KR100753896B1 - 반도체 장치 모듈 및 반도체 장치 모듈의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치 모듈 및 반도체 장치 모듈의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 반도체 장치 모듈로서의 광학 장치용 모듈(1)은 도체 배선이 형성된 기판(10)과 반도체 소자로서의 촬상 소자(11)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어(13)를 피복체(40)로 피복하며, 피복체(40)의 상부에 덮개체인 홀더(20)를 배치한다.
반도체 장치 모듈, 반도체 장치 모듈의 제조방법

Description

반도체 장치 모듈 및 반도체 장치 모듈의 제조방법{SEMICONDUCTOR DEVICE MODULE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE MODULE}
도 1은 반도체 장치 모듈의 한 형태인 종래의 광학 장치용 모듈의 구성을 나타내는 측단면도,
도 2는 도 1의 ⅩⅠ- ⅩⅠ선 단면도,
도 3은 본 발명의 실시 형태 1에 의한 반도체 장치 모듈의 한 형태인 광학 장치용 모듈의 구성을 나타내는 측단면도,
도 4는 도 3의 Ⅱ - Ⅱ선 단면도,
도 5A 내지 도 5C는 본 발명에 의한 반도체 장치 모듈의 한 형태로서의 광학 장치용 모듈의 제조 방법을 나타내는 설명도,
도 6A 및 도 6B는 광학 장치용 모듈의 외형 사이즈를 설명하기 위한 설명도,
도 7은 본 발명에 의한 광학 장치용 모듈의 다른 구성을 나타내는 단평면도,
도 8은 본 발명에 의한 광학 장치용 모듈의 다른 구성을 나타내는 사시도,
도 9는 본 발명의 실시 형태 2에 의한 반도체 장치 모듈의 한 형태로서의 광학 장치용 모듈의 구성을 나타내는 측단면도,
도 10A 및 도 10B는 본 발명에 의한 광학 장치용 모듈의 다른 구성을 나타내는 측단면도,
도 11은 본 발명에 의한 광학 장치용 모듈의 다른 구성을 나타내는 측단면도.
본 발명은 기판에 배치된 반도체 소자와, 그 반도체 소자에 대향해서 배치되고, 반도체 소자를 덮는 덮개체를 구비하는 반도체 장치 모듈 및 반도체 장치 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 일종인 CCD 또는 CMOS 이미저(Imager) 등의 촬상소자가 여러 분야에서 이용되고 있다. 특히, 통신 기능에 더해서 촬상소자를 탑재함으로써 카메라 기능을 부가한 카메라 부착 휴대전화가 널리 실용화되어 있다. 카메라 부착 휴대전화, 디지털 카메라 등의 제품 자체의 소형화, 박형화 및 경량화에 따라서 촬상소자와 렌즈를 모듈화한 반도체 장치 모듈의 한 형태인 광학 장치용 모듈이 실용화되어 있다(예를 들면, 일본국 특허 공개 2004-72572호 공보참조).
도 1은 반도체 장치 모듈의 한 형태인 종래의 광학 장치용 모듈의 구성을 나타내는 측단면도, 도 2는 도 1의 ⅩⅠ-ⅩⅠ선 단면도이다.
종래의 광학 장치용 모듈(100)은 기판(110)에 촬상소자(111)가 배치되고, 촬상소자(111)의 주위에 설치된 본딩 패드(111b)와 기판(110)의 주위에 설치된 본딩 패드(110b)를 본딩 와이어(113)로 전기적으로 접속된다. 또한, 본딩 패드(110b)보다 더 외측에는 통형의 홀더(120)가 접착제(140)에 의해 접합되어 있다. 홀더(120) 에는 촬상 소자(111)에 입사하는 광 중에서 적외선(IR)을 제거하기 위한 IR 컷 필터(121)가 배치되어 있다. 또한, 홀더(120)의 내주에는 렌즈 배럴(lens barrel)(130)이 설치되어 있다. 렌즈 배럴(130)에는 렌즈(131)가 배치되어 있고, 외부로부터의 광을 촬상 소자(111)의 중앙에 설치된 수광부(111a)에 결상하도록 촬상 소자(111)에 대한 위치가 조정되어 있다.
그러나, 종래의 광학 장치용 모듈(100)에 있어서는 기판(110)에 접속된 본딩 와이어(113)의 위치보다 외측에 홀더(120)의 다리부를 배치할 필요가 있기 때문에 홀더(120)의 두께만큼 쓸데없이 기판(110)의 외형 사이즈를 크게 하지 않으면 안되었다. 즉, 현상태의 구조에서는 촬상 소자로서 기능하기에 필요한 외형 사이즈[본딩 와이어(113)의 기판(110)으로의 접속부인 본딩 패드(110b)의 외측단 가장자리를 연결하는 선(도 2:일점쇄선)]에 더해서 홀더(120)의 다리부를 배치하기 위한 영역을 확보하지 않으면 안되며, 이 영역만큼 광학 장치용 모듈(100)의 평면 치수가 커질 수 밖에 없다. 이 영역은 단지 광로 획정기(光路 畵定器)의 유지체로서의 홀더(120)의 배치에 필요하며, 촬상 기능에 전혀 영향을 미치지않는 쓸데없는 영역이다.
그러나, 최근, 카메라 부착 휴대전화, 디지털 카메라 등에 사용되는 광학 장치용 모듈은 보다 소형이며 경량의 것이 요망되고 있으며, 또한, 기판(110)을 소형화하는 것은 제조비용의 관점에서도 그 이점은 크며, 광학 장치용 모듈의 기본적 구조로서의 새로운 구조의 개발이 요망되고 있었다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 도전선을 피복체로 피복하고, 그 피복체의 상부에 반도체 소자와 대향하는 덮개체를 배치하는 구성으로 함으로써 외형 사이즈(평면 치수)를 보다 소형화하는 것이 가능함과 아울러 외부의 충격이 있을 경우에도 도전선의 박리를 억제하는 것이 가능한 반도체 장치 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 반도체 소자를 기판, 덮개체 및 피복체에 의해 밀봉하는 구성으로 함으로써 외부로부터의 습기, 먼지 등의 침입을 방지할 수 있으며, 반도체 소자의 내구성을 향상시키는 것이 가능한 반도체 장치 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 반도체 소자와 전기적으로 접속하는 도전선을 접속하기 위한 본딩 패드가 설치되어 있지 않은 위치에 기판과 덮개체를 접속하는 구성으로 함으로써 덮개체를 기판에 직접적으로 접속하는 위치를 확보함으로 접착성을 향상시키는 것이 가능하며, 본딩 패드가 설치되어 있지 않은 위치를 접착부로서 적절히 확보함으로써 외형 사이즈(평면 치수)가 크게 되지 않는 반도체 장치 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판이 사각형을 이루며, 기판의 한변 내지 세변에 본딩 패드가 배치되어 있는 구성으로 함으로써 본딩 패드가 배치되어 있지 않는 기판의 변 가장자리에 덮개체를 접착하기 위한 접착부를 설치해서 접착성을 향상시킬 수 있으며, 본딩 패드가 배치된 변 가장자리의 외측에는 덮개체를 기판에 배치하기 위한 영역을 별도 확보하지않고, 외형 사이즈(평면 치수)를 소형화 하는 것이 가능한 반도체 장치 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판에 설치한 접착부의 두께를 다른 부분보다 두껍게 하는 구성으로 함으로써 그 부분에서 기판과 덮개체를 직접적으로 접속해서 접착성을 향상시키는 것이 가능하며, 또한, 덮개체를 배치함으로써 생긴 간극에는 도전선이 노출되어 있으므로 그 도전선을 피복체로 간단히 피복하는 것이 가능한 반도체 장치 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판이 평판상인 경우에 접착부에 대응하는 영역에 다리부를 가진 덮개체를 다리부와 기판이 접착하도록 배치하는 구성으로 함으로써 기판과 덮개체를 직접적으로 접속해서 접착성을 향샹시키는 것이 가능하며, 또한, 다리부를 기판에 접착함으로써 생긴 간극에는 도전선이 노출되어 있으므로 그 도전선을 피복체로 간단하게 피복하는 것이 가능한 반도체 장치 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 도전선을 비도전성 수지로 피복하는 구성으로 함으로써 제조 공정에서 피복체를 간단히 형성할 수 있는 반도체 장치 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 반도체 소자가 한 면에 촬상면을 갖는 촬상소자이며, 덮개체가 광학부재 및 그 광학부재를 유지하는 유지체를 가지며, 촬상 소자의 촬상면으로의 광로를 획정하는 구성으로 함으로써 외형 사이즈(평면 치수)가 작은 반도체 장치 모듈의 한 형태로서의 광학 장치용 모듈(촬상 모듈)을 제공하는 것을 목적으 로 한다.
