KR100738594B1 - Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), 제 4 미러(S4), 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6)를 포함하는 단파장, 바람직하게는 100 nm 미만의 파장용 마이크로리소그래피 투영 대물렌즈 장치에 관한 것이다.The present invention provides a short wavelength, preferably including a first mirror S1, a second mirror S2, a third mirror S3, a fourth mirror S4, a fifth mirror S5, and a sixth mirror S6. More particularly, it relates to a microlithographic projection objective device for wavelengths less than 100 nm.

본 발명은, 이미지측 개구수가 NA ≥ 0.15 이고, 노광될 물체에 가장 가까운, 바람직하게는 웨이퍼에 가장 가까운 미러가, 이미지측 광학 작동 거리가 적어도 웨이퍼에 가장 가까운 미러의 사용 직경(D)에 대응하거나 및/또는 이미지측 광학 작동 거리가 적어도 상기 미러의 사용 직경(D)의 1/3과 20mm 내지 30mm 의 길이를 합한 값이거나 및/또는 이미지측 광학 작동 거리가 적어도 50mm, 바람직하게는 60mm 이도록 배치되는 것을 특징으로 한다.According to the invention, the image-side numerical aperture NA? 0.15, and the mirror closest to the object to be exposed, preferably the closest to the wafer, corresponds to the use diameter D of the mirror whose image-side optical working distance is at least close to the wafer. And / or the image-side optical working distance is at least one third of the use diameter D of the mirror and the length of 20 mm to 30 mm and / or the image-side optical working distance is at least 50 mm, preferably 60 mm. It is characterized in that the arrangement.

마이크로리소그래피Microlithography

Description

마이크로리소그래피 축소 대물렌즈 및 투영 노광 장치 {MICROLITHOGRAPHY REDUCTION OBJECTIVE AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS}Microlithography Reduced Objectives and Projection Exposure Equipment {MICROLITHOGRAPHY REDUCTION OBJECTIVE AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS}

도 1 은 중간상, 제 2 와 제 3 미러 사이의 자유롭게 접근가능한 조리개 및 개구수 0.2 를 가진 본 발명에 따른 제 1 실시예이다.1 is a first embodiment according to the invention with an intermediate image, a freely accessible aperture between the second and third mirrors and a numerical aperture 0.2;

도 2 는 미국 특허 5,686,728호의 선행기술에 공지된 바와 같은 100nm 보다 큰 파장용 6-미러 대물렌즈이다.2 is a 6-mirror objective for wavelengths greater than 100 nm as known in the prior art of US Pat. No. 5,686,728.

도 3 은 제 1 미러에서 제 2 와 제 3 미러 사이에 조리개를 가진 본 발명에 따른 제 2 실시예이다.3 is a second embodiment according to the invention with an aperture between the second and third mirrors in the first mirror.

도 4 는 제 2 미러상의 조리개 및 작동거리 59mm 를 가진 본 발명의 제 3 실시예이다.4 is a third embodiment of the present invention with an aperture on the second mirror and an operating distance of 59 mm.

도 5 는 적어도 웨이퍼에 가장 가까운 미러의 사용 직경의 1/3 과 20 내지 30 mm 의 길이를 합한 값에 대응하는 이미지측 광학작동거리 및 0.28 의 개구수 NA, 및 중간상을 갖는 본 발명의 제 4 실시예이다.FIG. 5 shows a fourth aspect of the invention having an image-side optical working distance and a numerical aperture NA of 0.28, and an intermediate image corresponding to the sum of the lengths of 20 to 30 mm and at least 1/3 of the use diameter of the mirror closest to the wafer; Example.

도 6 은 중간상 및 0.30 의 개구수 NA를 가진 시스템의 본 발명의 제 5 실시예이다.6 is a fifth embodiment of the present invention of a system having an intermediate phase and a numerical aperture NA of 0.30.

도 7a 와 7b 는 상이하게 조명되는 광필드에서 사용 직경을 나타낸다.7a and 7b show the use diameters in differently illuminated lightfields.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

2 : 레티클 평면 4 : 웨이퍼 평면 2: reticle plane 4: wafer plane

본 발명은 마이크로리소그래피 대물렌즈, 상기 대물렌즈를 포함하는 투영 노광 장치 및 이를 사용하여 집적회로를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a microlithographic objective lens, a projection exposure apparatus including the objective lens, and a method of manufacturing an integrated circuit using the same.

해상도 130 nm 미만의 구조를 결상시키기 위해 193 nm 미만의 파장으로 동작하는 리소그래피를 사용하는 것이 제안되었다. 사실, 이러한 리소그래피 시스템은 100 nm 미만의 구조를 생성하는 λ= 11nm 또는 λ= 13nm 의 파장을 갖는 EUV(extreme ultraviolet) 범위에 대해 제안되었다. 리소그래피 시스템의 해상도는 다음식으로 표시된다:It has been proposed to use lithography operating at wavelengths less than 193 nm to image structures less than 130 nm in resolution. In fact, such lithography systems have been proposed for extreme ultraviolet (EUV) ranges with wavelengths of [lambda] = 11 nm or [lambda] = 13 nm producing structures less than 100 nm. The resolution of a lithography system is represented by:

Figure 112000002626235-pat00001
Figure 112000002626235-pat00001

여기서, k1 은 리소그래피 프로세스의 고유 파라미터이고, λ는 입사광의 파장이고, NA 는 시스템의 이미지측 개구수이다. 예를 들어, 개구수가 0.2 라고 가정하면, 13 nm 방사로 50 nm 구조를 결상시키는 것은 k1 = 0.77 인 비교적 단순한 프로세스를 요구한다. k1 = 0.64 이면, 35 nm 구조의 결상은 11 nm 방사광(radiation)으로 가능하다.Where k 1 is the intrinsic parameter of the lithographic process, λ is the wavelength of incident light and NA is the image-side numerical aperture of the system. For example, assuming a numerical aperture of 0.2, imaging a 50 nm structure with 13 nm radiation requires a relatively simple process with k 1 = 0.77. If k 1 = 0.64, imaging of the 35 nm structure is possible with 11 nm radiation.

EUV-영역의 결상 시스템에서는 다층 코팅을 가진 반사 시스템이 광학 부품으로 사용된다. λ= 11 nm 에서 동작하는 시스템용 다층코팅 시스템으로서 Mo/Be 다층이 사용되는 반면, Mo/Si 시스템은 λ= 13 nm 에서 사용된다. 대략 70 % 의 다층 코팅의 반사율이면, 충분한 광강도를 얻기 위해 EUV 투영 대물렌즈 마이크로리소그래피와 같은 응용에서 가능한 한 광학부품을 적게 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 광강도를 높이고 결상 오차의 수정을 허용하기 위해, 6 개의 미러와 개구수(NA) = 0.20 을 갖는 시스템이 사용되었다.In the EUV-domain imaging system, a reflective system with a multilayer coating is used as the optical component. Mo / Be multilayers are used as multilayer coating systems for systems operating at λ = 11 nm, while Mo / Si systems are used at λ = 13 nm. With a reflectance of a multilayer coating of approximately 70%, it is desirable to use as few optical components as possible in applications such as EUV projection objective microlithography to obtain sufficient light intensity. Specifically, a system with six mirrors and a numerical aperture (NA) = 0.20 was used to increase the light intensity and allow correction of the imaging error.

마이크로리소그래피용 6-미러 시스템은 US 5,686,728 호, EP 779,528 호 및 US 5,815,310 호에 공지되어 있다. US 5,686,728호에 따른 투영 리소그래피 시스템은 6개의 미러을 가진 투영 대물렌즈를 갖는다. 각각의 반사 미러 표면은 비구면으로 형성된다. 미러는 하나의 공통 광축을 따라 배치됨으로써, 암흑화 없는 광경로가 얻어진다. US 5,686,728호에 공지된 투영 대물렌즈는 100 - 300 nm 의 파장을 가진 UV-광에만 사용되기 때문에, 투영 대물렌즈의 미러은 대략 ±50 ㎛ 의 매우 높은 비구면도 및 약 38°의 매우 큰 입사각을 갖는다. NA = 0.2 로 조리개를 좁힌 후에도 입사각이 감소되지 않으면서, 피크로부터 피크까지 25 ㎛ 의 비구면도가 유지된다. 이러한 비구면도 및 입사각은 표면 품질에 대한 높은 요구 및 현재까지의 기술에 따른 미러의 반사도로 인해 EUV-영역에 사용될 수 없다.Six-mirror systems for microlithography are known from US 5,686,728, EP 779,528 and US 5,815,310. The projection lithography system according to US Pat. No. 5,686,728 has a projection objective with six mirrors. Each reflective mirror surface is formed as an aspheric surface. The mirror is arranged along one common optical axis, whereby an optical path without darkening is obtained. Since the projection objective known from US Pat. No. 5,686,728 is used only for UV-light with a wavelength of 100-300 nm, the mirror of the projection objective has a very high aspherical surface of approximately ± 50 μm and a very large angle of incidence of about 38 ° . An aspherical surface of 25 mu m is maintained from the peak to the peak without decreasing the angle of incidence even after narrowing down the aperture to NA = 0.2. These aspherical surfaces and angles of incidence cannot be used in the EUV-area due to the high demand for surface quality and the reflectivity of mirrors according to the state of the art.

특히 11 및 13 nm 의 파장에서 λ < 100 nm 의 범위에 사용될 수 없는, US 5,686,728호에 공지된 대물렌즈의 또다른 단점은 웨이퍼와 웨이퍼에 가장 가까운 미러 사이의 거리가 매우 작다는 것이다. 이러한 짧은 거리는 US 5,686,728호에서 사용되는 매우 얇은 미러만을 허용한다. 11 및 13 nm 파장에 적합한 다층 시스템의 코팅에 가해지는 극도의 스트레스 때문에, 이러한 얇은 미러는 매우 불안정하다.Another disadvantage of the objective known in US Pat. No. 5,686,728, which cannot be used in the range λ <100 nm, especially at wavelengths of 11 and 13 nm, is that the distance between the wafer and the mirror closest to the wafer is very small. This short distance allows only the very thin mirrors used in US Pat. No. 5,686,728. Due to the extreme stress on the coating of multilayer systems suitable for 11 and 13 nm wavelengths, these thin mirrors are very unstable.

EP 779,528 호에는 EUV-리소그래피에, 특히 13 nm 및 11 nm 의 파장에도 사용하기 위한 6개의 미러을 가진 투영 대물렌즈가 공지되어 있다. 상기 투영 대물렌즈도 총 6개의 미러 중 적어도 2개가 26 또는 18.5 ㎛의 매우 높은 비구면도를 갖는다는 단점을 갖는다. 특히, EP 779,528 호에 공지된 장치에서는 웨이퍼에 이웃한 미러와 웨이퍼 사이의 광학적 작동거리가 매우 작기 때문에, 불안정성 또는 부정적인 기계적 작동거리가 얻어진다.EP 779,528 discloses a projection objective with six mirrors for use in EUV-lithography, in particular also at wavelengths of 13 nm and 11 nm. The projection objective also has the disadvantage that at least two of the six mirrors in total have a very high aspherical profile of 26 or 18.5 μm. In particular, in the apparatus known from EP 779,528, the instability or negative mechanical working distance is obtained because the optical working distance between the mirror and the wafer adjacent to the wafer is very small.

따라서, 본 발명의 목적은 전술한 선행기술의 단점을 갖지 않는, 단파장, 특히 100nm 미만의 리소그래피에 적합한 투영 대물렌즈 장치를 제공하는 것이다.It is therefore an object of the present invention to provide a projection objective device suitable for short wavelengths, in particular less than 100 nm lithography, which does not have the disadvantages of the prior art described above.

본 발명의 일 양태에 따르면, 6개의 미러을 가진 투영 대물렌즈에서, 이미지측의 개구수가 NA ≥0.15 이며 웨이퍼측 광학 작동 거리가 적어도 웨이퍼에 가장 가까운 미러의 사용 직경에 상응하거나 및/또는 웨이퍼측 광학 작동 거리가 적어도 상기 미러의 사용 직경의 1/3과 20 내지 30mm의 길이를 합한 값에 상응하거나 및/또는 웨이퍼측 광학 작동 거리가 적어도 50mm, 바람직하게는 60mm이도록, 웨이퍼에 가장 가까운 미러이 배치됨으로써 달성된다.According to one aspect of the invention, in a projection objective with six mirrors, the numerical aperture on the image side corresponds to the use diameter of the mirror with a numerical aperture NA ≥0.15 and the wafer side optical working distance at least closest to the wafer and / or wafer side optics The mirror closest to the wafer is arranged such that the working distance corresponds to at least one third of the use diameter of the mirror plus a length of 20 to 30 mm and / or the wafer side optical working distance is at least 50 mm, preferably 60 mm. Is achieved.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 6 개의 미러를 구비하는 투영 대물렌즈는 이미지측 개구수, NA 가 0.15 보다 크고, 웨이퍼에서 아크형상 필드 폭(W)이 1.0 mm ≤ W 의 범위에 놓이며, 모든 미러에서 사용 영역에서 최적의 구면에 대한 비구면의 피크-대-밸리 편차(A)가, According to another embodiment of the present invention, the projection objective lens having six mirrors has an image-side numerical aperture, NA greater than 0.15, and an arc-shaped field width W in the wafer lies in a range of 1.0 mm ≦ W, Aspheric peak-to-valley deviation (A) for the best sphere in the area of use in all mirrors,

A ≤ 19 ㎛ - 102 ㎛(0.25 - NA) - 0.7 ㎛/mm(2mm - W)A ≤ 19 μm-102 μm (0.25-NA)-0.7 μm / mm (2mm-W)

에 의해 제한된다.Limited by

특히 바람직하게는 모든 미러에서 비구면의 피크-대-밸리 편차(A)가,Especially preferably the aspheric peak-to-valley deviation (A) in all mirrors is

A ≤12 ㎛ - 64 ㎛(0.25 - NA) - 0.3 ㎛/mm(2mm - W)A ≤ 12 μm-64 μm (0.25-NA)-0.3 μm / mm (2mm-W)

로 제한된다.Limited to

본 발명의 또다른 실시예에서는 개구수 NA ≥0.15 이고 아크형상 필드의 웨이퍼측 폭 Ｗ ≥ 1 mm 일 때 모든 미러에서 모든 광선의 표면 법선에 대한 입사각(AOI)이,In another embodiment of the present invention, when the numerical aperture NA ≥ 0.15 and the wafer-side width Ｗ ≥ 1 mm of the arc-shaped field, the angle of incidence (AOI) with respect to the surface normal of all the light beams in all the mirrors,

AOI ≤ 23°- 35°(0.25 - NA) - 0.2°/mm(2mm - W)AOI ≤ 23 °-35 ° (0.25-NA)-0.2 ° / mm (2mm-W)

로 제한된다.Limited to

본 발명의 목적을 달성하기 위한 전술한 개별 실시예를 조합하는 것도 가능하다; 예컨대 특히 바람직한 실시예에서 총 3개의 조건이 충족될 수 있다. 즉, 광학 작동 거리가 NA = 0.20 에서 50mm 보다 크고, 비구면의 피크-대-밸리 편차 및 입사각이 전술한 범위에 놓인다.It is also possible to combine the individual embodiments described above for achieving the object of the invention; For example, in a particularly preferred embodiment a total of three conditions can be met. That is, the optical working distance is greater than 50 mm at NA = 0.20, and the aspheric peak-to-valley deviation and angle of incidence fall within the above-mentioned ranges.

상기 간행물에 설명된 비구면도는 사용 영역에서 최적의 구면에 대한 비구면 표면의 피크-대-밸리(PV) 편차(A)를 의미한다. 상기 비구면 표면은, 예컨대, 미러의 정점에서 도면 축상의 중심을 갖고 동시에 자오선을 따른 사용 영역의 상단점과 하단점에서 비구면과 교차하는 구면을 사용함으로써 근사된다. 입사각에 대한 표시는 입사 광선과 입사 장소에 있는 표면 법선 사이의 각에 관련된다. 어떤 미러에서 발생하는 어떤 입사광선의 최대각, 즉 광속 제한 빔의 각도가 주어진다. 여기서 그리고 이하에서, 사용 직경은 일반적으로 비원형 사용 영역의 엔벨로프 원 직경을 의미한다.Aspherical surface as described in this publication means the peak-to-valley (PV) deviation (A) of the aspherical surface with respect to the optimum spherical surface in the area of use. The aspherical surface is approximated, for example, by using a spherical surface which has a center on the drawing axis at the vertex of the mirror and at the same time intersects the aspherical surface at the upper and lower points of the use area along the meridian. The indication of the angle of incidence relates to the angle between the incident light beam and the surface normal at the site of incidence. The maximum angle of any incident light that occurs in a mirror, that is, the angle of the beam limiting beam, is given. Here and below, the use diameter generally means the envelope circle diameter of the non-circular use area.

특히 바람직하게는 웨이퍼측 광학 작동 거리가 60 mm 이다.Especially preferably, the wafer-side optical working distance is 60 mm.

전술한 대물렌즈는 EUV에 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명과 같이, 다른 파장에도 사용될 수 있다. 예컨대 중심 섀도우잉에 의한 이미지 질의 저하를 막기 위해, 바람직하게는 투영 대물렌즈의 미러가 광을 암흑화하지 않도록 배치된다.시스템의 용이한 조립 및 조정을 위해, 본 발명의 또다른 실시예에서 바람직하게는 미러 표면이 주축선(PA)에 대해 회전 대칭인 표면상에 형성된다. 접근 가능한 조리개에서 대물렌즈의 컴팩트한 디자인을 얻기 위해, 그리고 암흑화 없는 광선 경로를 구현하기 위해, 바람직하게는 투영 대물렌즈 장치가 중간상을 가진 시스템으로 구현된다. 중간상이 제 4 미러 뒤에 형성되는 것이 특히 바람직하다. 이러한 상부 구조에서는, 조리개가 전방의, 개구가 적은 대물렌즈 부분에 놓이고 공액 개구 조리개 평면이 마지막 미러의 초점에 결상되는 것이 가능하다. 이러한 구성은 이미지 공간에서 텔레센트릭 광선 경로를 보장한다.The above-described objective lens can be used not only for EUV, but also for other wavelengths, as in the present invention. In order to prevent deterioration of image quality, for example by central shadowing, the mirror of the projection objective lens is preferably arranged so as not to darken the light. For ease of assembly and adjustment of the system, it is preferable in another embodiment of the present invention. Preferably, the mirror surface is formed on a surface that is rotationally symmetric about the main axis PA. In order to obtain a compact design of the objective lens in an accessible aperture, and to implement a light path without darkening, the projection objective device is preferably implemented as a system having a mesophase. It is particularly preferable that the intermediate phase is formed behind the fourth mirror. In this superstructure, it is possible for the iris to be placed in front of the objective lens portion with a small opening, and the conjugate aperture diaphragm plane is imaged at the focal point of the last mirror. This configuration ensures telecentric ray paths in image space.

본 발명의 일 실시예에서는 자유로이 접근 가능한 조리개가 광학적으로 그리고 물리적으로 제 2 및 제 3 미러 사이에 배치된다. 제 1 미러과 제 3 미러 사이의 거리 대 제 1 미러과 제 2 미러 사이의 거리가,In one embodiment of the invention, a freely accessible aperture is arranged optically and physically between the second and third mirrors. The distance between the first mirror and the third mirror versus the distance between the first mirror and the second mirror,

0.5 < S1S3/S1S2 < 20.5 <S1S3 / S1S2 <2

의 범위에 놓이면, 조리개의 양호한 접근 가능성이 주어진다. 제 2 미러과 제 3 미러 사이에 배치된 조리개에 의한 제 3 미러로부터 제 4 미러로 향한 광속의 섀도우잉을 방지하기 위해, 제 2 미러과 조리개 사이의 거리 대 제 3 미러과 조리개 사이의 거리의 비가,If it is in the range of, a good accessibility of the aperture is given. In order to prevent shadowing of the beam of light from the third mirror to the fourth mirror by the aperture disposed between the second mirror and the third mirror, the ratio of the distance between the second mirror and the aperture to the distance between the third mirror and the aperture,

0.5 < S2 개구/(S3 개구) < 20.5 <S2 opening / (S3 opening) <2

범위에 놓이는 것이 바람직하다. 본 발명의 제 1 실시예에서와 같이 곧은 구성에 의해, 투영 대물렌즈의 전방 부분에서 각 부하가 감소될 수 있다.It is desirable to be in the range. By the straight configuration as in the first embodiment of the present invention, each load in the front portion of the projection objective lens can be reduced.

(S2)과 (S1) 사이에 물리적으로 놓인 조리개는 적어도 부분적으로 좁은 링으로 형성되어야만,(S1)으로부터 (S2)로 향한 광속의 절단이 피해진다. 이러한 실시예에서는 원하지 않는 직접적인 광 또는 (S1) 및 (S2)에서 반사되는 광이 상기 링의 외부에서 조리개를 통과하여 웨이퍼에 도달할 위험이 있다. 조리개를 광학적으로 제 2 미러과 제 3 미러 사이에 그리고 물리적으로 제 1 미러 근처에 놓으면, 조리개의 이러한 기계적으로 간단히 구현되는 배치에 의해 원하지 않는 광선의 효과적인 차단이 가능하다. 조리개는 제 1 미러내의 개구로 또는 제 1 미러 뒤에 놓이도록 구현될 수 있다.The diaphragm physically placed between S2 and S1 must be formed at least partially in a narrow ring, so that the cutting of the light beam from S1 to S2 is avoided. In this embodiment there is a risk that unwanted direct light or light reflected at S1 and S2 passes through the aperture outside the ring and reaches the wafer. By placing the aperture optically between the second and third mirrors and physically near the first mirror, this mechanically simple arrangement of the aperture enables effective blocking of unwanted light rays. The iris can be implemented to lie behind the first mirror or as an opening in the first mirror.

본 발명의 다른 실시예에서는, 조리개가 제 2 미러에 또는 제 2 미러 근처에 배치된다. 미러에 조리개를 배치하는 것은 조리개가 기계적으로 간단히 구현될 수 있다는 장점을 갖는다. 여기서는 작은 입사각에서 암흑화 없는 광선 경로를 보장하기 위해, 제 1 및 제 3 미러 사이의 거리(S1S3)와 제 1 및 제 2 미러 사이의 거리(S1S2)의 비는,In another embodiment of the invention, the aperture is arranged at or near the second mirror. Placing the aperture in the mirror has the advantage that the aperture can be simply implemented mechanically. Here, in order to ensure the light path without darkening at a small angle of incidence, the ratio of the distance S1S3 between the first and third mirrors and the distance S1S2 between the first and second mirrors is

0.3 ≤S1S3/S1S2 ≤2.00.3 ≤ S1S3 / S1S2 ≤2.0

의 범위에 놓이고, Is set in the range of

제 2 및 제 3 미러 사이의 거리(S2S3)와 제 3 및 제 4 미러 사이의 거리(S3S4)의 비는,The ratio of the distance S2S3 between the second and third mirrors and the distance S3S4 between the third and fourth mirrors is

0.7 ≤S2S3/S3S4 ≤1.40.7 ≤S2S3 / S3S4 ≤1.4

의 범위에 놓인다.Lies in the range of.

6-미러 시스템에서 결상 오차를 보정하기 위해, 바람직한 실시예에서는 총 6개의 미러이 비구면으로 형성된다. 그러나, 대안으로서, 최대 5개의 미러이 비구면으로 형성되면, 제조 기술이 간단해진다. 이 경우, 하나의 미러, 바람직하게는 가장 큰 미러이 4미러의 형상으로 구면으로 형성될 수 있다. 제 2 내지 제 6 미러의 배치는 오목-볼록-오목-볼록-오목의 순서로 이루어지는 것이 특히 바람직하다.In order to correct the imaging error in the six-mirror system, in a preferred embodiment a total of six mirrors are formed aspheric. As an alternative, however, if up to five mirrors are formed aspherical, the manufacturing technique is simplified. In this case, one mirror, preferably the largest mirror, may be formed into a spherical surface in the shape of four mirrors. It is particularly preferable that the arrangement of the second to sixth mirrors is in the order of concave-convex-concave-convex-concave.

적어도 50 nm 의 해상도를 얻기 위해, 시스템의 rms-파면(wavefront)의 디자인부가 최대 0.07 λ, 바람직하게는 0.03 λ인 것이 바람직하다.In order to obtain a resolution of at least 50 nm, it is preferred that the design portion of the rms-wavefront of the system is at most 0.07 lambda, preferably 0.03 lambda.

본 발명의 실시예에서 바람직하게는 대물렌즈의 이미지측이 항상 텔레센트릭하게 형성된다. 반사 마스크로 작동되는 투영 시스템에서는, 투과를 강력히 감소시키는, 예컨대 JP-A-95 28 31 16호에 공지된 바와 같은 빔 스플리터를 통한 조명 없이는 물체측에서 텔레센트릭 광선 경로가 불가능하다. 따라서, 레티클에서 주광선 각은 섀도우잉 없는 조명이 보장되도록 선택된다. 투과 마스크를 가진 시스템에서는, 투과 대물렌즈가 물체측에서 텔레센트릭하게 설계될 수 있다. 이러한 실시예에서는 제 1 미러이 바람직하게는 오목하게 형성된다. 전체적으로 웨이퍼(10)에서 텔레센트릭 오차가 10 mrad, 바람직하게는 5 mrad, 특히 바람직하게는 2 mrad를 초과해서는 안된다. 이것은 배율의 변동이 데피니션면에서 허용될 수 있는 한계로 유지되게 한다.In the embodiment of the present invention, preferably, the image side of the objective lens is always telecentric. In a projection system operated with a reflective mask, telecentric light paths on the object side are not possible without illumination through a beam splitter as strongly known, for example, in JP-A-95 28 31 16. Thus, the chief ray angle in the reticle is chosen to ensure illumination without shadowing. In a system with a transmission mask, the transmission objective can be designed telecentric on the object side. In this embodiment, the first mirror is preferably formed concave. Overall, the telecentric error in the wafer 10 should not exceed 10 mrad, preferably 5 mrad, particularly preferably 2 mrad. This allows the variation in magnification to be kept at an acceptable limit in terms of definition.

본 발명의 상기 실시예는 미러, 축소 3-미러 서브 시스템 및 2-미러 서브 시스템을 포함한다.This embodiment of the invention includes a mirror, a reduced three-mirror subsystem and a two-mirror subsystem.

본 발명에 따른 투영 대물렌즈 장치와 더불어, 본 발명은 적어도 하나의 상기 장치를 포함하는 투영 노광 장치를 제공한다. 제 1 실시예에서 투영 노광 장치는 반사 마스크(대안으로서, 투과 마스크도 사용됨)를 포함한다. 투영 노광 장치는 외부 축선 아크형상 필드를 조명하기 위한 조명장치를 포함하고, 시스템이 아크 형상 필드 스캐너로 형성되는 것이 특히 바람직하다. 바람직하게는 스캔 슬롯의 시컨트 길이가 적어도 26 mm이고 링 폭이 0.5 mm 보다 크면, 균일한 조명이 이루어진다.In addition to the projection objective lens device according to the present invention, the present invention provides a projection exposure device comprising at least one of the above devices. In the first embodiment, the projection exposure apparatus includes a reflective mask (alternatively, a transmissive mask is also used). The projection exposure apparatus comprises an illumination device for illuminating the external axis arc-shaped field, and it is particularly preferred that the system is formed with an arc-shaped field scanner. Preferably if the secant length of the scan slot is at least 26 mm and the ring width is greater than 0.5 mm, uniform illumination is achieved.

이하, 본 발명을 첨부한 도면을 참고로 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings of the present invention will be described in detail.

도 1, 3 및 4 에는 본 발명에 따른 6-미러-투영 대물렌즈의 장치가 도시된다. 상기 대물렌즈 장치는 적어도 웨이퍼에 가장 가까운 미러의 사용 직경에 상응하는 광학적 작동 거리를 갖는다. 도 2는 예컨대 US 5,686,728호에 공지된 바와 같은 100 nm 를 초과하는 파장에 대한 선행기술에 따른 시스템을 나타낸다. 이하, 모든 실시예에서 동일한 부품은 동일한 도면 부호를 가지며, 하기 명칭이 사용된다:1, 3 and 4 show the arrangement of a six-mirror-projection objective according to the invention. The objective lens device has an optical working distance corresponding at least to the diameter of use of the mirror closest to the wafer. 2 shows a system according to the prior art for wavelengths in excess of 100 nm, for example as known from US Pat. No. 5,686,728. Hereinafter, in all embodiments the same parts have the same reference numerals and the following names are used:

제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), The first mirror S1, the second mirror S2, the third mirror S3,

제 4 미러(S4), 제 5 미러(S5), 제 6 미러(S6).Fourth mirror S4, fifth mirror S5, sixth mirror S6.

도 1 에는 레티클 평면(2)으로부터 웨이퍼 평면(4)으로 광선 경로를 가진 본 발명에 따른 6-미러-투영 대물렌즈가 도시된다. 본 발명에 따른 시스템의 도시된 특별한 실시예는 배율 β> 0 로 물체의 허상을 발생시키는 미러(S1)를 구비한다. (S2), (S3) 및 (S4)로 형성된 3-미러 시스템은 중간상(Z)으로서 허상의 축소된 실상을 제공한다. 마지막으로, 2-미러 시스템(S5, S6)은 텔레센트릭 조건의 충족 하에 웨이퍼 평면(4)으로 중간상(Z)를 결상시킨다. 3-미러와 2-미러 서브시스템의 수차는 서로 평형을 이루므로, 전체 시스템은 집적회로 제조응용에 충분한 고품질을 갖는다.1 shows a six-mirror-projection objective according to the invention with a ray path from the reticle plane 2 to the wafer plane 4. A particular illustrated embodiment of the system according to the invention has a mirror S1 for generating a virtual image of an object with a magnification β> 0. The three-mirror system formed of (S2), (S3) and (S4) provides a reduced image of the virtual image as the intermediate phase (Z). Finally, two-mirror systems S5 and S6 image the intermediate phase Z into the wafer plane 4 under the telecentric condition. Since the aberrations of the three-mirror and two-mirror subsystems are balanced with each other, the overall system is of high quality sufficient for integrated circuit fabrication applications.

물리적 조리개(B)는 제 2 미러(S2)와 제 3 미러(S3) 사이에 배치된다. 도 1에 나타나는 바와 같이, 조리개는 제 2 미러(S2)와 제 3 미러(S3) 사이의 광선 경로에 접근 가능하게 놓인다. 본 실시예에서 제 5 미러(S5)인, 웨이퍼에 가장 가까운 미러과 웨이퍼 평면(4) 사이의 광학적 작동 거리가 미러(S5)의 사용 직경 보다 크다. 즉, 하기 조건이 충족된다:The physical aperture B is disposed between the second mirror S2 and the third mirror S3. As shown in FIG. 1, the iris lies in an accessible manner in the ray path between the second mirror S2 and the third mirror S3. The optical working distance between the mirror closest to the wafer and the wafer plane 4, which is the fifth mirror S5 in this embodiment, is larger than the use diameter of the mirror S5. That is, the following conditions are met:

(S5)와 웨이퍼 평면(4) 사이의 광학적 거리 > (S5)의 사용 직경.Use diameter of optical distance> (S5) between (S5) and wafer plane (4).

대안으로서, 광학적 작동 거리가 웨이퍼에 가장 가까운 미러(S5)의 사용 직경의 1/3과 20mm의 합 보다 크거나, 또는 50mm 보다 크다는 것과 같은 다른 거리 조건도 가능하다. 본 실시예에서는 광학적 작동 거리가 60 mm 이지만, 이것에 국한되지는 않는다.Alternatively, other distance conditions are possible, such that the optical working distance is greater than the sum of 1/3 and 20 mm of the use diameter of the mirror S5 closest to the wafer, or greater than 50 mm. Although the optical working distance is 60 mm in this embodiment, it is not limited to this.

이러한 광학적 작동 거리는 0 보다 큰, 충분한 기계적 작동 거리를 보장하고, 100 nm, 바람직하게는 11 또는 13 nm 미만의 파장에 대한 충분한 강도를 갖는 광학적 부품의 사용을 가능하게 한다. 파장 λ= 13 nm 및 λ= 11nm 에 대한 광학적 부품은 예컨대 Mo/Si 또는 MO/Be 다층 시스템을 포함한다. λ=13nm에 대한 통상적인 다층 시스템은 40 Mo/Si 층 쌍을 포함하고, λ= 11nm 에 대한 통상적인 다층 시스템은 대략 70 층 쌍의 Mo/Be 시스템을 갖는다. 시스템의 얻어질 수 있는 반사율은 대략 70 % 의 범위이다. 다층 시스템에서는 350MPa 이상의 층 스트레스가 나타나고, 상기 층 스트레스는 특히, 미러의 에지 영역에서 표면 변형을 일으킨다.This optical working distance ensures a sufficient mechanical working distance of greater than zero and enables the use of optical components with sufficient intensity for wavelengths below 100 nm, preferably less than 11 or 13 nm. Optical components for wavelengths λ = 13 nm and λ = 11 nm include, for example, Mo / Si or MO / Be multilayer systems. A typical multilayer system for λ = 13 nm includes 40 Mo / Si layer pairs, and a typical multilayer system for λ = 11 nm has a Mo / Be system of approximately 70 layer pairs. The obtainable reflectance of the system is in the range of approximately 70%. Layer stresses of 350 MPa or more appear in multilayer systems, which cause surface deformation, particularly in the edge regions of the mirror.

도 1 에 도시된 바와 같은 본 발명에 따른 시스템은 다음을 갖는다,The system according to the invention as shown in FIG. 1 has the following:

Figure 112000002626235-pat00002
.
Figure 112000002626235-pat00002
.

이것은 k1 = 0.77 및 λ=13nm 또는 k1 = 0.64 및 λ=11nm일 때 NA = 0.2의 최소 개구수에서 최소 50nm 또는 35nm의 공칭 해상도를 갖는다. 여기서, k1 은 리소그래피 프로세스 고유의 파라메터이다.It has a nominal resolution of at least 50 nm or 35 nm at a minimum numerical aperture of NA = 0.2 when k 1 = 0.77 and lambda = 13 nm or k 1 = 0.64 and lambda = 11 nm. Where k 1 is a parameter specific to the lithography process.

또한, 도 1에 도시된 대물렌즈의 광선 경로는 암흑화되지 않는다. 예컨대, 26 x 34 ㎟ 또는 26 x 52 ㎟의 이미지 포맷을 제공하기 위해, 본 발명에 따른 투영 대물렌즈는 바람직하게는 아크형상 필드 스캔 투영 노광 장치에 사용된다. 스캔 슬롯의 시이컨트 길이는 최소 26 mm 이다.In addition, the light path of the objective lens shown in FIG. 1 is not darkened. For example, in order to provide an image format of 26 x 34 mm 2 or 26 x 52 mm 2, the projection objective according to the invention is preferably used in an arc-shaped field scan projection exposure apparatus. The secant length of the scan slot is at least 26 mm.

투영 노광 장치에서 사용된 마스크(여기서는 투과 마스크, 예컨대 스텐실 마스크 또는 반사 마스크가 사용될 수 있음)에 따라 이미지측의 텔레센트릭 시스템이 물체측에서 텔레센트릭하게 또는 비-텔레센트릭하게 형성된다. 텔레센트릭 광선 경로는 물체측에서 반사 마스크의 사용시 투과 감소 빔 스플리스터의 사용 하에서만 가능하다. 마스크의 요철은 비-텔레센트릭한 광선 경로에서 물체 공간에서 이미지의 척도 오차를 야기시킨다. 따라서, 레티클에서 주광선 각이 바람직하게는 10°미만이므로, 레티클 평탄함에 대한 조건이 기술적으로 구현가능한 범위에 놓인다. 도 1에 따른 본 발명의 시스템은 0.2의 개구수에서 1 mrad 의 웨이퍼 이미지측 텔레센트릭 오차를 갖는다.Depending on the mask used in the projection exposure apparatus, where a transmissive mask such as a stencil mask or a reflective mask can be used, the telecentric system on the image side is formed telecentric or non-telecentric on the object side. Telecentric light paths are only possible with the use of transmission reducing beam splitters in the use of reflective masks on the object side. Unevenness of the mask causes a scale error of the image in object space in the non-telecentric ray path. Thus, since the chief ray angle in the reticle is preferably less than 10 °, the conditions for reticle flatness are within the technically feasible range. The system of the invention according to FIG. 1 has a wafer image side telecentric error of 1 mrad at a numerical aperture of 0.2.

이미지측 텔레센트릭이 높기 때문에, 마지막 미러(S6)의 입사동(entrance pupil)이 그것의 초점내에 또는 그것의 초점 근처에 놓인다. 그러므로, 중간상을 가진 이와 같은 시스템에서는, 개구(B)는 전방의, 개구가 적은 대물렌즈 부분에서 광방사 경로에 대해 주로 제 1 미러(S1)와 제 3 미러(S3) 사이에 놓이고, 공액 개구 조리개 평면은 마지막 미러의 초점에서 결상된다.Since the image side telecentric is high, the entrance pupil of the last mirror S6 lies in or near its focal point. Therefore, in such a system having an intermediate image, the opening B lies mainly between the first mirror S1 and the third mirror S3 with respect to the light emission path in the front, the small opening of the objective lens portion, and conjugated. The aperture stop plane is imaged at the focal point of the last mirror.

도시된 실시예에서, 전체 미러(S1)-(S6)가 비구면으로 구현된다. 사용 영역에서 최대 구면도는 7.3 ㎛ 이다. 본 발명에 따른 장치의 낮은 비구면도는 특히 제조 기술적인 면에서 바람직한데, 그 이유는 다층 미러의 표면 처리시 기술적 어려움은 비구면 편차 및 비구면의 기울기 증가에 따라 비례적으로 강력히 증가하기 때문이다.In the illustrated embodiment, the entire mirrors S1-S6 are implemented as aspheric. The maximum sphericity in the area of use is 7.3 μm. The low asphericity of the device according to the invention is particularly desirable in terms of manufacturing technology, since the technical difficulties in surface treatment of multilayer mirrors increase proportionately with increasing aspheric deviation and aspheric slope.

6-미러 대물렌즈의 가장 큰 입사각이 미러(S5)에서 발생하며 18.4°이다. 미러(S5)에서 약 14.7°의 최대 입사각 변동이 나타난다. λ= 13 nm 에서 파면 오차는 0.032 λ보다 양호하며, 포인트 이미지의 중심 이동은 3 nm 미만이고, 정적인, 배율 보정된 왜곡은 4 nm 이다.The largest angle of incidence of the six-mirror objective occurs at mirror S5 and is 18.4 °. In the mirror S5 a maximum incident angle variation of about 14.7 ° appears. The wavefront error at λ = 13 nm is better than 0.032 λ, the center shift of the point image is less than 3 nm, and the static, magnified distortion is 4 nm.

제 2 미러과 제 3 미러 사이에 배치된 조리개는 자유로이 접근 가능하다. 도시된 장치에서, 다음의 조건,The aperture disposed between the second mirror and the third mirror is freely accessible. In the device shown, the following conditions,

0.5 < S1S3/S1S2 < 2 및0.5 <S1S3 / S1S2 <2 and

0.5 < S2 개구/(S3 개구) < 20.5 <S2 opening / (S3 opening) <2

이 충족되면, 동시에 허용될 수있는, 미러에 대한 입사각에서 조리개의 자유로운 접근 가능성, 및 조리개에 의한 (S3)으로부터 (S4)로 연장된 광속의 섀도우잉이 방지된다. 여기서, 약어 S1S3은 개별 부품, 여기서는 미러(S1)와 (S3) 사이의 역학적 거리를 나타낸다. 그리고, "S2 개구" 는 미러(S2)의 정점과 개구 사이의 역학적 거리를 나타낸다. 게다가, 도 1, 3 및 4 에 따른 본 발명의 특히 바람직한 실시예에서, 미러에 대한 입사각을 줄이기 위해, 레티클로부터 (S1)까지의 거리가 (S2)로부터 (S3)까지의 거리 보다 작다. 즉, If this is satisfied, free accessibility of the aperture at the angle of incidence to the mirror, which can be allowed at the same time, and shadowing of the luminous flux extending from S3 to S4 by the aperture is prevented. Here, the abbreviation S1S3 denotes the mechanical distance between the individual parts, here mirrors S1 and S3. And "S2 opening" represents the mechanical distance between the vertex of the mirror S2 and the opening. In addition, in a particularly preferred embodiment of the invention according to FIGS. 1, 3 and 4, in order to reduce the angle of incidence on the mirror, the distance from the reticle to S1 is smaller than the distance from S2 to S3. In other words,

레티클 S1 < S2S3.Reticle S1 <S2S3.

레티클은 레티클과 제 1 미러 사이의 입사광 방향을 따라 제 1 미러(여기서는 S2)보다 훨씬 앞에 놓이는 것이 바람직하다. 본 경우에서는, 예를 들어, 레티클과(S2)의 거리는 80 mm 이다.The reticle is preferably placed far ahead of the first mirror (here S2) along the direction of incident light between the reticle and the first mirror. In this case, for example, the distance between the reticle and S2 is 80 mm.

또한, 도 1 및 도 3 내지 5 에 따른 본 발명의 실시예에서, 미러(S3)와 (S6) 사이의 거리는 충분한 두께의 미러들이 사용될 수 있는 크기가 되도록 선택되며, 보다 두꺼운 미러는 상술된 높은 층 장력에 견딜 수 있는 강도, 안정성 특성을 갖는다. 이들 시스템에서는, 하기 조건이 충족되면, 특히 바람직하다:Further, in the embodiment of the invention according to Figs. 1 and 3 to 5, the distance between the mirrors S3 and S6 is chosen to be such that mirrors of sufficient thickness can be used, and thicker mirrors can be used as described above. It has strength and stability characteristics that can withstand layer tension. In these systems, the following conditions are particularly preferred:

0.3((S3)의 사용 직경 + (S6)의 사용 직경) < S3S6.0.3 (use diameter of (S3) + use diameter of (S6)) <S3S6.

하기 표 1 에는 예컨대 도 1 에 도시된 시스템의 파라미터가 Code V(TM)명칭으로 예시되어 있다. 대물렌즈로는 26 x 2 ㎟ 아크형상 필드 및 0.2 의 개구수를 가진 5x-시스템이 사용된다. 시스템의 평균 이미지측 반경은 대략 26 mm 이다.In Table 1, for example, the parameters of the system shown in FIG. 1 are illustrated by Code V ( TM ) name. As the objective lens, a 5x-system with a 26 x 2 mm2 arc-shaped field and a numerical aperture of 0.2 is used. The average image side radius of the system is approximately 26 mm.

Figure 112000002626235-pat00003
Figure 112000002626235-pat00003

도 2에는 US 5,686,728 호에 따른 파장 λ < 100 nm 를 가진 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈의 장치가 도시된다. 도 1에서와 동일한 부품은 동일한 도면 부호를 갖는다. 명확히 나타나는 바와 같이, 웨이퍼에 가장 가까운 미러(S5)와 웨이퍼 사이의 거리는 미러의 직경 보다 현저히 작고, 본 경우에는 대략 20 mm 의 범위내에 놓인다. 이것은 EUV-영역에서 극도의 층 장력으로 인해 강도 문제를 야기시킨다. 선행기술에 따른 시스템은 또한 ±50 ㎛ 의 매우 높은 비구면도 및 38°의 입사각을 갖는다. 이러한 비구면도 및 입사각은 제조 및 코팅 기술면을 고려할 때 EUV-영역에서 구현될 수 없다.2 shows a device of a projection objective for microlithography having a wavelength λ <100 nm according to US Pat. No. 5,686,728. The same parts as in FIG. 1 have the same reference numerals. As is apparent, the distance between the mirror S5 closest to the wafer and the wafer is significantly smaller than the diameter of the mirror, and in this case lies in the range of approximately 20 mm. This causes strength problems due to extreme layer tension in the EUV-region. The system according to the prior art also has a very high aspherical figure of ± 50 μm and an angle of incidence of 38 °. This aspherical surface and angle of incidence cannot be realized in the EUV-region when considering manufacturing and coating techniques.

도 3 에는 본 발명에 따른 6-미러 시스템의 다른 실시예가 도시된다. 여기서는 조리개가 제 1 미러상에 놓인다. 도 1 에서와 동일한 부품은 도 3 에서 동일한 도면 부호를 갖는다. 이 실시예에서도 웨이퍼에서 광학적 작동 거리는 도 1에 따른 실시예에서와 같이 60 mm 이므로, 웨이퍼에 가장 가까운 미러(S5)의 직경 보다 크다. 유사하게, 도 1 에 따른 실시예에서와 같이, (S2)와 (S3) 사이의 거리가 US 5,686,728호에 따른 선행 기술에 비해 현저히 커지므로, 시스템에서 큰 입사각이 회피된다.3 shows another embodiment of a six-mirror system according to the invention. Here the aperture is placed on the first mirror. The same parts as in FIG. 1 have the same reference numerals in FIG. 3. In this embodiment as well, the optical working distance on the wafer is 60 mm, as in the embodiment according to FIG. 1, and therefore larger than the diameter of the mirror S5 closest to the wafer. Similarly, as in the embodiment according to FIG. 1, since the distance between S2 and S3 is significantly larger than in the prior art according to US Pat. No. 5,686,728, a large angle of incidence is avoided in the system.

도 1 에 따른 실시예에서와는 달리, 도 3 에서는 조리개(B)가 물리적으로 1차 미러에 놓인다. 상기 위치에 의해, (S2)에서 반사된 빛의 매우 효율적인 차단이 가능해진다. 조리개가 물리적으로 (S1)과 (S2) 사이에 배치되는 경우, 상기 빛은 좁은 링으로 형성되는 조리개의 상부를 쉽게 통과할 것이다. 도 3 에 도시된 실시예에서, 조리개는 S1-미러내의 개구로서 또는 (S1) 뒤에 놓이도록 구현될 수 있다.Unlike in the embodiment according to FIG. 1, in FIG. 3 the aperture B is physically placed in the primary mirror. By this position, highly efficient blocking of the light reflected at S2 is possible. If the aperture is physically placed between S1 and S2, the light will easily pass through the top of the aperture formed by the narrow ring. In the embodiment shown in FIG. 3, the aperture can be implemented to lie behind or as an opening in the S1-mirror.

본 실시예의 다른 장점은 미러(S4)의 구면 디자인이다. 구면 디자인은 특히 제조면에서 장점을 갖는데, 그 이유는 미러(S4)가 시스템의 가장 큰 미러이기 때문이다. 이러한 설계에 의해, 사용영역에서 구면도가 약간 증가되며 10.5㎛이다. 가장 큰 입사각은 미러(S5)에서 나타나며 약 18.6°이다. 파면 오차는 λ= 13 nm 일 때 1.7 mm 폭의 아크형상 필드 내부에서 0.032 λ이다. 게다가, 미러(S4)를 0.4 ㎛ 를 가진 약간 비구면으로 형성하려면, 파면 오차를 λ= 13 nm 일 때 1.8 mm 폭의 아크형상 필드 내부에서 0.031 λ으로 유지할 수 있다. 조리개가 직접 미러(S1) 상에 형성되고 조리개가 미러(S1) 뒤에 배치되면, 원하지 않는 빛이 효과적으로 암흑화된다. 조리개는 다음의 관계식이 만족되도록 위치되는 것이 바람직하다:Another advantage of this embodiment is the spherical design of the mirror S4. Spherical design has particular advantages in terms of manufacturing, since mirror S4 is the largest mirror of the system. By this design, the spherical surface is slightly increased in the area of use and is 10.5 mu m. The largest angle of incidence is seen in mirror S5 and is about 18.6 °. The wavefront error is 0.032 λ inside the 1.7 mm wide arc-shaped field when λ = 13 nm. In addition, to form the mirror S4 into a slightly aspherical surface having 0.4 mu m, the wavefront error can be kept at 0.031 lambda inside an arc-shaped field of 1.8 mm width when lambda = 13 nm. If the aperture is directly formed on the mirror S1 and the aperture is placed behind the mirror S1, unwanted light is effectively darkened. The iris is preferably positioned so that the following relation is satisfied:

S2S1 ≤ 0.9 x S2 개구.S2S1 <0.9 x S2 opening.

표 2 에는 도 3 에 따른 5x 대물렌즈의 구성 데이터가 Code V(TM)명칭으로 도시되어 있다. 제 4 미러(S4)는 구면으로 형성된다. 26 x 1.7㎟ 이미지 필드의 평균 반경은 26 mm 이다.Table 2 shows the configuration data of the 5x objective lens according to FIG. 3 under Code V ( TM ) name. The fourth mirror S4 has a spherical surface. The average radius of the 26 x 1.7 mm 2 image field is 26 mm.

Figure 112000002626235-pat00004
Figure 112000002626235-pat00004

도 4 에는 본 발명의 또다른 실시예가 도시된다. 여기서도, 선행 도면에서와 동일한 부품은 동일한 도면 부호를 갖는다. 여기에서 조리개(B)는 광학적으로 그리고 물리적으로 2차 미러 또는 제 2 미러(S2) 상에 놓인다. S2 상에 직접 조리개를 배치하는 것은 조리개가 미러상에 기계적으로 보다 간단히 구현될 수 있다는 장점을 갖는다. 도 4 에 도시된 4x 구성에 의해, λ=13 nm 일 때 2 mm 폭의 아크형상 필드 내부에서 0.021 λ의 파면 오차가 구현될 수 있다. 사용 영역에서 최대 비구면도가 11.2 ㎛ 이고, (S5)에서 최대로 발생하는 입사각은 18.3°이다. 평균 아크형상 필드 반경은 26 mm 이다. 본 발명에 따라 웨이퍼와 웨이퍼에 가장 가까운 미러(S5) 사이의 광학적 작동 거리는 웨이퍼에 가장 가까운 미러(S5)의 직경 보다 크고, 본 실시예에서는 약 59 mm 이다.4, another embodiment of the present invention is shown. Here too, the same parts as in the preceding figures have the same reference numerals. Here, the aperture B is optically and physically placed on the secondary mirror or the second mirror S2. Placing the aperture directly on S2 has the advantage that the aperture can be implemented more simply mechanically on the mirror. By the 4x configuration shown in Fig. 4, a wavefront error of 0.021 lambda can be realized inside a 2 mm wide arc-shaped field when lambda = 13 nm. The maximum aspherical surface in the area of use is 11.2 μm, and the maximum incident angle at (S5) is 18.3 °. The average arc field radius is 26 mm. According to the invention the optical working distance between the wafer and the mirror S5 closest to the wafer is larger than the diameter of the mirror S5 closest to the wafer, in this embodiment about 59 mm.

표 3 은 도 4 의 실시예의 광학적 파라미터를 Code V(TM) 명칭으로 도시하고 있다.Table 3 shows the optical parameters of the embodiment of FIG. 4 by Code V ( TM ) name.

Figure 112000002626235-pat00005
Figure 112000002626235-pat00005

도 5에는 본 발명의 또다른 실시예가 도시된다. 이 실시예는 미러(S1), 제 2 내지 제 4 미러(S2-S4)를 가진 제 1 서브 시스템, 및 제 5 및 제 6 미러(S5, S6)를 가진 제 2 서브 시스템을 포함한다. β > 0 를 가진 미러(S1)는 물체(2)의 허상을 발생시킨다. 상기 허상은 제 2, 제 3 및 제 4 미러(S2, S3, S4)로 형성된, β< 0 를 가진 제 1 서브 시스템에 의해 중간 실상(Z)으로 결상된다. 제 5 및 제 6 미러(S5, S6)로 형성된 제 2 서브 시스템이 중간 실상(Z)을 웨이퍼 평면(4)의 시스템 실상으로 결상시킨다. 시스템의 개구수는 NA = 0.28 이다. 마지막 미러(S5)와 웨이퍼 평면 사이의 작동 거리는 적어도 웨이퍼에 가장 가까운 미러의 사용 직경의 1/3 과 20 내지 30mm의 길이를 합한 값에 상응한다. 조리개(B)는 제 2 미러(S2) 상에 놓인다.Figure 5 shows another embodiment of the present invention. This embodiment includes a mirror S1, a first subsystem with second to fourth mirrors S2-S4, and a second subsystem with fifth and sixth mirrors S5, S6. The mirror S1 with β> 0 generates a virtual image of the object 2. The virtual image is formed into an intermediate real phase Z by a first subsystem having β <0, formed by the second, third and fourth mirrors S2, S3, S4. The second subsystem formed of the fifth and sixth mirrors S5 and S6 forms an intermediate real image Z into a system real of the wafer plane 4. The numerical aperture of the system is NA = 0.28. The working distance between the last mirror S5 and the wafer plane corresponds to the sum of the lengths of 20 to 30 mm and at least 1/3 of the use diameter of the mirror closest to the wafer. The aperture B is placed on the second mirror S2.

표 4 는 도 6 의 실시예의 광학적 파라미터를 Code V(TM) 명칭으로 도시하고 있다.Table 4 shows the optical parameters of the embodiment of FIG. 6 by Code V ( TM ) designation.

Figure 112000002626235-pat00006
Figure 112000002626235-pat00006

도 6 은 도 5 에 도시된 제 1 및 제 2 서브시스템 뿐만 아니라 필드 미러(S1)를 가진 6-미러-대물렌즈를 구비하는 도 5 에 대한 유사한, 대안예를 도시한다. 대물렌즈는 중간상(Z)를 발생시키고 도 5 에서와 유사하게 제 2 미러(S2)상에 형성된 개구(B)를 갖고 개구수는 NA = 0.30 이다.FIG. 6 shows a similar, alternative to FIG. 5 having a six-mirror-objective with a field mirror S1 as well as the first and second subsystems shown in FIG. 5. The objective lens generates an intermediate image Z and has an opening B formed on the second mirror S2 similarly as in FIG. 5 and the numerical aperture is NA = 0.30.

본 대안예의 광학적 파리미터가 표 5 에 Code V(TM) 명칭으로 도시되어 있다.The optical parameters of this alternative are shown under Code V ( TM ) designation in Table 5.

Figure 112000002626235-pat00007
Figure 112000002626235-pat00007

도 7a 및 7b 는 상기 실시예의 사용 직경(D)을 정의한다. 예컨대, 도 7a에서 미러상에 조명된 필드(100)는 직사각형 필드이다. 사용 직경(D)은 직사각형(100)을 포함하는 엔벨로프 원(102)의 직경이다. 직사각형(100)의 코너(104)는 엔벨로프 원(102) 상에 놓인다. 도 7b 에는 제 2 실시예가 도시되어 있다. 조명된 필드(100)는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치에 본 발명에 따른 대물렌즈를 사용할 때 사용 영역에서 나타나는 바와 같은 콩팥 형상을 갖는다. 엔벨로프 원(102)은 콩팥 형상을 완전히 둘러싸며, 2개의 점(106, 108)에서 콩팥 형상의 에지(110)와 만난다. 사용 직경(D)은 엔벨로프 원(102)의 직경으로 얻어진다.7a and 7b define the use diameter D of this embodiment. For example, the field 100 illuminated on the mirror in FIG. 7A is a rectangular field. The use diameter D is the diameter of the envelope circle 102 including the rectangle 100. The corner 104 of the rectangle 100 lies on the envelope circle 102. 7b shows a second embodiment. The illuminated field 100 has a kidney shape as seen in the area of use when using the objective lens according to the invention in a microlithographic projection exposure apparatus. Envelope circle 102 completely encloses the kidney shape and meets the kidney-shaped edge 110 at two points 106 and 108. The use diameter D is obtained with the diameter of the envelope circle 102.

이런 식으로, 본 발명은 EUV-아크 형상의 필드 투영 시스템에 바람직하게 사용되는 4x, 5x 및 6x 의 배율을 가진 6-미러-투영 대물렌즈가 제공된다. 그러나, 다른 것도 사용될 수 있다. 상기 6-미러 투영 대물렌즈는 이미지 필드에 요구되는 해상도, 및 적절한 기능을 할 수 있는 구성 조건을 갖는데, 그 이유는 비구면이 충분히 낮고, 입사각이 충분히 작으며, 미러 캐리어용 공간이 충분히 크기 때문이다.In this way, the present invention provides a six-mirror-projection objective with magnifications of 4x, 5x, and 6x, which is preferably used in an EUV-arc field projection system. However, other may be used. The 6-mirror projection objective has the resolution required for the image field, and the constituent conditions capable of proper functioning, since the aspherical surface is sufficiently low, the angle of incidence is sufficiently small, and the space for the mirror carrier is sufficiently large. .

상술된 바에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따르면, 100 nm 미만의 리소그래피에 적합한 투영 대물렌즈 장치를 제공할 수 있다.As can be seen from the above, according to the present invention, it is possible to provide a projection objective device suitable for lithography of less than 100 nm.

Claims (92)

