KR100797093B1 - Nano device structure and fabricating method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 나노 소자 구조물은 나노 물질층을 용이하게 도포하고 나노 물질층과 전극 사이의 접촉 저항을 감소시킬 수 있도록, 정렬 기준부가 형성된 기판과, 상기 기판 위에 도포된 복수의 나노 물질층, 및 상기 나노 물질층의 상면과 접하도록 형성된 전극을 포함한다.According to the present invention, a nano device structure includes a substrate on which an alignment reference is formed, a plurality of nano material layers applied on the substrate, so as to easily apply the nano material layer and reduce contact resistance between the nano material layer and the electrode; It includes an electrode formed to contact the upper surface of the nanomaterial layer.

나노 소자 구조물, 정렬 기준부, 분사, 나노 물질층Nanodevice structures, alignment references, injection, nanomaterial layers

Description

나노 소자 구조물 및 이의 제조 방법{Nano device structure and fabricating method thereof}Nano device structure and fabrication method thereof

도 1은 종래 기술에 따른 나노 소자 구조물을 도시한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a nano device structure according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 나노 소자 구조물의 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view of a nanodevice structure according to the prior art.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따라 기판에 나노 물질층이 형성된 상태를 도시한 사시도이다.3 is a perspective view illustrating a state in which a nanomaterial layer is formed on a substrate according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따라 기판에 나노 물질층을 형성하는 과정을 도시한 사시도이다.4 is a perspective view illustrating a process of forming a nanomaterial layer on a substrate according to the first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따라 기판에 나노 물질층이 형성된 상태를 도시한 사진이다.5 is a photograph showing a state in which a nanomaterial layer is formed on a substrate according to the first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따라 기판에 형성된 나노 물질층의 조직을 도시한 사진이다.6 is a photograph showing the structure of the nanomaterial layer formed on the substrate according to the first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 소자 구조물을 도시한 사시도이다.7 is a perspective view illustrating a nano device structure according to a first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 소자 구조물의 부분 단면도이다.8 is a partial cross-sectional view of a nano device structure according to a first embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노 소자 구조물의 부분 단면도이다.9 is a partial cross-sectional view of a nano device structure according to a second embodiment of the present invention.

도 10a 내지 도 10f는 본 발명의 제2 실시예에 따라 나노 소자 구조물을 제 조하는 과정을 설명하기 위한 공정도들이다.10A through 10F are process diagrams for describing a process of manufacturing a nano device structure according to a second embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 나노 소자 구조물이 설치된 전계 방출 디스플레이를 도시한 단면도이다.FIG. 11 is a cross-sectional view of a field emission display provided with a nano device structure according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 나노 소자 구조물이 설치된 전계 방출 디스플레이를 도시한 단면도이다.12 is a cross-sectional view illustrating a field emission display in which a nano device structure is installed according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 나노 소자 구조물 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 나노 물질 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 나노 소자 구조물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nano device structure and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a nano device structure and a method for manufacturing the nano-material pattern can be easily formed.

나노 물질은 1㎛ 이하의 크기를 갖는 물질을 말하며, 대표적으로는 탄소 나노튜브(Carbon Nanotube; CNT)가 있다.Nanomaterials refer to materials having a size of 1 μm or less, and typically include carbon nanotubes (CNTs).

나노 물질은 나노 입자, 양자점 등의 0차원 구조물 또는 탄소나노튜브, 나노와이어 등의 1차원 구조물, 나노 디스크 등의 2차원 구조물을 포함한다.Nanomaterials include zero-dimensional structures such as nanoparticles and quantum dots or two-dimensional structures such as carbon nanotubes and nanowires, and nano disks.

탄소나노튜브와 같은 나노 물질은 제조 시에 반도체성 혹은 금속성의 성질을 띠는 것이 일반적이며, 이러한 성질을 이용하여 FET(Field Effect Transistor), SET(Single Electron Transistor)등의 전자소자 및 각종 센서로서 활용이 가능하다. 그리고 전류를 가하면 전자(Electron) 및 엑스선(X-ray)을 만들어 낼 수 있는 특징도 가지고 있어서 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display)나 램 프(Lamp)용으로 개발되기도 한다.Nanomaterials such as carbon nanotubes generally have semiconducting or metallic properties at the time of manufacture, and use these properties as electronic devices such as FET (Field Effect Transistor) and SET (Single Electron Transistor) and various sensors. It can be used. It is also developed for field emission display or lamp because it can generate electron and X-ray by applying current.

이러한 나노 물질은 그 크기가 대체로 1㎛이하로서 나노 물질을 원하는 위치에 배치시키기도 어려울 뿐만 아니라 나노 물질을 원하는 형태로 성장시키는 것도 매우 힘들다.Since the nanomaterials are generally less than 1 μm in size, it is difficult not only to place the nanomaterials in a desired position but also very difficult to grow the nanomaterials into a desired shape.

나노 물질을 기판에 정착시키는 방법으로는 전자현미경을 이용하여 나노물질을 하나씩 옮겨 붙이는 방법부터, 전극 사이에서 나노 물질을 성장시키는 방법, 박막의 형태로 만든 후 광식각에 의해 패턴을 형성하는 방법, 원자 현미경이나 딥 펜(dip pen)을 이용하는 방법, 전기장이나 자기장을 이용하여 용액에 포함된 나노 물질을 이동시키는 방법 등 다양한 방법들이 있다.As a method of fixing a nanomaterial to a substrate, a method of transferring nanomaterials one by one using an electron microscope, a method of growing nanomaterials between electrodes, a method of forming a pattern by optical etching after forming a thin film, There are various methods such as using an atomic microscope or a dip pen, or moving a nanomaterial in a solution using an electric or magnetic field.

나노 물질을 기판 상에 직접 성장시키는 방법은 두 개의 전극 사이에 나노물질을 성장시킬 수 있는 촉매를 도포하고 반응로에서 적절한 온도와 가스를 주입하여 나노물질이 전극들을 연결하는 형태로 자라도록 유도한다.The method of growing nanomaterials directly on a substrate applies a catalyst that can grow nanomaterials between two electrodes and injects the appropriate temperature and gas in the reactor to induce the nanomaterials to grow in the form of connecting the electrodes. .

