KR100787738B1 - 이미지 센서 및 이미지 센서 모듈 - Google Patents
이미지 센서 및 이미지 센서 모듈 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100787738B1 KR100787738B1 KR1020057001020A KR20057001020A KR100787738B1 KR 100787738 B1 KR100787738 B1 KR 100787738B1 KR 1020057001020 A KR1020057001020 A KR 1020057001020A KR 20057001020 A KR20057001020 A KR 20057001020A KR 100787738 B1 KR100787738 B1 KR 100787738B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transistor
- image sensor
- insulating film
- gate insulating
- region
- Prior art date
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 88
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 189
- 238000000034 method Methods 0.000 description 93
- 230000008569 process Effects 0.000 description 78
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 B + Chemical class 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823462—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate insulating layers, e.g. different gate insulating layer thicknesses, particular gate insulator materials or particular gate insulator implants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
또한, 이상의 설명에 관하여 이하의 부기를 개시한다.
(부기 1)
제1 전원과 제2 전원 사이에 직렬 접속된 리세트 트랜지스터 및 포토다이오드와,
상기 제1 전원에 접속되어, 상기 포토다이오드의 신호를 검출하는 검출 트랜지스터와,
상기 검출 트랜지스터를 선택하는 선택 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서로서,
상기 검출 트랜지스터의 게이트 절연막은, 상기 선택 트랜지스터의 게이트 절연막보다 두껍고, 상기 검출 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭은 상기 선택 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭보다도 각각 큰 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
(부기 2)
상기 리세트 트랜지스터의 게이트 절연막은, 상기 선택 트랜지스터의 게이트 절연막보다 두껍고, 상기 리세트 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭은 상기 선택 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭보다도 각각 큰 것을 특징으로 하는 부기 1의 이미지 센서.
(부기 3)
상기 검출 트랜지스터 및 리세트 트랜지스터는, 동일한 게이트 절연막을 갖는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2의 이미지 센서.
(부기 4)
제1 전원과 제2 전원 사이에 직렬 접속된 리세트 트랜지스터 및 포토다이오드와,
상기 제1 전원에 접속되어, 상기 포토다이오드의 신호를 검출하는 검출 트랜지스터와,
상기 검출 트랜지스터를 선택하는 선택 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서로서,
상기 리세트 트랜지스터의 게이트 절연막은, 상기 선택 트랜지스터의 게이트 절연막보다 두껍고, 상기 리세트 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭은 상기 선택 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭보다도 큰 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
(부기 5)
상기 검출 트랜지스터 또는 상기 리세트 트랜지스터의 불순물 영역의 불순물 농도는, 상기 선택 트랜지스터의 대응하는 불순물 영역의 불순물 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 부기 4 중 어느 하나의 이미지 센서.
(부기 6)
상기 검출 트랜지스터 및 리세트 트랜지스터의 LDD 영역, 소스 영역 및 드레인 영역은, 인이 주입되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 부기 5 중 어느 하나의 이미지 센서.
(부기 7)
제1 전원과 제2 전원 사이에 직렬 접속된 리세트 트랜지스터 및 포토다이오드와,
상기 제1 전원에 접속되어, 상기 포토다이오드의 신호를 검출하는 검출 트랜지스터와,
상기 검출 트랜지스터를 선택하는 선택 트랜지스터와,
주변 회로를 구성하는 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서로서,
상기 검출 트랜지스터의 게이트 절연막은, 상기 주변 회로를 구성하는 트랜지스터의 게이트 절연막보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
(부기 8)
상기 주변 회로를 구성하는 트랜지스터는, CMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 부기 7의 이미지 센서.
(부기 9)
상기 주변 회로는 A/D 컨버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 부기 5 또는 부기 6의 이미지 센서.
(부기 10)
상기 선택 트랜지스터의 게이트 절연막은, 상기 주변 회로를 구성하는 트랜지스터의 게이트 절연막보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 부기 7 내지 부기 9 중 어느 하나의 이미지 센서.
(부기 11)
상기 검출 트랜지스터 및 리세트 트랜지스터는, 동일한 게이트 절연막을 갖는 것을 특징으로 하는 부기 7 내지 부기 10 중 어느 하나의 이미지 센서.
(부기 12)
상기 게이트 절연막은, 실리콘 산화막, 실리콘 산질화막 및 실리콘 질화막 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 부기 11 중 어느 하나의 이미지 센서.
(부기 13)
상기 검출 트랜지스터 또는 상기 리세트 트랜지스터의 웰 영역의 불순물 농도는, 상기 주변 회로를 구성하는 트랜지스터의 웰 영역의 불순물 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 부기 7 내지 부기 12 중 어느 하나의 이미지 센서.
(부기 14)
상기 검출 트랜지스터 또는 상기 리세트 트랜지스터의 LDD 영역, 소스 영역 및 드레인 영역 중 적어도 하나는 인이 주입되어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 부기 7 내지 부기 13 중 어느 하나의 이미지 센서.
(부기 15)
상기 주변 회로를 구성하는 트랜지스터의 불순물 영역에는 비소, 또는 비소 및 인이 주입되어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 부기 14의 이미지 센서.
(부기 16)
상기 리세트 트랜지스터와 포토다이오드 사이에 트랜스퍼 트랜지스터가 직렬로 접속되어 있고, 상기 검출 트랜지스터의 게이트가 리세트 트랜지스터와 트랜스퍼 트랜지스터를 접속하는 확산층에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 부기 15 중 어느 하나의 이미지 센서.
(부기 17)
상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 산화막은, 상기 선택 트랜지스터의 게이트 절연막보다 두껍고, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭은 상기 선택 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭보다도 각각 큰 것을 특징으로 하는 부기 16의 이미지 센서.
(부기 18)
리세트 트랜지스터와 포토다이오드 사이에 트랜스퍼 트랜지스터가 직렬로 접속되고, 검출 트랜지스터의 게이트가 리세트 트랜지스터와 트랜스퍼 트랜지스터를 접속하는 확산층에 접속되고, 상기 검출 트랜지스터를 선택하는 선택 트랜지스터가 접속되어 있는 이미지 센서로서,
상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 산화막이 리세트 트랜지스터, 검출 트랜지스터, 및 선택 트랜지스터의 게이트 산화막보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
(부기 19)
상기 트랜스퍼 트랜지스터의 소스 영역 및 드레인 영역은 인이 주입되어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 부기 16 내지 부기 18 중 어느 하나의 이미지 센서.
(부기 20)
화소 셀과 주변 회로를 포함하는 CMOS 이미지 센서로서,
상기 픽셀 내의 n 채널 트랜지스터의 LDD 영역, 소스 영역 및 드레인 영역 중 적어도 하나는 인만이 주입되어 형성되고,
상기 주변 회로의 n 채널 트랜지스터의 LDD 영역, 소스 영역 및 드레인 영역 중 적어도 하나는 비소를 포함하는 불순물 원소가 주입되어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
(부기 21)
플래시 메모리 및 DRAM 중 적어도 하나를 더 구비한 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 부기 20 중 어느 하나의 이미지 센서.
(부기 22)
부기 1 내지 부기 21 중 어느 하나의 이미지 센서와, 광학 렌즈를 적어도 포함하는 이미지 센서 모듈.
(부기 23)
상기 리세트 트랜지스터, 검출 트랜지스터, 선택 트랜지스터, 및 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 절연막이, 모두 주변 회로의 트랜지스터의 게이트 절연막보다도 두꺼운 것을 특징으로 하는 부기 16의 이미지 센서.
Claims (23)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 리세트 트랜지스터와 포토다이오드 사이에 트랜스퍼 트랜지스터가 직렬로 접속되고, 검출 트랜지스터의 게이트가 리세트 트랜지스터와 트랜스퍼 트랜지스터를 접속하는 확산층에 접속되고, 상기 검출 트랜지스터를 선택하는 선택 트랜지스터가 접속되어 있는 이미지 센서로서,상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 산화막이 리세트 트랜지스터, 검출 트랜지스터, 및 선택 트랜지스터의 게이트 산화막보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 화소 셀과 주변 회로를 포함하는 CMOS 이미지 센서로서,픽셀 내의 n 채널 트랜지스터의 LDD 영역, 소스 영역 및 드레인 영역 중 적어도 하나는 인만이 주입되어 형성되고,상기 주변 회로의 n 채널 트랜지스터의 LDD 영역, 소스 영역 및 드레인 영역 중 적어도 하나는 비소를 포함하는 불순물 원소가 주입되어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제4항 또는 제5항의 이미지 센서와, 광학 렌즈를 적어도 포함하는 이미지 센서 모듈.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002214477 | 2002-07-23 | ||
JPJP-P-2002-00214477 | 2002-07-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050029230A KR20050029230A (ko) | 2005-03-24 |
KR100787738B1 true KR100787738B1 (ko) | 2007-12-24 |
Family
ID=30767883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057001020A KR100787738B1 (ko) | 2002-07-23 | 2003-07-23 | 이미지 센서 및 이미지 센서 모듈 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP1536475B1 (ko) |
JP (1) | JP4327719B2 (ko) |
KR (1) | KR100787738B1 (ko) |
CN (1) | CN100477238C (ko) |
TW (1) | TWI289905B (ko) |
WO (1) | WO2004010506A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100936104B1 (ko) | 2007-12-27 | 2010-01-11 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 제조방법 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032688A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Fujitsu Ltd | 固体撮像装置 |
JP2006253316A (ja) | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
US7732885B2 (en) | 2008-02-07 | 2010-06-08 | Aptina Imaging Corporation | Semiconductor structures with dual isolation structures, methods for forming same and systems including same |
JP5057340B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2012-10-24 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 光検出装置、電気光学装置及び電子機器 |
JP2009283552A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 固体撮像素子 |
CN101630659B (zh) | 2008-07-15 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 使用三栅极工艺的cmos图像传感器的方法和结构 |
JP5446281B2 (ja) | 2008-08-01 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 |
JP5517503B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2012094672A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Sony Corp | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
KR101890748B1 (ko) * | 2011-02-01 | 2018-08-23 | 삼성전자주식회사 | 멀티 스택 씨모스(cmos) 이미지 센서의 화소 및 그 제조방법 |
JP5943577B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2016-07-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
JP6083930B2 (ja) | 2012-01-18 | 2017-02-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム、光電変換装置の製造方法 |
KR101377063B1 (ko) | 2013-09-26 | 2014-03-26 | (주)실리콘화일 | 기판 적층형 이미지 센서의 글로벌 셔터를 위한 픽셀회로 |
EP3097686B1 (en) | 2014-01-24 | 2019-08-21 | Université Catholique de Louvain | Image sensor |
JP6570417B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2019-09-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
JP6562651B2 (ja) * | 2015-02-20 | 2019-08-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10163948B2 (en) * | 2015-07-23 | 2018-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
JP6362121B2 (ja) * | 2017-01-23 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム、光電変換装置の製造方法 |
KR102560699B1 (ko) * | 2017-10-30 | 2023-07-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP7080660B2 (ja) | 2018-02-09 | 2022-06-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、および、移動体 |
JP2020068267A (ja) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000224495A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-08-11 | Canon Inc | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
JP2000357688A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Toshiba Corp | 熱酸化膜の形成方法 |
US20010042818A1 (en) | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Nec Corporation | Solid-state image pickup device and method for fabricating the same |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0789399B1 (en) * | 1993-01-12 | 2001-11-07 | Sony Corporation | Output circuit device for charge transfer element |
TW421962B (en) * | 1997-09-29 | 2001-02-11 | Canon Kk | Image sensing device using mos type image sensing elements |
US6767794B2 (en) * | 1998-01-05 | 2004-07-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making ultra thin oxide formation using selective etchback technique integrated with thin nitride layer for high performance MOSFET |
US6232626B1 (en) * | 1999-02-01 | 2001-05-15 | Micron Technology, Inc. | Trench photosensor for a CMOS imager |
KR20020034316A (ko) * | 2000-10-31 | 2002-05-09 | 박종섭 | 이중 드라이브 트랜지스터 게이트 절연막을 구비하는이미지 센서 및 그 제조 방법 |
-
2003
- 2003-07-22 TW TW092119951A patent/TWI289905B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-07-23 KR KR1020057001020A patent/KR100787738B1/ko active IP Right Grant
- 2003-07-23 CN CNB038172429A patent/CN100477238C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-23 EP EP03765367.2A patent/EP1536475B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-23 EP EP11164282.3A patent/EP2346080B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-23 JP JP2004522785A patent/JP4327719B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-23 WO PCT/JP2003/009342 patent/WO2004010506A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000224495A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-08-11 | Canon Inc | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
JP2000357688A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Toshiba Corp | 熱酸化膜の形成方法 |
US20010042818A1 (en) | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Nec Corporation | Solid-state image pickup device and method for fabricating the same |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
KR1019990030274NUL |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100936104B1 (ko) | 2007-12-27 | 2010-01-11 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI289905B (en) | 2007-11-11 |
WO2004010506A1 (ja) | 2004-01-29 |
CN100477238C (zh) | 2009-04-08 |
EP2346080B1 (en) | 2014-02-12 |
JPWO2004010506A1 (ja) | 2005-11-17 |
EP1536475B1 (en) | 2014-05-07 |
EP2346080A2 (en) | 2011-07-20 |
EP2346080A3 (en) | 2011-11-02 |
CN1669149A (zh) | 2005-09-14 |
JP4327719B2 (ja) | 2009-09-09 |
TW200405560A (en) | 2004-04-01 |
EP1536475A4 (en) | 2008-03-05 |
KR20050029230A (ko) | 2005-03-24 |
EP1536475A1 (en) | 2005-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100787738B1 (ko) | 이미지 센서 및 이미지 센서 모듈 | |
US7649231B2 (en) | Asymmetrical reset transistor with double-diffused source for CMOS image sensor | |
JP5224633B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7161130B2 (en) | Low voltage active CMOS pixel on an N-type substrate with complete reset | |
US7238544B2 (en) | Imaging with gate controlled charge storage | |
KR101683309B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 | |
US7285482B2 (en) | Method for producing solid-state imaging device | |
US7405757B2 (en) | Image sensor and image sensor module | |
JPH11274454A (ja) | 固体撮像装置及びその形成方法 | |
US20050116259A1 (en) | Solid-state imaging device and method of driving the same | |
EP0999698B1 (en) | Solid-state image pickup device and method of resetting the same | |
US7230289B2 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same | |
JP2921567B1 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
CN100466284C (zh) | 偏置电路、固态成像装置及其制造方法 | |
US6778213B1 (en) | Active X-Y addressable type solid-state image sensor and method of operating the same | |
JP2008016723A (ja) | 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置 | |
KR100861607B1 (ko) | 광센서 및 그 제조방법 | |
US20070155041A1 (en) | Method for Manufacturing CMOS image sensor | |
USRE41867E1 (en) | MOS image pick-up device and camera incorporating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121121 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131118 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141120 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161123 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171117 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181115 Year of fee payment: 12 |