KR100805930B1 - 반도체 제조 공정을 위한 전구체 증기압 측정장치 및 방법 - Google Patents

반도체 제조 공정을 위한 전구체 증기압 측정장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100805930B1
KR100805930B1 KR1020060094363A KR20060094363A KR100805930B1 KR 100805930 B1 KR100805930 B1 KR 100805930B1 KR 1020060094363 A KR1020060094363 A KR 1020060094363A KR 20060094363 A KR20060094363 A KR 20060094363A KR 100805930 B1 KR100805930 B1 KR 100805930B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sample
precursor
pressure measuring
valve
pressure
Prior art date
Application number
KR1020060094363A
Other languages
English (en)
Inventor
윤주영
강상우
성대진
신용현
Original Assignee
한국표준과학연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국표준과학연구원 filed Critical 한국표준과학연구원
Priority to KR1020060094363A priority Critical patent/KR100805930B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100805930B1 publication Critical patent/KR100805930B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 전구체 시료의 석출 및 탈기를 제어하도록 단열 격벽체로 격리된 내실에 등압유지 챔버 및 압력 측정부를 설치한 구조를 포함하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치 및 방법에 관한 것으로,
전구체 시료가 담긴 시료용기; 상기 시료용기에 관연결되는 압력 측정부; 상기 시료가 증발되어 압력 측정부로 유입될 수 있도록 밸브 및 등압유지챔버로 구성되고, 기본 진공유지 및 오염원 제거를 위한 등압유지챔버에 연결된 메인 펌핑부를 포함하고; 상기 측정과정중 시료의 분해상태를 모니터링하기 위해 상기 시료용기에 부착되는 센서를 더 포함하며; 상기 센서의 센싱신호를 기초로 전구체의 분해상태를 체크하여 일정기준치 이상의 분해상태에 도달할 경우 메인 펌프의 작동을 중지시키도록 지령을 내리는 퍼지기체 및 센서 제어부를 포함하여 이루어지며; 상기 시료 용기 및 압력 측정부는, 유동 위치에 관계없이 상기 시료의 항온이 유지되도록 단열 격벽체의 내실에 밀봉/배치되는 것이 특징이다.
전구체, 반도체, 증착법, 박막, 증기압, 측정장치