또한, 본 발명은 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 도전선으로 전기적으로 접속하고, 기판에 덮개체의 다리부를 배치해서 덮개체를 기판에 접착하며, 그리고, 도전선의 일부 또는 전부를 피복체로 피복해서 기판과 덮개체의 간극을 밀봉함으로써 도전선이 피복체로 피복되고, 그 피복체의 상부에 덮개체가 배치되며, 외형 사이즈(평면 치수)가 소형화된 반도체 장치 모듈을 간단히, 게다가 확실히 제조하는 것이 가능한 반도체 장치 모듈의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판에 덮개체의 다리부를 배치함으로써 생긴 간극에 비 도전성 수지를 주입하고, 간극에 노출된 도전선을 피복함으로써 피복체를 매우 간단히 형성하는 것이 가능한 반도체 장치 모듈의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 도전선으로 전기적으로 접속하고, 도전선의 일부 또는 전부를 피복체로 피복하며, 그리고, 피복체에 덮개체를 배치해서 덮개체의 기판에 대한 위치를 고정함으로써 도전선을 피복체로 피복한 후에 피복체에 덮개체를 배치하므로 덮개체를 기판에 배치하기 위한 영역을 별도로 확보할 필요가 없고, 외형 사이즈(평면 치수)가 소형화된 반도체 장치 모듈을 간단하고 확실히 제조하는 것이 가능한 반도체 장치 모듈의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 경화성의 비 도전성 수지를 도전선의 대응위치에 도포한 후 에 도포한 비 도전성 수지를 경화해서 도전선을 피복하는 피복체로 함으로써 매우 간단히 피복체를 형성하는 것이 가능한 반도체 장치 모듈의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 열 경화성 또는 광 경화성을 갖는 비 도전성 수지를 이용함으로써 비 도전성 수지가 열 경화성을 가지는 경우에는 열 에너지를, 광 경화성을 갖는 경우에는 광 에너지를 부여함으로써 비 도전성 수지의 경화를 제어해서 도전선을 피복하는 피복체를 간단히 형성하는 것이 가능한 반도체 장치 모듈의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 열 경화성 또는 광 경화성을 갖는 비 도전성 수지를 이용하고, 비 도전성 수지가 경화하기 전에 덮개체를 피복체로 배치함으로써 비 도전성 수지가 열 경화성을 갖는 경우에는 열 에너지를, 광 경화성을 갖는 경우에는 광 에너지를 부여함으로써 비 도전성 수지의 경화를 제어해서 도전선을 피복하는 피복체로 하는 것이 용이하며, 피복체에 덮개체를 배치해서 덮개체의 기판에 대한 위치를 고정하는 경우 비 도전성 수지가 경화하기 전에 덮개체를 배치함으로써 덮개체의 배치 위치를 적절히 조정하는 것이 가능한 반도체 장치 모듈의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈은 도체 배선이 형성된 기판, 도전선에 의해 상기 도체 배선과 접속된 반도체 소자, 상기 반도체 소자에 대향해서 배치된 덮개체, 및 상기 도전선의 일부 또는 전부를 피복하는 피복체를 구비하는 반도체 장 치 모듈에 있어서, 상기 덮개체는 상기 피복체의 상부에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 도전선을 피복체로 피복하며, 그 피복체의 상부에 반도체 소자와 대향하는 덮개체를 배치한다. 이로 인해, 덮개체를 기판에 배치하기 위한 영역을 별도로 확보할 필요가 없으므로 외형 사이즈(평면 치수)를 보다 소형화하는 것이 가능하다. 즉, 반도체 소자의 기능에 전혀 영향을 미치지 않는 쓸데없는 영역이 불필요하게 된다. 또한, 도전선을 피복체로 피복하기 때문에 외력에 의한 도전선의 박리를 억제해서 내충격성을 향상시키는 것이 가능하다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈은 상기 반도체 소자가 상기 기판, 상기 덮개체 및 상기 피복체에 의해 밀봉되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 반도체 소자를 기판, 덮개체 및 피복체에 의해 밀봉한다. 이로 인해, 기판, 덮개체 및 피복체로 이루어지는 공간이 밀봉 공간으로 되므로 외부로부터의 습기, 먼지 등의 침입을 방지할 수 있으며, 내구성을 향상시키는 것이 가능하다. 예를 들어, 반도체 소자가 촬상 소자의 경우 먼지가 촬상소자의 수광부에 부착됨으로써 촬상 화상에 노이즈가 발생하지만 밀봉 공간으로 함으로써 이 문제를 해결하는 것이 가능하다. 또한, 기판, 덮개체 및 피복체가 서로 고정되게 되어 모듈의 총합적인 내충격성이 향상된다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈은 상기 기판이 상기 도전선을 접속하기 위한 본딩 패드, 및 상기 본딩 패드가 설치되어 있지않은 위치에 상기 덮개체를 접착 하기 위한 접착부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 반도체 소자와 전기적으로 접속되는 도전선을 접속하기위한 본딩 패드가 설치되어 있지않은 위치에서 기판과 덮개체를 접속한다. 이 경우에는 덮개체를 기판에 직접적으로 접속하는 위치를 확보함으로써 접착성을 향상시키는 것이 가능하다. 본딩 패드가 설치되어 있지 않은 위치를 접착부로서 적절히 확보함으로써 외형 사이즈(평면 치수)가 커지는 일은 없다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈은 상기 기판이 사각형을 이루며, 상기 본딩 패드는 상기 기판의 한변 내지 세변에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 기판이 사각형이며, 기판의 한변 내지 세변에 본딩 패드가 배치되어 있다. 이 경우, 본딩 패드가 배치되어 있지않은 기판의 변 가장자리에 덮개체를 접착하기 위한 접착부를 설치함으로써 접착성을 향상시키는 것이 가능하다. 본딩 패드가 배치되어 있는 변 가장자리에는 도전선이 피복체로 피복되고, 그 피복체의 상부에 덮개체가 배치되므로 본딩 패드가 배치된 변 가장자리의 외측에는 덮개체를 기판에 배치하기 위한 영역을 별도로 확보할 필요가 없으므로 외형 사이즈(평면 치수)를 보다 소형화하는 것이 가능하다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈은 상기 기판이 상기 접착부의 두께가 다른 부분보다 두껍고, 상기 덮개체는 상기 기판의 두께가 두꺼운 영역에서 이 기판과 접착되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 기판에 설치되는 접착부의 두께를 다른 부분보다 두껍게 하여 그 부분에서 기판과 덮개체를 접착한다. 이와 같이, 도전선을 접속하기 위한 본딩 패드가 설치되어 있지않은 위치(여기서는 접착부)에 벽(튀어나온 부분)이 형성된 기판상에 덮개체를 배치한다. 덮개체을 배치함으로써 생긴 간극에는 도전선이 노출되어 있으므로 그 도전선을 피복체로 피복한다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈은 상기 기판이 평판상을 이루며, 상기 덮개체는 상기 접착부에 대응하는 영역에 다리부를 가지며, 이 다리부에 의해 상기 기판과 접촉되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 기판이 평판상일 경우 접착부에 대응하는 영역에 다리부를 갖는 덮개체를 그 다리부와 기판이 접착하도록 배치한다. 덮개체의 다리부를 기판에 접착함으로써 생긴 간극에는 도전선이 노출되어 있으므로 그 도전선을 피복체로 피복한다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈은 상기 피복체가 비 도전성 수지에 의해 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 도전선을 비 도전성 수지로 피복한다. 도전선을 피복하는 피복체를 비 도전성 수지로 함으로써 제조 공정에서 피복체를 간단히 형성할 수 있다. 예를 들어, 우선 덮개체를 기판에 배치하여 생긴 간극에 비 도전성 수지를 유입시켜 간극에 노출된 도전선을 매우 간단히 피복하는 것이 가능하다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈은 상기 반도체 소자가 한 면에 촬상면을 갖는 촬상 소자이며, 상기 덮개체는 광학 부재 및 그 광학 부재를 유지하는 유지체를 가지며, 상기 촬상면으로의 광로를 획정하도록 하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 반도체 소자가 한 면에 촬상면을 갖는 촬상 소자이며, 덮개체가 광학 부재 및 그 광학 부재를 유지하는 유지체를 가지고, 촬상 소자의 촬상면으로의 광로를 획정하여 외형 사이즈(평면 치수)가 작은 반도체 장치 모듈의 한 형태로서의 광학 장치용 모듈(촬상 모듈)을 실현하는 것이 가능하다. 예를 들면, 반도체 소자가 촬상 소자인 경우 먼지가 촬상 소자의 수광부에 부착됨으로써 촬상 화상에 노이즈가 생기지만, 밀봉 공간으로 함으로써 이 문제를 해결하는 것이 가능하다. 특히, 소형이며, 게다가 내충격성이 요구되는 카메라 부착 휴대전화, 디지털 카메라 등, 가반성(可搬性)의 전자기기에 이용하기에 적절한 것이다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈의 제조 방법은 도체 배선이 형성된 기판, 도전선에 의해서 상기 도체 배선과 접속된 반도체 소자, 및 상기 반도체 소자에 대향해서 배치된 다리부를 가지는 덮개체를 구비하는 반도체 장치 모듈의 제조 방법에 있어서, 상기 기판에 상기 반도체 소자를 배치하고, 이 반도체 소자와 상기 기판을 상기 도전선으로 접속하는 공정, 상기 기판에 상기 다리부를 배치해서 상기 덮개체를 상기 기판에 접착하는 접착 공정, 및 상기 도전선의 일부 또는 전부를 피복체로 피복해서 상기 기판과 상기 덮개체의 간극을 밀봉하는 밀봉 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 도전선으로 전기적으로 접속하며, 기판에 덮개체의 다리부를 배치해서 덮개체를 기판에 접착한다. 그리고, 도전선의 일부 또는 전부를 피복체로 피복해서 기판과 덮개체의 간극을 밀봉한다. 예를 들면, 도전선을 접속하기 위한 본딩 패드가 설치되어 있지않은 위치에 덮개체의 다리부를 배치해서 덮개체를 기판에 접착한다. 본딩 패드가 배치된 변 가장자리의 외측에는 덮개체의 다리부를 기판에 배치하기 위한 영역을 별도로 확보할 필요가 없기 때문에 외형 사이즈(평면 수치)를 보다 소형화하는 것이 가능하다. 또한, 도전선을 피복체로 피복하기 때문에 외력에 의한 도전선의 박리를 억제해서 내충격성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈의 제조 방법은 상기 밀봉 공정이 비 도전성 수지를 상기 간극에 주입함으로써 상기 피복체를 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 기판에 덮개체의 다리부를 배치함으로써 생긴 간극에 비 도전성 수지를 주입하고, 간극에 노출한 도전선을 피복한다. 도전선을 피복하는 피복체를 비 도전성 수지로 함으로써 제조 공정에서 피복체를 간단히 형성할 수 있다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈의 제조 방법은 도체 배선이 형성된 기판, 도전선에 의해 상기 도체 배선과 접속된 반도체 소자, 및 상기 반도체 소자에 대향해서 배치된 덮개체를 구비하는 반도체 장치 모듈의 제조 방법에 있어서, 상기 기판에 상기 반도체 소자를 배치하며, 상기 반도체 소자와 상기 기판을 상기 도전선으로 접속하는 공정, 상기 도전선의 일부 또는 전부를 피복체로 피복하는 피복 공정, 및 상기 피복체에 상기 덮개체를 배치해서 이 덮개체의 상기 기판에 대한 위치를 고정하는 고정 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 도전선으로 전기적으로 접속하며, 도전선의 일부 또는 전부를 피복체로 피복한다. 그리고, 피 복체에 덮개체를 배치해서 덮개체의 기판에 대한 위치를 고정한다. 이와 같이, 도전선을 피복체로 피복한 후에 피복체에 덮개체를 배치함으로써 덮개체를 기판에 배치하기위한 영역을 별도 확보할 필요가 없고, 외형 사이즈(평면 치수)를 보다 소형화하는 것이 가능하다. 즉, 반도체 소자의 기능에 전혀 영향을 미치지않는 쓸데없는 영역이 불필요해 진다. 또한, 도전선을 피복체로 피복하므로 외력에 의한 도전선의 박리를 억제하여 내 충격성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈의 제조 방법은 상기 피복 공정이 경화성의 비 도전성 수지를 도포하고, 이 비 도전성 수지를 경화해서 상기 피복체를 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 경화성의 비 도전성 수지를 도전선의 대응 위치에 도포한 후에 도포한 비 도전성 수지를 경화해서 도전선을 피복하는 피복체로 한다. 이로 인해, 매우 간단히 피복체를 형성할 수 있다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈의 제조방법은 상기 비 도전성 수지가 열 경화성 또는 광 경화성을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 열 경화성 또는 광 경화성을 갖는 비 도전성 수지를 이용하는 것으로 했기 때문에 비 도전성 수지가 열 경화성을 가지는 경우에는 열 에너지를 광 경화성을 갖는 경우에는 광 에너지를 부여함으로써 비 도전성 수지의 경화를 제어해서 도전선을 피복하는 피복체로 하는 것이 용이하다.
본 발명에 의한 반도체 장치 모듈의 제조방법은 상기 비 도전성 수지가 열 경화성 또는 광 경화성을 가지고 있으며, 상기 고정 공정은 상기 비 도전성 수지가 경화하기 전에 상기 덮개체를 배치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 열 경화성 또는 광 경화성을 갖는 비 도전성 수지를 이용하며, 비 도전성 수지가 경화하기 전에 덮개체를 피복체에 배치하는 것으로 했기 때문에 비 도전성 수지가 열 경화성을 갖는 경우에는 열 에너지를, 광 경화성을 갖는 경우에는 광 에너지를 부여함으로써 비 도전성 수지의 경화를 제어해서 도전선을 피복하는 피복체로 하는 것이 용이하며, 피복체에 덮개체를 배치해서 덮개체의 기판에 대한 위치를 고정하는 경우 비 도전성 수지가 경화하기 전에 덮개체를 배치하도록 함으로써 덮개체의 배치 위치를 적절히 조정하는 것이 가능하며, 또한, 기판, 덮개체 및 피복체로 이루어지는 공간을 밀봉 공간으로 하여 외부로부터의 습기, 먼지 등의 침입을 방지할 수 있으며, 내구성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 목적 및 형태는 첨부도면을 참조하여 이루어진 하기의 설명으로부터 보다 명확해질 것이다.
이하, 본 발명을 그 실시 형태를 나타내는 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
(실시형태 1)
도 3은 본 발명의 실시 형태 1에 의한 반도체 장치 모듈의 한 형태로서의 광학 장치용 모듈의 구성을 나타내는 측단면도, 도 4는 도 3의 Ⅱ - Ⅱ선 단면도이다.
본 발명의 실시형태 1에 의한 반도체 장치 모듈의 한 형태로서의 광학 장치용 모듈(1)은 기판(10)의 한쪽 표면에 촬상 소자(11)가 다이스 본딩(dice bonding) 되어 있다. 촬상 소자(11)는 반도체 소자의 일종인 CCD 또는 CMOS 이미저 등이며, 칩 중앙에 수광부(11a)를 설치하며, 수광부(11a)에서 검출한 광량에 의거해서 신호를 판독하는 판독회로 등의 주변 회로를 칩 주변에 설치한 구성을 하고 있다. 이와같은 촬상 소자(11)는 그 자체 공지의 반도체 제조 기술을 이용하여 반도체 웨이퍼에 복수의 층을 적층하는 것 등에 의해 제조된다. 수광부(11a)의 상면에 마이크로 렌즈를 형성해서 수광부(11a)로의 집광률을 높이도록 해도 좋다.
기판(10)은, 예를 들면 다층 배선 기판이며, 그 표면에는 소정의 배선(미도시)이 설치되어 있으며, 기판(10)의 측면(배면이라도 좋다)에 설치된 외부 단자(10a)를 통해 모듈 외부의 외부 회로와 접속된다. 또한, 기판(10)의 주위(여기서는 칩의 4변)에는 복수의 본딩 패드(10b)가 설치되어 있다. 본딩 패드(10b)는 촬상 소자(11)의 칩 주변에 설치된 본딩 패드(11b)와 본딩 와이어(13)(도전선)로 접속되어 있다. 이와 같이 해서, 촬상 소자(11)에서 변환된 전기 신호는 본딩 패드(11b)로부터 본딩 와이어(13)를 통해 본딩 패드(10b)로, 더욱이, 기판(10)에 설치된 배선을 통해 외부 단자(10a)로 송신된다.
또한, 본딩 와이어(13)의 일부[여기서는 본딩 패드(10b)측의 일부]가 비 도전성 수지와 같은 피복체(40)로 피복되어 있으며, 피복체(40)의 상부에 관 형태의 홀더(20)가 배치되어 있다. 홀더(20)에는 촬상 소자(11)에 입사되는 광 중에서 적외선(IR)을 제거하기 위한 IR 컷 필터(21)가 촬상면과 대향하도록 배치되어 있다. 또한, 홀더(20)의 내면에는 렌즈(31)(광학 부재)가 배치된 렌즈 배럴(barrel)(30) (유지체)이 삽입되어 있다. 이 홀더(20)와 렌즈 배럴(30)이 협동하여 촬상면으로의 광로를 획정하는 광로 획정기로서 기능한다. 렌즈(31)로부터 촬상면까지의 광로길이가 조정되어 렌즈 배럴(30)의 외면이 홀더(20)의 내면에 접한 상태로 적절히 고정(접착)되어 있다. 또한, 본 예에서는 한장의 렌즈(31)를 이용한 경우를 나타내었으나, 렌즈의 수는 필요에 따라서 복수의 렌즈를 조합해서 이용된다.
기판(10), 본 발명의 덮개체로서의 광로 획정기[홀더(20), 렌즈 배럴(30)], 및 피복체(40)에 의해 촬상 소자(11)가 배치된 공간이 밀봉 공간으로 된다. 따라서, 외부로부터의 습기, 먼지 등이 이 공간으로 침입하는 것을 방지할 수 있으며, 내구성을 향상시키는 것이 가능하다. 예를 들면, 먼지가 촬상 소자(11)의 수광부(11a)에 부착되었을 경우, 촬상 화상에 노이즈가 발생할 우려가 있으나 광학 장치용 모듈(1)에서는 촬상 소자(11)가 밀봉 공간에 배치되어 있으므로 노이즈가 발생하는 일이 없고, 고품위의 화상을 촬상하는 것이 가능하다. 물론, 광로 획정기[홀더(20), 렌즈 배럴(30)], 및 피복체(40)가 서로 고정되는 것이 되기 때문에 총합적인 내충격성이 향상된다.
이어서, 상기한 광학 장치용 모듈(1)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 5A내지 도 5C는 본 발명에 의한 반도체 장치 모듈의 한 형태로서의 광학 장치용 모듈의 제조 방법을 나타내는 설명도이다.
우선, 도체 배선이 형성된 기판(10)에 수광부(11a)를 갖는 촬상 소자(11)를 배치하며, 기판(10)에 설치한 본딩 패드(10b)와 촬상 소자(11)에 배치한 본딩 패드(11b)를 본딩 와이어(13)로 전기적으로 접속한다(도 5A).
