KR100778991B1 - A cathode-manufacturing method for minimizing the contact resistance in FED - Google Patents

A cathode-manufacturing method for minimizing the contact resistance in FED Download PDF

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Abstract

본 발명은 전극 위에 전계방출물질인 에미터 형성물질을 도포하여 외부의 전계에 의하여 전자를 방출시킴으로써 화상을 구현하는 전계방출표시소자에 관한 것으로, 전자 방출을 위하여 외부의 전원이 공급되는 제1기판을 구비하는 단계; 전계방출물질을 정전기적인 힘으로 제1기판 상에 소정의 두께로 부착시키는 단계; 및 전계방출물질이 부착된 제1기판 상에 소정의 두께로 전계방출물질을 도포하는 단계를 포함하여, 제1기판과 전계방출물질 사이의 접촉저항을 최소화함으로써 전계방출의 효율을 개선시킨 전계방출전극의 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a field emission display device that implements an image by applying an emitter forming material, which is a field emission material, on an electrode to emit electrons by an external electric field, wherein the first substrate is supplied with an external power source for electron emission. Providing; Attaching the field emission material to the first substrate by an electrostatic force to a predetermined thickness; And applying the field emission material to the first substrate to which the field emission material is attached at a predetermined thickness, thereby minimizing the contact resistance between the first substrate and the field emission material, thereby improving the field emission efficiency. It provides a method for producing an electrode.

Description

접촉저항을 줄인 ＦＥＤ의 전계방출전극 제조방법{A cathode-manufacturing method for minimizing the contact resistance in FED}F cathode-manufacturing method for minimizing the contact resistance in FED}

도1은 전계방출표시소자의 동작원리를 보여주는 개략구성도, 그리고1 is a schematic configuration diagram showing an operation principle of a field emission display device; and

도2는 본 발명에 따른 후막 CNT 캐소드를 형성하는 방법의 순서를 도시하고 있는 플로우챠트, 그리고2 is a flowchart showing the procedure of a method for forming a thick film CNT cathode according to the present invention; and

도3은 전기영동법에 의해서 ITO 글래스에 접촉층이 형성되는 과정의 한 예를 보여주는 개략도이다.3 is a schematic view showing an example of a process of forming a contact layer on the ITO glass by electrophoresis.

-도면의 주요부분에 대한 부호의 설명-Explanation of symbols on the main parts of the drawing

4: 캐소드전극 6: 에미터4: cathode electrode 6: emitter

10: 애노드전극 12: 형광막10: anode electrode 12: fluorescent film

S1~S8: 단계 31: ITO 글래스S1-S8: Step 31: ITO Glass

33: 보조전극 35: 전기영동액33: auxiliary electrode 35: electrophoretic solution

37: 용기 39: 전원37: container 39: power source

본 발명은 면 타입의 에미터를 갖는 전계방출표시소자(FED: Field Emission Display)에 관한 것으로, 상세하게는 면 타입의 에미터를 갖는 전계방출표시소자에서 전계방출물질인 에미터와 전극 사이의 접촉저항을 줄임으로써 전자 방출 특성을 향상시킨 전계방출표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a field emission display (FED) having a plane type emitter, and more particularly, to a field emission display device having a plane type emitter. A field emission display device having improved electron emission characteristics by reducing contact resistance.

일반적으로, 전계방출표시소자는 양자역학적인 터널링 효과를 이용하여 캐소드 전극에 형성된 전계방출물질인 에미터에서 전자를 방출시키고, 방출된 전자는 애노드 전극에 부착된 형광막에 충돌하여 형광막을 발광시킴으로써 원하는 화상을 구현하는 소자이다.In general, the field emission display device emits electrons from an emitter which is a field emission material formed on the cathode by using a quantum mechanical tunneling effect, and the emitted electrons collide with the fluorescent film attached to the anode to emit a fluorescent film. The device implements a desired image.