Description

반도체 제조 공정을 위한 전구체 증기압 측정장치 및 방법{A Precursor Vapor Pressure Measuring Device For Semiconductor Manufacturing Process and Method Thereof}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치의 구성도,
도 2는 도 1에 도시된 측정장치를 사용하여 전구체의 증기압을 측정하는 방법에 관한 순서도이다.
* 도면의 주요부분에 관한 부호의 설명 *
100: 시료용기, 110: 센서, 200: 등압유지 챔버,
300: 압력 측정부, 400: 보조 펌핑부, 410: 보조 펌프,
420: 보조 밸브, 500: 메인 제어부, 600: 단열 격벽체,
710: 제 1밸브, 720: 제 2밸브, 800: 오염원 제거부,
810: 메인 펌프, 820: 퍼지기체 및 센서 제어부,
830: 부설밸브,
본 발명은 화학 증착법에 이용되는 전구체의 증기압을 측정하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전구체 시료의 석출 및 탈기를 제어하도록 단열 격벽체로 격리된 내실에 등압유지 챔버 및 압력 측정부를 설치한 구조를 포함하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 전구체는 반도체 제조공정을 위한 화학 증착법에서 이용되고 있다. 이러한 전구체는 동일한 물질이더라도 조건에 따라 증착 공정상 서로 다른 거동이 나타나기 마련이다.
특히 동일한 전구체 화합물이더라도 조건에 따라 증기압이 서로 다르게 나타나는데, 이럴 경우 일정한 원료가 투입되더라도 증착되는 박막에 질적 차이가 발생할 수 있다.
그런데 이와 같은 반도체 제조 공정에서, 소자의 집적화가 높아질 경우 3차원 배선구조를 이루게 되는 등 그 구조가 매우 복잡하게 되므로, 보다 우수한 박막의 질적 특성을 요구하게 된다.
또한 박막의 질적 특성은, 이후의 노광 및 배선 공정에 영향을 주게 되는바, 박막의 질적 특성이 저하될 경우 반도체 정밀도 저하는 물론 생산수율의 감소와 생산비용의 증가 원인이 될 수 있다.
따라서 박막의 질적 특성을 높이기 위한 기술이 필요한바, 이를 위해 서로 다른 증기압 차이를 나타내는 당해 전구체의 증기압을 화학 증착법의 시행 전에 정확히 측정해야 한다.
하지만 전구체의 대부분은 공기 중에 노출될 경우 인화되는 특성이 있어 다 루기가 어렵고, 반응 부산물 등에 의해 장비가 오염되는 경우가 빈번하다. 따라서 전구체를 이용한 화학 증착법 이전에 손쉽게 전구체의 증기압을 측정하기 위한 장치 및 방법이 부재한 문제점이 있다.
이에 따라 반도체 및 디스플레이 제조 공정과 같이 진공 기술과 박막 증착공정이 사용되는 산업에서 전구체의 열역학적 기초 데이터의 구축이 부재한 실정이고, 특히 증기압에 관한 측정 데이터는 전무한 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 본 발명의 제 1 목적은, 항온 유지 및 등압 유지로 온도 변화에 따른 석출 및 유동과정에서의 탈기를 제어/방지할 수 있도록 등압유지 챔버를 시료용기와 압력 측정부 사이에 설치하고 항온 격벽체의 내실에 밀봉/배치한 구조를 포함하는 반도체 제조 공정을 위한 전구체 증기압 측정장치를 제공하는 것이다.
그리고 본 발명의 제 2 목적은, 오염원의 제거를 위해 당해 측정이 이루어지는 부위로 별도의 펌프 및 퍼지제어 구조를 연결시켜 측정 이후 전구체 배기를 조절하는 구조를 포함하는 반도체 제 조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 수단으로,
본 발명은 전구체 시료가 담긴 시료용기; 상기 시료용기에 관연결되는 압력 측정부; 상기 시료가 증발되어 압력 측정부로 유입될 수 있도록 밸브 및 등압유지챔버로 구성되고, 기본 진공유지 및 오염원 제거를 위한 등압유지챔버에 연결된 메 인 펌핑부를 포함하고; 상기 측정과정중 시료의 분해상태를 모니터링하기 위해 상기 시료용기에 부착되는 센서를 더 포함하며; 상기 센서의 센싱신호를 기초로 전구체의 분해상태를 체크하여 일정기준치 이상의 분해상태에 도달할 경우 메인 펌프의 작동을 중지시키도록 지령을 내리는 퍼지기체 및 센서 제어부를 포함하여 이루어지며; 상기 시료 용기 및 압력 측정부는, 유동 위치에 관계없이 상기 시료의 항온이 유지되도록 단열 격벽체의 내실에 밀봉/배치되는 것이 특징이다.
또한, 상기 시료의 측정 이후 잔류하는 오염원의 제거를 위해, 상기 등압유지 챔버에 관연결되어 상기 오염원을 펌핑하도록 상기 등압유지 챔버에 관연결되며, 퍼지기체 및 센서 제어부의 제어명령에 따라 작동되는 부설펌프가 더 포함되는 것이 특징이다.
또한, 상기 압력 측정부와 등압유지 챔버 사이에는 보조 펌프와 보조 밸브로 이루어지는 보조 펌핑부를 더 포함하여 이루어짐이 특징이다.
또한, 상기 센서는, 초음파 센싱구조, 자외선 센싱구조, 적외선 센싱구조중 선택된 어느하나인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치.
또한, 본 발명을 실현하기 위한 방법으로서, 등압유지챔버와 연결된 제 1 밸브 및 제 2 밸브를 모두 열고, 메인 펌프를 작동시켜 최대 기본압력이 발생하도록 하는 단계(S1000)와; 제 1 밸브를 닫도록 지령하여 압력의 변화가 없는 등압상태가 되도록 소정시간동안 기다리는 단계(S2000)와; 이후 전구체의 증기압력이 평행이 될때까지 기다린뒤 이때의 포화증기압력을 압력측정부에서 측정하는 단 계(S3000)와; 측정이 끝나면, 부설밸브를 구동하여 관연결부위내 오염원을 제거하고, 필요시 보조펌프 및 보조밸브를 열어 압력 측정부 주위의 오염원을 제거하는 단계(S4000)으로 이루어짐이 특징이다.
본 발명의 그 밖의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 분명해질 것이다.
이하에서는 본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치에 관하여 첨부되어진 도면과 더불어 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치의 구성도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 증기압 측정장치는 항온유지 및 등압 유지로 온도변화에 따른 시료 석출 및 탈기를 제어하도록 시료용기(100)와 압력 측정부(300)가 단열 격벽체(600)의 내실에 밀봉되고, 시료용기(100)와 압력 측정부(300)의 사이에 등압유지 챔버(200)가 연결되어 있는 구조를 포함한다.
이러한 증기압 측정장치에서, 중간에 둥근 형상으로 배치된 것이 등압유지 챔버(200)이다. 그리고 이러한 등압유지 챔버(200)의 우측에 관연결되어 있는 것이 압력 측정부(300)이고, 제 2밸브(720)를 사이에 두고 관연결되어 있는 것이 시료용기(100)이다. 그리고 이러한 시료용기(100)의 측부에 설치된 것이 센서(110)이다.
여기서 시료용기(100)는 압력 측정의 대상인 전구체가 담긴 것으로, 관연결 을 통해 등압유지 챔버(200) 및 압력 측정부(300)에 연결되어 있다.
그리고 등압유지 챔버(200)는, 제 1밸브(710) 및 제 2밸브(720)가 열려 시료가 관연결 부위를 통해 배출될 경우 발생되는 전구체의 미소한 탈기로 인하여 시간에 따라 압력의 변화가 발생하는 것을 방지하기 위한 것으로, 일정한 직경의 관연결 부위에 비해 상대적으로 큰 용적을 갖고 있는 구조이다.
따라서 전구체의 미소한 탈기로 압력 저하 등 변화가 발생할 경우 등압유지 챔버(200)의 용적 즉 전구체가 담긴 용적이 상대적으로 크므로 미소한 탈기에 따른 부족분이 보충되어 전반적인 압력 변화가 발생하는 것이 방지될 수 있는 구조가 마련된다.
이와 같이 제 1밸브(710) 및 제 2밸브(720)가 모두 열릴 경우, 시료는 시료용기(100)로부터 나오게 된다.
이러한 보조 펌핑부(400)는, 시료용기(100)로부터 시료가 펌핑되어 보다 원활하게 배출될 수 있도록 보조 펌프(410)와 보조 밸브(420)로 구성되어 있다. 이에 따라 보조 펌프(410)의 펌핑력이 장치내의 오염원의 원할한 배출을 강제하게 되고, 보조 밸브(420)의 개방으로 실험후 관내벽 등의 잔존 오염입자가 원할하게 배출될 수 있는 구조가 마련될 수 있다. 즉, 오염원 제거부(800)만 갖고 제거하기 힘든 등압유지챔버(200)나 압력 측정부(300) 내부의 오염입자 제거를 보조한다.
여기서 시료용기(100), 제 1밸브(710), 제 2밸브(720), 등압유지 챔버(200), 압력 측정부(300) 등과 같은 주요 구성요소들은, 단열 격벽체(600)의 내실에 밀폐/설치되는바, 이에 따라 관연결 부위를 통해 유동하는 시료의 항온이 견지되어 시료 의 석출이 제어/방지될 수 있는 구조가 마련된다.
아울러 시료용기(100)의 측부에 부착된 것은 초음파 센싱구조, 적외선 센싱구조, 자외선 센싱구조 중 하나를 취하는 센서(110)로서, 제어부에 전기적으로 연결되어 시료용기(100)에 담긴 전구체의 분해정도를 센싱하게 되는바, 이러한 전구체의 분해는 측정오차를 유발하므로 센서(110)의 부착 구조는 전구체의 분해정도를 센싱하고 이를 모니터링할 수 있는 구조를 마련하게 된다.
이와 같이 센서(110)가 센싱하는 신호는 곧바로 퍼지기체 및 센서 제어부(820)로 전송되어 퍼지기체 및 센서 제어부(820)에서는 센싱신호를 기초로 전구체의 분해상태를 체크하여 일정기준치 이상의 분해상태에 도달할 경우 측정을 중단시키는 지령을 내릴수도 있다.
한편, 등압유지 챔버(200)의 좌측으로, 제 1밸브(710) 측에 관연결되어 있는 것이 오염원 제거부(800)이다. 이러한 오염원 제거부(800)는, 측정 이후 관연결 부위 및 압력 측정부(300)에 잔류하는 전구체가 오염원으로 작용하는 것을 방지하도록 구비된 것이다.
여기서 오염원 제거부(800)는, 단열 격벽체(600)를 통과하여 등압유지 챔버(200)에 관연결되는 메인 펌프(810)와, 메인 펌프(810)의 근방에 관연결된 부설밸브(830)와, 퍼지기체 및 센서 제어부(820)로 구성된다.
상기 퍼지기체 및 센서 제어부(820)는 측정의 종료에 따른 신호를 인가받아 부설 밸브(830)의 작동을 지시하며, 이러한 오염원 제거부(800)의 역할에 따라서 측정 이후 관연결 부위에 잔류하는 전구체가 오염원으로 기능하는 것을 방지할 수 있게 된다.
참고로, 퍼지란 배관이나 플랜트 설비 등을 이상사태나 유지 보수 등의 이유로 인하여 운전을 정지하고 내부에 함유하고 있는 가연성 또는 독성가스를 다른 설비에 이송, 방출하고 남은 잔류 함유물이 산화 또는 반응폭주를 일으키지 않도록 안정된 기체로 중화처리를 해야하며, 이때 설비나 용기 내부의 함유물을 화학적 또는 물리적 반응을 일으키지 않는 기체로 중화처리하는 것을 불활성화 또는 퍼지(Purge)라 하며 이때 사용되는 가스를 퍼지가스(Purge Gas)라 한다.
본 발명에서는 반도체용 전구체들이 시스템내의 내벽에 존재하는 오염원을 오염원 제거부(800)인 퍼지장치를 이용하여 제거토록 하는바, 퍼지기체 및 센서 제어부(820)의 제어하에 부설밸브(830)를 구동하여 불활성 기체를 시스템내로 흐르게 한 후 불황성 기체의 제공 시간과 횟수등을 조절하여 측정시스템 내부의 오염원을 제거토록 한다.
도 2는 도 1에 도시된 측정장치를 사용하여 전구체의 증기압을 측정하는 방법에 관한 순서도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 증기압 측정장치를 사용하여, 다음과 같은 방법으로 전구체 시료의 증기압을 측정할 수 있다.
우선 메인 제어부(500)의 지령을 통해 등압유지 챔버(200)에 관연결된 제 1밸브(710) 및 제 2밸브(720)를 모두 열고, 메인 펌프(810)를 작동시켜 최대 기본 압력이 발생하도록 하는 단계.(S1000)
그리고 제 1밸브(710)를 닫도록 지령하여 압력의 변화가 없는 등압 상태가 될 수 있도록 소정시간 동안 기다리는 단계.(S2000)
이후, 전구체의 증기압력이 평형이 될때까지 기다린 뒤 제 2밸브(720)를 열어 샘플의 증기가 출력되도록 하여 이때의 포화증기압력을 압력 측정부(300)에서 측정하는 단계.(S3000)
측정이 끝나면 부설밸브(830)를 구동하여 관연결부위 내 오염원을 제거하도록 하고, 필요시 보조밸브(420)를 열고 보조펌프(410)를 가동하여 압력 측정부 주위의 오염원을 제거하는 단계.(S4000)
이 같은 본 발명에 따른 측정장치의 작동방법에 따라 전구체 시료의 증기압이 측정될 수 있으며, 더불어 측정 이후 오염원의 제거가 이루어질 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치에서, 센서(110)로부터 송출되는 송출신호에 근거하여 경고 알람을 음향 또는 램프 불빛 등으로 송출하여 작업자가 인지하도록 하는 구조도 본 발명에 포함될 수 있다.
이상과 같은 본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치에 의하면, 온도변화에 따른 전구체 석출 및 전구체의 미소 탈기에 따른 압력 변화의 가능성을 현저하여 줄여 보다 정확한 증기압을 측정할 수 있는 특징이 있다. 이에 따라 획득/구축되는 증기압 관련 열역학적 데이터는 화학 증착법을 사용하는 반도체 제조공정 등에서 유용하게 활용할 수 있도록 하는데 역할할 수 있는 장점이 있다.
그리고 오염원의 제거로 반복적으로 측정하여도 오차 범위를 줄일 수 있는 효과가 있고, 또한 전구체의 분해상태의 모니터링이 가능한 효과가 있다.
비록 본 발명이 상기에서 언급한 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 본 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다른 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 첨부된 청구의 범위는 본 발명의 진정한 범위 내에 속하는 그러한 수정 및 변형을 포함할 것이라고 여겨진다.