이 방법은 대면적에서 대량의 나노 물질을 얻을 수 있는 장점이 있지만, 성장하는 나노 물질이 각 소자마다 다른 형태로 성장하게 되며, 나노 물질의 숫자나 크기를 조절하기 어려운 문제가 있다. 뿐만 아니라 나노 물질의 성장 형태에 따라 일부 전극들이 나노 물질과 연결되지 못하는 문제가 발생하기도 한다.This method has the advantage of obtaining a large amount of nanomaterials in a large area, but growing nanomaterials grow in different forms for each device, there is a problem that it is difficult to control the number or size of nanomaterials. In addition, depending on the growth pattern of nanomaterials, some electrodes may not be connected to nanomaterials.

한편, 전극 사이에 나노 물질을 포함하는 용액을 떨어뜨려 나소 소자를 만들 수 있는데, 이 방법은 나노 물질을 용액에 분산시킨 다음, 미리 형성된 전극 위에 피펫(pipette) 등을 이용하여 나노 물질을 떨어뜨리는 방법이다. 이때 접촉 저항을 낮추기 위하여 전극 사이에 나노 물질층이 형성된 후 어닐링(annealing) 공정을 실시하거나 추가로 전극을 증착시킬 수 있다.On the other hand, it is possible to make a Nassau device by dropping a solution containing the nanomaterial between the electrodes, this method is to disperse the nanomaterial in the solution, and then drop the nanomaterial using a pipette (pipette) on the pre-formed electrode Way. In this case, after the nanomaterial layer is formed between the electrodes in order to lower the contact resistance, annealing may be performed or an additional electrode may be deposited.

그러나 이러한 종래의 방법들은 균일한 나노 소자를 얻기가 어려울 뿐만 아니라, 나노 소자의 특성을 일정하게 하기가 어려운 문제가 있다. 이와 같이 나노 소자의 특성이 불균일하면 생산성이 저하되는 문제가 발생한다.However, these conventional methods are not only difficult to obtain a uniform nano device, but also difficult to uniformize the characteristics of the nano device. As described above, when the characteristics of the nano device are nonuniform, productivity may be degraded.

도 1은 종래 기술에 따른 나노 소자 구조물을 도시한 개략적인 구성도이고 도 2는 종래 기술에 따른 나노 소자 구조물을 도시한 단면도이다. 상기한 도면들을 참조하여 설명하면, 이 나노 소자 구조물은 기판(110) 상에 도포된 두개의 전극들(121, 122)과 전극들(121, 122) 위에 형성되어 전극들(121, 122)을 연결하는 나노 물질(130)을 포함한다. 그리고 상기한 전극들(121, 122)은 각각 서로 다른 전원(141, 142)에 연결된다.1 is a schematic block diagram showing a nano device structure according to the prior art and Figure 2 is a cross-sectional view showing a nano device structure according to the prior art. Referring to the drawings, the nano device structure is formed on the two electrodes 121 and 122 and the electrodes 121 and 122 applied on the substrate 110 to form the electrodes 121 and 122. It comprises a nano material 130 for connecting. The electrodes 121 and 122 are connected to different power sources 141 and 142, respectively.

이러한 나노 소자 구조물을 제조하기 위해서는 기판(110) 상에 일정한 패턴으로 전극들(121, 122)을 형성한 후, 전극들(121, 122) 사이에 균일한 양의 나노 물질(130)을 주사하여야 한다. 이러한 나노 물질(130)은 전극들(121, 122) 사이에 수동으로 주사되는데 이러한 공정은 생산성이 낮은 문제가 있다.In order to manufacture the nano device structure, the electrodes 121 and 122 are formed in a predetermined pattern on the substrate 110, and then a uniform amount of the nanomaterial 130 is scanned between the electrodes 121 and 122. do. The nanomaterial 130 is manually scanned between the electrodes 121 and 122, but this process has a low productivity problem.

또한, 상기한 종래의 구조는 나노 물질(130)과 전극들(121, 122) 사이의 접촉 저항이 큰 문제가 있다. 이러한 접촉 저항을 감소시키기 위해서는 별도의 어닐링공정이나 추가적인 전극 도포과정이 필요한데, 이에 따라 제조 공정이 복잡해지는 문제가 있다.In addition, the conventional structure described above has a problem in that the contact resistance between the nanomaterial 130 and the electrodes 121 and 122 is large. In order to reduce such contact resistance, a separate annealing process or an additional electrode coating process is required, and thus, a manufacturing process is complicated.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발 명의 목적은 제작이 간단하고 전극과 나노 물질 사이에 접촉 저항을 감소시킬 수 있는 나노 소자 구조물을 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is to provide a nano device structure that is simple to manufacture and can reduce the contact resistance between the electrode and the nanomaterial.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 나노 소자 구조물은 정렬 기준부가 형성된 기판과, 상기 기판 위에 도포된 복수의 나노 물질층, 및 상기 나노 물질층의 상면과 부분적으로 접하도록 형성된 전극을 포함한다.In order to achieve the above object, a nano device structure according to the present invention includes a substrate on which an alignment reference part is formed, a plurality of nano material layers applied on the substrate, and an electrode formed to partially contact an upper surface of the nano material layer. do.

상기 정렬 기준부는 복수개가 대칭되는 위치에 형성될 수 있다.The alignment reference part may be formed at a position where a plurality of the alignment reference parts are symmetrical.

상기 나노 물질은 0차원 구조물 또는 1차원 구조물로 이루어질 수 있다.The nanomaterial may be formed of a 0-dimensional structure or a 1-dimensional structure.

상기 기판은 절연성을 가진 소재 또는 웨이퍼 위에 형성된 절연층으로 이루어질 수 있다.The substrate may be formed of an insulating material or an insulating layer formed on a wafer.

상기 기판은 폴리머 필름, 절연성인 유리 또는 반도체인 실리콘 웨이퍼로 이루어질 수 있다. The substrate may be made of a polymer film, insulating glass or a silicon wafer which is a semiconductor.

상기 전극은 나노 물질을 사이에 두고 이격 배치될 수 있다.The electrodes may be spaced apart from each other with the nanomaterial interposed therebetween.

