KR100805526B1 - Apparatus of thin film evaporation and method for thin film evaporation using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 풀컬러(full-color) 구현을 위해 기판 상에 유기박막을 형성할 시에, 배치(Batch) 타입으로 하나의 기판에 증착될 양의 각각의 증착물질을 증발원 내부에 위치시키고, 기판 장착 후, 펌핑(Pumping), 증착(deposition) 및 기판 취출(Vent)을 한 라인(line)에서 연속적으로 수행할 수 있는 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 증착장치는 내부를 진공으로 유지시키는 펌프부를 구비하며, 기판 상에 증착물질을 증착하는 공정을 수행하는 적어도 하나의 챔버; 상기 챔버 내부에 증착물질이 증착될 상기 기판 및 마스크를 지지하는 기판홀더; 상기 챔버 내부에 상기 기판과 대향하도록 설치되고, 적어도 하나의 증착물질을 수납ㆍ가열하여 증발시키는 다중 증착물질 도가니와, 상기 증착물질 중 선택되는 어느 하나를 국부적으로 가열하는 가열부를 구비하는 증발원; 및 상기 챔버를 적어도 하나의 챔버 안착 위치에 순차적으로 이동시키는 챔버 이동 수단;을 포함한다. 이러한 구성에 의하여, 증착물질의 가열 및 승온에 걸리는 시간을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 간단한 챔버 구성에 의해 제작비 및 운영비를 저감할 수 있다.The present invention is characterized in that when forming an organic thin film on a substrate for a full-color implementation, an amount of each evaporation material to be deposited on one substrate in a batch type is placed inside the evaporation source, The present invention relates to a thin film deposition apparatus capable of continuously performing pumping, deposition, and venting on a single line after mounting, and a thin film deposition method using the thin film deposition apparatus. The thin film deposition apparatus according to the present invention includes at least one chamber having a pump section for maintaining the inside of the chamber in vacuum, and performing a process of depositing a deposition material on the substrate; A substrate holder for supporting the substrate and the mask on which a deposition material is to be deposited in the chamber; An evaporation source provided in the chamber so as to oppose the substrate, a multi-deposition material crucible for storing and evaporating at least one evaporation material, and a heating part for locally heating any one of the evaporation materials; And chamber moving means for sequentially moving the chamber to at least one chamber seating position. With this configuration, not only the time for heating and heating the evaporation material can be minimized, but also the production cost and operating cost can be reduced by a simple chamber configuration.

박막 증착장치, 챔버 이동 수단, 챔버 안착 위치 Film deposition apparatus, chamber moving means, chamber seating position

Description

박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법 {Apparatus of thin film evaporation and method for thin film evaporation using the same}[0001] The present invention relates to a thin film deposition apparatus and a thin film deposition method using the thin film deposition apparatus,

도 1은 종래 기술에 따른 박막 증착장치를 나타내는 개략적인 평면도.1 is a schematic plan view showing a conventional thin film deposition apparatus;

도 2는 본 발명에 따른 박막 증착장치를 나타내는 개략적인 평면도.2 is a schematic plan view showing a thin film deposition apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 박막 증착장치 중 하나의 챔버를 나타내는 개략적인 단면도.3 is a schematic sectional view showing one chamber of a thin film deposition apparatus according to the present invention.

♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS

20 : 챔버 이동 수단 21 : 챔버20: chamber moving means 21: chamber

22, 30 : 도가니 24, 32 : 기판22, 30: crucibles 24, 32: substrate

25 : 로봇팔 35 : 가열부25: Robot arm 35: Heating part

본 발명은 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 풀컬러(full-color) 구현을 위해 기판 상에 유기박막을 형성할 시에, 배치(Batch) 타입으로 기판 장착 후, 펌핑(Pumping), 증착(deposition) 및 기판 취출(Vent)을 한 라인(line)에서 연속적으로 수행함으로써, 증착물질의 가열 및 승온에 걸리는 시간을 최소화할 수 있는 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin-film deposition apparatus and a thin-film deposition method using the same, and more particularly, to a thin-film deposition apparatus and method for depositing an organic thin film on a substrate for full- A thin film deposition apparatus capable of minimizing a time required for heating and raising a deposition material by performing continuous pumping, deposition, and venting in a single line, and thin film deposition using the same ≪ / RTI >

향후 차세대 디스플레이로 주목받고 있는 평판표시장치 중, 유기전계 발광표시장치는 발광층에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자(exiton)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상을 이용하는 자발광형 디스플레이 장치이다. 통상적으로, 유기전계 발광표시장치의 박막은 복수의 기능층들(홀 주입층, 홀 전달층, 발광층, 전자 전달층, 전자 주입층, 버퍼층 및 캐리어 블로킹층 등)을 포함하고, 이러한 기능층들의 조합 및 배열 등을 통해 원하는 성능의 유기전계 발광표시장치를 제조한다.Among the flat panel display devices that have been attracting attention as a next generation display in the future, an organic light emitting display device has a structure in which an electron injected through a cathode and an anode is recombined with a hole in an emission layer to form an exciton, Emitting display device using a phenomenon in which light of a predetermined wavelength is generated. Typically, a thin film of an organic light emitting display device includes a plurality of functional layers (a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a buffer layer and a carrier blocking layer) The organic electroluminescence display device of the desired performance is manufactured through combination, arrangement and the like.

유기전계 발광표시장치는 저전압으로 구동이 가능하고, 경량의 박형이며, 시야각이 넓을 뿐만 아니라 응답속도 또한 빠르다는 장점을 구비한다.The organic electroluminescence display device is capable of being driven at a low voltage, is lightweight, thin, has a wide viewing angle, and has a high response speed.

이러한 유기전계 발광표시장치의 기판 상에 유기박막을 형성하는 일반적인 방법으로는 증착법, 이온 플래이팅법 및 스퍼터링법과 같은 물리 기상 증착(PVD)법과, 가스 반응에 의한 화학 기상 증착(CVD)법 등이 있다.Typical methods for forming an organic thin film on a substrate of such an organic light emitting display include a physical vapor deposition (PVD) method such as a vapor deposition method, an ion plating method and a sputtering method, and a chemical vapor deposition (CVD) method using a gas reaction .

이 중, 가장 일반적으로 박막을 형성하는 방법인 진공증착법은 진공챔버의 하부에 증발원과 그 상부에 성막용 기판 및 마스크를 설치하여 박막을 형성하는 것이다.Among them, the vacuum deposition method which is the most commonly used method of forming a thin film is to form a thin film by providing an evaporation source at the lower part of the vacuum chamber, a substrate for film formation and a mask thereon.

이하에서는 도면을 참조하여 종래의 박막 증착장치를 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a conventional thin film deposition apparatus will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 박막 증착장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view showing a conventional thin film deposition apparatus.

도 1에서 보는 바와 같이, 종래의 박막 증착장치는 기판(12)을 각각의 챔 버(13, 14, 15, 16, 17, 18)로 이송할 수 있는 로봇팔(11)을 구비하는 이송실(10)이 포함된다. 그리고, 상기 로봇팔(11)에 의해 각각의 상기 챔버(13, 14, 15, 16, 17, 18)에 상기 기판(12)이 투입ㆍ취출되면서 상기 기판(12) 상에 순차적으로 유기박막이 형성된다.1, a conventional thin film deposition apparatus includes a transfer chamber 11 having a robot arm 11 capable of transferring a substrate 12 to a respective chamber 13, 14, 15, 16, 17, (10). The substrate 12 is introduced into and removed from the chambers 13, 14, 15, 16, 17 and 18 by the robot arm 11, .

각각의 챔버(13, 14, 15, 16, 17, 18)에는 기판(12)을 투입ㆍ취출할 수 있는 게이트(13a, 14a, 15a, 16a, 17a, 18a)가 형성되어 있으며, 상기 챔버(13, 14, 15, 16, 17, 18) 내부에는 다양한 증착물질을 구비한 증발원(14b, 15b, 16b, 17b, 18b)이 설치되어 있다. 따라서, 외부와 연결된 챔버(13)로 기판이 투입되면, 상기 기판(12)은 로봇팔(11)로 게이트(14a)를 통해 제1 챔버(14)로 이송된다. 상기 제1 챔버(14) 내에 기판 홀더 상에 상기 기판(12)이 위치되고, 하부에 구비된 제1 증착물질을 가열하여 상기 기판(12) 상에 증착시킨다.Gates 13a, 14a, 15a, 16a, 17a and 18a are formed in the respective chambers 13, 14, 15, 16, 17 and 18 so that the substrate 12 can be charged / Evaporation sources 14b, 15b, 16b, 17b, and 18b having various evaporation materials are installed in the evaporation sources 13, 14, 15, 16, 17, The substrate 12 is transferred to the robot arm 11 through the gate 14a to the first chamber 14 when the substrate is inserted into the chamber 13 connected to the outside. The substrate 12 is placed on the substrate holder in the first chamber 14 and the first deposition material provided thereunder is heated and deposited on the substrate 12.

상기 제1 증착물질의 증착이 완료되면, 로봇팔(11)이 상기 기판(12)을 취출하여 제2 챔버(15)로 투입한다. 상기 제1 챔버(14)에서와 마찬가지로 제2 증착물질을 기판(12) 상에 증착시키고, 나머지 제3 챔버(16), 제4 챔버(17) 및 제5 챔버(18)에서 각각의 증착물질을 순차적으로 기판(12) 상에 증착시킨다.When deposition of the first deposition material is completed, the robot arm 11 takes out the substrate 12 and puts it into the second chamber 15. A second deposition material is deposited on the substrate 12 as in the first chamber 14 and the deposition material 18 is deposited in the remaining third chamber 16, fourth chamber 17 and fifth chamber 18, Are sequentially deposited on the substrate (12).

다양한 증착물질들의 증착이 완료된 기판(12)은 다시 로봇팔(11)에 의해 챔버 외부로 이송되게 되고, 다시 새로운 기판이 챔버로 투입되어 같은 공정을 반복하게 된다.The substrate 12 on which the deposition of the various deposition materials has been completed is again transferred to the outside of the chamber by the robot arm 11 and then the new substrate is introduced into the chamber and the same process is repeated.

그러나, 상기와 같은 방법은 하나의 기판이 여러 챔버를 이동하며 다양한 증착물질의 증착이 완료되어 기판을 취출한 뒤, 또 다른 기판이 챔버 내로 투입되게 되므로 하나의 기판을 증착하는데 많은 시간이 소비되게 된다는 문제점이 있다.However, in the above method, since one substrate moves through several chambers and deposition of various deposition materials is completed, the substrate is taken out, and another substrate is put into the chamber, so that it takes a lot of time to deposit one substrate .

또한, 각각의 챔버에 구비된 증착물질은 여러 장의 기판에 유기박막을 형성할 수 있을 정도의 양이므로, 증착물질의 가열 및 승온에 걸리는 시간이 길어지게 된다는 문제점이 있다.In addition, the deposition materials provided in the respective chambers are so large as to be able to form an organic thin film on a plurality of substrates, so that there is a problem that the time required for heating and heating the deposition material becomes long.