이어서, 기판(10)에 광로 획정기의 유지체로서의 홀더(20)의 다리부가 기판 (10)의 네 모서리에 배치되도록 정렬하고, 접착제 등을 이용해서 홀더(20)를 기판(10)에 접착한다(도 5B). 본 예에서는 기판의 네 모서리에는 본딩 와이어(13)를 접속하기 위한 본딩 패드(10b)가 설치되어 있지 않은 경우를 나타내고 있으며, 본딩 패드(10b)가 배치된 변 가장자리의 외측에는 홀더(20)를 기판(10)에 직접 배치하기 위한 영역을 확보할 필요가 없다.
그리고, 기판(10)과 홀더(20)의 사이에 생긴 간극에 열 경화성(예를 들면, 아크릴계 수지인 자외선 경화 수지) 또는 광 경화성(예를 들면, 에폭시계 수지)의 비 도전성 수지를 디스펜서 등을 이용해서 주입하며, 비 도전성 수지가 열 경화성을 가지는 경우는 열 에너지를, 광 경화성을 가지는 경우는 광 에너지를 부여함으로써 비 도전성 수지의 경화를 제어해서 간극에 노출되어 있는 본딩 와이어(13)를 피복해서 피복체(40)로 한다(도 5C).
또한, 기판(10)과 촬상 소자(11)를 본딩 와이어(13)로 전기적으로 접속하며, 본딩 와이어(13)의 일부 또는 전부를 피복체(40)로 피복한다. 그리고, 피복체(40)에 광로 획정기의 구성 요소인 홀더(20)를 배치해서 광로 획정기의 기판(10)에 대한 위치를 고정하도록 해도 좋고, 피복체(40)에 홀더(20)를 배치해서 광로 획정기의 기판(10)에 대한 위치를 고정하는 경우, 비 도전성 수지가 경화하기 전에 홀더(20)를 배치하도록 함으로써 광로 획정기의 광축 조정이 불능으로 되는 사태를 방지할 수 있다.
도 6A와 도 6B는 광학 장치용 모듈의 외형 사이즈(평면 치수)를 설명하기 위한 설명도이며, 도 6A는 본 발명의 실시형태 1에 의한 광학 장치용 모듈(1)의 요부 를, 도 6B는 종래의 광학 장치용 모듈(100)의 요부를 각각 나타낸다.
A는 촬상 소자(11)(111)의 단부로부터 본딩 와이어(13)(113)의 기판(10) (110) 상의 접속 위치까지의 거리를 나타내고 있으며, 거리 A는 와이어 본딩 장치의 와이어 본딩 정밀도에 의해 규제되며, 기판(10)(110)에 설치되는 본딩 패드의 크기가 결정된다. 또한, 이 거리 A를 생략하는 것은 불가능하다. B는 본딩 와이어(113)의 기판(110)상의 접속 위치로부터 홀더(120)의 내측 벽까지의 거리를 나타내고 있으며, 거리 B는 홀더(120)의 기판(110)에 대한 탑재 정밀도, 와이어 본딩 정밀도, 기판(110)에 설치한 본딩 패드의 패턴의 차이 등에 의해 규제되며, 그러한 정도를 고려한 뒤에 적절히 결정된다. C는 홀더(120)의 두께(벽폭)이며, 홀더(120)에 사용하는 재질에 의해 규제되며, 홀더(120)에 작용하는 응력을 고려하여 두께가 결정된다.
광학 장치용 모듈(100)은 촬상 소자(111)의 단부에서 상기한 거리 A, B, C의 총합에 상당하는 영역을 확보할 필요가 있으나, 광학 장치용 모듈(1)에서는 홀더(20)를 피복체(40)의 상부에 배치하는 구성으로 했기 때문에 거리 C의 홀더(120)의 두께에 상당하는 영역을 확보할 필요가 없다. 거리 C는 촬상 기능에 전혀 영향을 주지 않는 쓸데없는 영역이며, 본 발명에서는 이 영역이 불필요하게 되므로, 광학 장치용 모듈(1)의 외형 사이즈(평면 치수)를 종래보다 작게 하는 것이 가능하다. 또한, 광학 장치용 모듈(100)과 달리 본딩 와이어(13)를 피복체(40)로 피복하기 때문에, 외력에 의한 본딩 와이어(13)의 박리를 억제해서 내충격성을 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태에서는 기판(10)의 주위 네변에 본딩 패드(10b)가 설치되었을 경우에 대해서 설명하였으나, 기판(10)의 주위의 적어도 한변에 본딩 패드가 설치되어 있는 경우에 적절하다. 예를 들면, 도 7에 도시한 바와 같이, 기판(10)의 쌍을 이루는 두변에 본딩 패드(10b)가 설치되어 있는 경우에는 본딩 패드(10b)가 설치되어 있지 않은 두변(여기서는, 상변과 하변)을 직접 접착하는 접착부로 하며, 본딩 패드(10b)가 설치되어 있는 두변(여기서는, 좌변과 우변)에 대응하는 부분이 터널 형상으로 관통한 홀더(20)를 이용하며, 홀더(20)를 기판(10)에 접착한 후에 터널 형상의 관통 부분을 피복체(40)로 피복해서 좌변 및 우변에 배치된 본딩 와이어(13)를 피복한다. 이와 같이 하면, 본딩 패드(10b)가 배치되어 있는 변 가장자리(좌변 및 우변)에는 본딩 와이어(13)가 피복체(40)로 피복되고, 그 피복체(40)의 상부에 홀더(20)가 배치되므로 본딩 패드(10b)가 배치된 변 가장자리의 외측에는 홀더(20)를 기판(10)에 배치하기 위한 영역을 별도로 확보할 필요가 없고, 외형 사이즈(평면 치수)를 종래 보다도 소형화하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태에서는 기판(10)이 평판 형상을 이루며, 접착부에 대응하는 영역(기판의 네 모서리)에 다리부를 가진 홀더(20)를 기판(10)에 배치함으로써 본딩 패드(10b)에 대응하는 영역을 간극으로 하고, 이 간극에 비 도전성 수지를 주입함으로써 본딩 패드(10b)를 피복하는 피복체(40)를 형성하도록 하였으나, 도 8에 도시한 바와 같이, 기판(10)에 설치하는 접착부의 두께를 다른 부분보다 두껍게하여 그 부분에서 기판(10)과 홀더(20)를 접착하도록 해도 좋다. 본딩 와이어(13)를 접속하기 위한 본딩 패드(10b)가 설치되어 있지 않은 위치(여기서는 접착부)에 돌출부를 가지는 기판(10)을 이용하여도 홀더(20)를 기판(10)에 배치함에 의해 생긴 간극에는 본딩 패드(10b)가 노출되는 것이 되기 때문에 이 간극으로부터 비 전도성 수지를 주입함으로써 본딩 패드(10b)를 피복하는 피복체(40)로 하는 것이 가능하며, 본 예에 나타낸 구조와 마찬가지가 된다. 또한 도 8에서는 구성의 상세를 알 수 있도록 피복체(40)의 도시를 생략하고 있다.
