KR100731063B1 - 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100731063B1 KR100731063B1 KR1020050132368A KR20050132368A KR100731063B1 KR 100731063 B1 KR100731063 B1 KR 100731063B1 KR 1020050132368 A KR1020050132368 A KR 1020050132368A KR 20050132368 A KR20050132368 A KR 20050132368A KR 100731063 B1 KR100731063 B1 KR 100731063B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- image sensor
- planarization layer
- semiconductor substrate
- dummy
- cmos image
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 픽셀 어레이 에지 부분에 더미 패턴을 삽입한 후 평탄화층과 그 위에 칼라 필터 및 마이크로렌즈를 형성함으로써 픽셀 어레이 에지에서의 이미지 특성 저하를 방지하도록 한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 픽셀 어레이 영역과 더미 영역을 갖는 반도체 기판의 픽셀 어레이 영역에 일정한 간격을 갖고 형성되는 복수개의 포토 다이오드들과, 상기 포토 다이오드를 포함한 반도체 기판의 전면에 형성되는 층간 절연막과, 상기 반도체 기판의 더미 영역에 형성되는 더미 금속라인과, 상기 더미 금속라인을 포함한 반도체 기판의 전면에 에지 부분이 중앙 부분보다 높게 형성되는 평탄화층과, 상기 평탄화층상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되고 중앙 부분에서 에지 부분으로 갈수록 두께가 두껍게 형성되는 다수개의 마이크로렌즈를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
포토다이오드, 층간 절연막, 평탄화층, 마이크로렌즈
Description
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도
도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도
도 3은 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 단면도
도 4a는 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 평면도
도 4b는 도 4a의 Ⅳ-Ⅳ'선에 따른 씨모스 이미지 센서를 나타낸 단면도
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
101 : 반도체 기판 102 : 포토다이오드
103 : 층간 절연막 104 : 더미 금속라인
105 : 평탄화층 106 : 마이크로렌즈
본 발명은 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 이미지 센서 의 특성을 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기적인 신호로 변환시키는 반도체 장치로써, CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 소자와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 소자로 크게 나눌 수 있다.
상기 CMOS 이미지 센서는 조사되는 빛을 감지하는 포토 다이오드부와 감지된 빛을 전기적인 신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직 회로부로 구성되는데, 상기 포토 다이오드의 수광량이 많을수록 상기 이미지 센서의 광 감도(Photo Sensitivity) 특성이 양호해진다.
이러한, 광 감도를 높이기 위해서 이미지 센서의 전체 면적 중에서 포토 다이오드가 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하거나, 포토다이오드 이외의 영역으로 입사되는 광의 경로를 변경하여 상기 포토 다이오드로 집광시켜 주는 기술이 사용된다.
상기 집광 기술의 대표적인 예가 마이크로 렌즈를 형성하는 것인데, 이는 포토 다이오드 상부에 광투과율이 좋은 물질로 통상적으로 볼록형 마이크로렌즈를 만들어 입사광의 경로를 굴절시켜 보다 많은 양의 빛을 포토 다이오드 영역으로 조사하는 방법이다.
이 경우 마이크로렌즈의 광축과 수평한 빛이 마이크로렌즈에 의해서 굴절되어 광축상의 일정 위치에서 그 초점이 형성되어진다.
한편, 이미지 센서용 소자를 제조함에 있어서, 이미지를 받아들이는 포토 다 이오드의 개수가 해상력(resolution)을 결정하기 때문에 고(高)화소화로의 진전 및 소형화에 따른 픽셀(pixel)의 미세화가 이루어지고 있다.
따라서 이렇게 소형화 및 고화소화로의 진전에 따라 외부 화상의 입력을 이미지 플랜(image plane)에 집속함에 있어서 마이크로렌즈를 통해 집속을 하게 된다.
칼라 필터(color filter)는 색분리를 위해서 원색형 또는 보색형으로 칼라 필터층을 형성하게 되는데 원색형의 경우 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 칼라를, 보색형의 경우 시안(Cyan), 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 칼라를 형성하여 색분리가 되도록 하여 색 재현을 할 수 있도록 온-칩(on-chip) 방식으로 형성을 하게 된다.
한편, 입사되는 광을 효율적으로 활용하기 위함과 아울러 최대한 활용하기 위하여 마이크로렌즈를 형성하여 집광효율을 높이게 되는데, 상기 마이크로렌즈는 포토 레지스트(photo resist)를 열 리플로우(thermal reflow) 시켜서 형성하고 있다.
그러나 마이크로렌즈의 사이즈를 최대한 크게 하여 보다 많은 광을 집속하기 위하여 리플로우하다 보면 이웃하는 마이크로렌즈간의 브릿지(bridge)가 생기기 때문에 어느 정도의 CD(Critical Dimension)을 유지하여 균일성(uniformity)을 향상하게 된다.
한편, CMOS 이미지 센서는 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드와 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다. 상기 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소에 대한 레이아웃(lay-out)을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도이고, 도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도이다.
일반적인 3T형 씨모스 이미지 센서의 단위 화소는, 도 1에 도시된 바와 같이, 1개의 포토다이오드(PD; Photo Diode)와 3개의 nMOS 트랜지스터(T1, T2, T3)로 구성된다. 상기 포토다이오드(PD)의 캐소드는 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 드레인 및 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)의 게이트에 접속되어 있다.
그리고, 상기 제 1, 제 2 nMOS 트랜지스터(T1, T2)의 소오스는 모두 기준 전압(VR)이 공급되는 전원선에 접속되어 있고, 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 게이트는 리셋신호(RST)가 공급되는 리셋선에 접속되어 있다.
또한, 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 소오스는 상기 제 2 nMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 드레인은 신호선을 통하여 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 게이트는 선택 신호(SLCT)가 공급되는 열 선택선에 접속되어 있다.
따라서, 상기 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)는 리셋 트랜지스터(Rx)로 칭하고, 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)는 드라이브 트랜지스터(Dx), 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)는 선택 트랜지스터(Sx)로 칭한다.
일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위 화소는, 도 2에 도시한 바와 같이, 액티브 영역(10)이 정의되어 액티브 영역(10) 중 폭이 넓은 부분에 1개의 포토다이 오드(20)가 형성되고, 상기 나머지 부분의 액티브 영역(10)에 각각 오버랩되는 3개의 트랜지스터의 게이트 전극(120, 130, 140)이 형성된다.
즉, 상기 게이트 전극(120)에 의해 리셋 트랜지스터(Rx)가 형성되고, 상기 게이트 전극(130)에 의해 드라이브 트랜지스터(Dx)가 형성되며, 상기 게이트 전극(140)에 의해 선택 트랜지스터(Sx)가 형성된다.
여기서, 상기 각 트랜지스터의 액티브 영역(10)에는 각 게이트 전극(120, 130, 140) 하측부를 제외한 부분에 불순물 이온이 주입되어 각 트랜지스터의 소오스/드레인 영역이 형성된다.
따라서, 상기 리셋 트랜지스터(Rx)와 상기 드라이브 트랜지스터(Dx) 사이의 소오스/드레인 영역에는 전원전압(Vdd)이 인가되고, 상기 셀렉트 트랜지스터(Sx) 일측의 소오스/드레인 영역은 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속된다.
상기에서 설명한 각 게이트 전극(120, 130, 140)들은, 도면에는 도시되지 않았지만, 각 신호 라인에 연결되고, 상기 각 신호 라인들은 일측 끝단에 패드를 구비하여 외부의 구동회로에 연결된다.
도 3은 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(31)에 일정한 간격을 갖고 형성되는 복수개의 포토 다이오드(32)들과, 상기 포토 다이오드(32)를 포함한 반도체 기판(31)의 전면에 형성되는 층간 절연막(33)과, 상기 층간 절연막(33)상에 형성되는 에지 부분이 중앙 부분보다 낮게 형성되는 평탄화층(34)과, 상기 평탄화층(34)상에 상기 각 포토 다이오드(32)와 대응되게 형성되는 다수개의 마이크로렌즈(35)를 포 함하여 구성된다.
여기서, 상기 마이크로렌즈(35)와 평탄화층(34) 사이에 상기 각 포토 다이오드(32)와 대응되게 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 칼라 필터층(도시되지 않음)이 형성되어 있고, 상기 층간 절연막(33)은 다수의 층으로 이루어지며 그 사이에는 각종 금속배선(도시되지 않음)들이 형성되어 있다.
