KR100755598B1 - 질화물 반도체 발광소자 어레이 - Google Patents
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Abstract
Description
72b,82b: 제1 도전형 상부 질화물 반도체층
Claims (9)
- 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 상에 형성되며, 복수의 윈도우가 배열된 유전체층; 및상기 각 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 영역으로부터 선택적으로 성장되어 상기 유전체층 상에 형성되며, 제1 도전형 상부 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 이루어진 복수의 육각 피라미드형 발광구조물을 포함하며,상기 복수의 윈도우는 인접한 윈도우에서 성장될 육각 피라미드형 발광구조물의 측면이 서로 마주하도록 반복되는 정삼각형의 배열을 가지며,서로 인접한 육각 피라미드형 발광구조물의 각 밑변 간의 거리는 그 윈도우의 중심간격의 0.3배보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
- 제1항에 있어서,상기 육각 피라미드형 발광구조물의 측면은 [11-20]방향인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물의 측면적의 합은 상기 유전체층의 전체 성장면적보다 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물은 인접한 모든 육각 피라미드형 발광구조물의 밑변과 서로 접하도록 형성된 질화물 반도체 발광소자 어레이.
- 제1항에 있어서,상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층이 형성된 상면을 갖는 기판과, 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 상면의 일 영역에 형성된 제1 전극과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 광투과성 도전층과, 상기 광투과성 도전층의 일영역에 형성된 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
- 제6항에 있어서,상기 기판은 사파이어기판, SiC 또는 Si인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
- 제1항에 있어서,상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층이 형성된 광투과성 도전층과, 상기 광투과성 도전층의 일영역에 형성된 제1 전극과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 반사전극층과, 상기 반사전극층 상에 형성되어 제2 전극구조로 작용하는 도전성 지지구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
- 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 상에 형성되며, 복수의 윈도우가 사각형의 배열로서 일정한 간격을 갖는 행과 열을 따라 배치된 유전체층; 및상기 각 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 영역으로부터 선택적으로 성장되어 상기 유전체층 상에 형성되며, 제1 도전형 상부 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 이루어진 복수의 육각 피라미드형 발광구조물을 포함하며,상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물은 상기 행과 열 중 일 방향을 따라 인접한 발광구조물의 밑변이 서로 마주하는 동시에, 상기 행과 열 중 다른 방향을 따라서는 인접한 발광구조물의 각부분이 서로 마주하도록 배열된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
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