상기 나노 물질은 탄소나노튜브 또는 나노와이어로 이루어질 수 있다.The nanomaterial may be made of carbon nanotubes or nanowires.

본 발명에 따른 나노 소자 구조물의 제조 방법은 기판에 정렬 기준부를 형성하는 단계와, 상기 정렬 기준부를 기준으로 기판 위에 나노 물질이 포함된 용액을 소정 패턴으로 도포하는 단계, 및 나노 물질의 패턴 위에 전극을 도포하는 단계를 포함한다.According to the present invention, a method of manufacturing a nano device structure includes forming an alignment reference part on a substrate, applying a solution containing a nano material on a substrate based on the alignment reference part in a predetermined pattern, and forming an electrode on the pattern of the nano material. Applying a step.

상기 나노물질이 포함된 용액은 분사(jetting) 방식으로 기판상에 도포될 수 있다.The solution containing the nanomaterial may be applied onto the substrate by jetting.

상기 나노 소자 구조물의 제조 방법은 상기 나노 물질을 도포한 후, 불순물을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The method of manufacturing the nano device structure may include removing impurities after applying the nano material.

상기 전극의 도포는 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 스퍼터링(Sputtering), 전자 빔 증착법(e-beam evaporation), 열 증착법(thermal evaporation) 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 이루어질 수 있다.Coating of the electrode may be performed by any one method selected from chemical vapor deposition (CVD), sputtering, e-beam evaporation, and thermal evaporation.

상기 나노 물질을 도포한 후, 나노 물질의 뭉침을 방지하기 위해서, 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다.After applying the nanomaterial, the method may further include heating the substrate to prevent agglomeration of the nanomaterial.

상기 기판은 웨이퍼와 상기 웨이퍼 상에 도포된 절연층으로 이루어질 수 있다.The substrate may be formed of a wafer and an insulating layer applied on the wafer.

본 발명에 따른 나노 소자 구조물의 제조 방법은 기판에 정렬 기준부를 형성하는 단계와, 상기 정렬 기준부가 형성된 기판 위에 금속 전극층을 형성하는 단계, 및 상기 정렬 기준부를 이용하여 나노 물질 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Method of manufacturing a nano device structure according to the present invention comprises the steps of forming an alignment reference on the substrate, forming a metal electrode layer on the substrate on which the alignment reference is formed, and forming a nano-material pattern using the alignment reference It may include.

본 발명에 따른 나노 소자 구조물의 제조 방법은 상기 기판에 전극층을 형성한 후, 상기 금속 전극층을 어닐링(annealing)하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a nano device structure according to the present invention may further include annealing the metal electrode layer after forming an electrode layer on the substrate.

본 발명의 실시예에 따른 나노 소자 구조물의 제조 방법은 상기 기판에 나노 물질 패턴을 형성한 후, 상기 나노 물질의 적어도 일부를 수직으로 세우기 위하여 나노 물질 패턴을 표면 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a nano device structure according to an embodiment of the present invention may further include forming a nano material pattern on the substrate, and then surface treating the nano material pattern to vertically at least part of the nano material. .

본 발명의 실시예에 따른 나노 물질이 잘 도포될 수 있도록 기판을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include heating the substrate so that the nanomaterial according to the embodiment of the present invention may be applied well.

이하, 첨부한 도면을 참조로 본 발명의 실시예에 대해 당업자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따라 기판 위에 도포된 나노 물질을 도시한 사시도이고 도 4는 기판 위에 나노 물질을 도포하는 과정을 나타낸 개략적인 도면이다.3 is a perspective view illustrating a nanomaterial applied on a substrate according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a process of applying nanomaterial on a substrate.

상기한 도면들을 참조하여 설명하면, 정렬 기준부(16)가 형성된 기판(10)에 소정의 간격으로 복수의 나노 물질층(20)이 도포된다. 본 실시예에 따른 나노 물질은 나노 입자, 양자점 등의 0차원 구조물 또는 탄소나노튜브, 나노와이어를 포함하는 1차원 구조물로 이루어질 수 있다.Referring to the drawings, a plurality of nanomaterial layers 20 are applied to the substrate 10 on which the alignment reference portion 16 is formed at predetermined intervals. Nanomaterial according to the present embodiment may be made of a one-dimensional structure containing a nano-dimensional structure, such as nanoparticles, quantum dots or carbon nanotubes, nanowires.

상기 기판(10)은 실리콘 웨이퍼나 유리 등 광노광에 일반적으로 사용되는 기판을 통칭하는 것으로서 광노광을 적용할 수 있는 것이라면 그 종류를 제한하지 않는다.The substrate 10 generally refers to a substrate generally used for photoexposure such as a silicon wafer or glass, and the substrate 10 is not limited as long as it can be applied to photoexposure.

정렬 기준부(16)는 기판 상에 음각 구조로 형성되거나, 특정 물질이 도포된 구조로 형성될 수 있다. 이러한 정렬 기준부(16)는 복수개가 기판의 중앙을 기준으로 서로 대칭되는 위치에 배치된다.The alignment reference unit 16 may be formed in a negative structure on the substrate, or may be formed in a structure to which a specific material is applied. The alignment reference portion 16 is disposed at a position in which a plurality of the reference symmetry is symmetrical with respect to the center of the substrate.

이러한 나노 물질층(20)은 도 4에 도시된 바와 같이 나노 물질이 포함된 용액을 분사(jetting)방식으로 분사하여 형성되는데, 이러한 분사방식은 열, 압력 등에 의해 일정한 크기의 용액이 분사노즐(31)에서 기판(10)으로 낙하하여 기판상에 나노 물질층(20)을 형성한다.The nanomaterial layer 20 is formed by jetting a solution containing a nanomaterial as shown in Figure 4, the injection method is a solution of a predetermined size by the heat, pressure, etc. injection nozzle ( 31 falls to the substrate 10 to form the nanomaterial layer 20 on the substrate.