단파장 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈에 있어서,In the projection objective for short wavelength microlithography, 이미지측의 개구수(NA)가 NA ≥ 0.15 이도록 배치된 6개의 미러(제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), 제 4 미러(S4), 조명될 물체에 가장 가깝게 놓인 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6))를 구비하며, 상기 제 5 미러가:Six mirrors (first mirror S1, second mirror S2, third mirror S3, fourth mirror S4, objects to be illuminated, arranged such that the numerical aperture NA on the image side is NA ≥ 0.15 And a fifth mirror (S5) and a sixth mirror (S6), which are closest to each other, wherein the fifth mirror is: - 이미지측 광학 작동 거리가 상기 제 5 미러의 사용 직경(D) 이상이고;The image-side optical working distance is greater than or equal to the use diameter D of the fifth mirror; - 이미지측 광학 작동 거리가 상기 제 5 미러의 사용 직경(D)의 1/3과 20 mm 내지 30 mm의 길이와의 합 이상이고;The image-side optical working distance is at least a sum of 1/3 of the use diameter D of the fifth mirror and a length of 20 mm to 30 mm; - 이미지측 광학 작동 거리가 적어도 50 mm 인 상기 조건들 중 적어도 하나를 만족하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective positioned to satisfy at least one of the above conditions wherein the image-side optical working distance is at least 50 mm. 단파장 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈에 있어서,In the projection objective for short wavelength microlithography, 이미지측의 개구수(NA)가 NA ≥ 0.15 이고 물체에서의 아크 형상의 필드폭(W)이 1.0mm ≤ W 의 범위에 놓이도록 배치된 6개의 미러(제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), 제 4 미러(S4), 조명될 물체에 가장 가깝게 놓인 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6))를 구비하며, 상기 6개의 미러 각각은 최적의 구면으로부터의 최대 비구면 피크-대-밸리(PV) 편차(A)가, Six mirrors (first mirror S1, second mirror) arranged such that the numerical aperture NA on the image side is NA ≥ 0.15 and the arc-shaped field width W in the object lies in a range of 1.0 mm ≤ W. (S2), third mirror (S3), fourth mirror (S4), fifth mirror (S5) and sixth mirror (S6) closest to the object to be illuminated), each of the six mirrors being optimal Aspheric peak-to-valley (PV) deviation (A) from the sphere of A ≤ 19 ㎛ - 102 ㎛(0.25 - NA) - 0.7㎛/mm(2mm - W)A ≤ 19 μm-102 μm (0.25-NA)-0.7 μm / mm (2mm-W) 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens having a range of. 단파장 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈에 있어서,In the projection objective for short wavelength microlithography, 이미지측의 개구수(NA)가 NA ≥ 0.15 이고 이미지측 아크 형상의 필드폭(W)이 1.0 mm ≤ W 의 범위에 놓이도록 배치된 제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), 제 4 미러(S4), 조명될 물체에 가장 가깝게 놓인 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6)를 구비하며, 상기 6개의 미러의 각각에 입사하는 광은 상기 미러들의 표면 법선에 대한 입사각(AOI)이,The first mirror S1, the second mirror S2, and the first one arranged such that the numerical aperture NA on the image side is NA ≥ 0.15 and the field width W of the image-side arc shape lies in the range of 1.0 mm ≤ W. And a third mirror (S3), a fourth mirror (S4), a fifth mirror (S5) and a sixth mirror (S6) closest to the object to be illuminated, wherein the light incident on each of the six mirrors is The angle of incidence (AOI) for their surface normal, AOI ≤ 23°- 35°(0.25 - NA) - 0.2°/mm(2 mm - W)AOI ≤ 23 °-35 ° (0.25-NA)-0.2 ° / mm (2 mm-W) 의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that placed in the range of. 단파장 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈에 있어서,In the projection objective for short wavelength microlithography, 물체의 허상을 생성하는, β1 > 0 인 결상 비율을 갖는 필드 미러(S1);A field mirror S1 having an imaging ratio of β 1 > 0, which generates a virtual image of the object; 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3) 및 제 4 미러(S4)를 가지며, 결상 비율이 β2 < 0 이고, 상기 허상을 중간 실상으로 결상하는 제 1 서브시스템; 및A first subsystem having a second mirror (S2), a third mirror (S3), and a fourth mirror (S4), the imaging ratio being β 2 < And 조명될 물체에 가장 가깝게 놓인 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6)를 가지며, 상기 중간 실상을 시스템 실상으로서 이미지 평면에 결상시키는 제 2 서브시스템을 구비하고,A second subsystem having a fifth mirror S5 and a sixth mirror S6, which are placed closest to the object to be illuminated, and having the intermediate image formed as a system image on the image plane, 상기 대물렌즈는 조명될 물체에서의 아크 형상의 필드폭(W)과 이미지측 개구수(NA)를 갖는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.The objective lens having an arc-shaped field width (W) and an image side numerical aperture (NA) of an object to be illuminated. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 4, 상기 제 5 미러가,The fifth mirror, - 이미지측 광학 작동 거리가 상기 제 5 미러의 사용 직경(D) 이상이고;The image-side optical working distance is greater than or equal to the use diameter D of the fifth mirror; - 이미지측 광학 작동 거리가 상기 제 5 미러의 사용 직경의 1/3 과 20 mm 내지 30 mm 의 길이와의 합 이상이고;The image-side optical working distance is at least a sum of 1/3 of the use diameter of the fifth mirror and a length of 20 mm to 30 mm; - 이미지측 광학 작동 거리가 적어도 50 mm 인 상기 조건들 중 적어도 하나를 만족하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective positioned to satisfy at least one of the above conditions wherein the image-side optical working distance is at least 50 mm. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 이미지측 개구수(NA)가 0.15 ≤ NA 이고, 상기 물체에서의 아크 형상의 필드 폭(W)이 1.0 mm ≤ W 이고, 상기 미러들의 각각은 최적의 구면으로부터의 상기 비구면의 최대 비구면 피크-대-밸리(PV) 편차(A)가, The image-side numerical aperture NA is 0.15 ≦ NA, the arc-shaped field width W in the object is 1.0 mm ≦ W, and each of the mirrors has a maximum aspherical peak-to-surface of the aspherical surface from an optimal spherical surface. Valley (PV) deviation (A) A ≤ 19 ㎛ - 102 ㎛(0.25 - NA) - 0.7㎛/mm(2mm - W)A ≤ 19 μm-102 μm (0.25-NA)-0.7 μm / mm (2mm-W) 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens having a range of. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 미러들이 암흑화 없는 광경로를 형성하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the mirrors are arranged to form an optical path without darkening. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 미러들이 주축(PA)에 대해 회전 대칭을 갖는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the mirrors have rotational symmetry about the principal axis PA. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제 4 미러(S4) 뒤에 중간상이 형성되는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.An intermediate image is formed behind the fourth mirror (S4). 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제 2 미러(S2)와 상기 제 3 미러(S3) 사이에 위치하는 광경로에 조리개(B)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And an aperture stop (B) on an optical path located between the second mirror (S2) and the third mirror (S3). 삭제delete 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 1 미러와 상기 제 2 미러 사이의 거리(S1S2)에 대한 상기 제 1 미러와 상기 제 3 미러 사이의 거리(S1S3)의 비가, The ratio of the distance S1S3 between the first mirror and the third mirror to the distance S1S2 between the first mirror and the second mirror, 0.5 < S1S3/S1S2 < 20.5 <S1S3 / S1S2 <2 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that within the range of. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제 2 미러(S2)와 상기 제 3 미러(S3) 사이의 상기 제 1 미러(S1)에 위치하는 조리개(B)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And an aperture (B) positioned in the first mirror (S1) between the second mirror (S2) and the third mirror (S3). 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 이미지측 개구수(NA)가 NA ≥ 0.15 이고 물체에서의 아크 형상의 필드폭이 W ≥ 1 mm 이고, 최적의 구면에 대한 비구면의 피크-대-밸리(PA) 편차가,The image-side numerical aperture (NA) is NA ≥ 0.15 and the arc-shaped field width in the object is W ≥ 1 mm, and the aspherical peak-to-valley (PA) deviation with respect to the optimum spherical surface, A ≤ 12㎛ - 64 ㎛(0.25 - NA) - 0.3 ㎛/mm(2mm - W)A ≤ 12 μm-64 μm (0.25-NA)-0.3 μm / mm (2mm-W) 의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens characterized in that the range. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제 2 미러(S2) 상에 또는 근처에 배치된 조리개(B)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And a diaphragm (B) disposed on or near the second mirror (S2). 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제 1 미러와 상기 제 2 미러 사이의 거리(S1S2)에 대한 상기 제 1 미러와 상기 제 3 미러 사이의 거리(S1S3)의 비가, The ratio of the distance S1S3 between the first mirror and the third mirror to the distance S1S2 between the first mirror and the second mirror, 0.3 < S1S3/(S1S2)< 20.3 <S1S3 / (S1S2) <2 의 범위에 놓이고,Is set in the range of 상기 제 3 미러와 상기 제 4 미러 사이의 거리(S3S4)에 대한 상기 제 2 미러와 상기 제 3 미러 사이의 거리(S2S3)의 비가, The ratio of the distance S2S3 between the second mirror and the third mirror to the distance S3S4 between the third mirror and the fourth mirror, 0.7 < S2S3/(S3S4)< 1.40.7 <S2S3 / (S3S4) <1.4 의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that placed in the range of. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 모든 미러가 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens characterized in that all mirrors are aspherical. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 5 개 이하의 미러가 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective lens, wherein five or fewer mirrors are aspherical. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제 2 미러, 상기 제 3 미러, 상기 제 4 미러, 상기 제 5 미러 및 상기 제 6 미러가 오목-볼록-오목-볼록-오목의 순서인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the second mirror, the third mirror, the fourth mirror, the fifth mirror, and the sixth mirror are concave-convex-concave-convex-concave in order. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제 1 미러(S1)의 결상 비율(β)이 양인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.The projection objective lens according to claim 1, wherein the imaging ratio β of the first mirror S1 is positive. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제 2 미러(S2), 상기 제 3 미러(S3) 및 상기 제 4 미러(S4)로 형성된 서브시스템의 결상 비율(β)이 음인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the imaging ratio β of the subsystem formed by the second mirror (S2), the third mirror (S3) and the fourth mirror (S4) is negative. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 대물렌즈의 rms-파면 오차가 전체 이미지 필드에 걸쳐 0.07 λ이하인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the rms-wavefront error of the objective lens is 0.07 lambda or less over the entire image field. 제 22 항에 있어서,The method of claim 22, 상기 이미지 필드의 폭이 적어도 1.0 mm 인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the width of the image field is at least 1.0 mm. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 대물렌즈는 이미지측에서 텔레센트릭한 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And said objective lens is telecentric on the image side. 제 24 항에 있어서,The method of claim 24, 상기 대물렌즈는 물체측에서 텔레센트릭한 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the objective lens is telecentric at the object side. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 물체에서 주광선이 광축으로 향하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective according to claim 1, wherein the chief ray is directed from the object toward the optical axis. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 미러들 중 하나는 최소의 초점거리를 가지며, 상기 최소 초점거리의 미러는 상기 중간상 뒤에 놓이는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.One of the mirrors has a minimum focal length, and the mirror of the minimum focal length lies behind the intermediate image. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제 3 미러와 상기 제 6 미러 사이의 거리(S3S6)가,The distance S3S6 between the third mirror and the sixth mirror is 0.3(S3 의 사용 직경 + S6 의 사용 직경) < S3S6 0.3 (use diameter of S3 + use diameter of S6) <S3S6 를 만족하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that to satisfy. 반사 마스크를 구비하는 것을 특징으로 하는 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 투영 대물렌즈를 갖는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.A microlithographic projection exposure apparatus having a projection objective lens according to any one of claims 1 to 4, comprising a reflection mask. 제 29 항에 있어서,The method of claim 29, 아크 형상의 필드를 조명하기 위한 조명시스템을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.And an illumination system for illuminating the arc-shaped field. 투과 마스크를 구비하는 것을 특징으로 하는 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 투영 대물렌즈를 갖는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.A microlithographic projection exposure apparatus having a projection objective lens according to any one of claims 1 to 4, comprising a transmission mask. 제 31 항에 있어서,The method of claim 31, wherein 아크 형상의 필드를 조명하기 위한 조명시스템을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.And an illumination system for illuminating the arc-shaped field. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 단파장은 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And said short wavelength is 100 nm or less. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 이미지측 광학 작동 거리가 60 mm 인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective lens characterized in that the image-side optical working distance is 60 mm. 삭제delete 삭제delete 제 22 항에 있어서,The method of claim 22, 상기 rms-파면 오차가 0.03 λ 인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And said rms-wavefront error is 0.03 lambda. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 조명될 물체는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the object to be illuminated is a wafer. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 이미지측 광학 작동 거리가 60 mm 인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective lens characterized in that the image-side optical working distance is 60 mm. 물체 평면과 이미지 평면을 가지며, 물체 평면으로부터 이미지 평면으로의 광에 대한 광경로를 갖는 단파장 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈에 있어서,A projection objective for short wavelength microlithography having an object plane and an image plane, and having an optical path for light from the object plane to the image plane, 이미지측의 개구수(NA)가 NA ≥ 0.15 이도록 광경로에 배치된 6개의 미러(제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), 제 4 미러(S4), 이미지 평면에 가장 가깝게 놓인 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6))를 구비하며, 각각의 미러가 물리적인 미러면을 갖고, 상기 제 5 미러가:Six mirrors (first mirror S1, second mirror S2, third mirror S3, fourth mirror S4) arranged in the optical path such that the numerical aperture NA on the image side is NA ≥ 0.15, A fifth mirror (S5) and a sixth mirror (S6), the closest to the image plane, each mirror having a physical mirror surface, wherein the fifth mirror is: - 이미지측 광학 작동 거리가 상기 제 5 미러의 물리적인 미러면의 사용 직경(D) 이상이고;The image-side optical working distance is equal to or greater than the use diameter D of the physical mirror surface of the fifth mirror; - 이미지측 광학 작동 거리가 상기 제 5 미러의 물리적인 미러면의 사용 직경의 1/3과 20 mm 내지 30 mm의 길이와의 합 이상이고;The image-side optical working distance is at least equal to the sum of the use diameter of the physical mirror surface of the fifth mirror and the length from 20 mm to 30 mm; - 이미지측 광학 작동 거리가 적어도 50 mm 인 상기 조건들 중 적어도 하나를 만족하도록 위치하며,Positioned to satisfy at least one of the above conditions with an image-side optical working distance of at least 50 mm, 여기서 상기 이미지측 광학 작동 거리는 상기 제 5 미러의 표면의 정점과 이미지 평면 사이의 물리적인 거리이며, 미러의 물리적인 미러면은 물체측으로부터 이미지측으로 진행하는 광이 입사하는 미러 표면의 영역인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Wherein the image-side optical operating distance is a physical distance between the vertex of the surface of the fifth mirror and the image plane, and the physical mirror surface of the mirror is an area of the mirror surface on which light propagating from the object side to the image side is incident. Projection objective lens. 물체 평면과 이미지 평면을 가지며, 물체 평면으로부터 이미지 평면으로의 광에 대한 광경로를 갖는 단파장 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈에 있어서,A projection objective for short wavelength microlithography having an object plane and an image plane, and having an optical path for light from the object plane to the image plane, 이미지측의 개구수(NA)가 NA ≥ 0.15 이고 이미지측의 아크 형상의 필드폭(W)이 1.0mm ≤ W 의 범위에 놓이도록 상기 광경로에 배치된 6개의 미러(제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), 제 4 미러(S4), 이미지 평면에 가장 가깝게 놓인 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6))를 구비하며, 상기 6개의 미러 각각은 최적의 구면으로부터의 최대 비구면 피크-대-밸리(PV) 편차(A)가, Six mirrors (first mirror S1) disposed in the optical path such that the numerical aperture NA on the image side is NA ≥ 0.15 and the arc-shaped field width W on the image side lies in a range of 1.0 mm ≤ W. And a second mirror S2, a third mirror S3, a fourth mirror S4, a fifth mirror S5 and a sixth mirror S6 disposed closest to the image plane, and the six mirrors. Each has a maximum aspherical peak-to-valley (PV) deviation (A) from the optimal sphere, A ≤ 19 ㎛ - 102 ㎛(0.25 - NA) - 0.7㎛/mm(2mm - W)A ≤ 19 μm-102 μm (0.25-NA)-0.7 μm / mm (2mm-W) 의 범위에 있는 물리적인 미러면를 갖고,Has a physical mirror surface in the range of, 여기서 미러의 물리적인 미러면은 물체측으로부터 이미지측으로 진행하는 광이 입사하는 미러 표면의 영역인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Wherein the physical mirror surface of the mirror is an area of the mirror surface on which light propagating from the object side to the image side is incident. 물체 평면과 이미지 평면을 가지며, 물체 평면으로부터 이미지 평면으로의 광에 대한 광경로를 갖는 단파장 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈에 있어서,A projection objective for short wavelength microlithography having an object plane and an image plane, and having an optical path for light from the object plane to the image plane, 이미지측의 개구수(NA)가 NA ≥ 0.15 이고 이미지측 아크 형상의 필드폭(W)이 1.0 mm ≤ W 의 범위에 놓이도록 배치된 6개의 미러(제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), 제 4 미러(S4), 이미지 평면에 가장 가깝게 놓인 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6))를 구비하며, 상기 6개의 미러 각각의 물리적인 미러면에 입사하는 광은 상기 물리적인 미러면의 표면 법선에 대한 입사각(AOI)이,Six mirrors (first mirror S1, second mirrors) arranged such that the numerical aperture NA on the image side is NA ≥ 0.15 and the field width W of the image-side arc shape lies in a range of 1.0 mm ≤ W. S2), a third mirror S3, a fourth mirror S4, a fifth mirror S5 and a sixth mirror S6 disposed closest to the image plane, and each of the six mirrors is a physical mirror The light incident on the surface is the incident angle AOI with respect to the surface normal of the physical mirror surface, AOI ≤ 23°- 35°(0.25 - NA) - 0.2°/mm(2 mm - W)AOI ≤ 23 °-35 ° (0.25-NA)-0.2 ° / mm (2 mm-W) 의 범위에 놓이며,Placed in the range of, 여기서 미러의 물리적인 미러면은 물체측으로부터 이미지측으로 진행하는 광이 입사하는 미러 표면의 영역인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Wherein the physical mirror surface of the mirror is an area of the mirror surface on which light propagating from the object side to the image side is incident. 물체 평면과 이미지 평면을 가지며, 물체 평면으로부터 이미지 평면으로의 광에 대한 광경로를 갖는 단파장 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈에 있어서,A projection objective for short wavelength microlithography having an object plane and an image plane, and having an optical path for light from the object plane to the image plane, 물체 평면에서 물체의 허상을 생성하는, β1 > 0 인 결상 비율을 갖는 필드 미러(S1);A field mirror S1 having an imaging ratio of β 1 > 0, which produces a virtual image of the object in the object plane; 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3) 및 제 4 미러(S4)를 가지며, 결상 비율이 β2 < 0 이고, 상기 허상을 중간 실상으로 결상하는 제 1 서브시스템; 및A first subsystem having a second mirror (S2), a third mirror (S3), and a fourth mirror (S4), the imaging ratio being β 2 < And 이미지 평면에 가장 가깝게 놓인 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6)를 가지며, 상기 중간 실상을 이미지 평면에 실상으로서 결상시키는 제 2 서브시스템을 구비하고,A second subsystem having a fifth mirror (S5) and a sixth mirror (S6) placed closest to the image plane, and having the intermediate image formed as a real image on the image plane, 상기 대물렌즈는 조명될 물체가 위치하는 이미지 평면에서의 아크 형상의 필드폭(W)과 이미지측 개구수(NA)를 가지며, 여기서 각각의 미러는 물체측으로부터 이미지측으로 진행하는 광이 입사하는 미러 표면의 영역인 물리적인 미러면을 갖는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.The objective lens has an arc-shaped field width (W) and an image-side numerical aperture (NA) in an image plane in which an object to be illuminated is located, where each mirror is a mirror on which light propagating from the object side to the image side is incident. A projection objective having a physical mirror surface as an area of the surface. 제 40 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 40 to 43, 상기 미러들의 표면이 주축(PA)에 대해 회전 대칭을 갖는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the surface of the mirrors is rotationally symmetrical about the main axis (PA). 제 40 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 40 to 43, 상기 제 2 미러(S2)와 상기 제 3 미러(S3) 사이에 위치하는 광경로에서 조리개(B)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And an aperture stop (B) in an optical path located between the second mirror (S2) and the third mirror (S3). 제 45 항에 있어서,The method of claim 45, 상기 제 1 미러의 표면의 정점과 상기 제 2 미러의 표면의 정점 사이의 물리적인 거리(S1S2)에 대한 상기 제 1 미러의 표면의 정점과 상기 제 3 미러의 표면의 정점 사이의 물리적인 거리(S1S3)의 비가, Physical distance between the vertex of the surface of the first mirror and the vertex of the surface of the third mirror relative to the physical distance S1S2 between the vertex of the surface of the first mirror and the vertex of the surface of the second mirror Rain of S1S3), 0.5 < S1S3/S1S2 < 20.5 <S1S3 / S1S2 <2 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that within the range of. 제 46 항에 있어서,The method of claim 46, 상기 제 3 미러의 표면의 정점과 상기 제 4 미러의 표면의 정점 사이의 물리적인 거리(S3S4)에 대한 상기 제 2 미러의 표면의 정점과 상기 제 3 미러의 표면의 정점 사이의 물리적인 거리(S2S3)의 비가, Physical distance between the vertex of the surface of the second mirror and the vertex of the surface of the third mirror relative to the physical distance S3S4 between the vertex of the surface of the third mirror and the vertex of the surface of the fourth mirror Rain of S2S3), 0.7 < S2S3/S3S4 < 1.40.7 <S2S3 / S3S4 <1.4 의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that placed in the range of. 제 40 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 40 to 43, 모든 물리적인 미러 표면들이 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective wherein all of the physical mirror surfaces are aspherical. 제 40 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 40 to 43, 5 개 이하의 물리적인 미러 표면들이 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective, wherein up to five physical mirror surfaces are aspherical. 제 40 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 40 to 43, 상기 제 2 미러, 상기 제 3 미러, 상기 제 4 미러, 상기 제 5 미러 및 상기 제 6 미러가 오목-볼록-오목-볼록-오목의 순서인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the second mirror, the third mirror, the fourth mirror, the fifth mirror, and the sixth mirror are concave-convex-concave-convex-concave in order. 제 40 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 40 to 43, 상기 제 3 미러의 표면의 정점과 상기 제 6 미러의 표면의 정점 사이의 물리적인 거리(S3S6)가,The physical distance (S3S6) between the vertex of the surface of the third mirror and the vertex of the surface of the sixth mirror is 0.3(제 3 미러(S3)의 사용 직경 + 제 6 미러(S6)의 사용 직경) < S3S6 0.3 (use diameter of the third mirror S3 + use diameter of the sixth mirror S6) <S3S6 를 만족하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that to satisfy. 제 40 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 따른 투영 대물렌즈; 및44. A projection objective according to any one of claims 40 to 43; And 상기 투영 대물렌즈의 물체 평면에서의 아크 형상의 필드를 조명하는 광을 제공하는 광원을 구비하는 조명 시스템;을 포함하고, 상기 투영 대물렌즈는 물체 평면에 위치한 마스크를 감광성 목표물이 위치하는 투영 대물렌즈의 이미지 평면으로 결상시키는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치.An illumination system having a light source for providing light for illuminating an arc-shaped field in the object plane of the projection objective lens, wherein the projection objective lens comprises a projection objective lens on which a photosensitive target is positioned with a mask located on the object plane. An imaging exposure apparatus for microlithography, characterized in that the image plane is formed into an image plane. 물체 평면 내에서 구조를 갖는 마스크가 조명되고, 상기 마스크가 이미지 평면에 위치하는 감광성 목표물 위로 결상되는 것을 특징으로 하는, 제 52 항에 따른 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 사용하여 마이크로 전자소자를 제조하는 방법.A microelectronic device is manufactured using the projection exposure apparatus for microlithography according to claim 52, characterized in that a mask having a structure in the object plane is illuminated and the mask is imaged onto a photosensitive target located in the image plane. Way. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 물체 평면과 이미지 평면을 가지며, 물체 평면으로부터 이미지 평면으로의 광에 대한 광경로를 갖는 투영 대물렌즈에 있어서,In a projection objective having an object plane and an image plane, and having a light path for light from the object plane to the image plane, 물체 평면으로부터 이미지 평면으로의 광경로에서 적어도 6개의 미러들(제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), 제 4 미러(S4), 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6))을 구비하며, 상기 적어도 6개의 미러들 각각은 표면을 갖고, 제 3 미러(S3)의 정점과 제 6 미러(S6)의 정점 사이의 물리적인 거리(S3S6)가 다음의 관계:At least six mirrors (first mirror S1, second mirror S2, third mirror S3, fourth mirror S4, fifth mirror S5) in the optical path from the object plane to the image plane And a sixth mirror S6, wherein each of the at least six mirrors has a surface, and a physical distance S3S6 between a vertex of the third mirror S3 and a vertex of the sixth mirror S6 is provided. The relationship between 0.3×(제 3 미러(S3)의 사용 직경 + 제 6 미러(S6)의 사용 직경) < S3S6 0.3 x (use diameter of third mirror S3 + use diameter of sixth mirror S6) <S3S6 를 만족하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that to satisfy. 