스핀트 타입의 에미터는 캐소드 전극의 일면에 절연막과 게이트 전극을 형성한 다음, 게이트 전극과 절연막을 식각하고, 식각된 공간으로 몰리브덴이나 실리콘 등의 전계방출 물질을 적층시키는 과정으로 제조된다. 이러한 스핀트 타입의 에미터는 마이크로미터 단위로서 정밀한 박막 공정이 요구되기 때문에 제조 비용을 상승시켜 대형 디스플레이의 제조를 어렵게 한다. 또한, 이온이나 잔류 가스에 의한 에미터 팁의 손상을 방지하기 위해서 고진공이 필수적으로 요구되고, 각 부재들 사이의 미소한 간격으로 인하여 에미터 팁이 쉽게 손상되기 때문에 수명 특성에서도 불리하다.The spin type emitter is manufactured by forming an insulating film and a gate electrode on one surface of a cathode, etching the gate electrode and the insulating film, and stacking a field emission material such as molybdenum or silicon into the etched space. These spin type emitters require precise thin film processing on a micrometer basis, which increases manufacturing costs and makes it difficult to manufacture large displays. In addition, high vacuum is indispensable for preventing damage to the emitter tip by ions or residual gas, and the emitter tip is easily damaged due to the minute spacing between the members, which is disadvantageous in the service life characteristics.

반면, 면 타입의 에미터는 캐소드 전극 표면에 다이아몬드상 카본(DLC: Diamond-like Carbon), 카본분말, 카본파이버 등을 박막이나 후막 공정으로 패턴화시켜 제조한다. 박막 공정에 의한 에미터는 스핀트 타입과 마찬가지로 제조단가가 높고 대형화에 불리한 반면에, 후막공정에 의한 에미터는 보다 저가의 공정으로 대형 디스플레이의 제조가 가능하여 널리 이용되고 있다. On the other hand, a surface type emitter is manufactured by patterning diamond-like carbon (DLC), carbon powder, carbon fiber, etc. on a cathode electrode surface by a thin film or a thick film process. While the emitter by the thin film process is high in manufacturing cost and disadvantageous in size, like the spin type, the emitter by the thick film process is widely used because it is possible to manufacture a large display in a lower cost process.                         

그러나, 면 타입의 에미터는 구성입자들이 기판에 대하여 수직하게 배향되지 않고 대부분 불규칙하게 분포되기 때문에, 스핀트 타입에서와 같이 지엽적인 전계 증대에 의한 전계방출 효율향상을 기대할 수 없는 한계가 있다. 특히, 후막방식은 전극 위에 카본 계열의 전자 방출 물질을 직접 성장시키는 것이 아니라 메쉬 압출법 등을 사용하여 카본 계열의 전계방출 물질을 전극 위에 올려 놓는 방식, 즉 스크린 프린팅 방법을 채용함으로써, 전계방출 물질과 전극과의 접촉(contact)여부가 확실치 않다는 문제가 있다. 전계방출 물질과 전극 사이가 완전하게 접촉(contact)되지 않는 경우에는, 접촉 저항이 증가하며, 이는 전계방출을 위한 캐소드 인가전압이 증가되어야 함을 의미한다. 즉, 전계방출 물질과 전극 사이가 전기적으로 완전히 접촉되지 않을 경우에는 동일한 캐소드 동작전압에서 더 적은 수의 전자가 방출됨을 의미하며, 이는 전계방출 디스플레이의 휘도 등 여러 특성에서 효율이 떨어짐을 의미한다.However, the surface type emitter is limited in that it is not expected to improve the field emission efficiency by the local electric field increase as in the spin type because the constituent particles are mostly irregularly distributed without being oriented perpendicular to the substrate. In particular, the thick film method does not directly grow a carbon-based electron-emitting material on the electrode, but employs a method of placing a carbon-based field emission material on the electrode using a mesh extrusion method, that is, a screen printing method. There is a problem that contact with the electrode is not certain. If there is no complete contact between the field-emitting material and the electrode, the contact resistance increases, which means that the cathode applied voltage for the field emission must be increased. That is, when the field emission material and the electrode are not completely in electrical contact, it means that a smaller number of electrons are emitted at the same cathode operating voltage, which means that the efficiency is lower in various characteristics such as the brightness of the field emission display.

본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 면 타입의 에미터를 갖는 전계방출 디스플레이에서 전계방출물질과 전극 사이의 접촉저항을 줄이는 공정을 추가함으로써 동일한 캐소드의 동작전압에서 보다 많은 수의 전자가 방출될 수 있도록 함으로써 전계방출 디스플레이의 전계방출 특성을 개선시키는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve this problem, the present invention provides a method for reducing the contact resistance between a field emission material and an electrode in a field emission display having an emitter of a surface type, thereby increasing the number of electrons at the operating voltage of the same cathode. The object is to improve the field emission characteristics of the field emission display by allowing it to be emitted.

이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 캐소드 전극 형성방법은 CNT 미 세조각을 순수 등에 초음파처리방법으로 분산시켜 전기영동액을 제조하는 단계; 메쉬 전극과 CNT를 도포시킬 ITO 글래스를 전기영동액 속에 넣은 후 메쉬전극과 ITO 글래스에 전계를 가하여 CNT를 ITO 글래스에 부착시키는 단계; CNT가 부착된 ITO 글래스를 순수 등으로 세척한 후 건조시키는 단계; 및 CNT을 포함하는 에미터물질을 CNT가 부착된 ITO 글래스에 후막 공정으로 도포하는 단계로 구성된다.In order to achieve this object, the method for forming a cathode electrode of the present invention comprises the steps of dispersing fine CNT fine particles in pure water or the like by an ultrasonic treatment method to prepare an electrophoretic solution; Attaching the CNT to the ITO glass by applying an electric field to the mesh electrode and the ITO glass and then putting the ITO glass to which the mesh electrode and the CNT are to be coated in an electrophoretic solution; Washing the CNT-attached ITO glass with pure water and then drying it; And applying an emitter material including CNTs to a CNT-attached ITO glass by a thick film process.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1은 전계방출표시소자의 동작원리를 보여주는 개략구성도이다. 도1에 도시된 바와같이, 제1기판(2)의 표면에 스트라이프 패턴의 캐소드전극(4)이 위치하고, 캐소드전극(4) 위에 전계방출물질로 이루어지는 에미터(6)가 위치한다. 그리고, 제1기판(2)과 마주하는 제2기판(8)의 내면에는 캐소드전극(4)고 수직으로 교차하는 스트라이프 패턴의 애노드전극(10)이 위치하고, 애노드전극(10) 표면에 형광막(12)이 위치한다.1 is a schematic configuration diagram showing an operation principle of a field emission display device. As shown in FIG. 1, a stripe pattern cathode electrode 4 is positioned on the surface of the first substrate 2, and an emitter 6 made of a field emission material is positioned on the cathode electrode 4. On the inner surface of the second substrate 8 facing the first substrate 2, a stripe pattern anode electrode 10 perpendicular to the cathode electrode 4 is positioned, and a fluorescent film is formed on the surface of the anode electrode 10. 12 is located.

캐소드전극(4)과 애노드전극(10)의 교차 영역이 하나의 화소를 구성함에 따라, 각각의 화소 구동에 필요한 펄스 신호전압을 캐소드전극(4)과 애노드전극(10)에 인가하면, 이들 캐소드전극(4)과 애노드전극(10) 사이에 형성된 강한 전계에 의해 에미터(6)에서 전자를 방출시키고(도면에서 점선으로 표시), 방출된 전자는 형광막(12)에 충돌하여 형광막을 발광시킴으로써 화상을 표현하게 된다.As the cross region of the cathode electrode 4 and the anode electrode constitutes one pixel, when the pulse signal voltage necessary for driving each pixel is applied to the cathode electrode 4 and the anode electrode 10, these cathodes are applied. Electrons are emitted from the emitter 6 by the strong electric field formed between the electrode 4 and the anode electrode (indicated by the dotted lines in the drawing), and the emitted electrons collide with the fluorescent film 12 to emit the fluorescent film. By doing so, an image is expressed.

이러한 구성을 갖는 전계방출표시소자의 제작과정 중 캐소드전극(4) 위에 전계방출물질을 부착 내지 도포하는 과정에서, 전계방출을 최대로 하기 위하여 캐소드전극과 전계방출물질 사이의 접촉저항을 최소화시킬 필요가 있고, 이에 대한 방 법을 다음의 설명에서 제시한다.In the process of attaching or applying the field emission material on the cathode electrode 4 during the manufacturing of the field emission display device having such a configuration, it is necessary to minimize the contact resistance between the cathode electrode and the field emission material in order to maximize the field emission. This is described in the following description.

도2는 본 발명에 따른 후막 CNT 캐소드전극을 형성하는 방법의 순서를 도시하고 있는 플로우챠트이다.Fig. 2 is a flowchart showing the procedure of the method for forming the thick film CNT cathode electrode according to the present invention.

도2에 도시된 바와 같이, 먼저 산 용액을 사용하여 CNT(carbon nanotube)를 2㎛ 정도의 크기로 자른다(S1).As shown in FIG. 2, first, a carbon nanotube (CNT) is cut to a size of about 2 μm using an acid solution (S1).

미세하게 잘린 CNT를 순수한 물인 순수(deionized water)에 초음파처리(sonication) 방법으로 분산시켜 전기영동액을 제조한다(S2). 이때, 전기영동액은 용액 내에서 에미터 형성물질이 플러스 또는 마이너스 전하를 띄도록 에미터 형성물질과 대전제(charger 또는 charging agent)를 용매에 혼합 분산시켜 제조한다. 여기서 에미터 형성물질로 카본 나노튜브(CNT)를 사용하지만, 이 외에도 카본 파이버, 질화알루미늄, 질화붕소, 그라파이트, 또는 아이몬드상 카본 등이 사용될 수 있다. 그리고, 효과적인 전기장 형성을 위해 사용되는 대전제(chager)로는 La-나이트레이트와 Mg-나이트레이트를 혼합 사용하며, 에미터 형성물질이 플러스 전하를 띄도록 하거나, 또는 대전제로 황산을 사용하여 에미터 형성물질이 마이너스 전하를 띄도록 할 수 있다.Finely cut CNTs are dispersed in pure water (deionized water) by sonication to prepare an electrophoretic solution (S2). At this time, the electrophoretic solution is prepared by mixing and dispersing the emitter forming material and the charging agent (charger or charging agent) in a solvent so that the emitter forming material has a positive or negative charge in the solution. Here, carbon nanotubes (CNT) are used as the emitter forming material, but in addition, carbon fiber, aluminum nitride, boron nitride, graphite, or imond carbon may be used. In addition, as a chager used to form an effective electric field, a mixture of La-nitrate and Mg-nitrate is used, and the emitter forming material has a positive charge, or sulfuric acid is used as a charging agent to form an emitter. It can cause the material to have a negative charge.

전기영동액에 CNT를 부착시킬 캐소드전극인 ITO 글래스와 보조전극인 메쉬전극을 넣고, ITO 글래스 표면에 소정 두께의 CNT가 부착될 때까지 전기장을 가한다(S3). 여기서, 소정 두께는 ITO 글래스와 CNT의 이물질 간의 단순 접합과 비교하여 이물질 간의 접촉저항이 최소화되고, 이후 동일 물질 내지 극히 유사한 물질 사이의 접합이 이루어 질 수 있을 정도의 두께이면 충분하다. 도3은 전기영 동법에 의해서 ITO 글래스에 접촉층이 형성되는 과정의 한예를 보여주는 개략도이다. 도3에 도시된 바와같이, 전기영동액(35) 속에 CNT 입자(작은 원으로 표시)가 플러스 전하를 띄는 경우, ITO 글래스(31)와 보조전극(33) 사이의 전자흐름이 ITO 글래스(31)에서 보조전극(33)을 향하도록 직류전원(39)을 연결한다. 여기서, ITO 글래스(31)와 보조전극(33) 사이는 1㎝ 정도 이격시키며, 이때 가해지는 전원은 20볼트로서 약 15초 동안 전계를 가한다. 여기서는 CNT 입자가 플러스 전하를 띄는 경우에 대해 설명하였지만, ITO 글래스와 보조전극에 연결되는 단자의 음양의 종류는 전기영동액 제조에 사용된 대전제의 종류에 따라, 즉 대전제에 의해 CNT 입자가 띄게 되는 전하의 극성에 따라 적절히 선택된다. 또한, ITO 글래스와 보조전극 사이의 이격 정도, 인가되는 전압, 또는 전압의 인가 시간 등은 적절히 조절될 수 있다.An ITO glass, which is a cathode electrode to attach CNTs, and a mesh electrode, which is an auxiliary electrode, are placed in the electrophoretic solution, and an electric field is applied until a CNT having a predetermined thickness is attached to the surface of the ITO glass (S3). Here, the predetermined thickness is sufficient so that the contact resistance between the foreign matter is minimized as compared with the simple bonding between the foreign matter of the ITO glass and the CNT, and then the bonding between the same material and the extremely similar material is sufficient. Figure 3 is a schematic diagram showing an example of the process of forming a contact layer on the ITO glass by the electrophoresis method. As shown in FIG. 3, when the CNT particles (shown as small circles) have a positive charge in the electrophoretic solution 35, the electron flow between the ITO glass 31 and the auxiliary electrode 33 is reduced by the ITO glass 31. ) Connects the direct current power source 39 to the auxiliary electrode 33. Here, the ITO glass 31 and the auxiliary electrode 33 is spaced about 1 cm apart, and the applied power is 20 volts and an electric field is applied for about 15 seconds. Herein, the case in which the CNT particles have a positive charge has been described. However, the type of yin and yang of the terminal connected to the ITO glass and the auxiliary electrode depends on the type of the charging agent used in the preparation of the electrophoretic solution. It is appropriately selected depending on the polarity of the charge. In addition, the degree of separation between the ITO glass and the auxiliary electrode, the voltage applied, or the application time of the voltage may be appropriately adjusted.

CNT가 부착된 ITO 글래스를 순수로 세척한 후, ITO 글래스를 건조시킨다(S4). 이때, 건조의 조건은 100 내지 150℃의 오븐에서 2시간 이상으로 하는 것이 바람직하지만, 여기에 한정되는 것은 아니다.After the CNT-attached ITO glass is washed with pure water, the ITO glass is dried (S4). At this time, it is preferable to make drying conditions into an oven of 100-150 degreeC for 2 hours or more, but it is not limited to this.

이상의 과정에서 형성된 CNT 부착 ITO 글래스는 이물질 간의 접촉저항을 최소화된 상태이므로, 이후의 제조과정은 같은 물질 내지 극히 유사한 물질 사이의 접합으로서, 스크린 프린팅 방법으로 행해질 수 있다.Since the CNT-attached ITO glass formed in the above process is in a state of minimizing contact resistance between foreign matters, the subsequent manufacturing process may be performed by screen printing as a bonding between the same material and an extremely similar material.

다음은 CNT 페이스트를 제조하여 도포하는 과정으로서, 먼저 에틸셀룰로오스(EC: ethyl cellulose), 니트로셀룰로오스(NC: nitro cellulose), 아크릴 계열수지와 터피네올(Terpineol), 부틸카보닐아세테이트(BCA: butyl carbonyl acetate) 용매를 포함하는 용액(vehicle)을 준비한다(S5).The following is the process of manufacturing and applying CNT paste, firstly ethyl cellulose (EC), nitro cellulose (NC), acrylic resin and terpineol, butylcarbonyl acetate (BCA: butyl) Carbonyl acetate) to prepare a solution containing a solvent (S5).

CNT 분말과 글래스프릿(glass frit)을 볼-밀(ball-mill)법을 사용하여 혼합한다(S6).CNT powder and glass frit are mixed using a ball-mill method (S6).

단계5(S5)의 용액과 단계6(S6)의 혼합액을 섞어 페이스트(paste)화함으로써, CNT페이스트를 만든다(S7).The solution of step 5 (S5) and the mixed solution of step 6 (S6) are mixed to paste to form a CNT paste (S7).

CNT페이스트를 단계4(S4)에서 CNT가 부착된 ITO 글래스 위에 메쉬를 사용한 압출법, 즉 일종의 스크린 프린팅 방법으로 후막 에미터층을 형성한다(S8).The CNT paste is formed on the CNT-attached ITO glass in step 4 (S4) to form a thick film emitter layer by extrusion using a mesh, that is, a screen printing method (S8).

이상의 방법을 이용한 실험에 따르면, CNT 캐소드에 적용할 경우 1/500 듀티(duty)에서 1㎂가 나오는 전압이 100V 정도 낮아지고, 또한 1/500 듀티(duty) 및 7.5V/㎛에서의 전류밀도가 2배 정도 증가하였다. According to the experiment using the above method, when applied to the CNT cathode, the voltage of 1 ㎂ at 1/500 duty is reduced by about 100V, and the current density at 1/500 duty and 7.5V / μm. Increased by about two times.

한편, 본 발명에서는 후막의 전극 접촉 저항을 줄이기 위해 접촉층을 먼저 형성시키는 방법을 채택하였으나, 이 외에도 전극 표면을 에칭하는 등의 변형 또는 접촉 저항을 낮추는 물질을 먼저 도포하는 방법 등도 이용될 수 있을 것이다.Meanwhile, the present invention adopts a method of forming a contact layer first in order to reduce the contact resistance of the thick film, but in addition, a method of first applying a material such as etching the electrode surface or lowering the contact resistance may be used. will be.