따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해결하기 위해 고안된 발명으로, 본 발명의 목적은 풀컬러(full-color) 구현을 위해 기판 상에 유기박막을 형성할 시에, 배치(Batch) 타입으로 기판 장착 후, 펌핑(Pumping), 증착(deposition) 및 기판 취출(Vent)을 한 라인(line)에서 연속적으로 수행할 수 있는 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for forming an organic thin film on a substrate for a full- A thin film deposition apparatus and a thin film deposition method using the thin film deposition apparatus capable of continuously performing pumping, deposition, and venting on a single line after the substrate is mounted.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막 증착장치는 내부를 진공으로 유지시키는 펌프부를 구비하며, 기판 상에 증착물질을 증착하는 공정을 수행하는 적어도 하나의 챔버와, 상기 챔버 내부에 증착물질이 증착될 상기 기판 및 마스크를 지지하는 기판홀더와, 상기 챔버 내부에 상기 기판과 대향하도록 설치되고, 적어도 하나의 증착물질을 수납ㆍ가열하여 증발시키는 다중 증착물질 도가니와, 상기 증착물질 중 선택되는 어느 하나를 국부적으로 가열하는 가열부를 구비하는 증발원 및 상기 챔버를 적어도 하나의 챔버 안착 위치에 순차적으로 이동시키는 챔버 이동 수단을 포함한다.In order to achieve the above-mentioned object, the thin film deposition apparatus according to the present invention includes at least one chamber having a pump unit for maintaining the inside of the chamber in vacuum, the chamber performing deposition of a deposition material on the substrate, A plurality of evaporation material crucibles disposed in the chamber so as to face the substrate and configured to store and heat at least one evaporation material to evaporate the evaporation material, a substrate holder for supporting the substrate and the mask on which the material is to be deposited, And a chamber moving means for sequentially moving the chamber to at least one chamber seating position.

바람직하게, 상기 다중 증착물질 도가니에 구비된 각 증착물질의 양은 상기 기판에 한번에 증착될 양이며, 상기 다중 증착물질 도가니에는 각 증착물질당 2cc 내지 5cc 범위이다. 그리고, 상기 기판은 무회전 기판이며, 상기 챔버의 일 영역에 각각의 상기 증착물질이 증착될 패턴에 따라 상기 마스크를 투입ㆍ취출시키는 마스크 교환 수단을 더 구비한다.Preferably, the amount of each deposition material provided in the multiple deposition material crucible is an amount to be deposited on the substrate at one time, and the multiple deposition material crucible has a range of 2cc to 5cc per deposition material. The substrate may be a non-rotating substrate, and may further include mask changing means for inputting and taking out the mask according to a pattern in which the deposition material is deposited on one region of the chamber.

또한, 상기 챔버 이동 수단은 적어도 하나의 챔버 안착 위치를 레일을 따라 이동하며, 상기 도가니는 열 전도도가 높은 세라믹, 타이타늄(Ti) 및 스테인레스 스틸(Staninless Steel)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나로 형성되고, 상기 열 전도도가 높은 세라믹은 그래파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(SiC), 알루미늄 나이트라이드(AIN), 알루미나(Al2O3), 보론 나이트라이드(BN) 및 석영(Quratz)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나로 형성된다. 그리고, 상기 히터는 세라믹 히터(Ceramic heater), 탄탈륨 히터(Ta) 및 텅스텐 히터로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나로 형성된다.Also, the chamber moving means moves at least one chamber seating position along the rail, and the crucible is formed of any one selected from the group consisting of ceramic, titanium (Ti) and stainless steel having high thermal conductivity The ceramics having a high thermal conductivity include graphite, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AIN), alumina (Al 2 O 3 ), boron nitride (BN) and quartz As shown in FIG. The heater is formed of any one selected from the group consisting of a ceramic heater, a tantalum heater (Ta), and a tungsten heater.

또한, 본 발명에 따른 박막 증착장치를 이용한 박막 증착방법은 적어도 하나의 증착물질을 수납ㆍ가열하여 증발시키는 다중 증착물질 도가니가 구비된 증발원을 설치하고, 상기 증발원과 대향하도록 기판 홀더에 상기 증착물질이 증착될 제1 기판 및 마스크를 장착시킨 챔버를 준비하는 제1 단계와, 상기 챔버를 펌프부에 의해 내부를 진공으로 유지시키고, 상기 챔버를 챔버 이동 수단에 의해 제1 챔버 안착 위치로 이동시키는 제2 단계와, 상기 증발원에 설치된 가열부에 의해 제1 증착물질을 국부적으로 가열하여 상기 제1 기판 상에 상기 제1 증착물질을 증착시키는 제3 단계와, 상기 제1 기판이 구비된 챔버를 제2 챔버 안착 위치로 이동시키고, 제2 증착물질을 국부적으로 가열하여 상기 제1 기판 상에 제2 증착물질을 증착시키는 동시에 제1 챔버 안착 위치에 제2 기판을 구비한 챔버를 이동시키고, 제1 증착물질을 국부적으로 가열하여 상기 제2 기판 상에 증착시키는 제4 단계와, 상기 제1 기판이 구비된 챔버를 마지막 챔버 안착 위치로 이동시키고 상기 다중 증착물질 도가니에 구비된 마지막 증착물질을 제1 기판 상에 증착시키는 동시에 각 챔버 안착 위치에 위치된 챔버에서 각각의 증착물질을 가열하여 기판 상에 증착시키는 제5 단계 및 상기 제1 기판에 증착물질의 증착이 완료되면 상기 제1 기판을 취출하는 제6 단계를 포함한다.In addition, the thin film deposition method using the thin film deposition apparatus according to the present invention may include an evaporation source provided with a multi-deposition material crucible for storing and heating at least one evaporation material to evaporate, A first step of preparing a chamber on which a first substrate to be deposited and a mask are mounted, a step of holding the chamber in a vacuum by a pump part, and moving the chamber to a first chamber seating position by a chamber moving means A third step of locally heating the first deposition material by a heating unit installed in the evaporation source to deposit the first deposition material on the first substrate, Moving the second deposition material to a second chamber seating position and locally heating the second deposition material to deposit a second deposition material on the first substrate, A fourth step of locally heating the first deposition material and depositing the first deposition material on the second substrate, moving the chamber provided with the first substrate to the last chamber seating position, Depositing the final deposition material on the first substrate and depositing the deposition material on the substrate by heating the deposition material in a chamber positioned at each of the chamber seating positions, And a sixth step of removing the first substrate when deposition of the evaporation material is completed.

바람직하게, 상기 제2 내지 제5 단계에서 상기 챔버 이동 수단은 레일을 구비하여 상기 챔버를 각 챔버 안착 위치로 이동시키며, 상기 기판 상에 각 챔버 안착 위치에서 가열되는 각각의 증착물질을 순차적으로 증착시킨다. 그리고, 상기 제1 단계에서 상기 다중 증착물질 도가니에 구비된 각 증착물질의 양은 상기 기판에 한번에 증착되는 양이며, 더 바람직하게는 2cc 내지 5cc 범위이다. 또한, 상기 제3 내지 제5 단계에서 마스크 교환 수단에 의해 상기 챔버의 일 영역에 각각의 상기 증착물질이 증착될 패턴에 따라 마스크를 투입ㆍ취출시킨다.Preferably, in the second to fifth steps, the chamber moving means includes a rail to move the chamber to each of the chamber seating positions, and sequentially deposits the respective evaporation materials heated at the respective chamber seating positions on the substrate . In the first step, the amount of each deposition material provided in the multi-deposition material crucible is an amount deposited on the substrate at one time, more preferably in the range of 2cc to 5cc. Further, in the third to fifth steps, the mask is charged and extracted in accordance with a pattern in which the deposition material is deposited on one region of the chamber by the mask exchange means.

이하에서는 본 발명의 실시예를 도시한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a thin film deposition apparatus according to the present invention and a thin film deposition method using the same will be described in detail with reference to the drawings showing embodiments of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 박막 증착장치를 나타내는 개략적인 평면도이다.2 is a schematic plan view showing a thin film deposition apparatus according to the present invention.

도 2에서 보는 바와 같이, 적어도 하나의 챔버 안착 위치(A, B, C, D, E)가 구비된 레일 형상으로 구성된 챔버 이동 수단(20)에 각각 챔버(21)가 위치해 있다. 상기 챔버(21)는 하나의 챔버 안착 위치에서 증착이 완료되면 순차적으로 그 다음 챔버 안착 위치로 이동되며, 상기 챔버(21)는 내부를 진공으로 유지시키는 펌프부(미도시)를 구비하며, 기판(24) 상에 증착물질을 증착하는 공정을 수행한다.As shown in FIG. 2, each of the chambers 21 is located in a chamber-moving means 20 constructed in a rail shape provided with at least one chamber seating position A, B, C, D, The chamber 21 is moved to the next chamber seating position sequentially when the deposition is completed at one chamber seating position, and the chamber 21 has a pump unit (not shown) A deposition material is deposited on the substrate 24.

그리고 상기 챔버(21) 내부에는 증착물질이 증착될 기판 및 마스크를 지지하는 기판홀더가 설치되어 있다. 상기 챔버(21) 내부의 상기 기판(24)과 대향하는 위치에는 적어도 하나의 증착물질(23a, 23b, 23c, 23d, 23e)을 수납ㆍ가열하여 증발시키는 다중 증착물질 도가니(22)와, 상기 증착물질(23a, 23b, 23c, 23d, 23e) 중 선택되는 어느 하나를 국부적으로 가열하는 가열부를 구비하는 증발원이 구비된다.Inside the chamber 21, a substrate on which a deposition material is deposited and a substrate holder for supporting the mask are provided. A plurality of evaporation material crucibles 22 for storing and evaporating at least one evaporation material 23a, 23b, 23c, 23d, and 23e at positions facing the substrate 24 in the chamber 21, And an evaporation source having a heating unit for locally heating any one of the evaporation materials 23a, 23b, 23c, 23d, and 23e.

상기 다중 증착물질 도가니(22)에 구비된 각 증착물질(23a, 23b, 23c, 23d, 23e)의 양은 상기 기판(24)에 한번에 증착될 양으로, 각 증착물질(23a, 23b, 23c, 23d, 23e)당 2cc 내지 5cc 범위의 양이 구비된다. 증착시에 기판(24)은 무회전하며, 도면에는 도시되지 않았지만, 챔버(21)의 일 영역에는 각각의 상기 증착물질(23a, 23b, 23c, 23d, 23e)이 상기 기판(24)에 패터닝되는 형상을 갖춘 마스크를 투입ㆍ취출시키는 마스크 교환 수단을 더 구비한다.The amounts of the evaporation materials 23a, 23b, 23c, 23d and 23e provided in the multiple evaporation material crucible 22 are such that the amounts of the evaporation materials 23a, 23b, 23c and 23d , 23e) is provided in an amount ranging from 2cc to 5cc. 23b, 23c, 23d, and 23e are patterned on the substrate 24 in one region of the chamber 21, although not shown in the drawing, And a mask changing means for putting in / taking out a mask having a shape as shown in FIG.

그리고, 상기 다중 증착물질 도가니(22)는 열 전도도가 높은 세라믹, 타이타늄(Ti) 및 스테인레스 스틸(Staninless Steel)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나로 형성되며, 상기 열 전도도가 높은 세라믹은 그래파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(SiC), 알루미늄 나이트라이드(AIN), 알루미나(Al2O3), 보론 나이트라이드(BN) 및 석영(Quratz)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나로 형성된다. 또한, 히터는 세라믹 히터(Ceramic heater), 탄탈륨 히터(Ta) 및 텅스텐 히터로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나로 형성된다.The multi-deposited material crucible 22 is formed of any one selected from the group consisting of ceramics having high thermal conductivity, titanium (Ti), and stainless steel (Steinless Steel), and the ceramic having high thermal conductivity is made of graphite ), silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AIN), alumina (Al 2 O 3), is formed of one selected from the group consisting of boron nitride (BN) and quartz (Quratz). Further, the heater is formed of any one selected from the group consisting of a ceramic heater, a tantalum heater (Ta), and a tungsten heater.