Claims (5)

  1. 전구체 시료가 담긴 시료용기;
    상기 시료용기에 관연결되는 압력 측정부;
    상기 시료가 증발되어 압력 측정부로 유입될 수 있도록 밸브 및 등압유지챔버로 구성되고, 기본 진공유지 및 오염원 제거를 위한 등압유지챔버에 연결된 메인 펌핑부를 포함하고;
    상기 측정과정중 시료의 분해상태를 모니터링하기 위해 상기 시료용기에 부착되는 센서를 더 포함하며;
    상기 센서의 센싱신호를 기초로 전구체의 분해상태를 체크하여 일정기준치 이상의 분해상태에 도달할 경우 메인 펌프의 작동을 중지시키도록 지령을 내리는 퍼지기체 및 센서 제어부를 포함하여 이루어지며;
    상기 시료 용기 및 압력 측정부는, 유동 위치에 관계없이 상기 시료의 항온이 유지되도록 단열 격벽체의 내실에 밀봉/배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 시료의 측정 이후 잔류하는 오염원의 제거를 위해
    상기 등압유지 챔버에 관연결되어 상기 오염원을 펌핑하도록 상기 등압유지 챔버에 관연결되며, 퍼지기체 및 센서 제어부의 제어명령에 따라 작동되는 부설펌 프가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 압력 측정부와 등압유지 챔버 사이에는 보조 펌프와 보조 밸브로 이루어지는 보조 펌핑부를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 센서는, 초음파 센싱구조, 자외선 센싱구조, 적외선 센싱구조중 선택된 어느하나인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정장치.
  5. 등압유지챔버와 연결된 제 1 밸브 및 제 2 밸브를 모두 열고, 메인 펌프를 작동시켜 최대 기본압력이 발생하도록 하는 단계(S1000)와;
    제 1 밸브를 닫도록 지령하여 압력의 변화가 없는 등압상태가 되도록 소정시간동안 기다리는 단계(S2000)와;
    이후, 전구체의 증기압력이 평형이 될때까지 기다린 뒤 제 2밸브를 열어 샘플의 증기가 출력되도록 하여 이때의 포화증기압력을 압력 측정부(300)에서 측정하는 단계.(S3000)
    측정이 끝나면, 부설밸브를 구동하여 관연결부위내 오염원을 제거하고, 필요시 보조펌프 및 보조밸브를 열어 압력 측정부 주위의 오염원을 제거하는 단계(S4000)으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 증기압 측정방법.
KR1020060094363A 2006-09-27 2006-09-27 반도체 제조 공정을 위한 전구체 증기압 측정장치 및 방법 KR100805930B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060094363A KR100805930B1 (ko) 2006-09-27 2006-09-27 반도체 제조 공정을 위한 전구체 증기압 측정장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060094363A KR100805930B1 (ko) 2006-09-27 2006-09-27 반도체 제조 공정을 위한 전구체 증기압 측정장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100805930B1 true KR100805930B1 (ko) 2008-02-21

Family

ID=39382861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060094363A KR100805930B1 (ko) 2006-09-27 2006-09-27 반도체 제조 공정을 위한 전구체 증기압 측정장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100805930B1 (ko)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101061421B1 (ko) * 2009-03-24 2011-09-01 한국표준과학연구원 반도체 제조공정을 위한 전구체 순도 측정방법
KR101107639B1 (ko) 2010-06-08 2012-01-25 한국표준과학연구원 반도체 제조 공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템 및 이를 이용한 방법
WO2020112997A1 (en) * 2018-11-29 2020-06-04 Tsi Incorporated Reducing or eliminating liquid de-gassing
KR20200083829A (ko) 2018-12-31 2020-07-09 한국표준과학연구원 원심력을 이용한 액상전구체 디개서
KR20200083828A (ko) 2018-12-31 2020-07-09 한국표준과학연구원 분산수단을 포함하는 액상전구체 디개서
KR20200083870A (ko) 2018-12-31 2020-07-09 한국표준과학연구원 액상전구체 수명 매니지먼트 시스템
KR20200083827A (ko) 2018-12-31 2020-07-09 한국표준과학연구원 노출표면적증대수단을 포함하는 반도체용 액상전구체 디개서
KR20200083869A (ko) 2018-12-31 2020-07-09 한국표준과학연구원 캡슐형 점도측정기, 액상전구체 디개서 및 이들을 포함하는 액상전구체 매니지먼트 시스템