(실시형태 2)
실시형태 1에서는 본딩 와이어의 일부가 피복체로 피복되었을 경우에 대해서 설명했으나, 본딩 와이어의 전부가 피복체로 피복하도록 해도 좋고, 이와 같이 한 것이 실시형태 2이다.
도 9는 본 발명의 실시형태 2에 관한 반도체 장치 모듈의 한 형태로서의 광학 장치용 모듈의 구성을 나타내는 측단면도이다.
본 발명의 실시형태 2에 의한 반도체 장치 모듈의 한 형태로서의 광학 장치용 모듈(2)은 본딩 와이어(13)의 전부가 비 도전성 수지와 같은 피복체(40)로 피복되어 있으며, 피복체(40)의 상부에 관 형상의 홀더(20)가 배치되어 있다. 피복체(40)의 내측 단부는 촬상 소자(11)의 수광부(11a)의 영역에 관련하지 않도록 해 둔다. 당연히, 수광부(11a)의 상부까지 피복체(40)가 배치된 경우에는 피복체(40)에 의한 노이즈가 촬상 화상에 나타나 버리기 때문이다.
이와 같이, 본딩 와이어(13)의 전부를 피복체(40)로 피복하도록 하면, 외력에 의한 본딩 와이어(13)의 박리를 억제해서 내충격성을 더욱 향상시키는 것이 가능하다. 또한, 홀더(20)와 피복체(40)의 접촉 면적이 커지므로 모듈의 총합적인 내 충격성이 향상된다. 홀더(20)의 두께를 보다 두껍게 하였을 경우에도 외형 사이즈(평면 치수)에 영향을 미치는 일이 없고, 보다 많은 종류의 광학 장치용 모듈에 적용하는 것이 가능하다.
또한, 각 실시의 형태에서는 고체 촬상 소자(11)를 배선 기판으로서의 기판(10)에 배치한 형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정된 것은 아니다. 예를 들면, 도 10A와 도 10B에 나타내는 바와 같이, 기판(10)상에 화상 처리 장치인 DSP(14)를 배치하며, DSP(14)상에 실리콘 편을 이용하여 이루어지는 스페이서(spacer)(15)를 접착하며, 스페이서(15) 상에 촬상 소자(11)를 접착하는 구조에 대해서, 촬상 소자(11)와 기판(10)을 본딩 와이어(13)로 접속하며, DSP(14)와 기판(10)을 본딩 와이어(16)로 접속하는 경우 본딩 와이어(13) 및 본딩 와이어(16)의 일부(또는 전부)를 피복체(40)로 피복해도 좋다(도 10A).
또한, 기판(10)의 한 쪽 면(상면)상에 촬상 소자(11)를 배치하며, 다른 쪽 면(하면)상에 금 범프(Bump)(17)를 통해서 화상 처리 장치인 DSP(14)를 배치하는 구조에 대해서, 촬상 소자(11)와 기판(10)을 본딩 와이어(13)로 접속하는 경우 본딩 와어이(13)의 일부(또는 전부)를 피복체(40)로 피복해도 좋다(도 10B). 물론, DSP(14)이외의 반도체 칩을 촬상 소자(11)와 적층하는 구성이어도 좋고, 더욱 많은 반도체 집을 적층하는 구성이어도 좋다.
더욱이, 도 11에 도시한 바와 같이, 유리 등의 투광성 재료로 이루어진 투광성 덮개체(19)를 접착부(18)를 통해 촬상 소자(11)의 수광부(11a) 측에 접착하며, 촬상 소자(11)를 기판(10)에 배치한 바와 같은 형태이어도 마찬가지이며, 촬상 소 자(11)와 기판(10)을 접속하는 본딩 와이어(13)의 일부(또는 전부)를 피복체(40)로 피복한다. 이 경우에는, 투광성 덮개체(19)의 표면에 적외선 차단막을 형성해서 IR컷 필터를 겸하도록 하면 홀더(20)에 IR 컷 필터(21)를 설치할 필요가 없다. 적외선 차단막은, 예를 들면 산화티탄, 산화지르코늄, 황화아연 등으로 이루어진 고 굴절율층과, 불화마그네슘, 불화칼슘, 이산화규소 등으로 이루어진 저 굴절율층을 교대로 다층 적층한 유전체 다층막으로 구성되며, 빛의 간섭을 이용해서 적외광을 선택적으로 차단하는 것이 가능하다. 물론, IR 컷 필터에 한정되는 것은 아니며, 그 용도에 따라 투과하는 파장을 선택하도록 한 파장 선택 필터를 적절히 설치하도록 해도 좋다.
즉, 본 발명의 주지는 본딩 와이어의 일부 또는 전부를 피복하는 피복체를 설치하며, 더욱이 그 피복체의 상부에 광로 획정기(덮개체)를 배치해서 모듈의 소형화를 꾀하는 것에 있으며, 반도체 장치 모듈의 한 형태로서 광학 장치용 모듈 및 그 제조 방법에 대해서 구체적인 실시 형태를 나타내어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)와 같은 기억 모듈 등, 반도체 소자에 대향해서 덮개체가 배치된 반도체 장치 모듈에 적용할 수 있다.
본 발명은 그 사상으로부터 벗어남이 없이 다양한 형태로 실시가능하며, 따라서, 본 발명의 실시형태는 예시적이며, 제한적이지 않다.
본 발명에 의하면, 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 전기적으로 접 속하는 도전선을 피복체로 피복하며, 그 피복체의 상부에 반도체 소자와 대향하는 덮개체를 배치함으로써 덮개체를 기판에 배치하기 위한 영역을 별도로 확보할 필요가 없으므로 외형 사이즈(평면 치수)를 보다 소형화하는 것이 가능하다. 즉, 반도체 소자의 기능에 전혀 영향을 미치지 않는 쓸데없는 영역이 불필요하게 된다. 또한, 도전선을 피복체로 피복하기 때문에 외력에 의한 도전선의 박리를 억제해서 내충격성을 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 반도체 소자를 기판, 덮개체 및 피복체에 의해 밀봉함으로써 기판, 덮개체 및 피복체로 이루어지는 공간이 밀봉 공간으로 되므로 외부로부터의 습기, 먼지 등의 침입을 방지할 수 있으며, 내구성을 향상시키는 것이 가능하다. 예를 들어, 반도체 소자가 촬상 소자의 경우 먼지가 촬상소자의 수광부에 부착됨으로써 촬상 화상에 노이즈가 발생하지만 밀봉 공간으로 함으로써 이 문제를 해결하는 것이 가능하다. 또한, 기판, 덮개체 및 피복체가 서로 고정되게 되어 모듈의 총합적인 내충격성이 향상된다.