본 발명에 따른 박막 증착장치를 이용한 박막 증착방법을 설명하면, 먼저 적어도 하나의 증착물질(23a, 23b, 23c, 23d, 23e)을 수납ㆍ가열하여 증발시키는 다중 증착물질 도가니(22)가 구비된 증발원을 설치하고, 상기 증발원과 대향하도록 기판 홀더에 상기 증착물질이 증착될 제1 기판 및 마스크를 장착시킨 챔버를 준비한다. 이때, 다중 증착물질 도가니(22)에 구비된 각 증착물질의 양은 2cc 내지 5cc 범위로 상기 기판(24)에 한번에 증착되는 양이다.The thin film deposition method using the thin film deposition apparatus according to the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings. First, a multi-deposition material crucible 22 for storing and heating at least one evaporation material 23a, 23b, 23c, 23d, An evaporation source is provided, and a chamber in which the first substrate and the mask are mounted is prepared in the substrate holder so as to face the evaporation source. At this time, the amount of each deposition material provided in the multiple deposition material crucible 22 is an amount which is deposited on the substrate 24 at a time in the range of 2 cc to 5 cc.

그리고 나서, 펌프부에 작동에 의해 상기 챔버(21)를 진공으로 유지시키고, 상기 챔버(21)를 챔버 이동 수단(20)에 의해 제1 챔버 안착 위치(A)로 이동시킨다. 여기서, 상기 챔버 이동 수단(20)은 레일을 구비하여 상기 챔버(21)를 각 챔버 안착 위치(A, B, C, D, E)로 이동시키며, 상기 기판(24) 상에 각 챔버 안착 위치(A, B, C, D, E)에서 가열되는 각각의 증착물질(23a, 23b, 23c, 23d, 23e)을 순차적으로 증착시킨다.Then, by operating the pump section, the chamber 21 is kept in vacuum, and the chamber 21 is moved to the first chamber seating position A by the chamber moving means 20. Then, The chamber moving means 20 includes a rail to move the chamber 21 to each of the chamber seating positions A, B, C, D and E, 23b, 23c, 23d, and 23e, which are heated in the respective deposition chambers A, B, C, D, and E, are sequentially deposited.

이후, 상기 증발원에 설치된 가열부에 의해 제1 증착물질을 국부적으로 가열하여 상기 제1 기판 상에 상기 제1 증착물질을 증착시킨다. 또한, 상기 제1 기판이 구비된 챔버를 제2 챔버 안착 위치로 이동시키고, 제2 증착물질을 국부적으로 가열하여 상기 제1 기판 상에 제2 증착물질을 증착시키는 동시에 제1 챔버 안착 위치에 제2 기판을 구비한 챔버를 이동시키고, 제1 증착물질을 국부적으로 가열하여 상기 제2 기판 상에 증착시킨다.Thereafter, the first evaporation material is locally heated by the heating unit installed in the evaporation source to deposit the first evaporation material on the first substrate. Further, the chamber provided with the first substrate is moved to the second chamber seating position, the second deposition material is locally heated to deposit the second deposition material on the first substrate, and at the same time, 2 substrate is moved, and the first deposition material is locally heated and deposited on the second substrate.

이때, 각 증착물질(23a, 23b, 23c, 23d, 23e)이 상기 기판(24)에 패터닝되는 형상에 따라 마스크를 각 챔버별로 교체하게 되는데, 도시되지 않았지만 마스크 교환 수단에 의해 상기 챔버(21)의 일 영역에 상기 증착물질(23a, 23b, 23c, 23d, 23e)이 증착될 패턴에 따라 마스크를 주입ㆍ취출시킨다.At this time, the mask is changed for each chamber according to the shape in which the evaporation materials 23a, 23b, 23c, 23d, and 23e are patterned on the substrate 24. Although not shown, 23b, 23c, 23d, and 23e are deposited in one region of the deposition region 23 in accordance with a pattern in which the deposition materials 23a, 23b, 23c, 23d, and 23e are deposited.

그리고, 상기 제1 기판이 구비된 챔버를 마지막 챔버 안착 위치로 이동시키고, 상기 다중 증착물질 도가니에 구비된 마지막 증착물질을 제1 기판 상에 증착시키는 동시에 각 챔버 안착 위치에 위치한 챔버에서 각각의 증착물질을 가열하여 기판 상에 증착시킨다.In addition, the chamber provided with the first substrate is moved to the final chamber seating position, the last deposition material provided in the multi-deposition material crucible is deposited on the first substrate, The material is heated and deposited on the substrate.

마지막으로, 상기 제1 기판에 증착물질의 증착이 완료되면 상기 제1 기판을 취출한다. 상기 제1 기판을 취출하면, 다음 증착될 기판 및 증착물질을 다시 투입하게 되고, 상기와 같은 과정을 반복하면서 다수의 기판에 다중 증착물질을 증착한다. 한 챔버 내에 구비되는 증착물질은 하나의 기판에 증착될만큼의 양을 구비하므로, 증착물질의 가열 및 승온에 걸리는 시간을 최소화할 수 있다.Finally, when the evaporation material is deposited on the first substrate, the first substrate is taken out. When the first substrate is taken out, the next substrate to be deposited and the deposition material are supplied again, and the multiple deposition materials are deposited on the plurality of substrates while repeating the above-described process. Since the deposition material contained in one chamber has a sufficient amount to be deposited on one substrate, the time for heating and heating the deposition material can be minimized.

도 3은 본 발명에 따른 박막 증착장치 중 하나의 챔버를 나타내는 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view showing one chamber of the thin film deposition apparatus according to the present invention.

도 3에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 증착 장치는 내부가 진공으로 유지되는 진공챔버(37)와, 상기 진공챔버(37) 내에서 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)이 증착될 기판(32), 증착 패턴이 형성된 마스크(38) 및 상기 마스크(38)를 지지하며, 적어도 상기 마스크(38)의 개구와 일치하는 크기의 개구가 형성된 마스크 홀더(33)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 3, the deposition apparatus according to the present invention includes a vacuum chamber 37 in which an interior of the vacuum chamber 37 is maintained in vacuum, deposition materials 31a, 31b, 31c, 31d and 31e are deposited in the vacuum chamber 37, There is provided a mask holder 33 that supports the substrate 32 to be masked and the mask 38 on which the deposition pattern is formed and the mask 38 and has an opening sized to match at least the opening of the mask 38.