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5403089A (en) 1989-09-27 1995-04-04 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Method and apparatus for metering and mixing non-compressible and compressible fluids
KR970059323A (ko) * 1996-01-30 1997-08-12 김광호 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR20010034781A (ko) * 1998-04-14 2001-04-25 잭 피. 샐러노 박막 증착 시스템
US7050708B2 (en) 2001-10-11 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Delivery of solid chemical precursors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5403089A (en) 1989-09-27 1995-04-04 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Method and apparatus for metering and mixing non-compressible and compressible fluids
KR970059323A (ko) * 1996-01-30 1997-08-12 김광호 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR20010034781A (ko) * 1998-04-14 2001-04-25 잭 피. 샐러노 박막 증착 시스템
US7050708B2 (en) 2001-10-11 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Delivery of solid chemical precursors

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101061421B1 (ko) * 2009-03-24 2011-09-01 한국표준과학연구원 반도체 제조공정을 위한 전구체 순도 측정방법
KR101107639B1 (ko) 2010-06-08 2012-01-25 한국표준과학연구원 반도체 제조 공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템 및 이를 이용한 방법
WO2020112997A1 (en) * 2018-11-29 2020-06-04 Tsi Incorporated Reducing or eliminating liquid de-gassing
US11413556B2 (en) 2018-11-29 2022-08-16 Tsi Incorporated Reducing or eliminating liquid de-gassing
KR20200083829A (ko) 2018-12-31 2020-07-09 한국표준과학연구원 원심력을 이용한 액상전구체 디개서
KR20200083828A (ko) 2018-12-31 2020-07-09 한국표준과학연구원 분산수단을 포함하는 액상전구체 디개서
KR20200083870A (ko) 2018-12-31 2020-07-09 한국표준과학연구원 액상전구체 수명 매니지먼트 시스템
KR20200083827A (ko) 2018-12-31 2020-07-09 한국표준과학연구원 노출표면적증대수단을 포함하는 반도체용 액상전구체 디개서
KR20200083869A (ko) 2018-12-31 2020-07-09 한국표준과학연구원 캡슐형 점도측정기, 액상전구체 디개서 및 이들을 포함하는 액상전구체 매니지먼트 시스템
KR102147363B1 (ko) 2018-12-31 2020-08-25 한국표준과학연구원 액상전구체 수명 매니지먼트 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100805930B1 (ko) 반도체 제조 공정을 위한 전구체 증기압 측정장치 및 방법
JP4199011B2 (ja) 低蒸気圧プロセス化学物質の貯蔵及び送給装置と方法
US7751921B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus, method of detecting abnormality, identifying cause of abnormality, or predicting abnormality in the semiconductor manufacturing apparatus, and storage medium storing computer program for performing the method
JP2001196361A (ja) プロセス排気ガスモニタ装置及び方法、半導体製造装置、及び半導体製造装置管理システム及び方法
KR101443488B1 (ko) 처리 장치 및 밸브 동작 확인 방법
KR101443493B1 (ko) 처리 장치 및 프로세스 상태의 확인 방법
KR20060092966A (ko) 누설 검출기 및 처리 가스 모니터
JP6910443B2 (ja) フォアライン固形物形成定量化のための水晶振動子微量天秤の利用
KR100494956B1 (ko) 가스 격리 박스 및 가스 스틱
KR101976059B1 (ko) 플라즈마를 이용한 레티클 세정장치
US6341615B1 (en) Self-cleaning vacuum purge system
CN113169102A (zh) 半导体制造设备的实时健康状态监测
US7165443B2 (en) Vacuum leakage detecting device for use in semiconductor manufacturing system
US7304716B2 (en) Method for purging an optical lens
WO1999014396A1 (en) Method and apparatus for monitoring a vaporizer
JP2007214406A (ja) 流量検定機能付質量流量制御装置を搭載した半導体製造装置
JP2010197386A (ja) インライン高圧粒子検知システム
KR20070093696A (ko) 반도체 제조설비의 진공 시스템
KR101061421B1 (ko) 반도체 제조공정을 위한 전구체 순도 측정방법
JP2005216982A (ja) 真空処理装置及びそのパージ方法
JP2002025918A (ja) 半導体製造装置
KR20070033114A (ko) 반도체 제조설비 및 그 제어방법
KR20080068964A (ko) 반도체 배큠 설비의 리크 디텍팅 장치
KR20230111714A (ko) 증착 장치 및 증착 장치의 세정 방법
KR20040078189A (ko) 설치한 유체라인 테스트시스템 및 그 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121207

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131203

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170106

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180119

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190116

Year of fee payment: 12