분사 방식은 원하는 크기의 용액을 원하는 위치에 떨어뜨려서 점이나 선의 형상을 임의대로 만들 수 있는 장점이 있다. 이러한 방식에 있어서 가장 대표적인 것이 잉크 젯(Ink Jet)방식이다. 잉크 젯 방식은 용액 방울의 크기를 수십 ㎛이하로 줄이는 것이 가능하며, 패턴된 점이나 선의 크기도 수십 ㎛까지 구현하는 것이 가능하다.The spray method has the advantage of dropping a solution having a desired size to a desired position to form an arbitrary point or line shape. The most representative of these methods is the ink jet method. The ink jet method can reduce the size of the solution droplets to several tens of micrometers or less, and the size of patterned dots or lines can be realized up to several tens of micrometers.

나노물질을 기판에 도포하는 도포 장치(30)는 나노물질 용액(25)을 기판(10)으로 분사하는 분사노즐(31)과 이 분사노즐(31)을 이송시키는 이송부재(35), 나노물질 용액을 수용하는 용기(37), 이 용기(37)와 분사노즐(31)을 연결하는 연결관(32), 및 기판(10) 상에 형성된 정렬 기준부(16)를 탐색하는 센서(36)를 포함한다. The coating device 30 for applying the nanomaterial to the substrate includes a spray nozzle 31 for spraying the nanomaterial solution 25 onto the substrate 10, a transfer member 35 for transporting the spray nozzle 31, and a nanomaterial. A container 37 for receiving a solution, a connecting tube 32 connecting the container 37 and the spray nozzle 31, and a sensor 36 for searching the alignment reference 16 formed on the substrate 10. It includes.

도포 장치(30)의 작동 원리를 살펴보면, 먼저 센서(36)가 정렬 기준부(16)를 검출하면 이송부재(35)가 분사노즐(31)을 정렬 기준부(16)의 직상방에 위치시킨다. 이 위치를 기준으로 이송부재(35)가 분사노즐(31)을 예정된 거리(DX, DY) 만큼 이송시키고 분사노즐(31)은 소정 량의 나노 물질 용액(25)을 기판(10) 상으로 분사한다. 이러한 과정의 반복을 통해서 기판(10) 전체에 나노 물질층(20)을 고르게 도포할 수 있다. 또한 제작하고자 하는 전극 패턴에 따라 불규칙적인 나노물질 용액의 도포가 가능하다. Looking at the principle of operation of the coating device 30, first, when the sensor 36 detects the alignment reference 16, the transfer member 35 places the injection nozzle 31 directly above the alignment reference 16. . Based on this position, the transfer member 35 transfers the injection nozzle 31 by a predetermined distance DX and DY, and the injection nozzle 31 injects a predetermined amount of the nanomaterial solution 25 onto the substrate 10. do. By repeating this process, the nanomaterial layer 20 may be evenly applied to the entire substrate 10. In addition, it is possible to apply the irregular nanomaterial solution according to the electrode pattern to be produced.

다만, 상기한 이송 매커니즘은 본 발명의 일 예에 불과하며 분사노즐(31)과 기판(10)이 상대적으로 이송될 수 있으면 족하다. 따라서 분사노즐(31)이 고정되고 기판(10)이 분사노즐(31)에 대하여 이송될 수도 있다.However, the transfer mechanism is only an example of the present invention, and the injection nozzle 31 and the substrate 10 may be relatively transferred. Therefore, the spray nozzle 31 may be fixed and the substrate 10 may be transferred with respect to the spray nozzle 31.

이러한 도포장치(30)를 이용하여 나노 물질층(20)을 형성함으로써 크기가 매우 작은 나노 물질층(20)을 빠르고 정확하게 기판(10) 상에 형성할 수 있다. 그리고 나노 물질 용액(25)은 일정한 농도를 가지도록 조절할 수 있으므로 나노 물질층(20) 안에 있는 나노 물질의 양을 조절하는 것이 가능하다.By forming the nanomaterial layer 20 using the coating device 30, the nanomaterial layer 20 having a very small size can be quickly and accurately formed on the substrate 10. And since the nanomaterial solution 25 can be adjusted to have a constant concentration, it is possible to control the amount of the nanomaterial in the nanomaterial layer 20.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따라 분사방식에 의하여 탄소나노튜브가 기판에 도포된 상태를 촬영한 사진인데, 도 5를 보면, 나노 물질층(20)이 원형에 가까운 형태로 일정한 간격으로 이격되어 형성된 것을 알 수 있다. 또한 도 6은 나노 물질층을 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope; SEM)으로 촬영한 사진인데, 이를 보면 탄소나노튜브가 균일한 밀도로 분포되어 있는 것을 확인할 수 있다.FIG. 5 is a photograph showing a state in which carbon nanotubes are coated on a substrate by a spraying method according to the first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the nanomaterial layer 20 has a predetermined interval in a form close to a circle. It can be seen that formed to be spaced apart. In addition, Figure 6 is a photograph taken by the scanning electron microscope (Scanning Electron Microscope; SEM) of the nanomaterial layer, it can be seen that the carbon nanotubes are distributed in a uniform density.

도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따라 나노 물질층의 양쪽 가장자리에 전극이 형성된 나노 소자 구조물을 나타내는 사시도이고 도 8은 이의 부분 단면도이다.7 is a perspective view illustrating a nano device structure in which electrodes are formed at both edges of a nano material layer according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a partial cross-sectional view thereof.

나노 물질층(20)의 양측 가장자리에는 금속 전극(15)이 도포되는데, 이러한 금속 전극(15)은 광노광 방식 등 다양한 방법으로 도포될 수 있다.Metal electrodes 15 are applied to both edges of the nanomaterial layer 20, and the metal electrodes 15 may be applied by various methods such as a photoexposure method.

금속 전극(15)은 나노 물질층(20)의 가장자리를 부분적으로 덮는 구조로 설치되며 두개의 금속 전극(15)이 하나의 나노 물질층(20)에 대칭적으로 설치된다.The metal electrode 15 is installed to partially cover the edge of the nanomaterial layer 20, and two metal electrodes 15 are symmetrically installed on one nanomaterial layer 20.

본 실시예에 따른 금속 전극(15)의 도포는 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 스퍼터링(Sputtering), 전자 빔 증착법(e-beam evaporation), 열 증착법(thermal evaporation) 등으로 이루어질 수 있으며, 이러한 방법들은 널리 알려져 있으므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.Application of the metal electrode 15 according to the present embodiment may be performed by chemical vapor deposition (CVD), sputtering, e-beam evaporation, thermal evaporation, or the like. Since these methods are well known, detailed descriptions thereof will be omitted.

상기에서 열거한 금속 전극(15)의 도포 방법들은 본 실시예의 일 예에 불과하며 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 상기한 방법 이외에도 통상적인 다양한 방법들이 적용될 수 있다.The application methods of the metal electrodes 15 listed above are merely examples of the present embodiment, and the present invention is not limited thereto. Therefore, various conventional methods may be applied in addition to the above methods.

한편, 본 실시예에서는 금속 전극(15)이 점 형태로 형성된 것으로 예시하고 있지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 금속 전극(15)은 나노 물질층(20)과 보다 효과적으로 접촉하기 위하여 도 1에 도시된 전극과 같이 선 형태의 전극이 교차하는 구조로 형성될 수도 있다. 이러한 교차 구조는 널리 알려져 있으므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.Meanwhile, in the present embodiment, the metal electrode 15 is illustrated as having a dot shape, but the present invention is not limited thereto, and the metal electrode 15 may be further contacted with the nanomaterial layer 20 in FIG. 1. As shown in the illustrated electrode, a linear electrode may be formed to intersect. Since the cross structure is widely known, a detailed description thereof will be omitted.

상기한 바와 같이 분사 방식으로 나노 물질을 도포함에 있어서 금속 전극(15)과 나노 물질층(20) 사이의 접착력을 높이는 것과 나노 물질층(20)에 나노 물질이 고르게 분포되도록 하는 것도 매우 중요하다. 그러나 나노 물질 용액(25)이 건조되는 과정에서 나노 물질이 뭉치는 현상이 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해서 나노 물질 용액(25)이 도포된 후 기판(10)을 가열하여 나노 물질 용액에 포함된 액체를 신속하게 증발시킴으로써 이러한 현상을 방지할 수 있다.As described above, it is also important to increase the adhesion between the metal electrode 15 and the nanomaterial layer 20 and to evenly distribute the nanomaterial to the nanomaterial layer 20 in applying the nanomaterial by the spray method. However, the nanomaterials may aggregate when the nanomaterial solution 25 is dried. To prevent this, this phenomenon may be prevented by rapidly evaporating the liquid contained in the nanomaterial solution by heating the substrate 10 after the nanomaterial solution 25 is applied.

상기한 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 소자 구조물을 제조하는 방법은 정열 기준부(16)가 형성된 기판(10)에 분사 방식으로 나노 물질이 포함된 용액(25)을 도포하는 단계와, 나노 물질층(20) 위에 전극(15)을 도포하는 단계를 포함할 수 있다.As described above, the method of manufacturing a nano device structure according to the first embodiment of the present invention includes applying a solution 25 containing a nano material to the substrate 10 on which the alignment reference part 16 is formed by spraying. And applying the electrode 15 on the nanomaterial layer 20.

나노 물질 용액(25)을 기판에 도포한 후에는 용액에 포함된 불술물을 제거하고, 기판을 가열하여 용액에 포함된 액체를 증발시켜 나노 물질이 뭉치는 것을 방 지할 수 있다.After the nanomaterial solution 25 is applied to the substrate, the impurities contained in the solution may be removed, and the substrate may be heated to evaporate the liquid contained in the solution to prevent the nanomaterials from agglomeration.

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노 소자 구조물의 일부를 도시한 단면도이고, 도 10a 내지 도 10f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노 소자 구조물의 제조 과정을 도시한 도면이다.9 is a cross-sectional view illustrating a portion of a nano device structure according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 10A to 10F are views illustrating a manufacturing process of the nano device structure according to the second embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 나노 소자 구조물은 웨이퍼(41)와 웨이퍼(41) 상에 형성된 절연층(42)으로 이루어진 기판(40)과 상기 기판(40) 위에 분사방식으로 형성된 나노 물질층(43) 및 상기 나노 물질층(43)의 양측 가장자리와 접하도록 형성된 전극(45)을 포함한다.As shown in FIG. 9, the nano device structure according to the present exemplary embodiment is formed by spraying on a substrate 40 formed of a wafer 41 and an insulating layer 42 formed on the wafer 41, and the substrate 40. The nano material layer 43 and the electrode 45 formed to be in contact with both edges of the nano material layer 43.

이러한 나노 소자 구조물의 제조 방법을 살펴보면, 먼저 도 10a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(41) 위에 절연층(42)이 도포되어 기판(40)을 형성한다.Looking at the manufacturing method of such a nano device structure, as shown in FIG. 10A, an insulating layer 42 is coated on a wafer 41 to form a substrate 40.

도 10b에 도시된 바와 같이, 기판(40) 위에는 나노 물질층(43)이 형성되는데, 이때, 나노 물질층(43)은 본 발명의 제1 실시예와 같이 정렬 기준부가 형성된 기판(40) 위에 잉크젯 방식으로 나노물질을 포함하는 용액이 분사되어 형성된다.As shown in FIG. 10B, a nanomaterial layer 43 is formed on the substrate 40, wherein the nanomaterial layer 43 is formed on the substrate 40 on which the alignment reference is formed, as in the first embodiment of the present invention. A solution containing nanomaterials is sprayed by an inkjet method.

도 10c에 도시된 바와 같이, 나노 물질층(43)이 형성된 기판(40) 위에 는 감광성 수지막(photoresist)(44)이 도포한다. 그리고 도 10d에 도시된 바와 같이, 감광성 수지막(44)이 형성된 기판(40) 위에 전극(45)이 형성될 부분에 광을 조사하여 감광성 수지막(44)을 소정의 패턴으로 제거한다. 도 10e에 도시된 바와 같이 감광성 수지막(44)이 소정의 패턴으로 제거된 기판(40)에는 금속 전극(45, 46)을 도포한다. 이때, 금속 전극(45, 46)의 도포는 전자빔 증착(E-beam evaporation), 스퍼터(sputter), 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)과 같은 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 10C, a photoresist 44 is coated on the substrate 40 on which the nanomaterial layer 43 is formed. As shown in FIG. 10D, light is irradiated to a portion where the electrode 45 is to be formed on the substrate 40 on which the photosensitive resin film 44 is formed to remove the photosensitive resin film 44 in a predetermined pattern. As shown in FIG. 10E, metal electrodes 45 and 46 are applied to the substrate 40 from which the photosensitive resin film 44 is removed in a predetermined pattern. In this case, the coating of the metal electrodes 45 and 46 may be performed by various methods such as E-beam evaporation, sputter, chemical vapor deposition (CVD).

금속 전극(45, 46)의 도포가 완료되면, 도 10f와 같이 리프트 오프(Lift-off) 방식으로 감광성 수지막(44) 및 감광성 수지막(44) 위에 도포된 금속 전극(46)을 제거한다.When the application of the metal electrodes 45 and 46 is completed, the photosensitive resin film 44 and the metal electrode 46 applied on the photosensitive resin film 44 are removed in a lift-off manner as shown in FIG. 10F. .

이와 같이, 웨이퍼(41)와 절연층(42)으로 이루어진 기판(40)에 나노 물질층(43)을 도포하고 나노 물질층(43) 위에 전극(45)을 소정 패턴으로 도포하면 나노 소자 구조물이 전계효과 트랜지스터(field effect transistor; FET)로 사용될 수 있다.As such, when the nanomaterial layer 43 is applied to the substrate 40 including the wafer 41 and the insulating layer 42, and the electrode 45 is applied in a predetermined pattern on the nanomaterial layer 43, the nano device structure is formed. It can be used as a field effect transistor (FET).

도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 나노 소자 구조물이 및 이와 반응하는 상부기판을 도시한 단면도로서, 다이오드(diode) 구조의 전계효과 디스플레이(field effect display; FED)를 나타낸다.FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a nano device structure and an upper substrate reacting with the nano device structure according to the third embodiment of the present invention, showing a field effect display (FED) having a diode structure.

상기한 도면을 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 나노 소자 구조물(50)은 정렬 기준부(미도시)가 형성된 기판(51)과 기판(51) 위에 형성된 금속층(52)과 금속층(52) 위에 일정한 패턴으로 형성된 나노 물질층(53)을 포함한다. 그리고 나노 소자 구조물(50)의 위에는 상부 기판(60)이 설치되는데, 이 상부 기판(60)은 나노 소자 구조물(50)과 이격되어 설치된 투명 전도체층(61)과 투명 전도체층(61)의 아래에 형성된 형광체층(62)을 포함한다.Referring to the drawings described above, the nano device structure 50 according to the present embodiment is a substrate 51 and the metal layer 52 and the metal layer 52 formed on the substrate 51, the alignment reference portion (not shown) is formed It includes a nano material layer 53 formed in a predetermined pattern thereon. The upper substrate 60 is installed on the nano device structure 50, and the upper substrate 60 is disposed below the transparent conductor layer 61 and the transparent conductor layer 61 spaced apart from the nano device structure 50. And a phosphor layer 62 formed thereon.

나노 소자 구조물(50)과 상부 기판(60)은 전원(58)에 의하여 전기적으로 연결되는데, 나노 소자 구조물(50)에 음극을 연결하고 상부 기판(60)을 양극을 연결하면 나노 물질층(53)로부터 전자빔이 형광체층(62)으로 분사되어 형광체층이 빛을 발산하게 된다. 이때, 나노 물질층(53)에 포함된 나노 물질들(54)은 형광체층(62)을 향하여 수직으로 배열되는 것이 바람직하다.The nano device structure 50 and the upper substrate 60 are electrically connected by a power source 58. When the cathode is connected to the nano device structure 50 and the anode is connected to the upper substrate 60, the nano material layer 53 Electron beam is emitted to the phosphor layer 62 so that the phosphor layer emits light. In this case, the nanomaterials 54 included in the nanomaterial layer 53 may be vertically arranged toward the phosphor layer 62.

나노 소자 구조물이 제조되는 과정을 살펴보면, 먼저 기판(51)에 ITO(indium tin oxide) 등의 금속층(52)이 도포되고 이 금속층(52) 위에 일정한 패턴으로 나노 물질층(53)이 도포된다. 이때, 나노 물질층(53)은 기판(51) 또는 금속층(52)에 형성된 정렬 기준부(미도시)를 기준으로 분사 방식에 의하여 금속층(52) 위로 분사되어 소정의 패턴을 형성한다. 이러한 분사 방식은 본 발명의 제1 실시예에서 설명한 분사 방식과 동일하므로 그 설명은 생략한다.Looking at the process of manufacturing the nano-device structure, first, a metal layer 52 such as indium tin oxide (ITO) is applied to the substrate 51 and the nano-material layer 53 is applied on the metal layer 52 in a predetermined pattern. In this case, the nanomaterial layer 53 is sprayed onto the metal layer 52 by a spraying method based on an alignment reference unit (not shown) formed on the substrate 51 or the metal layer 52 to form a predetermined pattern. Since this injection method is the same as the injection method described in the first embodiment of the present invention, description thereof is omitted.

적정한 전계 방출(Field Emission) 특성을 갖기 위해서는 분사된 나노 물질층(53)과 금속층(52)이 잘 접착되어야 하는데, 이를 위해서는 나노 물질(54)이 포함된 용액에 각종 접착제를 첨가할 수 있으며, 고온 열처리를 통해서 접착력을 향상시킬 수 있다.In order to have proper field emission characteristics, the injected nanomaterial layer 53 and the metal layer 52 should be well adhered. For this purpose, various adhesives may be added to the solution containing the nanomaterial 54. Adhesion can be improved through high temperature heat treatment.

또한, 나노 물질층(53)에서 형광체층(62)으로 전자빔을 방출시키기 위해서는 나노 물질(54)이 수직으로 배열되어야 하는데, 이를 위해서는 테이프를 붙였다 떼어내는 방법, 레이저 조사(Laser Irradiation), 이온 빔 조사 (Ion Beam Irradiation), 밀링(milling), 마이크로웨이브 조사 (microwave Irradiation) 등의 방법으로 나노 물질층의 표면을 처리할 수 있다.In addition, in order to emit an electron beam from the nanomaterial layer 53 to the phosphor layer 62, the nanomaterial 54 should be vertically arranged. For this purpose, a method of attaching and detaching a tape, laser irradiation, and ion beam The surface of the nanomaterial layer may be treated by ion beam irradiation, milling, microwave irradiation, or the like.

도 12은 본 발명의 제4 실시예에 따른 나노 소자 구조물 및 이와 반응하는 상부기판을 도시한 단면도로서, 트리오드(triode) 구조의 전계 방출 디스플레이(field emission display; FED)를 나타낸다.FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a nano device structure and an upper substrate reacting with the nano device structure according to the fourth embodiment of the present invention, showing a field emission display (FED) having a triode structure.

본 실시예에 따른 나노 소자 구조물(70)은 전도성 기판(71)과 전도성기판(71) 상에 형성된 절연층(72), 절연층(72) 위에 형성된 게이트 전극(73)을 포함한다. 그리고 절연층(72) 안쪽에는 에미터 홀(76)이 형성되고 이 에미터 홀(76)의 바닥에는 ITO 등의 투명 전도체로 이루어진 캐소드 전극(77)이 형성되며 이 캐소드 전극(77) 위에 나노 물질층(74)이 형성된다. 그리고 나노 물질층(74)에 포함된 나노 물질(75)은 수직으로 배열되는 것이 바람직하다.The nano device structure 70 according to the present exemplary embodiment includes a conductive substrate 71, an insulating layer 72 formed on the conductive substrate 71, and a gate electrode 73 formed on the insulating layer 72. An emitter hole 76 is formed inside the insulating layer 72, and a cathode electrode 77 made of a transparent conductor such as ITO is formed on the bottom of the emitter hole 76. Material layer 74 is formed. In addition, the nanomaterial 75 included in the nanomaterial layer 74 is preferably arranged vertically.

그리고 나노 소자 구조물(70)의 상부에는 상부 기판(80)이 설치되는데, 이 상부 기판(80)은 나노 소자 구조물(70)과 이격되어 설치된 투명 전도체층(81)과 투명 전도체층(81)의 아래에 형성된 형광체층(82)을 포함한다.In addition, an upper substrate 80 is installed on the nano device structure 70, and the upper substrate 80 is formed of the transparent conductor layer 81 and the transparent conductor layer 81 spaced apart from the nano device structure 70. It includes a phosphor layer 82 formed below.

이러한 트리오드 전계방출디스플레이 구조는 게이트 전극(73)에 게이트 전압(79)이 인가되고, 상부 기판(80)에 주 전압(78)이 인가되며, 나노 물질층(74) 아래에 형성된 캐소드 전극(77)은 음극과 연결된다. 이에 따라, 게이트 전압(79)에 의하여 나노 물질(75)에서 전자빔이 방출되고 이러한 전자빔은 주 전압(78)에 의해 상부 기판(80) 쪽으로 이동하여 형광체층(82)에 부딪혀 빛을 발생시킨다. In the triode field emission display structure, a gate voltage 79 is applied to the gate electrode 73, a main voltage 78 is applied to the upper substrate 80, and a cathode electrode formed under the nanomaterial layer 74 ( 77 is connected to the cathode. Accordingly, the electron beam is emitted from the nanomaterial 75 by the gate voltage 79, and the electron beam is moved toward the upper substrate 80 by the main voltage 78 to hit the phosphor layer 82 to generate light.

본 실시예에 따른 나노 소자 구조물의 제조 과정을 살펴보면, 기판(71)에 절연층(72)을 도포단계, 절연층(72) 위에 게이트 전극(73)을 도포하는 단계, 에미터 홀(76)을 형성하고, 에미터 홀(76)에 캐소드 전극(77)을 형성하는 단계, 캐소드 전극(77) 위에 나노 물질 용액을 분사하여 나노 물질층(74)을 형성하는 단계, 나노 물질(75)을 수직으로 배열하는 단계를 포함한다.Looking at the manufacturing process of the nano-device structure according to the present embodiment, the step of applying the insulating layer 72 to the substrate 71, the step of applying the gate electrode 73 on the insulating layer 72, the emitter hole 76 Forming the cathode electrode 77 in the emitter hole 76, spraying the nanomaterial solution on the cathode electrode 77 to form the nanomaterial layer 74, and forming the nanomaterial 75. Arranging vertically.

여기서 기판(71)은 유리기판 등이 사용될 수 있으며, 게이트 전극(73)은 도전성이 있는 금속을 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 증착함으로써 형성할 수 있다. 그리고 에미터 홀(76)은 식각 등의 방법으로 형성되며, 캐소드 전극은 ITO 등으로 이루어진다. 한편, 나노 물질층(74)은 나노물질(75)이 포함된 용액을 분사 방식(Jetting)으로 에미터 홀(76)에 분사하여 형성하는데, 이때 분사는 기판 상에 형성된 정렬 기준부를 기준으로 실행된다.The substrate 71 may be a glass substrate, or the like, and the gate electrode 73 may be formed by depositing a conductive metal by a method such as sputtering. The emitter hole 76 is formed by etching or the like, and the cathode electrode is made of ITO or the like. Meanwhile, the nanomaterial layer 74 is formed by spraying a solution containing the nanomaterial 75 into the emitter hole 76 by jetting, wherein the spraying is performed based on the alignment reference formed on the substrate. do.

이와 같이, 기판에 정렬 기준부가 형성되고 이 정렬 기준부를 바탕으로 나노 물질이 포함된 용액을 분사방식에 의해 기판 상에 도포하므로 나노 물질층을 용이하게 형성할 수 있으며, 나노 물질층과 전극 사이의 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.As such, since the alignment reference portion is formed on the substrate and the solution containing the nanomaterial is applied onto the substrate by spraying, the nanomaterial layer can be easily formed, and between the nanomaterial layer and the electrode It is possible to reduce the contact resistance.

본 실시예에서는 나노 소자 구조물이 전계 방출 디스플레이에 적용된 예를 설명하고 있으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 나노 소자 구조물은 X-선 소스(X-ray source), 마이크로 웨이브 증폭기(microwave amplifier) 등에 적용되는 냉음극 소스로도 사용될 수 있다.In the present embodiment, a nano device structure is described as an example applied to a field emission display, but the present invention is not limited thereto. The nano device structure of the present invention may be an X-ray source or a microwave amplifier. It can also be used as a cold cathode source for amplifiers.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

상기한 바와 같이 본 발명에 따르면 나노 소자 구조물을 보다 용이하게 제조할 수 있으며, 이에 따라 생산성이 향상된다.As described above, according to the present invention, a nano device structure may be more easily manufactured, thereby improving productivity.

