KR100727900B1 - Single photon counting type digital x-ray on-chip threshold voltage generator for image sensor - Google Patents

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김영희
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Abstract

A threshold voltage generator for a single photon counting type digital X-ray image sensor is provided to set a threshold voltage generator in a pixel for a CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) readout chip to omit an operation of confirming a common voltage of a pre-amplifier and reduce channel length modulation effect. A threshold voltage generator for a single photon counting type digital X-ray image sensor includes a bias voltage generating unit(40) and a threshold voltage generating unit(50). The bias voltage generating unit receives a power supply voltage, generates a reference voltage, and generates a bias voltage according to the reference voltage. The threshold voltage generating unit generates a threshold voltage by using a resistor and a current source connected to an output terminal of the bias voltage generating unit.

Description

단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기{Single Photon Counting type digital X-ray On-Chip threshold voltage generator for image sensor}Single Photon Counting type digital X-ray On-Chip threshold voltage generator for image sensor}

도 1은 일반적인 단광자 계수형 디지털 이미지센서의 개략도.1 is a schematic diagram of a typical single photon counting digital image sensor.

도 2는 종래의 단광자 계수형 디지털 이미지센서의 블록도.Figure 2 is a block diagram of a conventional single photon counting digital image sensor.

도 3은 단광자 계수형 이미지센서의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면.3 is a diagram showing a simulation result of a single photon counting image sensor.

도 4는 본 발명에 의한 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기의 블록도.4 is a block diagram of a threshold voltage generator for a single photon counting digital X-ray image sensor according to the present invention;

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

40 : 바이어스 전압 생성부 50 : 문턱전압 생성부40: bias voltage generator 50: threshold voltage generator

410 : MOS 다이오드 분배기 420 : 전압 버퍼 410: MOS diode divider 420: voltage buffer

본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 단광자 계수형 디지털 X선 이미지센서에 관한 것이다.The present invention relates to an image sensor, and more particularly to a single photon counting digital X-ray image sensor.

X선(X-ray) 이미지센서는 X선을 통해 피사체 정보를 검지하여 전기적인 영상 신호로 변환하는 장치로서, 텔레비전, 카메라, 팩시밀리 등에 많이 사용된다.An X-ray image sensor is a device that detects subject information through X-rays and converts it into an electrical image signal. It is widely used in televisions, cameras, and facsimiles.

종래의 디지털 X선 이미지센서는 X선에 의해 발생된 전자-정공쌍(EHP: Electron-Hole Pair)을 주어진 시간동안 축적하여 영상화하는 전하축적방식이 사용되었다.In the conventional digital X-ray image sensor, a charge accumulation method of accumulating and imaging an electron-hole pair (EHP) generated by X-rays for a given time has been used.

전하축적방식은 직접방식(Direct type)과 간접방식(Indirect type)으로 나눌 수 있는데, 직접방식은 X선을 중간 매개체없이 검출기와 직접적으로 반응하여 전자-정공 쌍의 전기적 신호를 발생하는 방식이고, 간접방식은 입사된 X-선을 섬광체를 통해 가시광선 영역의 빛으로 변환 후 가시광선을 받아들일 수 있는 센서를 이용해 전기적 신호로 변환하는 방식이다.The charge accumulation method can be divided into direct type and indirect type, which is a method of generating an electrical signal of an electron-hole pair by directly reacting an X-ray with a detector without an intermediate medium. The indirect method converts incident X-rays into visible light through a scintillator and then converts them into electrical signals using a sensor that can receive visible light.

간접방식은 X-선을 가시광선으로 변환하는 과정에서 신호의 손실이 발생하며, 또한 가시광선을 다시 검출함에 있어서 이미지 손실이 생기는 반면, 직접방식은 간접방식처럼 신호의 손실이 없으므로 간접방식보다 이미지 퀄리티(image quality)가 뛰어나다 볼 수 있다.Indirect method loses signal when converting X-rays into visible light, and image loss occurs when detecting visible light again, whereas direct method does not lose signal like indirect method, so it has more image than indirect method. Image quality is excellent.