이상의 방법, 즉 전극과 직접 접촉하여 이물질간의 접촉저항을 최소화시키는 제1차 카본층을 먼저 형성시킨 다음, 그 위에 후막 공정으로 동일 내지 극히 유사한 물질간의 접합을 이룸으로써, 전기영동법만을 사용하는 경우에 야기되는 공정의 지연을 막고, 또한 후막 공정의 공정속도 및 전계방출량의 확보 등의 장점도 아울러 달성할 수 있다. 특히, 본 발명의 목적인 접촉저항을 실험결과에서 보듯이 상당량 감소시켜 동일 동작전압에서 보다 많은 수의 전자를 방출함으로써, 전계방출 표시소자의 휘도, 전력소모 등 여러 특성을 크게 향상시킬 수 있다.In the above method, that is, in case of using only electrophoresis method by first forming a first carbon layer in direct contact with an electrode to minimize contact resistance between foreign matters, and then forming a junction between the same and extremely similar materials by a thick film process thereon. In addition, it is possible to prevent the delay of the process caused, and also to achieve the advantages such as the process speed and the field emission amount of the thick film process. In particular, as shown in the experimental results, the contact resistance, which is the object of the present invention, is significantly reduced to emit more electrons at the same operating voltage, thereby greatly improving various characteristics such as brightness and power consumption of the field emission display device.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되지 않으며, 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 실시할 수 있는 다양한 형태의 변형례들을 모두 포함한다.While the invention has been shown and described with respect to certain preferred embodiments thereof, the invention is not limited to these embodiments, and has been claimed by those of ordinary skill in the art to which the invention pertains. It includes all modifications of various forms that can be implemented without departing from the technical idea.

Claims (5)

외부의 전원이 공급되어 전계를 방출하는 기판을 구비하는 단계;Providing a substrate to which external power is supplied to emit an electric field; 전계방출물질을 정전기적인 힘으로 상기 기판 상에 소정의 두께로 부착시키는 접촉층 형성단계; 및Forming a contact layer attaching a field emission material to the substrate with an electrostatic force to a predetermined thickness; And 전계방출물질이 부착된 상기 기판 상에 소정의 두께로 전계방출물질을 도포하는 후막층 형성단계를 포함하여, 상기 기판과 상기 전계방출물질 사이의 접촉저항을 최소화시킨 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자의 전계방출전극 제조방법. And forming a thick film layer on the substrate to which the field emission material is attached to a predetermined thickness, thereby minimizing contact resistance between the substrate and the field emission material. Field emission electrode manufacturing method of the. 제1항에 있어서, 상기 접촉층 형성단계는The method of claim 1, wherein the forming of the contact layer 전계방출물질과 대전제(charger)를 용매에 분산시켜 전기영동액을 제조하는 단계; 및Preparing an electrophoretic solution by dispersing a field emission material and a charge in a solvent; And 상기 전기영동액 속에 상기 기판을 담그고, 상기 기판에 소정의 전압을 가하여 정전기적인 힘에 의해 전계방출물질을 상기 기판 상에 부착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자의 전계방출전극 제조방법.Immersing the substrate in the electrophoretic solution and attaching a field emission material to the substrate by an electrostatic force by applying a predetermined voltage to the substrate, wherein the field emission electrode of the field emission display device is manufactured. Way. 제2항에 있어서, 상기 전계방출물질은The method of claim 2, wherein the field emission material 카본 나노튜브, 카본 파이버, 그라파이트, 다이아몬드상 카본, 질화알루미늄, 그리고 질화붕소로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자의 전계방출전극 제조방법.A method for manufacturing a field emission electrode of a field emission display device, characterized in that selected from the group consisting of carbon nanotubes, carbon fibers, graphite, diamond-like carbon, aluminum nitride, and boron nitride. 제2항에 있어서, 상기 대전제는The method of claim 2, wherein the charging agent La-나이트레이트와 Mg-나이트레이트의 혼합물, 그리고 황산으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자의 전계방출전극 제조방법.A method for manufacturing a field emission electrode of a field emission display device, characterized in that selected from the group consisting of La-nitrate and Mg-nitrate, and sulfuric acid. 제1항에 있어서, 상기 후막층 형성단계는The method of claim 1, wherein the thick film forming step 전계방출물질을 포함하는 전계방출물질 페이스트(paste)를 상기 접촉층 위에 스크린 프린팅 방식으로 도포하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자의 전계방출전극 제조방법.A method of manufacturing a field emission electrode of a field emission display device, comprising applying a field emission material paste including a field emission material onto the contact layer by screen printing.
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