본 발명에 따른 나노 소자 구조물은 접촉저항이 현저히 감소된다.In the nano device structure according to the present invention, the contact resistance is significantly reduced.

또한 본 발명에 따른 나노 소자 구조물은 고밀도로 제작할 수 있어서 생산 단가를 낮추고 소자를 소형화할 수 있다.In addition, the nano device structure according to the present invention can be manufactured in a high density can reduce the production cost and miniaturize the device.

Claims (17)

정렬 기준부가 형성된 기판;A substrate on which an alignment reference is formed; 상기 기판 위에 서로 간격을 두고 도포된 복수의 나노 물질층; 및A plurality of nanomaterial layers coated on the substrate at intervals; And 상기 나노 물질층의 상면과 접하도록 형성된 전극;An electrode formed to contact an upper surface of the nanomaterial layer; 을 포함하는 나노 소자 구조물.Nano device structure comprising a. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 나노 물질층은 0차원 구조물 또는 1차원 구조물로 이루어지는 나노 소자 구조물.The nanomaterial layer is a nano device structure consisting of a 0-dimensional structure or a one-dimensional structure. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 기판은 절연성을 지닌 소재로 유리나 폴리머 필름 또는 웨이퍼 위에 형성된 절연층으로 이루어지는 나노 소자 구조물.The substrate is an insulating material nanostructure consisting of an insulating layer formed on a glass or polymer film or a wafer. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 전극은 상기 나노 물질층을 사이에 두고 이격 배치되는 나노 소자 구조물.The electrode is nano device structure spaced apart with the nano material layer interposed therebetween. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 정렬 기준부는 복수개가 상기 기판의 중앙을 기준으로 대칭되는 위치에 형성되는 나노 소자 구조물.The alignment reference unit is a nano device structure formed in a position where a plurality of the reference is symmetric with respect to the center of the substrate. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 나노 물질층은 분사(Jetting) 방식에 의해 도포되는 나노 소자 구조물.The nanomaterial layer is a nano device structure is applied by jetting (Jetting) method. 제1 항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 나노 물질층은 탄소 나노튜브 또는 나노와이어로 이루어지는 나노 소자 구조물.The nanomaterial layer is a nano device structure consisting of carbon nanotubes or nanowires. 기판에 정렬 기준부를 형성하는 단계;Forming an alignment reference on the substrate; 정렬 기준부가 형성된 기판 위에 상기 정렬 기준부를 기준으로 나노 물질이 포함된 용액을 기 설정된 패턴으로 도포하는 단계; 및Applying a solution including a nanomaterial based on the alignment reference part in a predetermined pattern on the substrate on which the alignment reference part is formed; And 나노 물질의 배열 위에 전극을 도포하는 단계;Applying an electrode over the array of nanomaterials; 를 포함하는 나노 소자 구조물의 제조 방법.Method of manufacturing a nano device structure comprising a. 제8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 나노물질이 포함된 용액은 기판을 향해 분사되어 기판상에 도포되는 나노 소자 구조물의 제조 방법.The nanomaterial solution is sprayed toward the substrate is a method of manufacturing a nano device structure is applied on the substrate. 제8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 나노 물질이 포함된 용액을 도포한 후, 불순물을 제거하는 단계를 포함하는 나노 소자 구조물의 제조 방법.After applying the solution containing the nanomaterial, a method of manufacturing a nano device structure comprising the step of removing impurities. 제8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 전극의 도포는 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 스퍼터링(Sputtering), 전자 빔 증착법(e-beam evaporation), 열 증착법(thermal evaporation) 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 이루어지는 나노 소자 구조물의 제조 방법.Coating of the electrode is performed by any one method selected from chemical vapor deposition (CVD), sputtering, sputtering, e-beam evaporation, and thermal evaporation. Manufacturing method. 제8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 나노 물질이 포함된 용액을 도포한 후, 나노 물질의 뭉침을 방지하기 위해서, 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는 나노 소자 구조물의 제조 방법.After applying the solution containing the nanomaterial, in order to prevent agglomeration of the nanomaterial, further comprising the step of heating the substrate manufacturing method of the nano device structure. 기판에 정렬 기준부를 형성하는 단계;Forming an alignment reference on the substrate; 상기 정렬 기준부가 형성된 기판 위에 금속 전극층을 형성하는 단계; 및Forming a metal electrode layer on the substrate on which the alignment reference portion is formed; And 상기 정렬 기준부를 이용하여 나노 물질 패턴을 형성하는 단계;Forming a nanomaterial pattern using the alignment reference; 를 포함하는 나노 소자 구조물의 제조 방법.Method of manufacturing a nano device structure comprising a. 제13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 나노 물질 패턴은 나노 물질이 포함된 용액이 기판 상으로 분사(Jetting)되어 형성되는 나노 소자 구조물의 제조 방법.The nanomaterial pattern is a method of manufacturing a nano device structure is formed by jetting a solution containing a nanomaterial onto a substrate (Jetting). 제13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 기판에 금속 전극층을 형성한 후, 상기 금속 전극층을 어닐링(annealing)하는 단계를 더 포함하는 나노 소자 구조물의 제조 방법.After forming the metal electrode layer on the substrate, the method of manufacturing a nano-device structure further comprising the step of annealing (annealing) the metal electrode layer. 제13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 기판에 나노 물질 패턴을 형성한 후, 상기 나노 물질의 적어도 일부를 수직으로 세우기 위하여 나노 물질 패턴을 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 나노 소자 구조물의 제조 방법.And forming a nanomaterial pattern on the substrate, and then surface treating the nanomaterial pattern to erect at least a portion of the nanomaterial vertically. 제13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 나노 물질 패턴을 형성하기 이전에 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는 나노 소자 구조물의 제조 방법.And heating the substrate prior to forming the nanomaterial pattern.
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