그러나 전하축적방식은 직접방식이든, 간접방식이든 상대적으로 방사선량이 많아서 사용자의 방사선 피폭의 위험이 있는 단점이 있다. However, the charge accumulation method has a disadvantage in that there is a risk of radiation exposure of the user because of the relatively high radiation dose, whether direct or indirect.

이러한 단점을 극복하기 위해 도입된 것이 광자 계수 방식인데, 이 방식은 입사되는 광자(photon)의 수를 계수하여 영상화하는 방식이다.In order to overcome this drawback, the photon counting method is introduced. This method is a method of counting and imaging the number of incident photons.

광자 계수 방식은 종래의 전하축적방식의 이미지센서에 비하여 상대적으로 적은 방사선량(피폭량)으로도 양질의 영상을 얻을 수 있으므로 사용자의 방사선 피폭에 대한 두려움을 줄일 수 있어서 마모그래피(mammography), CT, 치과용 DR, PET 등의 의료기기 뿐 아니라 산업용 비파괴검사, 분자영상 등의 응용분야에도 상용화될 수 있다.The photon counting method can obtain high quality images with a relatively low radiation dose (exposure dose) compared to the conventional charge accumulation type image sensor, thereby reducing the fear of radiation exposure of the user, thereby reducing mammography, CT, It can be commercialized not only for medical devices such as dental DR and PET, but also for applications such as industrial nondestructive testing and molecular imaging.

이러한 광자 계수 방식을 이용한 이미지센서가 주어진 시간동안 입사되는 포톤(photon)을 계수하여 영상화하는 단광자 계수형 디지털 X선 이미지센서이다.An image sensor using the photon counting method is a single photon counting digital X-ray image sensor that counts and images photons incident for a given time.

도 1은 일반적인 단광자 계수형 디지털 이미지센서를 개략적으로 나타낸 것이다.1 schematically illustrates a general single photon counting digital image sensor.

도 1에 의하면, 단광자 계수형 디지털 X선 이미지센서는 X선 검출부와 CMOS 독출 칩(Readout chip)으로 결합한 하이브리드 형태로 할 수 있고, Flip chip bonding없이 X선 검출부를 직접 광자 계수용 독출 칩에 연결할 수도 있다.According to FIG. 1, the single photon counting digital X-ray image sensor may be a hybrid type combining an X-ray detector and a CMOS readout chip, and connect the X-ray detector directly to the photon counting read chip without flip chip bonding. It may be.

도 2는 종래의 단광자 계수형 디지털 이미지센서의 블록도를 나타낸 것이다.Figure 2 shows a block diagram of a conventional single photon counting digital image sensor.

종래의 단광자 계수형 X선 이미지센서는 X선 검출부(x-ray detector; 10)와 픽셀(20)로 구성되어 있고, 이를 연결하는 범프 본딩 패드(bump bonding pad; 15)가 있다. 여기서 X선 검출부(10)와 픽셀(20)은 어레이 형태로 구성될 수 있다.The conventional single photon counting X-ray image sensor is composed of an X-ray detector 10 and a pixel 20, and has a bump bonding pad 15 connecting the same. The X-ray detector 10 and the pixel 20 may be configured in an array form.

X선 검출부(10)의 한쪽 노드는 바이어스 전압인 VHH에 연결되어 있고 다른 한 노드는 범프 본딩 노드에 연결되어 있다.One node of the X-ray detector 10 is connected to the bias voltage VHH and the other node is connected to the bump bonding node.

X선 검출부(10)로 광자가 들어오면 그 에너지에 상응하는 전자-정공쌍이 발생한다. 전자-정공쌍 중에서 정공은 본딩 패드를 통해 프리앰프(preamplifier)의 입력으로 들어오게 된다. 프리앰프는 저항 R이 없는 경우는 전하축적기(charge integrator) 역할을 하며, 들어오는 전하를 축적하여 전압으로 바꾸어 주는 역할을 한다.When photons enter the X-ray detector 10, electron-hole pairs corresponding to the energy are generated. Holes in the electron-hole pairs enter the input of the preamplifier through the bonding pads. The preamplifier acts as a charge integrator in the absence of resistor R, and accumulates incoming charge and converts it into voltage.

도 3은 단광자 계수형 이미지센서의 시뮬레이션 결과를 나타낸 것이다.Figure 3 shows the simulation results of the single photon counting image sensor.

저항 R이 있는 경우는 네가티브 피드백(Negative Feedback)에 의해 공통전압(common voltage)인 바이어스 전압 VB상태에서 전하가 들어오면 프리앰프의 출력 노드전압(Vpreamp)은 펄스 형태로 떨어지고, 저항 R에 의해 바이어스 전압으로 디스차아지 된다.In the case of the resistor R, when the charge comes in the bias voltage VB state which is the common voltage by negative feedback, the output node voltage V preamp of the preamplifier falls in the form of a pulse, and the resistor R It is discharged to the bias voltage.

이렇게 해서 프리앰프의 출력 노드전압 Vpreamp에 전압 펄스가 들어오면 비교기에서는 픽셀 외부에서 공급되는 기준전압인 문턱전압 VTHR와 비교하여, Vpreamp가 VTHR보다 낮으면 단광자가 들어온 것으로 판단하여 비교기 출력 노드인 Comp_out 노드에 Low에 해당하는 펄스를 내보낸다.In this manner enters a voltage pulse to the output node voltage Vpreamp preamplifier in CMOS pixels compared to the reference voltage in a threshold voltage V THR supplied from the outside, Vpreamp is low, it is determined only by photon entering the comparator output than V THR node Sends a pulse corresponding to Low to the Comp_out node.

그러나 종래의 기술은 Vpreamp의 공통전압을 정확하게 알 수 없기 때문에, 매번 확인해야 하는 단점이 있다.However, the conventional technology has a disadvantage in that it is necessary to check each time because the common voltage of the Vpreamp cannot be accurately known.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, CMOS 독출 칩용 픽셀 내부에 문턱전압 생성기를 장착하여 프리앰프의 공통전압을 확인하지 않아도 되며, 또한 채널 길이 변조 효과를 줄일 수 있는 문턱전압 생성기를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed in order to solve the above problems, and it is not necessary to check the common voltage of the preamplifier by installing a threshold voltage generator inside a pixel for a CMOS read chip, and also reduce a threshold voltage generator effect. The purpose is to provide.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기는 전원전압(VDD)을 인가받아 기준전압(Vref_VB) 을 생성하고, 상기 기준전압(Vref_VB)에 의해 바이어스 전압(VB)을 생성하는 바이어스 전압 생성부; 및 상기 바이어스 전압 생성부의 출력단에 연결되는 저항(R) 및 전류원(I)에 의해 문턱전압(VTHR)을 생성하는 문턱전압 생성부;를 포함함을 특징으로 한다.The threshold voltage generator for a single photon counting digital X-ray image sensor according to the present invention for generating the technical problem generates a reference voltage Vref_VB by applying a power supply voltage VDD, and bias voltage by the reference voltage Vref_VB. A bias voltage generator configured to generate VB; And a threshold voltage generator configured to generate a threshold voltage V THR by a resistor R and a current source I connected to an output terminal of the bias voltage generator.

또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기는 전원전압(VDD)에 의해 바이어스 전압(VB)의 기준전압(Vref_VB)을 생성하는 MOS 다이오드 분배기; 상기 MOS 다이오드 분배기의 출력단과 접지 사이에 연결되는 제1 NMOS 트랜지스터; 상기 기준전압(Vref_VB)을 입력받아 바이어스 전압(VB)을 생성하는 전압 버퍼; 상기 바이어스 전압(VB)을 생성하는 전압 버퍼의 출력단에 연결된 저항; 및 상기 저항과 직렬로 연결된 전류원;을 포함하고, 상기 저항과 전류원 사이에서 문턱전압(VTHR)이 생성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the threshold voltage generator for a single photon counting digital X-ray image sensor according to the present invention for achieving the above technical problem comprises a MOS diode divider for generating a reference voltage (Vref_VB) of the bias voltage (VB) by the power supply voltage (VDD); A first NMOS transistor coupled between the output terminal of the MOS diode divider and ground; A voltage buffer receiving the reference voltage Vref_VB to generate a bias voltage VB; A resistor connected to an output terminal of the voltage buffer generating the bias voltage VB; And a current source connected in series with the resistor, wherein a threshold voltage V THR is generated between the resistor and the current source.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 의한 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기의 블록도를 나타낸 것으로, 바이어스 전압 생성부(40) 및 문턱전압 생성부(50)로 이루어진다.4 is a block diagram of a threshold voltage generator for a single photon counting digital X-ray image sensor according to the present invention, and includes a bias voltage generator 40 and a threshold voltage generator 50.

바이어스 전압 생성부(40)는 전원전압(VDD)을 인가받아 기준전압(Vref_VB)을 생성하고, 기준전압(Vref_VB)에 의해 바이어스 전압(VB)을 생성하는 것으로, MOS 다이오드 분배기(410), 제1 NMOS 트랜지스터(NM1), 전압 버퍼(420)로 구성된다. The bias voltage generator 40 receives the power supply voltage VDD to generate the reference voltage Vref_VB and generates the bias voltage VB by the reference voltage Vref_VB. One NMOS transistor NM1 and a voltage buffer 420 are included.

문턱전압 생성부(50)는 바이어스 전압 생성부(40)의 출력단에 연결되는 저항(R) 및 전류원(I)에 의해 문턱전압(VTHR)을 생성하는 것으로, 저항(R), 제2 NMOS 트랜지스터(NM2) 및 전류원(I)으로 구성된다.The threshold voltage generator 50 generates the threshold voltage V THR by the resistor R and the current source I connected to the output terminal of the bias voltage generator 40. The resistor R and the second NMOS It consists of a transistor NM2 and a current source I.

도 4의 구성요소에 의거하여 본 발명에 의한 픽셀 내부 문턱전압 생성기의 동작을 설명하기로 한다.The operation of the pixel internal threshold voltage generator according to the present invention will be described based on the components of FIG. 4.

MOS 다이오드 분배기(410)는 전원전압(VDD)에 의해 바이어스 전압(VB)의 기준전압(Vref_VB)을 생성한다. The MOS diode divider 410 generates the reference voltage Vref_VB of the bias voltage VB by the power supply voltage VDD.

MOS 다이오드 분배기(410)는 전원전압(VDD)과 직렬로 연결된 제1 PMOS 트랜지스터(PM1) 및 제1 PMOS 트랜지스터(PM1)와 직렬로 연결된 제2 PMOS 트랜지스터(PM2)를 포함하고, 제1 PMOS 트랜지스터(PM1)와 제2 PMOS 트랜지스터(PM2)는 각각 게이트와 드레인이 연결되어 다이오드 역할을 한다. The MOS diode divider 410 includes a first PMOS transistor PM1 connected in series with a power supply voltage VDD and a second PMOS transistor PM2 connected in series with the first PMOS transistor PM1. Each of the PM1 and the second PMOS transistor PM2 is connected to a gate and a drain to serve as a diode.

제1 NMOS 트랜지스터(NM1)는 MOS 다이오드 분배기(410)의 출력단과 접지 사이에 연결된다.The first NMOS transistor NM1 is connected between the output terminal of the MOS diode divider 410 and ground.

전압 버퍼(420)는 구동 능력이 큰 전압 버퍼(voltage buffer)로서, 기준전압(Vref_VB)을 입력받아 바이어스 전압(VB)을 생성한다.The voltage buffer 420 is a voltage buffer having a large driving capability and receives a reference voltage Vref_VB to generate a bias voltage VB.

상기 바이어스 전압(VB)을 생성하는 전압 버퍼(420)의 출력단에 저항(R)이 연결되며, 전류원(I)은 저항(R)과 직렬로 연결되며, 결과적으로 저항(R)과 전류원(I) 사이에서 문턱전압(VTHR)이 생성된다.A resistor R is connected to an output terminal of the voltage buffer 420 that generates the bias voltage VB, and a current source I is connected in series with a resistor R. As a result, the resistor R and the current source I Threshold voltage (V THR ) is generated between.

전류원(I)를 만들기 위해 사용되는 NMOS 전류 거울(Current Mirror)의 채널 길이 변조 효과(Channel Length Modulation Effect) 현상을 줄이기 위하여 추가적으로 게이트와 드레인이 연결되어 있는 제2 NMOS 트랜지스터(MN2)를 저항(R)과 전류원(I) 사이에 직렬로 연결시킬 수 있으며, 제2 NMOS 트랜지스터가 없더라도 본 발명에 의한 문턱전압 생성기 동작에는 큰 문제는 없다.In order to reduce the channel length modulation effect of the NMOS current mirror used to make the current source I, the second NMOS transistor MN2 having a gate and a drain additionally connected to the resistor R ) And the current source I can be connected in series, and there is no big problem in the operation of the threshold voltage generator according to the present invention even without the second NMOS transistor.

결과적으로 문턱전압(VTHR)의 출력전압은 바이어스 전압(VB)보다 소정의 전압(V)만큼 적은 값이 된다. 상기 소정의 전압은 저항(R)에 전류(I)를 흘려서 정하여 진다. 즉, 프리앰프 전압(Vpreamp)의 떨어지는 펄스 전압(pulse voltage)에 따라 결정된다.As a result, the output voltage of the threshold voltage V THR is smaller than the bias voltage VB by a predetermined voltage V. The predetermined voltage is determined by passing a current I through the resistor R. That is, it is determined according to the falling pulse voltage of the preamp voltage Vpreamp.

본 발명에 사용되는 전류원(I)은 기준전류발생기 회로를 이용하여 설계할 수 있다.The current source I used in the present invention can be designed using a reference current generator circuit.

이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.The technical spirit of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings. However, the present invention has been described by way of example only, and is not intended to limit the present invention. In addition, it is apparent that any person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs may make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.

본 발명에 의한 문턱전압 생성기는 CMOS 독출 칩용 픽셀 내부에 문턱전압 생성기를 장착하여 프리앰프의 공통전압을 확인하지 않아도 되는 장점이 있으며, 또 한 채널 길이 변조 효과를 줄일 수 있는 장점이 있다.The threshold voltage generator according to the present invention has the advantage of not having to check the common voltage of the preamplifier by mounting the threshold voltage generator inside the pixel for the CMOS read chip, and also has the advantage of reducing the channel length modulation effect.

Claims (9)

단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서에 인가되는 문턱전압(VTHR)을 생성하는 장치에 있어서,In the apparatus for generating a threshold voltage (V THR ) applied to a single photon counting digital X-ray image sensor, 전원전압(VDD)을 인가받아 기준전압(Vref_VB)을 생성하고, 상기 기준전압(Vref_VB)에 의해 바이어스 전압(VB)을 생성하는 바이어스 전압 생성부; 및 A bias voltage generator configured to receive a power supply voltage VDD to generate a reference voltage Vref_VB, and generate a bias voltage VB by the reference voltage Vref_VB; And 상기 바이어스 전압 생성부의 출력단에 연결되는 저항(R) 및 전류원(I)에 의해 문턱전압(VTHR)을 생성하는 문턱전압 생성부;를 포함함을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기.For a single-photon counting digital X-ray image sensor, comprising: a threshold voltage generator configured to generate a threshold voltage V THR by a resistor R and a current source I connected to an output terminal of the bias voltage generator. Threshold Voltage Generator. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 저항(R)과 상기 전류원(I) 사이에 직렬로 연결되는 트랜지스터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기.And a transistor connected in series between the resistor (R) and the current source (I). The threshold voltage generator of claim 1, further comprising a transistor. 전원전압(VDD)에 의해 바이어스 전압(VB)의 기준전압(Vref_VB)을 생성하는 MOS 다이오드 분배기;A MOS diode divider generating a reference voltage Vref_VB of the bias voltage VB by the power supply voltage VDD; 상기 MOS 다이오드 분배기의 출력단과 접지 사이에 연결되는 제1 NMOS 트랜지스터;A first NMOS transistor coupled between the output terminal of the MOS diode divider and ground; 상기 기준전압(Vref_VB)을 입력받아 바이어스 전압(VB)을 생성하는 전압 버퍼;A voltage buffer receiving the reference voltage Vref_VB to generate a bias voltage VB; 상기 바이어스 전압(VB)을 생성하는 전압 버퍼의 출력단에 연결된 저항; 및A resistor connected to an output terminal of the voltage buffer generating the bias voltage VB; And 상기 저항과 직렬로 연결된 전류원;을 포함하고,A current source connected in series with the resistor; 상기 저항과 전류원 사이에서 문턱전압(VTHR)이 생성되는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기.A threshold voltage generator for a single photon counting digital X-ray image sensor, characterized in that a threshold voltage (V THR ) is generated between the resistor and the current source. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 저항과 상기 전류원 사이에 직렬로 연결되는 제2 NMOS 트랜지스터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기.And a second NMOS transistor connected in series between the resistor and the current source. The threshold voltage generator of claim 1, further comprising a second NMOS transistor. 제4항에 있어서, 상기 제2 NMOS 트랜지스터는 The method of claim 4, wherein the second NMOS transistor is 게이트와 드레인이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기.A threshold voltage generator for a single photon counting digital X-ray image sensor, characterized in that a gate and a drain are connected. 제3항에 있어서, 상기 MOS 다이오드 분배기는4. The diode of claim 3 wherein the MOS diode divider is 전원전압(VDD)과 직렬로 연결된 제1 PMOS 트랜지스터; 및A first PMOS transistor connected in series with a power supply voltage VDD; And 상기 제1 PMOS 트랜지스터와 직렬로 연결된 제2 PMOS 트랜지스터;를 포함하 고, 직렬로 연결된 상기 제1, 제2 PMOS 트랜지스터 사이에서 바이어스 전압(VB)의 기준전압(Vref_VB)이 생성되는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기.And a second PMOS transistor connected in series with the first PMOS transistor, wherein a reference voltage Vref_VB of a bias voltage VB is generated between the first and second PMOS transistors connected in series. Threshold voltage generator for single photon counting digital X-ray image sensor. 제6항에 있어서, 상기 제1, 제2 PMOS 트랜지스터는The method of claim 6, wherein the first and second PMOS transistors 각각 게이트와 드레인이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기.A threshold voltage generator for a single photon counting digital X-ray image sensor, characterized in that the gate and the drain are respectively connected. 제3항에 있어서, 상기 문턱전압(VTHR)은The method of claim 3, wherein the threshold voltage (V THR ) is 바이어스 전압(VB)보다 소정의 전압만큼 적은 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기.A threshold voltage generator for a single photon counting digital X-ray image sensor, characterized in that it is less than the bias voltage (VB) by a predetermined voltage. 제8항에 있어서, 상기 소정의 전압은The method of claim 8, wherein the predetermined voltage is 저항에 전류를 흘려서 정하는 것을 특징으로 하는 단광자 계수형 디지털 엑스선 이미지센서용 문턱전압 생성기.A threshold voltage generator for a single photon counting digital X-ray image sensor, characterized in that the current is determined by flowing a resistor.
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