또한, 본 발명에 의하면, 반도체 소자와 전기적으로 접속되는 도전선을 접속하기 위한 본딩 패드가 설치되어 있지않은 위치에서 기판과 덮개체를 접속한다. 이경우에는 덮개체를 기판에 직접적으로 접속하는 위치를 확보함으로써 접착성을 향상시키는 것이 가능하다. 본딩 패드가 설치되어 있지 않은 위치를 접착부로서 적절히 확보함으로써 외형 사이즈(평면 치수)가 커지는 일은 없다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판이 사각형이며, 기판의 한변 내지 세변에 본딩 패드가 배치되어 있다. 이 경우, 본딩 패드가 배치되어 있지않은 기판의 변 가장자 리에 덮개체를 접착하기 위한 접착부를 설치함으로써 접착성을 향상시키는 것이 가능하다. 본딩 패드가 배치되어 있는 변 가장자리에는 도전선이 피복체로 피복되고, 그 피복체의 상부에 덮개체가 배치되므로 본딩 패드가 배치된 변 가장자리의 외측에는 덮개체를 기판에 배치하기 위한 영역을 별도로 확보할 필요가 없으므로 외형 사이즈(평면 치수)를 보다 소형화하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판에 설치되는 접착부의 두께를 다른 부분보다 두껍게 하여 그 부분에서 기판과 덮개체를 접착한다. 이와 같이, 도전선을 접속하기 위한 본딩 패드가 설치되어 있지않은 위치(여기서는 접착부)에 벽(튀어나온 부분)이 형성된 기판상에 덮개체를 배치한다. 덮개체를 배치함으로써 생긴 간극에는 도전선이 노출되어 있으므로 그 도전선을 피복체로 피복한다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판이 평판상일 경우 접착부에 대응하는 영역에 다리부를 갖는 덮개체를 그 다리부와 기판이 접착하도록 배치한다. 덮개체의 다리부를 기판에 접착함으로써 생긴 간극에는 도전선이 노출되어 있으므로 그 도전선을 피복체로 피복한다.
또한, 본 발명에 의하면, 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 도전선을 비 도전성 수지로 피복한다. 도전선을 피복하는 피복체를 비 도전성 수지로 함으로써 제조 공정에서 피복체를 간단히 형성할 수 있다. 예를 들어, 우선 덮개체를 기판에 배치하고, 생긴 간극에 비 도전성 수지를 유입시켜 간극에 노출된 도전선을 매우 간단히 피복하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 반도체 소자가 한 면에 촬상면을 갖는 촬상 소자이 며, 덮개체가 광학 부재 및 그 광학 부재를 유지하는 유지체를 가지고, 촬상 소자의 촬상면으로의 광로를 획정하여 외형 사이즈(평면 치수)가 작은 반도체 장치 모듈의 한 형태로서의 광학 장치용 모듈(촬상 모듈)을 실현하는 것이 가능하다. 예를 들면, 반도체 소자가 촬상 소자인 경우 먼지가 촬상 소자의 수광부에 부착됨으로써 촬상 화상에 노이즈가 생기지만, 밀봉 공간으로 함으로써 이 문제를 해결하는 것이 가능하다. 특히, 소형이며, 게다가 내충격성이 요구되는 카메라 부착 휴대전화, 디지털 카메라 등, 가반성(可搬性)의 전자기기에 이용하기에 적절한 것이다.
또한, 본 발명에 의하면, 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 도전선으로 전기적으로 접속하며, 기판에 덮개체의 다리부를 배치해서 덮개체를 기판에 접착한다. 그리고, 도전선의 일부 또는 전부를 피복체로 피복해서 기판과 덮개체의 간극을 밀봉한다. 예를 들면, 도전선을 접속하기 위한 본딩 패드가 설치되어 있지않은 위치에 덮개체의 다리부를 배치해서 덮개체를 기판에 접착한다. 본딩 패드가 배치된 변 가장자리의 외측에는 덮개체의 다리부를 기판에 배치하기 위한 영역을 별도로 확보할 필요가 없기 때문에 외형 사이즈(평면 수치)를 보다 소형화하는 것이 가능하다. 또한, 도전선을 피복체로 피복하기 때문에 외력에 의한 도전선의 박리를 억제해서 내충격성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판에 덮개체의 다리부를 배치함으로써 생긴 간극에 비 도전성 수지를 주입하고, 간극에 노출한 도전선을 피복한다. 도전선을 피복하는 피복체를 비 도전성 수지로 함으로써 제조 공정에서 피복체를 간단히 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 도체 배선이 형성된 기판과 반도체 소자를 도전선으로 전기적으로 접속하며, 도전선의 일부 또는 전부를 피복체로 피복한다. 그리고, 피복체에 덮개체를 배치해서 덮개체의 기판에 대한 위치를 고정한다. 이와 같이, 도전선을 피복체로 피복한 후에 피복체에 덮개체를 배치함으로써 덮개체를 기판에 배치하기 위한 영역을 별도 확보할 필요가 없고, 외형 사이즈(평면 치수)를 보다 소형화하는 것이 가능하다. 즉, 반도체 소자의 기능에 전혀 영향을 미치지않는 쓸데없는 영역이 불필요해 진다. 또한, 도전선을 피복체로 피복하므로 외력에 의한 도전선의 박리를 억제하여 내 충격성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 경화성의 비 도전성 수지를 도전선의 대응 위치에 도포한 후에 도포한 비 도전성 수지를 경화해서 도전선을 피복하는 피복체로 한다. 이로 인해, 매우 간단히 피복체를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 열 경화성 또는 광 경화성을 갖는 비 도전성 수지를 이용하는 것으로 했기 때문에 비 도전성 수지가 열 경화성을 가지는 경우에는 열 에너지를 광 경화성을 갖는 경우에는 광 에너지를 부여함으로써 비 도전성 수지의 경화를 제어해서 도전선을 피복하는 피복체로 하는 것이 용이하다.
또한, 본 발명에 의하면, 열 경화성 또는 광 경화성을 갖는 비 도전성 수지를 이용하며, 비 도전성 수지가 경화하기 전에 덮개체를 피복체에 배치하는 것으로 했기 때문에 비 도전성 수지가 열 경화성을 갖는 경우에는 열 에너지를, 광 경화성을 갖는 경우에는 광 에너지를 부여함으로써 비 도전성 수지의 경화를 제어해서 도전선을 피복하는 피복체로 하는 것이 용이하며, 피복체에 덮개체를 배치해서 덮개 체의 기판에 대한 위치를 고정하는 경우 비 도전성 수지가 경화하기 전에 덮개체를 배치하도록 함으로써 덮개체의 배치 위치를 적절히 조정하는 것이 가능하며, 또한, 기판, 덮개체 및 피복체로 이루어지는 공간을 밀봉 공간으로 하여 외부로부터의 습기, 먼지 등의 침입을 방지할 수 있으며, 내구성을 향상시킬 수 있다.

Claims (14)

  1. 도체 배선이 형성된 기판,
    도전선에 의해 상기 도체 배선과 접속된 반도체 소자,
    상기 반도체 소자에 대향해서 배치된 덮개체, 및
    상기 도전선의 일부 또는 전부를 피복하는 피복체를 구비하는 반도체 장치 모듈에 있어서:
    상기 덮개체는 상기 피복체의 상부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 상기 기판, 상기 덮개체 및 상기 피복체에 의해 밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판은,
    상기 도전선을 접속하기 위한 본딩 패드, 및
    상기 본딩 패드가 설치되어 있지않은 위치에 상기 덮개체를 접착하기 위한 접착부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판은 사각형을 이루며,
    상기 본딩 패드는 상기 기판의 한변 내지 세변에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 접착부의 두께가 다른 부분보다 두껍고,
    상기 덮개체는 상기 기판의 두께가 두꺼운 영역에서 그 기판과 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판은 평판상을 이루며,
    상기 덮개체는 상기 접착부에 대응하는 영역에 다리부를 가지며, 이 다리부에 의해 상기 기판과 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 피복체는 비 도전성 수지에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 한면에 촬상면을 갖는 촬상 소자이며,
    상기 덮개체는 광학 부재 및 이 광학 부재를 유지하는 유지체를 가지며, 상기 촬상면으로의 광로를 획정하도록 하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈.
  9. 도체 배선이 형성된 기판, 도전선에 의해서 상기 도체 배선과 접속된 반도체 소자, 및 상기 반도체 소자에 대향해서 배치된 다리부를 가지는 덮개체를 구비하는 반도체 장치 모듈의 제조 방법에 있어서:
    상기 기판에 상기 반도체 소자를 배치하고, 이 반도체 소자와 상기 기판을 상기 도전선으로 접속하는 공정,
    상기 기판에 상기 다리부를 배치해서 상기 덮개체를 상기 기판에 접착하는 접착 공정, 및
    상기 도전선의 일부 또는 전부를 피복체로 피복해서 상기 기판과 상기 덮개체의 간극을 밀봉하는 밀봉 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 밀봉 공정에서는 비 도전성 수지를 상기 간극에 주입함으로써 상기 피복체를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈의 제조 방법.
  11. 도체 배선이 형성된 기판, 도전선에 의해 상기 도체 배선과 접속된 반도체 소자, 및 상기 반도체 소자에 대향해서 배치된 덮개체를 구비하는 반도체 장치 모듈의 제조 방법에 있어서:
    상기 기판에 상기 반도체 소자를 배치하며, 상기 반도체 소자와 상기 기판을 상기 도전선으로 접속하는 공정,
    상기 도전선의 일부 또는 전부를 피복체로 피복하는 피복 공정, 및
    상기 피복체에 상기 덮개체를 배치해서 이 덮개체의 상기 기판에 대한 위치를 고정하는 고정 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 피복 공정은 경화성의 비 도전성 수지를 도포하고, 이 비 도전성 수지를 경화해서 상기 피복체를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈의 제조방법.
  13. 제 10 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 비 도전성 수지는 열 경화성 또는 광 경화성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 비 도전성 수지는 열 경화성 또는 광 경화성을 가지고 있으며,
    상기 고정 공정에서는 상기 비 도전성 수지가 경화하기 전에 상기 덮개체를 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 모듈의 제조 방법.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4466552B2 (ja) * 2005-12-09 2010-05-26 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
CN100483725C (zh) * 2006-07-28 2009-04-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测器封装及其应用的数码相机模组
CN101132478A (zh) * 2006-08-23 2008-02-27 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测器封装及其应用的数码相机模组
KR101100790B1 (ko) * 2006-09-15 2012-01-02 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2008236371A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Fujinon Corp 撮像装置
JP5047679B2 (ja) * 2007-04-26 2012-10-10 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 撮像ユニットおよび、この撮像ユニットの製造方法
US8084849B2 (en) * 2007-12-12 2011-12-27 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with offset stacking
US8536692B2 (en) * 2007-12-12 2013-09-17 Stats Chippac Ltd. Mountable integrated circuit package system with mountable integrated circuit die
US7781261B2 (en) * 2007-12-12 2010-08-24 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with offset stacking and anti-flash structure
US7985628B2 (en) * 2007-12-12 2011-07-26 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with interconnect lock
US20090243069A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Zigmund Ramirez Camacho Integrated circuit package system with redistribution
US9293385B2 (en) * 2008-07-30 2016-03-22 Stats Chippac Ltd. RDL patterning with package on package system
US9276023B2 (en) 2011-11-30 2016-03-01 Kyocera Corporation Image pickup element housing package, and image pickup device
JP2014186006A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Toshiba Corp 赤外線撮像装置および赤外線撮像モジュール
US9018753B2 (en) * 2013-08-02 2015-04-28 Stmicroelectronics Pte Ltd Electronic modules
SG10201705797UA (en) * 2013-09-10 2017-08-30 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
JP6444029B2 (ja) * 2013-12-26 2018-12-26 キヤノン株式会社 検出装置およびそれを備えた撮像装置
JP2016115770A (ja) * 2014-12-12 2016-06-23 アオイ電子株式会社 半導体デバイスおよびその製造方法
US20160307881A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical sensor module and method for manufacturing the same
US10720394B2 (en) 2015-11-19 2020-07-21 Kyocera Corporation Electronic component mounting board and electronic device
US20180315894A1 (en) * 2017-04-26 2018-11-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and a method of manufacturing the same
KR20220018698A (ko) * 2020-08-07 2022-02-15 삼성전자주식회사 언더필이 구비된 이미지 센서 패키지 및 이를 포함하는 이미지 센서 모듈

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621414A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法
JPH0754974B2 (ja) * 1985-06-18 1995-06-07 株式会社東芝 固体撮像素子
JP2000200870A (ja) 1998-11-04 2000-07-18 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2004179176A (ja) * 2002-11-22 2004-06-24 Kyocera Corp 半導体装置
JP2004242166A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09232548A (ja) * 1996-02-20 1997-09-05 Sony Corp 固体撮像装置
TW471143B (en) 2001-01-04 2002-01-01 Wen-Wen Chiou Integrated circuit chip package
TW473951B (en) * 2001-01-17 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Non-leaded quad flat image sensor package
JP4606610B2 (ja) * 2001-01-26 2011-01-05 浜松ホトニクス株式会社 裏面照射型半導体装置及び充填材充填方法
JP2003332542A (ja) * 2002-05-09 2003-11-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3989330B2 (ja) 2002-08-08 2007-10-10 日立マクセル株式会社 カメラモジュール及びカメラシステム
DE10259221B4 (de) * 2002-12-17 2007-01-25 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einem Stapel aus Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben
US6953891B2 (en) * 2003-09-16 2005-10-11 Micron Technology, Inc. Moisture-resistant electronic device package and methods of assembly
US7102159B2 (en) * 2004-06-12 2006-09-05 Macronix International Co., Ltd. Ultra thin image sensor package structure and method for fabrication
JP2006081043A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Seiko Precision Inc 固体撮像装置およびこれを備えた電子機器
JP4157084B2 (ja) * 2004-09-17 2008-09-24 勝開科技股▲ふん▼有限公司 イメージセンサモジュール

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0754974B2 (ja) * 1985-06-18 1995-06-07 株式会社東芝 固体撮像素子
JPH0621414A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法
JP2000200870A (ja) 1998-11-04 2000-07-18 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2004179176A (ja) * 2002-11-22 2004-06-24 Kyocera Corp 半導体装置
JP2004242166A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器

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Publication number Publication date
KR20060105487A (ko) 2006-10-11
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EP1708269A1 (en) 2006-10-04

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