그러나 상기와 같은 종래의 씨모스 이미지 센서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 종래에는 평탄화층을 형성한 다음 칼라 필터와 마이크로렌즈를 형성하고 있는데, 픽셀 어레이 에지(pixel Array edge)에서 CMP의 디싱(dishing) 효과로 픽셀 어레이 에지 부위의 평탄화층이 중앙 부분보다 낮아 픽셀 어레이 에지에서의 이미지 특성이 저하된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 픽셀 어레이 에지 부분에 더미 패턴을 삽입한 후 평탄화층과 그 위에 칼라 필터 및 마이크로렌즈를 형성함으로써 픽셀 어레이 에지에서의 이미지 특성 저하를 방지하도록 한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서는 픽셀 어레이 영역과 더미 영역을 갖는 반도체 기판의 픽셀 어레이 영역에 일정한 간격을 갖고 형성되는 복수개의 포토 다이오드들과, 상기 포토 다이오드를 포함한 반도체 기판의 전면에 형성되는 층간 절연막과, 상기 반도체 기판의 더미 영역에 형성되는 더미 금속라인과, 상기 더미 금속라인을 포함한 반도체 기판의 전면에 에지 부분이 중앙 부분보다 높게 형성되는 평탄화층과, 상기 평탄화층상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되도록 형성되는 반구형의 마이크로렌즈를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 픽셀 어레이 영역과 더미 영역을 갖는 반도체 기판의 픽셀 어레이 영역에 일정한 간격을 갖는 복수개의 포토 다이오드들을 형성하는 단계와, 상기 포토 다이오드를 포함한 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막상에 금속막을 증착하고 선택적으로 제거하여 상기 반도체 기판의 더미 영역에 더미 금속라인을 형성하는 단계와, 상기 더미 금속라인을 포함한 반도체 기판의 전면에 에지 부분이 중앙 부분보다 높은 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 평탄화층상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되도록 형성되는 반구형의 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4a는 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 평면도이고, 도 4b는 도 4a의 Ⅳ-Ⅳ'선에 따른 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 단면도이다.
도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이, 픽셀 어레이 영역(P)과 더미 영역(D)을 갖는 반도체 기판(101)의 픽셀 어레이 영역에 일정한 간격을 갖고 형성되는 복수개의 포토 다이오드(102)들과, 상기 포토 다이오드(102)를 포함한 반도체 기판(101)의 전면에 형성되는 층간 절연막(103)과, 상기 반도체 기판(101)의 더미 영역(D)에 형성되는 더미 금속라인(dummy metal line)(104)과, 상기 더미 금속라인(104)을 포함한 반도체 기판(101)의 전면에 에지 부분이 중앙 부분보다 높게 형성되는 평탄화층(105)과, 상기 평탄화층(105)상에 상기 각 포토 다이오드(102)와 대응되도록 형성되는 반구형의 다수개의 마이크로렌즈(106)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 마이크로렌즈(106)와 평탄화층(105) 사이에 상기 각 포토 다이오드(102)와 대응되게 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 칼라 필터층(도시되지 않음)이 형성되어 있다.
또한, 상기 층간 절연막(103)은 다수의 층으로 이루어지며 그 사이에는 각종 금속배선(도시되지 않음)들이 형성되어 있고, 본 발명의 실시예에서는 최상층의 층간 절연막만을 도시하였다.
또한, 상기 평탄화층(105)은 "V"자형을 갖고 형성된다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 픽셀 어레이 영역(P)과 더미 영역(D)으로 정의된 다결정 실리콘 등의 반도체 기판(101)에 선택적으로 불순물 이온을 주입하여 픽셀 어레이 영역(P)에 일정한 간격을 갖는 다수개의 포토 다이오드(102)들을 형성한다.
이어, 상기 포토 다이오드(102)를 포함한 반도체 기판(101)의 전면에 층간 절연막(103)을 형성한다.
여기서, 상기 층간 절연막(103)은 사일렌 계열의 절연막으로 형성하여 그 속에 포함되어 있는 다량의 수소 이온으로 인하여 반도체 기판(101)의 댕글린 본드를 회복시킴으로써 암전류를 효과적으로 줄일 수도 있다.
도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 층간 절연막(103)상에 금속막을 증착하고, 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속막을 선택적으로 식각하여 상기 반도체 기판(101)의 더미 영역(D)에 더미 금속라인(104)을 형성한다.
여기서, 상기 더미 금속라인(104)은 별도의 금속막을 증착하여 형성하거나 각종 금속배선(도시되지 않음)을 형성할 때 더미 영역에 추가로 잔류하도록 형성할 수 있다.
도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 더미 금속라인(104)을 포함한 반도체 기판(101)의 전면에 실리콘 나이트라이드 등의 평탄화층(105)을 형성한다.
이어, 상기 평탄화층(105)의 전면에 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 실시한다. 이때 픽셀 어레이 영역(P)의 에지 부분 즉 더미 영역(D)에는 더미 금속라인(104)이 형성되어 있기 때문에 CMP의 디싱(dishing) 효과로 인하여 평탄화층(105)이 낮아지지 않고 반대로 중앙 부분보다 높게 형성된다.
즉, 본 발명에서는 픽셀 어레이 영역의 에지 부분인 더미 영역에 더미 금속라인(104)을 형성함으로써 종래의 픽셀 어레이 에지가 낮아지는 것을 반대로 높게 형성하도록 하여 픽셀 어레이 중심에서 픽셀 어레이 에지(edge)로 가면서 평탄화층(105)이 점점 높아지게 하고 있다.
도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 평탄화층(105)상에 상기 각 포토다이오드(102)와 대응되게 칼라 필터층(도시되지 않음) 및 반구형의 마이크로렌즈(106)를 형성한다.
여기서, 상기 마이크로렌즈(106)는 상기 포토 다이오드(102)로 입사되는 광을 효율 좋게 집속하기 위해 형성되는데, 마이크로렌즈용 물질층을 형성한 후 선택적으로 패터닝하여 마이크로렌즈 패턴을 형성하고, 상기 마이크로렌즈 패턴을 150 ~ 300℃의 온도에서 리플로우하여 반구형 형태로 형성하고 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 픽셀 어레이 영역의 에지 부분인 더미 영역에 더미 금속라인을 추가로 형성함으로써 평탄화층의 CMP 공정시 에지 부분이 낮아지는 것을 방지하여 픽셀 어레이 에지에서의 이미지 센서 특성을 향상시킬 수 있다.
Claims (5)
- 픽셀 어레이 영역과 더미 영역을 갖는 반도체 기판의 픽셀 어레이 영역에 일정한 간격을 갖고 형성되는 복수개의 포토 다이오드들과,상기 포토 다이오드를 포함한 반도체 기판의 전면에 형성되는 층간 절연막과,상기 반도체 기판의 더미 영역에 형성되는 더미 금속라인과,상기 더미 금속라인을 포함한 반도체 기판의 전면에 에지 부분이 중앙 부분보다 높게 형성되는 평탄화층과,상기 평탄화층상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되도록 형성되는 반구형의 마이크로렌즈를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 평탄화층은 "V"자형을 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 층간 절연막은 사일렌 계열의 절연막인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
- 픽셀 어레이 영역과 더미 영역을 갖는 반도체 기판의 픽셀 어레이 영역에 일정한 간격을 갖는 복수개의 포토 다이오드들을 형성하는 단계;상기 포토 다이오드를 포함한 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막상에 금속막을 증착하고 선택적으로 제거하여 상기 반도체 기판의 더미 영역에 더미 금속라인을 형성하는 단계;상기 더미 금속라인을 포함한 반도체 기판의 전면에 에지 부분이 중앙 부분보다 높은 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되도록 반구형의 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 층간 절연막은 사일렌 계열의 절연막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050132368A KR100731063B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050132368A KR100731063B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100731063B1 true KR100731063B1 (ko) | 2007-06-22 |
Family
ID=38373078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050132368A KR100731063B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100731063B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030001110A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 제조 방법 |
| JP2004140426A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Kyocera Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006134911A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-12-28 KR KR1020050132368A patent/KR100731063B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030001110A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 제조 방법 |
| JP2004140426A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Kyocera Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006134911A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100672699B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| JP4603851B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 | |
| KR100720457B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| KR100504563B1 (ko) | 이미지 센서 제조 방법 | |
| KR20070069833A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JP2006140483A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 | |
| JP4486043B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 | |
| KR100720509B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| KR100649023B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| JP2006080480A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 | |
| JP2007147738A (ja) | カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法 | |
| US20090160001A1 (en) | Image sensor and method for manufacturing the sensor | |
| JP2007324321A (ja) | カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法 | |
| US20090321864A1 (en) | Cmos image sensor and method for manufacturing the sensor | |
| KR100840658B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100731063B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100788348B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR100698092B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| JP2007079154A (ja) | カラーフィルタの形成方法およびこれを用いた固体撮像素子の製造方法 | |
| US20070145238A1 (en) | Method for Manufacturing Mask and CMOS Image Sensor | |
| JP2006344656A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| KR100731068B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| US20090068599A1 (en) | Method of manufacturing image sensor | |
| KR20060077064A (ko) | 트리플 마이크로렌즈를 갖는 씨모스 이미지 센서 및 그의제조방법 | |
| JP2007199386A (ja) | カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120521 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |