비하는 공정챔버와,

   상기 공정 챔버 내 공기를 배기시키는 배기부, 그리고

   상기 전력이 인가된 상기 지지부재들 상호간에 전력 간섭이 이루어지지 않도록 상기 지지부재들이 설치되는 공간들을 구획하는 제1 구획벽을 가지는 구획부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 배기부는,

   상기 지지부재들 사이에서 상기 공정챔버 내 상기 공간들 내 가스를 배기하도록 상기 공정챔버와 연결되는 공통 배기관을 포함하고,

   상기 구획부재는,

   상기 공간들 각각으로 공급된 가스가 상기 공통 배기관을 통해 독립적으로 분리배기되도록 상기 배기관 내부를 구획하는 제2 구획벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 구획부재는,

   상기 제1 구획벽 및 상기 제2 구획벽 사이에서 상기 공정챔버 또는 상기 배기관과 체결가능하도록 제공되는 체결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 체결부는,

   원반형상을 가지고, 하부면 가장자리 일부는 상기 배기관에 안착되어 결합되며, 상기 공간들로부터 상기 배기관으로 플라즈마가 배출되는 배출홀들이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 구획부재의 재질은,

   절연체인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
6. 기판을 지지하는 지지부재를 복수개 가지는 공정 챔버, 상기 지지부재들 사이에서 상기 지지부재들이 설치되는 상기 공정 챔버 내부 공간들 모두에서 가스를 배기시키는 공통 배기관을 구비하는 기판 처리 장치를 사용하여 공정을 수행하되, 상기 공간들은 각각 구획되며, 상기 공간들 내 가스는 서로 독립적으로 상기 공통 배기관을 통해 분리배기되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 기판 처리 장치는,

   플라즈마를 발생시켜 상기 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 생성부를 더 포함하여 애싱공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,

   상기 공간들의 구획 및 상기 공간들 내 가스의 분리배기는,

   상기 공간들 사이에 배치되어 상기 공간들을 구획시키는 구획부재에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 지지부재들 각각에는 전력이 인가되되, 전력이 인가된 상기 지지부재들 상호간에는 상기 구획부재에 의해 전력 간섭이 이루어지지 않는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.

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