KR100803247B1 - 질화물계 반도체 발광다이오드 - Google Patents

질화물계 반도체 발광다이오드 Download PDF

Info

Publication number
KR100803247B1
KR100803247B1 KR1020060092874A KR20060092874A KR100803247B1 KR 100803247 B1 KR100803247 B1 KR 100803247B1 KR 1020060092874 A KR1020060092874 A KR 1020060092874A KR 20060092874 A KR20060092874 A KR 20060092874A KR 100803247 B1 KR100803247 B1 KR 100803247B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nitride semiconductor
layer
type
semiconductor layer
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020060092874A
Other languages
English (en)
Inventor
한상헌
김용천
김동준
이동주
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020060092874A priority Critical patent/KR100803247B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100803247B1 publication Critical patent/KR100803247B1/ko

Links

Images

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 질화물계 반도체 발광다이오드에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 제1 n형 질화물 반도체층과, 상기 제1 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 제1 활성층과, 상기 제1 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 제2 활성층과, 상기 제1 활성층이 형성되지 않은 제1 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 n형 전극과, 상기 제2 활성층이 형성되지 않은 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 제2 활성층 상에 형성된 제2 n형 질화물 반도체층 및 상기 제2 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 제2 n형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광다이오드를 제공한다.
발광다이오드, 활성층, 고휘도

