KR100794892B1 - 수직배열형 액정 디스플레이 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (19)
- 복수의 픽셀영역으로 구성되어 있고 각각의 픽셀영역은 소스라인과 게이트라인에 의해 구동되어지는 수직 배열형 액정 디스플레이 장치에 있어서, 상기 픽셀영역은 제1기판; 제1기판에 반대쪽에 위치한 제2기판; 제1기판과 제2기판사이에 위치한 액정층; 제2픽셀전극이 제1픽셀전극과 연결되어 있지 않으며, 제1픽셀전극과 제2픽셀전극이 복수의 슬릿을 가지고 있는 제1기판위에 형성된 제1픽셀전극과 제2픽셀전극; 제1기판위에 형성된 제1픽셀전극에 연결된 제1픽셀구동소자; 제1픽셀전극과 제2픽셀전극이 서로 다른 전압을 가지게 하기 위하여 제1픽셀구동소자와 제2픽셀구동소자가 서로 다른 개방 전류를 가지는 제1기판위에 형성된 제2픽셀전극에 연결된 제2픽셀구동소자; 액정층이 두 개의 서로 다른 액정방향을 가지게 하기 위하여 공통전극과 제1픽셀전극, 공통전극과 제2픽셀전극이 각각 서로 다른 전압차를 가지며, 제2기판의 내측면에 형성되어서 복수의 슬릿과 돌출부를 가지고 있는 공통전극을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제1항에 있어서, 제1기판위에 형성된 게이트 라인에 평행한 스토리지 케퍼시턴스 전극 라인을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제1항에 있어서, 제1픽셀전극과 제2픽셀전극이 인-주석 산화물(ITO) 또는 인 -아연 산화물(IZO)층인 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제1항에 있어서, 공통전극이 인-주석 산화물(ITO) 또는 인 -아연 산화물(IZO)층인 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제1항에 있어서, 제1픽셀구동소자가 제1박막트랜지스터이고 제2픽셀구동소자가 제2박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제5항에 있어서, 제1박막트랜지스터와 제2박막트랜지스터의 채널이 서로 다른 폭 대비 길이 비(W/L)를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 복수의 픽셀영역으로 구성되어 있는 수직 배열형 액정 디스플레이 장치에 있어서, 각각의 픽셀영역은 제1기판위에 형성된 가로로 연장된 게이트라인과 세로로 연장된 소스라인; 제1소스와 제1드레인이 있는 제1기판위에 형성된 제1박막 트랜지스터; 제1박막 트랜지스터와 제2박막트랜지스터는 서로 다른 개방 전류를 가지며, 제2소스와 제2드레인이 있는, 제1기판위에 형성된 제2박막트랜지스터; 제1픽셀전극이 제1전압을 갖게 하기 위하여 제1드레인에 의해 제1소스에 전기적으로 연결되어, 복수의 슬릿을 가지고 있는 제1픽셀전극; 제1전압과 제2전압사이에 전압차가 있도록 제1전압과 다른 제2전압을 제2픽셀전극에 발생시키기 위하여 제2드레인에 의해 제2소스에 전기적으로 연결되어, 복수의 슬릿을 가지고 있는 제2픽셀전극; 제1기판에 반대쪽에 있는 제2기판; 제1기판과 제2기판사이에 위치한 액정층; 액정층이 두 개의 서로 다른 액정방향을 가지게 하기 위하여 공통전극과 제1픽셀전극, 공통전극과 제2픽셀전극이 각각 서로 다른 전압차를 가지며, 제2기판의 내측면에 형성되어서 복수의 슬릿과 돌출부를 가지고 있는 공통전극을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제7항에 있어서, 제1기판위에 형성된 게이트 라인에 평행한 스토리지 케퍼시턴스 전극 라인을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제7항에 있어서, 제1박막트랜지스터와 제2박막트랜지스터는 제1드레인, 제1소스, 제2드레인, 제2소스의 순으로 배열된 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제7항에 있어서, 제1픽셀전극과 제2픽셀전극이 인-주석 산화물(ITO) 또는 인 -아연 산화물(IZO)층인 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제7항에 있어서, 공통전극이 인-주석 산화물(ITO) 또는 인 -아연 산화물(IZO)층인 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제7항에 있어서, 제1박막트랜지스터와 제2박막트랜지스터가 같은 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제7항에 있어서, 제1박막트랜지스터와 제2박막트랜지스터의 채널이 서로 다른 폭 대비 길이 비(W/L)를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 복수의 픽셀영역을 포함하는 수직 배열형 액정디스플레이에 있어서, 각각의 픽셀영역은 제1기판위에 형성된 가로로 연장된 게이트라인과 세로로 연장된 소스라인; 제1소스와 제1드레인이 있으며 제1기판위에 형성된 제1박막 트랜지스터; 제1박막 트랜지스터와 제2박막트랜지스터는 서로 다른 개방 전류를 가지며, 제1소스와 제2드레인이 있으며 제1기판위에 형성된 제2박막트랜지스터; 제1픽셀전극에 제1전압을 형성하기 위하여 제1드레인에 의해 제1소스에 전기적으로 연결되어진 복수의 슬릿을 가지고 있는 제1픽셀전극; 제1전압과 제2전압사이에 전압차가 있도록 제1전압과 다른 제2전압을 제2픽셀전극에 발생시키기 위하여 제2드레인에 의해 제1소스에 전기적으로 연결되어진 복수의 슬릿을 가지고 있는 제2픽셀전극; 제1기판에 반대쪽에 있는 제2기판; 제1기판과 제2기판사이에 위치한 액정층; 액정층이 두 개의 서로 다른 액정방향을 가지게 하기 위하여 공통전극과 제1픽셀전극, 공통전극과 제2픽셀전극이 각각 서로 다른 전압차를 가지며, 제2기판의 내측면에 형성되어서 복수의 슬릿과 돌출부를 가지고 있는 공통전극을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제14항에 있어서, 제1기판위에 형성된 게이트 라인에 평행한 스토리지 케퍼시턴스 전극 라인을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제14항에 있어서, 제1픽셀전극과 제2픽셀전극이 인-주석 산화물(ITO) 또는 인 -아연 산화물(IZO)층인 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제14항에 있어서, 공통전극이 인-주석 산화물(ITO) 또는 인 -아연 산화물(IZO)층인 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제14항에 있어서, 제1박막트랜지스터와 제2박막트랜지스터가 같은 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
- 제14항에 있어서, 제1박막트랜지스터와 제2박막트랜지스터의 채널이 서로 다른 폭 대비 길이 비(W/L)를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 배열형 액정 디스플레이.
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