삭제delete 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 물리적인 미러 표면들이 주축(PA)에 대해 회전 대칭을 갖는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective characterized in that the physical mirror surfaces have rotational symmetry about the principal axis PA. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 제 2 미러(S2)와 상기 제 3 미러(S3) 사이에 위치하는 광경로에서 조리개(B)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And an aperture stop (B) in an optical path located between the second mirror (S2) and the third mirror (S3). 제 62 항에 있어서,63. The method of claim 62, 상기 제 1 미러의 표면의 정점과 상기 제 2 미러의 표면의 정점 사이의 거리(S1S2)에 대한 상기 제 1 미러의 표면의 정점과 상기 제 3 미러의 표면의 정점 사이의 거리(S1S3)의 비가, The ratio of the distance S1S3 between the vertex of the surface of the first mirror and the vertex of the surface of the third mirror to the distance S1S2 between the vertex of the surface of the first mirror and the vertex of the surface of the second mirror , 0.5 < S1S3/S1S2 < 20.5 <S1S3 / S1S2 <2 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that within the range of. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 제 2 미러(S2) 상에 또는 근처에 위치하는 조리개(B)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And a stop (B) positioned on or near the second mirror (S2). 제 64 항에 있어서,The method of claim 64, wherein 상기 제 3 미러의 표면의 정점과 상기 제 4 미러의 표면의 정점 사이의 물리적인 거리(S3S4)에 대한 상기 제 2 미러의 표면의 정점과 상기 제 3 미러의 표면의 정점 사이의 거리(S2S3)의 비가, Distance S2S3 between the vertex of the surface of the second mirror and the vertex of the surface of the third mirror with respect to the physical distance S3S4 between the vertex of the surface of the third mirror and the vertex of the surface of the fourth mirror In the rain, 0.7 < S2S3/S3S4 < 1.40.7 <S2S3 / S3S4 <1.4 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that within the range of. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 모든 표면들이 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective wherein all surfaces are aspherical. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 5 개 이하의 표면들이 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective characterized in that no more than five surfaces are aspherical. 제 59 항에 있어서,The method of claim 59, 상기 제 2 미러, 상기 제 3 미러, 상기 제 4 미러, 상기 제 5 미러 및 상기 제 6 미러가 오목-볼록-오목-볼록-오목의 순서인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the second mirror, the third mirror, the fourth mirror, the fifth mirror, and the sixth mirror are concave-convex-concave-convex-concave in order. 물체 평면과 이미지 평면을 가지며, 물체 평면으로부터 이미지 평면으로의 광에 대한 광경로를 갖는 투영 대물렌즈에 있어서,In a projection objective having an object plane and an image plane, and having a light path for light from the object plane to the image plane, 물체 평면으로부터 이미지 평면으로의 광경로에서 적어도 6개의 미러들(제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), 제 4 미러(S4), 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6))을 구비하며, 상기 적어도 6개의 미러들 각각은 표면을 갖고, 상기 제 3 미러의 정점과 제 6 미러의 정점 사이의 거리(S3S6)가 0.3×(제 3 미러(S3)의 사용 직경 + 제 6 미러(S6)의 사용 직경) 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.At least six mirrors (first mirror S1, second mirror S2, third mirror S3, fourth mirror S4, fifth mirror S5) in the optical path from the object plane to the image plane And a sixth mirror S6, wherein each of the at least six mirrors has a surface, and a distance S3S6 between a vertex of the third mirror and a vertex of the sixth mirror is 0.3 × (third mirror (S6). The use diameter of S3) + the use diameter of the sixth mirror S6). 제 69 항에 있어서,The method of claim 69, 상기 표면들이 주축(PA)에 대해 회전 대칭을 갖는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the surfaces have rotational symmetry about the principal axis PA. 제 69 항에 있어서,The method of claim 69, 상기 제 2 미러(S2)와 상기 제 3 미러(S3) 사이에 위치하는 광경로에서 조리개(B)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And an aperture stop (B) in an optical path located between the second mirror (S2) and the third mirror (S3). 제 71 항에 있어서,The method of claim 71 wherein 상기 제 1 미러의 표면의 정점과 상기 제 2 미러의 표면의 정점 사이의 거리(S1S2)에 대한 상기 제 1 미러의 표면의 정점과 상기 제 3 미러의 표면의 정점 사이의 거리(S1S3)의 비가, The ratio of the distance S1S3 between the vertex of the surface of the first mirror and the vertex of the surface of the third mirror to the distance S1S2 between the vertex of the surface of the first mirror and the vertex of the surface of the second mirror , 0.5 < S1S3/S1S2 < 20.5 <S1S3 / S1S2 <2 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that within the range of. 제 69 항에 있어서,The method of claim 69, 상기 제 2 미러(S2) 상에 또는 근처에 위치하는 조리개(B)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And a stop (B) positioned on or near the second mirror (S2). 제 73 항에 있어서,The method of claim 73, wherein 상기 제 3 미러의 표면의 정점과 상기 제 4 미러의 표면의 정점 사이의 거리(S3S4)에 대한 상기 제 2 미러의 표면의 정점과 상기 제 3 미러의 표면의 정점 사이의 거리(S2S3)의 비가, The ratio of the distance S2S3 between the vertex of the surface of the second mirror and the vertex of the surface of the third mirror to the distance S3S4 between the vertex of the surface of the third mirror and the vertex of the surface of the fourth mirror. , 0.7 < S2S3/S3S4 < 1.40.7 <S2S3 / S3S4 <1.4 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that within the range of. 제 69 항에 있어서,The method of claim 69, 모든 표면들이 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective wherein all surfaces are aspherical. 제 69 항에 있어서,The method of claim 69, 5 개 이하의 미러 표면들이 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective, characterized in that no more than five mirror surfaces are aspherical. 제 69 항에 있어서,The method of claim 69, 상기 제 2 미러, 상기 제 3 미러, 상기 제 4 미러, 상기 제 5 미러 및 상기 제 6 미러가 오목-볼록-오목-볼록-오목의 순서인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the second mirror, the third mirror, the fourth mirror, the fifth mirror, and the sixth mirror are concave-convex-concave-convex-concave in order. 물체 평면과 이미지 평면을 가지며, 물체 평면으로부터 이미지 평면으로의 광에 대한 광경로를 갖는 투영 대물렌즈에 있어서,In a projection objective having an object plane and an image plane, and having a light path for light from the object plane to the image plane, 물체 평면으로부터 이미지 평면으로의 광경로에서 적어도 6개의 미러들(제 1 미러(S1), 제 2 미러(S2), 제 3 미러(S3), 제 4 미러(S4), 제 5 미러(S5) 및 제 6 미러(S6))을 구비하며, 상기 제 5 미러(S5)의 정점과 이미지 평면 사이의 거리는:At least six mirrors (first mirror S1, second mirror S2, third mirror S3, fourth mirror S4, fifth mirror S5) in the optical path from the object plane to the image plane And a sixth mirror S6, wherein the distance between the vertex of the fifth mirror S5 and the image plane is: - 상기 제 5 미러의 정점과 이미지 평면 사이의 거리가 상기 제 5 미러의 물리적인 미러면의 사용 직경(D) 이상이고; 또는The distance between the vertex of the fifth mirror and the image plane is greater than or equal to the use diameter D of the physical mirror surface of the fifth mirror; or - 상기 제 5 미러의 정점과 이미지 평면 사이의 거리가 상기 제 5 미러의 물리적인 미러면의 사용 직경의 1/3과 20 mm 내지 30 mm의 길이와의 합 이상인 상기 조건들 중 적어도 하나를 만족하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.At least one of the above conditions is met, wherein the distance between the vertex of the fifth mirror and the image plane is greater than or equal to one third of the use diameter of the physical mirror surface of the fifth mirror and the length of 20 mm to 30 mm Projection objective lens characterized in that. 제 78 항에 있어서,The method of claim 78, 상기 미러들의 물리적인 미러면은 물체측으로부터 이미지측으로 진행하는 광이 그 미러에 입사하는 영역인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And a physical mirror surface of the mirrors is an area where light traveling from the object side to the image side is incident on the mirror. 제 79 항에 있어서,80. The method of claim 79 wherein 상기 표면들이 주축(PA)에 대해 회전 대칭을 갖는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the surfaces have rotational symmetry about the principal axis PA. 제 79 항에 있어서,80. The method of claim 79 wherein 상기 제 2 미러(S2)와 상기 제 3 미러(S3) 사이에 위치하는 광경로에서 조리개(B)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And an aperture stop (B) in an optical path located between the second mirror (S2) and the third mirror (S3). 제 81 항에 있어서,82. The method of claim 81 wherein 상기 제 1 미러의 표면의 정점과 상기 제 2 미러의 표면의 정점 사이의 거리(S1S2)에 대한 상기 제 1 미러의 표면의 정점과 상기 제 3 미러의 표면의 정점 사이의 거리(S1S3)의 비가, The ratio of the distance S1S3 between the vertex of the surface of the first mirror and the vertex of the surface of the third mirror to the distance S1S2 between the vertex of the surface of the first mirror and the vertex of the surface of the second mirror , 0.5 < S1S3/S1S2 < 20.5 <S1S3 / S1S2 <2 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that within the range of. 제 79 항에 있어서,80. The method of claim 79 wherein 상기 제 2 미러(S2) 상에 또는 근처에 위치하는 조리개(B)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And a stop (B) positioned on or near the second mirror (S2). 제 83 항에 있어서,84. The method of claim 83 wherein 상기 제 3 미러의 표면의 정점과 상기 제 4 미러의 표면의 정점 사이의 물리적인 거리(S3S4)에 대한 상기 제 2 미러의 표면의 정점과 상기 제 3 미러의 표면의 정점 사이의 거리(S2S3)의 비가, Distance S2S3 between the vertex of the surface of the second mirror and the vertex of the surface of the third mirror with respect to the physical distance S3S4 between the vertex of the surface of the third mirror and the vertex of the surface of the fourth mirror In the rain, 0.7 < S2S3/S3S4 < 1.40.7 <S2S3 / S3S4 <1.4 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.Projection objective lens, characterized in that within the range of. 제 79 항에 있어서,80. The method of claim 79 wherein 모든 표면들이 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective wherein all surfaces are aspherical. 제 79 항에 있어서,80. The method of claim 79 wherein 5 개 이하의 미러 표면들이 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.A projection objective, characterized in that no more than five mirror surfaces are aspherical. 제 79 항에 있어서,80. The method of claim 79 wherein 상기 제 2 미러, 상기 제 3 미러, 상기 제 4 미러, 상기 제 5 미러 및 상기 제 6 미러가 오목-볼록-오목-볼록-오목의 순서인 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.And the second mirror, the third mirror, the fourth mirror, the fifth mirror, and the sixth mirror are concave-convex-concave-convex-concave in order. 제 59 항, 제 69 항 또는 제 78 항 중 어느 한 항에 따른 투영 대물렌즈; 및79. A projection objective according to any one of claims 59, 69 or 78; And 상기 투영 대물렌즈의 물체 평면에서의 아크 형상의 필드를 조명하는 광을 제공하는 광원을 구비하는 조명 시스템;을 포함하고, 상기 투영 대물렌즈는 물체 평면에 위치한 마스크를 감광성 목표물이 위치하는 투영 대물렌즈의 이미지 평면으로 결상시키는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치.An illumination system having a light source for providing light for illuminating an arc-shaped field in the object plane of the projection objective lens, wherein the projection objective lens comprises a projection objective lens on which a photosensitive target is positioned with a mask located on the object plane. An imaging exposure apparatus for microlithography, characterized in that the image plane is formed into an image plane. 물체 평면 내에 있는 마스크가 조명되고, 상기 마스크가 이미지 평면에 위치하는 감광성 목표물 위로 결상되는 것을 특징으로 하는, 제 88 항에 따른 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 사용하여 마이크로 전자소자를 제조하는 방법.90. A method of manufacturing a microelectronic device using the projection exposure apparatus for microlithography according to claim 88, characterized in that a mask in the object plane is illuminated and the mask is imaged over a photosensitive target located in the image plane. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 중간상이 제공되며, 상기 미러들 중 하나는 최소의 초점거리를 가지며, 상기 최소 초점거리의 미러는 상기 중간상 뒤에 놓이는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.An intermediate image is provided, wherein one of the mirrors has a minimum focal length and the mirror of the minimum focal length lies behind the intermediate image. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 중간상이 제공되며,상기 미러들 중 하나는 최소의 초점거리를 가지며, 상기 최소 초점거리의 미러는 상기 중간상 뒤에 놓이는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.An intermediate image is provided, wherein one of the mirrors has a minimum focal length and the mirror of the minimum focal length lies behind the intermediate image. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 중간상이 제공되며, 상기 미러들 중 하나는 최소의 초점거리를 가지며, 상기 최소 초점거리의 미러는 상기 중간상 뒤에 놓이는 것을 특징으로 하는 투영 대물렌즈.An intermediate image is provided, wherein one of the mirrors has a minimum focal length and the mirror of the minimum focal length lies behind the intermediate image.
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