KR100740780B1 - 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 반도체 기판 상에 게이트 산화막 및 폴리실리콘층을 순차적으로 형성한 후 패터닝하는 단계와,상기 폴리실리콘층의 측벽에 희생 절연막 스페이서를 형성하는 단계와,상기 폴리실리콘층 및 상기 희생 절연막 스페이서를 이온 주입 마스크로 고농도 이용한 이온 주입 공정으로 고농도 이온주입층을 형성하는 단계와,상기 희생 절연막 스페이서를 제거하는 단계와,상기 폴리실리콘층을 이온 주입 마스크로 이용한 저농도 이온 주입 공정으로 저농도의 LDD 이온주입층을 형성하여 상기 고농도 이온주입층 및 상기 LDD 이온주입층으로 이루어진 소오스/드레인이 형성되는 단계와,상기 폴리실리콘층의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계, 및상기 희생 절연막 스페이서를 제거한 후에 활성화 열처리를 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 폴리실리콘층을 패터닝한 후에 산화 공정을 통해 상기 폴리실리콘층 및 상기 반도체 기판의 표면에 20 내지 50Å의 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 희생 절연막 스페이서는 50 내지 100Å 두께의 질화막 및 800 내지 1500Å 두께의 산화막을 순차적으로 형성한 후 전면 식각 공정을 통해 형성되며, 상기 희생 절연막 스페이서 식각 시 상기 질화막은 잔류되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 질화막은 퍼니스에서 저압 화학기상 증착법으로 형성되며, 상기 산화막은 화학기상 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 활성화 열처리는 900 내지 1100℃의 온도에서 급속 열처리로 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연막 스페이서는 산화막을 1000 내지 1500Å의 두께로 형성한 후 전면 식각 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 산화막은 퍼니스에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 저농도 이온 주입 공정은 불순물을 수직으로 주입하여 제 1 LDD 이온주입층을 형성하는 단계와,불순물을 소정의 입사각으로 주입하여 상기 폴리실리콘층의 가장자리 하부에까지 형성된 제 2 LDD 이온주입층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하 는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 저농도 이온 주입 공정을 실시한 후에 주입된 불순물을 활성화시키기 위하여 800 내지 950℃의 온도에서 급속 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 저농도 이온 주입 공정에 의해 주입된 불순물은 추가의 활성화 열처리 없이 후속 공정에서 실시되는 열공정에 의해 활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 폴리실리콘층 및 상기 소오스/드레인 상에 샐리사이드층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 샐리사이드층은 티타늄 및 코발트 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
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