Description

질화물계 반도체 발광다이오드{NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE}
도 1은 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드의 구조를 나타낸 사시도.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 절단하여 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드의 구조를 나타낸 사시도.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드의 제2 실시예를 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드의 제3 실시예를 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드의 제4 실시예를 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 기판 120a : 제1 n형 질화물 반도체층
120b : 제2 n형 질화물 반도체층
130a : 제1 활성층 130b : 제2 활성층
140 : p형 질화물 반도체층
160a : 제1 n형 전극 160b : 제2 n형 전극
170 : p형 전극 200 : 전류확산층
300 : 전류저지층
본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고휘도를 구현하거나 서로 다른 파장의 광을 동시에 출력할 수 있는 질화물계 반도체 발광다이오드에 관한 것이다.
일반적으로, 발광다이오드(Light Emitting Diode; 이하, 'LED'라 칭함)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로서, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 발광소자를 말한다.
최근 LED는, 비약적인 반도체 기술의 발전에 힘입어, 저휘도의 범용제품에서 탈피하여, 고휘도 및 고품질의 제품 생산을 위해, 최근 다양한 연구들이 진행되고 있다.
그러면, 이하 도 1 및 도 2를 참조하여 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 LED에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드의 구조를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 절단하여 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 LED는 사파이어 기판(110) 상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층(120), 다중우물구조인 GaN/InGaN 활성층(130) 및 p형 질화물 반도체층(140)을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층(140)과 GaN/InGaN 활성층(130)은 일부 식각(mesa etching)공정에 의하여 그 일부영역이 제거되는 바, n형 질화물 반도체층(120)의 일부상면을 노출한 구조를 갖는다.
상기 n형 질화물 반도체층(120) 상에는 n형 전극(160)이 형성되어 있고, 상기 p형 질화물 반도체층(140) 상에는 ITO로 이루어진 투명 전극(150)과 p형 전극(170)이 형성되어 있다.
상술한 바와 같이, 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 LED는 광의 방사면 즉, p형 질화물 반도체층(140) 상에 전류확산 효과를 증대시켜 상기 활성층(130)에서 발광하는 광의 흡수를 감소시키기 위한 투명 전극(150)이 형성되어 있다.
그러나, 상기와 같은 투명 전극(150)은 p형 질화물 반도체층(140)의 전류확산 효과를 증가시켜 전체적인 휘도를 일부 상승시킬 수 있었으나, 보다 높은 휘도를 얻는 데 있어서는 한계가 있다.
따라서, 고휘도를 구현할 수 있는 질화물계 반도체 LED 관련 기술의 개발이 계속적으로 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 하나의 LED 내에 두 개의 활성층을 구비하여 고휘도를 구현할 수 있는 질화물계 반도체 LED를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판 상에 형성된 제1 n형 질화물 반도체층과, 상기 제1 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 제1 활성층과, 상기 제1 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 제2 활성층과, 상기 제1 활성층이 형성되지 않은 제1 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 n형 전극과, 상기 제2 활성층이 형성되지 않은 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 제2 활성층 상에 형성된 제2 n형 질화물 반도체층 및 상기 제2 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 제2 n형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광다이오드를 제공한다.
또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광다이오드에서, 상기 제2 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명 전극을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광다이오드에서, 상기 제1 n형 질 화물 반도체층과 상기 제1 활성층의 사이 계면 또는 상기 제2 n형 질화물 반도체층과 상기 제1 활성층의 사이 계면에 형성된 전류확산층을 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 전류확산층은, 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성되거나, 서로 다른 타입의 도전형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성될 수 있다. 이때, 상기 질화물 반도층은, InXAlYGa1 -X- YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광다이오드에서, 상기 제1 활성층과 상기 p형 질화물 반도체층의 사이 계면 또는 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 제2 활성층의 사이 계면에 형성된 전류저지층을 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 전류저지층은, 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성되거나, 서로 다른 농도의 도전형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성될 수 있다. 이때, 상기 질화물 반도체층은, InXAlYGa1 -X- YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광다이오드에서, 상기 제1 n형 전극과 p형 전극 및 제2 n형 전극은 금속 전극 또는 투명 전극으로 형성되는 것이 바람직하다.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
실시예 1
먼저, 도 3 및 도 4를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드에 대하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드의 구조를 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드는, 기판(110) 상에 형성되어 있는 버퍼층(도시하지 않음)과, 상기 버퍼층 상에 제1 n형 질화물 반도체층(120a), 제1 활성층(130a) 및 p형 질화물 반도체층(140)이 순차 적층되어 있는 제1 발광구조물 및 상기 p형 질화물 반도체층(140)을 공통으로 사용하면서 상기 p형 질화물 반도체층(140) 상에 제2 활성층(130b) 및 제2 n형 질화물 반도체층(120b)이 순차 적층되어 있는 제2 발광구조물로 이루어져 있다. 이때, 상기 제1 발광구조물과 제2 발광구조물은 상기 p형 질화물 반도체층(140)을 공통으로 사용하기 위하여 적층되어 있는 질화물 반도체층의 순서가 서로 반대되게 형성되어 있다.
상기 기판(110)은 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며. 사파이어 이외에, 기판(110)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(도시하지 않음)은, 상기 기판(110) 상에 제1 n형 질화물 반도체층(120a)을 성장시키기 전에 상기 사파이어를 포함하여 형성된 기판(110)과의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로, 일반적으로 AlN/GaN으로 형성되어 있다. 이는 상기 기판(110)과의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로 반드시 필요한 층은 아니므로 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략 가능하다.
상기 제1 및 제2 n형 또는 p형 질화물 반도체층(120a, 120b, 140)은 각 도전형 불순물 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 형성되어 있다.
한편, 도시하지는 않았지만, 상기 p형 질화물 반도체층(140)의 표면에, 광추출 효율을 높이기 위하여 표면 요철을 형성할 수 있으며, 이와 같이, 표면 요철을 형성하였을 경우, 본 발명은 그 위에 성장되는 제2 활성층(130b)으로 인해 자연스럽게 non-polar 구조의 LED 구현이 가능하다.
또한, 상기 제1 및 제2 활성층(130a 130b)은 InGaN/GaN층으로 구성된 다중우 물 구조(Multi-Quantum Well)로 형성된다.
이때, 상기 제1 및 제2 활성층(130a, 130b)은 하나의 양자우물층 또는 더블헤테로 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 활성층(130a, 130b)은 이를 구성하고 있는 인듐(In)의 양으로 다이오드가 녹색 발광소자인지 청색 발광소자인지를 결정한다. 보다 상세하게는 청색빛을 갖는 발광소자에 대해서는, 약 22% 범위의 인듐이 사용되며, 녹색빛을 갖는 발광소자에 대해서는, 약 40% 범위의 인듐이 사용된다.
즉, 본 발명에 따른 상기 제1 및 제2 활성층(130a, 130b)은 그들을 형성하는데 사용되는 인듐의 양을 동일하게 하여 서로 동일한 파장의 광을 출력함으로써, 고휘도를 구현할 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 상기 제1 및 제2 활성층(130a, 130b)은 그들을 형성하는데 사용되는 인듐의 양을 서로 다르게 조절하여 서로 다른 파장 광 예를 들어, 청색 또는 녹색 파장 광을 동시에 출력함으로써, 하나의 LED로 두 가지 색을 동시에 구현시킬 수 있다.
상기 제2 n형 질화물 반도체층(120b)과 상기 제2 활성층(130b)의 일부는 제1 메사 식각(mesa etching)으로 제거되어, 저면에 p형 질화물 반도체층(140)의 일부를 노출하고 있으며, 노출된 상기 p형 질화물 반도체층(140)과 상기 제1 활성층(130a)의 일부는 제2 메사 식각으로 제거되어, 저면에 제1 n형 질화물 반도체층(120a)의 일부를 노출하고 있다.
상기 제2 메사 식각에 의해 노출된 제1 n형 질화물 반도체층(120a) 상의 소 정 부분에는 제1 n형 전극(160a)이 형성되어 있고, 상기 제2 n형 질화물 반도체층(120b) 상의 소정 부분에는 제2 n형 전극(160b)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 n형 전극(160a, 160b)은, Cr/Au 등과 같은 금속 전극 또는 TCO 등과 같은 투명 전극으로 이루어져 있다.
그리고, 상기 제1 메사 식각에 의해 노출된 p형 질화물 반도체층(140) 상의 소정 부분에는 p형 전극(170)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 p형 전극(170) 또한, 제1 및 제2 n형 전극(160a, 160b)과 마찬가지로 Cr/Au 등과 같은 금속 전극 또는 TCO 등과 같은 투명 전극으로 이루어져 있다. 이때, 상기 p형 전극(170)은 상기 제1 발광구조물에 형성된 제1 n형 전극(160a)과 제2 발광구조물에 형성된 제2 n형 전극(160b) 사이에서 공통 전극으로 사용된다.
실시예 2
도 5를 참고로, 본 발명의 제2 실시예에 대해 설명하기로 한다. 다만, 제2 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 5는 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드의 제2 실시예를 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 제2 실시예에 따른 질화물계 반도체 LED는 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 LED와 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 제2 n형 질화물 반도체층(120b) 상에 전류확산 효과를 증대시키기 위한 투명 전극(150)이 더 형 성되어 있다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.
여기서, 상기 투명 전극(150)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 도전성 금속산화물만이 아니라, LED의 발광 파장에 대해 투과율이 높다면, 도전성이 높고 콘택 저항이 낮은 금속 박막으로도 이루어질 수 있다.
따라서, 제2 실시예 또한, 제1 실시예와 마찬가지로, 서로 다른 파장의 광 또는 동일한 파장의 광을 출력하는 제1 및 제2 활성층(130a, 130b)을 포함하고 있기 때문에 제1 실시예서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.
또한, 제2 실시예는, p형 질화물 반도체층 표면에 형성되던 종래의 투명 전극(도 2의 도면부호'150' 참조)과 달리 제2 n형 질화물 반도체층(120b) 표면에 투명 전극(150)을 형성되어 있기 때문에 보다 안정적인 콘택 저항을 구현할 수 있다.
이는 이미 당업자에게 잘 알려진 바와 같이 n형 질화물 반도체가 p형 질화물 반도체에 비하여 ITO와 같은 도전성 금속 산화물로 이루어진 투명 전극이 구현이 우수함을 통해 알 수 있다.
실시예 3
도 6을 참고로, 본 발명의 제3 실시예에 대해 설명하기로 한다. 다만, 제3 실시예 역시 대부분의 구성이 제1 실시예와 동일하므로, 이하에서는 제1 실시예와 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 6은 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드의 제3 실시예를 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 제3 실시예에 따른 질화물 반도체 LED 역시, 서로 다른 파장의 광 또는 동일한 파장의 광을 출력하는 제1 및 제2 활성층(130a, 130b)을 포함하고 있다는 점에서, 상술한 제1 실시예와 동일한 구성을 가지며, 다만, 상기 제1 활성층(130a)과 제1 n형 질화물 반도체층(120a) 사이 계면에 전류확산층(200)이 형성되어 있다는 점에서만, 상술한 제1 실시예와 상이한 구성을 가진다.
따라서, 이러한 제3 실시예에 의하더라도, 제1 및 제2 실시예와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.
이와 같은, 제3 실시예에 따른 상기 전류확산층(200)은, 전류확산 효과를 증가시켜 높은 에너지밴드를 가지는 제1 n형 질화물 반도체층(120a)과 제1 n형 전극(160a)의 접촉시, 높아지는 접촉저항으로부터 동작전압이 증가되는 것을 최소화하는 역할을 한다.
여기서, 상기 전류확산층(200)은, 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성되거나, 서로 다른 타입의 도전형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성될 수 있다. 이때, 상기 질화물 반도층은, InXAlYGa1 -X-YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 도시하지는 않았지만, 상기 전류확산층(200)은, 상기 제2 활성층(130b)과 제2 n형 질화물 반도체층(120b) 사이 계면도 형성할 수 있다.
또한, 이러한, 상기 전류확산층(200)은 제2 실시예에도 적용 가능하다.
실시예 4
도 7을 참고로, 본 발명의 제4 실시예에 대해 설명하기로 한다. 다만, 제4 실시예 역시 대부분의 구성이 제1 실시예와 동일하므로, 이하에서는 제1 실시예와 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 7은 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광다이오드의 제4 실시예를 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 제4 실시예에 따른 질화물 반도체 LED 역시, 서로 다른 파장의 광 또는 동일한 파장의 광을 출력하는 제1 및 제2 활성층(130a, 130b)을 포함하고 있다는 점에서, 상술한 제1 실시예와 동일한 구성을 가지며, 다만, 상기 제1 및 제2 활성층(130a, 130b)과 접하는 p형 질화물 반도체층(140)의 사이 계면에 전류저지층(300)이 형성되어 있다는 점에서만, 상술한 제1 실시예와 상이한 구성을 가진다.
따라서, 이러한 제3 실시예에 의하더라도, 제1 및 제2 실시예와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 전류저지층(300)이 상기 제1 및 제2 활성층(130a, 130b)과 접하는 p형 질화물 반도체층(140)의 사이 계면에 각각 형성되어 있는 제1 전류저지층(300a)과 제2 전류저지층(300b)을 도시하고 있으나, 이는 이에 한정되지 않고 LED의 특성 및 공정 조건에 따라 상기 제1 활성층(130a) 또는 제2 활성층(130b)과 접하는 어느 하나의 계면에만 형성하는 것이 가능하다.
여기서, 상기 전류저지층(300)은, 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성되거나, 서로 다른 농도의 도전형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성될 수 있다. 이때, 상기 질화물 반도층은, InXAlYGa1 -X- YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어지는 것이 바람직하며, n형 도전형 불순물 또는 p형 도전형 불순물의 도핑 농도를 다르게 하여 형성하는 것이 바람직하다.
이러한, 상기 전류저지층(300)은 제2 및 제3 실시예에도 적용 가능하다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 하나의 LED 내에 서로 동일한 파장의 광을 출력하는 두 개의 활성층을 구비하여 고휘도를 구현할 수 있는 질화물계 반도체 LED를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 하나의 LED 내에 서로 다른 파장의 광을 출력하는 두 개의 활성층을 구비하여 하나의 LED로 두 가지 색을 동시에 구현시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 n형 질화물 반도체층 상에 투명전극을 구비하여 전류확산 효과를 향상시키는 동시에 보다 안정적인 콘택 저항을 구현한다.
따라서, 본 발명은 질화물계 반도체 LED의 휘도 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 기판 상에 형성된 제1 n형 질화물 반도체층;
    상기 제1 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되되, 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성된 전류확산층;
    상기 전류확산층 상에 형성된 제1 활성층;
    상기 제1 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;
    상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 제2 활성층;
    상기 제1 활성층이 형성되지 않은 제1 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 n형 전극;
    상기 제2 활성층이 형성되지 않은 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극;
    상기 제2 활성층 상에 형성된 제2 n형 질화물 반도체층; 및
    상기 제2 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 제2 n형 전극;
    을 포함하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전류확산층을 구성하는 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층은, InXAlYGa1-X-YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, Al과 In의 조성비를 다르게 하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전류확산층은, 서로 다른 타입의 도전형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 전류확산층을 구성하는 서로 다른 타입의 도전형 불순물이 도핑된 질화물 반도층은, InXAlYGa1 -X- YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, n형 도전형 불순물과 p형 도전형 불순물의 도핑 농도를 다르게 하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 n형 질화물 반도체층과 상기 제2 활성층의 사이 계면에 형성된 전류확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전류확산층은, 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전류확산층을 구성하는 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층은, InXAlYGa1 -X- YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, Al과 In의 조성비를 다르게 하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 전류확산층은, 서로 다른 타입의 도전형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 전류확산층을 구성하는 서로 다른 타입의 도전형 불순물이 도핑된 질화물 반도층은, InXAlYGa1 -X- YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, n형 도전형 불순물과 p형 도전형 불순물의 도핑 농도를 다르게 하여 형성된 것을 특징 으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  13. 기판 상에 형성된 제1 n형 질화물 반도체층;
    상기 제1 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 제1 활성층;
    상기 제1 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;
    상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 제2 활성층;
    상기 제1 활성층이 형성되지 않은 제1 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 n형 전극;
    상기 제2 활성층이 형성되지 않은 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극;
    상기 제2 활성층 상에 형성된 제2 n형 질화물 반도체층; 및
    상기 제2 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 제2 n형 전극;
    을 포함하되, 상기 제1 활성층과 상기 p형 질화물 반도체층의 사이 계면 또는 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 제2 활성층의 사이 계면에 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성된 전류저지층이 더 포함된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  14. 삭제
  15. 제13항에 있어서,
    상기 전류저지층을 구성하는 서로 다른 에너지 밴드를 가지는 질화물 반도체층은, InXAlYGa1-X-YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, Al과 In의 조성비를 다르게 하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 전류저지층은, 서로 다른 농도의 도전형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층이 두 층 이상 적층되어 있는 다층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 전류저지층을 구성하는 서로 다른 농도의 도전형 불순물이 도핑된 질화물 반도층은, InXAlYGa1 -X- YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, n형 도전형 불순물 또는 p형 도전형 불순물의 도핑 농도를 다르게 하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
  18. 제1항 또는 제13항에 있어서,
    상기 제1 n형 전극과 p형 전극 및 제2 n형 전극은 금속 전극 또는 투명 전극으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드.
KR1020060092874A 2006-09-25 2006-09-25 질화물계 반도체 발광다이오드 KR100803247B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060092874A KR100803247B1 (ko) 2006-09-25 2006-09-25 질화물계 반도체 발광다이오드

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060092874A KR100803247B1 (ko) 2006-09-25 2006-09-25 질화물계 반도체 발광다이오드

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100803247B1 true KR100803247B1 (ko) 2008-02-14

Family

ID=39343176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060092874A KR100803247B1 (ko) 2006-09-25 2006-09-25 질화물계 반도체 발광다이오드

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100803247B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990085730A (ko) * 1998-05-21 1999-12-15 정선종 고집적 삼색 발광소자 및 그 제조 방법
JP2004022969A (ja) 2002-06-19 2004-01-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体発光素子
KR20040040900A (ko) * 2002-11-08 2004-05-13 엘지전자 주식회사 화합물 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990085730A (ko) * 1998-05-21 1999-12-15 정선종 고집적 삼색 발광소자 및 그 제조 방법
JP2004022969A (ja) 2002-06-19 2004-01-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体発光素子
KR20040040900A (ko) * 2002-11-08 2004-05-13 엘지전자 주식회사 화합물 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100631414B1 (ko) 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7807521B2 (en) Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR100661614B1 (ko) 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100604406B1 (ko) 질화물 반도체 소자
KR100770441B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR100703091B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US20090127572A1 (en) Nitride Semiconductor Light Emitting Device
JP2011142349A (ja) 窒化物半導体発光素子
KR101389348B1 (ko) 질화갈륨계 반도체 발광소자
TWI445204B (zh) 具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件
JP2013140966A (ja) ストレイン緩衝層を用いて発光効率に優れた窒化物系発光素子
KR101211657B1 (ko) 질화물계 반도체 발광소자
JP4642801B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
KR100604423B1 (ko) 질화물 반도체 소자
KR100738399B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR100647018B1 (ko) 질화물계 반도체 발광소자
KR101091048B1 (ko) 반도체 발광 소자
KR101507130B1 (ko) 초격자층을 갖는 발광 다이오드
KR20050096010A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100708935B1 (ko) 질화물계 반도체 발광소자
KR100803246B1 (ko) 질화물 반도체 소자
KR100661606B1 (ko) 질화물 반도체 소자
KR100803247B1 (ko) 질화물계 반도체 발광다이오드
KR20130020525A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100836132B1 (ko) 질화물계 반도체 발광다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130131

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150202

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee