DE19948240A1 - Microlithography reduction objective lens with projection illumination installation, including its use in chip manufacture - Google Patents

Microlithography reduction objective lens with projection illumination installation, including its use in chip manufacture

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Abstract

The projection objective lens for short waves, preferably less than 100 nm has six mirrors (S1-6). The image side numerical aperture (NA) is more than 0.15. The wafer etc. to be next illuminated is so arranged on next arriving mirror that the image side, optical free work spacing correspond at least to the used diameter of the mirror nearest to the wafer. Alternatively the optical free work spacing is at least the sum of one third of the used diameter of the mirror and a length between 20 and 30mm and/or the image side optical free working spacing is at least 50mm, preferably 60mm. Independent claims are included for projection illumination installation and use of the objective lens in chip manufacture.

Description

Die Erfindung betrifft ein Mikrolithographieobjektiv gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1, eine Projektionsbelichtungsanlage gemäß Anspruch 29 sowie ein Chipherstellungsverfahren gemäß Anspruch 32.The invention relates to a microlithography lens according to the preamble of claim 1, a projection exposure apparatus according to claim 29 and a chip manufacturing method according to claim 32.

Die Lithographie mit Wellenlängen < 193 nm, insbesondere die EUV-.Lithography with wavelengths <193 nm, especially EUV.

Lithographie mit λ = 11 nm bzw. λ = 13 nm werden als mögliche Techniken zur Abbildungen von Strukturen < 130 nm, besonders bevorzugt < 100 nm diskutiert. Die Auflösung eines lithographischen Systems wird durch nachfolgende Gleichung beschrieben:
Lithography with λ = 11 nm or λ = 13 nm are discussed as possible techniques for imaging structures <130 nm, particularly preferably <100 nm. The resolution of a lithographic system is described by the following equation:

wobei k1 ein spezifischer Parameter des Lithographieprozesses, λ die Wellenlänge des einfallenden Lichtes und NA die bildseitige, numerische Apertur des Systems bezeichnet.where k1 is a specific parameter of the lithography process, λ die Wavelength of the incident light and NA the numerical on the image side Aperture of the system called.

Für abbildende Systeme im EUV-Bereich stehen als optische Komponenten im wesentlichen reflektive Systeme mit Multilayer-Schichten zur Verfügung. Als Multilayer-Schichtsysteme finden bei λ = 11 nm bevorzugt Mo/Be-Systeme und bei λ = 13 nm Mo/Si-Systeme Verwendung.Optical systems are used for imaging systems in the EUV area essentially reflective systems with multilayer layers are available. As Multilayer coating systems prefer Mo / Be systems at λ = 11 nm and at λ = 13 nm Mo / Si systems use.

Legt man eine eine numerische Apertur von 0,2 zugrunde, so erfordert die Abbildung von 50 nm-Strukturen mit 13 nm-Strahlung einen vergleichsweise einfachen Prozeß mit k1 = 0,77. Mit k1 = 0,64 wird bei 11 nm-Strahlung die Abbildung von 35 nm-Strukturen möglich. Assuming a numerical aperture of 0.2, the imaging of 50 nm structures with 13 nm radiation requires a comparatively simple process with k 1 = 0.77. With k 1 = 0.64, the imaging of 35 nm structures is possible with 11 nm radiation.

Da die Reflektivität der eingesetzten Multilayer-Schichten nur im Bereich von ungefähr 70% liegt, ist es bei den Projektionsobjektiven für die EUV- Mikrolithographie von ganz entscheidender Bedeutung, zum Erreichen einer ausreichenden Lichtstärke mit möglichst wenig optischen Komponenten im EUV-Projektionsobjektiv auszukommen.Since the reflectivity of the multilayer layers used is only in the range of is about 70%, it is the projection lenses for the EUV Microlithography is vital to achieve one sufficient light intensity with as few optical components as possible EUV projection lens get along.

Als besonders bevorzugt haben sich mit Blick auf eine hohe Lichtintensität und ausreichende Möglichkeiten zur Korrektur von Abbildungsfehlern bei NA = 0,20 Systeme mit sechs Spiegeln herausgestellt.Have been particularly preferred with a view to a high light intensity and sufficient possibilities to correct aberrations NA = 0.20 systems with six mirrors highlighted.

6-Spiegel-Systeme für die Mikrolithographie sind aus den Druckschriften US-A-5686728 und EP 0779528 bzw. US 5815310 bekannt geworden.6-mirror systems for microlithography are from the publications US-A-5686728 and EP 0779528 and US 5815310 have become known.

Das Projektions-Lithographiesystem gemäß der US-A-5686728 zeigt ein Projektionsobjektiv mit sechs Spiegeln, wobei jede der reflektiven Spiegelflächen asphärisch ausgebildet ist. Die Spiegel sind entlang einer gemeinsamen optischen Achse so angeordnet, daß ein obskurationfreier Lichtweg erreicht wird.The projection lithography system according to US-A-5686728 shows a Projection lens with six mirrors, each of the reflective Mirror surfaces is aspherical. The mirrors are along one common optical axis arranged so that an obscuration-free Light path is reached.

Da das aus der US-A-5686728 bekannte Projektionsobjektiv nur für UV-Licht mit einer Wellenlänge von 100-300 nm eingesetzt wird, weisen die Spiegel dieses Projektionsobjektives eine sehr hohe Asphärizität von ungefähr ± 50 µm sowie sehr große Einfallswinkel von ca. 38° auf. Auch nach Abblenden auf NA = 0,2 verbleibt hier eine Asphärizität von 25 µm von Spitze zu Spitze bei kaum vermindertem Einfallswinkel. Derartige Asphärizitäten und Einfallwinkel sind im EUV-Bereich wegen der hohen Anforderungen an die Oberflächenqualität, Reflektivität der Spiegel nach heutigem Stand der Technik nicht praktikabel.Since the projection lens known from US-A-5686728 only for UV light with a wavelength of 100-300 nm, the mirrors have this projection lens has a very high asphericity of approximately ± 50 µm and very large angles of incidence of approx. 38 °. Even after Stopping down to NA = 0.2 leaves an asphericity of 25 µm from the tip to tip with hardly any reduced angle of incidence. Such asphericities and Incidence angles are in the EUV area because of the high demands on the Surface quality, reflectivity of the mirrors according to the current state of the Technology not practical.

Ein weiterer Nachteil des aus der US-A-5686728 bekannt gewordenen Objektives, der einen Einsatz im Bereich von λ < 100 nm, insbesondere bei den Wellenlängen von 11 und 13 nm nicht mehr erlaubt, ist der sehr geringe Abstand zwischen dem Wafer und dem dem Wafer am nächsten liegenden Spiegel. Bei den aus der US-A-5686728 bekanntgewordenen Abständen von Wafer und wäfernächstem Spiegel können die Spiegel nur sehr dünn ausgebildet werden. Wegen der extremen Schicht-Spannungen in den Multilayer-Systemen für die angesprochenen Wellenlängen von 11 und 13 nm sind derartige Spiegel sehr instabil.Another disadvantage of that known from US-A-5686728 Objectives that can be used in the range of λ <100 nm, especially at  the wavelengths of 11 and 13 nm are no longer allowed, is the very small one Distance between the wafer and the one closest to the wafer Mirror. At the intervals of known from US-A-5686728 Wafers and the next mirror can only be very thin be formed. Because of the extreme layer tensions in the Multilayer systems for the mentioned wavelengths of 11 and 13 nm such mirrors are very unstable.

Aus der EP-A-0779528 ist ein Projektionsobjektiv mit sechs Spiegeln zum Einsatz in der EUV-Lithographie, insbesondere auch bei Wellenlängen von 13 nm und 11 nm, bekanntgeworden.EP-A-0779528 describes a projection objective with six mirrors Use in EUV lithography, especially at wavelengths of 13 nm and 11 nm.

Auch dieses Projektionsobjektiv hat den Nachteil, daß mindestens zwei der insgesamt sechs Spiegel sehr hohe Asphärizitäten von 26 bzw. 18,5 µm aufweisen. Insbesondere ist aber auch bei der aus der EP-A-0779528 bekannten Anordnung der optische freie Arbeitsabstand zwischen wafernächstem Spiegel und Wafer derart gering, daß es entweder zu Instabilitäten oder aber einem mechanisch freien Arbeitsabstand, der negativ ist, kommt.This projection lens also has the disadvantage that at least two of the a total of six mirrors very high asphericities of 26 and 18.5 µm exhibit. In particular, however, is also that from EP-A-0779528 known arrangement of the optical free working distance between wafnext mirrors and wafers so low that it either too Instabilities or a mechanically free working distance that is negative is coming.

Aufgabe der Erfindung ist es somit, eine für die Lithographie mit kurzen Wellenlängen, vorzugweise kleiner 100 nm, geeignete Projektionsobjektiveinrichtung anzugeben, die die zuvor erwähnten Nachteile des Standes der Technik nicht aufweist.The object of the invention is therefore one for lithography with short Wavelengths, preferably less than 100 nm, are suitable Projection lens device specify the disadvantages mentioned above of the prior art.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe in einer ersten Ausgestaltung dadurch gelöst, daß bei einem Projektionsobjektiv mit sechs Spiegeln der wafernächste Spiegel derart angeordnet ist, daß die bildseitige numerische Apertur größer gleich 0,15 ist und der waferseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens dem genutzten Durchmesser des wafernächsten Spiegels entspricht und/oder der waferseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens der Summe aus einem Drittel des genutzten Durchmessers dieses Spiegels und einer Länge, die zwischen 20 und 30 mm liegt, beträgt und/oder der waferseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens 50 mm, vorzugsweise 60 mm beträgt.According to the invention, the object is thereby achieved in a first embodiment solved that with a projection lens with six mirrors wafernächste mirror is arranged such that the image-side numerical Aperture is greater than or equal to 0.15 and the wafer-side optical free Working distance at least the used diameter of the next wafer Corresponds to the mirror and / or the wafer-side optical free working distance  at least the sum of one third of the diameter used Mirror and a length that is between 20 and 30 mm, and / or the optical free working distance on the wafer side is at least 50 mm, is preferably 60 mm.

In einer zweiten Ausgestaltung der Erfindung ist die objektseitige numerische Apertur NA größer als 0,15, die Ringfeldbreite W am Wafer liegt im Bereich
In a second embodiment of the invention, the object-side numerical aperture NA is greater than 0.15, the ring field width W on the wafer is in the range

1,0 mm ≦ W
1.0 mm ≦ W

und die Spitze-Spitze-Abweichung A der Asphären ist gegenüber der im Nutzbereich bestpassenden Sphäre auf allen Spiegeln durch
and the tip-to-tip deviation A of the aspheres is through on all mirrors compared to the best-fitting sphere in the useful area

beschränkt.limited.

Besonders bevorzugt ist die Spitze-Spitze-Abweichung A der Asphären auf allen Spiegeln auf
The tip-tip deviation A of the aspheres is particularly preferred on all mirrors

beschränkt.limited.

In einer dritten Ausführungsform der Erfindung sind bei einer numerischen Apertur NA ≧ 0,15 und einer waferseitigen Breite des Ringfeldes W ≧ 1 mm die Einfallswinkel AOI relativ zur Flächennormalen aller Strahlen auf allen Spiegeln durch
In a third embodiment of the invention, with a numerical aperture NA ≧ 0.15 and a width of the ring field W ≧ 1 mm on the wafer side, the angles of incidence AOI relative to the normal to the surface of all rays are through on all mirrors

AOI ≦ 23° - 35° (0,25 - NA) - 0,2°/mm(2 mm - W)
AOI ≦ 23 ° - 35 ° (0.25 - NA) - 0.2 ° / mm (2 mm - W)

beschränkt.limited.

Auch Kombinationen der zuvor aufgeführten Einzelmaßnahmen zur Lösung der erfindungsgemäßen Aufgabe sind möglich; beispielsweise können in einer besonders bevorzugten Ausgestaltung alle drei Bedingungen erfüllt sein, d. h. der freie optische Arbeitsabstand mehr als 50 mm bei NA = 0,20 betragen, die Spitze-Spitze-Abweichung der Asphären sowie die Einfallswinkel im zuvor definierten Bereich liegen.Combinations of the individual measures listed above to solve them the object of the invention are possible; for example, in a particularly preferred embodiment, all three conditions are met, d. H. the free optical working distance is more than 50 mm at NA = 0.20, the tip-tip deviation of the aspheres as well as the angle of incidence in the previous one defined area.

Die in dieser Schrift diskutierten Asphärizitäten beziehen sich auf die Spitze- Spitze- bzw. peak to valley (PV)-Abweichung A der asphärischen Flächen gegenüber der im Nutzbereich bestpassenden Sphäre.The asphericities discussed in this document refer to the tip- Peak to valley (PV) deviation A of the aspherical surfaces compared to the best-fitting sphere in the usable area.

Diese werden in den Beispielen durch eine Sphäre approximiert, deren Mittelpunkt auf der Figurenachse des Spiegels liegt und die im Meridionalschnitt die Ashpäre im oberen und unteren Endpunkt des Nutzbereiches schneidet.These are approximated in the examples by a sphere, the Center lies on the figure axis of the mirror and which in the Meridional section of the ashphere in the upper and lower end point of the Useful area cuts.

Die Angaben zu den Einfallswinkeln beziehen sich jeweils auf den Winkel zwischen jeweiligen einfallendem Strahl und Flächennormale am Einfallsort. Angegeben ist jeweils der größte Winkel irgendeines Strahles, im allgemeinen eines bündelbegrenzenden Strahles, der an irgendeinem der Spiegel auftritt. Unter genutztem Durchmesser sei hier und im weiteren der Hüllkreisdurchmesser des im allgemeinen nicht kreisförmigen Nutzbereiches verstanden. The information on the angles of incidence relate to the angle between the respective incident beam and surface normal at the point of incidence. The largest angle of any ray is given, in general a beam-limiting beam that appears at any of the mirrors. Under the diameter used here and in the following Envelope diameter of the generally non-circular useful area Roger that.  

Besonders bevorzugt beträgt der waferseitige optische freie Arbeitsabstand 60 mm.The optical free working distance is particularly preferably 60 mm.

Die zuvor beschriebenen Objektive können nicht nur im EUV eingesetzt werden, sondern selbstverständlich auch bei anderen Wellenlängen, ohne daß von der Erfindung abgewichen wird.The lenses described above can not only be used in the EUV , but of course also at other wavelengths, without deviated from the invention.

Um Degradationen der Abbildungsgüte, beispielsweise aufgrund von Mittenabschattungen zu vermeiden, ist mit Vorteil vorgesehen, daß die Spiegel des Projektionsobjektives derart angeordnet sind, daß die Lichtführung obskurationsfrei ist.To degradation of the image quality, for example due to To avoid central shadowing, it is advantageously provided that the Mirrors of the projection lens are arranged such that the Lighting is free from obscuration.

Um eine leichte Montage und Justage des Systems zu gewährleisten, ist mit Vorteil vorgesehen, daß in einer weitergebildeten Ausführungsform der Erfindung die Spiegelflächen auf zu einer Hauptachse (HA), rotationssymmetrischen Fläche ausgebildet sind.To ensure easy assembly and adjustment of the system, use Advantage provided that in a further developed embodiment Invention the mirror surfaces to a main axis (HA), rotationally symmetrical surface are formed.

Um ein kompaktes Design des Objektives bei zugänglicher Blende zu erhalten, und einen obskurationsfreien Strahlengang zu realisieren, ist mit Vorteil vorgesehen, daß die Projektionsobjektiveinrichtung als System mit Zwischenbild ausgeführt ist. Besonders bevorzugt ist es, wenn das Zwischenbild nach dem vierten Spiegel ausgebildet wird. Bei derartigen Aufbauten ist es möglich, daß die Blende im vorderen, niederaperturigen Objektivteil zu liegen kommt und eine dazu konjugierte Pupillenebene in den Brennpunkt des letzten Spiegels abgebildet wird. Ein solcher Aufbau stellt einen telezentrischen Strahlengang im Bildraum sicher.To achieve a compact design of the lens with an accessible aperture received, and to realize an obscuration-free beam path is with Advantage provided that the projection lens device as a system with Intermediate image is executed. It is particularly preferred if that Intermediate image is formed after the fourth mirror. With such Constructions it is possible that the aperture in the front, low-aperture Lens part comes to lie and a conjugated pupil plane in the Focus of the last mirror is mapped. Such a structure poses a telecentric beam path in the image space.

In einer ersten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß die frei zugängliche Blende optisch und physikalisch zwischen zweitem und drittem Spiegel angeordnet ist. In a first embodiment of the invention it is provided that the free accessible aperture optically and physically between the second and third Mirror is arranged.  

Eine gute Zugänglichkeit der Blende ist dann gegeben, wenn der Abstand von erstem und drittem Spiegel zu erstem und zweitem Spiegel im Bereich
The aperture is easily accessible if the distance from the first and third mirrors to the first and second mirrors in the area

liegt. Um eine Abschattung des vom dritten zum vierten Spiegel laufenden Bündels durch die zwischen zweitem und drittem Spiegel angeordnete Blende zu verhindern, ist es von Vorteil, wenn das Verhältnis des Abstandes zwischen zweitem Spiegel und Blende zum Abstand von drittem Spiegel und Blende im Bereich
lies. In order to prevent the bundle running from the third to the fourth mirror from being shadowed by the aperture arranged between the second and third mirrors, it is advantageous if the ratio of the distance between the second mirror and the aperture to the distance from the third mirror and aperture in the region

liegt. Durch einen gestreckten Aufbau, wie bei der ersten Ausführungsform der Erfindung realisiert, lassen sich auch die Winkelbelastungen im vorderen Teil des Projektionsobjektives senken.lies. By a straight structure, as in the first embodiment realized the invention, the angular loads in the front Lower part of the projection lens.

Eine physikalisch zwischen S2 und S1 liegende Blende muß zumindest partiell als schmaler Ring ausgebildet werden, um ein Beschneiden des von S1 nach S2 laufenden Bündels zu vermeiden. Bei einer derartigen Ausgestaltung besteht die Gefahr, daß unerwünschtes direktes oder an S1 und S2 reflektiertes Licht die Blende außerhalb dieses Ringes passiert und den Wafer erreicht.A diaphragm physically between S2 and S1 must at least partially formed as a narrow ring to cut the Avoid S1 after S2 running bundle. With such a Design there is a risk that undesirable direct or at S1 and S2 reflected light passes the aperture outside of this ring and reached the wafer.

Setzt man die Blende optisch zwischen zweiten und dritten Spiegel und physikalisch nahe beim ersten Spiegel, so ist durch eine derartige mechanisch einfach zu realisierende Anordnung der Blende ein effizienteres Ausblenden dieser unerwünschten Strahlen möglich. Die Blende kann sowohl als Öffnung im ersten Spiegel oder hinter dem ersten Spiegel liegend ausgeführt werden. If you set the aperture optically between the second and third mirrors and physically close to the first mirror, is by such a mechanically easy to implement arrangement of the panel a more efficient It is possible to hide these unwanted rays. The aperture can both as an opening in the first mirror or behind the first mirror be carried out.  

In einer dritten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, die Blende auf oder nahe beim zweiten Spiegel anzuordnen. Eine Anordnung der Blende auf dem Spiegel hat den Vorteil, daß sie mechanisch einfach zu realisieren ist.In a third embodiment of the invention, the aperture is provided or to be placed close to the second mirror. An arrangement of the aperture the mirror has the advantage that it is mechanically simple to implement.

Hier ist es zur Sicherstellung eines obskurationsfreien Strahlenganges bei gleichzeitig kleinen Einfallswinkeln von Vorteil, wenn
Here it is advantageous to ensure an obscuration-free beam path with small angles of incidence if

gilt.applies.

Um die nötigen Korrekturen der Abbildungsfehler in den 6-Spiegelsystemen vornehmen zu können, sind in einer bevorzugten Ausführungsform sämtliche sechs Spiegel asphärisch ausgebildet.To make the necessary corrections of the aberrations in the 6-mirror systems To be able to make, all are in a preferred embodiment six aspherical mirrors.

Eine fertigungstechnische Vereinfachung wird erreicht, wenn in einer alternativen Ausführungsform vorgesehen ist, höchstens fünf Spiegel asphärisch auszubilden. Es ist dann möglich, einen Spiegel, vorzugsweise den größten Spiegel, hier in Gestalt des Quartärspiegels, sphärisch auszubilden.A manufacturing simplification is achieved if in one alternative embodiment is provided, a maximum of five mirrors to train aspherically. It is then possible to use a mirror, preferably the largest mirror, here in the form of the quaternary mirror, spherical to train.

Besonders bevorzugt ist eine Anordnung des zweiten bis sechsten Spiegels in der Reihenfolge konkav - konvex - konkav - konvex - konkav.An arrangement of the second to sixth mirror is particularly preferred in the order concave - convex - concave - convex - concave.

Um eine Auflösung von mindestens 50 nm zu erreichen, ist mit Vorteil vorgesehen, daß der Design-Anteil des rms-Wellenfrontanteils des Systems höchstens 0,07 λ, bevorzugt 0,03 λ beträgt. It is advantageous to achieve a resolution of at least 50 nm provided that the design portion of the system's rms wavefront portion is at most 0.07 λ, preferably 0.03 λ.  

Vorteilhafterweise sind in den Beispielen der Erfindung die Objektive stets bildseitig telezentrisch ausgebildet.Advantageously, the lenses are always in the examples of the invention telecentric on the image side.

Bei Projektionssystemen, die mit einer Reflektionsmaske betrieben werden, ist ein telezentrischer Strahlengang ohne Beleuchtung über einen stark transmissionsmindernden Strahlteiler, wie beispielsweise aus der JP-A-95 28 31 16 bekannt, objektseitig nicht möglich. Daher sind die Hauptstrahlwinkel am Retikel so gewählt, daß eine abschattungsfreie Beleuchtung gewährleistet ist.For projection systems that are operated with a reflection mask a telecentric beam path without lighting over a strong transmission-reducing beam splitter, such as from the JP-A-95 28 31 16 known, not possible on the object side. Therefore they are The main beam angle on the reticle is chosen so that a shadow-free one Lighting is guaranteed.

Bei Systemen mit Transmissionsmaske kann vorgesehen sein, daß das Projektionsobjektiv objektseitig telezentrisch ausgelegt ist. Bei derartigen Ausführungsformen ist der erste Spiegel vorzugsweise konkav ausgebildet.In systems with a transmission mask it can be provided that the Projection lens is designed telecentrically on the object side. With such Embodiments, the first mirror is preferably concave.

Im gesamten sollte der Telezentriefehler am Wafer 10 mrad nicht überschreiten, vorzugsweise liegt er bei 5 mrad, besonders bevorzugt bei 2 mrad. Dies stellt sicher, daß sich die Änderung des Abbildungsmaßstabes über den Tiefenschärfenbereich in tolerierbaren Grenzen hält.Overall, the telecentricity error on the wafer should not be 10 mrad exceed, preferably it is 5 mrad, particularly preferably 2 mrad. This ensures that the change in the magnification holds within tolerable limits over the depth of field.

In den Ausführungsformen der Erfindung ist vorgesehen, daß diese einen Feldspiegel, ein verkleinerndes Drei-Spiegel-Subsystem und ein Zwei-Spiegel- Subsystem umfaßt.In the embodiments of the invention it is provided that this one Field mirror, a scaling down three-mirror subsystem and a two-mirror Subsystem includes.

Neben der erfindungsgemäßen Projektionsobjektiveinrichtung stellt die Erfindung auch eine Projektionsbelichtungsanlage, umfassend mindestens eine derartige Einrichtung, zur Verfügung. In einer ersten Ausführungsform weist die Projektionsbelichtungsanlage eine Reflektionsmaske auf, in einer alternativen Ausführungsform eine Transmissionsmaske.In addition to the projection lens device according to the invention, the Invention also a projection exposure system, comprising at least such a facility. In a first embodiment the projection exposure system has a reflection mask, in a alternative embodiment, a transmission mask.

Besonders bevorzugt ist es, wenn die Projektionsbelichtungsanlage eine Beleuchtungseinrichtung zur Beleuchtung eines außeraxialen Ringfeldes umfaßt und das System als Ringfeldsscanner ausgebildet ist. Mit Vorteil ist vorgesehen, daß die Sekantenlänge des Scan-Schlitzes mindestens 26 mm beträgt und die Ringbreite größer als 0,5 mm ist, so daß eine homogene Beleuchtung ermöglicht wird.It is particularly preferred if the projection exposure system has a Illumination device for illuminating an off-axis ring field  includes and the system is designed as a ring field scanner. It is an advantage provided that the secant length of the scan slot is at least 26 mm is and the ring width is greater than 0.5 mm, so that a homogeneous Lighting is enabled.

Die Erfindung soll nachfolgend anhand der Zeichnungen beispielhaft beschrieben werden.The invention is intended to serve as an example with reference to the drawings to be discribed.

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 Ein erstes erfindungsgemäßes System mit Zwischenbild und frei zugänglicher Blende zwischen zweitem und drittem Spiegel und numerischer Apertur von 0,2. Fig. 1 A first inventive system with intermediate image and freely accessible aperture between the second and third mirrors, and a numerical aperture of 0.2.

Fig. 2 Eine 6-Spiegelanordnung für Wellenlängen < 100 nm wie aus dem Stand der Technik in Form der US-A-5686728 bekannt ist. Fig. 2 A 6-mirror arrangement for wavelengths <100 nm as is known from the prior art in the form of US-A-5686728.

Fig. 3 Eine zweite erfindungsgemäße Ausführungsform mit Blende zwischen zweitem und drittem Spiegel, die auf dem ersten Spiegel zu liegen kommt. Fig. 3 A second embodiment of the invention with an aperture between the second and third mirror, which comes to rest on the first mirror.

Fig. 4 Eine dritte Ausführungsform der Erfindung mit Blende auf dem zweiten Spiegel und Arbeitsabstand 59 mm. Fig. 4 A third embodiment of the invention with an aperture on the second mirror and working distance 59 mm.

Fig. 5 Eine vierte Ausführungsform der Erfindung eines Systems mit Zwischenbild, einer numerischen Apertur NA von 0,28 sowie einem bildseitigen optischen freien Arbeitsabstand, der mindestens der Summe aus einem Drittel des genutzten Durchmessers des wafernächsten Spiegels und einer Länge, die zwischen 20 und 30 mm liegt, entspricht. Fig. 5 shows a fourth embodiment of the invention a system with intermediate image, a numerical aperture NA of 0.28, and an image-side optical free working distance which is at least the sum of one third of the used diameter of the wafer next mirror and a length that is 20 to 30 mm, corresponds.

Fig. 6 Eine fünfte Ausführungsform der Erfindung eines Systems mit Zwischenbild und einer numerischen Apertur NA von 0,30. Fig. 6 shows a fifth embodiment of the invention a system with intermediate image and a numerical aperture NA of 0.30.

Fig. 7A-78 Definition des genutzten Durchmessers bei unterschiedlich ausgeleuchteten Lichtfeldern. FIG. 7A-78 definition of the used diameter for different illuminated light fields.

In den nachfolgenden Fig. 1 sowie 3 bis 4 sind Anordnungen von erfindungsgemäßen 6-Spiegel-Projektionsobjektiven gezeigt, die einen freien optischen Arbeitsabstand, der mindestens dem genutzten Durchmesser des wafernächsten Spiegels entspricht, aufweisen.In the following FIGS. 1 and 3 to 4, arrangements of 6-mirror projection lenses according to the invention are shown which have a free optical working distance which corresponds at least to the diameter used of the mirror next to the wafer.

Fig. 2 zeigt demgegenüber ein System gemäß dem Stand der Technik für Wellenlängen < 100 nm, wie beispielsweise aus der US-A-5686728 bekannt. In contrast, FIG. 2 shows a system according to the prior art for wavelengths <100 nm, as is known, for example, from US-A-5686728.

In sämtlichen Ausführungsformen werden nachfolgend für gleiche Bauelemente gleiche Bezugsziffern verwendet, wobei nachfolgende Nomenklatur verwendet wurde:
In all of the embodiments, the same reference numbers are used for the same components, the following nomenclature being used:

  • - erster Spiegel (S1), zweiter Spiegel (S2)- first mirror (S1), second mirror (S2)
  • - dritter Spiegel (S3), vierter Spiegel (S4)- third mirror (S3), fourth mirror (S4)
  • - fünfter Spiegel (S5), sechster Spiegel (S6)- fifth mirror (S5), sixth mirror (S6)

In Fig. 1 ist ein 6-Spiegel-Projektionsobjektiv gemäß der Erfindung mit Strahlengang von der Retikelebene 2 bis zur Waferebene 4 dargestellt. Die dargestellte spezielle Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Systems kann aufgefaßt werden als Hintereinanderschaltung
In Fig. 1, a 6-mirror projection objective according to the invention is illustrated with the beam path from the reticle to the wafer 2 to Level 4. The special embodiment of the system according to the invention shown can be understood as a series connection

  • - eines Feldspiegels S1, der mit Abbildungsmaßstab β < 0 ein virtuelles Bild eines Objektes erzeugt, - A field mirror S1, which is a virtual one with magnification β <0 Image of an object generated,  
  • - eines aus S2, S3 und S4 gebildeten 3-Spiegelsystems, welches eine reelle, verkleinerte Abbildung des von S1 erzeugten virtuellen Bildes des Objektes in das System-Zwischenbild Z bewirkt und- A 3-mirror system formed from S2, S3 and S4, which one real, reduced image of the virtual image of the Object in the system intermediate image Z causes and
  • - eines 2-Spiegelsstems S5, S6, welches das Zwischenbild Z unter Einhaltung der Telezentrieanforderungen in die Waferebene 4 abbildet.- A 2-mirror system S5, S6, which maps the intermediate image Z in compliance with the telecentricity requirements into the wafer level 4 .

Die Aberrationen der Subsysteme sind dabei so gegeneinander ausbalanciert, daß das Gesamtsystem eine für die Anwendung hinreichende Güte besitzt.The aberrations of the subsystems are balanced against each other that the overall system is of sufficient quality for the application.

Die physikalische Blende B ist zwischen zweitem Spiegel S2 und drittem Spiegel S3 angeordnet. Wie deutlich aus Fig. 1 hervorgeht, liegt die Blende zugänglich im Strahlengang zwischen zweitem Spiegel S2 und drittem Spiegel S3.The physical diaphragm B is arranged between the second mirror S2 and the third mirror S3. As is clear from FIG. 1, the diaphragm is accessible in the beam path between the second mirror S2 and the third mirror S3.

Beim System gemäß Fig. 1 ist der optische Arbeitsabstand zwischen dem wafernächsten Spiegel, das ist in vorliegendem Ausführungsbeispiel der fünfte Spiegel S5, und der Waferebene 4 größer als der genutzte Durchmesser des Spiegels S5, d. h. es ist nachfolgende Bedingung erfüllt:
optischer Abstand S5 zur Waferebene 4 < genutzter Durchmesser S5.In the system according to FIG. 1, the optical working distance between the next mirror next to the wafer, that is the fifth mirror S5 in the present exemplary embodiment, and the wafer plane 4 is larger than the diameter of the mirror S5 used, ie the following condition is met:
optical distance S5 to wafer level 4 <used diameter S5.

Auch andere Abstandsbedingungen sind alternativ möglich, beispielsweise daß der optische Arbeitsabstand größer als die Summe aus ein Drittel des genutzten Durchmessers des wafernächsten Spiegels S5 plus 20 mm oder mehr als 50 mm ist.Other distance conditions are alternatively possible, for example that the optical working distance is greater than the sum of one third of the used diameter of the next mirror S5 plus 20 mm or is more than 50 mm.

Im vorliegenden Ausführungsbeispiel beträgt der freie optische Arbeitsabstand 60 mm, ohne hierauf beschränkt zu sein. In the present exemplary embodiment, the free optical working distance is 60 mm without being limited to this.  

Ein derartiger optischer Arbeitsabstand garantiert einen ausreichend freien mechanischen Arbeitsabstand, der größer als 0 ist sowie die Verwendung von optischen Komponenten mit ausreichenden Festigkeitseigenschaften für Wellenlängen < 100 nm, vorzugsweise von 11 bzw. 13 nm.Such an optical working distance guarantees a sufficiently free one mechanical working distance that is greater than 0 and the use of optical components with sufficient strength properties for Wavelengths <100 nm, preferably 11 or 13 nm.

Die optischen Komponenten umfassen für eine Wellenlänge λ = 13 nm und λ = 11 nm beispielsweise Mo/Si- bzw. Mo/Be-Multilayer-Schichtsysteme, wobei typische Multilayer-Schichtsysteme für λ = 13 nm 40 Mo/Si- Schichtpaare und für λ = 11 nm taugliche Mo/Be-Systeme ungefähr 70 Schichtpaare aufweisen. Die erreichbaren Reflektivitäten der Systeme liegen im Bereich von ungefähr 70%. In den Multilayer-Schichtsystemen können Schichtspannungen von 350 MPa und mehr auftreten, die Oberflächendeformation, insbesondere in den Randbereichen der Spiegel induzieren.For a wavelength, the optical components include λ = 13 nm and λ = 11 nm, for example Mo / Si or Mo / Be multilayer coating systems, where typical multilayer coating systems for λ = 13 nm 40 Mo / Si Layer pairs and Mo / Be systems suitable for λ = 11 nm approximately 70 Have layer pairs. The reflectivities of the systems are achievable in the range of approximately 70%. In the multilayer coating systems can Layer stresses of 350 MPa and more occur that Surface deformation, especially in the edge areas of the mirrors induce.

Die erfindungsgemäßen Systeme, wie beispielsweise in Fig. 1 dargestellt, besitzen gemäß
The systems according to the invention, as shown for example in FIG. 1, have according to

eine nominelle Auflösung von mindestens 50 nm bzw. 35 nm bei einer minimalen numerischen Apertur von NA = 0,2 bei k1 = 0,77 und λ = 13 nm bzw. k1 = 0,64 und λ = 11 nm, wobei k1 ein Lithographieprozeß-spezifischer Parameter ist.a nominal resolution of at least 50 nm or 35 nm with a minimum numerical aperture of NA = 0.2 at k 1 = 0.77 and λ = 13 nm or k 1 = 0.64 and λ = 11 nm, where k 1 is a lithography process specific parameter.

Des weiteren ist der Strahlengang des in Fig. 1 dargestellten Objektives obskurationsfrei. Um beispielsweise Bildformate von 26 × 34 mm2 bzw. 26 × 52 mm2 bereitzustellen, werden die erfindungsgemäßen Projektionsobjektive vorzugsweise in Ringfeld-Scan-Projektionsbelichtungsanlagen verwendet, wobei die Sekantenlänge des Scan-Schlitzes mindestens 26 mm beträgt. Furthermore, the beam path of the objective shown in FIG. 1 is free of obscuration. In order to provide, for example, image formats of 26 × 34 mm 2 or 26 × 52 mm 2 , the projection objectives according to the invention are preferably used in ring field scan projection exposure systems, the secant length of the scan slot being at least 26 mm.

Je nach verwandter Maske in der Projektionsbelichtungsanlage, hier sind Transmissionsmasken z. B. Stencilmasken oder auch Reflektionsmasken denkbar, kann das bildseitig telezentrische System objektseitig telezentrisch oder nicht telezentrisch ausgebildet werden, wobei ein telezentrischer Strahlengang objektseitig bei Verwendung einer Reflektionsmakse nur unter Verwendung eines transmissionsmindernden Strahlenteilers möglich ist. Unebenheiten der Maske führen bei nicht telezentrischem Strahlengang im Objektraum zu Maßstabsfehlern in der Abbildung. Die Hauptstrahlwinkel am Retikel liegen daher vorzugsweise unter 10°, damit die Anforderungen an die Retikelebenheit im Bereich des technologisch realisierbaren liegen.Depending on the mask used in the projection exposure system, here are Transmission masks e.g. B. stencil masks or reflection masks conceivable, the telecentric system on the image side can be telecentric on the object side or not be telecentric, being a telecentric Beam path on the object side only when using a reflection lens Use of a transmission-reducing beam splitter is possible. Unevenness of the mask result in a non-telecentric beam path in the Object space for scale errors in the figure. The main beam angles on Reticles are therefore preferably below 10 °, so that the requirements for Flatness of the reticle lies in the range of technologically feasible.

Das erfindungsgemäße System gemäß Fig. 1 weist einen bildseitigen Telezentriefehler am Wafer von 1 mrad bei einer numerischen Apertur von 0,2 auf.The inventive system of FIG. 1 has an image-side telecentricity error on the wafer of 1 mrad at a numerical aperture of 0.2.

Aufgrund der hohen bildseitigen Telezentrie liegt die Eintrittspupille des letzten Spiegel S6 in oder nahe seines Brennpunktes. Bei den erfindungsgemäßen Systemen mit Zwischenbild kommt die Blende dann im vorderen, niederaperturigen Objektivteil vorwiegend zwischen dem ersten und dritten Spiegel S1, S3 zum Liegen und die dazu konjugierte Pupillenebene wird in den Fokus des letzten Spiegels abgebildet.Due to the high image-side telecentricity, the entrance pupil of the last one is located Mirror S6 at or near its focal point. In the invention In systems with an intermediate image, the aperture comes in the front, low-aperture lens part mainly between the first and third Mirrors S1, S3 for lying and the pupil plane conjugated to it is shown in the focus of the last mirror.

In der dargestellten Ausführungsform sind sämtliche Spiegel S1-S6 asphärisch ausgeführt, wobei die maximale Asphärizität im Nutzbereich bei 7,3 µm liegt. Die niedrige Asphärizität der erfindungsgemäßen Anordnung ist insbesondere aus fertigungstechnischer Sicht vorteilhaft, da die technologischen Schwierigkeiten bei der Bearbeitung der Oberflächen der Multilayer-Spiegel mit der asphärischen Abweichung und wachsendem Gradienten der Asphäre überproportional stark ansteigen. In the illustrated embodiment, all of the mirrors are S1-S6 made aspherical, the maximum asphericity in the useful area at 7.3 µm. The low asphericity of the arrangement according to the invention is Particularly advantageous from a manufacturing point of view, since the technological difficulties in machining the surfaces of the Multilayer mirror with the aspherical deviation and growing Gradients of the asphere increase disproportionately.  

Der größe Einfallswinkel in der Anordnung gemäß Fig. 1 tritt an S5 auf und beträgt 18,4°. An Spiegel S5 tritt auch die maximale Einfallswinkelvariation von ca. 14,7° über den Spiegel hinweg auf. Der Wellenfrontfehler der Anordnung gemäß Fig. 1 bei λ = 13 nm ist besser als 0,032 λ, die Schwerpunktverschiebung der Punktbilder ist < 3 nm, die statische, maßstabskorrigierte Verzeichnung liegt bei 4 nm.The large angle of incidence in the arrangement according to FIG. 1 occurs at S5 and is 18.4 °. The maximum angle of incidence of approximately 14.7 ° across the mirror also occurs on mirror S5. The wave front error of the arrangement of FIG. 1 at λ = 13 nm is more than 0.032 λ, the focal shift of the dot images is <3 nm, the static, scale corrected distortion is 4 nm.

Die in der Ausführungsform gemäß Fig. 1 zwischen zweitem und dritten Spiegel angeordnete Blende ist frei zugänglich. Eine freie Zugängigkeit der Blende und eine Abschattung des von S3 nach S4 laufenden Bündels durch die Blende wird bei gleichzeitig akzeptablen Einfallswinkeln auf den Spiegeln verhindert, wenn in den dargestellten Anordnungen, nachfolgende Bedingung
The aperture arranged between the second and third mirrors in the embodiment according to FIG. 1 is freely accessible. A free accessibility of the aperture and a shading of the bundle running from S3 to S4 through the aperture is prevented with at the same time acceptable angles of incidence on the mirrors, if in the arrangements shown, the following condition

erfüllt sind.are fulfilled.

Hierbei bezeichnet die Kurzschreibweise S1S3 den mechanischen Abstand zwischen den einzelnen Komponenten, hier den Spiegeln S1 und S3.The short form S1S3 denotes the mechanical distance between the individual components, here mirrors S1 and S3.

Um die Einfallswinkel auf den Spiegeln zu vermindern ist in einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung gemäß Fig. 1 und Fig. 3-4 der Abstand vom Retikel zu S1 kleiner als der Abstand von S2 zu S3, d. h. es gilt:
 ., The angle of incidence is to be reduced to the levels in a particularly preferred embodiment of the invention according to Figures 1 and 3-4, the distance from reticle to S1 is less than the distance from S2 to S3, it applies that:

Retikel S1 < S2S3 Reticle S1 <S2S3  

Für die mechanische Realisierung ist es besonders vorteilhaft, wenn das Retikel physikalisch hinreichend weit vor dem in Lichtrichtung ersten Spiegel - hier S2 - zu liegen kommt.For the mechanical implementation, it is particularly advantageous if that Reticle physically sufficiently far in front of the first mirror in the direction of light - here S2 - comes to rest.

Vorliegend beträgt der Abstand Retikel S2 80 mm, ohne hierauf beschränkt zu sein.In the present case, the distance between reticle S2 is 80 mm, without being restricted to this his.

Des weiteren ist bei der Ausführungsform der Erfindung gemäß den Fig. 1 sowie 3 bis 5 der Abstand zwischen den Spiegeln S3 und S6 so groß gewählt, daß die Spiegel hinreichend dick ausgebildet werden können, um bei den auftretenden hohen Schichtspannungen über die geforderten Festigkeitseigenschaften zu verfügen.Furthermore, in the embodiment of the invention according to FIGS. 1 and 3 to 5, the distance between the mirrors S3 and S6 is chosen so large that the mirrors can be made sufficiently thick to have the required strength properties at the high layer stresses that occur .

Besonders bevorzugt ist es, wenn nachfolgende Beziehung vorliegt:
It is particularly preferred if the following relationship exists:

0,3 (genutzter Durchmesser S3 + genutzter Durchmesser S6) < S3S60.3 (used diameter S3 + used diameter S6) <S3S6

Aus der nachfolgenden Tabelle gehen in Code V-Nomenklatur die Parameter der beispielhaft in Fig. 1 dargestellten Systeme hervor. Bei dem Objektiv handelt es sich um 5×-System mit einem 26 × 2 mm2 Ringfeld und einer numerischen Apertur von 0,2. Der mittlere bildseitige Radius des Systems beträgt dabei ungefähr 26 mm. The following table shows the parameters of the systems shown by way of example in FIG. 1 in code V nomenclature. The objective is a 5 × system with a 26 × 2 mm 2 ring field and a numerical aperture of 0.2. The mean image-side radius of the system is approximately 26 mm.

Tabelle 1 Table 1

In Fig. 2 ist eine Anordnung eines Projektionsobjektives für die Mikrolithographie mit Wellenlänge λ < 100 nm gemäß der US-A-5686728 gezeigt. Gleiche Bauteile wie in Fig. 1 sind mit denselben Bezugsziffern belegt.In FIG. 2 shows an arrangement of a projection objective for microlithography with wavelength λ <100 nm according to the US-A-5,686,728 shown. The same components as in Fig. 1 are given the same reference numerals.

Wie deutlich zu erkennen, ist der Abstand zwischen dem wafernächsten Spiegel S5 und dem Wafer wesentlich geringer als der Durchmesser des Spiegels und liegt vorliegend im Bereich von ungefähr 20 mm, was im EUV- Bereich aufgrund der extremen Schichtspannungen zu Festigkeitsproblemen führt.As can be clearly seen, the distance between the next wafer Mirror S5 and the wafer much smaller than the diameter of the Mirror and in the present case is in the range of approximately 20 mm, which in the EUV Area due to the extreme layer stresses to strength problems leads.

Des weiteren weist das System gemäß dem Stand der Technik sehr hohe Asphärizitäten von ± 50 µm und Einfallswinkel von 38° auf. Derartige Asphärizitäten und Einfallswinkel sind im EUV-Bereich unter dem Blickwinkel der Fertigungs- und Beschichtungstechnologie nicht realisierbar.Furthermore, the system according to the prior art has very high Asphericities of ± 50 µm and angle of incidence of 38 °. Such Asphericities and angles of incidence are in the EUV range from the perspective manufacturing and coating technology not feasible.

In Fig. 3 ist eine alternative Ausführungsform eines erfindungsgemäßen 6-Spiegelsystems dargestellt, bei dem die Blende auf dem ersten Spiegel liegt. Gleiche Bauteile wie in Fig. 1 werden wiederum mit denselben Bezugsziffern belegt. FIG. 3 shows an alternative embodiment of a 6-mirror system according to the invention, in which the diaphragm lies on the first mirror. The same components as in Fig. 1 are again given the same reference numerals.

Der optische freie Arbeitsabstand am Wafer beträgt auch bei dieser Ausführungsform wie schon bei der Ausführungsform gemäß Fig. 1 60 mm und ist somit größer als der Durchmesser des wafernächsten Spiegels S5. Wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 1 ist auch bei dem Design gemäß Fig. 3 der Abstand zwischen S2 und S3 gegenüber dem Stand der Technik in Form der US-A-5686728 wesentlich erhöht worden, so daß große lnzidenzwinkel im System vermindert werden.As in the embodiment according to FIG. 1, the optical free working distance on the wafer is 60 mm in this embodiment as well and is therefore larger than the diameter of the mirror S5 next to the wafer. As in the embodiment according to FIG. 1, the distance between S2 and S3 has also been significantly increased in the design according to FIG. 3 compared to the prior art in the form of US-A-5686728, so that large angles of incidence in the system are reduced.

Im Unterschied zu der Ausgestaltung gemäß Fig. 1 ist in Fig. 3 die Blende B physikalisch auf den Primärspiegel gelegt. Durch diese Position wird eine sehr effiziente Abschaltung von an S2 reflektiertem Licht möglich, das bei einer physikalischen Blendenposition zwischen S1 und S2 leicht oberhalb der als schmalen Ring auszubildenden Blende passieren könnte. Bei dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Blende entweder als Öffnung im S1-Mutterspiegel oder hinter S1 liegend realisiert werden.In contrast to the embodiment according to FIG. 1, the diaphragm B is physically placed on the primary mirror in FIG. 3. This position enables a very efficient switch-off of light reflected at S2, which could pass slightly above the diaphragm to be designed as a narrow ring with a physical diaphragm position between S1 and S2. In the exemplary embodiment shown in FIG. 3, the diaphragm can be realized either as an opening in the S1 mother mirror or behind S1.

Ein weiterer Vorteil der Lösung gemäß Fig. 3 ist die sphärische Ausbildung des Spiegels S4, die insbesondere unter Fertigungsaspekten einen besonderen Vorteil darstellt, da der Spiegel S4 der größte Spiegel des Systems ist. Gegenüber der Ausführungsform gemäß Fig. 1 ist bei der Ausgestaltung gemäß Fig. 3 die Asphärizität im Nutzbereich leicht erhöht und liegt bei 10,5 µm. Der größte Einfallswinkel tritt wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 1 an Spiegel S5 auf und beträgt ca. 18,6°. Der Wellenfrontfehler der Anordnung gemäß Fig. 3 beträgt 0,032 λ, innerhalb des 1,7 mm breiten Ringfeldes bei λ = 13 nm. Bildet man den Spiegel S4 bei der Ausgestaltung gemäß Fig. 3 leicht asphärisch aus mit 0,4 µm, so kann der Wellenfrontfehler auf 0,031 λ innerhalb eines 1,8 mm breiten Ringfeldes bei λ = 13 nm gehalten werden. Eine effiziente Ausblendung unerwünschten Lichtes erhält man nicht nur, wenn man die Blende direkt auf dem Spiegel S1 ausbildet, sondern auch dann, wenn man sie dem Spiegel S1 nachordnet. Eine besonders bevorzugte Baubedingung für eine derartige Blende ist:
Another advantage of the solution according to FIG. 3 is the spherical design of the mirror S4, which represents a particular advantage particularly from a manufacturing perspective, since the mirror S4 is the largest mirror of the system. Compared to the embodiment according to FIG. 1, the asphericity in the useful area is slightly increased in the embodiment according to FIG. 3 and is 10.5 μm. As in the embodiment according to FIG. 1, the greatest angle of incidence occurs at mirror S5 and is approximately 18.6 °. The wave front error of the arrangement of FIG. 3 is 0.032 λ, nm within the 1.7 mm wide ring field at λ = 13. By forming the mirror S4 in the embodiment of FIG. 3 slightly aspherical from microns by 0.4, so can the Wavefront errors are kept at 0.031 λ within a 1.8 mm wide ring field at λ = 13 nm. Efficient suppression of unwanted light is obtained not only when the diaphragm is formed directly on mirror S1, but also when it is arranged after mirror S1. A particularly preferred construction condition for such a panel is:

S2S1 ≦ 0,9 × S2-BlendeS2S1 ≦ 0.9 × S2 aperture

In Tabelle 2 sind die Konstruktionsdaten des 5x-Objektives gemäß Fig. 3 in Code V-Nomenklatur dargestellt, wobei der vierte Spiegel S4 sphärisch ausgebildet ist. Der mittlere Radius des 26 × 1,7 mm2-Bildfeldes beträgt wiederum 26 mm. Table 2 shows the construction data of the 5x objective according to FIG. 3 in code V nomenclature, the fourth mirror S4 being spherical. The average radius of the 26 × 1.7 mm 2 image field is again 26 mm.

Tabelle 2Table 2

In Fig. 4 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung gezeigt, wobei wiederum für gleiche Bauteile dieselben Bezugsziffern wie in den vorausgegangenen Figuren verwendet wurden. FIG. 4 shows a further embodiment of the invention, the same reference numbers as in the previous figures being used for the same components.

Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 4 wurde die Blende B optisch und physikalisch auf den Sekundärspiegel bzw. zweiten Spiegel S2 gelegt. Die Anordnung der Blende direkt auf dem Spiegel hat den Vorteil, daß diese Blende auf einem Spiegel sich mechanisch einfacher realisieren läßt.In the embodiment according to FIG. 4, the aperture B was placed optically and physically on the secondary mirror or second mirror S2. The arrangement of the diaphragm directly on the mirror has the advantage that this diaphragm can be implemented mechanically more easily on a mirror.

Mit dem in Fig. 4 dargestellten 4x-Aufbau läßt sich innerhalb eines 2 mm breiten Ringfeldes ein Wellenfrontfehler bei λ = 13 nm von 0,021 λ realisieren. Die maximale Asphärizität im Nutzbereich liegt bei 11,2 µm, der größte an S5 auftretende Einfallswinkel beträgt 18,3°. Der mittlere Bildfeldradius beträgt wiederum 26 mm.With the 4x structure shown in FIG. 4, a wavefront error at λ = 13 nm of 0.021 λ can be realized within a 2 mm wide ring field. The maximum asphericity in the useful area is 11.2 µm, the largest angle of incidence occurring at S5 is 18.3 °. The mean image field radius is again 26 mm.

Erfindungsgemäß ist der optische freie Arbeitsabstand zwischen Wafer und wafernächstem Spiegel S5 erfindungsgemäß größer als der Durchmesser des wafernächsten Spiegels S5 und liegt in vorliegender Ausführungsform bei ca. 59 mm. According to the invention, the optical free working distance between the wafer and wafer next mirror S5 larger than the diameter of the invention next to the mirror S5 and in the present embodiment is approx. 59 mm.  

In Tabelle 3 sind die optischen Parameter in Code V-Nomenklatur der in Fig. 4 dargestellten Ausführungsform der Erfindung aufgeführt. Table 3 lists the optical parameters in Code V nomenclature of the embodiment of the invention shown in FIG. 4.

Tabelle 3Table 3

Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung, die einen Feldspiegel S1, ein erstes Subsystem mit zweitem bis viertem Spiegel S2-S4 und ein zweites Subsystem mit fünftem und sechstem Spiegel S5, S6 umfaßt. Der Feldspiegel S1 mit β < 0 erzeugt ein virtuelles Bild des Objektes 2, welches durch das aus zweitem, drittem und viertem Spiegel S2, S3, S4 gebildeten erste Subsystem mit β < 0 reell in das Zwischenbild Z abgebildet wird, wobei das aus fünftem und sechstem Spiegel S5, S6 gebildete zweite Subsystem das Zwischenbild Z in das reelle Systembild der Waferebene 4 abbildet. Die numerische Apertur des Systems beträgt NA = 0,28. Der Arbeitsabstand zwischen letztem Spiegel S5 und der Waferebene entspricht mindestens der Summe aus einem Drittel des genutzten Durchmessers des wafernächsten Spiegels und einer Länge, die zwischen 20 und 30 mm liegt. Die Blende B kommt auf dem zweiten Spiegel S2 zum Liegen. Fig. 5 shows an embodiment of the invention which comprises a field mirror S1, a first subsystem with second to fourth mirrors S2-S4 and a second subsystem with fifth and sixth mirrors S5, S6. The field mirror S1 with β <0 generates a virtual image of the object 2 , which is actually mapped into the intermediate image Z by the first subsystem formed from the second, third and fourth mirrors S2, S3, S4 with β <0, the fifth and sixth mirror S5, S6 formed second subsystem maps the intermediate image Z into the real system image of the wafer level 4 . The numerical aperture of the system is NA = 0.28. The working distance between the last mirror S5 and the wafer level corresponds at least to the sum of a third of the diameter used of the mirror next to the wafer and a length which is between 20 and 30 mm. The aperture B comes to rest on the second mirror S2.

In Tabelle 4 sind die optischen Parameter der Ausführungsform gemäß Fig. 5 in Code V-Nomenklatur aufgeführt. Table 4 lists the optical parameters of the embodiment according to FIG. 5 in code V nomenclature.

Tabelle 4Table 4

In Fig. 6 ist eine zweite Ausführungsform eines 6-Spiegel-Objektives mit Feldspiegel S1, erstem und zweitem Subsystem sowie Zwischenbild Z gezeigt. Die numerische Apertur NA dieses Systems liegt bei NA = 0,30; die Blende B wird wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 5 auf dem zweiten Spiegel S2 ausgebildet.In FIG. 6, a second embodiment of a 6-mirror objective with field mirror S1 is shown, the first and second sub-system and intermediate image Z. The numerical aperture NA of this system is NA = 0.30; the aperture B is formed on the second mirror S2 as in the embodiment according to FIG. 5.

Die optischen Parameter der Ausführungsform gemäß Fig. 6 sind in Tabelle 5 in Code V-Nomenklatur aufgeführt. The optical parameters of the embodiment according to FIG. 6 are listed in Table 5 in Code V nomenclature.

Tabelle 5Table 5

Die Fig. 7A und 7B verdeutlichen nochmals was in der vorliegenden Anmeldung unter dem genutzten Durchmesser D zu verstehen ist. FIGS. 7A and 7B again illustrate what is to be understood by the diameter D used in the present application.

Beispielhaft sei das ausgeleuchtete Feld 100 auf einem Spiegel in Fig. 7A ein Rechteckfeld. Der genutzte Durchmesser D ist dann der Durchmesser des Hüllkreises 102, der das Rechteck 100 umschließt, wobei die Ecken 104 des Rechteckes 100 auf den Hüllkreis 102 zu liegen kommen.As an example, the illuminated field 100 on a mirror in FIG. 7A is a rectangular field. The diameter D used is then the diameter of the enveloping circle 102 which encloses the rectangle 100 , the corners 104 of the rectangle 100 coming to lie on the enveloping circle 102 .

In Fig. 7B ist ein zweites Beispiel dargestellt. Das ausgeleuchtete Feld 100 weist eine Nierenform auf, wie für den Nutzbereich bei Verwendung der erfindungsgemäßen Objektive in einer Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsanlage erwartet. Der Hüllkreis 102 umschließt die Nierenform völlig und fällt an zwei Punkten 106, 108 mit dem Rand 110 der Nierenform zusammen. Der genutzte Durchmesser D ergibt sich dann aus dem Durchmesser des Hüllkreises 102.A second example is shown in FIG. 7B. The illuminated field 100 has a kidney shape, as expected for the useful area when using the lenses according to the invention in a microlithography projection exposure system. The enveloping circle 102 completely surrounds the kidney shape and coincides with the edge 110 of the kidney shape at two points 106 , 108 . The diameter D used then results from the diameter of the enveloping circle 102 .

Mit der Erfindung wird somit erstmals ein 6-Spiegel-Projektionsobjektiv mit einem Abbildungsmaßstab von vorzugsweise 4×, 5× sowie 6× für den bevorzugten Einsatz in einem EUV-Ringfeldprojektionssystem angegeben, das sowohl die notwendige Auflösung bei gefordertem Bildfeld wie auch Konstruktionsbedingungen aufweist, welche eine funktionsgerechte Bauausführung ermöglichen, da die Asphären hinreichend mild, die Winkel hinreichend klein für die Schichten und die Bauräume für die Spiegelträger hinreichend groß sind.With the invention, a 6-mirror projection lens is thus used for the first time a magnification of preferably 4 ×, 5 × and 6 × for the preferred use in an EUV ring field projection system specified that both the necessary resolution for the required image field as well Design conditions, which has a functional Construction allows the angles because the aspheres are sufficiently mild sufficiently small for the layers and the installation space for the mirror supports are sufficiently large.

Claims (32)

1. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung für kurze Wellenlängen, vorzugsweise < 100 nm mit einem ersten (S1), einem zweiten Spiegel (S2), einem dritten (S3), einem vierten Spiegel (S4), einem fünften (S5) und einem sechsten Spiegel (S6); dadurch gekennzeichnet, daß die bildseitige numerische Apertur NA < 0,15 ist und der dem zu belichtenden Objekt vorzugsweise dem Wafer am nächsten kommende Spiegel derart angeordnet ist, daß
  • - der bildseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens dem genutzten Durchmesser D dieses wafernächsten Spiegels entspricht und/oder
  • - der bildseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens die Summe aus einem Drittel des genutzten Durchmessers D dieses Spiegels und einer Länge, die zwischen 20 mm und 30 mm liegt, beträgt und/oder
  • - der bildseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens 50 mm, vorzugsweise 60 mm beträgt.
1. Microlithography projection lens device for short wavelengths, preferably <100 nm, with a first (S1), a second mirror (S2), a third (S3), a fourth mirror (S4), a fifth (S5) and a sixth mirror ( S6); characterized in that the image-side numerical aperture NA <0.15 and the mirror closest to the object to be exposed is preferably arranged in such a way that
  • - The optical free working distance on the image side corresponds at least to the diameter D used of this mirror next to the wafer and / or
  • - The image-side optical free working distance is at least the sum of one third of the diameter D used of this mirror and a length that is between 20 mm and 30 mm, and / or
  • - The optical free working distance on the image side is at least 50 mm, preferably 60 mm.
2. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung für kurze Wellenlängen, vorzugsweise < 100 nm mit einem ersten (S1), einem zweiten Spiegel (S2), einem dritten Spiegel (S3), einem vierten Spiegel (S4), einem fünften Spiegel (S5) sowie einem sechsten Spiegel (S6) mit Ringfeld; dadurch gekennzeichnet, daß
die bildseitige numerische Apertur (NA) im Bereich
0,15 ≦ NA
und die Ringfeldbreite W am Wafer im Bereich
1,0 mm ≦ W
liegt,
und daß die Spitze-Spitze-Abweichung (A) der Asphären gegenüber der im Nutzbereich bestpassenden Sphäre auf allen Spiegeln durch
beschränkt ist.2. Microlithography projection lens device for short wavelengths, preferably <100 nm with a first (S1), a second mirror (S2), a third mirror (S3), a fourth mirror (S4), a fifth mirror (S5) and a sixth Mirror (S6) with ring field; characterized in that
the numerical aperture (NA) in the area
0.15 ≦ NA
and the ring field width W on the wafer in the area
1.0 mm ≦ W
lies,
and that the tip-to-tip deviation (A) of the aspheres compared to the best-fitting sphere in the usable area occurs on all mirrors
is limited. 3. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung für kurze Wellenlängen, vorzugsweise < 100 nm mit einem ersten (S1), einem zweiten Spiegel (S2), einem dritten Spiegel (S3), einem vierten Spiegel (S4), einem fünften (S5) und einem sechsten Spiegel (S6) mit Ringfeld; dadurch gekennzeichnet, daß
die bildseitige numerische Apertur (NA) ≧ 0,15 ist,
die bildseitige Breite des Ringfeldes W ≧ 1,0 mm ist und
daß die Einfallswinkel (AOI) relativ zur Flächennormalen aller Strahlen auf allen Spiegeln durch
AOI ≦ 23° - 35° (0,25 - NA) - 0,2°/mm(2 mm - W)
beschränkt sind.3. Microlithography projection lens device for short wavelengths, preferably <100 nm with a first (S1), a second mirror (S2), a third mirror (S3), a fourth mirror (S4), a fifth (S5) and a sixth mirror (S6) with ring field; characterized in that
the image-side numerical aperture (NA) ≧ 0.15,
the image-side width of the ring field W ≧ 1.0 mm and
that the angle of incidence (AOI) is relative to the surface normal of all rays on all mirrors
AOI ≦ 23 ° - 35 ° (0.25 - NA) - 0.2 ° / mm (2 mm - W)
are limited. 4. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung mit einem Feldspiegel S1, einem ersten Subsystem mit zweitem bis viertem Spiegel (S2-S4) und einem zweiten Subsystem mit fünftem und sechstem Spiegel (S5, S6), dadurch gekennzeichnet, daß der Feldspiegel mit β < 0 ein virtuelles Bild des Objektes (2) erzeugt, welches durch das aus zweitem, drittem und viertem Spiegel (S2, S3, S4) gebildete erste Subsystem mit β < 0 reell in das Zwischenbild (Z) abgebildet wird, wobei das aus fünftem und sechstem Spiegel (S5, S6) gebildete zweite Subsystem das Zwischenbild in das reelle Systembild in der Waferebene (4) abbildet.4. microlithography projection lens device with a field mirror S1, a first subsystem with a second to fourth mirror (S2-S4) and a second subsystem with fifth and sixth mirror (S5, S6), characterized in that the field mirror with β <0 a virtual Image of the object ( 2 ) is generated, which is represented in the intermediate image (Z) by the first subsystem formed from the second, third and fourth mirror (S2, S3, S4) with β <0, the fifth and sixth mirror ( S5, S6) formed second subsystem maps the intermediate image into the real system image in the wafer plane ( 4 ). 5. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der dem zu belichtenden Objekt vorzugsweise dem Wafer am nächsten kommenden Spiegel derart angeordnet ist, daß
  • 1. der bildseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens dem genutzten Durchmesser D dieses wäfernächsten Spiegels entspricht und/oder
  • 2. der bildseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens der Summe aus einem Drittel des genutzten Durchmessers D dieses Spiegels und einer Länge, die zwischen 20 mm und 30 mm liegt, beträgt und/oder
  • 3. der bildseitige optische freie Arbeitsabstand mindestens 50 mm, vorzugsweise 60 mm beträgt.
5. microlithography projection lens according to one of claims 2 to 4, characterized in that the object to be exposed preferably the mirror closest to the wafer is arranged such that
  • 1. the image-side optical free working distance corresponds at least to the diameter D used of this mirror closest to the surface and / or
  • 2. The optical free working distance on the image side is at least the sum of one third of the diameter D used of this mirror and a length which is between 20 mm and 30 mm, and / or
  • 3. The optical free working distance on the image side is at least 50 mm, preferably 60 mm.
6. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die bildseitige numerische Apertur NA im Bereich
0,15 ≦ NA
und die Ringfeldbreite W am Wafer im Bereich
1,0 mm ≦ W
und daß die Spitze-Spitze-Abweichung (A) der Asphären gegenüber der im Nutzbereich bestpassenden Sphäre auf allen Spiegeln durch
beschränkt ist.6. microlithography projection lens according to one of claims 3 to 5, characterized in that the image-side numerical aperture NA in the area
0.15 ≦ NA
and the ring field width W on the wafer in the area
1.0 mm ≦ W
and that the tip-to-tip deviation (A) of the aspheres compared to the best-fitting sphere in the usable area occurs on all mirrors
is limited. 7. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Spiegel derart angeordnet sind, daß die Lichtführung obskurationsfrei ist.7. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 6, characterized in that the mirrors are arranged in such a way that the light is free from obscuration is. 8. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Spiegelflächen auf zu einer Hauptachse (HA) rotationssymmetrischen Flächen angeordnet sind.8. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 7, characterized in that the mirror surfaces on a main axis (HA) rotationally symmetrical Surfaces are arranged. 9. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß im Projektionsobjektiv nach dem vierten Spiegel (S4) ein Zwischenbild ausgebildet wird.9. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 8, characterized in that an intermediate image in the projection lens after the fourth mirror (S4) is trained. 10. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine Blende (B) im Lichtweg bzw. Strahlengang zwischen zweitem (S2) und drittem Spiegel (S3) angeordnet ist.10. microlithography projection lens device according to claim 9, characterized in that an aperture (B) in the light path or beam path between the second (S2) and third mirror (S3) is arranged. 11. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstände zwischen erstem, zweitem und drittem Spiegel derart gewählt werden, daß die Blende frei zugänglich ist. 11. microlithography projection lens device according to claim 10, characterized in that the distances between the first, second and third mirror like this be chosen so that the aperture is freely accessible.   12. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand von erstem und drittem Spiegel (S1S3) zum Abstand von erstem und zweitem Spiegel (S1S2) im Bereich
liegt.12. Microlithography projection lens device according to claim 11, characterized in that the distance from the first and third mirror (S1S3) to the distance from the first and second mirror (S1S2) in the area
lies. 13. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Blende (B) im Strahlengang zwischen zweitem (S2) und drittem Spiegel (S3) am Körper des ersten Spiegels (S1) angeordnet ist.13. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 12, characterized in that the aperture (B) in the beam path between the second (S2) and the third Mirror (S3) is arranged on the body of the first mirror (S1). 14. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß
die bildseitige numerische Apertur NA ≧ 0,15 und die Ringfeldbreite am Wafer W ≧ 1 mm ist und
daß die Spitze-Spitze-Abweichung (A) der Asphären gegenüber der im Nutzbereich bestpassenden Sphären auf allen Spiegeln durch
beschränkt ist.14. Microlithography projection lens device according to one of claims 1 to 13, characterized in that
the numerical aperture NA ≧ 0.15 on the image side and the ring field width on the wafer W ≧ 1 mm is and
that the tip-to-tip deviation (A) of the aspheres compared to the spheres best fitting in the useful area on all mirrors
is limited. 15. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Blende (B) auf oder nahe beim zweiten Spiegel (S2) angeordnet ist. 15. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 8, characterized in that the diaphragm (B) is arranged on or near the second mirror (S2).   16. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß
der Abstand vom ersten und dritten Spiegel (S1S3) zum Abstand von erstem und zweitem Spiegel (S1S2) im Bereich
und der Abstand von zweitem und drittem Spiegel (S2S3) zum Abstand vom dritten und vierten Spiegel (S3S4) im Bereich
liegt.16. microlithography projection lens device according to claim 15, characterized in that
the distance from the first and third mirror (S1S3) to the distance from the first and second mirror (S1S2) in the area
and the distance from the second and third mirrors (S2S3) to the distance from the third and fourth mirrors (S3S4) in the area
lies. 17. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Spiegel asphärisch ausgebildet sind.17. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 16, characterized in that all mirrors are aspherical. 18. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß höchstens fünf Spiegel asphärisch sind.18. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 16, characterized in that a maximum of five mirrors are aspherical. 19. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite bis sechste Spiegel (S2-S6) in der Reihenfolge konkav­ konvex-konkavkonvex-konkav ausgebildet ist.19. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 18, characterized in that the second to sixth mirrors (S2-S6) are concave in order is convex-concave-convex-concave. 20. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Abbildungsmaßstab des ersten Spiegels (S1) positiv ist, vorzugsweise 0,5 < β < 1,5.20. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 19, characterized in that  the imaging scale of the first mirror (S1) is positive, preferably 0.5 <β <1.5. 21. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Abbildungsmaßstab des aus zweitem (S2), drittem (S3) und viertem Spiegel (S4) gebildeten Subsystems negativ und verkleinernd ist, vorzugsweise -0,5 < β < -1,0.21. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 19, characterized in that the image scale of the second (S2), third (S3) and fourth Mirror (S4) formed subsystem is negative and reducing, preferably -0.5 <β <-1.0. 22. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß der rms-Wellenfrontfehler des Systems höchstens 0,07 λ, bevorzugt 0,03 λ, über das gesamte Bildfeld beträgt.22. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 21, characterized in that the system's rms wavefront error is at most 0.07 λ, preferably 0.03 λ, over the entire image field. 23. Mikrolithographie-Projektionseinrichtung gemäß Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Bildfeld mindestens 1,0 mm breit ist.23. microlithography projection device according to claim 22, characterized in that the image field is at least 1.0 mm wide. 24. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß sie bildseitig telezentrisch ist.24. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 23, characterized in that it is telecentric on the image side. 25. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß sie objektseitig telezentrisch ist.25. Microlithography projection lens device according to claim 24, characterized in that it is telecentric on the object side. 26. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß der Hauptstrahl am Objekt zur optischen Achse hinläuft.26. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 1 to 24,  characterized in that the main beam on the object runs towards the optical axis. 27. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß der Spiegel mit der betragsmäßig kleinsten Brennweite nach dem Zwischenbild liegt.27. Microlithography projection lens device according to one of the Claims 9 to 26, characterized in that the mirror with the smallest focal length according to the Intermediate picture lies. 28. Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand von drittem und sechstem Spiegel (S3S6) nachfolgender Beziehung genügt:
0,3 (genutzter Durchmesser S3 + genutzter Durchmesser S6) < S3S628. Microlithography projection lens device according to one of claims 1 to 27, characterized in that the distance from the third and sixth mirror (S3S6) satisfies the following relationship:
0.3 (used diameter S3 + used diameter S6) <S3S6 29. Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mikrolithographie- Projektionsobjektiveinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß eine Reflektionsmaske vorgesehen ist.29. Projection exposure system with a microlithography Projection lens device according to one of claims 1 to 28, characterized in that a reflection mask is provided. 30. Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mikrolithographie- Projektionsobjektiveinrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß eine Transmissionsmaske vorgesehen ist.30. Projection exposure system with a microlithography Projection lens device according to one of claims 1 to 28, characterized in that a transmission mask is provided. 31. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 29 bis 30, dadurch gekennzeichnet, daß die Projektionsbelichtungsanlage eine Beleuchtungseinrichtung zur Beleuchtung eines Ringfeldes umfaßt. 31. Projection exposure system according to one of claims 29 to 30, characterized in that the projection exposure system is a lighting device for Illumination of a ring field includes.   32. Verfahren zur Chipherstellung mit einer Projektionsbelichtungsanlage gemäß einem der Ansprüche 29 bis 31.32. Method for chip production with a projection exposure system according to one of claims 29 to 31.
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