그리고, 상기 기판(32) 및 상기 마스크(38)와 대향하도록 설치되어, 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 수납ㆍ가열하여 증발시키는 증발원(미도시)을 포함한다. 상기 마스크(38)는 상기 기판(32)과 상기 증발원 사이에 설치되며, 상기 증발원에는 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 수납하고 있는 다중 증착물질 도가니(30)가 형성되어 있다. 상기 도가니(30)에 구비된 각 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)의 양은 상기 기판(32)에 한번에 증착될 양이며, 각 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)당 2cc 내지 5cc 범위의 양을 구비한다. 또한, 상기 마스크(38)에 형성된 패턴대로 각 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 순차적으로 상기 기판(32) 상에 증착시킨다.And an evaporation source (not shown) installed so as to face the substrate 32 and the mask 38 to store the evaporation materials 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e and heat them to evaporate. The mask 38 is provided between the substrate 32 and the evaporation source and the evaporation source is formed with a plurality of evaporation material crucibles 30 containing the evaporation materials 31a, 31b, 31c, 31d and 31e . The amounts of the evaporation materials 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e provided in the crucible 30 are sufficient to be deposited on the substrate 32 at one time, Lt; RTI ID = 0.0 > cc < / RTI > The deposition materials 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e are sequentially deposited on the substrate 32 according to a pattern formed on the mask 38.

상기 증발원은 스테인레스 스틸(SUS) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어지며, 일반적으로, 금속 또는 전도성 세라믹 재질의 도가니를 전자 빔 또는 저항 가열 등의 방식으로 가열하여, 그 내부에 수납된 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)이 증발 또는 승화되어 상부에 형성된 분사노즐(미도시)을 통해 분사되도록 한 것이다.The evaporation source is made of stainless steel (SUS) or aluminum (Al). Generally, a crucible made of a metal or a conductive ceramic material is heated by an electron beam or a resistance heating method, and evaporation materials 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e are evaporated or sublimated and sprayed through an injection nozzle (not shown) formed on the upper side.

본 발명에 따르면, 증발원은 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)이 수납된 도가니(30)와, 상기 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 가열하는 가열부(35)를 구비한다. 또한, 상기 도가니(30)에서 발생한 열이 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)에 영향을 끼치지 않도록 상기 도가니(30)의 외부에는 방열판(미도시)이 설치 되어 있다.According to the present invention, the evaporation source includes a crucible 30 in which evaporation materials 31a, 31b, 31c, 31d and 31e are accommodated, a heating unit 35 for heating the evaporation materials 31a, 31b, 31c, 31d and 31e, . A heat sink (not shown) is provided outside the crucible 30 so that the heat generated in the crucible 30 does not affect the evaporation materials 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e.

그리고, 도시되지는 않았지만 상기 증발원의 일 영역에는 증착 두께를 모니터링 할 수 있는 증착률 측정 모니터(미도시)가 설치되어 있다. 예를 들어, 서브픽셀의 개구율이 50%일 경우, 상기 증착률 측정 모니터에 의해 계산된 두께의 2배가 서브픽셀 내에 증착된다.Although not shown, a deposition rate monitor (not shown) is installed in one region of the evaporation source to monitor the deposition thickness. For example, if the aperture ratio of a subpixel is 50%, then twice the thickness calculated by the deposition rate monitor is deposited in the subpixel.

상기 증착률 측정 모니터는 증발원과 일체형으로 장착되어 예정된 증착률을 유지하기 위해 설치된다. 증착물질의 증발 정도를 관측하면서 증발원과 같이 이동하면서 증착률을 실시간으로 제어한다. 또한, 상기 증발원의 가열부에서 나오는 전체 증착률이 성막 공정에 적합한지의 여부를 판단하고 제어할 수 있도록 구성된다.The deposition rate measurement monitor is installed integrally with the evaporation source to maintain a predetermined deposition rate. The evaporation rate of the evaporation material is controlled in real time while moving along with the evaporation source while observing the evaporation degree of the evaporation material. It is also possible to judge and control whether or not the entire deposition rate of the heating unit of the evaporation source is suitable for the film formation process.

수직 방향으로 작동되는 증발원에서는 기판(32)에 성막되는 정도를 조절하기 위하여 상기 증발원의 가열부(35)의 발열량을 조절하여 기화 또는 승화되는 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)의 양을 제어하는 방법이 가능하다. 그리고, 기화 또는 승화되는 동일한 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)의 양에 대하여 상기 증발원의 이동 속도를 조절하여 단위 시간에 상기 기판(32)이 상기 증발원에 노출되는 시간 조절을 통하여, 증착률을 조절하는 방법도 가능하다.31b, 31c, 31d, and 31e, which are vaporized or sublimated by controlling the amount of heat generated by the heating unit 35 of the evaporation source, in order to control the degree of deposition on the substrate 32, It is possible to control the amount. The rate of movement of the evaporation source is controlled with respect to the amount of the same evaporation material 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e vaporized or sublimated, and the time for exposing the substrate 32 to the evaporation source , And a method of controlling the deposition rate is also possible.

본 발명에 따른 박막 증착장치를 이용하여 기판(32) 상에 박막이 증착되는 방법을 설명하면, 진공챔버(37) 내에 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 수납하며, 가열부(35)를 구비하는 증발원을 준비한다. 가열부(35)에는 상기 증발원을 가열하도록 설치된 적어도 하나의 히터(미도시)가 형성되어 있다. 상기 히터는 세라 믹 히터(Ceramic heater), 탄탈륨 히터(Ta) 및 텅스텐 히터로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나로 형성된다.The deposition material 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e is stored in the vacuum chamber 37, and the deposition material 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e is deposited in the vacuum chamber 37, (35) is prepared. The heating unit 35 is provided with at least one heater (not shown) installed to heat the evaporation source. The heater is formed of any one selected from the group consisting of a ceramic heater, a tantalum heater (Ta), and a tungsten heater.

그리고, 상기 증발원과 대향하도록 기판(32) 및 마스크(38)를 마스크 홀더(33)에 위치시키고, 상기 증발원을 이동하며 상기 기판(32) 상에 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 증착한다. 상기 기판(32) 상에 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 증착하는 성막 단계에서는 증착률 측정 모니터를 이용하여 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)의 증발 정도를 관측하면서 상기 증발원과 같이 이동하면서 증착률을 실시간으로 제어한다.31b, 31c, 31d, 31e (31a, 31b, 31c, 31d, 31e) are formed on the substrate 32 by moving the evaporation source and positioning the substrate 32 and the mask 38 in the mask holder 33 so as to face the evaporation source. ). The degree of evaporation of the evaporation materials 31a, 31b, 31c, 31d and 31e is measured by using a deposition rate monitor in the deposition step of depositing the deposition materials 31a, 31b, 31c, 31d and 31e on the substrate 32 And controls the deposition rate in real time while moving along with the evaporation source.

또한, 상기 기판(32)이 진공챔버(37) 내에 장착된 상태에서, 상기 가열부(35)에 의해 가열되어 기화 또는 승화된 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)이 상기 기판(32)으로 분사되어 증착된다. 이와 같이, 상기 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 가열하여 기화 또는 승화시켜서 바로 상기 기판(32)에 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)을 증착할 수 있는 것은 유기 발광소자에 사용되는 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)인 유기물이 승화성이 높고, 200℃ 내지 400℃의 낮은 온도에서 기화하기 때문에 가능하다. 상기 증발원으로부터 기화 또는 승화된 증착물질(31a, 31b, 31c, 31d, 31e)은 상기 기판(32)으로 이동되어 흡착, 증착, 재증발 등의 연속적 과정을 거쳐 상기 기판(32)에 고체화되어 박막을 형성한다.The evaporated materials 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e heated by the heating unit 35 and vaporized or sublimated are supplied to the substrate (not shown) while the substrate 32 is mounted in the vacuum chamber 37 32). The deposition materials 31a, 31b, 31c, 31d and 31e can be deposited on the substrate 32 by heating or vaporizing or sublimating the deposition materials 31a, 31b, 31c, 31d and 31e Organic materials such as evaporation materials 31a, 31b, 31c, 31d, and 31e used in the organic light emitting device have high sublimation properties and are vaporized at a low temperature of 200 to 400 ° C. The vaporized or sublimed evaporated materials 31a, 31b, 31c, 31d and 31e from the evaporation source are transferred to the substrate 32 and solidified on the substrate 32 through a continuous process such as adsorption, evaporation, .

전술한 실시예에서는 유기 발광표시장치를 예를 들어 설명하였지만, 박막을 증착하는 모든 디스플레이에 적용할 수 있다. 또한, 증착물질이 유기물인 경우에 대하여 설명하였지만, 금속물질인 경우에도 가능하다.Although the organic light emitting display device has been described in the above embodiments, the present invention can be applied to all displays in which a thin film is deposited. Further, although the case where the deposition material is an organic material has been described, it is also possible to use a metal material.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.It is to be noted that the technical spirit of the present invention has been specifically described in accordance with the above preferred embodiment, but it should be noted that the above-mentioned embodiments are intended to be illustrative and not restrictive. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 풀컬러(full-color) 구현을 위해 기판 상에 유기박막을 형성할 시에, 배치(Batch) 타입으로 하나의 기판에 증착될 양의 각각의 증착물질을 증발원 내부에 위치시키고, 기판 장착 후, 펌핑(Pumping), 증착(deposition) 및 기판 취출(Vent)을 한 라인(line)에서 연속적으로 수행함으로써, 증착물질의 가열 및 승온에 걸리는 시간을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 간단한 챔버 구성에 의해 제작비 및 운영비를 저감할 수 있다.As described above, according to the present invention, when an organic thin film is formed on a substrate for a full-color implementation, an amount of each evaporation material to be deposited on one substrate in a batch- The substrate is placed in the evaporation source and pumping, deposition and venting are continuously performed in one line after the substrate is mounted, thereby minimizing the time for heating and raising the deposition material And the production cost and the operating cost can be reduced by a simple chamber configuration.

Claims (14)

내부를 진공으로 유지시키는 펌프부를 구비하며, 기판 상에 증착물질을 증착하는 공정을 수행하는 복수의 챔버;A plurality of chambers having a pump portion for maintaining the inside of the chamber in vacuum, the chamber performing a process of depositing a deposition material on a substrate; 상기 챔버 내부에 증착물질이 증착될 상기 기판 및 마스크를 지지하는 기판홀더;A substrate holder for supporting the substrate and the mask on which a deposition material is to be deposited in the chamber; 상기 챔버 내부에 상기 기판과 대향하도록 설치되고, 상기 기판에 한번에 증착될 양의 증착물질을 수납ㆍ가열하여 증발시키는 복수 개의 증착물질 도가니와, 상기 증착물질 중 선택되는 어느 하나를 국부적으로 가열하는 가열부를 구비하는 증발원; 및A plurality of evaporation material crucibles disposed in the chamber so as to face the substrate and storing and heating the positive evaporation material to be evaporated at one time on the substrate and evaporating the evaporation material; An evaporation source having a part; And 상기 챔버들을 각각 정해진 안착 위치로 이동시키는 챔버 이동 수단;Chamber moving means for moving the chambers to respective predetermined seating positions; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.Wherein the thin film deposition apparatus comprises: 삭제delete 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 증착물질 도가니에는 각 증착물질당 2cc 내지 5cc 범위의 양이 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.Wherein the deposition material crucible has an amount ranging from 2cc to 5cc per deposition material. 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 기판은 무회전 기판인 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.Wherein the substrate is a non-rotating substrate. 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 챔버의 일 영역에 각각의 상기 증착물질이 증착될 패턴에 따라 상기 마스크를 투입ㆍ취출시키는 마스크 교환 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.Further comprising mask changing means for inputting and taking out the mask in accordance with a pattern in which each of the deposition materials is deposited in one region of the chamber. 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 챔버 이동 수단은 적어도 하나의 챔버 안착 위치를 레일을 따라 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.Wherein the chamber moving means moves the at least one chamber seating position along the rail. 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 도가니는 열전도성 세라믹, 타이타늄(Ti) 및 스테인레스 스틸(Staninless Steel)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.Wherein the crucible is formed of any one selected from the group consisting of a thermally conductive ceramic, titanium (Ti), and stainless steel (Stainless Steel). 제7 항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 열 전도성 세라믹은 그래파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(SiC), 알루미늄 나이트라이드(AIN), 알루미나(Al2O3), 보론 나이트라이드(BN) 및 석영(Quratz)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.The thermal conductivity of ceramic is one selected from the group consisting of graphite (Graphite), silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AIN), alumina (Al 2 O 3), boron nitride (BN) and quartz (Quratz) Wherein the thin film deposition apparatus comprises: 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 가열부는 세라믹 히터(Ceramic heater), 탄탈륨 히터(Ta) 및 텅스텐 히터로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.Wherein the heating unit is formed of any one selected from the group consisting of a ceramic heater, a tantalum heater (Ta), and a tungsten heater. 기판에 한번에 증착될 양의 증착물질을 수납ㆍ가열하여 증발시키는 복수 개의 증착물질 도가니가 구비된 증발원이 구비되고, 상기 증발원과 대향하도록 기판 홀더에 상기 증착물질이 증착될 제1 기판 및 마스크를 장착시킨 제 1 챔버를 준비하는 제1 단계;There is provided an evaporation source provided with a plurality of evaporation material crucibles for storing and heating evaporation material to be deposited at one time on a substrate and evaporating the evaporation material to be evaporated at one time and a first substrate and a mask on which the evaporation material is to be deposited are mounted on the substrate holder so as to face the evaporation source A first step of preparing a first chamber provided with a first chamber; 상기 제 1 챔버를 진공으로 유지시키고, 상기 제 1 챔버를 챔버 이동 수단에 의해 제1 안착 위치로 이동시키는 제2 단계;A second step of holding the first chamber under vacuum and moving the first chamber to the first seating position by the chamber moving means; 제1 증착물질을 가열하여 상기 제1 기판 상에 제 1 챔버내의 제1 증착물질을 증착시키는 제3 단계;A third step of depositing a first deposition material in the first chamber on the first substrate by heating the first deposition material; 제 1 챔버를 제2 안착 위치로 이동시키고, 제2 증착물질을 가열하여 상기 제1 기판 상에 제 1 챔버내의 제2 증착물질을 증착시키고, 동시에 제1 안착 위치에 제2 기판을 구비한 제 2 챔버를 이동시키고, 제 2 챔버내의 제1 증착물질을 가열하여 상기 제2 기판 상에 증착시키는 제4 단계;Depositing a second deposition material in the first chamber on the first substrate by heating the second deposition material to move the first chamber to a second seating position, Moving the second chamber, and heating the first deposition material in the second chamber to deposit on the second substrate; 상기 제 1 챔버를 제 3 안착 위치로 이동시키고 제 1 챔버내의 제 3 증착물질을 제1 기판 상에 증착시키고, 상기 제 2 기판이 구비된 제 2 챔버를 제 2 안착위치로 이동시켜 제 2 챔버내의 제 2 증착물질을 제 2 기판 상에 증착시키며, 동시에 제1 안착 위치에 제3 기판을 구비한 제 3 챔버를 이동시키고, 제 3 챔버내의 제1 증착물질을 가열하여 상기 제3 기판 상에 증착시키는 제5 단계; 및Moving the first chamber to a third seating position, depositing a third deposition material in the first chamber onto the first substrate, moving the second chamber with the second substrate to a second seating position, Depositing a second deposition material in the third chamber on a second substrate while simultaneously moving a third chamber having a third substrate in a first seating position and heating the first deposition material in the third chamber to deposit A fifth step of depositing; And 상기 제1 기판에 증착물질의 증착이 완료되면 상기 제1 기판을 취출하는 제6 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치를 이용한 박막 증착방법.And a sixth step of removing the first substrate when the evaporation material is completely deposited on the first substrate. 제10 항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 챔버 이동 수단은 레일을 구비하여 상기 챔버를 각 챔버 안착 위치로 이동시키며, 상기 기판 상에 각 챔버 안착 위치에서 가열되는 각각의 증착물질을 순차적으로 증착시키는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치를 이용한 박막 증착방법.Wherein the chamber moving means includes a rail to move the chamber to each chamber seating position and sequentially deposits each evaporation material heated on each of the chamber seating positions on the substrate, Deposition method. 삭제delete 제10 항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 증착물질 도가니에 구비된 각 증착물질의 양은 2cc 내지 5cc 범위인 것을 특징으로 하는 박막 증착장치를 이용한 박막 증착방법.Wherein the amount of each deposition material in the deposition material crucible ranges from 2cc to 5cc. 제10 항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 제3 내지 제5 단계에서 마스크 교환 수단에 의해 상기 챔버의 일 영역에 각각의 상기 증착물질이 증착될 패턴에 따라 마스크를 투입ㆍ취출시키는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치를 이용한 박막 증착방법.Wherein in the third to fifth steps, the mask is charged / removed in accordance with a pattern in which the deposition material is deposited on one region of the chamber by the mask exchange means.
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